KR100992447B1

KR100992447B1 - 전원 공급 장치

Info

Publication number: KR100992447B1
Application number: KR1020080134664A
Authority: KR
Inventors: 김준승; 임승택
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2008-12-26
Filing date: 2008-12-26
Publication date: 2010-11-08
Also published as: KR20100076565A

Abstract

본 발명의 실시 예는 전원 공급 장치에 관한 것이다.

본 발명의 실시 예에 따른 전원 공급 장치는 초기 전원 전압을 공급받아 전원 집적회로를 동작하고, 전원 집적회로를 통해 만들어진 Vcc 전압을 초기 전원 전압 대신 전원 집적회로에 공급하여 적어도 하나의 구동 집적회로를 구동하는 집적회로 전원 공급부와 전원 집적회로에 공급되는 Vcc 전압을 기준 전압과 비교하여 Vcc 전압이 기준 전압보다 높으면 전원 집적회로에 공급되는 Vcc 전압을 차단하는 집적회로 보호부를 포함한다.

전원 공급, 집적회로, IC 보호

Description

전원 공급 장치{Apparatus for supplying Power}

실시 예는 전원 공급 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 전원 공급 장치는 교류 전압을 이용하여 정류하여 직류 전압으로 변환하고 직류 전압을 필요로 하는 전압으로 승압하거나 강압하여 디스플레이 장치(예를 들면, 플라즈마 디스플레이 패널, 액정 표시 장치 등)에 제공한다.

이러한 전원 공급 장치는 스위칭 모드 파워 서플라이(Switching Mode Power Supply; SMPS)가 대표적이며, 이러한 스위칭 모드 파워 서플라이는 전원의 흐름을 효율적으로 제어할 수 있는 안정적인 전원 장치이다.

한편, 스위칭 모드 파워 서플라이형 전원 공급 장치는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP), 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD) 등의 평판 디스플레이 장치가 고집적화됨에 따라서 평판 디스플레이 장치의 핵심 부품으로 급격히 신장되고 있다. 따라서, 스위칭 모드 파워 서플라이형 전원 공급 장치도 소형화 및 경량화하기 위한 노력에 박차가 가해지고 있다.

실시 예에 따라 Vcc 전압을 기준 전압과 비교하여 기준 전압보다 높은 Vcc 전압이 구동 집적회로에 공급되는 것을 방지할 수 있는 발광 다이오드용 전원 공급 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

실시 예에 따른 전원 공급 장치는 초기 전원 전압을 공급받아 전원 집적회로를 동작하고, 전원 집적회로를 통해 만들어진 Vcc 전압을 초기 전원 전압 대신 전원 집적회로에 공급하여 적어도 하나의 구동 집적회로를 구동하는 집적회로 전원 공급부와 전원 집적회로에 공급되는 Vcc 전압을 기준 전압과 비교하여 Vcc 전압이 기준 전압보다 높으면 전원 집적회로에 공급되는 Vcc 전압을 차단하는 집적회로 보호부를 포함한다.

실시 예들에 따른 전원 공급 장치는 Vcc 전압을 기준 전압과 비교하여 기준 전압보다 높은 Vcc 전압이 구동 집적회로에 공급되는 것을 방지함으로써, 구동 집적회로를 보호할 수 있는 효과가 있다.

또한, 실시 예들에 따른 전원 공급 장치는 구동 집적회로를 안정적으로 보호할 수 있어 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

이하에서는 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 보다 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 전원 공급 장치의 회로를 설명하기 위한 것이고, 도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 집적회로 보호부를 설명하기 위한 것이다.

도 1을 살펴보면, 본 발명의 일실시 예에 따른 전원 공급 장치는 집적회로 전원 공급부와 집적회로 보호부를 포함하여 구성될 수 있다.

집적회로 전원 공급부(100)는 초기 전원 전압을 공급받아 전원 집적회로(Integrated Circuit, IC501)를 동작하고, 전원 집적회로(IC501)를 통해 만들어진 Vcc 전압을 초기 전원 전압 대신 전원 집적회로(IC501)에 공급하여 적어도 하나 이상의 구동 집적회로(Driver Integrated Circuit, Driver IC)를 구동할 수 있다. 즉, 전원 공급 장치의 초기동작은 초기 전원 전압인 400V의 Boost전압이 초기 전원 집적회로(IC501)를 구동하여 Trans의 보조 권선에서 펄스(Pulse) 전압이 만들어 질 수 있다. 보조 권선을 통해 출력된 펄스(Pulse)전압을 집적회로 전원 공급부(100)의 정류기(Rectifier)와 트랜지터의 에미터(Emitter) follow 회로를 통해 적어도 하나 이상의 구동 집적회로(Driver Integrated Circuit, Driver IC)의 Vcc 전압으로 공급될 수 있다.

이후에는 초기 전원 전압인 400V를 통하여 전원 집적회로(IC501)가 구동되는 것이 아니라 보조권선에서 만들어진 Vcc 전압으로 전원 집적회로(IC501)가 구동될 수 있다. 이러한 전원 집적회로(IC501)는 피드백(Feedback)감지 단자 등을 통해 Vcc 전압을 안정적으로 출력할 수 있다.

집적회로 보호부(200)는 전원 집적회로(IC501)에 공급되는 Vcc 전압을 기준 전압(Vref)과 비교하여 Vcc 전압이 기준 전압(Vref)보다 높으면 전원 집적회로(IC501)에 공급되는 Vcc 전압을 차단할 수 있다.

즉, 전원 집적회로(IC501)는 피드백(Feedback)감지 단자 등을 통해 Vcc 전압을 안정적으로 출력할 수 있으나 구동 시간이 증가할수록 자연적으로 보조권선의 Vcc 전압도 상승할 수 있다. 이에 따라, 전원 공급 장치는 집적회로 보호부(200)를 구성하여 상승된 Vcc 전압이 구동 집적회로(Driver Integrated Circuit, Driver IC)에 공급되는 것을 방지할 수 있다.

이러한 집적회로 보호부(200)는 전압 미분부(210), 역전류 방지부(220), 전압 분배부(230), 전압 비교부(240), 및 스위칭부(250)를 포함하여 구성될 수 있다.

먼저, 전압 미분부(210)는 Vcc 전압을 제1 저항(R1) 및 커패시터(C1)를 통해 변화시킬 수 있다. 이러한 전압 미분부(210)는 제1 저항(R1)과 커패시터(C1)를 포함하여 구성될 수 있다. Vcc1 단자(300)를 통해 기준 전압(Vref)보다 높은 Vcc 전압이 전압 미분부(210)로 공급되면, 전압 미분부(210)의 제1 저항(R1) 및 커패시터(C1)를 통하여 변화된 기울기만큼 1/RC의 Vcc 전압을 가질 수 있다.

전압 분배부(220)는 전압 미분부(210)를 통해 변화된 Vcc 전압을 분배할 수 있다. 즉, 전압 분배부(220)를 통해 분배된 Vcc 전압은 TLL의 전압 범위를 만족시킬 수 있는 내에 포함되어야 한다.

역전류 방지부(230)는 전압 미분부(210)를 통해 변화된 Vcc 전압이 역방향으로 공급되는 것을 방지할 수 있다. 이때, 역전류 방지부(230)는 전압 미분부(210) 와 전압 분배부(220) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 역전류 방지부(230)는 다이오드 소자(D1)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 다이오드 소자(D1)의 애노드(Anode) 단자는 전압 미분부(210)와 전기적으로 연결되고, 캐소드 단자(Cathode)는 전압 분배부(220)와 전기적으로 연결될 수 있다.

전압 비교부(240)는 전압 분배부(230)를 통해 분배된 Vcc 전압을 공급받아 하이 레벨(High Level)을 출력할 수 있다. 즉, TLL의 전압 범위를 만족시킨 분배된 Vcc 전압을 공급받아 하이 레벨(High Level, 5V)을 출력할 수 있다. 이때, 전압 비교부(240)는 AND 게이트(Gate)의 로직(Logic)을 사용하면 보다 정확한 하이 레벨(High Level, 5V)을 출력할 수 있다.

스위칭부(250,Q1)는 전압 비교부(240)를 통해 출력된 하이 레벨(High Level)에 의해 턴 온(Turn on)할 수 있다. 즉, 전압 비교부(240)에서 출력된 하이 레벨(High Level, 5V)을 스위칭부(250,Q1)에 공급됨으로써, 스위칭부(250,Q1)가 턴 온(Turn on) 동작을 할 수 있다. 이때, 스위칭부(250,Q1)는 바이폴라 정션 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor; BJT) 또는 모스 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; MOSFET)로 용이하게 구성될 수 있다.

베이스 단자(Base) 또는 게이트 단자(Gate)를 통해 하이 레벨(High Level, 5V)를 공급받은 스위칭부(250,Q1)가 동작을 하면, 스위칭부(250,Q1)가 동작에 의해 멀티 입력 단자(Multi_input, 400)를 싱크(sink)할 수 있다. 이에 따라, 전원 집적회로(IC501)에 공급되는 Vcc 전압을 강제적으로 중단할 수 있다. 즉, 전원 집적회로(IC501)에 공급되는 Vcc 전압을 강제적으로 중단함에 따라, Vcc 전압이 기준 전 압(Vref)이상으로 상승되는 것을 방지할 수 있다.

이와 같이, Vcc 전압이 기준 전압(Vref)이상으로 상승되는 것을 방지함으로써, 구동 집적회로(Driver IC)를 보호할 수 있다.

이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시 예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다.

오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.

따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.

도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 전원 공급 장치의 회로를 설명하기 위한 것이다.

도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 집적회로 보호부를 설명하기 위한 것이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>

100: 집적회로 전원 공급부 200: 집적회로 보호부

210: 전압 미분부 220: 역전류 방지부

230: 전압 분배부 240: 전압 비교부

250: 스위칭부

Claims

초기 전원 전압을 공급받아 전원 집적회로를 동작하고, 상기 전원 집적회로를 통해 만들어진 Vcc 전압을 상기 초기 전원 전압 대신 상기 전원 집적회로에 공급하여 적어도 하나의 구동 집적회로를 구동하는 집적회로 전원 공급부;와

상기 전원 집적회로에 공급되는 상기 Vcc 전압을 기준 전압과 비교하여 상기 Vcc 전압이 상기 기준 전압보다 높으면 상기 전원 집적회로에 공급되는 상기 Vcc 전압을 차단하는 집적회로 보호부;를 포함하고

상기 집적회로 보호부는

상기 기준 전압보다 높은 상기 Vcc 전압을 제1 저항 및 커패시터를 통해 변화시키는 전압 미분부;

상기 전압 미분부를 통해 변화된 상기 Vcc 전압을 분배하는 전압 분배부;

상기 전압 분배부를 통해 분배된 상기 Vcc 전압을 공급받아 하이 레벨을 출력하는 전압 비교부; 및

상기 전압 비교부를 통해 출력된 상기 하이 레벨에 의해 턴 온하는 스위칭부를 포함하는 전원 공급 장치.
삭제
제1 항에 있어서,

상기 전압 미분부를 통해 변화된 상기 Vcc 전압이 역방향으로 공급되는 것을 방지하는 역전류 방지부를 포함하는 전원 공급 장치.
제3 항에 있어서,

상기 역전류 방지부는 상기 전압 미분부와 상기 전압 분배부 사이에 배치되는 전원 공급 장치.
제4 항에 있어서,

상기 역전류 방지부는 다이오드 소자를 포함하는 전원 공급 장치.
제1 항에 있어서,

상기 스위칭부는 바이폴라 정션 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor; BJT) 를 포함하는 전원 공급 장치.
제1 항에 있어서,

상기 스위칭부는 모스 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; MOSFET) 를 포함하는 전원 공급 장치.