JPH09224367A - スイッチング制御集積回路 - Google Patents
スイッチング制御集積回路Info
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- JPH09224367A JPH09224367A JP8339882A JP33988296A JPH09224367A JP H09224367 A JPH09224367 A JP H09224367A JP 8339882 A JP8339882 A JP 8339882A JP 33988296 A JP33988296 A JP 33988296A JP H09224367 A JPH09224367 A JP H09224367A
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/14—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
- H03K17/145—Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature in field-effect transistor switches
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- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度によって変動する検出信号と同じ傾向で
帰還電圧を変動させて、制限されるピーク電流を温度変
化にかかわらず一定に維持するスイッチング制御集積回
路を提供する。 【解決手段】 スイッチングモード電源供給装置のスイ
ッチング駆動用のトランジスタＱ１と、トランジスタＱ
１のドレイン電流を感知して電流ピーク値の検出電圧を
発生させるための感知抵抗Ｒｓと、感知抵抗Ｒｓの温度
変化と同じ温度変化によって帰還電圧を発生する帰還電
圧発生回路１０と、帰還電圧と電流ピーク値の検出電圧
とを比較して電流ピーク値が検出される場合はトランジ
スタＱ１を非導通にする制御信号を発生する比較器Ｇ１
と、帰還電圧発生回路１０の異常検出時に制御信号の出
力を遮断する保護回路２０と、保護回路を通した制御信
号に応答してスイッチング駆動用のトランジスタＱ１を
駆動する駆動回路３０とを有する。
帰還電圧を変動させて、制限されるピーク電流を温度変
化にかかわらず一定に維持するスイッチング制御集積回
路を提供する。 【解決手段】 スイッチングモード電源供給装置のスイ
ッチング駆動用のトランジスタＱ１と、トランジスタＱ
１のドレイン電流を感知して電流ピーク値の検出電圧を
発生させるための感知抵抗Ｒｓと、感知抵抗Ｒｓの温度
変化と同じ温度変化によって帰還電圧を発生する帰還電
圧発生回路１０と、帰還電圧と電流ピーク値の検出電圧
とを比較して電流ピーク値が検出される場合はトランジ
スタＱ１を非導通にする制御信号を発生する比較器Ｇ１
と、帰還電圧発生回路１０の異常検出時に制御信号の出
力を遮断する保護回路２０と、保護回路を通した制御信
号に応答してスイッチング駆動用のトランジスタＱ１を
駆動する駆動回路３０とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はスイッチングモード
電源供給装置のスイッチング制御集積回路に関し、特に
温度の変化に関係なく一定に電流ピーク値を制限するこ
とができるスイッチング制御集積回路に関する。
電源供給装置のスイッチング制御集積回路に関し、特に
