JPH09230142A

JPH09230142A - 偏光素子又は偏光板

Info

Publication number: JPH09230142A
Application number: JP14655096A
Authority: JP
Inventors: Shoji Oiso; 昭二大磯; Yoshiaki Matsushita; 義昭松下; Norio Ishizuki; 紀男石月; Hiroyuki Emori; 洋之江森; Kunihiro Ichimura; 國宏市村
Original assignee: Nippon Kayaku Co Ltd
Current assignee: Nippon Kayaku Co Ltd
Priority date: 1995-05-17
Filing date: 1996-05-17
Publication date: 1997-09-05
Anticipated expiration: 2016-05-17
Also published as: JP3963979B2

Abstract

(57)【要約】【目的】グレー系の色調を得るのに適し、製造の容易な
二色性分子を使用した偏光素子又は偏光板の開発。【解決手段】二色性分子として、例えば下記式【化１】で表される化合物又はその銅化物を使用した偏光素子又
は偏光板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規な偏光素子又
は偏光板および新規な二色性色素に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置やサングラス、ゴーグルな
どに使用されている偏光素子は、ポリビニルアルコール
のような高分子物質に、沃素又は染料等の二色性分子を
溶解叉は吸着し、その膜を１方向に引き伸ばして二色性
分子を配列させる方法によって製造されている。又、１
軸方向に引き伸ばした高分子膜に二色性分子を吸着させ
る方法によっても製造される。しかし、これらの方法に
よって得られる偏光素子の偏光軸は１方向に固定されて
おり、又平板状のものしか製造できない。液晶表示を含
む多様な表示素子を製造するためには、延伸操作を必要
とせず、微細なパターン状に任意の方向の偏光性を示す
偏光素子や曲面状の偏光素子が求められている。

【０００３】従来この目的のために、ガラスあるいは高
分子膜表面を布や紙等で１方向に擦るラビング処理を施
した後に、二色性分子をその表面に吸着させる方法が提
案されている（ジェー．エフ．ドライヤー（Ｊ．Ｆ．Ｄ
ｒｅｙｅｒ）、ジャーナル・オブ・フィジックス・アン
ド・コロイドケミストリー（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｏｌｌｏ
ｉｄＣｈｅｍ．）、５２頁、８０８（１９４８）参
照）。又、直線偏光によって容易に分子軸変化を起こす
光活性分子層を設け、二色性分子をその表面に吸着させ
る光化学的方法も提案されている（特開平７−２６１０
２４号）。

【０００４】ところで、現在、市場で要望されている偏
光板はグレイ調の偏光板である。二色性分子として染料
を使用する場合、このグレイ調の偏光板用の染料として
は、通常青色系染料を主体とし、これに赤色系染料、黄
色系染料を添加した混合染料が使用されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ラビング法や
光化学的方法で使用される染料のうち、青色染料は製造
が煩雑であったり、色相的に好ましくない等の問題があ
り、又製造の容易なものや色相的に好ましいものは偏光
性能が劣るという問題がある。本発明は、このような問
題のない青色染料を有する偏光素子または偏光板の開発
を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成
した。すなわち、本発明は、（１）下記式（１）

【０００７】

【化４】

【０００８】（式中、Ｑ₁は、スルホン酸基を１個又は
２個有し、さらに水酸基又は低級アルコキシ基を有して
いてもよいナフチル基を、Ｑ₂、Ｑ₃はそれぞれ独立に
フェニレン基又はナフチレン基（これらの基は置換基と
して低級アルキル基、低級アルコキシ基、水酸基、スル
ホン酸基から選ばれた１種又は２種の置換基を１個又は
２個有する）を、Ｒ₁は水素原子、低級アルキル基、ア
セチル基、ベンゾイル基又は置換もしくは無置換のフェ
ニル基を、Ｒ₂は水素原子又は下記式（２）

【０００９】

【化５】

【００１０】の基を、Ｒ₃、Ｒ₄はそれぞれ独立に水素
原子、水酸基、スルホン酸基、低級アルキル基又は低級
アルコキシ基を、ｍは０又は１を、ｎは１又は２を表
す。但しｍが０の場合は、Ｒ₂は水素原子ではない。）
で表される化合物又はその銅化物を含む層を有する偏光
素子または偏光板、（２）（１）の式（１）で表される
化合物のうち少なくとも一種、及びシー．アイ．ダイレ
クト．イエロー１２、シー．アイ．ダイレクト．オレ
ンジ３９、シー．アイ．ダイレクト．オレンジ７２、
シー．アイ．ダイレクト．レッド３９、シー．アイ．
ダイレクト．レッド７９、シー．アイ．ダイレクト．
レッド８１、シー．アイ．ダイレクト．レッド８３、
シー．アイ．ダイレクト．レッド８９、シー．ア
イ．ダイレクト．バイオレット４８、シー．アイ．ダ
イレクト．ブルー６７、シー．アイ．ダイレクト．ブ
ルー９０、シー．アイ．ダイレクト．グリーン５
９、シー．アイ．アシッド．レッド３７から選ばれる
化合物（色素）のうち少なくとも一種を含有する混合物
を含む層を有する偏光素子又は偏光板、（３）（１）の
式（１）の化合物又はその銅化物を含む層又は（２）の
混合物を含む層が光活性分子を有する層に接している
（１）又は（２）の偏光素子又は偏光板、（４）（１）
の式（１）の化合物又はその銅化物を含む層又は（２）
の混合物を含む層がラビング処理された基材のラビング
処理面に接している（１）又は（２）の偏光素子又は偏
光板、（５）下記式（３）

【００１１】

【化６】

【００１２】（式（３）において、Ｑ₂₁は、スルホン酸
基を１個又は２個有し、さらに水酸基又は低級アルコキ
シ基を有していてもよいナフチル基を、Ｑ₂₂、Ｑ₂₃はそ
れぞれ独立にフェニレン基又はナフチレン基（これらの
基は置換基として低級アルキル基、低級アルコキシ基、
水酸基、スルホン酸基から選ばれた１種又は２種の置換
基を１個又は２個有する）を、Ｒ₂₁は水素原子、低級ア
ルキル基、アセチル基、ベンゾイル基又は置換もしくは
無置換のフェニル基を、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄はそれぞれ独立に水
素原子、水酸基、スルホン酸基、低級アルキル基又は低
級アルコキシ基を、ｑは０又は１を、ｒは１又は２を表
す。）で表される化合物又はその銅化物、に関する。

