JPS6272147A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関する。
従来、電源整流用等に使用されるブリッジ構造の樹脂封
止型半導体装置は、例えば第3図に示すような構造を有
している。図中1はダイステージである。ダイステージ
1のペレットマクント部2には、半田層3を介してダイ
オードペレット4がN側電極5を接触するようにして装
着されている。ダイオードペレットイのP側電極6は、
半田層7を介してコネクター部80所定領域に固着され
ている。また、ダイステージ1の他方のベレットマクン
ト部9には、半田層10を介して他のダイオードペレッ
ト11がP側電極12を接触するようにして装着されて
いる0ダイオードベレツト11のN側電極13は、半田
層14を介してコネクター部8の所定領域に固着されて
いる。
止型半導体装置は、例えば第3図に示すような構造を有
している。図中1はダイステージである。ダイステージ
1のペレットマクント部2には、半田層3を介してダイ
オードペレット4がN側電極5を接触するようにして装
着されている。ダイオードペレットイのP側電極6は、
半田層7を介してコネクター部80所定領域に固着され
ている。また、ダイステージ1の他方のベレットマクン
ト部9には、半田層10を介して他のダイオードペレッ
ト11がP側電極12を接触するようにして装着されて
いる0ダイオードベレツト11のN側電極13は、半田
層14を介してコネクター部8の所定領域に固着されて
いる。
このような樹脂封止型半導体装置2−0の場合、N側電
極5.13の方がP側電極6.12よりも小さい。この
ため熱サイクルテストや熱i撃テスト等の際にダイステ
ージ1.半田層3゜to、v、z4、ダイオードペレッ
ト4.1ノ、コネクター部8が異なる熱膨張差で形状変
化を起こすと、ダイオードペレット4.11に加わる応
力のバランスが崩れ、ダイオードペレット4.11の中
心部に向う横方向のクラック15が発生したり、或はダ
イオードペレット4゜11の壬直方向にクラック16が
発生する。また、ダイステージ1及びコネクター部8は
平坦な表面を有しているため、半田マウントの際に流出
した半田層17があると、電圧を印加した場合洩れ電流
が非常に大きくなり、逆電圧阻止効力が低下する。この
問題を解消するためにダイステージ1とコネクター部8
との間隔を大きくすることが考えられるが、後の工程で
ダイステージ1とコネクター部8間に介在させる樹脂の
量が多くなり、この封止樹脂の縮みによってダイオード
ペレット4,11にクランクが発生する問題があった。
極5.13の方がP側電極6.12よりも小さい。この
ため熱サイクルテストや熱i撃テスト等の際にダイステ
ージ1.半田層3゜to、v、z4、ダイオードペレッ
ト4.1ノ、コネクター部8が異なる熱膨張差で形状変
化を起こすと、ダイオードペレット4.11に加わる応
力のバランスが崩れ、ダイオードペレット4.11の中
心部に向う横方向のクラック15が発生したり、或はダ
イオードペレット4゜11の壬直方向にクラック16が
発生する。また、ダイステージ1及びコネクター部8は
平坦な表面を有しているため、半田マウントの際に流出
した半田層17があると、電圧を印加した場合洩れ電流
が非常に大きくなり、逆電圧阻止効力が低下する。この
問題を解消するためにダイステージ1とコネクター部8
との間隔を大きくすることが考えられるが、後の工程で
ダイステージ1とコネクター部8間に介在させる樹脂の
量が多くなり、この封止樹脂の縮みによってダイオード
ペレット4,11にクランクが発生する問題があった。
本発明はペレットのクラック発生を防止し、かつ、逆電
圧阻止作用を高めると共に、耐湿性の向上を図った樹脂
封止型半導体装置を提供することをその目的とするもの
である。
圧阻止作用を高めると共に、耐湿性の向上を図った樹脂
封止型半導体装置を提供することをその目的とするもの
である。
本発明は、ダイオードペレットのP側電極とN側電極を
同一形状で相対応して形成し、これらの電極に略同形状
のエンボス突起部を半田層を介して接続させることによ
り、エンボス突起部を形成したダイステージとコネクタ
ー部でダイオードペレットを挾持すると共に、ダイオー
ドペレットの側面部をエンキャップ樹脂で封止したこと
Kより、ペレットのクラック発生を防止し、かつ、逆電
圧阻止作用を高めると共に、耐湿性の向上を図った樹脂
封止型半導体装置である0 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第1図は本発明の一実施例の概略構成を示す説明図で
ある。図中31は、ダイステージである。ダイステージ
31の夫々のペレットマウント部33.34には、装着
するダイオードペレット35.36のN側電極37゜3
8又はP側電極39.40と略同形状のエンボス突起部
41.42が設けられている。ここで、夫々のダイオー
ドペレット35.36のN側電極37,311とP側電
極39.40は同形状で、かつ相対応して形成されてい
る。これらのN側電極37.38或はP側電極39.4
0のパターンとしては、例えば第2図(5)に示すよう
に正方形のもの43でも良いし、或は同図中)に示すよ
うに円形のもの44としても良い。これらの電極37・
・・40は、例えばAu 、 Nl 、 V等の金属を
蒸着することにより容易に形成することができる。一方
のベレットマウント部33には、エンボス突起部41に
半田層45を介してダイオードペレット35のN側電極
37が装着されている。ま九、そのP側電極39は、半
田層46を介してコネクター部47のエンボス突起部4
8に装着されている。このエンボス突起部48もP側電
極39と略同形状に形成されている。ダイオードペレッ
ト35の周側面は、エンキャップ樹脂層49で封止され
ている。他方のベレットマウント部34には、エンボス
突起部42に半田層50を介してダイオードペレット3
60P側電極40が装着されている。また、そのN側電
極38は、半田層5ノを介してコネクター部47のエン