温度の変化に関係なく一定に電流ピーク値を制限するこ
とができるスイッチング制御集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のスイッチングモード電源供
給装置（SMPS: SWITCHING MODE POWERSUPPLY)のスイッ
チング制御集積回路の構成を示す。従来のスイッチング
制御集積回路は、スイッチングモード電源供給装置のス
イッチングモード電源供給装置のスイッチング駆動用の
トランジスタＱ１と、トランジスタＱ１のドレイン電流
を感知して電流ピーク値の検出電圧を発生させるための
感知抵抗Ｒｓと、帰還電圧を発生する帰還電圧発生回路
１０と、帰還電圧と電流ピーク値の検出電圧とを比較し
てデュテイを調節する比較器Ｕ１と、帰還電圧発生回路
１０の異常検出時に制御信号の出力を遮断する保護回路
２０と、保護回路２０を通した制御信号に応答してスイ
ッチング駆動用のトランジスタを駆動する駆動回路３０
とを有する。
給装置（SMPS: SWITCHING MODE POWERSUPPLY)のスイッ
チング制御集積回路の構成を示す。従来のスイッチング
制御集積回路は、スイッチングモード電源供給装置のス
イッチングモード電源供給装置のスイッチング駆動用の
トランジスタＱ１と、トランジスタＱ１のドレイン電流
を感知して電流ピーク値の検出電圧を発生させるための
感知抵抗Ｒｓと、帰還電圧を発生する帰還電圧発生回路
１０と、帰還電圧と電流ピーク値の検出電圧とを比較し
てデュテイを調節する比較器Ｕ１と、帰還電圧発生回路
１０の異常検出時に制御信号の出力を遮断する保護回路
２０と、保護回路２０を通した制御信号に応答してスイ
ッチング駆動用のトランジスタを駆動する駆動回路３０
とを有する。
【０００３】帰還電圧発生回路１０は、第１定電流Ｉ１
を第１ノードＮ１に流すための第１定電流源ＣＳ１と、
第１定電流Ｉ１よりは小さな第２定電流Ｉ２を第２ノー
ドＮ２に流すための第２定電流源ＣＳ２と、第１ノード
Ｎ１と第２ノードＮ２との間に順方向に接続されたダイ
オードＤ１と、第１ノードＮ１と接地との間に接続され
た第１ツェナーダイオードＺＤ１と、第２ノードＮ２に
接続された外部容量Ｃ１と、第２ノードＮ２に接続され
た外部放電手段ＣＳ３とを有する。
を第１ノードＮ１に流すための第１定電流源ＣＳ１と、
第１定電流Ｉ１よりは小さな第２定電流Ｉ２を第２ノー
ドＮ２に流すための第２定電流源ＣＳ２と、第１ノード
Ｎ１と第２ノードＮ２との間に順方向に接続されたダイ
オードＤ１と、第１ノードＮ１と接地との間に接続され
た第１ツェナーダイオードＺＤ１と、第２ノードＮ２に
接続された外部容量Ｃ１と、第２ノードＮ２に接続され
た外部放電手段ＣＳ３とを有する。
【０００４】保護回路２０は、外部容量Ｃ１の両端電圧
がツェナー電圧以上の時導通する第２ツェナーダイオー
ドＺＤ２と、第２ツェナーダイオーＺＤ２を介した逆電
流検出時に保護信号を発生する保護信号発生回路ＰＣ
と、保護信号に応答して制御信号を出力するゲート回路
Ｇ１とを有する。
がツェナー電圧以上の時導通する第２ツェナーダイオー
ドＺＤ２と、第２ツェナーダイオーＺＤ２を介した逆電
流検出時に保護信号を発生する保護信号発生回路ＰＣ
と、保護信号に応答して制御信号を出力するゲート回路
Ｇ１とを有する。
【０００５】まず、スイッチングモード電源供給装置が
通常の動作をする場合には、外部容量Ｃ１は第１定電流
と第２定電流によって充電され、この外部容量Ｃ１に充
電されたエネルギーは外部放電手段ＣＳ３を介して放電
