JP2001085782A - 半導体メサデバイスの製造方法 - Google Patents
半導体メサデバイスの製造方法Info
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】メサの膨らみを低減でき、あるいは少なくでき
るメサデバイスの製造工程を提供する。 【解決手段】発明の要約本発明は、半導体デバイスの製
造方法に関し、半導体ウェーハの少なくとも第１の半導
体層を選択エッチングして、半導体層の側面を傾斜させ
るステップと、エッチングされた領域を平坦化するよう
にエッチングされた領域に第２の層を形成するステップ
と、メサ外面的形態を形成するようにエッチングされた
領域の一部に続いて第２のエッチングを行うステップと
を有する。ここに用いられる材質は傾斜した側面を有す
るデバイスの製造に可能にし、拡張ビームレーザのよう
なデバイスのモノシリック集積回路に有益であり、同時
に、側面を傾斜させることによりもたらされるメサ幅
（メサ膨らみ）が不必要に増加するのを抑え、あるいは
なくすことができる。
るメサデバイスの製造工程を提供する。 【解決手段】発明の要約本発明は、半導体デバイスの製
造方法に関し、半導体ウェーハの少なくとも第１の半導
体層を選択エッチングして、半導体層の側面を傾斜させ
るステップと、エッチングされた領域を平坦化するよう
にエッチングされた領域に第２の層を形成するステップ
と、メサ外面的形態を形成するようにエッチングされた
領域の一部に続いて第２のエッチングを行うステップと
を有する。ここに用いられる材質は傾斜した側面を有す
るデバイスの製造に可能にし、拡張ビームレーザのよう
なデバイスのモノシリック集積回路に有益であり、同時
に、側面を傾斜させることによりもたらされるメサ幅
（メサ膨らみ）が不必要に増加するのを抑え、あるいは
なくすことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイスに係
わり、特にメサ外面的形態を有する半導体デバイスの製
造方法に関する。
わり、特にメサ外面的形態を有する半導体デバイスの製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザのような典型的な半導体オプトエ
レクトロニクスデバイスの製造方法には、デバイスの外
側の寸法を画定するためにメサを形成するステップを含
む。例えば、標準的製造工程は、半導体ウェーハに数個
の半導体層をエピタキシャル成膜、およびその後の半導
体層を選択エッチングして個々のデバイスを画定するプ
ラトーあるいはメサを形成することを含む。増加するア
テンションを受ける一つの特殊なデバイスは、拡張ビー
ムレーザである。このタイプのレーザは、光ビームを下
層のウェーブガイド層に向けるような進路の活性領域の
一部を除去して製造される。ウェーブガイド層は、光が
広がり、あるいは分岐し、そして伝播するように設計さ
れている。典型的なこのようなデバイスの製造には、光
ビームをウェーブガイドに繋ぐために、メサエッチング
に先行して、メサ軸方向を横切るエピタキシャル膜の斜
め側面の傾斜エッチングを含む（Ｊｏｈｎｓｏｎ ６−
１９−８−１−３の米国特許出願Ｓｅｒｉａｌ Ｎｏ．
０９／２２８２１８,１９９９年２月１１日出願、Ｌｕ
ｃｅｎｔに譲渡を参照）。
レクトロニクスデバイスの製造方法には、デバイスの外
側の寸法を画定するためにメサを形成するステップを含
む。例えば、標準的製造工程は、半導体ウェーハに数個
の半導体層をエピタキシャル成膜、およびその後の半導
体層を選択エッチングして個々のデバイスを画定するプ
ラトーあるいはメサを形成することを含む。増加するア
テンションを受ける一つの特殊なデバイスは、拡張ビー
ムレーザである。このタイプのレーザは、光ビームを下
層のウェーブガイド層に向けるような進路の活性領域の
一部を除去して製造される。ウェーブガイド層は、光が
広がり、あるいは分岐し、そして伝播するように設計さ
れている。典型的なこのようなデバイスの製造には、光
ビームをウェーブガイドに繋ぐために、メサエッチング
に先行して、メサ軸方向を横切るエピタキシャル膜の斜
め側面の傾斜エッチングを含む（Ｊｏｈｎｓｏｎ ６−
１９−８−１−３の米国特許出願Ｓｅｒｉａｌ Ｎｏ．
０９／２２８２１８,１９９９年２月１１日出願、Ｌｕ
ｃｅｎｔに譲渡を参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】メサエッチングによ
り、有害な形態がメサと側面を傾斜させるようにエッチ
ングした領域の交点で発生する。これにより、メサスト
ライプのいずれかの側面の余分な材料が不均等になり、
余分な材料がメサの膨らみを形成する。従って、メサの
膨らみを低減でき、あるいは少なくできるメサデバイス
