JPH09241030A - 遠紫外線用高純度シリカガラス及びその製造方法 - Google Patents
遠紫外線用高純度シリカガラス及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、遠紫外線の光透過率が高く、耐遠紫
外線性のあるシリカガラス及びその製造方法を提供する
こと。 【解決手段】設定仮想温度が５００〜１０００℃、酸素
欠損型欠陥濃度が５×１０16個／ｃｍ3以下、酸素過剰
型欠陥濃度が５×１０16個／ｃｍ3以下である遠紫外線
用高純度シリカガラス、及び高純度の珪素化合物を用い
て形成した透明シリカガラスを５００〜１０００℃で１
００〜２０００時間の仮想温度設定処理する遠紫外線用
高純度シリカガラスの製造方法。
外線性のあるシリカガラス及びその製造方法を提供する
こと。 【解決手段】設定仮想温度が５００〜１０００℃、酸素
欠損型欠陥濃度が５×１０16個／ｃｍ3以下、酸素過剰
型欠陥濃度が５×１０16個／ｃｍ3以下である遠紫外線
用高純度シリカガラス、及び高純度の珪素化合物を用い
て形成した透明シリカガラスを５００〜１０００℃で１
００〜２０００時間の仮想温度設定処理する遠紫外線用
高純度シリカガラスの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、遠紫外線用高純度シリ
カガラス及びその製造方法、さらに詳しくは遠紫外域の
エキシマレーザー、エキシマランプ光に対して透過率の
高いランプ、光ファイバー、レンズ、プリズム、ウイン
ドウ、ミラー用高純度合成シリカガラス及びその製造方
法に関する。
カガラス及びその製造方法、さらに詳しくは遠紫外域の
エキシマレーザー、エキシマランプ光に対して透過率の
高いランプ、光ファイバー、レンズ、プリズム、ウイン
ドウ、ミラー用高純度合成シリカガラス及びその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、ウエハ上に電子回路パターンを描画
する光リソグラフィーに用いられる光線としてはｇ線や
ｉ線などの水銀ランプによる紫外線が利用されてきた。
ところが、近年、半導体素子の微細化が高まり、今日で
はクオーターミクロン以下（０．２５μｍ以下）の微細
パターンを用いた超ＬＳＩの量産化が始まろうとしてい
る。このような超微細パターンを形成するには現在使用
しているｇ線やｉ線ではその解像度に限界があり、より
波長の短い光が注目され、特に最も完成度の高いエキシ
マレーザーが注目を集めいている。前記エキシマレーザ
ーは高出力レーザーであり、発振効率とガス寿命の点か
ら従来、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎ
ｍ）、ＸｅＦ（３５１、３５３ｎｍ）が好適に用いられ
ていた。しかし前記クオーターミクロン以下の微細なパ
ターンを形成する波長としては不十分で、波長１６５〜
１９５ｎｍ（以下遠紫外線という）で発振するＸｅ2エ
キシマレーザー（１７２ｎｍ）、ＡｒＣｌエキシマレー
ザー（１７５ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３
ｎｍ）、Ｘｅ2エキシマランプ（１７２ｎｍ）又はＡｒ
Ｃｌエキシマランプ（１７５ｎｍ）の使用が検討される
ようになった。それに伴い光学用部材も前記遠紫外線に
よってダメージを受けない部材が要求されるようになっ
てきた。
する光リソグラフィーに用いられる光線としてはｇ線や
ｉ線などの水銀ランプによる紫外線が利用されてきた。
ところが、近年、半導体素子の微細化が高まり、今日で
はクオーターミクロン以下（０．２５μｍ以下）の微細
パターンを用いた超ＬＳＩの量産化が始まろうとしてい
る。このような超微細パターンを形成するには現在使用
しているｇ線やｉ線ではその解像度に限界があり、より
波長の短い光が注目され、特に最も完成度の高いエキシ
マレーザーが注目を集めいている。前記エキシマレーザ
ーは高出力レーザーであり、発振効率とガス寿命の点か
ら従来、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎ
ｍ）、ＸｅＦ（３５１、３５３ｎｍ）が好適に用いられ
ていた。しかし前記クオーターミクロン以下の微細なパ
ターンを形成する波長としては不十分で、波長１６５〜
１９５ｎｍ（以下遠紫外線という）で発振するＸｅ2エ
キシマレーザー（１７２ｎｍ）、ＡｒＣｌエキシマレー
ザー（１７５ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３
ｎｍ）、Ｘｅ2エキシマランプ（１７２ｎｍ）又はＡｒ
Ｃｌエキシマランプ（１７５ｎｍ）の使用が検討される
ようになった。それに伴い光学用部材も前記遠紫外線に
よってダメージを受けない部材が要求されるようになっ
てきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記遠紫外線によって
ダメージを受けないシリカガラスとして、本出願人は、
酸素欠損型欠陥が実質的にないシリカガラスを特公平１
−１９７３４３号で提案した。該シリカガラスは約２０
０〜４００ｎｍ域の紫外線に対して高い耐久性を示した
が、より短波長の紫外線に対しては耐久性に劣るもので
あった。そこで、ＯＨ基と水素分子を高濃度で含有する
とともに遷移金属元素等の含有量を１０ｗｔｐｐｂ以下
としたシリカガラスを特公平６−２４９９７号公報や特
公平６−４８７３４号公報で提案した。ところが、前記
