JPH07106470A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH07106470A JPH07106470A JP24288393A JP24288393A JPH07106470A JP H07106470 A JPH07106470 A JP H07106470A JP 24288393 A JP24288393 A JP 24288393A JP 24288393 A JP24288393 A JP 24288393A JP H07106470 A JPH07106470 A JP H07106470A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【目的】熱抵抗が低く、薄型化、小型化の制約を緩和し
得るアルミキャップ・パッケージ型の半導体装置を提供
する。 【構成】ほぼ正方形の平板状の天井部１１ａの周縁に脚
部１１ｂを有するアルミキャップ１１と、このアルミキ
ャップの内面側に接着された絶縁体１２と、この絶縁体
の表面に接着され、アルミキャップ天井部からアルミキ
ャップ脚部先端付近まで複数本設けられ、アウターリー
ド部１３ｂが実装対象となる印刷配線基板１５上の印刷
配線に電気的に接続される配線パターン１３と、表面側
にバンプ電極１０ａを有し、このバンプ電極が前記配線
パターンのインナーリード部１３ａにボンディング接合
された半導体チップ１０と、この半導体チップのバンプ
電極形成面およびバンプ電極とインナーリード部とのボ
ンディング接合部を封止する封止剤１４とを具備するこ
とを特徴とする。
得るアルミキャップ・パッケージ型の半導体装置を提供
する。 【構成】ほぼ正方形の平板状の天井部１１ａの周縁に脚
部１１ｂを有するアルミキャップ１１と、このアルミキ
ャップの内面側に接着された絶縁体１２と、この絶縁体
の表面に接着され、アルミキャップ天井部からアルミキ
ャップ脚部先端付近まで複数本設けられ、アウターリー
ド部１３ｂが実装対象となる印刷配線基板１５上の印刷
配線に電気的に接続される配線パターン１３と、表面側
にバンプ電極１０ａを有し、このバンプ電極が前記配線
パターンのインナーリード部１３ａにボンディング接合
された半導体チップ１０と、この半導体チップのバンプ
電極形成面およびバンプ電極とインナーリード部とのボ
ンディング接合部を封止する封止剤１４とを具備するこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に係り、特
に表面実装型のアルミキャップ・パッケージ型の半導体
装置の構造に関する。
に表面実装型のアルミキャップ・パッケージ型の半導体
装置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の表面実装型パッケージに
は、プラスチック・パッケージとか、アルミキャップ・
パッケージなどがある。図５は、従来のプラスチック・
パッケージを有する半導体装置の断面構造の一例を示し
ている。
は、プラスチック・パッケージとか、アルミキャップ・
パッケージなどがある。図５は、従来のプラスチック・
パッケージを有する半導体装置の断面構造の一例を示し
ている。
【０００３】図５において、５０は半導体チップ、５１
は上記半導体チップ５０が固定されたリードフレームの
アイランド部（ベッド部）、５２はリードフレームのイ
ンナーリード部、５３はリードフレームのアウターリー
ド部（外部ピン）、５４は上記半導体チップ５０上のパ
ッド（図示せず）と前記インナーリード部５２とを電気
的に接続するボンディングワイヤーである。上記半導体
チップ５０、アイランド部５１、インナーリード部５２
およびボンディングワイヤー５４は、モールド成型され
た樹脂パッケージ５５により封止されている。
は上記半導体チップ５０が固定されたリードフレームの
アイランド部（ベッド部）、５２はリードフレームのイ
ンナーリード部、５３はリードフレームのアウターリー
ド部（外部ピン）、５４は上記半導体チップ５０上のパ
ッド（図示せず）と前記インナーリード部５２とを電気
的に接続するボンディングワイヤーである。上記半導体
チップ５０、アイランド部５１、インナーリード部５２
およびボンディングワイヤー５４は、モールド成型され
た樹脂パッケージ５５により封止されている。
【０００４】上記半導体装置を印刷配線基板５６上に実
装する際、前記樹脂パッケージ５５の外部に突出したア
ウターリード部（外部ピン）５３が前記印刷配線基板５
６上の印刷配線（図示せず）に例えば半田付けされる。
装する際、前記樹脂パッケージ５５の外部に突出したア
ウターリード部（外部ピン）５３が前記印刷配線基板５
６上の印刷配線（図示せず）に例えば半田付けされる。
【０００５】上記半導体装置は、その熱抵抗を低くする
ために、樹脂パッケージ５５上面にフィン（図示せず）
を付けたり、リードフレームのアイランド部５１にスタ
ッド（図示せず）を設けることが有効である。
ために、樹脂パッケージ５５上面にフィン（図示せず）
を付けたり、リードフレームのアイランド部５１にスタ
ッド（図示せず）を設けることが有効である。
【０００６】しかし、これに伴い、半導体装置の薄型化
が制限される。また、ボンディングワイヤー５４の側面
形状がループ状になっているので、そのループ高さが半
導体装置の薄型化を制限する要因になっている。
が制限される。また、ボンディングワイヤー５４の側面
形状がループ状になっているので、そのループ高さが半
導体装置の薄型化を制限する要因になっている。
【０００７】図６は、従来のアルミキャップ・パッケー
ジを有する半導体装置の断面構造の一例を示しており、
その上面図を図７に示している。図６、図７において、
６０は半導体チップ、６１はほぼ正方形の上面を有する
アルミキャップであり、その内面側に絶縁体６２を介し
てリードフレームが形成されている。６４はリードフレ
ームのインナーリード部、６５はリードフレームのアウ
ターリード部（外部ピン）、６６は前記半導体チップ６
０上のパッド（図示せず）と前記インナーリード部６４
とを電気的に接続するボンディングワイヤーである。上
記半導体チップ６０、アイランド部６３、インナーリー
ド部６４およびボンディングワイヤー６６は、前記アル
ミキャップ６１の裏面側の一部に注入された封止樹脂６
７により封止されている。
ジを有する半導体装置の断面構造の一例を示しており、
その上面図を図７に示している。図６、図７において、
６０は半導体チップ、６１はほぼ正方形の上面を有する
アルミキャップであり、その内面側に絶縁体６２を介し
てリードフレームが形成されている。６４はリードフレ
ームのインナーリード部、６５はリードフレームのアウ
ターリード部（外部ピン）、６６は前記半導体チップ６
０上のパッド（図示せず）と前記インナーリード部６４
とを電気的に接続するボンディングワイヤーである。上
記半導体チップ６０、アイランド部６３、インナーリー
ド部６４およびボンディングワイヤー６６は、前記アル
ミキャップ６１の裏面側の一部に注入された封止樹脂６
７により封止されている。
【０００８】上記半導体装置を印刷配線基板６８上に実
装する際、前記封止樹脂６７の外部に突出したアウター
リード部６５が前記印刷配線基板６８上の印刷配線（図
示せず）に例えば半田付けされる。
装する際、前記封止樹脂６７の外部に突出したアウター
リード部６５が前記印刷配線基板６８上の印刷配線（図
示せず）に例えば半田付けされる。
【０００９】上記アルミキャップ・パッケージ型の半導
体装置は、熱伝導性が高いアルミキャップ６１の内面側
に絶縁体６２を介してリードフレームが設けられてお
り、半導体チップ６０からアルミキャップ６１までの熱
抵抗が低く、半導体チップ６０の発熱は、アルミキャッ
プ６１を介して熱伝導により印刷配線基板６８へ放熱さ
れる。
体装置は、熱伝導性が高いアルミキャップ６１の内面側
に絶縁体６２を介してリードフレームが設けられてお
り、半導体チップ６０からアルミキャップ６１までの熱
抵抗が低く、半導体チップ６０の発熱は、アルミキャッ
プ６１を介して熱伝導により印刷配線基板６８へ放熱さ
れる。
【００１０】しかし、上記半導体装置は、ボンディング
ワイヤー６６を用いているので、そのループ高さにより
薄型化が制限され、しかも、ボンディングワイヤー６６
の接続先であるリードフレームのインナーリード部６４
のリードの引き回しの都合上、小型化が制限される。
ワイヤー６６を用いているので、そのループ高さにより
薄型化が制限され、しかも、ボンディングワイヤー６６
の接続先であるリードフレームのインナーリード部６４
のリードの引き回しの都合上、小型化が制限される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
アルミキャップ・パッケージ型の半導体装置は、熱抵抗
は低いが、ボンディングワイヤーのループ高さにより薄
型化が制限され、ボンディングワイヤーの接続先である
リードフレームのインナーリード部のリードの引き回し
の都合上、小型化が制限されるという問題があった。
アルミキャップ・パッケージ型の半導体装置は、熱抵抗
は低いが、ボンディングワイヤーのループ高さにより薄
型化が制限され、ボンディングワイヤーの接続先である
リードフレームのインナーリード部のリードの引き回し
の都合上、小型化が制限されるという問題があった。
【００１２】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、熱抵抗が低く、薄型化、小型化の制約を緩和
し得るアルミキャップ・パッケージ型の半導体装置を提
供することを目的とする。
たもので、熱抵抗が低く、薄型化、小型化の制約を緩和
し得るアルミキャップ・パッケージ型の半導体装置を提
供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
ほぼ正方形の平板状の天井部の周縁に脚部を有するアル
ミキャップと、このアルミキャップの内面側に接着され
た絶縁体と、この絶縁体の表面に接着され、前記アルミ
キャップ天井部からアルミキャップ脚部裏面先端付近ま
で複数本設けられ、前記アルミキャップ脚部先端付近に
位置するアウターリード部が実装対象となる印刷配線実
装基板上の印刷配線に電気的に接続される配線パターン
と、表面側にバンプ電極を有し、このバンプ電極が前記
配線パターンのアルミキャップ天井部裏面に位置するイ
ンナーリード部にボンディング接合された半導体チップ
と、この半導体チップのバンプ電極形成面およびバンプ
電極とインナーリード部とのボンディング接合部を封止
する封止剤とを具備することを特徴とする。
ほぼ正方形の平板状の天井部の周縁に脚部を有するアル
ミキャップと、このアルミキャップの内面側に接着され
た絶縁体と、この絶縁体の表面に接着され、前記アルミ
キャップ天井部からアルミキャップ脚部裏面先端付近ま
で複数本設けられ、前記アルミキャップ脚部先端付近に
位置するアウターリード部が実装対象となる印刷配線実
装基板上の印刷配線に電気的に接続される配線パターン
と、表面側にバンプ電極を有し、このバンプ電極が前記
配線パターンのアルミキャップ天井部裏面に位置するイ
ンナーリード部にボンディング接合された半導体チップ
と、この半導体チップのバンプ電極形成面およびバンプ
電極とインナーリード部とのボンディング接合部を封止
する封止剤とを具備することを特徴とする。
【００１４】
【作用】熱伝導性が高いアルミキャップの内面側に絶縁
体を介して設けられた配線パターンのインナーリード部
に半導体チップのバンプ電極がボンディング接合され、
半導体チップのバンプ電極形成面およびバンプ電極とイ
ンナーリード部とのボンディング接合部が封止されてい
る構造を有する。
体を介して設けられた配線パターンのインナーリード部
に半導体チップのバンプ電極がボンディング接合され、
半導体チップのバンプ電極形成面およびバンプ電極とイ
ンナーリード部とのボンディング接合部が封止されてい
る構造を有する。
【００１５】この構造により、半導体チップからアルミ
キャップまでの熱抵抗が低いだけでなく、半導体チップ
の裏面（露出面）からの放熱が可能になっている。しか
も、インナーリード部と半導体チップのバンプ電極とが
ボンディング接合されている（ボンディングワイヤーを
用いていない）ので、半導体装置の薄型化、小型化の制
約が緩和される。
キャップまでの熱抵抗が低いだけでなく、半導体チップ
の裏面（露出面）からの放熱が可能になっている。しか
も、インナーリード部と半導体チップのバンプ電極とが
ボンディング接合されている（ボンディングワイヤーを
用いていない）ので、半導体装置の薄型化、小型化の制
約が緩和される。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明の第１実施例に係るアルミ
キャップ・パッケージ型の半導体装置の断面構造を概略
的に示している。
に説明する。図１は、本発明の第１実施例に係るアルミ
キャップ・パッケージ型の半導体装置の断面構造を概略
的に示している。
【００１７】図２は、図１の半導体装置を上面から見た
状態の一例を示している。図１、図２において、アルミ
キャップ１１は、ほぼ正方形の平板状の天井部１１ａ
と、この天井部の周縁に一体的に形成された脚部１１ｂ
と、上記天井部の中心部に貫通穴１１ｃを有し、例えば
１枚のアルミニウム板の周縁部を絞り込むことにより形
成される。
状態の一例を示している。図１、図２において、アルミ
キャップ１１は、ほぼ正方形の平板状の天井部１１ａ
と、この天井部の周縁に一体的に形成された脚部１１ｂ
と、上記天井部の中心部に貫通穴１１ｃを有し、例えば
１枚のアルミニウム板の周縁部を絞り込むことにより形
成される。
【００１８】１２は上記アルミキャップ１１の内面（裏
面）側に接着された絶縁体である。配線パターン１３
は、上記絶縁体１２の表面に接着された状態で、アルミ
キャップ裏面の貫通穴周縁付近からアルミキャップ裏面
の脚部先端付近まで複数本が設けられている。この配線
パターン１３は、前記絶縁体１２上に接着された金属箔
がパターニングされて形成されている。
面）側に接着された絶縁体である。配線パターン１３
は、上記絶縁体１２の表面に接着された状態で、アルミ
キャップ裏面の貫通穴周縁付近からアルミキャップ裏面
の脚部先端付近まで複数本が設けられている。この配線
パターン１３は、前記絶縁体１２上に接着された金属箔
がパターニングされて形成されている。
【００１９】半導体チップ１０は、表面側にバンプ電極
１０ａを有し、このバンプ電極１０ａが前記配線パター
ン１３のアルミキャップ裏面の貫通穴周縁付近に位置す
るインナーリード部１３ａにボンディング接合されてい
る。この場合、半導体チップ１０のバンプ電極が形成さ
れていない裏面が、前記配線パターン１３のアウターリ
ード部１３ｂと後述する印刷配線基板との接触部が存在
する水平面と同一面上あるいはそれよりアルミキャップ
天井部側に存在するように、前記アルミキャップ１１の
脚部１１ｂの高さが設定されている。
１０ａを有し、このバンプ電極１０ａが前記配線パター
ン１３のアルミキャップ裏面の貫通穴周縁付近に位置す
るインナーリード部１３ａにボンディング接合されてい
る。この場合、半導体チップ１０のバンプ電極が形成さ
れていない裏面が、前記配線パターン１３のアウターリ
ード部１３ｂと後述する印刷配線基板との接触部が存在
する水平面と同一面上あるいはそれよりアルミキャップ
天井部側に存在するように、前記アルミキャップ１１の
脚部１１ｂの高さが設定されている。
【００２０】１４は前記半導体チップ１０のバンプ電極
形成面および前記バンプ電極１０ａと前記インナーリー
ド部１３ａとのボンディング接合部を封止している封止
剤である。この封止剤１４は、例えば前記アルミキャッ
プ１１の表面側から前記貫通穴１１ｃ内に液状樹脂が注
入されることにより形成されており、上記貫通穴１１ｃ
の内部の少なくとも一部に前記封止剤１４の一部が存在
する。
形成面および前記バンプ電極１０ａと前記インナーリー
ド部１３ａとのボンディング接合部を封止している封止
剤である。この封止剤１４は、例えば前記アルミキャッ
プ１１の表面側から前記貫通穴１１ｃ内に液状樹脂が注
入されることにより形成されており、上記貫通穴１１ｃ
の内部の少なくとも一部に前記封止剤１４の一部が存在
する。
【００２１】なお、上記封止剤１４は、アルミキャップ
裏面側から液状樹脂が注入されることによって形成され
てもよい。上記構成の半導体装置が印刷配線基板１５上
に実装される際は、配線パターン１３のアルミキャップ
裏面脚部先端付近に位置するアウターリード部１３ｂが
配線基板１５上の印刷配線（図示せず）に例えば半田付
けされる。
裏面側から液状樹脂が注入されることによって形成され
てもよい。上記構成の半導体装置が印刷配線基板１５上
に実装される際は、配線パターン１３のアルミキャップ
裏面脚部先端付近に位置するアウターリード部１３ｂが
配線基板１５上の印刷配線（図示せず）に例えば半田付
けされる。
【００２２】なお、上記実装に際して、半導体装置の位
置合わせを容易にするために、前記アルミキャップ１１
の脚部１１ｂの一部に位置決めのための目印（穴１１ｄ
など）を設けておくようにしてもよい。
置合わせを容易にするために、前記アルミキャップ１１
の脚部１１ｂの一部に位置決めのための目印（穴１１ｄ
など）を設けておくようにしてもよい。
【００２３】上記第１実施例の半導体装置は、熱伝導性
が高いアルミキャップ１１の内面側に絶縁体１２を介し
て設けられた配線パターン１３のインナーリード部１３
ａに半導体チップ１０のバンプ電極１０ａがボンディン
グ接合され、半導体チップ１０のバンプ電極形成面およ
びバンプ電極１０ａとインナーリード部１３ａとのボン
ディング接合部が封止されている構造を有する。
が高いアルミキャップ１１の内面側に絶縁体１２を介し
て設けられた配線パターン１３のインナーリード部１３
ａに半導体チップ１０のバンプ電極１０ａがボンディン
グ接合され、半導体チップ１０のバンプ電極形成面およ
びバンプ電極１０ａとインナーリード部１３ａとのボン
ディング接合部が封止されている構造を有する。
【００２４】この構造により、半導体チップ１０からア
ルミキャップ１１までの熱抵抗が低いだけでなく、半導
体チップ１０の露出した裏面からの放熱が可能になって
いる。この場合、熱伝導性が高い封止剤１４を使用する
ことにより、上記熱抵抗を一層低下させることが可能に
なる。
ルミキャップ１１までの熱抵抗が低いだけでなく、半導
体チップ１０の露出した裏面からの放熱が可能になって
いる。この場合、熱伝導性が高い封止剤１４を使用する
ことにより、上記熱抵抗を一層低下させることが可能に
なる。
【００２５】しかも、インナーリード部１３ａと半導体
チップ１０のバンプ電極１０ａとが直接にボンディング
接合されている（ボンディングワイヤーを用いていな
い）ので、半導体装置の薄型化、小型化の制約が緩和さ
れる。
チップ１０のバンプ電極１０ａとが直接にボンディング
接合されている（ボンディングワイヤーを用いていな
い）ので、半導体装置の薄型化、小型化の制約が緩和さ
れる。
【００２６】この場合、半導体チップ１０の裏面が、配
線パターン１３のアウターリード部１３ｂが存在する水
平面と同一面上あるいはそれよりアルミキャップ天井部
側に存在するようにアルミキャップ１１の脚部１１ｂの
高さを設定しておくことにより、一層の薄型化を図るこ
とが可能になる。
線パターン１３のアウターリード部１３ｂが存在する水
平面と同一面上あるいはそれよりアルミキャップ天井部
側に存在するようにアルミキャップ１１の脚部１１ｂの
高さを設定しておくことにより、一層の薄型化を図るこ
とが可能になる。
【００２７】図３は、本発明の第２実施例に係るアルミ
キャップ・パッケージ型の半導体装置を上面から見た状
態の一例を示している。この半導体装置で使用されてい
るアルミキャップ３１は、１枚のアルミニウム板の４隅
が切り欠かれ、天井部３１ａの４辺が折り曲げられて４
個の脚部３１ｂが独立に形成されている。この構造によ
り、脚部裏面先端付近のアウターリード部と印刷配線基
板との接合性が向上する。
キャップ・パッケージ型の半導体装置を上面から見た状
態の一例を示している。この半導体装置で使用されてい
るアルミキャップ３１は、１枚のアルミニウム板の４隅
が切り欠かれ、天井部３１ａの４辺が折り曲げられて４
個の脚部３１ｂが独立に形成されている。この構造によ
り、脚部裏面先端付近のアウターリード部と印刷配線基
板との接合性が向上する。
【００２８】図４は、本発明の第３実施例に係るアルミ
キャップ・パッケージ型の半導体装置の断面構造を概略
的に示している。この半導体装置で使用されているアル
ミキャップ４１は、図１に示した半導体装置で使用され
ているアルミキャップ１１と比べて、アウターリード部
４１ｂと印刷配線基板１５との接合性を向上させるため
に脚部先端がＪ型になるように成形されている点が異な
り、その他は同じであるので図１中と同一符号を付して
いる。
キャップ・パッケージ型の半導体装置の断面構造を概略
的に示している。この半導体装置で使用されているアル
ミキャップ４１は、図１に示した半導体装置で使用され
ているアルミキャップ１１と比べて、アウターリード部
４１ｂと印刷配線基板１５との接合性を向上させるため
に脚部先端がＪ型になるように成形されている点が異な
り、その他は同じであるので図１中と同一符号を付して
いる。
【００２９】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、熱抵抗
が低く、薄型化、小型化の制約を緩和し得るアルミキャ
ップ・パッケージ型の半導体装置を実現することができ
る。
が低く、薄型化、小型化の制約を緩和し得るアルミキャ
ップ・パッケージ型の半導体装置を実現することができ
る。
【図１】本発明の第１実施例に係るアルミキャップ・パ
ッケージ型の半導体装置の構造を概略的に示す断面図。
ッケージ型の半導体装置の構造を概略的に示す断面図。
【図２】図１の半導体装置を上面から見た状態の一例を
示す平面図。
示す平面図。
【図３】本発明の第２実施例に係るアルミキャップ・パ
ッケージ型の半導体装置を上面から見た状態の一例を示
す平面図。
ッケージ型の半導体装置を上面から見た状態の一例を示
す平面図。
【図４】本発明の第３実施例に係るアルミキャップ・パ
ッケージ型の半導体装置の構造を概略的に示す断面図。
ッケージ型の半導体装置の構造を概略的に示す断面図。
【図５】従来のプラスチック・パッケージを有する半導
体装置の断面構造の一例を概略的に示す断面図。
体装置の断面構造の一例を概略的に示す断面図。
【図６】従来のアルミキャップ・パッケージ型の半導体
装置の構造を概略的に示す断面図。
装置の構造を概略的に示す断面図。
【図７】図６の半導体装置を上面から見た平面図。
１０…半導体チップ、１０ａ…バンプ電極、１１、３
１、４１…アルミキャップ、１１ａ、３１ａ…天井部、
１１ｂ、３１ｂ、４１ｂ…脚部、１１ｃ…貫通穴、１２
…絶縁体、１３…配線パターン、１３ａ…インナーリー