の製造工程が要望されている。
り、有害な形態がメサと側面を傾斜させるようにエッチ
ングした領域の交点で発生する。これにより、メサスト
ライプのいずれかの側面の余分な材料が不均等になり、
余分な材料がメサの膨らみを形成する。従って、メサの
膨らみを低減でき、あるいは少なくできるメサデバイス
の製造工程が要望されている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記層にエッ
チングで側面を傾斜させるように、少なくとも半導体ウ
ェーハに設けられた第１の半導体層を選択エッチングす
るステップと、エッチングされた領域を平坦化するよう
に、エッチングされた領域の上に第２層を形成するステ
ップと、これに続いて、メサの外形を形成するように、
エッチングされた層の一部に第２のエッチングを行うス
テップを有する半導体デバイスの製造方法である。
チングで側面を傾斜させるように、少なくとも半導体ウ
ェーハに設けられた第１の半導体層を選択エッチングす
るステップと、エッチングされた領域を平坦化するよう
に、エッチングされた領域の上に第２層を形成するステ
ップと、これに続いて、メサの外形を形成するように、
エッチングされた層の一部に第２のエッチングを行うス
テップを有する半導体デバイスの製造方法である。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１に示すように、代表的な拡張
ビームレーザの組立てはウェーハ１０から始まり、、こ
のウェーハは、例えばＩｎＰである。１枚のウェーハか
ら幾つかのデバイスが製造されるが、図１１および図１
２を除き、それ以外の図では、１個のデバイスを示して
説明する。また、図１に示すように、選択エリアグロー
ス（ＳＡＧとして知られている）は、最初に、通常のフ
ォトリソグラフィによりウェーハ１０の選択された部分
に酸化物マスクが形成される。その後、ウェーハの露出
した領域にエピタキシャルにより半導体層１５が形成さ
れる。層１５は最終のデバイスではウエーブガイドを形
成するものであり、代表的には、ＩｎＧａＡｓＰに覆わ
れた頂部とＩｎＰの底部を有する。エピタキシャル層は
有機金属化学気相堆積法（ＭＯＣＶＤ）により形成さ
れ、酸化物マスク上には形成されない。
ビームレーザの組立てはウェーハ１０から始まり、、こ
のウェーハは、例えばＩｎＰである。１枚のウェーハか
ら幾つかのデバイスが製造されるが、図１１および図１
２を除き、それ以外の図では、１個のデバイスを示して
説明する。また、図１に示すように、選択エリアグロー
ス（ＳＡＧとして知られている）は、最初に、通常のフ
ォトリソグラフィによりウェーハ１０の選択された部分
に酸化物マスクが形成される。その後、ウェーハの露出
した領域にエピタキシャルにより半導体層１５が形成さ
れる。層１５は最終のデバイスではウエーブガイドを形
成するものであり、代表的には、ＩｎＧａＡｓＰに覆わ
れた頂部とＩｎＰの底部を有する。エピタキシャル層は
有機金属化学気相堆積法（ＭＯＣＶＤ）により形成さ
れ、酸化物マスク上には形成されない。
【０００６】図２に示すように、その後の工程で、酸化
膜マスク１４が除去され、複数の半導体層１６−１９が
ウエーブガイド１５上および酸化物マスク１４が除去さ
れて空隙になった領域にエピタキシャル層が形成され
る。第1層は分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）１６で
あり、このヘテロ構造（ＳＣＨ）１６には通常ｎタイプ
ＩｎＧａＡｓＰが用いられる。その後、複数の量子井戸
１７が標準的な技術により形成される。これらの層は異
なる組成のＩｎＧａＡｓＰの層を交互に重ねたものであ
り、デバイスの活性材料を含む。さらに附加された閉じ
込め層１８は、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰからなり、その後、
量子井戸層１７上に形成される。ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ被
覆層１９は、その後層１８上に形成され、活性層をさら
に絶縁する。
膜マスク１４が除去され、複数の半導体層１６−１９が
ウエーブガイド１５上および酸化物マスク１４が除去さ
れて空隙になった領域にエピタキシャル層が形成され
る。第1層は分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）１６で
あり、このヘテロ構造（ＳＣＨ）１６には通常ｎタイプ
ＩｎＧａＡｓＰが用いられる。その後、複数の量子井戸
１７が標準的な技術により形成される。これらの層は異
なる組成のＩｎＧａＡｓＰの層を交互に重ねたものであ
り、デバイスの活性材料を含む。さらに附加された閉じ
