JPH09285105A - 半導体スイッチング素子の直列多重化時の電圧分担バランス確保方法 - Google Patents

半導体スイッチング素子の直列多重化時の電圧分担バランス確保方法

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Publication number
JPH09285105A
JPH09285105A JP8085611A JP8561196A JPH09285105A JP H09285105 A JPH09285105 A JP H09285105A JP 8085611 A JP8085611 A JP 8085611A JP 8561196 A JP8561196 A JP 8561196A JP H09285105 A JPH09285105 A JP H09285105A
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JP
Japan
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voltage
semiconductor switching
switching
delay
switching devices
Prior art date
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Pending
Application number
JP8085611A
Other languages
English (en)
Inventor
Akifumi Ichihara
昌文 市原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Meidensha Corp
Meidensha Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電圧分担のため直列多重化され、スイッチン
グ制御が行われる半導体スイッチング素子1,2,3,
4のスイッチングタイミングを一致させることができる
半導体スイッチング素子の直列多重化時の電圧分担バラ
ンス確保方法を提供する。 【解決手段】 半導体スイッチング素子1,2,3,4
の各々に印加される電圧を測定し、該測定電圧から各素
子の電圧のばらつき量を電圧ばらつき量検出手段11
a,11bによって検出し、該電圧ばらつき量からディ
レイ量決定手段12a,12bによってディレイ量を求
め、該ディレイ量に応じて、ゲートパルス生成回路14
から各素子へ送出されるゲート信号をディレイ回路13
a,13bによって遅延、調整する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体スイッチン
グ素子の直列多重化時の電圧バランスを確保する方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体電力変換器の容量を増加
させる手法には様々なものがあるが、その中の一例とし
ては、図5のように素子を直列に多重化して電圧を分担
して負担し、電圧容量を増加させるという方法がある。
図5はインバータの構成を示し、Eは直流電源、Cはコ
ンデンサ、1,2,3,4は半導体スイッチング素子で
ある。
【0003】素子のスイッチングタイミングが理想的な
場合は、過渡時においても電圧分担は等しくなるが、現
実には素子のスイッチングタイミングやスイッチング速
度にはばらつきがある。このため何等対策を施さない場
合は図6に示すように、速くターンオフする素子や、遅
れてターンオンする素子などに、本来負担すべき電圧よ
りも高い電圧が印加される。
【0004】したがって現在は、図7に示すように直列
接続される個々の素子のスナバ回路Sに、この素子のス
イッチング速度のばらつきによる電圧分担の不平衡を低
減する役割も持たせている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図7のスナバ回路Sの
コンデンサによって電圧分担不平衡はある程度改善さ
れ、スイッチングのばらつきが引き起こす個々の素子の
電圧分担の差は小さくできる。しかし、これは抜本的な
対策にはなっておらず、スイッチングのばらつきが大き
い場合は、スナバコンデンサの容量を増加させる必要が
生じ、損失が増加するといった問題がある。
【0006】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
その目的は、多重化した素子のスイッチングタイミング
を一致させることができる半導体スイッチング素子の直
列多重化時の電圧分担バランス確保方法を提供すること
にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、直列多重化さ
れ、スイッチング制御が行われる半導体スイッチング素
子の各々に印加される電圧を測定し、該測定電圧から半
導体スイッチング素子の電圧のばらつき量を検出し、該
電圧ばらつき量からディレイ量を求め、該ディレイ量に
基づいて、半導体スイッチング素子のゲート信号の遅れ
を調整して前記ばらつきを補正することを特徴としてい
る。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態を説明する。本発明では、上記の問題を回
避するために、直接スイッチングのタイミングを調整す
る回路を付加する。直列多重化した素子のスイッチング
のタイミングがずれると、素子に印加される電圧は本来
の電圧より高い電圧、あるいは低い電圧となる。さら
に、ターンオフの場合は電圧のずれがスナバコンデンサ
にある程度の時間残る。
【0009】ここで3直列の場合について、スイッチン
グのタイミングのずれが素子に印加される電圧にどのよ
うに影響するかを調べたところ、ターンオフの場合には
図3のような、ターンオンの場合には図4のような結果
が各々得られた。これらの図からわかるように、図3の
ターンオフの場合は速くターンオフしてしまった素子
に、図4のターンオンの場合は遅れてターンオンしてし
まった素子に、それぞれ高い電圧が印加される。したが
ってこの電圧を実際に検出してやることによって、どの
素子のタイミングがどの程度ずれているかを検出するこ
とができる。
【0010】一般的に、素子を直列多重化する場合は素
子がターンオフ状態の時の電圧バランスをとるために、
図1のように素子と並列にバランス抵抗RBを入れる。
よって、(1)この抵抗RBを流れる電流を測定した
り、(2)この抵抗RBと検出用抵抗ROによって素子4
に印加されている電圧を分圧して測定してやれば、素子
に印加されている電圧を検出できる。
【0011】また、ディジタル半導体素子技術の発展に
より、現在では外部制御可能で5n秒以下の精度で遅れ
時間を調整することができるディレイ回路が利用でき
る。よって、このようなディレイ回路をゲート回路に付
加し、素子のスイッチングのタイミングのずれの検出結
果に応じてディレイを調整してやるようなフィードバッ
ク系を構成してやれば、スイッチングがほぼ同時に行わ
れるように制御されることになる。
【0012】
【実施例】前記スイッチングタイミング調整制御系は例
えば図2のように構成する。図2において11a,11
bは前述した電圧測定方法により測定された電圧のばら
つき量を検出する電圧ばらつき量検出手段である。12
a,12bは前記電圧のばらつき量に基づいてディレイ
量を決定するディレイ量決定手段である。13a,13
bは、前記ディレイ量決定手段12a,12bのディレ
イ量に応じて、ゲートパルス生成回路14から各素子へ
送出されるゲート信号を遅延するディレイ回路である。
【0013】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、直列多重
化され、スイッチング制御が行われる半導体スイッチン
グ素子の各々に印加される電圧を測定し、該測定電圧か
ら半導体スイッチング素子の電圧のばらつき量を検出
し、該電圧ばらつき量からディレイ量を求め、該ディレ
イ量に基づいて、半導体スイッチング素子のゲート信号
の遅れを調整して前記ばらつきを補正するようにしたの
で次のような効果が得られる。
【0014】(1)多重化した素子のスイッチングタイ
ミングがほぼ一致するため、スイッチングのばらつきを
吸収するためのスナバコンデンサの容量を低減すること
ができる。
【0015】(2)また、スイッチングタイミングの変
化に対してフィードバックがかかるため、温度変化など
による変動の影響を受けにくい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を適用した半導体電力変換器
の要部回路図。
【図2】本発明の他の実施例を適用したスイッチングタ
イミング調整制御系の構成を示すブロック図。
【図3】3直列素子のうち1素子のターンオフが速い場
合のばらつきを説明する電圧特性図。
【図4】3直列素子のうち1素子のターンオンが速い場
合のばらつきを説明する電圧特性図。
【図5】スイッチング素子を直列多重化した半導体電力
変換器の要部回路図。
【図6】従来方法による素子のスイッチングのばらつき
の影響を示す説明図。
【図7】スナバ回路を付加した従来の半導体電力変換器
の要部回路図。
【符号の説明】
1,2,3,4…半導体スイッチング素子 11a,11b…電圧ばらつき量検出手段 12a,12b…ディレイ量決定手段 13a,13b…ディレイ回路 14…ゲートパルス生成回路 E…直流電源 C…コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // H02M 7/48 9181−5H H02M 7/48 Q

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 直列多重化され、スイッチング制御が行
    われる半導体スイッチング素子の各々に印加される電圧
    を測定し、該測定電圧から半導体スイッチング素子の電
    圧のばらつき量を検出し、該電圧ばらつき量からディレ
    イ量を求め、該ディレイ量に基づいて、半導体スイッチ
    ング素子のゲート信号の遅れを調整して前記ばらつきを
    補正することを特徴とする半導体スイッチング素子の直
    列多重化時の電圧分担バランス確保方法。
JP8085611A 1996-04-09 1996-04-09 半導体スイッチング素子の直列多重化時の電圧分担バランス確保方法 Pending JPH09285105A (ja)

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