される。
通常の動作をする場合には、外部容量Ｃ１は第１定電流
と第２定電流によって充電され、この外部容量Ｃ１に充
電されたエネルギーは外部放電手段ＣＳ３を介して放電
される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、スイッチング
モード電源供給装置に過渡現象が発生したり、あるいは
システムエラーが生ずる時（たとえば帰還ループが開成
される時）には、図３に示すように、外部容量Ｃ１の電
圧が時間０〜ｔ１の間、すなわち零電圧からツェナー電
圧ＶＺ１と同じ電圧に上昇するまでは、第１および第２
定電流源ＣＳ１、ＣＳ２からすべての電流が供給され、
その電流によって外部容量Ｃ１は充電され始める。そし
て、充電し終えると、外部放電手段ＣＳ３を介して放電
し始める。
モード電源供給装置に過渡現象が発生したり、あるいは
システムエラーが生ずる時（たとえば帰還ループが開成
される時）には、図３に示すように、外部容量Ｃ１の電
圧が時間０〜ｔ１の間、すなわち零電圧からツェナー電
圧ＶＺ１と同じ電圧に上昇するまでは、第１および第２
定電流源ＣＳ１、ＣＳ２からすべての電流が供給され、
その電流によって外部容量Ｃ１は充電され始める。そし
て、充電し終えると、外部放電手段ＣＳ３を介して放電
し始める。
【０００７】すなわち、充電される電圧がツェナー電圧
ＶＺ１と同じ電圧に至るまでの時間を数式にて示すと、
Ｃ（ｄｖ／ｄｔ）＝ｉにおいて、ｔ＝（Ｃ１／（Ｉ１＋
Ｉ２））×ＶＺ１となる。また、外部容量Ｃ１に充電さ
れる電圧が時間ｔ１〜ｔ２の間にある時、すなわち、ツ
ェナーダイオードＺＤ１とツェナーダイオードＺＤ２と
の各ツェナー電圧ＶＺ１〜ＶＺ２間にある時は、第１定
電流源ＣＳ１からの電流はダイオードＤ１によって遮断
され、ツェナーダイオードＤＺ１を介して接地に流れ
る。外部容量Ｃ１は第２定電流源ＣＳ２の電流によって
のみ充電される。
ＶＺ１と同じ電圧に至るまでの時間を数式にて示すと、
Ｃ（ｄｖ／ｄｔ）＝ｉにおいて、ｔ＝（Ｃ１／（Ｉ１＋
Ｉ２））×ＶＺ１となる。また、外部容量Ｃ１に充電さ
れる電圧が時間ｔ１〜ｔ２の間にある時、すなわち、ツ
ェナーダイオードＺＤ１とツェナーダイオードＺＤ２と
の各ツェナー電圧ＶＺ１〜ＶＺ２間にある時は、第１定
電流源ＣＳ１からの電流はダイオードＤ１によって遮断
され、ツェナーダイオードＤＺ１を介して接地に流れ
る。外部容量Ｃ１は第２定電流源ＣＳ２の電流によって
のみ充電される。
【０００８】この充電される電圧がツェナーダイオード
の電圧ＶＺ２と同じ電圧に至るまでの時間を式で示す
と、ｔ＝（Ｃ１／（Ｉ２））×（ＶＺ２−ＶＺ１）、し
たがって、時間ｔ１〜ｔ２の間は前記外部容量Ｃ１に充
電される電圧の増加率は大きく低下する。
の電圧ＶＺ２と同じ電圧に至るまでの時間を式で示す
と、ｔ＝（Ｃ１／（Ｉ２））×（ＶＺ２−ＶＺ１）、し
たがって、時間ｔ１〜ｔ２の間は前記外部容量Ｃ１に充
電される電圧の増加率は大きく低下する。
【０００９】すなわち、外部容量Ｃ１の電圧がツェナー
ダイオード電圧ＶＺ１以上になると、第２定電流源ＣＳ
２のみで外部容量Ｃ１を充電するようになり、ツェナー
ダイオード電圧ＶＺ２に至るまでの時間を遅延させる。
ダイオード電圧ＶＺ１以上になると、第２定電流源ＣＳ
２のみで外部容量Ｃ１を充電するようになり、ツェナー
ダイオード電圧ＶＺ２に至るまでの時間を遅延させる。
【００１０】システムエラーが生じた時、ツェナーダイ
オードＺＤ２での逆方向電流から保護信号発生回路ＰＣ
が作動し、この保護信号発生回路ＰＣから出力される保
