JPH09262825A - 半導体単結晶インゴットのスライス方法 - Google Patents
半導体単結晶インゴットのスライス方法Info
- Publication number
- JPH09262825A JPH09262825A JP8075587A JP7558796A JPH09262825A JP H09262825 A JPH09262825 A JP H09262825A JP 8075587 A JP8075587 A JP 8075587A JP 7558796 A JP7558796 A JP 7558796A JP H09262825 A JPH09262825 A JP H09262825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ingot
- single crystal
- wire
- semiconductor single
- cleavage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワイヤーソー装置を用いて半導体単結晶イン
ゴットをスライスするにあたり、半導体単結晶インゴッ
トの劈開方向とワイヤー走行後のソーマークの方向とが
一致しないように工夫することによって、スライスされ
た半導体単結晶ウェーハのクラック発生や割れを工程の
追加やコストアップを伴うことなく防止することを可能
とした半導体単結晶インゴットのスライス方法及びクラ
ックや割れの発生の極めて少ない半導体単結晶ウェーハ
を提供する。 【解決手段】 半導体単結晶インゴットをワイヤーソー
装置でスライスする方法であり、ワイヤーソー装置のワ
イヤーの走行方向と半導体単結晶インゴットの劈開方向
とを一致させることなく該半導体単結晶インゴットをス
ライスする。
ゴットをスライスするにあたり、半導体単結晶インゴッ
トの劈開方向とワイヤー走行後のソーマークの方向とが
一致しないように工夫することによって、スライスされ
た半導体単結晶ウェーハのクラック発生や割れを工程の
追加やコストアップを伴うことなく防止することを可能
とした半導体単結晶インゴットのスライス方法及びクラ
ックや割れの発生の極めて少ない半導体単結晶ウェーハ
を提供する。 【解決手段】 半導体単結晶インゴットをワイヤーソー
装置でスライスする方法であり、ワイヤーソー装置のワ
イヤーの走行方向と半導体単結晶インゴットの劈開方向
とを一致させることなく該半導体単結晶インゴットをス
ライスする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤーソー装置
によるシリコン単結晶インゴット等の半導体単結晶イン
ゴットのスライス方法及び当該方法によってスライスさ
れた半導体単結晶ウェーハに関する。
によるシリコン単結晶インゴット等の半導体単結晶イン
ゴットのスライス方法及び当該方法によってスライスさ
れた半導体単結晶ウェーハに関する。
【０００２】
【関連技術】脆性材料、例えば、化合物半導体単結晶や
シリコン半導体単結晶等を切断する手段としてワイヤー
ソー装置が知られている。このワイヤーソー装置におい
ては、図３に示すごとく、互いに同一構成のメインロー
ラと呼ばれる３本（又は４本）の樹脂ローラ１０Ａ，１
０Ｂ，１０Ｃがそれらの軸を互いに平行して配置されて
いる。
シリコン半導体単結晶等を切断する手段としてワイヤー
ソー装置が知られている。このワイヤーソー装置におい
ては、図３に示すごとく、互いに同一構成のメインロー
ラと呼ばれる３本（又は４本）の樹脂ローラ１０Ａ，１
０Ｂ，１０Ｃがそれらの軸を互いに平行して配置されて
いる。
【０００３】該ローラ１０Ａ〜１０Ｃ表面に一定ピッチ
で形成されたリング状溝１４ａ，１４ｂ，１４ｃにワイ
ヤー１２が巻回されている。駆動モータ１６に接続され
た駆動ローラ１０Ｃからの回転をワイヤー１２を介し
て、従動ローラ１０Ａ，１０Ｂに伝える構造となってい
る。
で形成されたリング状溝１４ａ，１４ｂ，１４ｃにワイ
ヤー１２が巻回されている。駆動モータ１６に接続され
た駆動ローラ１０Ｃからの回転をワイヤー１２を介し
て、従動ローラ１０Ａ，１０Ｂに伝える構造となってい
る。
【０００４】ワイヤー１２の始端側は、張力調節機構２
０を介してワイヤー巻取りドラム２２に巻回されてい
る。同様に、ワイヤー１２の終端側は、張力調節機構３
０を介してワイヤー巻取りドラム３２に巻回されてい
る。２４及び３４はトルクモータである。
０を介してワイヤー巻取りドラム２２に巻回されてい
る。同様に、ワイヤー１２の終端側は、張力調節機構３
０を介してワイヤー巻取りドラム３２に巻回されてい
る。２４及び３４はトルクモータである。
【０００５】ワーク４０は、例えば半導体インゴットで
あり、例えばそのオリエンテーションフラット面（以下
オリフラ面という）が昇降可能な当て板４１を介して接
着台４２に接着されている。
あり、例えばそのオリエンテーションフラット面（以下
オリフラ面という）が昇降可能な当て板４１を介して接
着台４２に接着されている。
【０００６】このような構成により、駆動ローラ１０Ｃ
を回転させると、ワイヤー１２がその線方向に走行し、
これとともに砥粒を含む加工液がワイヤー１２に流し当
てられる。この状態でワーク４０を下降させ、ワイヤー
１２に接触させると、ラッピング作用によりワーク４０
が切断され、多数枚のウェーハが同時に切断形成され
る。
を回転させると、ワイヤー１２がその線方向に走行し、
これとともに砥粒を含む加工液がワイヤー１２に流し当
てられる。この状態でワーク４０を下降させ、ワイヤー
１２に接触させると、ラッピング作用によりワーク４０
が切断され、多数枚のウェーハが同時に切断形成され
る。
【０００７】一方、半導体単結晶は、一定の方向に割れ
て平滑な面、即ち劈開面を作ることが知られているが、
この割れる方向は劈開方向といわれ、結晶の種類によっ
てその劈開方向も異なる。
て平滑な面、即ち劈開面を作ることが知られているが、
この割れる方向は劈開方向といわれ、結晶の種類によっ
てその劈開方向も異なる。
【０００８】例えば、シリコン単結晶Ｗでは、図７〜９
に示すように結晶方位に応じて複数の劈開方向Ａが存在
することが知られている。図７は（１００）シリコン単
結晶、図８は（１１０）シリコン単結晶及び図９は（１
１１）シリコン単結晶の劈開方向をそれぞれ示す図面で
ある。
に示すように結晶方位に応じて複数の劈開方向Ａが存在
することが知られている。図７は（１００）シリコン単
結晶、図８は（１１０）シリコン単結晶及び図９は（１
１１）シリコン単結晶の劈開方向をそれぞれ示す図面で
ある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来、シリコン単結晶
インゴット等の半導体単結晶インゴット（以下単にイン
ゴットということがある）をワイヤーソー装置を用い
て、スライスする場合、シリコン単結晶インゴットの劈
開方向とワイヤー走行方向がほぼ一致する方法でスライ
スしていた。
インゴット等の半導体単結晶インゴット（以下単にイン
ゴットということがある）をワイヤーソー装置を用い
て、スライスする場合、シリコン単結晶インゴットの劈
開方向とワイヤー走行方向がほぼ一致する方法でスライ
スしていた。
【００１０】例えば、（１００）シリコン単結晶インゴ
ットＷをスライスする場合には、図５及び図６に示すご
とく、インゴットＷのオリフラ面ＯＦに当て板４１を接
着し、さらにこの当て板４１を接着台４２に接着するか
（図５）又はインゴットＷを９０°回転せしめ、オリフ
ラ面ＯＦから９０°変位した位置に当て板４１を接着
し、この当て板４１を接着台４２に接着する構成（図
６）が採用されていた。
ットＷをスライスする場合には、図５及び図６に示すご
とく、インゴットＷのオリフラ面ＯＦに当て板４１を接
着し、さらにこの当て板４１を接着台４２に接着するか
（図５）又はインゴットＷを９０°回転せしめ、オリフ
ラ面ＯＦから９０°変位した位置に当て板４１を接着
し、この当て板４１を接着台４２に接着する構成（図
６）が採用されていた。
【００１１】図５又は図６に示すように接着台４２に接
着されたインゴットＷはそのまま降下せしめられ、ワイ
ヤーソー装置のワイヤー１２に押し当てられてスライス
される。
着されたインゴットＷはそのまま降下せしめられ、ワイ
ヤーソー装置のワイヤー１２に押し当てられてスライス
される。
【００１２】この場合、インゴットＷの半径方向断面か
ら見て互いに直交する２つの劈開方向Ａ１、Ａ２のうち
いずれかの劈開方向とワイヤー１２の走行方向Ｙが一致
した状態で、インゴットＷはスライスされることとな
る。この従来のワイヤーソー装置によるインゴットＷの
スライスの手順を図４にもとづいて説明する。
ら見て互いに直交する２つの劈開方向Ａ１、Ａ２のうち
いずれかの劈開方向とワイヤー１２の走行方向Ｙが一致
した状態で、インゴットＷはスライスされることとな
る。この従来のワイヤーソー装置によるインゴットＷの
スライスの手順を図４にもとづいて説明する。
【００１３】まず、インゴットＷを準備する（１０
０）。ついで、当該インゴットＷの端面の方位を測定す
る（１０２）。該インゴットＷのオリフラ面ＯＦ又はイ
ンゴットＷをそのオリフラ面ＯＦから９０°回転させた
位置に当て板４１を接着する（１０４）。
０）。ついで、当該インゴットＷの端面の方位を測定す
る（１０２）。該インゴットＷのオリフラ面ＯＦ又はイ
ンゴットＷをそのオリフラ面ＯＦから９０°回転させた
位置に当て板４１を接着する（１０４）。
【００１４】該インゴットＷに接着された当て板４１を
接着台４２に接着する（１０６）。当て板４１及び接着
台４２と一体となったインゴット体をワイヤーソーの締
結台に接着台４２を介して固着する（１０８）。
接着台４２に接着する（１０６）。当て板４１及び接着
台４２と一体となったインゴット体をワイヤーソーの締
結台に接着台４２を介して固着する（１０８）。
【００１５】規格に応じてインゴットＷの取りつけ角度
を調整する（１１０）。次に、ワイヤーソーによってイ
ンゴットＷ及び当て板４１の中央部までスライスし、多
数のウェーハとする（１１２）。
を調整する（１１０）。次に、ワイヤーソーによってイ
ンゴットＷ及び当て板４１の中央部までスライスし、多
数のウェーハとする（１１２）。
【００１６】ワイヤーソーの締結台から多数のウェーハ
が接着台４２に接着している状態のインゴット体を取り
出す（１１４）。取り外したインゴット体を温湯に漬け
て多数のウェーハを接着台４２から剥離する（１１
６）。この剥離したウェーハは洗浄されアズカットウェ
ーハとなる（１１８）。
が接着台４２に接着している状態のインゴット体を取り
出す（１１４）。取り外したインゴット体を温湯に漬け
て多数のウェーハを接着台４２から剥離する（１１
６）。この剥離したウェーハは洗浄されアズカットウェ
ーハとなる（１１８）。
【００１７】上記したような手順を経て、インゴットＷ
はアズカットウェーハとなるが、ワイヤーソー装置で切
断する場合、ワイヤーの走行した跡はソーマークとして
ウェーハに残るため、ソーマークに沿ってダメージ層が
形成される。
はアズカットウェーハとなるが、ワイヤーソー装置で切
断する場合、ワイヤーの走行した跡はソーマークとして
ウェーハに残るため、ソーマークに沿ってダメージ層が
形成される。
【００１８】このダメージ層はワイヤー振動等により、
スライスされた単結晶ウェーハの劈開方向にクラックを
発生させてしまう。即ち、ソーマークと単結晶の劈開方
向が合致するため、スライスされたウェーハが割れ易い
という欠点があった。
スライスされた単結晶ウェーハの劈開方向にクラックを
発生させてしまう。即ち、ソーマークと単結晶の劈開方
向が合致するため、スライスされたウェーハが割れ易い
という欠点があった。
【００１９】本発明は、上記した問題点に鑑みなされた
もので、ワイヤーソー装置を用いて半導体単結晶インゴ
ットをスライスするにあたり、半導体単結晶インゴット
の劈開方向とワイヤー走行後のソーマークの方向とが一
致しないように工夫することによって、スライスされた
半導体単結晶ウェーハのクラック発生や割れを工程の追
加やコストアップを伴うことなく防止することを可能と
した半導体単結晶インゴットのスライス方法及びクラッ
クや割れの発生の極めて少ない半導体単結晶ウェーハを
提供することを目的とする。
もので、ワイヤーソー装置を用いて半導体単結晶インゴ
ットをスライスするにあたり、半導体単結晶インゴット
の劈開方向とワイヤー走行後のソーマークの方向とが一
致しないように工夫することによって、スライスされた
半導体単結晶ウェーハのクラック発生や割れを工程の追
加やコストアップを伴うことなく防止することを可能と
した半導体単結晶インゴットのスライス方法及びクラッ
クや割れの発生の極めて少ない半導体単結晶ウェーハを
提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体単結晶インゴットのスライス方法
は、半導体単結晶インゴットをワイヤーソー装置でスラ
イスする方法であり、ワイヤーソー装置のワイヤーの走
行方向と半導体単結晶インゴットの劈開方向とを一致さ
せることなく該半導体単結晶インゴットをスライスする
ことを特徴とする。
に、本発明の半導体単結晶インゴットのスライス方法
は、半導体単結晶インゴットをワイヤーソー装置でスラ
イスする方法であり、ワイヤーソー装置のワイヤーの走
行方向と半導体単結晶インゴットの劈開方向とを一致さ
せることなく該半導体単結晶インゴットをスライスする
ことを特徴とする。
【００２１】前記ワイヤーの走行方向が複数の劈開方向
を有する半導体単結晶インゴットのいずれの劈開方向と