込め層１８は、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰからなり、その後、
量子井戸層１７上に形成される。ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ被
覆層１９は、その後層１８上に形成され、活性層をさら
に絶縁する。
【０００７】側面に傾斜をつけるエッチングを行うた
め、傾斜側面の酸化物あるいはフォトレジストマスク２
０は、図３の断面図および図１１の平面図に示すよう
に、いままでにできた構造の上に形成される。図１１は
ウェーハ１０の一部を示すものであり、このウェーハ１
０から多数のデバイスが製造される。図１１における符
号３０−３３で示す線は、個々のデバイスの境界を示す
ものである。マスク２０は鮫の歯形状を含み、各デバイ
スの量子井戸層の特定領域がデバイスの軸方向に沿って
対角線状にエッチングできるように傾斜部機能が形成さ
れる。本実施形態では、マスク２０は二酸化珪素であ
る。
め、傾斜側面の酸化物あるいはフォトレジストマスク２
０は、図３の断面図および図１１の平面図に示すよう
に、いままでにできた構造の上に形成される。図１１は
ウェーハ１０の一部を示すものであり、このウェーハ１
０から多数のデバイスが製造される。図１１における符
号３０−３３で示す線は、個々のデバイスの境界を示す
ものである。マスク２０は鮫の歯形状を含み、各デバイ
スの量子井戸層の特定領域がデバイスの軸方向に沿って
対角線状にエッチングできるように傾斜部機能が形成さ
れる。本実施形態では、マスク２０は二酸化珪素であ
る。
【０００８】層１６−１９のマスク２０で保護されてい
ない部分は、その後、図４に示すように、エッチングさ
れる。例えば、エッチングは２回のウエットエッチング
によりなされ、一方のエッチングはＨｃｌとＨ3ＰＯ4の
混合液を用いて行い、ＩｎＰ層１９をエッチングし、他
方のエッチングはＨ2ＳＯ4、Ｈ2Ｏ2とＨ2Ｏの混合液を
用いて行い、ＩｎＧａＡｓＰ層１６−１８をエッチング
する。より好ましくは、クリンアップウエットエッチン
グに続いて活性イオンエッチングを行うようにしてもよ
い。
ない部分は、その後、図４に示すように、エッチングさ
れる。例えば、エッチングは２回のウエットエッチング
によりなされ、一方のエッチングはＨｃｌとＨ3ＰＯ4の
混合液を用いて行い、ＩｎＰ層１９をエッチングし、他
方のエッチングはＨ2ＳＯ4、Ｈ2Ｏ2とＨ2Ｏの混合液を
用いて行い、ＩｎＧａＡｓＰ層１６−１８をエッチング
する。より好ましくは、クリンアップウエットエッチン
グに続いて活性イオンエッチングを行うようにしてもよ
い。
【０００９】構造は露出された領域の多重量子井戸層１
７を通してエッチングされるが、ウェーブガイド層１５
はエッチングされない。鮫歯形状のマスク２０により、
層１６−１９の特定の領域のみがエッチングされる。な
お、これらの層の一部およびエッチングされない部分で
ある後製造工程のデバイスの一部を示す図９および図１
０を比較のこと。このテーパエッチングがなされると拡
散ビームデバイスがウェーブガイドに入る光と結合でき
るようになるが、また、後の製造工程でメサ膨らみを発
生させる。
７を通してエッチングされるが、ウェーブガイド層１５
はエッチングされない。鮫歯形状のマスク２０により、
層１６−１９の特定の領域のみがエッチングされる。な
お、これらの層の一部およびエッチングされない部分で
ある後製造工程のデバイスの一部を示す図９および図１
０を比較のこと。このテーパエッチングがなされると拡
散ビームデバイスがウェーブガイドに入る光と結合でき
るようになるが、また、後の製造工程でメサ膨らみを発
生させる。
【００１０】図５ａおよび図５ｂ（図１１における５ａ
−５ａ線および５ｂ−５ｂ線に沿った断面図）に示すよ
うに、メサ膨らみが形態として生じるのを防止するため
に、半導体層２１が先の工程でエッチングされた領域に
形成される。この例では、この層はｐタイプＩｎＰであ
るが、層１６−１９のように同じ格子形配列定数を本質
的に有し、また、バンドギャップがＭＱＷ１７のバンド
キャップより大きい他の材料であってもよい。
−５ａ線および５ｂ−５ｂ線に沿った断面図）に示すよ
うに、メサ膨らみが形態として生じるのを防止するため
に、半導体層２１が先の工程でエッチングされた領域に
形成される。この例では、この層はｐタイプＩｎＰであ
るが、層１６−１９のように同じ格子形配列定数を本質
的に有し、また、バンドギャップがＭＱＷ１７のバンド
キャップより大きい他の材料であってもよい。
【００１１】本例においては、ＩｎＧａＡｓが用いられ
る。この層がほぼ頂部クラッド層１９の高さにまで延び
るように周知技術により形成される。本例においては、
層２１はトリメチルインジュウムとホスフィンガスに構
造をさらしながら温度ほぼ６５０℃で約５分間を加熱す
ることにより形成される。その後、図６に示すように、
酸化物マスク２０は剥ぎ取られＩｎＰの附加層２２がエ
ピタキシャル成長によって形成され、今までマスクで被
覆されていた半導体層１９の領域を被覆する。層２１の
形成には、上述と同様の材料と技術が用いられるが、他
の材料と堆積技術を用いることもできる。一般的に、層
２２の厚さは３５００−４５００Åの範囲である。Ｉｎ
Ｐ層には、ＩｎＰ層に形成されたほぼ６００Åの薄いＩ
ｎＧａＡｓ層（図示せず）が含まれる。
る。この層がほぼ頂部クラッド層１９の高さにまで延び
るように周知技術により形成される。本例においては、
層２１はトリメチルインジュウムとホスフィンガスに構
造をさらしながら温度ほぼ６５０℃で約５分間を加熱す
ることにより形成される。その後、図６に示すように、
酸化物マスク２０は剥ぎ取られＩｎＰの附加層２２がエ
ピタキシャル成長によって形成され、今までマスクで被
覆されていた半導体層１９の領域を被覆する。層２１の
形成には、上述と同様の材料と技術が用いられるが、他
の材料と堆積技術を用いることもできる。一般的に、層
２２の厚さは３５００−４５００Åの範囲である。Ｉｎ
Ｐ層には、ＩｎＰ層に形成されたほぼ６００Åの薄いＩ
ｎＧａＡｓ層（図示せず）が含まれる。
【００１２】次に、図１２における７ａ−７ａ線および
７ｂ−７ｂ線に沿う断面図である図７ａおよび図７ｂに
示すように、デバイスのメサ部分を確定するように通常
のフォトリソグラフィ技術を用いて酸化物線マスク２３
が層２２上に形成される。（説明のために除去されたマ
スク２０を仮想的に示す）。マスク材料はＳｉＯ２であ
り、プラズマＣＶＤ堆積法により形成される。層２１と
層２２とで平坦面２４が形成され、そしてマスク２３は
テーパエッチングの後に存在するでこぼこした面よりむ
しろ平面２４上に形成される。図８ないし図１０は、図
１３における８−８線および９−９線に沿うメサエッチ
ング後のデバイスを示す。
７ｂ−７ｂ線に沿う断面図である図７ａおよび図７ｂに
示すように、デバイスのメサ部分を確定するように通常
のフォトリソグラフィ技術を用いて酸化物線マスク２３
が層２２上に形成される。（説明のために除去されたマ
スク２０を仮想的に示す）。マスク材料はＳｉＯ２であ
り、プラズマＣＶＤ堆積法により形成される。層２１と
層２２とで平坦面２４が形成され、そしてマスク２３は
テーパエッチングの後に存在するでこぼこした面よりむ
しろ平面２４上に形成される。図８ないし図１０は、図
１３における８−８線および９−９線に沿うメサエッチ
ング後のデバイスを示す。
【００１３】このエッチングはＨＢｒおよび過酸化水素
を用いてウエットケミカルエッチングにより約１５０−
１８０秒行われる。層２１と層２２を平坦化することに
より形成された平面２４は、どちらかといえばメサ部分
のエッチング後に形成されるメサ膨らみをほぼすべて減
少させ、除去する。側面が傾斜するようにエッチングを
行うことにより、量子井戸層１７からの光はウェーブガ
イドに結合され、ウェーブガイド内に拡散する。メサ膨
らみはほぼすべて除去されているので、この結合を干渉
しない。この膨らみの減少により、デバイスは通信応用
装置に重要な単一モードの維持を確実にする。
を用いてウエットケミカルエッチングにより約１５０−
１８０秒行われる。層２１と層２２を平坦化することに
より形成された平面２４は、どちらかといえばメサ部分
のエッチング後に形成されるメサ膨らみをほぼすべて減
少させ、除去する。側面が傾斜するようにエッチングを
行うことにより、量子井戸層１７からの光はウェーブガ
イドに結合され、ウェーブガイド内に拡散する。メサ膨
らみはほぼすべて除去されているので、この結合を干渉
しない。この膨らみの減少により、デバイスは通信応用
装置に重要な単一モードの維持を確実にする。
【００１４】本実施形態では拡張ビームレーザの製造方
法について説明したが、本発明は側面を傾斜するように
エッチングするいかなるメサ外面形態を有するデバイス
にも使用できる。側面テーパエッチングは、デバイスの
寸法に従って、単層または複層を種々の深さに取り去る
１工程のエッチングあるいは複数回のエッチングを含
む。本実施形態では、拡張ビームレーザについて説明し
たが、層１６および層１９は、エッチングし、あるいは
エッチングせずに、ｘ方向に沿うステップ、ｙ方向に沿
う種々のステップ位置を形成することである。さらに、
ここでは拡張ビームレーザとしてＩｎＰベースについて
説明したが、周知技術で互換できる層を有するＧａＡｓ
ベースであってもよい。
法について説明したが、本発明は側面を傾斜するように
エッチングするいかなるメサ外面形態を有するデバイス
にも使用できる。側面テーパエッチングは、デバイスの
寸法に従って、単層または複層を種々の深さに取り去る
１工程のエッチングあるいは複数回のエッチングを含