シリカガラスを用いて遠紫外線用部材を作成し使用した
ところ、波長２００ｎｍ以下の遠紫外線の透過率が低く
なるとともに、絶対屈折率の上昇や複屈折量の増大が生
じ、部材の使用寿命は短いものであった。
ダメージを受けないシリカガラスとして、本出願人は、
酸素欠損型欠陥が実質的にないシリカガラスを特公平１
−１９７３４３号で提案した。該シリカガラスは約２０
０〜４００ｎｍ域の紫外線に対して高い耐久性を示した
が、より短波長の紫外線に対しては耐久性に劣るもので
あった。そこで、ＯＨ基と水素分子を高濃度で含有する
とともに遷移金属元素等の含有量を１０ｗｔｐｐｂ以下
としたシリカガラスを特公平６−２４９９７号公報や特
公平６−４８７３４号公報で提案した。ところが、前記
シリカガラスを用いて遠紫外線用部材を作成し使用した
ところ、波長２００ｎｍ以下の遠紫外線の透過率が低く
なるとともに、絶対屈折率の上昇や複屈折量の増大が生
じ、部材の使用寿命は短いものであった。
【０００４】そこで、波長２００ｎｍ以下の遠紫外線、
好ましくは波長１６５〜１９５ｎｍの遠紫外線に対して
も耐久性の高いシリカガラスを開発すべく鋭意研究をを
続けた結果、酸素欠損型欠陥濃度及び酸素過剰型欠陥濃
度を特定の範囲以下ととするとともに、シリカガラスの
仮想温度を低くすることで前記波長の遠紫外線に対して
もダメージの少ないシリカガラスが得られることを見出
した。また前記シリカガラスを製造するための新規な製
造方法を見出し本発明を完成したものである。
好ましくは波長１６５〜１９５ｎｍの遠紫外線に対して
も耐久性の高いシリカガラスを開発すべく鋭意研究をを
続けた結果、酸素欠損型欠陥濃度及び酸素過剰型欠陥濃
度を特定の範囲以下ととするとともに、シリカガラスの
仮想温度を低くすることで前記波長の遠紫外線に対して
もダメージの少ないシリカガラスが得られることを見出
した。また前記シリカガラスを製造するための新規な製
造方法を見出し本発明を完成したものである。
【０００５】本発明は、波長１６５〜１９５ｎｍの遠紫
外線の照射に対して高い耐久性を示すシリカガラスを提
供することを目的とする。
外線の照射に対して高い耐久性を示すシリカガラスを提
供することを目的とする。
【０００６】また、本発明は、波長１６５〜１９５ｎｍ
の遠紫外線の照射に対して透過率が高く、絶対屈折率及
び複屈折量変化の少ない安定したシリカガラスを提供す
ることを目的とする。
の遠紫外線の照射に対して透過率が高く、絶対屈折率及
び複屈折量変化の少ない安定したシリカガラスを提供す
ることを目的とする。
【０００７】さらに、本発明は、上記シリカガラスの製
造方法を提供することを目的とする。
造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、設定仮想温度が５００〜１０００℃、酸素欠損型
欠陥濃度が５×１０16個／ｃｍ3以下、酸素過剰型欠陥
濃度が５×１０16個／ｃｍ3以下であることを特徴とす
る遠紫外線用高純度シリカガラス及びその製造方法に係
る。
明は、設定仮想温度が５００〜１０００℃、酸素欠損型
欠陥濃度が５×１０16個／ｃｍ3以下、酸素過剰型欠陥
濃度が５×１０16個／ｃｍ3以下であることを特徴とす
る遠紫外線用高純度シリカガラス及びその製造方法に係
る。
【０００９】本発明のシリカガラスは、波長１６５〜１
９５ｎｍの遠紫外線、特にエキシマレーザー、エキシマ
ランプ光に対して透過率が高く、絶対屈折率変化が少な
く、複屈折量変化の少ない安定したシリカガラス、また
ＹＡＧ高調波レーザ、Ａｒガス高調波レーザ用として有
用なシリカガラスである。前記シリカガラスは超高純度
の珪素化合物を原料とし、アルミニウム、チタン、バナ
ジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、
銅又はガリウム等の遷移金属元素濃度をそれぞれ１ｗｔ
ｐｐｂ以下としたシリカガラスである。
９５ｎｍの遠紫外線、特にエキシマレーザー、エキシマ
ランプ光に対して透過率が高く、絶対屈折率変化が少な
く、複屈折量変化の少ない安定したシリカガラス、また
ＹＡＧ高調波レーザ、Ａｒガス高調波レーザ用として有
用なシリカガラスである。前記シリカガラスは超高純度
の珪素化合物を原料とし、アルミニウム、チタン、バナ
ジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、
銅又はガリウム等の遷移金属元素濃度をそれぞれ１ｗｔ
ｐｐｂ以下としたシリカガラスである。
【００１０】本発明のシリカガラスは、上記高純度に加
えて、設定仮想温度が５００〜１０００℃、酸素欠損型
欠陥濃度が５×１０16個／ｃｍ3以下、酸素過剰型欠陥
濃度が５×１０16個／ｃｍ3以下のシリカガラスであ
る。通常のシリカガラスの仮想温度は１０００℃を超え
るが、それを酸素欠損型欠陥濃度及び酸素過剰型欠陥濃
度を前記範囲にするとともに仮想温度を１０００℃以下
に設定することで遠紫外線、特に波長１６５〜１９５ｎ
ｍの紫外線であってもダメージが少なく、使用寿命が長
くなる。シリカガラスの設定仮想温度が低くなればなる
程遠紫外線に対するダメージは少なくてすむが、その一
方でシリカガラスの仮想温度を低く設定するには長時間
の加熱処理が必要である。例えば、仮想温度を５００℃
とするにはシリカガラスを５００℃で約２０００時間以
上加熱処理する必要がある。そのため製造コストからみ
て設定仮想温度を５００℃とするのが限度である。ま
た、シリカガラス中に酸素欠損型欠陥が多く存在する
と、７．６ｅＶ（１６３ｎｍ）付近に吸収が強く現れ、
遠紫外線の透過率が低下する。そのため、酸素欠損型欠
陥濃度を５×１０16個／ｃｍ3以下とするのが好まし
い。さらに酸素過剰型欠陥についてもその濃度が５×１
０16個／ｃｍ3を超えると、紫外吸収端付近の光透過率
が著しく低下するので好ましくない。さらにシリカガラ
スの複屈折量を１０ｎｍ／ｃｍ以下、塩素含有量を１０
０ｗｔｐｐｍ以下とすると、歪みの少ないシリカガラス
が得られ、かつ塩素による紫外域吸収端の長波長側への
移行が少なくなり、耐久性が一段と向上する。特にＹＡ
Ｇ高調波レーザ、Ａｒガス高調波レーザ用部材を作成す
る場合には複屈折量を１０ｎｍ／ｃｍ以下、塩素含有量
を１００ｗｔｐｐｍ以下に規制するのが肝要である。
えて、設定仮想温度が５００〜１０００℃、酸素欠損型
欠陥濃度が５×１０16個／ｃｍ3以下、酸素過剰型欠陥
濃度が５×１０16個／ｃｍ3以下のシリカガラスであ
る。通常のシリカガラスの仮想温度は１０００℃を超え
るが、それを酸素欠損型欠陥濃度及び酸素過剰型欠陥濃
度を前記範囲にするとともに仮想温度を１０００℃以下
に設定することで遠紫外線、特に波長１６５〜１９５ｎ
ｍの紫外線であってもダメージが少なく、使用寿命が長
くなる。シリカガラスの設定仮想温度が低くなればなる
程遠紫外線に対するダメージは少なくてすむが、その一
方でシリカガラスの仮想温度を低く設定するには長時間
の加熱処理が必要である。例えば、仮想温度を５００℃
とするにはシリカガラスを５００℃で約２０００時間以
上加熱処理する必要がある。そのため製造コストからみ
て設定仮想温度を５００℃とするのが限度である。ま
た、シリカガラス中に酸素欠損型欠陥が多く存在する
と、７．６ｅＶ（１６３ｎｍ）付近に吸収が強く現れ、
遠紫外線の透過率が低下する。そのため、酸素欠損型欠
陥濃度を５×１０16個／ｃｍ3以下とするのが好まし
い。さらに酸素過剰型欠陥についてもその濃度が５×１
０16個／ｃｍ3を超えると、紫外吸収端付近の光透過率
が著しく低下するので好ましくない。さらにシリカガラ
スの複屈折量を１０ｎｍ／ｃｍ以下、塩素含有量を１０
０ｗｔｐｐｍ以下とすると、歪みの少ないシリカガラス
が得られ、かつ塩素による紫外域吸収端の長波長側への
移行が少なくなり、耐久性が一段と向上する。特にＹＡ
Ｇ高調波レーザ、Ａｒガス高調波レーザ用部材を作成す
る場合には複屈折量を１０ｎｍ／ｃｍ以下、塩素含有量
を１００ｗｔｐｐｍ以下に規制するのが肝要である。
【００１１】上記本発明のシリカガラスは、以下の製造
方法で製造される。すなわち
方法で製造される。すなわち
【００１２】（ｉ）シリカガラスの製造 （イ）スート法 蒸留等の手段で高純度化したＳｉＣｌ4、ＨＳｉＣｌ3、
（ＣＨ3）2ＳｉＣｌ2、ＣＨ3ＳｉＣｌ3、ＣＨ3Ｓｉ（Ｏ
ＣＨ3）3、Ｓｉ（ＯＣＨ3）4等の珪素化合物を火炎加水
分解法でスートに形成しそれを堆積させて白色不透明ス
ート体を製造する。前記火炎加水分解法としては、酸水
素炎加水分解法、プロパン炎加水分解等が使用される。
得られたスート体を電気炉内で、１００Ｐａ以下、好ま
しくは１０Ｐａ以下の真空下、１３００〜１７００℃、
好ましくは１４００〜１６００℃の温度で、帯域加熱法
でゆっくり下方から上方に向けて加熱することで気泡の
ない透明なガラスインゴットが製造できる。 （ロ）直接法又はプラズマ法 また、上記で使用した珪素化合物を主原料として用いて
ダイレクト法又はプラズマ法で透明シリカガラスを直接
製造することもできる。
（ＣＨ3）2ＳｉＣｌ2、ＣＨ3ＳｉＣｌ3、ＣＨ3Ｓｉ（Ｏ
ＣＨ3）3、Ｓｉ（ＯＣＨ3）4等の珪素化合物を火炎加水
分解法でスートに形成しそれを堆積させて白色不透明ス
ート体を製造する。前記火炎加水分解法としては、酸水
素炎加水分解法、プロパン炎加水分解等が使用される。
得られたスート体を電気炉内で、１００Ｐａ以下、好ま
しくは１０Ｐａ以下の真空下、１３００〜１７００℃、
好ましくは１４００〜１６００℃の温度で、帯域加熱法
でゆっくり下方から上方に向けて加熱することで気泡の
ない透明なガラスインゴットが製造できる。 （ロ）直接法又はプラズマ法 また、上記で使用した珪素化合物を主原料として用いて
ダイレクト法又はプラズマ法で透明シリカガラスを直接
製造することもできる。
【００１４】（ｉｉ）シリカガラスの加工 上記製造方法で得られたシリカガラスインゴットを加熱
処理してシリカガラスインゴット中の内部歪みを除去し
たのち、切断、研削、研磨して所定の寸法のシリカガラ
ス部材に加工する。例えばランプチューブ用部材であれ
ば、外径２００ｍｍ、内径１００ｍｍ、長さ１０００ｍ
ｍの大型シリンダーから外径５〜５０ｍｍのチューブを
加熱溶融引き法により作成したのち、任意の長さに切断
することで製造できる。また、レンズ用部材であれば、
直径１００ｍｍ、長さ２０００ｍｍの大型インゴットか
ら、直径１０〜１００ｍｍ、厚さ１０〜１００ｍｍの円
柱状物に研削することで作成できる。前記内部歪み除去
温度としては約１１００℃の温度を採用するのがよい。
処理してシリカガラスインゴット中の内部歪みを除去し
たのち、切断、研削、研磨して所定の寸法のシリカガラ
ス部材に加工する。例えばランプチューブ用部材であれ
ば、外径２００ｍｍ、内径１００ｍｍ、長さ１０００ｍ
ｍの大型シリンダーから外径５〜５０ｍｍのチューブを
加熱溶融引き法により作成したのち、任意の長さに切断
することで製造できる。また、レンズ用部材であれば、
直径１００ｍｍ、長さ２０００ｍｍの大型インゴットか
ら、直径１０〜１００ｍｍ、厚さ１０〜１００ｍｍの円
柱状物に研削することで作成できる。前記内部歪み除去
温度としては約１１００℃の温度を採用するのがよい。
【００１５】（ｉｉｉ）仮想温度設定処理 上記シリカガラス部材を次いで５００〜１０００℃で１
００〜２０００時間加熱処理して、シリカガラスの仮想
温度を５００〜１０００℃に設定する。仮想温度設定処
理時の雰囲気としては、酸素含有ガス雰囲気又は水素含
有ガス雰囲気が採用できるが、好ましくはシリカガラス
に酸素欠損型欠陥がある場合には、酸素含有ガス雰囲気
を、また酸素過剰型欠陥がある場合には水素含有ガス雰
囲気を採るのがよい。
００〜２０００時間加熱処理して、シリカガラスの仮想
温度を５００〜１０００℃に設定する。仮想温度設定処
理時の雰囲気としては、酸素含有ガス雰囲気又は水素含
有ガス雰囲気が採用できるが、好ましくはシリカガラス
に酸素欠損型欠陥がある場合には、酸素含有ガス雰囲気
を、また酸素過剰型欠陥がある場合には水素含有ガス雰
囲気を採るのがよい。
【００１６】
【発明の実施の態様】次に具体例に基づいて本発明を詳
細に説明するが、本発明はそれにより限定されるもので
はない。
細に説明するが、本発明はそれにより限定されるもので
はない。
【００１７】
実施例１〜５ （１）スート体の作成 純度９９．９９９９ｗｔ％の四塩化珪素（ＳｉＣｌ4）
ガスを２リットル／分と固定し、酸素及び水素ガスを各
々２〜２０リットル／分、６〜６０リットル／分の範囲
の割合でバーナーに供給し、スート法でＯＨ基含有のス
ート体を堆積させた。使用キャリアガスとしてアルゴン
が好ましい。
ガスを２リットル／分と固定し、酸素及び水素ガスを各
々２〜２０リットル／分、６〜６０リットル／分の範囲
の割合でバーナーに供給し、スート法でＯＨ基含有のス
ート体を堆積させた。使用キャリアガスとしてアルゴン
が好ましい。
【００１８】（２）シリカガラスインゴットの製造 上記白色不透明スート体を円筒型高純度グラファイトヒ
ーターを内装したステンレススチール製電気炉内に設置
し、電気炉内を約８Ｐａの真空度にするとともに約１５
５０℃の温度の帯域をゆっくり下方から上方へ移動しな
がら加熱溶融し透明シリカガラスインゴットを製造し
た。製造されたシリカガラスインゴット中のアルミニウ
ム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバ
ルト、ニッケル、銅又はガリウム等の遷移金属元素の濃
度はそれぞれ１ｗｔｐｐｂ以下であり、目視で気泡の存
在が確認できなかった。また、ＯＨ基の含有濃度は、実
施例１〜４は３００ｗｔｐｐｍ、実施例５では５０ｗｔ
ｐｐｍ、塩素濃度は全て２０ｗｔｐｐｍであった。
ーターを内装したステンレススチール製電気炉内に設置
し、電気炉内を約８Ｐａの真空度にするとともに約１５
５０℃の温度の帯域をゆっくり下方から上方へ移動しな
がら加熱溶融し透明シリカガラスインゴットを製造し
た。製造されたシリカガラスインゴット中のアルミニウ
ム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバ
ルト、ニッケル、銅又はガリウム等の遷移金属元素の濃
度はそれぞれ１ｗｔｐｐｂ以下であり、目視で気泡の存
在が確認できなかった。また、ＯＨ基の含有濃度は、実
施例１〜４は３００ｗｔｐｐｍ、実施例５では５０ｗｔ
ｐｐｍ、塩素濃度は全て２０ｗｔｐｐｍであった。
【００１９】実施例６〜９ 実施例１〜５で使用した高純度四塩化珪素（ＳｉＣ
ｌ4）を用いて、実施例６、７ではダイレクト法で、実
施例８、９ではプラズマ法で高純度シリカガラスを製造
した。
ｌ4）を用いて、実施例６、７ではダイレクト法で、実
施例８、９ではプラズマ法で高純度シリカガラスを製造
した。
【００２０】上記実施例１〜９のシリカガラスについて
不純物含有量を測定したところ、表１に示すとおりであ
った。
不純物含有量を測定したところ、表１に示すとおりであ
った。
【００２１】
【表１】 注）Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅはフレームレス原子吸光光度法に
よる測定法、その他の元素はプラズマ質量分析法（ＩＣ
Ｐ−ＭＳ法）による測定法による。
よる測定法、その他の元素はプラズマ質量分析法（ＩＣ
Ｐ−ＭＳ法）による測定法による。
【００２２】（３）シリカガラスインゴットの加工 上記シリカガラスからサンプルを切断し、研削したの
ち、その両面を鏡面研磨仕上げして、ＯＨ基含有濃度分
析用サンプル、酸素欠損型欠陥濃度及び酸素過剰型欠陥
濃度測定用サンプル、仮想温度測定用サンプル、塩素濃
度分析用サンプル、複屈折量測定用サンプル、Ｘｅ2エ
キシマランプ照射用サンプル、及びＡｒＦエキシマレー
ザ照射用サンプルを形成し、それぞれのサンプルについ
てそれぞれの測定を行った。その結果を、表２に示す。
ち、その両面を鏡面研磨仕上げして、ＯＨ基含有濃度分
析用サンプル、酸素欠損型欠陥濃度及び酸素過剰型欠陥
濃度測定用サンプル、仮想温度測定用サンプル、塩素濃
度分析用サンプル、複屈折量測定用サンプル、Ｘｅ2エ
キシマランプ照射用サンプル、及びＡｒＦエキシマレー
ザ照射用サンプルを形成し、それぞれのサンプルについ
てそれぞれの測定を行った。その結果を、表２に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】比較例１〜５ ＣＶＤスート法（比較例１〜４）、プラズマ法（比較例
５）でシリカガラスを形成し、そのまま仮想温度設定処
理することなく実施例１と同様に酸素欠損型欠陥濃度、
酸素過剰型欠陥濃度、仮想温度、ＯＨ基濃度、塩素濃
度、複屈折量、Ｘｅ2エキシマランプ照射後の１６５ｎ
ｍの透過率、及びＡｒＦエキシマレーザ照射後の１６５
ｎｍ光の透過率を測定した。その結果を表３に示す。
５）でシリカガラスを形成し、そのまま仮想温度設定処
理することなく実施例１と同様に酸素欠損型欠陥濃度、
酸素過剰型欠陥濃度、仮想温度、ＯＨ基濃度、塩素濃
度、複屈折量、Ｘｅ2エキシマランプ照射後の１６５ｎ
ｍの透過率、及びＡｒＦエキシマレーザ照射後の１６５
ｎｍ光の透過率を測定した。その結果を表３に示す。
【００２５】
【表３】
【００２６】上記表２、３から明らかなように本発明の
シリカガラスは遠紫外線照射後でも波長１６５ｎｍのに
おいて優れた透過率を示し、実施例４、５のシリカガラ
スでは８０％を超える透過率を示す。これに対して仮想
温度が１０００℃を超えるシリカガラスは低い透過率を
示す。また、仮想温度が１０００℃以下であっても、シ
リカガラス中の遷移金属元素の含有量が１ｗｔｐｐｍを
超えるシリカガラスは遠紫外線照射後の１６５ｎｍ透過
率が低い。
シリカガラスは遠紫外線照射後でも波長１６５ｎｍのに
おいて優れた透過率を示し、実施例４、５のシリカガラ
スでは８０％を超える透過率を示す。これに対して仮想
温度が１０００℃を超えるシリカガラスは低い透過率を
示す。また、仮想温度が１０００℃以下であっても、シ
リカガラス中の遷移金属元素の含有量が１ｗｔｐｐｍを
超えるシリカガラスは遠紫外線照射後の１６５ｎｍ透過
率が低い。
【００２７】上記実施例及び比較例の各物性値の測定法
は下記の方法による。 （ｉ）ＯＨ基含有量の測定法 Ｄ．Ｍ． ＤＯＤＤ ａｎｄ Ｄ．Ｂ． ＦＲＡＳＥ
Ｒ，Ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ ｏ
ｆ ＯＨ ｉｎ ｆｕｓｅｄ ｓｉｌｉｃａ，Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏ
ｌ．３７（１９６６）ｐ．３９１１文献記載の測定法。
は下記の方法による。 （ｉ）ＯＨ基含有量の測定法 Ｄ．Ｍ． ＤＯＤＤ ａｎｄ Ｄ．Ｂ． ＦＲＡＳＥ
Ｒ，Ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ ｏ
ｆ ＯＨ ｉｎ ｆｕｓｅｄ ｓｉｌｉｃａ，Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏ
ｌ．３７（１９６６）ｐ．３９１１文献記載の測定法。
【００２８】（ｉｉ）酸素欠損型欠陥の測定法 Ｈ．ＨＯＳＯＮＯ，ｅｔ ａｌ．， Ｅｘｐｅｒｉｍｅ
ｎｔａｌ ｅｖｉｄｅｎｃｅ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｓｉ−
Ｓｉ ｂｏｎｄ ｍｏｄｅｌ ｏｆ ｔｈｅ７．６ｅＶ
ｂａｎｄ ｉｎ ＳｉＯ2 ｇｌａｓｓ， Ｐｈｙｓ
ｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ，Ｖｏｌ．４４， Ｎｏ．
２１ｐｐ．１２０４３〜４５（１９９１）文献記載の測
定法。
ｎｔａｌ ｅｖｉｄｅｎｃｅ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｓｉ−
Ｓｉ ｂｏｎｄ ｍｏｄｅｌ ｏｆ ｔｈｅ７．６ｅＶ
ｂａｎｄ ｉｎ ＳｉＯ2 ｇｌａｓｓ， Ｐｈｙｓ
ｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ，Ｖｏｌ．４４， Ｎｏ．
２１ｐｐ．１２０４３〜４５（１９９１）文献記載の測
定法。
【００２９】（ｉｉｉ）酸素過剰型欠陥の測定法 Ｊ．Ｅ．ＳＨＥＬＢＹ， Ｒｅａｃｔｉｏｎ ｏｆ ｈ
ｙｄｒｏｇｅｎ ｗｉｔｈ ｈｙｄｒｏｘｙｌ−ｆｒｅ
ｅ ｖｉｔｒｅｏｕｓ ｓｉｌｉｃａ， Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ， Ｖｏ
ｌ．５１， Ｎｏ．５， ｐｐ．２５８９〜９３（１９
８０）及びＤ．Ｍ．ＤＯＤＤ ａｎｄ Ｄ．Ｂ．ＦＲＡ
ＳＥＲ， Ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏ
ｎ ｏｆＯＨ ｏｍ ｆｕｓｅｄ ｓｉｌｉｃａ， Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ， Ｖｏｌ．３７，ｐ．３９１１（１９６６）文献記
載の測定法。
ｙｄｒｏｇｅｎ ｗｉｔｈ ｈｙｄｒｏｘｙｌ−ｆｒｅ
ｅ ｖｉｔｒｅｏｕｓ ｓｉｌｉｃａ， Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ， Ｖｏ
ｌ．５１， Ｎｏ．５， ｐｐ．２５８９〜９３（１９
８０）及びＤ．Ｍ．ＤＯＤＤ ａｎｄ Ｄ．Ｂ．ＦＲＡ
ＳＥＲ， Ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏ
ｎ ｏｆＯＨ ｏｍ ｆｕｓｅｄ ｓｉｌｉｃａ， Ｊ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ， Ｖｏｌ．３７，ｐ．３９１１（１９６６）文献記
載の測定法。
【００３０】（ｉｖ）仮想温度の測定法 Ａ．Ｅ．ＧＥＩＳＳＢＥＲＧＥＲ ａｎｄ Ｆ．Ｌ．Ｇ
ＡＬＥＥＮＥＲ，Ｒａｍａｎ ｓｔｕｄｉｅｓ ｏｆ
ｖｉｔｒｅｏｕｓ ＳｉＯ2ｖｅｒｓｕｓ ｆｉｃｔｉ
ｎｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ， ＰｈｙｓｉｃａｌＲ
ｅｖｉｅｗ Ｂ， Ｖｏｌ．２８， Ｎｏ． ６， ｐ
ｐ．３２６６〜７１文献記載の測定法。
ＡＬＥＥＮＥＲ，Ｒａｍａｎ ｓｔｕｄｉｅｓ ｏｆ
ｖｉｔｒｅｏｕｓ ＳｉＯ2ｖｅｒｓｕｓ ｆｉｃｔｉ
ｎｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ， ＰｈｙｓｉｃａｌＲ
ｅｖｉｅｗ Ｂ， Ｖｏｌ．２８， Ｎｏ． ６， ｐ
ｐ．３２６６〜７１文献記載の測定法。
【００３１】（ｖ）塩素濃度測定法 比濁法による測定。
【００３２】（ｖｉ）複屈折量の測定法。 偏光板歪計を使用したレターデーション測定法。
【００３３】（ｖｉｉ）１６５ｎｍ透過率の測定法 真空紫外透過率計による測定法。
【００３４】（ｖｉｉｉ）Ｘｅ2エキシマランプ照射後
の波長１６５ｎｍ透過率の測定法。 サイズ３０×２０×厚さ１０ｍｍ、両面鏡面研磨仕上し
たサンプルに波長１７２ｎｍ、半値幅１４ｎｍ、ランプ
エネルギー密度１０ｍＷ／ｃｍ2のＸｅ2 エキシマラン
プを使用してシリカガラスに３００時間照射した時の透
過率を測定する方法。
の波長１６５ｎｍ透過率の測定法。 サイズ３０×２０×厚さ１０ｍｍ、両面鏡面研磨仕上し
たサンプルに波長１７２ｎｍ、半値幅１４ｎｍ、ランプ
エネルギー密度１０ｍＷ／ｃｍ2のＸｅ2 エキシマラン
プを使用してシリカガラスに３００時間照射した時の透
過率を測定する方法。
【００３５】（ｖ）ＡｒＦエキシマレ−ザ照射後の１６
５ｎｍ透過率の測定法。 サイズ３０×２０×厚さ１０ｍｍ、両面鏡面研磨仕上し
たサンプルに波長１９３ｎｍ、半値幅３ｎｍ、パルス寿
命１７ｎｓｅｃ、エネルギー密度５０ｍＪ／ｃｍ2．ｓ
ｈｏｔ、照射ショット数１×１０6ｓｈｏｔｓ（ただし
１００Ｈｚ）のＡｒＦエキシマレ−ザを照射した時の透
過率を測定する方法。
５ｎｍ透過率の測定法。 サイズ３０×２０×厚さ１０ｍｍ、両面鏡面研磨仕上し
たサンプルに波長１９３ｎｍ、半値幅３ｎｍ、パルス寿
命１７ｎｓｅｃ、エネルギー密度５０ｍＪ／ｃｍ2．ｓ
ｈｏｔ、照射ショット数１×１０6ｓｈｏｔｓ（ただし
１００Ｈｚ）のＡｒＦエキシマレ−ザを照射した時の透
過率を測定する方法。
【００３６】
【発明の効果】本発明のシリカガラスは、波長１６５〜
１９５ｎｍの遠紫外線照射に対して優れた透過率を保持
し、遠紫外線用光学材料として有用である。しかも前記
シリカガラスは高純度の珪素化合物を原料として従来か
ら知られている製造方法で製造したシリカガラスを仮想
温度設定処理することで容易に製造でき、その工業的価
値は高いものがある。
１９５ｎｍの遠紫外線照射に対して優れた透過率を保持
し、遠紫外線用光学材料として有用である。しかも前記
シリカガラスは高純度の珪素化合物を原料として従来か
ら知られている製造方法で製造したシリカガラスを仮想
温度設定処理することで容易に製造でき、その工業的価
値は高いものがある。
Claims (7)
- 【請求項１】設定仮想温度が５００〜１０００℃、酸素
欠損型欠陥濃度が５×１０16個／ｃｍ3以下、酸素過剰
型欠陥濃度が５×１０16個／ｃｍ3以下であることを特
徴とする遠紫外線用高純度シリカガラス。 - 【請求項２】遷移金属元素のアルミニウム、チタン、バ
ナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケ
ル、銅及びガリウムの各濃度が１ｗｔｐｐｂ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の遠紫外線用高純度シリ
カガラス。 - 【請求項３】複屈折量が１０ｎｍ／ｃｍ以下であること
を特徴とする請求項１記載の遠紫外線用高純度シリカガ
ラス。 - 【請求項４】塩素含有量が１００ｗｔｐｐｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の遠紫外線用高純度合成
シリカガラス。 - 【請求項５】高純度の珪素化合物から火炎加水分解法に
より不透明白色スート体を作成し、該スート体を真空度
１００Ｐａ以下で、１３００〜１７００℃の温度で帯域
加熱溶融して透明ガラス化したのち、５００〜１０００
℃で１００〜２０００時間加熱する仮想温度設定処理を
することを特徴とする遠紫外線用高純度シリカガラスの
製造方法。 - 【請求項６】高純度の珪素化合物からダイレクト法又は
プラズマ法で透明シリカガラス塊を作成したの、５００
〜１０００℃で１００〜２０００時間加熱する仮想温度
設定処理をすることを特徴とする遠紫外線用高純度シリ
カガラスの製造方法。 - 【請求項７】仮想温度設定処理を酸素含有ガス又は水素
含有ガスの雰囲気中で行うことを特徴とする請求項５又
は６記載の遠紫外線用高純度シリカガラスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07814196A JP3228676B2 (ja) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | 遠紫外線用高純度シリカガラス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07814196A JP3228676B2 (ja) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | 遠紫外線用高純度シリカガラス及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09241030A true JPH09241030A (ja) | 1997-09-16 |
| JP3228676B2 JP3228676B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=13653610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07814196A Expired - Lifetime JP3228676B2 (ja) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | 遠紫外線用高純度シリカガラス及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000044254A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 合成石英ガラス部材及びその製造方法、並びにエキシマレーザ用光学部品 |
| JP2002053335A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光ファイバ用ガラス母材及びその製造方法、シングルモード光ファイバ |
| JP2002160936A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-06-04 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 光透過用合成石英ガラス |
| WO2003080526A1 (fr) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Japan Science And Technology Agency | Verre au quartz de synthese |
| WO2004114364A1 (ja) * | 2003-06-24 | 2004-12-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光照射装置 |
| WO2004114363A1 (ja) * | 2003-06-24 | 2004-12-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光照射装置、光照射装置用ランプおよび光照射方法 |
| JP2005179088A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Asahi Glass Co Ltd | 光学部材用合成石英ガラスおよびその製造方法 |
| JP2008239479A (ja) * | 1998-08-24 | 2008-10-09 | Asahi Glass Co Ltd | 合成石英ガラス光学部材とその製造方法 |
| WO2009022456A1 (ja) * | 2007-08-15 | 2009-02-19 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | 光触媒用シリカガラス及び光触媒用シリカガラスの製造方法 |
| WO2009025077A1 (ja) * | 2007-08-23 | 2009-02-26 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | 耐化学性シリカガラス及び耐化学性シリカガラスの製造方法 |
| JP2009154090A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 光触媒用シリカガラス及びその製造方法 |
| JP2010155778A (ja) * | 2008-12-31 | 2010-07-15 | Corning Inc | 低い絶対屈折率を有する高純度溶融シリカ |
| WO2019004008A1 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-03 | ネクサス株式会社 | 石英バイアル瓶の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6469158B1 (en) | 1992-05-14 | 2002-10-22 | Ribozyme Pharmaceuticals, Incorporated | Synthesis, deprotection, analysis and purification of RNA and ribozymes |
| US5977343A (en) | 1992-05-14 | 1999-11-02 | Ribozyme Pharmaceuticals, Inc. | Synthesis, deprotection, analysis and purification of RNA and ribozymes |
| TWI681940B (zh) | 2016-06-03 | 2020-01-11 | 日商闊斯泰股份有限公司 | 二氧化矽玻璃構件及其製造方法 |
-
1996
- 1996-03-07 JP JP07814196A patent/JP3228676B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000044254A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 合成石英ガラス部材及びその製造方法、並びにエキシマレーザ用光学部品 |
| JP2008239479A (ja) * | 1998-08-24 | 2008-10-09 | Asahi Glass Co Ltd | 合成石英ガラス光学部材とその製造方法 |
| JP2002053335A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光ファイバ用ガラス母材及びその製造方法、シングルモード光ファイバ |
| JP4495838B2 (ja) * | 2000-08-07 | 2010-07-07 | 信越化学工業株式会社 | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 |
| JP2002160936A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-06-04 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 光透過用合成石英ガラス |
| WO2003080526A1 (fr) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Japan Science And Technology Agency | Verre au quartz de synthese |
| JP2003286040A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-07 | Japan Science & Technology Corp | 合成石英ガラス |
| WO2004114364A1 (ja) * | 2003-06-24 | 2004-12-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光照射装置 |
| WO2004114363A1 (ja) * | 2003-06-24 | 2004-12-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光照射装置、光照射装置用ランプおよび光照射方法 |
| US7514382B2 (en) | 2003-12-17 | 2009-04-07 | Asahi Glass Company, Limited | Synthetic quartz glass for optical member and its production method |
| JP2005179088A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Asahi Glass Co Ltd | 光学部材用合成石英ガラスおよびその製造方法 |
| WO2005059972A3 (en) * | 2003-12-17 | 2005-08-04 | Asahi Glass Co Ltd | Synthetic quartz glass for optical member and its production method |
| WO2009022456A1 (ja) * | 2007-08-15 | 2009-02-19 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | 光触媒用シリカガラス及び光触媒用シリカガラスの製造方法 |
| JP2009046328A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-05 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 光触媒用シリカガラス及び光触媒用シリカガラスの製造方法 |
| JP2009051677A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 耐化学性シリカガラス及び耐化学性シリカガラスの製造方法 |
| WO2009025077A1 (ja) * | 2007-08-23 | 2009-02-26 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | 耐化学性シリカガラス及び耐化学性シリカガラスの製造方法 |
| JP2009154090A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 光触媒用シリカガラス及びその製造方法 |
| JP2010155778A (ja) * | 2008-12-31 | 2010-07-15 | Corning Inc | 低い絶対屈折率を有する高純度溶融シリカ |
| WO2019004008A1 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-03 | ネクサス株式会社 | 石英バイアル瓶の製造方法 |
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| US11745914B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-09-05 | Nexus Company Inc. | Fabricating method for quartz vial |
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