ド部、１３ｂ…アウターリード部、１４…封止剤、１５
…印刷配線基板。
１、４１…アルミキャップ、１１ａ、３１ａ…天井部、
１１ｂ、３１ｂ、４１ｂ…脚部、１１ｃ…貫通穴、１２
…絶縁体、１３…配線パターン、１３ａ…インナーリー
ド部、１３ｂ…アウターリード部、１４…封止剤、１５
…印刷配線基板。
Claims (3)
- 【請求項１】 ほぼ正方形の平板状の天井部の周縁に脚
部を有するアルミキャップと、 このアルミキャップの内面側に接着された絶縁体と、 この絶縁体の表面に接着され、アルミキャップ天井部付
近からアルミキャップ脚部先端付近まで複数本設けら
れ、アルミキャップ脚部裏面先端付近に位置するアウタ
ーリード部が実装対象となる印刷配線基板上の印刷配線
に電気的に接続される配線パターンと、 表面側にバンプ電極を有し、このバンプ電極が前記配線
パターンのアルミキャップ天井部裏面に位置するインナ
ーリード部にボンディング接合された半導体チップと、 この半導体チップのバンプ電極形成面および前記バンプ
電極と前記インナーリード部とのボンディング接合部を
封止する封止剤とを具備することを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記アルミキャップは、前記半導体チップの裏面が前記
配線パターンのアウターリード部と前記印刷配線基板と
の接触部が存在する水平面と同一面上あるいはそれより
アルミキャップ天井部側に存在するように、その脚部の
高さが設定されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置にお
いて、 前記アルミキャップは、その天井部の中心部に貫通穴が
形成されており、この貫通穴の内部の少なくとも一部に
前記封止剤の一部が存在することを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24288393A JPH07106470A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24288393A JPH07106470A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106470A true JPH07106470A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17095655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24288393A Pending JPH07106470A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07106470A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100256293B1 (ko) * | 1995-11-07 | 2000-05-15 | 모기 쥰이찌 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| CN100336217C (zh) * | 2002-08-30 | 2007-09-05 | 松下电器产业株式会社 | 树脂密封型半导体器件及其制造方法 |
| JP2008517459A (ja) * | 2004-10-14 | 2008-05-22 | アギア システムズ インコーポレーテッド | 熱エネルギー放散を改善したプリント回路板組立体 |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP24288393A patent/JPH07106470A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100256293B1 (ko) * | 1995-11-07 | 2000-05-15 | 모기 쥰이찌 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| CN100336217C (zh) * | 2002-08-30 | 2007-09-05 | 松下电器产业株式会社 | 树脂密封型半导体器件及其制造方法 |
| JP2008517459A (ja) * | 2004-10-14 | 2008-05-22 | アギア システムズ インコーポレーテッド | 熱エネルギー放散を改善したプリント回路板組立体 |
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