護信号によって、比較器Ｕ１から出力される制御信号を
ゲート回路Ｇ１を用いて遮断する。
オードＺＤ２での逆方向電流から保護信号発生回路ＰＣ
が作動し、この保護信号発生回路ＰＣから出力される保
護信号によって、比較器Ｕ１から出力される制御信号を
ゲート回路Ｇ１を用いて遮断する。
【００１１】従来のスイッチングモード電源供給装置で
は、スイッチング駆動用トランジスタのドレイン電流を
感知するための感知抵抗Ｒｓが温度の変化に応じて感知
する電流値が変動するようになり、制限されるピーク電
流値までも変動してしまうという問題を抱える。
は、スイッチング駆動用トランジスタのドレイン電流を
感知するための感知抵抗Ｒｓが温度の変化に応じて感知
する電流値が変動するようになり、制限されるピーク電
流値までも変動してしまうという問題を抱える。
【００１２】本発明の目的は、このような従来の問題を
解決するためのものであり、温度による検出信号の変動
と合わせた帰還電圧の温度補償をすることで制限される
ピーク電流値を一定に維持するスイッチング制御集積回
路を提供するものである。
解決するためのものであり、温度による検出信号の変動
と合わせた帰還電圧の温度補償をすることで制限される
ピーク電流値を一定に維持するスイッチング制御集積回
路を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のスイッチング制御集積回路は、スイッチン
グモード電源供給装置のスイッチング駆動用のトランジ
スタと、前記トランジスタのドレイン電流を感知して電
流ピーク値の検出電圧を発生させるための感知抵抗と、
前記感知抵抗の温度変化と同じ温度変化によって帰還電
圧を発生する帰還電圧発生回路と、前記帰還電圧と前記
電流ピーク値の検出電圧とを比較して前記電流ピーク値
が検出される場合は前記トランジスタを非導通にする制
御信号を発生する比較器と、前記帰還電圧発生回路の異
常検出時に前記制御信号の出力を遮断する保護回路と、
前記保護回路を通した前記制御信号に応答して前記スイ
ッチング駆動用のトランジスタを駆動する駆動回路とを
有する。
に、本発明のスイッチング制御集積回路は、スイッチン
グモード電源供給装置のスイッチング駆動用のトランジ
スタと、前記トランジスタのドレイン電流を感知して電
流ピーク値の検出電圧を発生させるための感知抵抗と、
前記感知抵抗の温度変化と同じ温度変化によって帰還電
圧を発生する帰還電圧発生回路と、前記帰還電圧と前記
電流ピーク値の検出電圧とを比較して前記電流ピーク値
が検出される場合は前記トランジスタを非導通にする制
御信号を発生する比較器と、前記帰還電圧発生回路の異
常検出時に前記制御信号の出力を遮断する保護回路と、
前記保護回路を通した前記制御信号に応答して前記スイ
ッチング駆動用のトランジスタを駆動する駆動回路とを
有する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しなが
ら、本発明のスイッチング制御集積回路の実施の形態に
ついてより詳細に説明する。
ら、本発明のスイッチング制御集積回路の実施の形態に
ついてより詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明の一実施例のスイッチングモ
ード電源供給装置のスイッチング制御集積回路の構成を
示す回路図である。
ード電源供給装置のスイッチング制御集積回路の構成を
示す回路図である。
【００１６】このスイッチング制御集積回路は、スイッ
チング駆動用のトランジスタＱ１と、感知抵抗Ｒｓと、