も一致せずかつ該ワイヤーの走行方向とそれらの劈開方
向とのなす角度θはいずれも５°以上とするのが好適で
ある。
を有する半導体単結晶インゴットのいずれの劈開方向と
も一致せずかつ該ワイヤーの走行方向とそれらの劈開方
向とのなす角度θはいずれも５°以上とするのが好適で
ある。
【００２２】本発明の半導体単結晶ウェーハは、上記方
法により、ワイヤーソー装置のワイヤーの走行方向と半
導体単結晶インゴットの劈開方向とを一致させることな
くスライスされ、半導体単結晶の劈開方向と一致しない
ソーマークを有するように製造されたものであり、クラ
ックや割れの発生が大幅に減少するという優利さを有す
るものである。
法により、ワイヤーソー装置のワイヤーの走行方向と半
導体単結晶インゴットの劈開方向とを一致させることな
くスライスされ、半導体単結晶の劈開方向と一致しない
ソーマークを有するように製造されたものであり、クラ
ックや割れの発生が大幅に減少するという優利さを有す
るものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。
図面に基づいて説明する。
【００２４】半導体単結晶インゴットとして、（１０
０）シリコン単結晶インゴットを例として説明する。
（１００）シリコン単結晶インゴットＷの劈開方向は、
図２、図５〜図７に示すごとく、互いに直交する２方向
に存在する。前述したごとく、インゴットＷにはこの２
つの劈開方向のいずれか一方に一致させてオリフラ面Ｏ
Ｆが形成されている。
０）シリコン単結晶インゴットを例として説明する。
（１００）シリコン単結晶インゴットＷの劈開方向は、
図２、図５〜図７に示すごとく、互いに直交する２方向
に存在する。前述したごとく、インゴットＷにはこの２
つの劈開方向のいずれか一方に一致させてオリフラ面Ｏ
Ｆが形成されている。
【００２５】従来は、このオリフラ面ＯＦに当て板４１
を接着するか（図５）又はインゴットＷを９０°回転さ
せてオリフラ面ＯＦから９０°変位した位置に当て板４
１が接着（図６）されていた。このように当て板４１を
接着させるかぎり、２つの劈開方向のいずれか一方に一
致した状態で当て板４１が接着されることとなる。
を接着するか（図５）又はインゴットＷを９０°回転さ
せてオリフラ面ＯＦから９０°変位した位置に当て板４
１が接着（図６）されていた。このように当て板４１を
接着させるかぎり、２つの劈開方向のいずれか一方に一
致した状態で当て板４１が接着されることとなる。
【００２６】この当て板４１に直交する方向にインゴッ
トＷは降下せしめられ、ワイヤーソー装置のワイヤー１
２に接触せしめてスライスする。この場合、前述したご
とく、インゴットＷの劈開方向とワイヤー１２の走行方
向Ｙとは一致してしまうため、インゴットＷをスライス
して製造されるウェーハにはクラックや割れが発生して
いた。
トＷは降下せしめられ、ワイヤーソー装置のワイヤー１
２に接触せしめてスライスする。この場合、前述したご
とく、インゴットＷの劈開方向とワイヤー１２の走行方
向Ｙとは一致してしまうため、インゴットＷをスライス
して製造されるウェーハにはクラックや割れが発生して
いた。
【００２７】本発明においては、図２に示すごとく、オ
リフラ面ＯＦに当て板４１を接着せず、またオリフラ面
ＯＦから９０°変位した位置に当て板４１を接着するこ
ともない。
リフラ面ＯＦに当て板４１を接着せず、またオリフラ面
ＯＦから９０°変位した位置に当て板４１を接着するこ
ともない。
【００２８】本発明においては、オリフラ面ＯＦまたは
オリフラ面ＯＦから９０°変位した位置以外の位置に当
て板４１を接着し、この当て板４１を接着台４２に接着
する。図２の例では、インゴットの劈開方向Ａ１、Ａ２
のうちのいずれか一方の劈開方向、例えばＡ１とワイヤ
ーソー装置のワイヤー１２の走行方向Ｙとのなす角度θ
が４５°の場合が示されている。
オリフラ面ＯＦから９０°変位した位置以外の位置に当
て板４１を接着し、この当て板４１を接着台４２に接着
する。図２の例では、インゴットの劈開方向Ａ１、Ａ２
のうちのいずれか一方の劈開方向、例えばＡ１とワイヤ
ーソー装置のワイヤー１２の走行方向Ｙとのなす角度θ
が４５°の場合が示されている。
【００２９】図２のようにインゴットＷを接着台４２に
接着してワイヤーソー装置によるスライスを行なえば、
ワイヤーソー装置のワイヤー１２によるソーマークとイ
ンゴットＷの劈開方向とが一致することがないので、イ
ンゴットＷをスライスして製造されるウェーハにクラッ
クや割れが発生することはない。
接着してワイヤーソー装置によるスライスを行なえば、
ワイヤーソー装置のワイヤー１２によるソーマークとイ
ンゴットＷの劈開方向とが一致することがないので、イ
ンゴットＷをスライスして製造されるウェーハにクラッ
クや割れが発生することはない。
【００３０】ワイヤーソー装置のワイヤー１２の走行方
向Ｙと、インゴットの劈開方向Ａ１、Ａ２とは互いに一
致しなければよいもので、該劈開方向Ａ１、Ａ２のうち
のいずれか一方の劈開方向とのなす角度（図２の例では
θ）は０°又は９０°（ワイヤーの走行Ｙと劈開方向Ａ
１、Ａ２のいずれか一方の劈開方向とが一致している状
態）でなければよく、即ち、０°＜θ＜９０°であれば
よい。
向Ｙと、インゴットの劈開方向Ａ１、Ａ２とは互いに一
致しなければよいもので、該劈開方向Ａ１、Ａ２のうち
のいずれか一方の劈開方向とのなす角度（図２の例では
θ）は０°又は９０°（ワイヤーの走行Ｙと劈開方向Ａ
１、Ａ２のいずれか一方の劈開方向とが一致している状
態）でなければよく、即ち、０°＜θ＜９０°であれば
よい。
【００３１】ワイヤーの走行方向とインゴットの劈開方
向が離れていればいる程、インゴットをスライスして製
造されるウェーハにクラックや割れが発生するおそれが
少なくなるものであるから、図２に示したようにθ＝４
５°が最も好適であるが、５≦θ≦８５°の範囲であれ
ば、インゴットをスライスして製造されるウェーハのク
ラック及び割れを好適かつ充分に防ぐことが可能であ
る。
向が離れていればいる程、インゴットをスライスして製
造されるウェーハにクラックや割れが発生するおそれが
少なくなるものであるから、図２に示したようにθ＝４
５°が最も好適であるが、５≦θ≦８５°の範囲であれ
ば、インゴットをスライスして製造されるウェーハのク
ラック及び割れを好適かつ充分に防ぐことが可能であ
る。
【００３２】続いて、本発明方法の手順を図１にもとづ
いて説明する。図１において、従来工程を示す図４との
相違点は、インゴットの端面の方位を測定する工程１０
２の終了後、インゴットのオリフラ面又はオリフラ面か
ら９０°回転させた位置に一致させないで当て板を接着
する工程１０３が行なわれることである。その後の工程
１０６〜１１８は図４の従来の工程と全く同様である。
いて説明する。図１において、従来工程を示す図４との
相違点は、インゴットの端面の方位を測定する工程１０
２の終了後、インゴットのオリフラ面又はオリフラ面か
ら９０°回転させた位置に一致させないで当て板を接着
する工程１０３が行なわれることである。その後の工程
１０６〜１１８は図４の従来の工程と全く同様である。
【００３３】上記のように構成することにより、従来工
程における当て板接着工程における当て板の接着位置は
インゴットＷの２つの劈開方向Ａ１，Ａ２のうちのいず
れとも一致しない方向となるので、インゴットＷの２つ
の劈開方向Ａ１、Ａ２のいずれともワイヤー１２の走行
方向Ｙは一致しない状態でインゴットＷはスライスされ
る。したがって、このスライス処理の際又はスライスさ
れたウェーハのクラックや割れの発生は充分に抑止され
る。
程における当て板接着工程における当て板の接着位置は
インゴットＷの２つの劈開方向Ａ１，Ａ２のうちのいず
れとも一致しない方向となるので、インゴットＷの２つ
の劈開方向Ａ１、Ａ２のいずれともワイヤー１２の走行
方向Ｙは一致しない状態でインゴットＷはスライスされ
る。したがって、このスライス処理の際又はスライスさ
れたウェーハのクラックや割れの発生は充分に抑止され
る。
【００３４】
【実施例】以下に本発明の実施例をあげて説明する。
【００３５】実施例１ 図３に示したワイヤーソー装置を用い、図１の方法によ
り、図２に示すようにθ＝４５°として、（１００）シ
リコン単結晶インゴット２０本につきそのスライス処理
を行ない、単結晶の劈開方向とソーマークの一致してい
ないウェーハを４９６５枚作成した。この本発明のウェ
ーハについて、クラック発生率を測定し、その結果を表
１に示した。
り、図２に示すようにθ＝４５°として、（１００）シ
リコン単結晶インゴット２０本につきそのスライス処理
を行ない、単結晶の劈開方向とソーマークの一致してい
ないウェーハを４９６５枚作成した。この本発明のウェ
ーハについて、クラック発生率を測定し、その結果を表
１に示した。
【００３６】比較例２ 図４に示した従来の手順により、実施例１と同様のワイ
ヤーソー装置を用い、ワイヤーの走行方向とシリコン単
結晶の劈開方向とを一致させて（１００）シリコン単結
晶インゴット１０本につきそのスライス処理を行ない、
単結晶の劈開方向とソーマークの一致したウェーハ１９
７５枚を作成した。この従来のウェーハについてクラッ
ク発生率を測定し、その結果を実施例１とともに表１に
示した。
ヤーソー装置を用い、ワイヤーの走行方向とシリコン単
結晶の劈開方向とを一致させて（１００）シリコン単結
晶インゴット１０本につきそのスライス処理を行ない、
単結晶の劈開方向とソーマークの一致したウェーハ１９
７５枚を作成した。この従来のウェーハについてクラッ
ク発生率を測定し、その結果を実施例１とともに表１に
示した。
【００３７】表１より、本発明方法によれば、スライス
されたウェーハのクラックの発生が従来方法に比べて大
幅に減少することがわかる。
されたウェーハのクラックの発生が従来方法に比べて大
幅に減少することがわかる。
【００３８】
【表１】
【００３９】なお、上記した実施の形態及び実施例にお
いては、（１００）シリコン単結晶インゴットをスライ
スする場合について説明したが、（１１０）又は（１１
１）シリコン単結晶インゴットについても同様に本発明
が適用可能なことはいうまでもない。
いては、（１００）シリコン単結晶インゴットをスライ
スする場合について説明したが、（１１０）又は（１１
１）シリコン単結晶インゴットについても同様に本発明
が適用可能なことはいうまでもない。
【００４０】また、上記した本発明方法の説明ではイン
ゴットにオリフラ面を形成した場合について説明した
が、インゴットにノッチを形成した場合もオリフラ面の
場合と同様に説明される。
ゴットにオリフラ面を形成した場合について説明した
が、インゴットにノッチを形成した場合もオリフラ面の
場合と同様に説明される。
【００４１】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明方法によれ
ば、特別の工程の追加もなく、簡単な操作で、インゴッ
トをスライスする際又はスライスされたウェーハのクラ
ックや割れの発生を効果的に防止することができるとい
う効果を奏する。
ば、特別の工程の追加もなく、簡単な操作で、インゴッ
トをスライスする際又はスライスされたウェーハのクラ
ックや割れの発生を効果的に防止することができるとい
う効果を奏する。
【００４２】また、本発明の半導体単結晶ウェーハは、
単結晶の劈開方向とソーマークとが一致しないように製
造されているので、クラックや割れの発生が大幅に減少
するという利点を有するものである。
単結晶の劈開方向とソーマークとが一致しないように製
造されているので、クラックや割れの発生が大幅に減少
するという利点を有するものである。
【図１】本発明のインゴットのスライス方法の工程順を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図２】本発明方法におけるインゴットの劈開方向とワ
イヤーソー装置のワイヤー走行方向を示す説明図であ
る。
イヤーソー装置のワイヤー走行方向を示す説明図であ
る。
【図３】従来のワイヤーソー装置の構成を示す斜視説明
図である。
図である。
【図４】従来のインゴットのスライス方法の工程順を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図５】従来方法におけるインゴットの劈開方向とワイ
ヤーソー装置のワイヤー走行方向の１例を示す説明図で
ある。
ヤーソー装置のワイヤー走行方向の１例を示す説明図で
ある。
【図６】従来方向におけるインゴットの劈開方向とワイ
ヤーソー装置のワイヤー走行方向の他の例を示す説明図
である。
ヤーソー装置のワイヤー走行方向の他の例を示す説明図
である。
【図７】（１００）シリコン単結晶の劈開方向を示す説
明図である。
明図である。
【図８】（１１０）シリコン単結晶の劈開方向を示す説
明図である。
明図である。
【図９】（１１１）シリコン単結晶の劈開方向を示す説
明図である。
明図である。
【符号の説明】 １０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ 樹脂ローラ １２ ワイヤー １４ａ，１４ｂ，１４ｃ リング状溝 １６ 駆動モータ ２０ 張力調節機構 ２２，３２ ワイヤー巻取りドラム ２４，３２ トルクモータ ４０ ワーク ４１ 当て板 ４２ 接着台 Ａ，Ａ１，Ａ２ 劈開方向 Ｙ 走行方向 Ｗ インゴット
フロントページの続き (72)発明者 早川 和男 群馬県群馬郡群馬町足門762番地 三益半 導体工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体単結晶インゴットをワイヤーソー
