JPH09252117A

JPH09252117A - 電界効果トランジスタ

Info

Publication number: JPH09252117A
Application number: JP5771096A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Sasada; 一弘笹田
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1996-03-14
Filing date: 1996-03-14
Publication date: 1997-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】ｐチャネル電界効果トランジスタにイオン注
入する場合、ＢＦ２によるｐチャネルへの貫通現象によ
って閾値電圧が変化することや、Ｂによりゲートやゲー
ト絶縁膜中に界面準位が発生してリーク電流が増大する
ことを抑制する。【解決手段】ゲート１１に斜め方向からＦを加速電圧
１０〜１００ｋｅＶ、注入量１×１０¹¹〜１×１０¹⁶ｃ
ｍ^-2でイオン注入して、ゲート絶縁膜２下に２×１０¹²
〜２×１０¹⁶ｃｍ^-3のＢを含む低濃度層８及び２×１０
¹²〜２×１０¹⁶ｃｍ^-3のＦを含む終端層１３を形成する
と共に、ゲート１１の下端部に高抵抗層１２を形成し
て、実効電圧の低減と距離拡大によりゲート端部での絶
縁破壊を防止すると共にＦの強い結合エネルギーにより
リーク電流の原因になる界面準位を解消する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電界効果トランジス
タの構造とその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、特開昭５８−１４２５６６号公
報参照に示されているようなＬＤＤ構造の電界効果トラ
ンジスタの製造方法を図６に基づいて説明する。図６ａ
に示すように、単結晶Ｓｉ製のｎ型半導体層１上にゲー
ト絶縁膜２を形成し、さらにその上に、島状に加工され
た多結晶Ｓｉ製の多結晶層３を形成する。

【０００３】続いて、減圧雰囲気中で加速されたホウ素
（Ｂ）イオンを、ｎ型半導体層１に垂直に注入する。す
ると、図６ｂに示すように、島状の多結晶層３の表面
と、島状の多結晶層３の両側とにｐ＋層４が形成され
る。次に、図６ｃに示すように、熱処理によりゲート絶
縁膜２上の島状の多結晶層は、全てｐ層５となり、さら
にゲート絶縁膜２下のｐ＋層は、後でＬＤＤの低濃度層
として作用する厚さの厚いｐ層６となる。

【０００４】それから、図６ｄに示すように、絶縁性の
側壁７を、一旦全面に熱ＣＶＤにより酸化シリコンを積
層してから、ゲート絶縁膜上のｐ層５の側面の酸化シリ
コンを残すようにエッチングすることにより形成する。
図６ｅに示すように、減圧下で加速されたＢＦ２イオン
を、ｎ型半導体層１に垂直に注入する。

【０００５】この場合、先に形成された側壁７はｐ型不
純物であるＢＦ２の注入を阻止する膜となる。その結
果、図６ｆに示すように、側壁７下のｐ層はＢの濃度が
増えないため、低濃度層８となる。一方、ソース９及び
ドレイン１０が、側壁７に隣接するゲート絶縁膜２下に
それぞれ形成される。

【０００６】また、ＢＦ２イオンの注入によりゲート絶
縁膜２上のｐ層は、Ｂの濃度が上昇し、低抵抗となって
多結晶製のゲート１１に変換される。このように、ｐ型
の多結晶シリコンは、多結晶シリコンにＢＦ２やＢをイ
オン注入した後、熱処理により活性化することで製造し
ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、イオン種によ
ってイオン注入時の副作用は変化してくる。例えば、Ｂ
Ｆ２をイオン種にすると、ゲート中のＢは、ゲート酸化
膜を通過してチャネル表面まで到達し、トランジスタの
閾値Ｖｔを変化させるという欠点がある。

【０００８】一方、Ｂをイオン種にすると、ＢＦ２のよ
うなチャネル表面への貫通（Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ）
はないが、Ｓｉ−ＳｉＯ２界面の界面準位が増加すると
いう問題点がある。ゲートからＢがゲート絶縁膜を通過
してチャネル表面へ達するか否かは、ＢＦ２の分解物
（フラッグメント）であるＦが大きく寄与していると考
えられている（Ｊ．Ｍ．Ｓｕｎｇｅｔ．ａｌ．，”Ｆ
ｌｕｏｒｉｎｅＥｆｆｅｃｔＢｏｒｏｎＤｉｆｆ
ｕｓｉｏｎｏｆＰ＋ＧａｔｅＤｅｖｉｃｅ
ｓ”，ＩＥＤＭ（１９８９）ｐｐ４４７−４５０．）。

【０００９】上述の文献によれば、最初にゲート中のＢ
は、Ｂがゲートからゲート絶縁膜を通してチャネルに到
達する際にゲート酸化膜中でＢ２Ｏ３が形成される傾向
がある。ところが、Ｆが存在すると、このＢ２Ｏ３の生
成が妨げられることにより、Ｂが貫通するのだろうと説
明している。

【００１０】チャネル表面への貫通（Ｐｅｎｅｔｒａｔ
ｉｏｎ）現象があるにも拘らず、Ｆは、Ｓｉ−ＳｉＯ２
界面のダングリングボンドを終端する性質があるので、
界面準位の低減に効果的である。本発明は、以上のよう
な事情に鑑みてなされたものであり、導電に寄与する不
純物が相対的に低濃度となったゲートの両端からゲート
の中央に比べて低い電界を欠陥に少ない終端層に印加す
ることにより、高耐圧な電界効果トランジスタを提供す
ることを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の電界効果トラン
ジスタは、ゲートの下端部の添加物の濃度が高いことを
特徴とする。また、本発明の電界効果トランジスタは、
ゲート中の添加物がハロゲン元素であることを特徴とす
る。

【００１２】さらに、本発明の電界効果トランジスタの
製造方法は、半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程
と、ゲート絶縁膜上に島状の多結晶層を形成する工程
と、イオン注入により半導体層及び島状の多結晶層に不
純物を注入して表面に不純物層を形成する工程と、斜め
イオン注入により島状の多結晶層の下端部及び半導体層
にＦを注入して、それぞれ高抵抗層と終端層とを形成す
る工程と、イオン注入によりゲート絶縁膜上の島状の多
結晶層と半導体層表面の不純物層に不純物を注入する工
程とを備えることを特徴とする。

【００１３】あるいは、本発明の電界効果トランジスタ
の製造方法は、半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工
程と、ゲート絶縁膜上に島状の多結晶層を形成する工程
と、イオン注入により半導体層に不純物を注入して表面
に不純物層を形成する工程と、斜めイオン注入により島
状の多結晶層の下端部及び半導体層にＦを注入して、そ
れぞれ高抵抗層と終端層とを形成する工程とを備えるこ
とを特徴とする。

【００１４】換言すれば、本発明の電界効果トランジス
タは、ゲートの下端部の添加物が多いこととゲートの端
部の局部電界が欠陥の少ない終端層に印加されるという
要因のために、実質的にゲート端部と動作層との距離が
離れることと、ゲート端部の局部電界で誘起されるキャ
リアが少ないという結果が引き起こされ、ゲート端部で
の電界集中が少なくてインパクトイオン化が少なく、駆
動能力の劣化が小さいという作用を生じる。

【００１５】

【発明の実施の形態】

（第１実施形態）本発明を具体化した第１の実施形態を
図を参照しつつ説明する。但し、従来例と同様の構成部
材には同じ符号を用い、その詳細な説明を省略する。

【００１６】図１は本発明のＬＤＤ構造の電界効果トラ
ンジスタの断面図である。従来のゲートの抵抗が一様で
あるのに対して、図１から明らかなように、本発明は、
ゲート絶縁膜２上のゲート１１の下端部に、高抵抗層１
２が断面形状で三角形状に有ることが特徴である。つま
り、本発明は、ｎ型半導体の表面に形成されるｐチャネ
ルの両端に加わる電界強度を従来より弱くすることが特
徴である。

【００１７】次に、電界効果トランジスタを構成してい
る各要素の組成と構造について述べる。ゲート１１は加
速電圧３０ｋｅＶでＢをイオン注入したＢ換算で濃度１
×１０ ²⁰ｃｍ^-3の厚さ３０００Åの多結晶シリコンから
構成されている。ゲート絶縁膜２側のゲート１１の両端
に位置する高抵抗層１２は、ゲートに垂直に１×１０¹³
ｃｍ^-2の注入量のＢ、添加物として、ゲートに斜めな方
向から１×１０¹³ｃｍ^-2の注入量のＦを注入することで
形成される。

【００１８】従って、活性化後のゲート１１の面抵抗が
５０Ω／□であるのに比べて、高抵抗層１２の面抵抗は
２ｋΩ／□と大きい。また、通常の単位面積当りのゲー
トの静電容量が４×１０^-5ｐＦμｍ^-2であるのに比べて
ゲートの両端では１×１０^-6ｐＦμｍ^-2と小さくなる。
その結果、高抵抗層１２でゲートの端部での電界集中が
起こりにくくなって、高耐圧となる。

【００１９】また、高抵抗層１２で容量が小さくなるこ
とにより、寄生容量が小さくなってスイッチング速度が
増す。続いて、ゲート絶縁膜２を挟んで高抵抗層１２の
下方に有る低濃度層８はＢの熱拡散によって形成される
が、１×１０¹²ｃｍ^-3のＢと１×１０¹²ｃｍ^-3のＦとを
含んでいる。

【００２０】図２は、ｎ型半導体層表面に形成されてい
る終端層とゲート絶縁膜との界面の断面図である。図２
に示すように、添加物であるＦを含む半導体製の終端層
と、Ｆを含む絶縁体であるゲート絶縁膜とは、内部に含
む欠陥がＦにより解消されている。上述のように、低濃
度層にＦが含まれているので、ゲート絶縁膜と低濃度層
との間に存在する結合が切れた、いわゆるダングリング
ボンドが、Ｆによって終端（Ｔｅｒｍｉｎａｔｅ）さ
れ、電界効果トランジスタの駆動能力の劣化はない。

【００２１】一方、ソースはイオン注入によって形成さ
れたＦとＢとの混在層とで構成されている。イオン注入
する場合、ゲートの下面の垂線からの傾きは傾き角（ｔ
ｉｌｔａｎｇｌｅ）と呼ばれているが、傾き角は１５
〜６０度の間で選択される。次に、第１実施形態の電界
効果トランジスタの製造工程を以下に簡単に記述する。

【００２２】図３は本願発明の電界効果トランジスタの
製造工程図である。第１に、図３ａのように、単結晶Ｓ
ｉ製のｎ型半導体層１上に温度８５０〜９００℃で熱酸
化して厚さ１００〜２００Åのゲート絶縁膜２を形成
し、さらにＣＶＤによりノンドープの多結晶Ｓｉ製の多
結晶層をゲート絶縁膜２上に堆積した後、多結晶層をパ
ターニングして島状の厚さ４００ｎｍの多結晶層３を形
成してから、加速電圧１０〜３０ｋｅＶ、ドーズ量１×
１０¹³〜１×１０¹⁴ｃｍ^-2でホウ素（Ｂ）をｎ型半導体
層１に垂直にイオン注入する。

【００２３】すると、図３ｂに示すように、ゲート絶縁
膜２上の多結晶層３の表面にＢ濃度の高いｐ＋層４が、
また、ゲート絶縁膜２下で多結晶層の左右に分かれてｎ
型半導体層１の表面にｐ＋層４が形成される。次に、図
３ｃに図示するように、加速電圧４０ｋｅＶ、注入量１
×１０¹⁴ｃｍ ^-2でフッ素（Ｆ）を添加物としてｎ型半導
体層１に斜めに注入する。

【００２４】そのようにすると、図３ｄのように、ゲー
ト絶縁膜２上の多結晶層３の左右の端部の添加物（Ｆ）
の量が多くなって高抵抗層１２が形成される。また、ゲ
ート絶縁膜下のｎ型半導体層の表面は、Ｆの斜めイオン
注入により多結晶層３の左右だけでなく、一部がゲート
絶縁膜を挟んで多結晶層と重なる領域まで添加物が含ま
れた終端層１３となる。

【００２５】続いて、図３ｅのように、５００℃以上で
熱処理して、添加物Ｆによりｎ型半導体層にあるダング
リングボンドを終端させる。同時に熱拡散により、ｐ＋
層中のＢは半導体層内へ拡散し、ゲート絶縁膜上にｐ層
５が、また、ゲート絶縁膜下にｐ層６が形成される。次
に、図３ｆのように、全面にスパッタリングにより酸化
シリコンを堆積して堆積層１４を形成する。

【００２６】さらに、図３ｇのように、全面に堆積され
た堆積層をゲート絶縁膜２上の高抵抗層１２の側面だけ
残すようにしてエッチングして、高抵抗層１２の側面に
絶縁性の側壁７を作製する。側壁を作製した後、図３ｈ
のように、ｎ型半導体層１に垂直な方向から加速電圧３
０〜５０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０¹⁵〜１×１０¹⁶ｃｍ
^-2でＢＦ２をイオン注入する。

【００２７】注入時、側壁はＢＦ２の阻止壁として作用
するので、側壁下のｐ層の不純物（Ｂ）の濃度は増えな
い。一方、側壁の左右の層は大量の不純物（Ｂ）を含む
ことになるので、低抵抗になる。その後６００℃以上熱
処理すると、図３ｉのように、電界効果トランジスタ
は、高不純物濃度のゲート１１と、高不純物濃度のソー
ス９、添加物によりダングリングボンドが終端された低
不純物濃度の低濃度層８、添加物の多いｎ型の終端層１
３、ｎ型の動作層、終端層１３、低濃度層８、高不純物
濃度のドレイン１０とが配置された構成となる。

【００２８】本実施形態によれば、均一なゲート構成に
比べ、耐圧が１０％向上する。このような電界効果トラ
ンジスタによれば以下の２つの作用が生じる。第１に、
Ｆの斜めイオン注入によって、ゲート電極両端下のゲー
ト絶縁膜にＦを存在させることが可能になり、ゲート絶
縁膜中でＢ２Ｏ３の生成を妨げ、Ｂの貫通（Ｐｅｎｅｔ
ｒａｔｉｏｎ）を促進させることができる。

【００２９】その結果、ゲート電極両端のみのＢ濃度が
低くなり、ゲートドレインオーバーラップ容量を低下さ
せ、より高速なトランジスタを実現することができる。
寄生容量Ｃは、ゲートとソース、あるいはゲートとドレ
インとの重畳した部分の容量なので、当然、その絶縁距
離ｄが大きいほどＣ＝εｄ／Ｓ（ただし、εは誘電率、
ｄは絶縁距離、Ｓは重畳した面積）の関係式により小さ
くなる。

【００３０】寄生容量が小さくなると以下に示す関係式
により、例えばリングオシレータの遅延時間τが向上す
る。 τ＝ＣＶ／Ｉただし、Ｃはリングオシレータの静電容量、Ｖはリング
オシレータへの印加電圧、Ｉはリングオシレータの電流
である。

【００３１】この場合、Ｂの貫通により閾値電圧の変化
が懸念されるが、これは、ゲート両端のＢがＬＤＤとし
て形成されるだけなので、影響はほとんどない。第２
に、ＦによってＳｉ−ＳｉＯ２界面のダングリングボン
ドが終端され、界面準位が減る。電界効果トランジスタ
の特性劣化要因として、ホットキャリア現象による電流
駆動能力劣化がある。

【００３２】ホットキャリア現象は、ドレイン近傍でキ
ャリアがインパクトイオン化を起こし、ホットキャリア
がゲート絶縁膜に注入される際に、Ｓｉ−ＳｉＯ２界面
の界面準位を生成させる現象である。本発明では、ダン
グリングボンドがＦまたはＣｌで終端されて、それぞれ
Ｓｉ−Ｆ（結合エネルギー：５５３ｋＪ／ｍｏｌ）、Ｓ
ｉ−Ｃｌ（結合エネルギー：３５８ｋＪ／ｍｏｌ）とな
っており、Ｓｉ−Ｈ（結合エネルギー：２９９ｋＪ／ｍ
ｏｌ）またはＳｉ−Ｓｉ（結合エネルギー：３２７ｋＪ
／ｍｏｌ）よりも結合エネルギーが高く、界面準位が生
成されにくい。

【００３３】上記の数値から予想されるように、ＦがＣ
ｌより望ましい添加物となる。（第２実施形態）図４は別な工程を含む本発明の電界効
果トランジスタの製造工程図である。但し、第１実施形
態と同様の個所には同じ符号を用い、その詳細な説明を
省略する。

【００３４】図に従って説明すると、図４ａに示すよう
に、ゲート絶縁膜２を表面に形成したｎ型半導体層１上
に島状にノンドープの多結晶層３を堆積してから、ｎ型
半導体層１に垂直に１０ｋｅＶ、１×１０¹³ｃｍ^-2でＢ
をイオン注入する。不純物のＢをイオン注入すると、図
４ｂに示すように、多結晶層３の表面にＢを多く含むｐ
＋層４、また、ｎ型半導体層１の表面にもｐ＋層４が形
成される。

【００３５】次に、図４ｃに示すように添加物のＦを２
０ｋｅＶ、４×１０¹³ｃｍ^-2の条件でｎ型半導体層１に
対して斜めの方向からイオン注入する。すると、図４ｄ
に示すように、多結晶層３の両方の下端部にＦを多く含
み、抵抗の高い高抵抗層１２が形成される。同時に、ゲ
ート絶縁膜２の下に、多結晶層の左右だけでなく、ゲー
ト絶縁膜を挟んで多結晶層と重畳する部分までＦが侵入
して終端層１３を形成する。

【００３６】さらに、図４ｅに示すように、一旦、６０
０℃の非酸素雰囲気中で熱処理後、続いて１０００℃の
酸素雰囲気中で熱酸化すると、最初の熱処理でゲート絶
縁膜の上下で不純物と添加物との活性化が、また、後の
熱処理で多結晶Ｓｉの酸化が進行する。そのようにし
て、ゲート絶縁膜下にｐ層６と終端層１３、また、ゲー
ト絶縁膜上に厚さの薄くなったｐ層５、高抵抗層１２及
びその周囲を覆う熱酸化膜１５が形成される。

【００３７】次に、図４ｆに図示するように、厚さ１０
００ｎｍの側壁７は、ゲート絶縁膜上のｐ層５の上面の
熱酸化膜だけをエッチングして作製する。さらに、形成
された側壁を利用して、図４ｇに示すように、ｎ半導体
層１に垂直な方向からＢＦ２を加速電圧４０ｋｅＶ、ド
ーズ量７×１０¹⁵ｃｍ^ー2で注入する。

【００３８】すると、図４ｈに示すように、ゲート端部
での電界集中とＬＤＤ部分での界面準位の少ない電界効
果トランジスタが形成される。本実施形態によれば、側
壁の位置が自己整合的に形成される。（第３実施形態）前述の実施形態はノンドープの多結晶
層を用いていたが、ゲート絶縁膜上の層は製造時にドー
プされた層であっても良い。

【００３９】図５はドープされた層を用いる電界効果ト
ランジスタの製造工程図である。尚、第２実施形態と同
様、第１実施形態と同様な個所には同じ符号を用いる。
図５ａに示すように、ゲート絶縁膜２が形成されたｎ型
半導体層層１上に、１×１０²⁰ｃｍ^-3の不純物（Ｂ）を
含むａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）、または多結晶
Ｓｉ製の低抵抗半導体層を形成し、レジスト１６により
パターニングして島状の低抵抗半導体層１７を形成して
から、ｎ型半導体層１に垂直に加速電圧３０ｋｅＶ、ド
ーズ量１×１０¹⁴ｃｍ^-2の条件でホウ素（Ｂ）をイオン
注入する。

【００４０】すると、図５ｂに示すように、レジスト１
６で覆われたｐ＋層の左右のゲート絶縁膜２下のｎ型半
導体層１の表面に薄いｐ＋層４が形成される。続いて、
図５ｃに示すように、ｎ型半導体層１に斜めな方向から
添加物のＦイオンを加速電圧３０ｋｅＶ、ドーズ量１×
１０¹⁴ｃｍ^-2の条件でイオン注入する。

【００４１】添加物のイオン注入後、図５ｄに示す如
く、ゲート絶縁膜２上の低抵抗半導体層１７の下端部に
高抵抗層１２が、また、ゲート絶縁膜下に終端層１３が
形成される。次に、図５ｅに図示するように、レジスト
１６下のａ−Ｓｉ、または多結晶Ｓｉ製の低抵抗半導体
層１７を次の拡散による拡散距離に応じてサイドエッチ
ングする。

【００４２】続いて、図５ｆに示すように、レジストを
剥離してから、温度７００℃、時間１時間で熱拡散して
ゲート絶縁膜下にｐ層６を形成する。さらに、図５ｇに
示すように、全面にｎ型半導体層１に垂直な方向からＢ
Ｆ２を加速電圧５０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０¹⁶ｃｍ^-2
の条件でイオン注入する。すると、図５ｈに示すよう
に、ゲート絶縁膜２上に下端部にＦの多い高抵抗層１２
を持つゲート１１と、ゲート絶縁膜下にｐ＋型のソース
９、ｎ型の終端層１３、ｎ型の動作層、ｎ型の終端層１
３、ｐ＋型のドレイン１０からなる電界効果トランジス
タが構成される。

【００４３】本実施形態によれば、ゲートとなる部分に
イオン注入は１回で済むことになる。上の実施形態は、
ｎ型半導体層上に形成された電界効果トランジスタにつ
いてのものであるが、ｎ型半導体層の下地は半導体ウェ
ハに限定されるものではなく、石英基板やサファイヤ基
板などのように絶縁基板であっても良い。

【００４４】本発明の電界効果トランジスタは、ゲート
下端部が高抵抗なために、ゲート端部での電界集中が少
なく、ゲート電圧に対するドレイン電流の経時変化が小
さくなって、駆動能力の長寿命化ができる。また、ゲー
ト断面における高抵抗な部分が動作層側で長く、ゲート
表面側で短いため、ゲートの深さ方向に単に同一長で高
抵抗層を形成する場合に比べて、ゲート抵抗の低減が可
能になる。

【００４５】

【発明の効果】本発明の電界効果トランジスタは、ゲー
ト端部での電界集中が少なく、高耐圧化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の不均一ゲートの電界効果トランジスタ
の断面図である。

【図２】本発明のＦによる終端現象の作用図である。

【図３】本発明の堆積側壁不均一ゲートの電界効果トラ
ンジスタの製造工程図である。

【図４】本発明の酸化側壁不均一ゲートの電界効果トラ
ンジスタの製造工程図である。

【図５】本発明の初期含有不均一ゲートの電界効果トラ
ンジスタの製造工程図である。

【図６】従来の均一ゲートの電界効果トランジスタの製
造工程図である。

【符号の説明】

１ｎ型半導体層２ゲート絶縁膜３多結晶層４ｐ＋層５ｐ層６ｐ層７側壁８低濃度層９ソース１０ドレイン１１ゲート１２高抵抗層１３終端層１４堆積層１５熱酸化膜１６レジスト１７低抵抗半導体層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ゲートの下端部の添加物の濃度が高いこ
とを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項２】ゲート中の前記添加物はハロゲン元素で
あることを特徴とする請求項２記載の電界効果トランジ
スタ。
【請求項３】半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工
程と、ゲート絶縁膜上に島状の多結晶層を形成する工程
と、イオン注入により半導体層及び島状の多結晶層に不
純物を注入して表面に不純物層を形成する工程と、斜め
イオン注入により島状の多結晶層の下端部及び半導体層
にＦを注入して、それぞれ高抵抗層と終端層とを形成す
る工程と、イオン注入によりゲート絶縁膜上の島状の多
結晶層と半導体層表面の不純物層に不純物を注入する工
程とを備えることを特徴とする電界効果トランジスタの
製造方法。
【請求項４】半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工
程と、ゲート絶縁膜上に島状の多結晶層を形成する工程
と、イオン注入により半導体層に不純物を注入して表面
に不純物層を形成する工程と、斜めイオン注入により島
状の多結晶層の下端部及び半導体層にＦを注入して、そ
れぞれ高抵抗層と終端層とを形成する工程とを備えるこ
とを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。