帰還電圧発生回路１０の一部と、比較器Ｕ１と、保護回
路２０と、駆動回路３０を１つの半導体基板上に集積さ
せた集積回路１００と、外部容量Ｃ１、および外部放電
手段ＣＳ３を有する。
チング駆動用のトランジスタＱ１と、感知抵抗Ｒｓと、
帰還電圧発生回路１０の一部と、比較器Ｕ１と、保護回
路２０と、駆動回路３０を１つの半導体基板上に集積さ
せた集積回路１００と、外部容量Ｃ１、および外部放電
手段ＣＳ３を有する。
【００１７】詳しくは、本発明のスイッチング制御集積
回路は、スイッチングモード電源供給装置のスイッチン
グ駆動用のトランジスタＱ１と、トランジスタＱ１のド
レイン電流を感知して電流ピーク値の検出電圧を発生さ
せるための感知抵抗Ｒｓと、感知抵抗Ｒｓの温度変化と
同じ温度変化によって帰還電圧を発生する帰還電圧発生
回路１０と、帰還電圧と電流ピーク値の検出電圧とを比
較して電流ピーク値が検出される場合にはスイッチング
駆動用トランジスタＱ１を非導通にする制御信号を発生
する比較器Ｕ１と、帰還電圧発生回路１０の異常検出時
に制御信号の出力を遮断する保護回路２０と、保護回路
２０を通した制御信号に応答してスイッチング駆動用の
トランジスタを駆動する駆動回路３０とを有する。
回路は、スイッチングモード電源供給装置のスイッチン
グ駆動用のトランジスタＱ１と、トランジスタＱ１のド
レイン電流を感知して電流ピーク値の検出電圧を発生さ
せるための感知抵抗Ｒｓと、感知抵抗Ｒｓの温度変化と
同じ温度変化によって帰還電圧を発生する帰還電圧発生
回路１０と、帰還電圧と電流ピーク値の検出電圧とを比
較して電流ピーク値が検出される場合にはスイッチング
駆動用トランジスタＱ１を非導通にする制御信号を発生
する比較器Ｕ１と、帰還電圧発生回路１０の異常検出時
に制御信号の出力を遮断する保護回路２０と、保護回路
２０を通した制御信号に応答してスイッチング駆動用の
トランジスタを駆動する駆動回路３０とを有する。
【００１８】帰還電圧発生回路１０は、第１定電流Ｉ１
を第１ノードＮ１に流すための第１定電流源ＣＳ１と、
第１定電流Ｉ１よりは小さな第２定電流Ｉ２を第２ノー
ドＮ２に流すための第２定電流源ＣＳ２と、第１ノード
Ｎ１と第２ノードＮ２との間に順方向に接続されたダイ
オードＤ１と、第１ノードＮ１と接地との間に接続され
た帰還電圧を発生させる抵抗分圧回路と、第２ノードＮ
２に接続された外部容量Ｃ１と、第２ノードＮ２に接続
された外部放電手段ＣＳ３とを有する。抵抗分圧回路は
直列接続された一対の抵抗Ｒ１，Ｒ２からなり、これら
抵抗Ｒ１，Ｒ２から温度補償された帰還電圧が取り出さ
れる。これら抵抗Ｒ１，Ｒ２は感知抵抗Ｒｓと同一の半
導体基板上に同じ工程を経て形成される。
を第１ノードＮ１に流すための第１定電流源ＣＳ１と、
第１定電流Ｉ１よりは小さな第２定電流Ｉ２を第２ノー
ドＮ２に流すための第２定電流源ＣＳ２と、第１ノード
Ｎ１と第２ノードＮ２との間に順方向に接続されたダイ
オードＤ１と、第１ノードＮ１と接地との間に接続され
た帰還電圧を発生させる抵抗分圧回路と、第２ノードＮ
２に接続された外部容量Ｃ１と、第２ノードＮ２に接続
された外部放電手段ＣＳ３とを有する。抵抗分圧回路は
直列接続された一対の抵抗Ｒ１，Ｒ２からなり、これら
抵抗Ｒ１，Ｒ２から温度補償された帰還電圧が取り出さ
れる。これら抵抗Ｒ１，Ｒ２は感知抵抗Ｒｓと同一の半
導体基板上に同じ工程を経て形成される。
【００１９】保護回路２０は、前記外部容量Ｃ１の両端
電圧がツェナー電圧ＶＺ２以上の時に導通する第２ツェ
ナーダイオードＺＤ２と、第２ツェナーダイオーＺＤ２