む。本実施形態では、拡張ビームレーザについて説明し
たが、層１６および層１９は、エッチングし、あるいは
エッチングせずに、ｘ方向に沿うステップ、ｙ方向に沿
う種々のステップ位置を形成することである。さらに、
ここでは拡張ビームレーザとしてＩｎＰベースについて
説明したが、周知技術で互換できる層を有するＧａＡｓ
ベースであってもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明に係わる半導体メサデバイスの製
造方法によれば、メサの膨らみを低減でき、あるいは少
なくできるメサデバイスの製造工程を提供することがで
きる。
造方法によれば、メサの膨らみを低減でき、あるいは少
なくできるメサデバイスの製造工程を提供することがで
きる。
【図１】本発明の半導体メサデバイスの製造方法の実施
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
【図２】本発明の半導体メサデバイスの製造方法の実施
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
【図３】本発明の半導体メサデバイスの製造方法の実施
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
【図４】本発明の半導体メサデバイスの製造方法の実施
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
【図５】本発明の半導体メサデバイスの製造方法の実施
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
【図６】本発明の半導体メサデバイスの製造方法の実施
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
【図７】本発明の半導体メサデバイスの製造方法の実施
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
【図８】本発明の半導体メサデバイスの製造方法の実施
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
【図９】本発明の半導体メサデバイスの製造方法の実施
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
【図１０】本発明の半導体メサデバイスの製造方法の実
施形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
施形態の製造ステップ毎のデバイスの断面図である。
【図１１】本発明の実施形態の半導体メサデバイスの異
なる製造ステップにおける半導体ウェーハの一部の平面
図である。
なる製造ステップにおける半導体ウェーハの一部の平面
図である。
【図１２】図１１と同じ本発明の実施形態の半導体メサ
デバイスの異なる製造ステップにおける半導体ウェーハ
の一部の平面図である。
デバイスの異なる製造ステップにおける半導体ウェーハ
の一部の平面図である。
【図１３】本発明の半導体ウェーハの同一部分を拡大し
て示す拡大図である。
て示す拡大図である。
１０ ウェーハ １４ 酸化膜マスク １５ ウエーブガイド １６ ヘテロ構造（ＳＣＨ） １７ 量子井戸 １８ ＩｎＧａＡｓＰ層 １９ ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ被覆層 ２０ フォトレジストマスク ２１ 半導体層 ２２ 附加層 ２３ 酸化物線マスク ２４ 平面
フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ジュリー エング アメリカ合衆国、18051 ペンシルバニア、 アッパー マクンジー タウンシップ、ク リーク ビュー ドライブ 1763 (72)発明者 ジェローム レフコフ アメリカ合衆国、19608 ペンシルバニア、 シンキング スプリング、パーク プレイ ス ドライブ 107 (72)発明者 アンソニー ディー．マッツァテスタ アメリカ合衆国、19611 ペンシルバニア、 ウェスト リーディング、フランクリン ストリート アパートメント 207 (72)発明者 エリック ジョン マイケル アメリカ合衆国、19604 ペンシルバニア、 リーディング、＃309、エヌ．11ｔｈ ス トリート 1200 (72)発明者 ダニエル クリストファー ストリン アメリカ合衆国、19609 ペンシルバニア、 ウォミッシング、ダーリン ドライブ 25
Claims (8)
- 【請求項１】半導体ウェーハの少なくとも第１の半導体
層を選択エッチングし、側面テーパエッチングする工程
と、エッチングされた領域を平坦化するように平坦化領
域上に第２の層を形成する工程と、メサ外面形態を形成
するようにエッチングされた領域の一部に第２のエッチ
ングを行う工程とを有することを特徴とする半導体デバ
イスの製造方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の半導体デバイスの製造方
法において、上記第２の層は、半導体層であることを特
徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項３】請求項２に記載の半導体デバイスの製造方
法において、上記第２の層は、ＩｎＰからなることを特
徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項４】請求項１に記載の半導体デバイスの製造方
法において、複数の半導体層は、エッチングされ、光エ
ッミション用の量子井戸層を有することを特徴とする半
導体デバイスの製造方法。 - 【請求項５】請求項４に記載の半導体デバイスの製造方
法において、上記ウェーブガイドは、ウェーハ上に形成
され、さらに、量子井戸層からの光がウェーブガイドに
結合するように側面を傾斜させるエッチングを行うこと
を特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項６】請求項１に記載の半導体デバイスの製造方
法において、上記側面を傾斜させるエッチングは、鮫歯
形状のマスクを通して行われることを特徴とする半導体
デバイスの製造方法。 - 【請求項７】請求項６に記載の半導体デバイスの製造方
法において、上記第２の層は、エッチング領域に形成さ
れ、これに続いて、マスクが除去され、付加層がマスク
に覆われていた領域に形成されることを特徴とする半導
体デバイスの製造方法。 - 【請求項８】請求項７に記載の半導体デバイスの製造方
法において、上記付加層は、第２の層と同じ材質からな
ることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/378032 | 1999-08-20 | ||
| US09/378,032 US6399403B1 (en) | 1999-08-20 | 1999-08-20 | Method of fabricating a semiconductor mesa device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085782A true JP2001085782A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=23491450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000242832A Pending JP2001085782A (ja) | 1999-08-20 | 2000-08-10 | 半導体メサデバイスの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6399403B1 (ja) |
| EP (1) | EP1079486A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001085782A (ja) |
| CA (1) | CA2315582A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210184427A1 (en) * | 2018-05-30 | 2021-06-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor Laser |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10108079A1 (de) * | 2000-05-30 | 2002-09-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| US20080310808A1 (en) * | 2007-06-18 | 2008-12-18 | International Business Machines Corporation | Photonic waveguide structure with planarized sidewall cladding layer |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6194240B1 (en) * | 1993-12-21 | 2001-02-27 | Lucent Technologies Inc. | Method for fabrication of wavelength selective electro-optic grating for DFB/DBR lasers |