装置でスライスする方法であり、ワイヤーソー装置のワ
イヤーの走行方向と半導体単結晶インゴットの劈開方向
とを一致させることなく該半導体単結晶インゴットをス
ライスすることを特徴とする半導体単結晶インゴットの
スライス方法。 - 【請求項２】 前記ワイヤーの走行方向が複数の劈開方
向を有する半導体単結晶インゴットのいずれの劈開方向
とも一致せずかつ該ワイヤーの走行方向とそれらの劈開
方向とのなす角度θがいずれも５°以上であることを特
徴とする半導体単結晶インゴットのスライス方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の方法により、ワイ
ヤーソー装置のワイヤーの走行方向と半導体単結晶イン
ゴットの劈開方向とを一致させることなくスライスさ
れ、半導体単結晶の劈開方向と一致しないソーマークを
有するように製造されたことを特徴とする半導体単結晶
ウェーハ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07558796A JP3397968B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 |
| TW086103375A TW390833B (en) | 1996-03-29 | 1997-03-18 | Method of slicing semiconductor single crystal ingot |
| US08/822,983 US5875769A (en) | 1996-03-29 | 1997-03-21 | Method of slicing semiconductor single crystal ingot |
| MYPI97001208A MY119169A (en) | 1996-03-29 | 1997-03-21 | Method of slicing semiconductor single crystal ingot |
| DE69734414T DE69734414T2 (de) | 1996-03-29 | 1997-03-27 | Verfahren zum Zerschneiden eines Einkristallbarren aus Halbleitermaterial |
| EP97302153A EP0798092B1 (en) | 1996-03-29 | 1997-03-27 | Method of slicing semiconductor single crystal ingot |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07558796A JP3397968B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09262825A true JPH09262825A (ja) | 1997-10-07 |
| JP3397968B2 JP3397968B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=13580491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07558796A Expired - Fee Related JP3397968B2 (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5875769A (ja) |
| EP (1) | EP0798092B1 (ja) |
| JP (1) | JP3397968B2 (ja) |
| DE (1) | DE69734414T2 (ja) |
| MY (1) | MY119169A (ja) |
| TW (1) | TW390833B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007037096A1 (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | （１１０）シリコンウエーハの製造方法 |
| US7459720B2 (en) | 2000-07-10 | 2008-12-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Single crystal wafer and solar battery cell |
| JP2011155070A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Saitama Univ | 基板加工方法 |
| JP2011167718A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Saitama Univ | 基板内部加工装置および基板内部加工方法 |
| US20120304839A1 (en) * | 2011-06-02 | 2012-12-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing silicon carbide substrate |
| JP2017212268A (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | 信越半導体株式会社 | 単結晶インゴットの切断方法 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19739965A1 (de) * | 1997-09-11 | 1999-03-18 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Sägeleiste zum Fixieren eines Kristalls und Verfahren zum Abtrennen von Scheiben |
| JP3593451B2 (ja) * | 1998-04-01 | 2004-11-24 | 株式会社日平トヤマ | インゴットのスライス方法 |
| US6112738A (en) * | 1999-04-02 | 2000-09-05 | Memc Electronics Materials, Inc. | Method of slicing silicon wafers for laser marking |
| US6367467B1 (en) * | 1999-06-18 | 2002-04-09 | Virginia Semiconductor | Holding unit for semiconductor wafer sawing |
| US6452091B1 (en) * | 1999-07-14 | 2002-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing thin-film single-crystal device, solar cell module and method of producing the same |
| US6390889B1 (en) * | 1999-09-29 | 2002-05-21 | Virginia Semiconductor | Holding strip for a semiconductor ingot |
| US6573164B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-06-03 | Technologies And Devices International, Inc. | Method of epitaxially growing device structures with sharp layer interfaces utilizing HVPE |
| US6613143B1 (en) | 2001-07-06 | 2003-09-02 | Technologies And Devices International, Inc. | Method for fabricating bulk GaN single crystals |
| US20030205193A1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-11-06 | Melnik Yuri V. | Method for achieving low defect density aigan single crystal boules |
| US6616757B1 (en) | 2001-07-06 | 2003-09-09 | Technologies And Devices International, Inc. | Method for achieving low defect density GaN single crystal boules |
| US7501023B2 (en) * | 2001-07-06 | 2009-03-10 | Technologies And Devices, International, Inc. | Method and apparatus for fabricating crack-free Group III nitride semiconductor materials |
| US6936357B2 (en) * | 2001-07-06 | 2005-08-30 | Technologies And Devices International, Inc. | Bulk GaN and ALGaN single crystals |
| US20060011135A1 (en) * | 2001-07-06 | 2006-01-19 | Dmitriev Vladimir A | HVPE apparatus for simultaneously producing multiple wafers during a single epitaxial growth run |
| US20070032046A1 (en) * | 2001-07-06 | 2007-02-08 | Dmitriev Vladimir A | Method for simultaneously producing multiple wafers during a single epitaxial growth run and semiconductor structure grown thereby |
| JP4455804B2 (ja) * | 2002-05-08 | 2010-04-21 | 株式会社ワイ・ワイ・エル | インゴットの切断方法と切断装置及びウェーハ並びに太陽電池の製造方法 |
| GB2414204B (en) * | 2004-05-18 | 2006-04-12 | David Ainsworth Hukin | Abrasive wire sawing |
| US9416464B1 (en) | 2006-10-11 | 2016-08-16 | Ostendo Technologies, Inc. | Apparatus and methods for controlling gas flows in a HVPE reactor |
| DE102010007459B4 (de) * | 2010-02-10 | 2012-01-19 | Siltronic Ag | Verfahren zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von einem Kristall aus Halbleitermaterial |
| CN102101325B (zh) * | 2010-12-15 | 2014-05-21 | 湖南宇晶机器实业有限公司 | 多线切割机自动排线装置的径向平衡机构 |
| CN102229092A (zh) * | 2011-06-20 | 2011-11-02 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种多线切割装置 |
| JP2013008769A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素基板の製造方法 |
| CN102350743A (zh) * | 2011-09-27 | 2012-02-15 | 苏州大学 | 切片用硅晶棒加工方法 |
| JP6132621B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-05-24 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56129114A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of cutting monocrystal |
| JPS63228721A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Toshiba Corp | Ｇａｐ単結晶ウエ−ハの製造方法 |
| JPH0747541A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-02-21 | Toshiba Corp | 単結晶の加工方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE131102C (ja) * | ||||
| DE1104074B (de) * | 1957-07-30 | 1961-04-06 | Telefunken Gmbh | Verfahren zum Zerschneiden eines Halbleiter-Einkristalles, z. B. aus Germanium, fuer Halbleiter-anordnungen in duenne Scheiben, deren Schnittflaechen senkrecht zu einer gewuenschten Kristallachse liegen |
| DD131102A2 (de) * | 1976-04-14 | 1978-05-31 | Ulrich Mohr | Verfahren zum abtrennen duenner kristallscheiben aus halbleitermaterial von einkristallstaeben |
| JPS60122798A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-07-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 砒化ガリウム単結晶とその製造方法 |
| JPS60125726U (ja) * | 1984-02-02 | 1985-08-24 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体ミラ−ウエハ |
| JPH0635107B2 (ja) * | 1987-12-26 | 1994-05-11 | 株式会社タカトリハイテック | ワイヤソー |
| JPH0310760A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-18 | Nippon Spindle Mfg Co Ltd | 結晶質脆性材料切断用ワイヤソー |
| JPH05259016A (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ作製用基板及び半導体ウエハの製造方法 |
| JPH0671639A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-15 | Toshiba Corp | 単結晶の加工方法 |
| JPH06128092A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-10 | Toshiba Corp | 単結晶の加工方法 |
| EP0738572B1 (fr) * | 1995-04-22 | 2004-01-21 | HCT Shaping Systems SA | Procédé pour l'orientation de monocristaux pour le découpage dans une machine de découpage et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP07558796A patent/JP3397968B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-18 TW TW086103375A patent/TW390833B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-03-21 MY MYPI97001208A patent/MY119169A/en unknown
- 1997-03-21 US US08/822,983 patent/US5875769A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-27 EP EP97302153A patent/EP0798092B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-27 DE DE69734414T patent/DE69734414T2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56129114A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of cutting monocrystal |
| JPS63228721A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Toshiba Corp | Ｇａｐ単結晶ウエ−ハの製造方法 |
| JPH0747541A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-02-21 | Toshiba Corp | 単結晶の加工方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7459720B2 (en) | 2000-07-10 | 2008-12-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Single crystal wafer and solar battery cell |
| WO2007037096A1 (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | （１１０）シリコンウエーハの製造方法 |
| JP2007090466A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | （１１０）シリコンウエーハの製造方法 |
| US7699050B2 (en) | 2005-09-28 | 2010-04-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing (110) silicon wafer |
| JP2011155070A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Saitama Univ | 基板加工方法 |
| JP2011167718A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Saitama Univ | 基板内部加工装置および基板内部加工方法 |
| US20120304839A1 (en) * | 2011-06-02 | 2012-12-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing silicon carbide substrate |
