JPH09214210A - 非可逆回路素子 - Google Patents
非可逆回路素子Info
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- JPH09214210A JPH09214210A JP8313806A JP31380696A JPH09214210A JP H09214210 A JPH09214210 A JP H09214210A JP 8313806 A JP8313806 A JP 8313806A JP 31380696 A JP31380696 A JP 31380696A JP H09214210 A JPH09214210 A JP H09214210A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/032—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials
- H01F1/10—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites, e.g. [(Ba,Sr)O(Fe2O3)6] ferrites with hexagonal structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 直流磁界の平行度及び磁場分布を劣化させる
ことなく、軽量化，低コスト化に対応でき、また製造を
容易にできるとともに、磁場分布の強度劣化を回避でき
る非可逆回路素子を提供する。 【解決手段】 インダクタンス成分として機能する複数
本の電極ライン５ａ〜５ｃを電気的非接触状態でかつ所
定角度をなすように交差させて配置してなる中心電極部
５と、上記各電極ライン５ａ〜５ｃの入出ポートＰ１〜
Ｐ３に接続されるキャパシタ成分として機能する整合用
容量電極Ｃとをフェライト４に内蔵し、該フェライト４
の中心電極部５の交差部分に永久磁石３により直流磁界
を印加するようにしたサーキュレータ１（非可逆回路素
子）を構成する場合に、上記フェライト４の下面に該フ
ェライトより透磁率の高い磁性材料からなる磁性体部材
６を一体形成する。
ことなく、軽量化，低コスト化に対応でき、また製造を
容易にできるとともに、磁場分布の強度劣化を回避でき
る非可逆回路素子を提供する。 【解決手段】 インダクタンス成分として機能する複数
本の電極ライン５ａ〜５ｃを電気的非接触状態でかつ所
定角度をなすように交差させて配置してなる中心電極部
５と、上記各電極ライン５ａ〜５ｃの入出ポートＰ１〜
Ｐ３に接続されるキャパシタ成分として機能する整合用
容量電極Ｃとをフェライト４に内蔵し、該フェライト４
の中心電極部５の交差部分に永久磁石３により直流磁界
を印加するようにしたサーキュレータ１（非可逆回路素
子）を構成する場合に、上記フェライト４の下面に該フ
ェライトより透磁率の高い磁性材料からなる磁性体部材
６を一体形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯で使
用される非可逆回路素子、例えばアイソレータ，サーキ
ュレータに関する。
用される非可逆回路素子、例えばアイソレータ，サーキ
ュレータに関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波帯で採用される集中定数型ア
イソレータ，サーキュレータは、信号の伝送方向のみ通
過させ、逆方向への伝送を阻止する機能を有しており、
例えば携帯電話，自動車電話等の移動通信機器に採用さ
れている。このようなサーキュレータの一例として、従
来、図１５，図１６に示すものがある。このサーキュレ
ータ５０は、３本の中心電極５１ａ〜５１ｃ及び整合用
容量電極（図示せず）が内蔵されたフェライト５２の下
面に、上記各中心電極５１ａ〜５１ｃが接続される金属
端子５７をインサート成形してなる樹脂ブロック５３を
配置するとともに、フェライト部材５２の上面に永久磁
石５４を配置し、これらを金属製上ケース５５，下ケー
ス５６内に収納して構成されている。
イソレータ，サーキュレータは、信号の伝送方向のみ通
過させ、逆方向への伝送を阻止する機能を有しており、
例えば携帯電話，自動車電話等の移動通信機器に採用さ
れている。このようなサーキュレータの一例として、従
来、図１５，図１６に示すものがある。このサーキュレ
ータ５０は、３本の中心電極５１ａ〜５１ｃ及び整合用
容量電極（図示せず）が内蔵されたフェライト５２の下
面に、上記各中心電極５１ａ〜５１ｃが接続される金属
端子５７をインサート成形してなる樹脂ブロック５３を
配置するとともに、フェライト部材５２の上面に永久磁
石５４を配置し、これらを金属製上ケース５５，下ケー
ス５６内に収納して構成されている。
【０００３】ところで上記サーキュレータ５０では、樹
脂ブロック５３を用いる分だけ部品点数が増え、また各
金属端子５７の接合箇所が増える分だけコストが上昇す
るとともに品質に対する信頼性が低いという問題があ
る。このような問題を解消するものとして、図１３，図
１４に示すようなサーキュレータ６０が提案されてい
る。これはフェライト６１の両縁に脚部６１ａを突出形
成し、該脚部６１ａに各中心電極５１ａ〜５１ｃが接続
される端子電極６２を形成した構造のものである。この
構造によれば、上記樹脂ブロック５３，及び金属端子の
接続を不要にできるので、低コスト化に対応できるとと
もに品質に対する信頼性を向上できる。
脂ブロック５３を用いる分だけ部品点数が増え、また各
金属端子５７の接合箇所が増える分だけコストが上昇す
るとともに品質に対する信頼性が低いという問題があ
る。このような問題を解消するものとして、図１３，図
１４に示すようなサーキュレータ６０が提案されてい
る。これはフェライト６１の両縁に脚部６１ａを突出形
成し、該脚部６１ａに各中心電極５１ａ〜５１ｃが接続
される端子電極６２を形成した構造のものである。この
構造によれば、上記樹脂ブロック５３，及び金属端子の
接続を不要にできるので、低コスト化に対応できるとと
もに品質に対する信頼性を向上できる。
【０００４】一方、上記サーキュレータ５０，６０は、
図１２の等価回路図に示すように、インダクタンス成分
として機能する各中心電極５１ａ〜５１ｃの入出力ポー
トＰ１〜Ｐ３にキャパシタンス成分として機能する整合
容量Ｃ１〜Ｃ３を接続し、フェライト５２，６１に直流
磁界Ｈを印加することにより動作するよう構成されてい
る。
図１２の等価回路図に示すように、インダクタンス成分
として機能する各中心電極５１ａ〜５１ｃの入出力ポー
トＰ１〜Ｐ３にキャパシタンス成分として機能する整合
容量Ｃ１〜Ｃ３を接続し、フェライト５２，６１に直流
磁界Ｈを印加することにより動作するよう構成されてい
る。
【０００５】この場合、記フェライト５２，６１への直
流磁界の平行度を高め、かつフェライト内での磁場分布
の均一化を図るとともに、磁場の漏れを低減するため
に、従来、フェライト５２，６１の下面に鉄製の下ケー
ス５６を配置し、該下ケース５６に同じく鉄製の上ケー
ス５５を接合して閉磁路を形成するようにしている。
流磁界の平行度を高め、かつフェライト内での磁場分布
の均一化を図るとともに、磁場の漏れを低減するため
に、従来、フェライト５２，６１の下面に鉄製の下ケー
ス５６を配置し、該下ケース５６に同じく鉄製の上ケー
ス５５を接合して閉磁路を形成するようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記移動通
信機器に採用される非可逆回路素子では、その用途から
してさらなる小型化，軽量化，及び低コスト化が要請さ
れている。しかしながら、上記従来の非可逆回路素子で
は、重量物の鉄製上ケース，下ケースにより閉磁路を形
成する構造であることから、軽量化を図る上で不利とな
っており、また部品点数が増える分だけコストが上昇す
るという問題がある。また、上記従来のサーキュレータ
６０では、フェライト６１の両縁に脚部６１ａを形成す
る構造であるから、形状が複雑となって製造に手間がか
り、製造コストが上昇するという問題がある。さらに、
上記下ケース５６にフェライト６１を配置する際に両者
の間に空気層が形成される場合があり、この空気層によ
って磁界の反射が生じ易く、磁場分布の強度が劣化する
という問題がある。
信機器に採用される非可逆回路素子では、その用途から
してさらなる小型化，軽量化，及び低コスト化が要請さ
れている。しかしながら、上記従来の非可逆回路素子で
は、重量物の鉄製上ケース，下ケースにより閉磁路を形
成する構造であることから、軽量化を図る上で不利とな
っており、また部品点数が増える分だけコストが上昇す
るという問題がある。また、上記従来のサーキュレータ
６０では、フェライト６１の両縁に脚部６１ａを形成す
る構造であるから、形状が複雑となって製造に手間がか
り、製造コストが上昇するという問題がある。さらに、
上記下ケース５６にフェライト６１を配置する際に両者
の間に空気層が形成される場合があり、この空気層によ
って磁界の反射が生じ易く、磁場分布の強度が劣化する
という問題がある。
【０００７】本発明は、直流磁界の平行度及び磁場分布
を劣化させることなく、軽量化，低コスト化に対応で
き、また製造を容易にできるとともに、磁場分布の強度
劣化を回避できる非可逆回路素子を提供することを目的
としている。
を劣化させることなく、軽量化，低コスト化に対応で
き、また製造を容易にできるとともに、磁場分布の強度
劣化を回避できる非可逆回路素子を提供することを目的
としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、イン
ダクタンス成分として機能する複数本の電極ラインを電
気的非接触状態でかつ所定角度をなすように交差させて
配置してなる中心電極部と、上記各電極ラインの入出ポ
ートに接続されるキャパシタ成分として機能する整合用
容量電極とを、フェライトの一主面に、又は該フェライ
ト内に形成し、該フェライトの中心電極部の交差部分に
永久磁石により直流磁界を印加するようにした非可逆回
路素子において、上記フェライトの下面又は上面，もし
くは上下両面に該フェライトより透磁率が高く、絶縁性
を有する磁性材料からなる磁性体部材を一体形成したこ
とを特徴としている。
ダクタンス成分として機能する複数本の電極ラインを電
気的非接触状態でかつ所定角度をなすように交差させて
配置してなる中心電極部と、上記各電極ラインの入出ポ
ートに接続されるキャパシタ成分として機能する整合用
容量電極とを、フェライトの一主面に、又は該フェライ
ト内に形成し、該フェライトの中心電極部の交差部分に
永久磁石により直流磁界を印加するようにした非可逆回
路素子において、上記フェライトの下面又は上面，もし
くは上下両面に該フェライトより透磁率が高く、絶縁性
を有する磁性材料からなる磁性体部材を一体形成したこ
とを特徴としている。
【０００９】請求項２の発明は、請求項１において、上
記磁性体部材の表面に、上記各電極ラインの入出ポート
が接続される端子電極を形成したことを特徴としてい
る。
記磁性体部材の表面に、上記各電極ラインの入出ポート
が接続される端子電極を形成したことを特徴としてい
る。
【００１０】請求項３の発明は、請求項１又は２におい
て、上記フェライト，永久磁石，磁性体部材が、フェラ
イトより透磁率の高い磁性材料により形成された磁性体
ヨーク内に収納されていることを特徴としている。
て、上記フェライト，永久磁石，磁性体部材が、フェラ
イトより透磁率の高い磁性材料により形成された磁性体
ヨーク内に収納されていることを特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図に基づいて説明する。図１ないし図３は、本発明の一
実施形態によるサーキュレータを説明するための図であ
り、図１〜図３はそれぞれサーキュレータの分解斜視
図，斜視図，組付け状態を示す断面図である。
図に基づいて説明する。図１ないし図３は、本発明の一
実施形態によるサーキュレータを説明するための図であ
り、図１〜図３はそれぞれサーキュレータの分解斜視
図，斜視図，組付け状態を示す断面図である。
【００１２】図において、１は集中定数型のサーキュレ
ータであり、これは箱状の鉄製ケース２の内面に円板状
の永久磁石３を配置し、該永久磁石３の下面に例えば、
ＹＩＧ（イットリウム・アイアンガーネット）やＣａＢ
ａＧ（カルシウムバナジウムガーネット）からなる直方
体状のフェライト４を配置するとともに、該フェライト
４に上記永久磁石３により直流磁界を印加して構成され
ており、基本的な構造及び動作は従来と同様である。
ータであり、これは箱状の鉄製ケース２の内面に円板状
の永久磁石３を配置し、該永久磁石３の下面に例えば、
ＹＩＧ（イットリウム・アイアンガーネット）やＣａＢ
ａＧ（カルシウムバナジウムガーネット）からなる直方
体状のフェライト４を配置するとともに、該フェライト
４に上記永久磁石３により直流磁界を印加して構成され
ており、基本的な構造及び動作は従来と同様である。
【００１３】上記フェライト４内には中心電極部５が内
蔵されており、該中心電極部５はインダクタンス成分と
して機能する３本の電極ライン５ａ〜５ｃを互いに電気
的絶縁状態でかつ１２０度ごとに交差させた構造となっ
ている。またフェライト４の内には上記各電極ライン５
ａ〜５ｃの入出力ポートＰ１〜Ｐ３に接続された整合用
容量電極Ｃ・・が内蔵されており、該各電極ライン５ａ
〜５ｃの入出ポートＰ１〜Ｐ３及びアースＧ１〜Ｇ３は
それぞれフェライト４の下面に導出されている。
蔵されており、該中心電極部５はインダクタンス成分と
して機能する３本の電極ライン５ａ〜５ｃを互いに電気
的絶縁状態でかつ１２０度ごとに交差させた構造となっ
ている。またフェライト４の内には上記各電極ライン５
ａ〜５ｃの入出力ポートＰ１〜Ｐ３に接続された整合用
容量電極Ｃ・・が内蔵されており、該各電極ライン５ａ
〜５ｃの入出ポートＰ１〜Ｐ３及びアースＧ１〜Ｇ３は
それぞれフェライト４の下面に導出されている。
【００１４】上記中心電極部５は、上記フェライト４に
空洞部を形成し、該空洞部内に各電極ライン５ａ〜５ｃ
及び容量電極Ｃを形成したキャビティ構造のものであ
る。ここで、上記フェライト構造には、上記フェライト
４の上面，又は下面に各電極ライン５ａ〜５ｃをパター
ン形成したもの、あるいは上記フェライト４を複数のフ
ェライトシートより構成し、該シートに各電極ライン５
ａ〜５ｃを形成し、このフェライトシートを積層して一
体化したものを採用することも可能である。
空洞部を形成し、該空洞部内に各電極ライン５ａ〜５ｃ
及び容量電極Ｃを形成したキャビティ構造のものであ
る。ここで、上記フェライト構造には、上記フェライト
４の上面，又は下面に各電極ライン５ａ〜５ｃをパター
ン形成したもの、あるいは上記フェライト４を複数のフ
ェライトシートより構成し、該シートに各電極ライン５
ａ〜５ｃを形成し、このフェライトシートを積層して一
体化したものを採用することも可能である。
【００１５】そして上記フェライト４の下面には同じく
直方体状の例えば、Ｎｉ−ＺｎフェライトまたはＭｎ−
Ｚｎフェライト等の磁性体部材６が一体焼成で接続形成
されており、該磁性体部材６と上記ケース２とにより磁
気閉回路が構成されている。この磁性体部材６は、上記
ＹＩＧ（透磁率１．５〜２）やＣａＢａＧ（透磁率１．
５〜２）からなるフェライト４より透磁率の高い磁性材
料例えば、Ｎｉ−ＺｎフェライトやＭｎ−Ｚｎフェライ
トにより構成されており、１００程度の透磁率のものが
採用されている。また上記磁性体部材６の左右側面には
端子電極７・・が形成されており、該各端子電極７には
上記入出ポートＰ１〜Ｐ３及びアースＧ１〜Ｇ３が接続
されている。
直方体状の例えば、Ｎｉ−ＺｎフェライトまたはＭｎ−
Ｚｎフェライト等の磁性体部材６が一体焼成で接続形成
されており、該磁性体部材６と上記ケース２とにより磁
気閉回路が構成されている。この磁性体部材６は、上記
ＹＩＧ（透磁率１．５〜２）やＣａＢａＧ（透磁率１．
５〜２）からなるフェライト４より透磁率の高い磁性材
料例えば、Ｎｉ−ＺｎフェライトやＭｎ−Ｚｎフェライ
トにより構成されており、１００程度の透磁率のものが
採用されている。また上記磁性体部材６の左右側面には
端子電極７・・が形成されており、該各端子電極７には
上記入出ポートＰ１〜Ｐ３及びアースＧ１〜Ｇ３が接続
されている。
【００１６】次に本実施形態の作用効果について説明す
る。本サーキュレータ１によれば、フェライト４の下面
に該フェライトより透磁率の高い磁性体部材６を一体形
成したので、該磁性体部材６により永久磁石３からの磁
場分布を均一化でき、さらには該磁性体部材６と鉄製ケ
ース２により磁場の漏れを防止する閉磁路が形成され、
周辺回路への影響を低減できる。その結果、非可逆特性
を確保しながら従来の下ケースを不要にでき、それだけ
部品点数を削減できコストを低減できるとともに、軽量
化に対応できる。また、上記フェライト４に磁性体部材
６を一体形成したので、該フェライト４と磁性体部材６
との間に空気層が存在することはなく、磁界の反射によ
る磁場分布の強度劣化を防止できる。さらに上記磁性体
部材６の側面に端子電極７を形成したので、従来の脚部
を省略して直方体形状とすることができ、それだけ製造
が容易となり、この点からもコストを低減できる。
る。本サーキュレータ１によれば、フェライト４の下面
に該フェライトより透磁率の高い磁性体部材６を一体形
成したので、該磁性体部材６により永久磁石３からの磁
場分布を均一化でき、さらには該磁性体部材６と鉄製ケ
ース２により磁場の漏れを防止する閉磁路が形成され、
周辺回路への影響を低減できる。その結果、非可逆特性
を確保しながら従来の下ケースを不要にでき、それだけ
部品点数を削減できコストを低減できるとともに、軽量
化に対応できる。また、上記フェライト４に磁性体部材
６を一体形成したので、該フェライト４と磁性体部材６
との間に空気層が存在することはなく、磁界の反射によ
る磁場分布の強度劣化を防止できる。さらに上記磁性体
部材６の側面に端子電極７を形成したので、従来の脚部
を省略して直方体形状とすることができ、それだけ製造
が容易となり、この点からもコストを低減できる。
【００１７】また上記磁性体部材６に端子電極７を形成
したので、従来の樹脂ブロックを不要にでき、この点か
らもコストを低減できる。さらに上記磁性体部材６の厚
さは適宜設定することができ、例えば従来の下ケースと
同等の厚さに設定することにより小型化に対応できる。
したので、従来の樹脂ブロックを不要にでき、この点か
らもコストを低減できる。さらに上記磁性体部材６の厚
さは適宜設定することができ、例えば従来の下ケースと
同等の厚さに設定することにより小型化に対応できる。
【００１８】上記磁性体部材６はサーキュレータ１の温
度補償素子としても機能することから、温度特性の劣化
を回避することができる。
度補償素子としても機能することから、温度特性の劣化
を回避することができる。
【００１９】図４ないし図７はそれぞれ本発明の他の実
施の形態を説明するための図であり、図中、図３と同一
符号は同一又は相当部分を示す。
施の形態を説明するための図であり、図中、図３と同一
符号は同一又は相当部分を示す。
【００２０】図４は、フェライト４の下面に第１磁性体
部材６を一体形成するとともに、フェライト４の上面に
第２磁性体部材１０を一体形成した例である。この実施
形態では、フェライト４の両面に磁性体部材６，１０を
一体形成したので、直流磁界の平行度，及び磁場分布を
さらに向上させることができる。
部材６を一体形成するとともに、フェライト４の上面に
第２磁性体部材１０を一体形成した例である。この実施
形態では、フェライト４の両面に磁性体部材６，１０を
一体形成したので、直流磁界の平行度，及び磁場分布を
さらに向上させることができる。
【００２１】図５（ａ）は、フェライト４の下面に磁性
体部材６を一体形成するとともに、該フェライト４の上
面に永久磁石３を一体化した例であり、図５（ｂ）は、
フェライト４の下面及び上面にそれぞれ磁性体部材６，
１０を一体形成するとともに、該磁性体部材１０の上面
に永久磁石３を一体化した例である。この実施形態で
は、フェライト４に永久磁石３を一体化したので、部品
点数をさらに削減でき、コストを低減できるとともに組
付け時の作業性を向上できる。
体部材６を一体形成するとともに、該フェライト４の上
面に永久磁石３を一体化した例であり、図５（ｂ）は、
フェライト４の下面及び上面にそれぞれ磁性体部材６，
１０を一体形成するとともに、該磁性体部材１０の上面
に永久磁石３を一体化した例である。この実施形態で
は、フェライト４に永久磁石３を一体化したので、部品
点数をさらに削減でき、コストを低減できるとともに組
付け時の作業性を向上できる。
【００２２】図６（ａ）は、フェライトより透磁率の高
い磁性材料により磁性体上ヨーク１１，下ヨーク１２を
形成し、該ヨーク１１，１２内に永久磁石３，フェライ
ト４，及び磁性体部材６を収納して構成した例であり、
図６（ｂ）は、上記同様の上ヨーク１１，下ヨーク１２
内に永久磁石３，フェライト４及び磁性体部材６，１０
を収納して構成されている。本実施形態では、上記磁性
材料からなる上ヨーク１１，下ヨーク１２により磁気閉
回路を形成したので、鉄製の上ケース及び下ケースの両
方が不要にとなり、軽量化，及び低コスト化をさらに向
上できる。
い磁性材料により磁性体上ヨーク１１，下ヨーク１２を
形成し、該ヨーク１１，１２内に永久磁石３，フェライ
ト４，及び磁性体部材６を収納して構成した例であり、
図６（ｂ）は、上記同様の上ヨーク１１，下ヨーク１２
内に永久磁石３，フェライト４及び磁性体部材６，１０
を収納して構成されている。本実施形態では、上記磁性
材料からなる上ヨーク１１，下ヨーク１２により磁気閉
回路を形成したので、鉄製の上ケース及び下ケースの両
方が不要にとなり、軽量化，及び低コスト化をさらに向
上できる。
【００２３】図７（ａ）は、フェライト４の下面にこれ
により小さい磁性体部材１３を一体形成した場合であ
り、図７（ｂ）は、フェライト４の下面にこれより大き
い磁性体部材１４を一体形成した場合である。また、上
記フェライト，磁性体部材，永久磁石の形状については
特に限定するものではなく、円形，多角形等の何れの形
状を採用してもよい。
により小さい磁性体部材１３を一体形成した場合であ
り、図７（ｂ）は、フェライト４の下面にこれより大き
い磁性体部材１４を一体形成した場合である。また、上
記フェライト，磁性体部材，永久磁石の形状については
特に限定するものではなく、円形，多角形等の何れの形
状を採用してもよい。
【００２４】また上記実施形態では、３ポートサーキュ
レータを例にとったが、本発明は、１つのポートに終端
抵抗を接続してなるアイソレータにも勿論適用でき、こ
の場合においても上記同様の効果が得られる。
レータを例にとったが、本発明は、１つのポートに終端
抵抗を接続してなるアイソレータにも勿論適用でき、こ
の場合においても上記同様の効果が得られる。
【００２５】
【実施例】図８ないし図１１は、上記実施形態の効果を
確認するために行った実験結果を説明するための図であ
る。
確認するために行った実験結果を説明するための図であ
る。
【００２６】この実験は、上述のフェライトの下面に磁
性体部材（透磁率数１００）を一体形成してなる本実施
形態のサーキュレータを採用し、これの磁場分布，及び
磁場曲線を測定して行った（図８，図９参照）。この磁
場曲線は、フェライトの下面０から厚さ方向における
０．１ｍｍＡ´，０．５ｍｍＢ´，０．９ｍｍＣ´の各
箇所の磁力を測定した。なお、鉄製ケースは厚さ０．２
ｍｍ、内径３ｍｍとし、永久磁石及びフェライトの厚さ
は１．０ｍｍとした。また、比較するためにフェライト
の下面に鉄製下ケース（透磁率約１００００）を配置し
てなる従来のサーキュレータを採用し、これについても
同様の条件にて測定した（図１０，図１１参照）。な
お、この場合、従来のサーキュレータを採用するにあた
っては、フェライトと鉄製下ケースとを完全に密着さ
せ、両者の間に空気層がない理想的な状態として測定し
た。
性体部材（透磁率数１００）を一体形成してなる本実施
形態のサーキュレータを採用し、これの磁場分布，及び
磁場曲線を測定して行った（図８，図９参照）。この磁
場曲線は、フェライトの下面０から厚さ方向における
０．１ｍｍＡ´，０．５ｍｍＢ´，０．９ｍｍＣ´の各
箇所の磁力を測定した。なお、鉄製ケースは厚さ０．２
ｍｍ、内径３ｍｍとし、永久磁石及びフェライトの厚さ
は１．０ｍｍとした。また、比較するためにフェライト
の下面に鉄製下ケース（透磁率約１００００）を配置し
てなる従来のサーキュレータを採用し、これについても
同様の条件にて測定した（図１０，図１１参照）。な
お、この場合、従来のサーキュレータを採用するにあた
っては、フェライトと鉄製下ケースとを完全に密着さ
せ、両者の間に空気層がない理想的な状態として測定し
た。
【００２７】各図からも明らかなように、本実施形態の
サーキュレータは直流磁界の平行度，磁場分布とも従来
とほとんど同様である。またフェライトの磁場曲線にお
いても従来の鉄製下ケースに代わる磁性体部材を採用し
た場合の、フェライトへの磁場強度，分布は、従来構造
の理想的な状態とほとんど差がなく、サーキュレータの
磁気回路を構成する上での問題は全くないといえる。
サーキュレータは直流磁界の平行度，磁場分布とも従来
とほとんど同様である。またフェライトの磁場曲線にお
いても従来の鉄製下ケースに代わる磁性体部材を採用し
た場合の、フェライトへの磁場強度，分布は、従来構造
の理想的な状態とほとんど差がなく、サーキュレータの
磁気回路を構成する上での問題は全くないといえる。
【００２８】
【発明の効果】以上のように請求項１の発明に係る非可
逆回路素子によれば、フェライトの下面，上面に該フェ
ライトより透磁率の高い磁性材料からなる磁性体部材を
一体形成したので、磁界の平行度及び磁場分布を劣化さ
せることなく、軽量化，低コスト化に対応できる効果が
あるとともに、製造を容易にしてコストをさらに低減で
きる効果がある。また上記フェライトと磁性体部材との
間に空気層は存在しないので、磁界の反射による磁場分
布の強度劣化を防止できる効果がある。
逆回路素子によれば、フェライトの下面，上面に該フェ
ライトより透磁率の高い磁性材料からなる磁性体部材を
一体形成したので、磁界の平行度及び磁場分布を劣化さ
せることなく、軽量化，低コスト化に対応できる効果が
あるとともに、製造を容易にしてコストをさらに低減で
きる効果がある。また上記フェライトと磁性体部材との
間に空気層は存在しないので、磁界の反射による磁場分
布の強度劣化を防止できる効果がある。
【００２９】請求項２の発明では、上記磁性体部材の表
面に各電極ラインの入出ポートが接続される端子電極を
形成したので、従来の樹脂ブロックを不要にできるとと
もに接合箇所を削減でき、この点からもコストを低減で
きる効果がある。
面に各電極ラインの入出ポートが接続される端子電極を
形成したので、従来の樹脂ブロックを不要にできるとと
もに接合箇所を削減でき、この点からもコストを低減で
きる効果がある。
【００３０】請求項３の発明では、各フェライト，永久
磁石，磁性体部材を、フェライトより透磁率の高い磁性
材料により形成された磁気閉回路を構成するヨーク内に
収納したので、この場合には上下両方の鉄製ケースを不
要にでき、軽量化，低コスト化をさらに向上できる効果
がある。
磁石，磁性体部材を、フェライトより透磁率の高い磁性
材料により形成された磁気閉回路を構成するヨーク内に
収納したので、この場合には上下両方の鉄製ケースを不
要にでき、軽量化，低コスト化をさらに向上できる効果
がある。
【図１】本発明の一実施形態によるサーキュレータを説
明するための分解斜視図である。
明するための分解斜視図である。
【図２】上記サーキュレータの斜視図である。
【図３】上記サーキュレータの組付け状態を示す断面図
である。
である。
【図４】他の実施形態によるサーキュレータを示す図で
ある。
ある。
【図５】その他の実施形態によるサーキュレータを示す
図である。
図である。
【図６】請求項３の発明の一実施形態を説明するための
図である。
図である。
【図７】他の実施形態によるサーキュレータを示す図で
ある。
ある。
【図８】上記実施形態の効果を確認するための行った実
験結果を示す特性図である。
験結果を示す特性図である。
【図９】上記実験結果を示す特性図である。
【図１０】上記実験結果を示す特性図である。
【図１１】上記実験結果を示す特性図である。
【図１２】一般的なサーキュレータの等価回路図であ
る。
る。
【図１３】本発明の成立過程を説明するためのサーキュ
レータの分解斜視図である。
レータの分解斜視図である。
【図１４】上記サーキュレータの斜視図である。
【図１５】従来のサーキュレータを示す分解斜視図であ
る。
る。
【図１６】従来のサーキュレータの斜視図である。
１ サーキュレータ（非可
逆回路素子） ３ 永久磁石 ４ フェライト ５ 中心電極部 ５ａ〜５ｃ 電極ライン ６，１０，１３，１４ 磁性体部材 ７ 端子電極 １１，１２ 磁性体ヨーク Ｃ 整合用容量電極 Ｐ１〜Ｐ３ 入出力ポート
逆回路素子） ３ 永久磁石 ４ フェライト ５ 中心電極部 ５ａ〜５ｃ 電極ライン ６，１０，１３，１４ 磁性体部材 ７ 端子電極 １１，１２ 磁性体ヨーク Ｃ 整合用容量電極 Ｐ１〜Ｐ３ 入出力ポート
Claims (3)
- 【請求項１】 インダクタンス成分として機能する複数
本の電極ラインを電気的非接触状態でかつ所定角度をな
すように交差させて配置してなる中心電極部と、上記各
電極ラインの入出ポートに接続されるキャパシタ成分と
して機能する整合用容量電極とを、フェライトの一主面
に、又は該フェライト内に形成し、該フェライトの中心
電極部の交差部分に永久磁石により直流磁界を印加する
ようにした非可逆回路素子において、上記フェライトの
下面又は上面，もしくは上下両面に該フェライトより透
磁率が高く、絶縁性を有する磁性材料からなる磁性体部
材を一体形成したことを特徴とする非可逆回路素子。 - 【請求項２】 請求項１において、上記磁性体部材の表
面に、上記各電極ラインの入出ポートが接続される端子
電極を形成したことを特徴とする非可逆回路素子。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、上記フェライ
ト，永久磁石，磁性体部材が、フェライトより透磁率の
高い磁性材料により形成された磁性体ヨーク内に収納さ
れていることを特徴とする非可逆回路素子。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP96118853A EP0776060B1 (en) | 1995-11-27 | 1996-11-25 | Non-reciprocal circuit element |
| JP31380696A JP3264193B2 (ja) | 1995-11-27 | 1996-11-25 | 非可逆回路素子 |
| DE69621567T DE69621567T2 (de) | 1995-11-27 | 1996-11-25 | Nichtreziprokes Schaltungselement |
| US08/756,727 US5745015A (en) | 1995-11-27 | 1996-11-26 | Non-reciprocal circuit element having a magnetic member integral with the ferrite member |
| KR1019960058265A KR100201200B1 (ko) | 1995-11-27 | 1996-11-27 | 비가역 회로 소자 |
| CNB96118583XA CN100385733C (zh) | 1995-11-27 | 1996-11-27 | 非可逆电路元件 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30712095 | 1995-11-27 | ||
| JP7-307120 | 1995-11-27 | ||
| JP31380696A JP3264193B2 (ja) | 1995-11-27 | 1996-11-25 | 非可逆回路素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09214210A true JPH09214210A (ja) | 1997-08-15 |
| JP3264193B2 JP3264193B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=26564985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31380696A Expired - Fee Related JP3264193B2 (ja) | 1995-11-27 | 1996-11-25 | 非可逆回路素子 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5745015A (ja) |
| EP (1) | EP0776060B1 (ja) |
| JP (1) | JP3264193B2 (ja) |
| KR (1) | KR100201200B1 (ja) |
| CN (1) | CN100385733C (ja) |
| DE (1) | DE69621567T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6367694B1 (en) | 1996-09-05 | 2002-04-09 | Symbol Technologies, Inc. | Device and method for secure data updates in a self-checkout system |
| US6850751B1 (en) | 1999-03-09 | 2005-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-reciprocal circuit device, method of manufacturing, and mobile communication apparatus using the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0903801B1 (en) * | 1997-09-17 | 2004-02-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit device |
| JP3399409B2 (ja) | 1998-09-11 | 2003-04-21 | 株式会社村田製作所 | 複合回路基板、非可逆回路素子、共振器、フィルタ、デュプレクサ、通信機装置、回路モジュール、ならびに複合回路基板の製造方法と非可逆回路素子の製造方法 |
| JP3356121B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2002-12-09 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子および通信装置 |
| KR100311816B1 (ko) * | 1999-08-03 | 2001-11-03 | 이형도 | 가역 회로소자 |
| JP3384367B2 (ja) | 1999-09-21 | 2003-03-10 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子及び通信機装置 |
| JP2001144508A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子 |
| JP3772963B2 (ja) * | 2000-08-18 | 2006-05-10 | 株式会社村田製作所 | 高周波用磁性体の製造方法 |
| JP3649144B2 (ja) * | 2001-04-10 | 2005-05-18 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子、通信装置及び非可逆回路素子の製造方法 |
| KR100684148B1 (ko) * | 2005-11-03 | 2007-02-20 | 한국전자통신연구원 | 디지털 방식으로 제어되는 서큘레이터 및 그를 구비하는무선주파수 식별 리더 |
| KR101450282B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2014-10-13 | 삼성전기 주식회사 | 카메라 모듈 |
| KR101315862B1 (ko) * | 2013-04-23 | 2013-10-08 | 박수희 | 치아 색조선택 시스템 |
| KR101350770B1 (ko) * | 2013-06-10 | 2014-01-14 | 고홍환 | 마이크로 버블 샤워기 헤드 어셈블리 |
| CN103647125B (zh) * | 2013-12-18 | 2016-08-17 | 成都致力微波科技有限公司 | 一种带磁屏蔽罩的单结微带环行器和微带隔离器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1282754B (de) * | 1966-03-28 | 1968-11-14 | Siemens Ag | Zirkulator mit konzentrierten Schaltelementen fuer kurze elektromagnetische Wellen |
| DE2062962C3 (de) * | 1970-12-21 | 1978-10-19 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Nichtreziproker Vierpol |
| JPH0672964B2 (ja) * | 1986-02-07 | 1994-09-14 | 日本電信電話株式会社 | 導波形光干渉計 |
| JPS62247604A (ja) * | 1987-02-02 | 1987-10-28 | Nippon Ferrite Ltd | 集中定数型サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ |
| US4789844A (en) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Raytheon Company | Broad-band non-reciprocal microwave devices |
| JPH01186001A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-25 | Hitachi Metals Ltd | 共鳴吸収型マイクロストリップラインアイソレータ |
| JP3018730B2 (ja) * | 1992-04-28 | 2000-03-13 | 日立化成工業株式会社 | 電気機器の製造法 |
| JP3239959B2 (ja) * | 1992-08-05 | 2001-12-17 | 株式会社村田製作所 | マイクロ波用非可逆回路素子 |
| JP3210087B2 (ja) * | 1992-09-04 | 2001-09-17 | 株式会社東芝 | 非可逆回路装置 |
| JP3178239B2 (ja) * | 1994-04-28 | 2001-06-18 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子 |
| KR0174636B1 (ko) * | 1993-06-30 | 1999-04-01 | 무라따 야스따까 | 비가역 회로 소자 |
| JPH0729727A (ja) * | 1993-07-09 | 1995-01-31 | Tokin Corp | 非可逆回路素子 |
-
1996
- 1996-11-25 JP JP31380696A patent/JP3264193B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-25 EP EP96118853A patent/EP0776060B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-25 DE DE69621567T patent/DE69621567T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-26 US US08/756,727 patent/US5745015A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-27 CN CNB96118583XA patent/CN100385733C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-27 KR KR1019960058265A patent/KR100201200B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6367694B1 (en) | 1996-09-05 | 2002-04-09 | Symbol Technologies, Inc. | Device and method for secure data updates in a self-checkout system |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5745015A (en) | 1998-04-28 |
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| CN1158013A (zh) | 1997-08-27 |
| KR100201200B1 (ko) | 1999-06-15 |
| KR19980039262A (ko) | 1998-08-17 |
| CN100385733C (zh) | 2008-04-30 |
| EP0776060A1 (en) | 1997-05-28 |
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