を介した逆電流検出時に保護信号を発生する保護信号発
生回路ＰＣと、保護信号に応答して前記制御信号を出力
するゲート回路Ｇ１とを有する。
電圧がツェナー電圧ＶＺ２以上の時に導通する第２ツェ
ナーダイオードＺＤ２と、第２ツェナーダイオーＺＤ２
を介した逆電流検出時に保護信号を発生する保護信号発
生回路ＰＣと、保護信号に応答して前記制御信号を出力
するゲート回路Ｇ１とを有する。
【００２０】このように構成された本実施形態の動作は
次のようである。外部容量Ｃ１は、従来の回路と同様
に、第１定電流源ＣＳ１の第１定電流源Ｉ１および第２
定電流源ＣＳ２の第２定電流源Ｉ２によって充電され、
充電後に外部放電手段ＣＳ３を介して放電する。このと
き外部容量Ｃ１の充電電圧が抵抗Ｒ１、Ｒ２の両端の電
圧よりも高くなると第１定電流源ＣＳ１の第１定電流Ｉ
１はダイオードＤ１によって遮断される。したがって、
この場合に外部容量Ｃ１は第２定電流源ＣＳ２の第２定
電流Ｉ２だけによって充電される。外部容量Ｃ１の充電
電圧は両端電圧がツェナーダイオードＺＤ２の電圧と同
じになるまで徐々に増加し、その分の遅延時間が得られ
る。
次のようである。外部容量Ｃ１は、従来の回路と同様
に、第１定電流源ＣＳ１の第１定電流源Ｉ１および第２
定電流源ＣＳ２の第２定電流源Ｉ２によって充電され、
充電後に外部放電手段ＣＳ３を介して放電する。このと
き外部容量Ｃ１の充電電圧が抵抗Ｒ１、Ｒ２の両端の電
圧よりも高くなると第１定電流源ＣＳ１の第１定電流Ｉ
１はダイオードＤ１によって遮断される。したがって、
この場合に外部容量Ｃ１は第２定電流源ＣＳ２の第２定
電流Ｉ２だけによって充電される。外部容量Ｃ１の充電
電圧は両端電圧がツェナーダイオードＺＤ２の電圧と同
じになるまで徐々に増加し、その分の遅延時間が得られ
る。
【００２１】外部容量Ｃ１の電圧は、スイッチングモー
ド電源供給装置の過渡現象時やシステムエラー時（帰還
ループが開成される時など）には、ツェナーダイオード
ＺＤ２に逆方向電流を生じさせ、この逆電流によって保
護信号発生回路ＰＣが作動する。この保護信号発生回路
ＰＣは逆電流に応じて保護信号を出力し、この保護信号
を受けたゲート回路Ｇ１はゲートを閉じて、比較器Ｕ１
の出力信号である制御信号をこのゲート回路Ｇ１で遮断
する。
ド電源供給装置の過渡現象時やシステムエラー時（帰還
ループが開成される時など）には、ツェナーダイオード
ＺＤ２に逆方向電流を生じさせ、この逆電流によって保
護信号発生回路ＰＣが作動する。この保護信号発生回路
ＰＣは逆電流に応じて保護信号を出力し、この保護信号
を受けたゲート回路Ｇ１はゲートを閉じて、比較器Ｕ１
の出力信号である制御信号をこのゲート回路Ｇ１で遮断
する。
【００２２】このような本実施形態のスイッチング制御
集積回路は、図２に示す従来の回路のツェナーダイオー
ドＺＤ１を直列接続された抵抗Ｒ１、Ｒ２に置換して帰
還電圧の温度補償を図るものである。
集積回路は、図２に示す従来の回路のツェナーダイオー
ドＺＤ１を直列接続された抵抗Ｒ１、Ｒ２に置換して帰
還電圧の温度補償を図るものである。
【００２３】感知抵抗Ｒｓと一対の抵抗Ｒ１、Ｒ２は同
一の半導体基板上に形成されるので、同一の温度係数を
有する。このため温度に応じて感知抵抗Ｒｓの抵抗値が
変動してその結果検出信号が変動した場合でも、これに
比例して抵抗Ｒ２の両端にかかる帰還電圧も同様の温度
係数を以て変動する。したがって、本実施の形態の帰還
電圧発生回路１０によって常に一定のピーク電流を制限
することができ、スイッチング制御集積回路の温度補償
を図ることができる。
一の半導体基板上に形成されるので、同一の温度係数を
有する。このため温度に応じて感知抵抗Ｒｓの抵抗値が
変動してその結果検出信号が変動した場合でも、これに
比例して抵抗Ｒ２の両端にかかる帰還電圧も同様の温度
係数を以て変動する。したがって、本実施の形態の帰還
電圧発生回路１０によって常に一定のピーク電流を制限
することができ、スイッチング制御集積回路の温度補償
を図ることができる。
【００２４】
【発明の効果】このように本発明のスイッチングモード
電源供給装置のスイッチング制御集積回路では、集積回
路の機能をそのまま維持しながら、制限される電流ピー
ク値を温度にかかわらず一定に維持することができる。
電源供給装置のスイッチング制御集積回路では、集積回
路の機能をそのまま維持しながら、制限される電流ピー
ク値を温度にかかわらず一定に維持することができる。
【図１】本発明によるスイッチング制御集積回路の実施
の形態を示す回路図。
の形態を示す回路図。
【図２】従来のスイッチング制御集積回路の構成を示す
回路図。
回路図。
【図３】図１の回路の保護動作を説明するための特性
図。
図。
１０…帰還電圧発生回路 ２０…保護回路 ３０…駆動回路 １００…集積回路 Ｃ１…外部容量 Ｉ１…第１定電流 Ｉ２…第２定電流 Ｒｓ…感知抵抗 Ｄ１…ダイオード ＣＳ１…第１定電流源 ＣＳ２…第２定電流源 ＣＳ３…外部放電手段 Ｑ１…スイッチング駆動用トランジスタ Ｎ１…第１ノード ＶＺ２…ツェナー電圧 ＰＣ…保護信号発生回路 Ｇ１…ゲート回路
Claims (3)
- 【請求項１】 スイッチングモード電源供給装置のスイ
ッチング駆動用のトランジスタと、 前記トランジスタのドレイン電流を感知して電流ピーク
値の検出電圧を発生させるための感知抵抗と、 前記感知抵抗の温度変化と同じ温度変化によって帰還電
圧を発生する帰還電圧発生回路と、 前記帰還電圧と前記電流ピーク値の検出電圧とを比較し
て前記電流ピーク値が検出される場合は前記トランジス
タを非導通にする制御信号を発生する比較器と、 前記帰還電圧発生回路の異常検出時に前記制御信号の出
力を遮断する保護回路と、 前記保護回路を通した前記制御信号に応答して前記スイ
ッチング駆動用のトランジスタを駆動する駆動回路とを
有することを特徴とするスイッチングモード電源供給装
置のスイッチング制御集積回路。 - 【請求項２】 請求項１記載のスイッチング制御集積回
路において、 前記帰還電圧発生回路は、 電源電圧と接地電圧間に第１定電流源と前記帰還電圧を
発生させる抵抗分圧回路が直列に接続され、 前記電源電圧と外部端子間に前記第１定電流源より小さ
な電流を流す第２定電流源が接続され、 前記第１定電流源と前記抵抗分圧回路の間の接続点と前
記外部端子の間にダイオードが接続され、 前記外部端子に接地される外部容量と外部放電手段が並
列に接続されてなることを特徴とするスイッチングモー
ド電源供給装置のスイッチング制御集積回路。 - 【請求項３】 請求項１記載のスイッチング制御集積回
路において、 前記保護回路は、 前記外部容量の両端電圧がツェナー電圧以上の時導通す
るツェナーダイオードと、 前記ツェナーダイオードを介した逆電流検出時に保護信
号を発生する保護信号発生回路と、 前記保護信号に応答して前記制御信号の出力を遮断する
ゲート回路とを有することを特徴とするスイッチングモ
ード電源供給装置のスイッチング制御集積回路。
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