ボス突起部52に装着されている。このエンボス突起部
52もN側電極38と略同形状に形成されている。ダイ
オードペレット36の周側面はエンキャップ樹脂層53
で封止されている。
同一形状で相対応して形成し、これらの電極に略同形状
のエンボス突起部を半田層を介して接続させることによ
り、エンボス突起部を形成したダイステージとコネクタ
ー部でダイオードペレットを挾持すると共に、ダイオー
ドペレットの側面部をエンキャップ樹脂で封止したこと
Kより、ペレットのクラック発生を防止し、かつ、逆電
圧阻止作用を高めると共に、耐湿性の向上を図った樹脂
封止型半導体装置である0 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第1図は本発明の一実施例の概略構成を示す説明図で
ある。図中31は、ダイステージである。ダイステージ
31の夫々のペレットマウント部33.34には、装着
するダイオードペレット35.36のN側電極37゜3
8又はP側電極39.40と略同形状のエンボス突起部
41.42が設けられている。ここで、夫々のダイオー
ドペレット35.36のN側電極37,311とP側電
極39.40は同形状で、かつ相対応して形成されてい
る。これらのN側電極37.38或はP側電極39.4
0のパターンとしては、例えば第2図(5)に示すよう
に正方形のもの43でも良いし、或は同図中)に示すよ
うに円形のもの44としても良い。これらの電極37・
・・40は、例えばAu 、 Nl 、 V等の金属を
蒸着することにより容易に形成することができる。一方
のベレットマウント部33には、エンボス突起部41に
半田層45を介してダイオードペレット35のN側電極
37が装着されている。ま九、そのP側電極39は、半
田層46を介してコネクター部47のエンボス突起部4
8に装着されている。このエンボス突起部48もP側電
極39と略同形状に形成されている。ダイオードペレッ
ト35の周側面は、エンキャップ樹脂層49で封止され
ている。他方のベレットマウント部34には、エンボス
突起部42に半田層50を介してダイオードペレット3
60P側電極40が装着されている。また、そのN側電
極38は、半田層5ノを介してコネクター部47のエン
ボス突起部52に装着されている。このエンボス突起部
52もN側電極38と略同形状に形成されている。ダイ
オードペレット36の周側面はエンキャップ樹脂層53
で封止されている。
このように構成された樹脂封止型半導体装置60によれ
ば、N側電極37.38とP側電極39.40、エンボ
ス突起部41.42.48゜52の夫々が略同−形状に
して相対応して設けられているので、熱歪等による応力
が発生してもダイオードペレット35.36に均一に分
散した状態で伝達することができるので、ダイオードペ
レット35.36のクラック発生を防止することができ
る。
ば、N側電極37.38とP側電極39.40、エンボ
ス突起部41.42.48゜52の夫々が略同−形状に
して相対応して設けられているので、熱歪等による応力
が発生してもダイオードペレット35.36に均一に分
散した状態で伝達することができるので、ダイオードペ
レット35.36のクラック発生を防止することができ
る。
また、エンボス突起部41,42.48゜52が設けら
れるのでダイステージ31とコネクター部47の間隔を
大きくすることができる。
れるのでダイステージ31とコネクター部47の間隔を
大きくすることができる。
その結果、半田層45.46,50.51は、ぬれ性の
良い1jL極37・・・40部周辺領域にのみ形成され
、半田の流出を防止して洩れ電流を小さくし、逆電圧阻
止作用を高めることができる。
良い1jL極37・・・40部周辺領域にのみ形成され
、半田の流出を防止して洩れ電流を小さくし、逆電圧阻
止作用を高めることができる。
しかも、ダイオードペレット35.36の周辺部にはエ
ンキャンプ樹脂層49.53が設けられているので、ダ
イステージ31とコネクター部47の間隔が大きくなっ
ても外部モールド樹脂の量を増大させること々く、外部
モールド樹脂の収縮によるダイオードペレット35.3
6のクラック発生を防止することができる。更に、エン
キャップ樹脂層49.53が設けられているので耐湿性
を向上させることができる。
ンキャンプ樹脂層49.53が設けられているので、ダ
イステージ31とコネクター部47の間隔が大きくなっ
ても外部モールド樹脂の量を増大させること々く、外部
モールド樹脂の収縮によるダイオードペレット35.3
6のクラック発生を防止することができる。更に、エン
キャップ樹脂層49.53が設けられているので耐湿性
を向上させることができる。
以上説明した如く、本発明に係る樹脂封止型半導体装置
によれば、ペレットのクラック発生を防止し、かつ、逆
電圧阻止作用を高めると共に、耐湿性を向上させること
ができるものである0
によれば、ペレットのクラック発生を防止し、かつ、逆
電圧阻止作用を高めると共に、耐湿性を向上させること
ができるものである0
第1図は本発明の一実施例の概略構成を示す説明図、第
2図(5)、の)はP側電極又はN側電極の形状を示す
説明図、第3図は従来の樹脂封止製半導体装置の概略構
成を示す説明図である031・・・ダイステージ、33
.34・・・ベレットマクント部、35.36・・・ダ
イオードペレット、37.38・・・N’JJQ道甑、
39 、4o−P′fyJ電極、41.42・・・エン
ボス突起部、43・・・正方形の電他パターン、44・
・・円形の%L極パターン、45.46・・・半田層、
47・・・コネクター部、48・・・エンボス突起n、
49・・・エンキャップ樹脂層、50.51・・・半田
層、52・・・エンボス突起部、53・・・エンキャッ
プ樹脂層、6−0・・・樹脂封止型半導体装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦特許庁長官
宇 賀 道 部 殿 1.事件の表示 特願昭60−212854号 2、発明の名称 樹脂封止型半導体装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出MA人 (307)株式会社 東芝 4、代理1人 5、自発補正 図面 ′\〜、パへ、。 7、補正の内容
2図(5)、の)はP側電極又はN側電極の形状を示す
説明図、第3図は従来の樹脂封止製半導体装置の概略構
成を示す説明図である031・・・ダイステージ、33
.34・・・ベレットマクント部、35.36・・・ダ
イオードペレット、37.38・・・N’JJQ道甑、
39 、4o−P′fyJ電極、41.42・・・エン
ボス突起部、43・・・正方形の電他パターン、44・
・・円形の%L極パターン、45.46・・・半田層、
47・・・コネクター部、48・・・エンボス突起n、
49・・・エンキャップ樹脂層、50.51・・・半田
層、52・・・エンボス突起部、53・・・エンキャッ
プ樹脂層、6−0・・・樹脂封止型半導体装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦特許庁長官
宇 賀 道 部 殿 1.事件の表示 特願昭60−212854号 2、発明の名称 樹脂封止型半導体装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出MA人 (307)株式会社 東芝 4、代理1人 5、自発補正 図面 ′\〜、パへ、。 7、補正の内容
Claims (1)
- P側及びN側の夫々の主面に相対応して形成された同一
形状のP側電極及びN側電極を有するダイオードペレッ
トと、該P側電極又は該N側電極にこれらと略同形状の
エンボス突起部を半田層を介して接続させたダイステー
ジと、該N側電極又は該P側電極にこれらと略同形状の
エンボス突起部を半田層を介して接続させたコネクター
部と、前記ダイオードペレットの側面部を封止するよう
にして前記ダイステージと前記コネクター部間に封着さ
れたエンキヤツプ樹脂層とを具備することを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60212854A JPS6272147A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60212854A JPS6272147A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6272147A true JPS6272147A (ja) | 1987-04-02 |
JPH0365020B2 JPH0365020B2 (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=16629414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60212854A Granted JPS6272147A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6272147A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2742925A1 (fr) * | 1995-12-26 | 1997-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteur du type comportant une monture destinee a evacuer la chaleur, et son procede de fabrication |
US5917245A (en) * | 1995-12-26 | 1999-06-29 | Mitsubishi Electric Corp. | Semiconductor device with brazing mount |
FR2879021A1 (fr) * | 2004-01-07 | 2006-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteur de puissance |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP60212854A patent/JPS6272147A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2742925A1 (fr) * | 1995-12-26 | 1997-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteur du type comportant une monture destinee a evacuer la chaleur, et son procede de fabrication |
US5917245A (en) * | 1995-12-26 | 1999-06-29 | Mitsubishi Electric Corp. | Semiconductor device with brazing mount |
FR2879021A1 (fr) * | 2004-01-07 | 2006-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif a semiconducteur de puissance |
US7535076B2 (en) | 2004-01-07 | 2009-05-19 | Alstom Transport Sa | Power semiconductor device |
US7859079B2 (en) | 2004-01-07 | 2010-12-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0365020B2 (ja) | 1991-10-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |