JPH09219480A - 樹脂モールド型半導体装置 - Google Patents
樹脂モールド型半導体装置Info
- Publication number
- JPH09219480A JPH09219480A JP32682096A JP32682096A JPH09219480A JP H09219480 A JPH09219480 A JP H09219480A JP 32682096 A JP32682096 A JP 32682096A JP 32682096 A JP32682096 A JP 32682096A JP H09219480 A JPH09219480 A JP H09219480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- dowel
- area
- semiconductor device
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
Abstract
(57)【要約】
【課題】樹脂モールド型半導体装置のサージ電流耐量の
向上と低コスト化が図れるリードフレーム構造を提供す
る。 【解決手段】リードフレーム１に搭載台であるダボ２を
形成し、両ダボ２に半導体チップ３の両面の電極６がそ
れぞれはんだ４で固着される。また、ダボ２の形状は半
導体チップ３の電極と略相似形の四角形とする。このダ
ボの面積を半導体チップの電極の面積に対して８０％以
上とし、ダボの高さを少なくとも０．１５ｍｍとする。
向上と低コスト化が図れるリードフレーム構造を提供す
る。 【解決手段】リードフレーム１に搭載台であるダボ２を
形成し、両ダボ２に半導体チップ３の両面の電極６がそ
れぞれはんだ４で固着される。また、ダボ２の形状は半
導体チップ３の電極と略相似形の四角形とする。このダ
ボの面積を半導体チップの電極の面積に対して８０％以
上とし、ダボの高さを少なくとも０．１５ｍｍとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、表面実装型ダイ
オードやサージアブソーバなどの樹脂モールド型半導体
装置に関する。
オードやサージアブソーバなどの樹脂モールド型半導体
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の樹脂モールド型の半導体装
置の構成図で、同図（ａ）は要部断面図、同図（ｂ）は
リードフレームの要部平面図である。図４において、リ
ードフレーム１は、プレーナ型の半導体チップ３の電極
と固着し、半導体チップ３の表面保護膜とは接触しない
大きさのダボ２という半導体チップ３を固着する搭載台
を有する。そして、リードフレーム１は半導体チップ３
とはんだ箔を挟み、図示されないカーボン治具に組み込
まれて、コンベア炉にてはんだ付けされる。その後、モ
ールド樹脂５で樹脂封止して、樹脂モールド型の半導体
装置とする。近年、各種機器の電子化が進むにつれ、使
用部品の半導体化率が高まっている。これに伴い、機器
に使用されるＩＣ等の半導体部品をサージから保護する
要求も高まり、その保護部品としてのダイオードやサー
ジアブソーバ等の半導体装置にも高サージ電流耐量が要
求されている。また機器のコストダウンに対する要求も
強い。
置の構成図で、同図（ａ）は要部断面図、同図（ｂ）は
リードフレームの要部平面図である。図４において、リ
ードフレーム１は、プレーナ型の半導体チップ３の電極
と固着し、半導体チップ３の表面保護膜とは接触しない
大きさのダボ２という半導体チップ３を固着する搭載台
を有する。そして、リードフレーム１は半導体チップ３
とはんだ箔を挟み、図示されないカーボン治具に組み込
まれて、コンベア炉にてはんだ付けされる。その後、モ
ールド樹脂５で樹脂封止して、樹脂モールド型の半導体
装置とする。近年、各種機器の電子化が進むにつれ、使
用部品の半導体化率が高まっている。これに伴い、機器
に使用されるＩＣ等の半導体部品をサージから保護する
要求も高まり、その保護部品としてのダイオードやサー
ジアブソーバ等の半導体装置にも高サージ電流耐量が要
求されている。また機器のコストダウンに対する要求も
強い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、現状のリード
フレーム状の半導体装置では適用機器によってはサージ
電流耐量が十分ではなく、コストも顧客要求を必ずしも
満たしていない。この発明の目的は、前記の課題を解決
し、高サージ電流耐量の樹脂モールド型半導体装置を低
コストで実現できるリードフレームを提供することにあ
る。
フレーム状の半導体装置では適用機器によってはサージ
電流耐量が十分ではなく、コストも顧客要求を必ずしも
満たしていない。この発明の目的は、前記の課題を解決
し、高サージ電流耐量の樹脂モールド型半導体装置を低
コストで実現できるリードフレームを提供することにあ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、リードフレームに固着された半導体チップが樹脂
封止される樹脂モールド型半導体装置において、半導体
チップを搭載する搭載台（ダボという）をリードフレー
ムに設け、該搭載台の面積が半導体チップの電極の面積
に対して８０％以上とする。この搭載台の高さを少なく
とも０．１５ｍｍとするとよい。また搭載台の形状が半
導体チップの電極と相似形、すなわち略四角形とすると
効果的である。
めに、リードフレームに固着された半導体チップが樹脂
封止される樹脂モールド型半導体装置において、半導体
チップを搭載する搭載台（ダボという）をリードフレー
ムに設け、該搭載台の面積が半導体チップの電極の面積
に対して８０％以上とする。この搭載台の高さを少なく
とも０．１５ｍｍとするとよい。また搭載台の形状が半
導体チップの電極と相似形、すなわち略四角形とすると
効果的である。
【０００５】搭載台の面積を半導体チップの電極面積に
近づけ、形状も相似形とすることで、搭載台と半導体チ
ップの電極との固着面積を増やし、サージ電流耐量を向
上させる。また高さを所定の高さとすることで、はんだ
流れを防止し、組立て不良率の低減と特性劣化の防止を
図る。
近づけ、形状も相似形とすることで、搭載台と半導体チ
ップの電極との固着面積を増やし、サージ電流耐量を向
上させる。また高さを所定の高さとすることで、はんだ
流れを防止し、組立て不良率の低減と特性劣化の防止を
図る。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施例で、同
図（ａ）は要部断面図、同図（ｂ）はリードフレームの
要部平面図である。図１において、リードフレーム１に
搭載台であるダボ２を形成し、両ダボ２に半導体チップ
３の両面の電極６がそれぞれはんだ４で固着される。ま
たダボ２の形状は半導体チップ３の電極と相似形で略四
角形である。
図（ａ）は要部断面図、同図（ｂ）はリードフレームの
要部平面図である。図１において、リードフレーム１に
搭載台であるダボ２を形成し、両ダボ２に半導体チップ
３の両面の電極６がそれぞれはんだ４で固着される。ま
たダボ２の形状は半導体チップ３の電極と相似形で略四
角形である。
【０００７】図２はダボの面積とサージ電流耐量の関係
図である。横軸は半導体チップの電極の面積Ｓ0 に対す
るダボの面積Ｓ1 の比（Ｓ1 ／Ｓ0 ）を表している。半
導体チップの電極面積Ｓ0 に対するダボの面積Ｓ1 の比
（Ｓ1 ／Ｓ0 ）を増加させるとサージ電流耐量は増大
し、８０％以上で飽和に達するので、ダボの面積Ｓ1 を
半導体チップの電極の面積Ｓ0 に対して８０％以上とす
るとよい。
図である。横軸は半導体チップの電極の面積Ｓ0 に対す
るダボの面積Ｓ1 の比（Ｓ1 ／Ｓ0 ）を表している。半
導体チップの電極面積Ｓ0 に対するダボの面積Ｓ1 の比
（Ｓ1 ／Ｓ0 ）を増加させるとサージ電流耐量は増大
し、８０％以上で飽和に達するので、ダボの面積Ｓ1 を
半導体チップの電極の面積Ｓ0 に対して８０％以上とす
るとよい。
【０００８】図３はダボの高さと組立て不良率との関係
図である。ダボの高さＨを高くすると組立て不良率が低
減し、ダボの高さＨが０．１５ｍｍでほぼ不良率は零と
なる。従って、ダボの高さＨを少なくとも０．１５ｍｍ
とするとよい。
図である。ダボの高さＨを高くすると組立て不良率が低
減し、ダボの高さＨが０．１５ｍｍでほぼ不良率は零と
なる。従って、ダボの高さＨを少なくとも０．１５ｍｍ
とするとよい。
【０００９】
【発明の効果】この発明によれば、リードフレームのダ
ボの面積を半導体チップの電極の面積の８０％以上と
し、その形状を半導体チップと相似形とすることでサー
ジ電流耐量を向上させ、またダボの高さを少なくとも
０．１５ｍｍとすることで、組立て不良率をほぼ零に低
減でき、低コスト化を図ることができる。
ボの面積を半導体チップの電極の面積の８０％以上と
し、その形状を半導体チップと相似形とすることでサー
ジ電流耐量を向上させ、またダボの高さを少なくとも
０．１５ｍｍとすることで、組立て不良率をほぼ零に低
減でき、低コスト化を図ることができる。
【図１】この発明の一実施例で、（ａ）は要部断面図、
（ｂ）は要部平面図
（ｂ）は要部平面図
【図２】ダボ面積とサージ電流耐量の関係図
【図３】ダボの高さと組立て不良率との関係図
【図４】従来の樹脂モールド型の半導体装置の構成図
で、（ａ）は要部断面図、（ｂ）はリードフレームの要
部平面図
で、（ａ）は要部断面図、（ｂ）はリードフレームの要
部平面図
１ リードフレーム ２ ダボ ３ 半導体チップ ４ はんだ ５ モールド樹脂 ６ 半導体チップの電極 Ｓ0 半導体チップの電極の面積 Ｓ1 ダボの面積 Ｈ ダボの高さ
Claims (3)
- 【請求項１】リードフレームに固着された半導体チップ
が樹脂封止される樹脂モールド型半導体装置において、
半導体チップを搭載する搭載台をリードフレームに設
け、該搭載台の面積が半導体チップの電極の面積に対し
て８０％以上であることを特徴とする樹脂モールド型半
導体装置 - 【請求項２】搭載台の高さが少なくとも０．１５ｍｍで
あることを特徴とする請求項１記載の樹脂モールド型半
導体装置 - 【請求項３】搭載台の形状が半導体チップの電極と相似
形であることを特徴とする請求項１記載の樹脂モールド
型半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32682096A JPH09219480A (ja) | 1995-12-08 | 1996-12-06 | 樹脂モールド型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-319868 | 1995-12-08 | ||
| JP31986895 | 1995-12-08 | ||
| JP32682096A JPH09219480A (ja) | 1995-12-08 | 1996-12-06 | 樹脂モールド型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219480A true JPH09219480A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=26569858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32682096A Pending JPH09219480A (ja) | 1995-12-08 | 1996-12-06 | 樹脂モールド型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09219480A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011249395A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1996
- 1996-12-06 JP JP32682096A patent/JPH09219480A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011249395A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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