| US5771321A (en) * | 1996-01-04 | 1998-06-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Micromechanical optical switch and flat panel display |
| GB2310755A (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-03 | Sharp Kk | A method of etching a semiconductor structure |
| DE19619533A1 (de) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Sel Alcatel Ag | Monolithisch integriertes optisches Halbleiterbauelement |
| GB2326020B (en) * | 1997-06-06 | 2002-05-15 | Ericsson Telefon Ab L M | Waveguide |
| US6052397A (en) * | 1997-12-05 | 2000-04-18 | Sdl, Inc. | Laser diode device having a substantially circular light output beam and a method of forming a tapered section in a semiconductor device to provide for a reproducible mode profile of the output beam |
| US6180429B1 (en) * | 1998-11-23 | 2001-01-30 | Lucent Technologies Inc. | Process for selective area growth of III-V semiconductors |
| US6162655A (en) * | 1999-01-11 | 2000-12-19 | Lucent Technologies Inc. | Method of fabricating an expanded beam optical waveguide device |
-
1999
- 1999-08-20 US US09/378,032 patent/US6399403B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-08-07 EP EP00306715A patent/EP1079486A3/en not_active Withdrawn
- 2000-08-08 CA CA002315582A patent/CA2315582A1/en not_active Abandoned
- 2000-08-10 JP JP2000242832A patent/JP2001085782A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210184427A1 (en) * | 2018-05-30 | 2021-06-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor Laser |
| US11557876B2 (en) * | 2018-05-30 | 2023-01-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor laser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6399403B1 (en) | 2002-06-04 |
| EP1079486A3 (en) | 2003-06-18 |
| CA2315582A1 (en) | 2001-02-20 |
| EP1079486A2 (en) | 2001-02-28 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050602 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050608 |
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| A02 | Decision of refusal |
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