【発明の実施の形態】

【００１３】本発明においては、偏光素子又は偏光板用
の二色性分子（それ自身叉は集合体で一定方向に配列す
ることにより、偏光性を示す化合物）として式（１）で
表される化合物を使用する。式（１）において、ｍは０
又は１であるが、１が好ましい。Ｑ₁はナフチル基であ
る。アゾ基との結合位置はα位が好ましい。このナフチ
ル基は置換基としてスルホン酸基、水酸基、低級アルコ
キシ基から選ばれた１から３個の置換基を有しているこ
とが好ましく、スルホン酸基を１個又は２個有し、さら
に水酸基又は低級アルコキシ基を有していることがより
好ましい。低級アルコキシ基としては、例えばメトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基
等のＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基があげられる。Ｑ₁の好
ましい置換基としては、スルホン酸基、水酸基である。
スルホン酸基２個と水酸基１個が特に好ましい。又、こ
れらの置換基の置換位置としては、アゾ基との結合位置
を１位として、スルホン酸基は３位、６位が好ましく、
又水酸基は８位が好ましい。

【００１４】Ｑ₂、Ｑ₃はフェニレン基又はナフチレン
基である。フェニレン基は１、４ーフェニレン基が好ま
しく、ナフチレン基は１、４ーナフチレン基が好まし
い。このフェニレン基は低級アルキル基、低級アルコキ
シ基で、ナフチレン基は、スルホン酸基、低級アルコキ
シ基で置換されていることが好ましい。低級アルキル基
としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ
−ブチル基等のＣ１〜Ｃ４のアルキル基があげられる。
低級アルコキシ基としては、例えば前記のようなＣ１〜
Ｃ４のアルコキシ基が挙げられる。Ｑ₂、Ｑ₃が同時に
又はどちらか一方がフェニレン基の場合、より好ましい
置換基としてはメチル基、メトキシ基である。Ｑ₂、Ｑ
₃が同時に又はどちらか一方がナフチレン基の場合、よ
り好ましい置換基としてはスルホン酸基、メトキシ基で
ある。Ｑ₂、Ｑ₃が同時に１、４ーフェニレン基で、各
フェニレン基がメチル基、メトキシ基で置換されている
ものが特に好ましい。この場合、Ｑ₂ではＱ₃側のアゾ
基の結合位置を１位としてメチル基の結合位置は５位、
メトキシ基の結合位置は２位が特に好ましく、Ｑ₃では
ナフトール側のアゾ基の結合位置を１位としてメチル基
の結合位置は５位、メトキシ基の結合位置は２位が特に
好ましい。

【００１５】式（１）において、Ｒ₁は水素原子、低級
アルキル基、アセチル基、ベンゾイル基、置換もしくは
無置換のフェニル基であり、Ｒ₂は水素原子、式（２）
で表される基である。低級アルキル基としては、例えば
前記のようなＣ１〜Ｃ４のアルキル基が挙げられる。置
換フェニル基としては、例えばスルホン酸基、アミノ基
で置換されたフェニル基等があげられる。式（１）にお
いて、Ｒ₁は水素原子が好ましく、−Ｒ₂は式（２）で
表される基が好ましい。ｎは１又は２であるが、１が好
ましい。１ーナフトール類に結合している−ＮＨＲ₁、
−Ｒ₂、スルホン酸基の結合位置としては、−ＮＨＲ₁
は６位が好ましく、−Ｒ₂は５位が好ましく、スルホン
酸基は３位が好ましい。

【００１６】式（２）の基における−Ｒ₃、−Ｒ₄はそ
れぞれ独立に水素原子、水酸基、スルホン酸基、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基である。低級アルキル基、
低級アルコキシ基としては、例えば前記のようなＣ１〜
Ｃ４のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基が挙げら
れる。−Ｒ₃はスルホン酸基、低級アルコキシ基が好ま
しく、スルホン酸基が特に好ましい。−Ｒ₄は水素原子
が好ましい。−Ｒ₃の結合位置はアゾ基に対してメタ
位、又はパラ位が好ましく、メタ位が特に好ましい。

【００１７】式（３）で表される化合物は新規化合物で
ある。式（３）において、ｑは０又は１であるが、１が
好ましい。Ｑ₂₁はナフチル基である。アゾ基との結合位
置はα位が好ましい。このナフチル基は置換基としてス
ルホン酸基、水酸基、低級アルコキシ基から選ばれた１
から３個の置換基を有していることが好ましく、スルホ
ン酸基を１個又は２個有し、さらに水酸基又は低級アル
コキシ基を有していることがより好ましい。低級アルコ
キシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−
プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イ
ソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等のＣ１〜Ｃ４のアルコ
キシ基があげられる。Ｑ₁の好ましい置換基としては、
スルホン酸基、水酸基である。スルホン酸基２個と水酸
基１個が特に好ましい。又、これらの置換基の置換位置
としては、アゾ基との結合位置を１位として、スルホン
酸基は３位、６位が好ましく、又水酸基は８位が好まし
い。

【００１８】Ｑ₂₂、Ｑ₂₃はフェニレン基又はナフチレン
基である。フェニレン基は１、４ーフェニレン基が好ま
しく、ナフチレン基は１、４ーナフチレン基が好まし
い。このフェニレン基は低級アルキル基、低級アルコキ
シ基で、ナフチレン基はスルホン酸基、低級アルコキシ
基で置換されていることが好ましい。低級アルキル基と
しては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブ
チル基等のＣ１〜Ｃ４のアルキル基があげられる。低級
アルコキシ基としては、例えば前記のようなＣ１〜Ｃ４
のアルコキシ基が挙げられる。Ｑ₂₂、Ｑ₂₃が同時に又は
どちらか一方がフェニレン基の場合、より好ましい置換
基としてはメチル基、メトキシ基である。Ｑ₂₂、Ｑ₂₃が
同時に又はどちらか一方がナフチレン基の場合、より好
ましい置換基としてはスルホン酸基、メトキシ基であ
る。Ｑ₂₂、Ｑ₂₃が同時に１、４ーフェニレン基で、各フ
ェニレン基がメチル基、メトキシ基で置換されているも
のが特に好ましい。

【００１９】式（３）において、Ｒ₂₁は水素原子、低級
アルキル基、アセチル基、ベンゾイル基、置換もしくは
無置換のフェニル基である。低級アルキル基としては、
例えば前記のようなＣ１〜Ｃ４のアルキル基が挙げられ
る。置換フェニル基としては、例えば前記のような基が
あげられる。式（３）において、Ｒ₂₁は水素原子が好ま
しく、ｎは１又は２であるが１が好ましい。１ーナフト
ール類と結合している−ＮＨＲ₂₁、フェニルアゾ基、ス
ルホン酸基の結合位置としては、−ＮＨＲ₁は６位が好
ましく、フェニルアゾ基は５位が好ましく、スルホン酸
基は３位が好ましい。

【００２０】式（３）のフェニルアゾ基における−
Ｒ₂₃、−Ｒ₂₄はそれぞれ独立に水素原子、水酸基、スル
ホン酸基、低級アルキル基、低級アルコキシ基である。
低級アルキル基、低級アルコキシ基としては、例えば前
記のようなＣ１〜Ｃ４のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ４のアル
コキシ基が挙げられる。−Ｒ₂₃はスルホン酸基、低級ア
ルコキシ基が好ましく、スルホン酸基が特に好ましい。
−Ｒ₂₄は水素原子が好ましい。−Ｒ₂₃の結合位置はアゾ
基に対しメタ位、パラ位が好ましく、メタ位が特に好ま
しい。

【００２１】次に、式（１）で表される化合物のうち代
表的な化合物の例を下記する（式中、ＳはＳＯ₃Ｈまた
はその遊離酸のアルカリ金属塩、アンモニウム塩、アミ
ン類の塩を意味する。以下の文中においても同じであ
る。）。これらの代表的な化合物のうち、好ましいもの
としては、例えば式（１）において、Ｑ₁、Ｑ₂、
Ｑ₃、Ｒ₁、Ｒ₂、の好ましい組み合わせの化合物とし
ては、例えばＱ₁が８−ナフトール−３，６−ジスルホ
ン酸−１−イル基、Ｑ₂、Ｑ₃は両方とも２−低級アル
コキシ−５−低級アルキル基−１，４−フェニレン基、
ｍは１であり、−Ｒ₁は水素原子、無置換のフェニル
基、Ｒ₂は式（２）で表される基（但し、Ｒ₃、Ｒ
₄は、スルホン酸基、水素原子であり、ｎは１であ
る。）である化合物、具体的にはＮｏ．１、Ｎｏ．３、
Ｎｏ．４等の化合物があげられる。

【００２２】

【化７】

【００２３】

【化８】

【００２４】

【化９】

【００２５】

【化１０】

【００２６】

【化１１】

【００２７】

【化１２】

【００２８】この式（１）で表される化合物は、一般的
には次の方法によって製造できる。即ち、式（４）Ｑ₁−ＮＨ₂ （４）〔式（４）において、Ｑ₁は前記と同じ意味を表す。置
換基が水酸基の場合には次のジアゾ化、カップリング反
応において、目的とする化合物を得るために必要ならば
トシル化されていてもよい。〕で表される化合物を常法
により温度−１０〜４０℃でジアゾ化し、下記部分構造
式（５） −Ｑ₂−ＮＨ₂ （５）に対応するアミン類と温度−１０〜４０℃、ｐＨ２〜６
でカップリングし、式（６）Ｑ₁−Ｎ＝Ｎ−Ｑ₂−ＮＨ₂ （６）（式（６）において、Ｑ₁、Ｑ₂は前記と同じ意味を表
す。）で表される化合物を得る。

【００２９】更に式（６）の化合物を常法により温度−
１０〜４０℃でジアゾ化し、下記部分構造式（７） −Ｑ₃−ＮＨ₂ （７）に対応するアミン類と温度−１０〜４０℃、ｐＨ２〜６
でカップリングし、式（８）Ｑ₁−Ｎ＝Ｎ−Ｑ₂−Ｎ＝Ｎ−Ｑ₃−ＮＨ₂ （８）（式（８）において、Ｑ₁、Ｑ₂、Ｑ₃は前記と同じ意
味を表す。）で表される化合物を得る。

【００３０】更に式（８）の化合物を常法により温度−
１０〜４０℃でジアゾ化し、式（１４）

【００３１】

【化１３】

【００３２】（ここで、Ｒ₁、Ｒ₂、ｎは前記と同じ意
味を表す。）で表される化合物と温度−１０〜４０℃、
ｐＨ２〜６でカップリングし、式（１）においてｍが１
である化合物が得られる。この式（１）の化合物がトシ
ル化されている場合にはアルカリ浴中で加熱し、脱トシ
レートすることにより、式（１）で表される化合物が得
られる。また、式（１）の化合物のアゾ結合位置のオル
ト位に水酸基、低級アルコキシ基がある場合には、更に
硫酸銅等を用いて常法により銅化すると、式（１）の化
合物の銅錯体が得られる。目的とする化合物によって
は、式（５）の化合物を使用せずに式（４）の化合物の
ジアゾ化物を、式（７）の化合物と温度−１０〜４０
℃、ｐＨ２〜６でカップリングし、次にその化合物のジ
アゾ化物を、式（１４）の化合物と温度−１０〜４０
℃、ｐＨ７〜１０でカップリングすれば、式（１）にお
いてｍが０である化合物を得ることができる。式
（３）で表される化合物も上記と同様な製法により得る
ことができる。もちろん、これ以外の製造ル−トによっ
ても、式（１）で表される化合物を製造することができ
る。

【００３３】式（１）で表される化合物は、通常ナトリ
ウム塩として使用するが、それらは遊離酸として、ある
いは、カリウム塩、リチウム塩、セシウム塩、アンモニ
ウム塩、アルキルアミン類、エタノ−ルアミン類の塩と
しても使用することができる。これらの塩は化合物の遊
離酸にアルカリ金属の水酸化物、炭酸化物またはアンモ
ニア水、アミン類を加えることにより得ることができ
る。

【００３４】式（４）で表される化合物の例としては、
以下のような置換されたナフチルアミンが挙げられるが
この限りではない。

【００３５】

【化１４】

【００３６】式（５）及び式（７）に対応するアミン類
の例としては、以下のような置換されたアニリンや置換
されたナフチルアミンが挙げられるがこの限りではな
い。

【００３７】

【化１５】

【００３８】式（１４）で表される化合物の中でＲ₂が
式（２）で表される化合物は、対応するアニリン類を常
法により、−５〜２０℃でジアゾ化し、対応するナフト
ール類と温度−１０〜４０℃、ｐＨ１〜６でカップリン
グすることにより、得ることができる。この式（１４）
で表される化合物の例としては、以下のような置換され
たナフトール類が挙げられるがこの限りではない。

【００３９】

【化１６】

【００４０】

【化１７】

【００４１】

【化１８】

【００４２】式（１）で表される化合物は単独で使用さ
れる他、それら同士、あるいは他の色素と配合すること
により、各種の色相を有する偏光素子または偏光板を製
造することができる。偏光素子または偏光板として、偏
光軸を直交させた時に黒色を呈する化合物（色素）の配
合が単板透過率、偏光率とも優れており好ましい。配合
する色素としては、例えばシー．アイ．ダイレクト．イ
エロー１２、シー．アイ．ダイレクト．オレンジ３９、
シー．アイ．ダイレクト．オレンジ７２、シー．アイ．
ダイレクト．レッド３９、シー．アイ．ダイレクト．
レッド７９、シー．アイ．ダイレクト．レッド８
１、シー．アイ．ダイレクト．レッド８３、シー．ア
イ．ダイレクト．レッド８９、シー．アイ．ダイレ
クト．バイオレット４８、シー．アイ．ダイレクト．
ブルー６７、シー．アイ．ダイレクト．ブルー９
０、シー．アイ．ダイレクト．グリーン５９、シー．
アイ．アシッド．レッド３７等が挙げられ、さらに特
開平１−１６１２０２号、特開平１−１７２９０６号、
特開平１−１７２９０７号、特開平１−１８３６０２
号、特開平１−２４８１０５号、特開平１−２６５２０
５号、特開平７−２６１０２４号、の各公報記載の色素
等が挙げられる。これらの色素は前記したような遊離
酸、あるいはアルカリ金属塩、アンモニウム塩、アミン
類の塩として用いられる。

【００４３】本発明の偏光素子または偏光板を製造する
には、例えば次のようにすればよい。上記の式（１）で
表される化合物単独、または、他の色素との混合物を
水、メタノール、エタノールなどの親水性溶媒もしくは
その含水溶媒に溶解して二色性分子の溶液を得る。濃度
は、好ましくは０．１〜１５ｗ／ｗ％、より好ましくは
２．０〜１２ｗ／ｗ％程度である。又、この溶液に界面
活性剤を加えることもできる。界面活性剤としては、カ
チオン系、ノニオン系、アニオン系のいずれでも使用で
きるが、ノニオン界面活性剤が好ましい。次に、この二
色性分子の溶液を、直線偏光を照射した光活性分子層を
有する基板、またはラビング処理した基板上にグラビア
コーター等により、又は該基板表面に直接滴下してか
ら、回転塗布法により均一に塗布し、乾燥して上記色素
からなる均一の厚みを持つ二色性分子の層を設ける。あ
るいは、この二色性分子の溶液に、該基板を浸漬した
後、これを引き上げる。均一の二色性分子の濃度を得る
ために、引き上げる速度は一定に保つことが好ましい。
二色性分子層の厚さは、偏光特性の向上という観点か
ら、薄い方が好ましく、例えば１０μ以下、特に０．１
〜２μであることが好ましい。

【００４４】直線偏光を照射した基板上の光活性分子層
に本発明で使用する二色性分子の溶液を付着させた基板
およびラビング処理後に本発明で使用する二色性分子の
溶液を付着させた基材は乾燥され、固体状態の二色性分
子層が形成されることにより、本発明の偏光素子（板）
が得られる。溶媒の種類、二色性分子の種類、塗布した
二色性分子の溶液の量、二色性分子の濃度などによって
乾燥条件は異なるが、温度としては室温〜１００℃、好
ましくは室温〜６０℃、湿度は２０〜８０％ＲＨ、好ま
しくは３０〜７０％ＲＨ程度がよい。

【００４５】このようにして調製された異方性吸着二色
性分子層は、例えばアモルフォスや結晶等の固体状態に
あるが、その二色性分子層は通常機械的強度に劣るの
で、通常その表面に保護層が設けられる。この保護層
は、通常二色性分子層を紫外線硬化性や熱硬化性の透明
な高分子膜でコーティングしたり、あるいはポリエステ
ルフィルムやトリアセチルセルロースフィルム等の透明
な高分子膜でラミネートすること等の被覆法により設け
られる。

【００４６】本発明の偏光素子（板）を製造する際に、
直線偏光照射前の光活性分子層やラビング処理面にコロ
ナ放電処理や紫外線照射を行うことによってさらに偏光
特性を高めることが可能である。コロナ放電処理を行う
装置としては市販の各種コロナ放電処理機が適用可能で
ある。コロナ放電処理の条件は、基板の種類、コロナ放
電処理後に塗布する二色性分子層の組成や膜厚、光活性
分子層を処理する場合その組成や厚さ等の条件によって
異なるが、１回当たりの処理に際しては、エネルギー密
度として２０〜４００Ｗ・ｍｉｎ・ｍ^-2、好ましくは５
０〜３００Ｗ・ｍｉｎ・ｍ^-2程度である。叉は１回の処
理で不十分な場合は２回以上処理を行うことができる。
又、紫外線照射を行う場合、使用する紫外線の波長は、
特に制限はないが、例えば３００ｎｍ以下の遠紫外線が
好ましい。又、紫外線照射は酸素気流下に行なうことが
好ましい。紫外線照射を行う装置としては市販の各種紫
外線照射器が適用可能である。紫外線照射の条件は、基
板の種類、紫外線照射後に塗布する二色性分子層の組成
や膜厚、光活性分子層を処理する場合その組成や厚さ等
の条件によって異なるが、照射時間は長くても数分程度
で十分である。

【００４７】本発明に用いられる基板としては、光活性
分子が結合もしくは塗布しうるもの、あるいはラビング
処理できるものであればよく、例えばシリカ系ガラス、
硬質ガラス等のガラス板、石英板等や、ＡＢＳ樹脂、ア
セタール樹脂、（メタ）アクリル樹脂、トリアセチルセ
ルロース、塩素化ポリエーテル、エチレン−酢ビ共重合
体、ふっ素樹脂、アイオノマー、メチルペンテンポリマ
ー、ナイロン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等
のポリエステル、ポリイミド、ポリフェニレンオキサイ
ド、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリルスルホン、
ポリアリレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
スチレン、ポリスルホン、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニリ
デン樹脂、ＡＳ樹脂、塩化ビニル樹脂、アルキド樹脂、
アリル樹脂、アミノ樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン等の各種素材のプラ
スチック板やシート（フィルム）、あるいはそれらの表
面に、酸化珪素、酸化スズ、酸化インジウム、酸化アル
ミニウム、酸化チタン、酸化クロム、酸化亜鉛などの金
属酸化物や、窒化珪素、炭化珪素などを被覆したものが
用いられる。あるいはまた、反射能の高い金属薄膜で表
面を被覆した基板（フィルム）も用いることができる。
これらの基板は平面状のもののみならず、曲面状のもの
であってもよい。

【００４８】本発明で使用する光活性分子は、直線偏光
によって分子軸配向変化を起こす分子のことである。こ
こでいう分子軸配向変化とは、直線偏光の光エネルギー
を吸収したのちに、その分子軸の方向が変わる現象であ
る。このための光活性分子としては、Ｃ＝Ｃ、Ｃ＝Ｎ、
Ｎ＝Ｎから選ばれた少なくとも一つの二重結合を含み、
その二重結合が非芳香族性である分子が有効に使用され
る。この光活性分子の吸収する光の波長は可視光域のも
のにとどまらず、肉眼では観察されない紫外線や赤外線
の領域のものも含まれる。この光活性分子の層に、該分
子が吸収する波長範囲を含む直線偏光を照射すると容易
に分子軸配向変化を起こす。このような光活性分子やこ
の光活性分子を基板上に設ける方法の具体例は、例えば
ＰＣＴ公開パンフレットＷＯ９５／０７４７４号に記
載されている。

【００４９】次に、基板上に設けられた光活性分子層に
直線偏光を照射する操作を説明する。照射する偏光の波
長は、光活性分子が吸収する波長であれば特に制限はな
く、例えば可視光線のみならず紫外線や赤外線の領域の
光線でもよい。光源としては、水銀灯、キセノン灯、蛍
光灯、ケミカルランプ、ヘリウム−カドミウムレーザ、
アルゴンレーザ、クリプトンレーザ、ヘリウム−ネオン
レーザ、半導体レーザ、さらには、太陽光などのいずれ
でもよく、光活性分子の吸収波長領域や光照射時間、あ
るいは照射面積などによって選択すればよい。直線偏光
とするには、これらの光源から発する光に直線偏光素子
や直線偏光板を組み合わせればよい。このための偏光素
子や偏光板としては、例えばグラントムソンプリズムな
どのプリズム系素子、二色性分子を溶解または吸着して
延伸した高分子膜からなる偏光素子や偏光板があげられ
る。さらには、本発明によって製造される偏光素子
（板）も利用することができる。ここで使用する直線偏
光の露光エネルギーは、波長、光活性分子の構造、結合
状態、照射温度などにより異なるが、１ｍＪ／ｃｍ²か
ら１０Ｊ／ｃｍ²の範囲が望ましい。尚、レーザを光源
とする場合は、レーザビーム自体が直線偏光であれば偏
光素子（板）を必要としない。詳細はＰＣＴ公開パンフ
レットＷＯ９５／０７４７４号に記載されている。

【００５０】偏光パターンを光活性分子層に焼き付ける
ためには、希望する複数の偏光軸があってもよいマスク
パターンを通して直線偏光を光活性分子層に照射すれば
よい。レンズ等を用いて直線偏光を発散させたり集光す
ることにより、パターンを大きく拡大したり、逆にきわ
めて微細なパターンとすることができる。又、レーザを
光源とする場合であって、レーザビーム自体が直線偏光
であれば、ファラデー素子のような偏光面回転素子と組
み合わせることによって、きわめて微細なパターンを自
在に描画できる。さらに、光活性分子の直線偏光による
分子軸配向変化は可逆的であるから、マスクパターンご
とに異なる偏光軸の直線偏光を照射することによりパタ
ーンを自由に重ね書きすることができる。尚、複雑なパ
ターンを有する偏光素子（板）を一枚製造すれば、その
偏光素子（板）をマスクパターンとすることにより、従
来困難であった複雑なパターンを有する偏光素子（板）
を、直線偏光照射という簡便な方法で多数製造すること
ができる。詳細はＰＣＴ公開パンフレットＷＯ９５／
０７４７４号に記載されている。

【００５１】このようにして得られる一定方向に分子軸
の配列した光活性分子層に二色性分子を吸着させるだけ
で、即ち、光活性分子層の上に二色性分子層を設けるだ
けで、二色性分子の分子軸が、光活性分子の分子軸の配
列方向、即ち光活性分子層に照射した直線偏光の偏光軸
で規定された方向に配列し、かつ偏光軸が固定されて偏
光素子（板）としての性質が発揮される。

【００５２】ラビング処理した基材を得る方法として
は、ラビング剤としては、布、紙、皮革、綿、フェル
ト、バフ等を、場合によりクレー、ジルコニア、アルミ
ナ等の研磨剤と共に用い、基材表面を一定方向にラビン
グする（擦る）方法があげられる。ラビングの程度はラ
ビング剤によって異なるが、ラビングの回数は１〜３０
回が望ましい。

【００５３】

【実施例】以下合成例、実施例により、本発明を具体的
に説明するが、本発明がこれらの合成例、実施例に限定
されるものではない。合成例、実施例中、部は特に限定
しない限り重量部を示す。また、偏光率はＪＩＳＺ
８７０１により視感度補正透過率（Ｙ）を求め、次の計
算式により算出した。偏光率（Ｙ％）＝｛（Ｙ₂−Ｙ₁）／（Ｙ₂＋Ｙ₁）｝
^1/2×１００（Ｙ₂：平行透過率（％）、Ｙ₁：直交透過率（％））なお、有彩色の偏光板の場合、極大吸収波長 λmax で
の偏光率（λmax ）は極大吸収波長での平行透過率Ｔ₂
λmax （％）、直交透過率Ｔ₁λmax （％）を用いて次
式によって算出した。偏光率（λmax ％）＝｛（Ｔ₂−Ｔ₁）／（Ｔ₂＋
Ｔ₁）｝^1/2×１００（Ｔ₂：平行透過率λmax （％）、Ｔ₁：直交透過率λ
max （％））以下の実施例において、基板の光活性分子層に直線偏光
を照射した後、二色性分子の層を設ける方法を、「光照
射法」、基板をラビング処理した後、二色性分子の層を
設ける方法を、「ラビング法」と記す。

【００５４】合成例１上記Ｎｏ．１で表される化合物
の合成法。式（１５）

【００５５】

【化１９】

【００５６】で表される化合物２２．０５部を水１６５
部に溶解し、亜硝酸ナトリウム３．６部、濃塩酸１１部
でジアゾ化した後、過剰の亜硝酸ナトリウムをスルファ
ミン酸を加えて分解した。この中へ塩酸水溶液に溶解し
た、ｐ−クレシジン６．８５部を加え、酢酸ナトリウム
でｐＨ４としてカップリングさせた。反応終了後、ろ過
して下記式（１６）

【００５７】

【化２０】

【００５８】で表されるモノアゾ化合物３１．０部を
含むプレスケ−キを得た。このプレスケーキを水２００
部の中に加え、水酸化ナトリウムで中和して溶解し、亜
硝酸ナトリウム３．６部を加えた溶液を、５％塩酸水溶
液４００部中に約２０℃で滴下してジアゾ化した。ジア
ゾ化終了後、過剰の亜硝酸ナトリウムをスルファミン酸
を加えて分解した。このジアゾニウム塩の懸濁液に、塩
酸水溶液に溶解した、ｐ−クレシジン６．８５部を加
え、酢酸ナトリウムでｐＨ４としてカップリングさせ
た。反応終了後、ろ過して下記式（１７）

【００５９】

【化２１】

【００６０】で表されるジスアゾ化合物３６．５部を
含むプレスケ−キを得た。このプレスケーキを水４００
部の中に加え、水酸化ナトリウムで中和して溶解し、亜
硝酸ナトリウム３．６部を加えた溶液に、５％塩酸水溶
液４００部を約２０℃で滴下してジアゾ化した。ジアゾ
化終了後、過剰の亜硝酸ナトリウムをスルファミン酸を
加えて分解した。このジアゾニウム塩の懸濁液を、式
（１８）

【００６１】

【化２２】

【００６２】で表される化合物２１．０部を炭酸ナト
リウム水溶液にて溶解した中にｐＨ８〜１０、約２０℃
で加えカップリングさせた。反応終了後、水酸化ナトリ
ウム１５部を加え、加熱し、７５〜８５℃とし３時間攪
拌した。放冷後、塩酸で中和し塩化ナトリウムを加えて
塩析し、ろ過、乾燥して化合物Ｎｏ．１で表されるテト
ラキスアゾ化合物４７．３部を得た。この化合物を逆
浸透膜法により脱塩精製して使用した。

【００６３】式（１８）で表される化合物は次のように
合成した。即ち、メタニル酸１７．３部を常法により
ジアゾ化し、Ｊ酸２３．９部と酸性カップリングし、
塩化ナトリウムを加えて塩析し、沈澱をろ過して、式
（１８）で表される化合物４０．０部を得た。

【００６４】合成例２Ｎｏ．２で表される化合物の合
成上記Ｎｏ．１で表される化合物４５部を含んだプレスケ
ーキを水５００部に溶解し、この中に、モノエタノール
アミン１５部、硫酸銅（ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂０）１３．
７部を加え、加熱し９０〜９８℃にて銅化反応させた。
反応終了後、塩化ナトリウム８０部を加えて塩析し、ろ
過、乾燥して化合物Ｎｏ．２で表されるテトラキスアゾ
銅錯塩化合物４２．５部を得た。この化合物を常法によ
り脱塩精製して使用した。

【００６５】以下、実施例１〜２５において使用した化
合物Ｎｏ．１〜１８は上記と同様な方法でジアゾ化、カ
ップリングをおこなうことにより得ることができる。

【００６６】実施例１４−メタクリロイルオキシアゾベンゼンをベンゼンに溶
解して２０重量％溶液とし、アゾビスイソブチロニトリ
ルを開始剤として脱気下で６０℃で１２時間重合させ
る。得られたアゾベンゼンを有する高分子１０部とトル
エン９０部よりなる溶液を硬質ガラス上に回転塗布す
る。この基板を１０５℃で１０分加熱して乾燥させる。

【００６７】光源は５００Ｗ／ｈの超高圧水銀ランプを
使用し、さらに偏光板を通して直線偏光とする。この直
線偏光を、偏光板の偏光軸に対し平行に置いた上記基板
の塗布面上に室温で、５０ｃｍの距離から１分間照射す
る。ついで、直線偏光を照射した面上に、化合物Ｎｏ．
１で表される化合物７．０部にエマルゲン１０８（ノ
ニオン界面活性剤：（株）花王製）０．２部を加え９
２．８部の蒸留水で希釈した水溶液を回転塗布後、２５
℃、５０％ＲＨの条件で乾燥して本発明の偏光素子
（板）を得る。この本発明の偏光素子（板）を偏光板を
通して観察すると明暗のコントラストが現れる。そして
偏光板を回転させると９０度毎に明暗が反転し、通常の
偏光板と同じ挙動を示す。偏光軸を直交させた時の色は
青で、この偏光素子（板）の極大吸収波長（λmax ）は
６０３ｎｍ、極大吸収波長（λmax ）における偏光率
（λmax ）は６２％であった。

【００６８】実施例２４−メタクリロイルオキシアゾベンゼンを、実施例１と
同様にして重合を行う。得られた高分子１０部とトルエ
ン９０部よりなる溶液をポリエステルテレフタレートフ
ィルム上に回転塗布し、１０５℃で１０分加熱乾燥した
後、このフィルム上に移動速度１２ｍ／ｍｉｎ、設定エ
ネルギー１５０Ｗ・ｍｉｎ・ｍ^-2でコロナ放電処理を実
施する。次いで実施例１と同様の方法で直線偏光を照射
する。ついで、直線偏光を照射した面上に、化合物Ｎ
ｏ．１で表される化合物７．０部にエマルゲン１０８
（ノニオン界面活性剤：（株）花王製）０．２部を加え
９２．８部の蒸留水で希釈した水溶液を回転塗布後、２
５℃、５０％ＲＨの条件で乾燥して本発明の偏光素子
（板）を得る。この本発明の偏光素子（板）を偏光板を
通して観察すると明暗のコントラストが現れる。そして
偏光板を回転させると９０度毎に明暗が反転し、通常の
偏光板と同じ挙動を示す。偏光軸を直交させた時の色は
青で、この偏光素子（板）の極大吸収波長（λmax ）は
６０３ｎｍ、極大吸収波長（λmax ）における偏光率
（λmax ）は８５％であった。

【００６９】実施例３トリアセチルセルロースフィルムの全面を縦方向にフェ
ルトで１０回ラビングし、その後一定間隔で横方向に２
０回ラビングした後、水洗、乾燥した。このフィルム上
に移動速度１２ｍ／ｍｉｎ、設定エネルギー１５０Ｗ・
ｍｉｎ・ｍ^-2でコロナ放電処理を実施する。この面上に
化合物Ｎｏ．１で表される化合物７．０部にエマルゲン
１０８（ノニオン界面活性剤：（株）花王製）０．２部
を加え９２．８部の蒸留水で希釈した水溶液を回転塗布
後、２５℃、５０％ＲＨの条件で乾燥して本発明の偏光
素子（板）を得る。この本発明の偏光素子（板）を偏光
板を通して観察すると一定間隔毎に明暗のコントラスト
が現れる。そして偏光板を回転させると９０度毎に一定
間隔の明暗が反転し、通常の偏光板と同じ挙動を示す。
偏光軸を直交させた時の色は青で、この偏光素子（板）
の極大吸収波長（λmax ）は６０３ｎｍ、極大吸収波長
（λmax ）における偏光率（λmax ）は８４％であっ
た。

【００７０】実施例４実施例２で用いた化合物Ｎ０．１の代わりに、化合物Ｎ
ｏ．２で表される化合物７．０部を用いて、実施例２と
同様な方法で本発明の偏光素子（板）を得る。この本発
明の偏光素子（板）を偏光板を通して観察すると明暗の
コントラストが現れる。そして偏光板を回転させると９
０度毎に明暗が反転し、通常の偏光板と同じ挙動を示
す。偏光軸を直交させた時の色は青で、この偏光素子
（板）の極大吸収波長（λmax ）は６２０ｎｍ、極大吸
収波長（λmax ）における偏光率（λmax ）は８３％で
あった。

【００７１】実施例５実施例２で用いた化合物Ｎ０．１の代わりに、化合物Ｎ
ｏ．１１で表される化合物７．０部を用いて、実施例２
と同様な方法で本発明の偏光素子（板）を得る。この本
発明の偏光素子（板）を偏光板を通して観察すると明暗
のコントラストが現れる。そして偏光板を回転させると
９０度毎に明暗が反転し、通常の偏光板と同じ挙動を示
す。偏光軸を直交させた時の色は青で、この偏光素子
（板）の極大吸収波長（λmax ）は６１８ｎｍ、極大吸
収波長（λmax ）における偏光率（λmax ）は８４％で
あった。

【００７２】実施例６実施例２で用いた化合物Ｎ０．１の代わりに、化合物Ｎ
０．１４．５部、シー．アイ．ダイレクト．オレンジ
７２２．５部、シー．アイ．ダイレクト．ブルー
６７１．５部を配合し、実施例２と同様な方法で本発
明の偏光素子（板）を得る。この本発明の偏光素子
（板）を偏光板を通して観察すると明暗のコントラスト
が現れる。そして偏光板を回転させると９０度毎に明暗
が反転し、通常の偏光板と同じ挙動を示す。偏光軸を直
交させた時の色は黒で、この偏光素子（板）の偏光率
（Ｙ％）は９０％であった。

【００７３】実施例７〜１２実施例２（光照射法）、実施例３（ラビング法）と同様
な方法により、表１に示す化合物を使用し本発明の偏光
素子（板）を得る。その結果を表１に示す。なお、表１
中、色は偏光軸を直交させた時の色を示し、偏光率λma
x （％）は極大吸収波長（λmax ）における偏光率（λ
max ）の値である。

【００７４】

【表１】表１実施例No. 化合物No. 使用量（部）製法色偏光率λmax （％）７４７．０光照射法青８５８５７．０光照射法青８７９６７．０光照射法赤紫８５１０８７．０光照射法青紫８３１１１３７．０ラビング法青９０１２１４７．０ラビング法青８１

【００７５】実施例１３〜２５実施例２（光照射法）、実施例３（ラビング法）、と同
様な方法により、表２に示す化合物を配合し、本発明の
偏光素子（板）を得る。その結果を表３に示す。なお、
表３中、色は偏光軸を直交させた時の色を示し、偏光率
λmax （％）は極大吸収波長（λmax ）における偏光率
（λmax ）、また無彩色（黒）場合には偏光率（Ｙ％）
の値である。。

【００７６】

【表２】表２実施例No. 配合化合物（色素）使用量（部）部製法１３化合物Ｎｏ．３３．０光照射法シー．アイ．ダイレクト．オレンジ７２４．０１４化合物Ｎｏ．７２．５光照射法シー．アイ．ダイレクト．オレンジ７２４．０１５化合物Ｎｏ．５１．５光照射法シー．アイ．ダイレクト．ブルー６７５．０１６化合物Ｎｏ．１８１．５光照射法シー．アイ．ダイレクト．ブルー６７５．０１７化合物Ｎｏ．９３．０ラビング法シー．アイ．ダイレクト．オレンジ７２４．０１８化合物Ｎｏ．１２２．５ラビング法シー．アイ．ダイレクト．オレンジ７２４．０１９化合物Ｎｏ．１５２．５ラビング法シー．アイ．ダイレクト．ブルー６７４．０

【００７７】２０化合物Ｎｏ．５１．０光照射法シー．アイ．ダイレクト．オレンジ３９３．０シー．アイ．ダイレクト．レッド８１２．２２１化合物Ｎｏ．１６．０光照射法シー．アイ．ダイレクト．オレンジ７２３．０シー．アイ．ダイレクト．ブルー６７２．２２２化合物Ｎｏ．１６４．５光照射法シー．アイ．ダイレクト．オレンジ７２２．６シー．アイ．ダイレクト．ブルー６７１．４２３化合物Ｎｏ．１２．５光照射法化合物Ｎｏ．１２２．２シー．アイ．ダイレクト．レッド８３２．６シー．アイ．ダイレクト．ブルー６７１．５２４化合物Ｎｏ．１０４．５ラビング法シー．アイ．ダイレクト．オレンジ７２２．６シー．アイ．ダイレクト．ブルー６７１．４２５化合物Ｎｏ．１７２．５ラビング法シー．アイ．ダイレクト．オレンジ７２２．６シー．アイ．ダイレクト．ブルー６７１．４シー．アイ．ダイレクト．ブルー９０２．４

【００７８】

【表３】表３実施例No. 色極大吸収波長λmax 偏光率λmax （％）偏光率（Ｙ％）１３緑４８０ｎｍ６８１４黄緑４７５ｎｍ７０１５青紫５９０ｎｍ８８１６青紫５９０ｎｍ８５１７緑４８０ｎｍ７０１８黄緑４７７ｎｍ７０１９青紫５９４ｎｍ８２２０赤４９５ｎｍ６８２１黒９５２２黒８７２３黒９０２４黒８８２５黒９０

【００７９】

【発明の効果】本発明の偏光素子（板）は、予め基板表
面層に光活性分子を結合もしくは分散し、ついでこの光
活性分子が吸収する波長を含む直線偏光を照射したの
ち、この光活性分子層に本発明による色素を含んだ１種
または２種以上の二色性分子を吸着させることにより、
または基板表面層をラビング処理した後に本発明による
色素を含んだ１種または２種以上の二色性分子を吸着さ
せることにより、偏光軸を任意の方向に精密、微細に制
御できる、各種色相で高い偏光特性を示す偏光素子
（板）が容易に、かつ安価に製作できるようになった。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記式（１）【化１】（式中、Ｑ₁は、スルホン酸基を１個又は２個有し、さ
らに水酸基又は低級アルコキシ基を有していてもよいナ
フチル基を、Ｑ₂、Ｑ₃はそれぞれ独立にフェニレン基
又はナフチレン基（これらの基は置換基として低級アル
キル基、低級アルコキシ基、水酸基、スルホン酸基から
選ばれた１種又は２種の置換基を１個又は２個有する）
を、Ｒ₁は水素原子、低級アルキル基、アセチル基、ベ
ンゾイル基又は置換もしくは無置換のフェニル基を、Ｒ
₂は水素原子又は下記式（２）【化２】の基を、Ｒ₃、Ｒ₄はそれぞれ独立に水素原子、水酸
基、スルホン酸基、低級アルキル基又は低級アルコキシ
基を、ｍは０又は１を、ｎは１又は２を表す。但しｍが
０の場合は、Ｒ₂は水素原子ではない。）で表される化
合物又はその銅化物を含む層を有する偏光素子又は偏光
板。
【請求項２】請求項１の式（１）で表される化合物のう
ち少なくとも一種、及びシー．アイ．ダイレクト．イエ
ロー１２、シー．アイ．ダイレクト．オレンジ３９、
シー．アイ．ダイレクト．オレンジ７２、シー．アイ．
ダイレクト．レッド３９、シー．アイ．ダイレクト．
レッド７９、シー．アイ．ダイレクト．レッド８
１、シー．アイ．ダイレクト．レッド８３、シー．ア
イ．ダイレクト．レッド８９、シー．アイ．ダイレ
クト．バイオレット４８、シー．アイ．ダイレクト．
ブルー６７、シー．アイ．ダイレクト．ブルー９
０、シー．アイ．ダイレクト．グリーン５９、シー．
アイ．アシッド．レッド３７から選ばれる化合物（色
素）のうち少なくとも一種を含有する混合物を含む層を
有する偏光素子又は偏光板。
【請求項３】請求項１の式（１）の化合物又はその銅化
物を含む層又は請求項２の混合物を含む層が光活性分子
を有する層に接している請求項１又は請求項２の偏光素
子又は偏光板。
【請求項４】請求項１の式（１）の化合物又はその銅化
物を含む層又は請求項２の混合物を含む層がラビング処
理された基材のラビング処理面に接している請求項１又
は請求項２の偏光素子又は偏光板。
【請求項５】下記式（３）【化３】（式（３）において、Ｑ₂₁は、スルホン酸基を１個又は
２個有し、さらに水酸基又は低級アルコキシ基を有して
いてもよいナフチル基を、Ｑ₂₂、Ｑ₂₃はそれぞれ独立に
フェニレン基又はナフチレン基（これらの基は置換基と
して低級アルキル基、低級アルコキシ基、水酸基、スル
ホン酸基から選ばれた１種又は２種の置換基を１個又は
２個有する）を、Ｒ₂₁は水素原子、低級アルキル基、ア
セチル基、ベンゾイル基又は置換もしくは無置換のフェ
ニル基を、Ｒ₂₃、Ｒ₂₄はそれぞれ独立に水素原子、水酸
基、スルホン酸基、低級アルキル基又は低級アルコキシ
基を、ｑは０又は１を、ｒは１又は２を表す。）で表さ
れる化合物又はその銅化物。