| US9346187B2 (en) * | 2011-06-02 | 2016-05-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing silicon carbide substrate |
| US20160229086A1 (en) * | 2011-06-02 | 2016-08-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing silicon carbide substrate |
| US9844893B2 (en) | 2011-06-02 | 2017-12-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing silicon carbide substrate |
| JP2017212268A (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | 信越半導体株式会社 | 単結晶インゴットの切断方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3397968B2 (ja) | 2003-04-21 |
| DE69734414T2 (de) | 2006-04-27 |
| MY119169A (en) | 2005-04-30 |
| DE69734414D1 (de) | 2005-12-01 |
| US5875769A (en) | 1999-03-02 |
| EP0798092A3 (en) | 1998-04-01 |
| EP0798092A2 (en) | 1997-10-01 |
| TW390833B (en) | 2000-05-21 |
| EP0798092B1 (en) | 2005-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3397968B2 (ja) | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 | |
| JP3612317B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3427956B2 (ja) | ワイヤーソー装置 | |
| JP3328193B2 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
| KR19990082824A (ko) | 잉곳슬라이스방법,잉곳제조방법및슬라이스된잉곳의연마장치 | |
| EP1484792A1 (en) | Method for grinding rear surface of semiconductor wafer | |
| US20160096248A1 (en) | Ingot and methods for ingot grinding | |
| US3078559A (en) | Method for preparing semiconductor elements | |
| JP4406878B2 (ja) | 単結晶インゴットの当て板 | |
| JP3910070B2 (ja) | シリコン基板の製造方法 | |
| WO2002019404A1 (fr) | Procede de traitement d'un lingot monocristallin de silicium | |
| JP7137242B2 (ja) | ＧａＮ基板の分断方法 | |
| JPH1190923A (ja) | マルチワイヤソーによる切断方法 | |
| JPH11262917A (ja) | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 | |
| JP2011031387A (ja) | 結晶スライス方法 | |
| WO2005015626A1 (ja) | 半導体ウエハをスライスするための単結晶塊の製造方法 | |
| KR100345900B1 (ko) | 반도체 단결정 잉고트의 슬라이싱 방법 | |
| JPS5922345A (ja) | 半導体基板の分割方法 | |
| JP2003117797A (ja) | ワイヤーソーによる円筒状結晶の切断方法 | |
| JPH0938852A (ja) | ウエハの裏面研削方法 | |
| JP2000031115A (ja) | ウェハからチップを形成する方法 | |
| JPH0567599A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61284926A (ja) | シリコンウエハ−加工用マスキングシ−トの切断除去方法 | |
| TW200416776A (en) | Method and apparatus for manufacturing a packaged semiconductor device, packaged semiconductor device obtained with such a method and metal carrier suitable for use in such a method | |
| JP5196604B2 (ja) | インゴットスライシング用フレットバーを用いたインゴットの切断方法及び該フレットバーを貼着したインゴット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080214 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090214 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100214 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100214 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110214 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120214 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120214 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130214 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140214 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |