JPH09170983A - 光沢度判別センサ装置 - Google Patents
光沢度判別センサ装置Info
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- JPH09170983A JPH09170983A JP7349246A JP34924695A JPH09170983A JP H09170983 A JPH09170983 A JP H09170983A JP 7349246 A JP7349246 A JP 7349246A JP 34924695 A JP34924695 A JP 34924695A JP H09170983 A JPH09170983 A JP H09170983A
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
- G01N21/57—Measuring gloss
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特定の偏光成分の光を物体に照射し、その正
反射光の偏光成分の保存度に基づいて光沢度を判別する
センサにおいて、距離や角度の変動の影響を小さくする
こと。 【解決手段】 投光素子４の光のうち特定の偏光方向の
光を偏光フィルタ２５を介してワーク２７に照射する。
その反射光を偏光ビームスプリッタ２６により分離して
受光する。そして投光と同一方向の偏光成分を有する反
射光の受光感度を、他方の偏光方向の反射光より相対的
に低くすることにより、距離や角度の変動の影響を小さ
くする。
反射光の偏光成分の保存度に基づいて光沢度を判別する
センサにおいて、距離や角度の変動の影響を小さくする
こと。 【解決手段】 投光素子４の光のうち特定の偏光方向の
光を偏光フィルタ２５を介してワーク２７に照射する。
その反射光を偏光ビームスプリッタ２６により分離して
受光する。そして投光と同一方向の偏光成分を有する反
射光の受光感度を、他方の偏光方向の反射光より相対的
に低くすることにより、距離や角度の変動の影響を小さ
くする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光沢度を検出する光
沢度判別センサ装置に関するものである。
沢度判別センサ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】物体の光沢度を判別するための光沢度判
別センサとしては、物体の面に対して傾けて光を照射
し、その正反射光のレベルに基づいて物体の光沢度を判
別する光沢度判別センサが知られている。光沢度の高い
物体では正反射光のレベルが高く、光沢度が低い物体で
は光が散乱するため正反射光のレベルが低くなる。その
ため正反射光のレベルに基づいて光沢度を判別すること
ができる。
別センサとしては、物体の面に対して傾けて光を照射
し、その正反射光のレベルに基づいて物体の光沢度を判
別する光沢度判別センサが知られている。光沢度の高い
物体では正反射光のレベルが高く、光沢度が低い物体で
は光が散乱するため正反射光のレベルが低くなる。その
ため正反射光のレベルに基づいて光沢度を判別すること
ができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来の光沢度判別センサでは、光を斜めから照射し正
反射光を受光するようにしているため、物体までの距離
と物体への光の入射角度を正確に規定しておかなければ
正しいレベルの正反射光が受光できない。そして物体の
わずかな傾きや位置ずれが生じれば、光沢度が判別でき
なくなってしまうという欠点があった。
な従来の光沢度判別センサでは、光を斜めから照射し正
反射光を受光するようにしているため、物体までの距離
と物体への光の入射角度を正確に規定しておかなければ
正しいレベルの正反射光が受光できない。そして物体の
わずかな傾きや位置ずれが生じれば、光沢度が判別でき
なくなってしまうという欠点があった。
【０００４】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたものであって、物体までの距離や角度の傾きに
かかわらず光沢度が判別可能な許容範囲を大きくした光
沢度判別センサ装置を提供することを目的とするもので
ある。
なされたものであって、物体までの距離や角度の傾きに
かかわらず光沢度が判別可能な許容範囲を大きくした光
沢度判別センサ装置を提供することを目的とするもので
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１の発明
は、特定の偏光方向の光を出射する投光手段と、前記投
光手段より出射され検知物体により反射された反射光の
うち、投光側の偏光方向と平行な偏光成分を有する第１
の光束、及び前記投光手段より出射され検知物体により
反射された反射光のうち、投光側の偏光方向と垂直な偏
光成分を有する第２の光束を夫々分離して受光する受光
手段と、前記受光手段の第１，第２の光束の受光信号の
差分値に基づいて検知物体の光沢度を判別する光沢度判
別手段と、を具備し、前記受光手段は第２の光束の受光
感度を第１の光束の受光感度より相対的に大きくしたこ
とを特徴とするものである。ここで受光手段は、光学的
及び電気的のいずれかの方法又は組み合わせにより第２
の光束の受光感度を第１の光束の受光感度より相対的に
大きくするように調整するものである。
は、特定の偏光方向の光を出射する投光手段と、前記投
光手段より出射され検知物体により反射された反射光の
うち、投光側の偏光方向と平行な偏光成分を有する第１
の光束、及び前記投光手段より出射され検知物体により
反射された反射光のうち、投光側の偏光方向と垂直な偏
光成分を有する第２の光束を夫々分離して受光する受光
手段と、前記受光手段の第１，第２の光束の受光信号の
差分値に基づいて検知物体の光沢度を判別する光沢度判
別手段と、を具備し、前記受光手段は第２の光束の受光
感度を第１の光束の受光感度より相対的に大きくしたこ
とを特徴とするものである。ここで受光手段は、光学的
及び電気的のいずれかの方法又は組み合わせにより第２
の光束の受光感度を第１の光束の受光感度より相対的に
大きくするように調整するものである。
【０００６】本願の請求項２の発明では、前記受光手段
は、第１の光束の受光感度を小さく変化させるようにし
たことを特徴とするものである。このように受光感度を
調整するためには、光学的には集光レンズを用いその焦
点位置よりずらせて受光素子を配置したり、光を減衰さ
せるフィルタを設け、又はその受光領域の位置を変化さ
せたり受光素子と光ファイバを介して接続する場合に光
ファイバの減衰率を大きくするようにして実現できる。
又電気的に実現するためには、第１の光束を受光する受
光回路の増幅率を第２の光束の受光回路より小さく、又
は負のオフセットを加えることによって実現できる。
は、第１の光束の受光感度を小さく変化させるようにし
たことを特徴とするものである。このように受光感度を
調整するためには、光学的には集光レンズを用いその焦
点位置よりずらせて受光素子を配置したり、光を減衰さ
せるフィルタを設け、又はその受光領域の位置を変化さ
せたり受光素子と光ファイバを介して接続する場合に光
ファイバの減衰率を大きくするようにして実現できる。
又電気的に実現するためには、第１の光束を受光する受
光回路の増幅率を第２の光束の受光回路より小さく、又
は負のオフセットを加えることによって実現できる。
【０００７】本願の請求項３の発明では、前記受光手段
は、第２の光束の受光感度を大きく変化させるようにし
たことを特徴とするものである。この受光感度調整は、
例えば第２の光束の集光量を大きくするように大口径の
レンズを用いたり、受光領域と受光素子を接続する光フ
ァイバの径を大きくすることによって実現できる。又電
気的に実現するためには、第２の光束を受光する受光回
路の増幅率を第１の光束の受光回路より小さくし、又は
正のオフセットを加えることによって実現できる。
は、第２の光束の受光感度を大きく変化させるようにし
たことを特徴とするものである。この受光感度調整は、
例えば第２の光束の集光量を大きくするように大口径の
レンズを用いたり、受光領域と受光素子を接続する光フ
ァイバの径を大きくすることによって実現できる。又電
気的に実現するためには、第２の光束を受光する受光回
路の増幅率を第１の光束の受光回路より小さくし、又は
正のオフセットを加えることによって実現できる。
【０００８】本願の請求項４の発明では、前記受光手段
は、反射光のうち第１の光束を集光する集光レンズ及び
受光素子を有し、前記受光素子の受光領域を前記集光レ
ンズの焦点位置より光軸方向に沿ってずらせて配置した
ことを特徴とするものである。
は、反射光のうち第１の光束を集光する集光レンズ及び
受光素子を有し、前記受光素子の受光領域を前記集光レ
ンズの焦点位置より光軸方向に沿ってずらせて配置した
ことを特徴とするものである。
【０００９】本願の請求項５の発明では、前記受光手段
は、反射光のうち第１の光束を集光する集光レンズ及び
受光素子を有し、検知物体を基準位置より所定距離遠方
にずらせたときに前記集光レンズの焦点位置が前記受光
素子の受光領域の中心となるように配置したことを特徴
とするものである。
は、反射光のうち第１の光束を集光する集光レンズ及び
受光素子を有し、検知物体を基準位置より所定距離遠方
にずらせたときに前記集光レンズの焦点位置が前記受光
素子の受光領域の中心となるように配置したことを特徴
とするものである。
【００１０】このような特徴を有する本願の請求項１〜
５の発明によれば、投光手段より一定の偏光方向を有す
る光を物体に向けて投光する。受光手段では物体からの
反射光のうち投光と同一方向及びこれに垂直な偏光方向
の光を分離して受光している。そしてその受光レベルの
差に基づいて光沢度を判別する。このとき投光手段と同
一の偏光方向の光を受光する受光手段の受光感度を第２
の受光手段より相対的に小さくなるようにしている。そ
のため差分値が小さくなり、物体までのわずかな距離の
変動や角度の変化に対して影響を受けにくく、光沢度を
判別することができる。
５の発明によれば、投光手段より一定の偏光方向を有す
る光を物体に向けて投光する。受光手段では物体からの
反射光のうち投光と同一方向及びこれに垂直な偏光方向
の光を分離して受光している。そしてその受光レベルの
差に基づいて光沢度を判別する。このとき投光手段と同
一の偏光方向の光を受光する受光手段の受光感度を第２
の受光手段より相対的に小さくなるようにしている。そ
のため差分値が小さくなり、物体までのわずかな距離の
変動や角度の変化に対して影響を受けにくく、光沢度を
判別することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施の形態
による光沢度判別センサ装置の全体構成を示すブロック
図である。本図においてこの光沢度判別センサ装置１は
信号処理部２とヘッド部３から成り立っている。信号処
理部２は所定周期毎に投光素子４を駆動する投光回路５
と、受光素子６，７に接続されたＳ側受光回路８及びＰ
側受光回路９を有している。受光回路８，９は夫々Ｓ偏
光成分及びＰ偏光成分の光を受光する受光回路であっ
て、その出力はマイクロコンピュータ（ＣＰＵ）１０に
与えられる。マイクロコンピュータ１０には発振回路１
１，電源回路１２，モード切換スイッチ１３，感度設定
ボタン１４が接続され、メモリとしてＥＥＰＲＯＭ１
５，出力回路１６が接続されている。マイクロコンピュ
ータ１０は後述するようにこれらの入力に基づいて所定
のタイミングで投光回路５を周期的に駆動し、受光信号
によって閾値を設定して物体の光沢度を検出するもので
ある。出力回路１６は光沢度の判別信号を出力するもの
である。
による光沢度判別センサ装置の全体構成を示すブロック
図である。本図においてこの光沢度判別センサ装置１は
信号処理部２とヘッド部３から成り立っている。信号処
理部２は所定周期毎に投光素子４を駆動する投光回路５
と、受光素子６，７に接続されたＳ側受光回路８及びＰ
側受光回路９を有している。受光回路８，９は夫々Ｓ偏
光成分及びＰ偏光成分の光を受光する受光回路であっ
て、その出力はマイクロコンピュータ（ＣＰＵ）１０に
与えられる。マイクロコンピュータ１０には発振回路１
１，電源回路１２，モード切換スイッチ１３，感度設定
ボタン１４が接続され、メモリとしてＥＥＰＲＯＭ１
５，出力回路１６が接続されている。マイクロコンピュ
ータ１０は後述するようにこれらの入力に基づいて所定
のタイミングで投光回路５を周期的に駆動し、受光信号
によって閾値を設定して物体の光沢度を検出するもので
ある。出力回路１６は光沢度の判別信号を出力するもの
である。
【００１２】次にヘッド部３の構成について説明する。
信号処理部２とヘッド部３との間は３本の光ファイバ２
１〜２３で接続される。光ファイバ２１は投光素子４に
一端が接続された投光用の光ファイバであって、そのヘ
ッド側端部にはレンズ２４を介して偏光フィルタ２５が
配置される。偏光フィルタ２５は特定の偏光方向、例え
ばＳ偏光成分のみを透過する偏光フィルタである。そし
て受光側にはこの照射された光の反射光を受光する位置
に偏光ビームスプリッタ２６が配置される。偏光ビーム
スプリッタ２６は受光した光をＳ偏光成分とＰ偏光成分
とに分離するビームスプリッタであり、Ｓ偏光成分は反
射して受光用光ファイバ２２に、Ｐ偏光成分は透過して
受光用光ファイバ２３に入射される。受光用光ファイバ
２２，２３の他端は夫々信号処理部２の受光素子６及び
７に接続されている。
信号処理部２とヘッド部３との間は３本の光ファイバ２
１〜２３で接続される。光ファイバ２１は投光素子４に
一端が接続された投光用の光ファイバであって、そのヘ
ッド側端部にはレンズ２４を介して偏光フィルタ２５が
配置される。偏光フィルタ２５は特定の偏光方向、例え
ばＳ偏光成分のみを透過する偏光フィルタである。そし
て受光側にはこの照射された光の反射光を受光する位置
に偏光ビームスプリッタ２６が配置される。偏光ビーム
スプリッタ２６は受光した光をＳ偏光成分とＰ偏光成分
とに分離するビームスプリッタであり、Ｓ偏光成分は反
射して受光用光ファイバ２２に、Ｐ偏光成分は透過して
受光用光ファイバ２３に入射される。受光用光ファイバ
２２，２３の他端は夫々信号処理部２の受光素子６及び
７に接続されている。
【００１３】又偏光ビームスプリッタ２６と光ファイバ
２２との間には集光レンズ２８が、偏光ビームスプリッ
タ２６と光ファイバ２３との間には集光レンズ２９が設
けられる。本実施形態では、図１に示すように集光レン
ズ２９の焦点位置に光ファイバ２３の端面を配置する
が、光ファイバ２２の入射側の端面をレンズ２８の焦点
位置より前方に位置するように取付けておくものとす
る。ここで投光回路５と投光素子４，光ファイバ２１，
レンズ２４と偏光フィルタ２５は特定の偏光方向の光を
出射する投光手段を構成しており、偏光ビームスプリッ
タ２６とレンズ２８，光ファイバ２２，受光素子６，受
光回路８は投光手段より投光する偏光方向と平行な偏光
成分、この場合にはＳ偏光成分を有する第１の光束を受
光するものであり、偏光ビームスプリッタ２６とレンズ
２９，光ファイバ２３，受光素子７，受光回路９はこれ
と垂直な偏光成分、この場合にはＰ偏光成分を有する第
２の光束を夫々分離して受光するものであり、これらが
受光手段を構成している。又光ファイバ２２の端面を集
光レンズ２８の焦点位置より前方方向にずらせて配置す
ることによって、第２の光束の感度を第１の光束に対す
る感度より大きくするようにしている。
２２との間には集光レンズ２８が、偏光ビームスプリッ
タ２６と光ファイバ２３との間には集光レンズ２９が設
けられる。本実施形態では、図１に示すように集光レン
ズ２９の焦点位置に光ファイバ２３の端面を配置する
が、光ファイバ２２の入射側の端面をレンズ２８の焦点
位置より前方に位置するように取付けておくものとす
る。ここで投光回路５と投光素子４，光ファイバ２１，
レンズ２４と偏光フィルタ２５は特定の偏光方向の光を
出射する投光手段を構成しており、偏光ビームスプリッ
タ２６とレンズ２８，光ファイバ２２，受光素子６，受
光回路８は投光手段より投光する偏光方向と平行な偏光
成分、この場合にはＳ偏光成分を有する第１の光束を受
光するものであり、偏光ビームスプリッタ２６とレンズ
２９，光ファイバ２３，受光素子７，受光回路９はこれ
と垂直な偏光成分、この場合にはＰ偏光成分を有する第
２の光束を夫々分離して受光するものであり、これらが
受光手段を構成している。又光ファイバ２２の端面を集
光レンズ２８の焦点位置より前方方向にずらせて配置す
ることによって、第２の光束の感度を第１の光束に対す
る感度より大きくするようにしている。
【００１４】さてモード切換スイッチ１３はランモード
とティーチモードとを切換えるスイッチである。ティー
チモードは、感度設定ボタン１４が投入される毎に一対
の受光素子６，７から得られる受光回路８，９の出力を
Ａ／Ｄ変換してマイクロコンピュータ１０に取込み、そ
の値により後述する閾値オンレベルと閾値オフレベルを
設定するための閾値設定モードである。又ランモードは
ティーチモードで設定した閾値レベルと現在の信号レベ
ルとを比較し、オンオフ信号を出力する検出モードであ
る。
とティーチモードとを切換えるスイッチである。ティー
チモードは、感度設定ボタン１４が投入される毎に一対
の受光素子６，７から得られる受光回路８，９の出力を
Ａ／Ｄ変換してマイクロコンピュータ１０に取込み、そ
の値により後述する閾値オンレベルと閾値オフレベルを
設定するための閾値設定モードである。又ランモードは
ティーチモードで設定した閾値レベルと現在の信号レベ
ルとを比較し、オンオフ信号を出力する検出モードであ
る。
【００１５】次に本実施形態の動作についてフローチャ
ートを参照しつつ説明する。図２，図３は本実施形態の
動作を示すフローチャートである。動作を開始するとま
ずステップ３１において、モード切換スイッチ１３がテ
ィーチモードかどうかをチェックする。ティーチモード
であれば、ステップ３２に進んで感度設定ボタン１４が
押下されたかどうかをチェックし、押下されるまで待受
ける。ティーチモードでは識別すべき２つの状態とした
状態で感度設定を行う。ここではヘッド部３の前方にワ
ーク２７を図１のように配置する。ワーク２７は白紙の
白地領域２７ａとその上に貼られた透明のテープ領域２
７ｂがあり、これらの物体を光沢度によって識別するも
のとする。
ートを参照しつつ説明する。図２，図３は本実施形態の
動作を示すフローチャートである。動作を開始するとま
ずステップ３１において、モード切換スイッチ１３がテ
ィーチモードかどうかをチェックする。ティーチモード
であれば、ステップ３２に進んで感度設定ボタン１４が
押下されたかどうかをチェックし、押下されるまで待受
ける。ティーチモードでは識別すべき２つの状態とした
状態で感度設定を行う。ここではヘッド部３の前方にワ
ーク２７を図１のように配置する。ワーク２７は白紙の
白地領域２７ａとその上に貼られた透明のテープ領域２
７ｂがあり、これらの物体を光沢度によって識別するも
のとする。
【００１６】まずワーク２７の白地領域２７ａに投光素
子４からの光を照射できるように配置して感度設定ボタ
ン１４を投入する。感度設定ボタン１４が投入される
と、ステップ３３に進んで投光回路５を介して投光素子
４を駆動する。そうすれば投光用光ファイバ２１を介し
て光が照射され、レンズ２４及び偏光フィルタ２５を介
してＳ偏光成分の光のみがワーク２７の白地領域２７ａ
に照射される。そしてその反射光が偏光ビームスプリッ
タ２６によりＳ偏光成分とＰ偏光成分とに分離され、夫
々光ファイバ２２，２３を介して信号処理部２の受光素
子６及び７によって受光される。この受光された信号は
Ｓ側受光回路８，Ｐ側受光回路９によって夫々電圧信号
に変換され、マイクロコンピュータ１０内でＡ／Ｄ変換
される。マイクロコンピュータ１０はステップ３４に進
んでＳ偏光成分及びＰ偏光成分を夫々ＳA ，ＰA として
取込む。
子４からの光を照射できるように配置して感度設定ボタ
ン１４を投入する。感度設定ボタン１４が投入される
と、ステップ３３に進んで投光回路５を介して投光素子
４を駆動する。そうすれば投光用光ファイバ２１を介し
て光が照射され、レンズ２４及び偏光フィルタ２５を介
してＳ偏光成分の光のみがワーク２７の白地領域２７ａ
に照射される。そしてその反射光が偏光ビームスプリッ
タ２６によりＳ偏光成分とＰ偏光成分とに分離され、夫
々光ファイバ２２，２３を介して信号処理部２の受光素
子６及び７によって受光される。この受光された信号は
Ｓ側受光回路８，Ｐ側受光回路９によって夫々電圧信号
に変換され、マイクロコンピュータ１０内でＡ／Ｄ変換
される。マイクロコンピュータ１０はステップ３４に進
んでＳ偏光成分及びＰ偏光成分を夫々ＳA ，ＰA として
取込む。
【００１７】次いでヘッド部３の前方の所定のワーク２
７にテープを貼り付けたテープ領域２７ｂに光が照射さ
れるようにワーク２７を移動し、ステップ３５に進んで
感度設定ボタン１４を再び押下する。そうすると同様に
して投光回路５が駆動され、投光素子４からの光のうち
投光用光ファイバ２１及びレンズ２４，偏光フィルタ２
５を介してＳ偏光成分のみがワーク２７のテープ領域２
７ｂに入射する。この反射光を偏光ビームスプリッタ２
６で分離し、夫々Ｓ偏光成分ＳB 及びＰ偏光成分ＰB を
Ａ／Ｄ変換回路を介してマイクロコンピュータ１０に取
込む（ステップ３７）。そしてステップ３８において各
偏光成分の受光量の差から受光量Ｖを算出する。そして
ステップ３９に進んで閾値レベルＶthon，Ｖthoff を設
定する。次いでステップ４０に進んでＥＥＰＲＯＭ１５
にそのレベルを書込んで、ティーチモードでの処理を終
える。
７にテープを貼り付けたテープ領域２７ｂに光が照射さ
れるようにワーク２７を移動し、ステップ３５に進んで
感度設定ボタン１４を再び押下する。そうすると同様に
して投光回路５が駆動され、投光素子４からの光のうち
投光用光ファイバ２１及びレンズ２４，偏光フィルタ２
５を介してＳ偏光成分のみがワーク２７のテープ領域２
７ｂに入射する。この反射光を偏光ビームスプリッタ２
６で分離し、夫々Ｓ偏光成分ＳB 及びＰ偏光成分ＰB を
Ａ／Ｄ変換回路を介してマイクロコンピュータ１０に取
込む（ステップ３７）。そしてステップ３８において各
偏光成分の受光量の差から受光量Ｖを算出する。そして
ステップ３９に進んで閾値レベルＶthon，Ｖthoff を設
定する。次いでステップ４０に進んでＥＥＰＲＯＭ１５
にそのレベルを書込んで、ティーチモードでの処理を終
える。
【００１８】次に閾値Ｖthon，Ｖthoff の設定について
説明する。図４（ａ）は光沢度が小さい物体、図４
（ｂ）は光沢度が大きい物体に対する入射光の反射状態
を示す概略図である。本図において入射光をいずれか一
方の偏光成分、例えばＳ偏光成分を有する光とすると、
図４（ａ）に示す光沢度が小さい物体では、偏光方向が
保存された正反射光も得られるが、それ以外にＳ偏光成
分とＰ偏光成分とが夫々等しい拡散反射光のレベルが高
くなる。一方光沢度が大きければ、図４（ｂ）に示すよ
うにＰ偏光成分とＳ偏光成分とのレベルが等しい拡散反
射光の全体の光量が低くなり、偏光方向を保存するＳ偏
光の正反射光のレベルが相対的に高くなる。従ってＳ偏
光成分とＰ偏光成分との差から光沢度を検出することが
できる。
説明する。図４（ａ）は光沢度が小さい物体、図４
（ｂ）は光沢度が大きい物体に対する入射光の反射状態
を示す概略図である。本図において入射光をいずれか一
方の偏光成分、例えばＳ偏光成分を有する光とすると、
図４（ａ）に示す光沢度が小さい物体では、偏光方向が
保存された正反射光も得られるが、それ以外にＳ偏光成
分とＰ偏光成分とが夫々等しい拡散反射光のレベルが高
くなる。一方光沢度が大きければ、図４（ｂ）に示すよ
うにＰ偏光成分とＳ偏光成分とのレベルが等しい拡散反
射光の全体の光量が低くなり、偏光方向を保存するＳ偏
光の正反射光のレベルが相対的に高くなる。従ってＳ偏
光成分とＰ偏光成分との差から光沢度を検出することが
できる。
【００１９】そしてワーク２７の光沢度の小さい白地領
域２７ａと光沢度の大きいテープ領域２７ｂとを分離で
きるように閾値を設定する。まず光沢差を示す受光量Ｖ
をＳ偏光成分の受光量−Ｐ偏光成分の受光量とする。そ
して２回のティーチングにより得られる受光量Ｖを夫々
Ｖ１（＝ＳA −ＰA ），Ｖ２（＝ＳB −ＰB ）とし、こ
れらの値から閾値レベルを算出する。
域２７ａと光沢度の大きいテープ領域２７ｂとを分離で
きるように閾値を設定する。まず光沢差を示す受光量Ｖ
をＳ偏光成分の受光量−Ｐ偏光成分の受光量とする。そ
して２回のティーチングにより得られる受光量Ｖを夫々
Ｖ１（＝ＳA −ＰA ），Ｖ２（＝ＳB −ＰB ）とし、こ
れらの値から閾値レベルを算出する。
【００２０】ここで光ファイバ２２の端面がレンズ２８
の焦点位置にある場合と比較して、閾値について図５〜
図８を用いて説明する。図５は図１と対比して集光レン
ズ２８の焦点位置に光ファイバ２２の端面を配置したヘ
ッド部３Ａを示す図である。図６は受光量Ｖと閾値レベ
ルとの関係を示すグラフ、図７，図８は夫々図５，図１
のヘッド部３Ａ，３の特性を示すグラフである。前述し
た受光量Ｖは図６（ａ）に示すように、そのレベルが小
さければ矢印で示すばらつきの範囲が小さく、そのレベ
ルが大きければそのばらつきの範囲も大きくなる傾向に
ある。従って受光量Ｖが小さいほどばらつきが小さく、
距離や角度が変化しても安定して検出することができ
る。
の焦点位置にある場合と比較して、閾値について図５〜
図８を用いて説明する。図５は図１と対比して集光レン
ズ２８の焦点位置に光ファイバ２２の端面を配置したヘ
ッド部３Ａを示す図である。図６は受光量Ｖと閾値レベ
ルとの関係を示すグラフ、図７，図８は夫々図５，図１
のヘッド部３Ａ，３の特性を示すグラフである。前述し
た受光量Ｖは図６（ａ）に示すように、そのレベルが小
さければ矢印で示すばらつきの範囲が小さく、そのレベ
ルが大きければそのばらつきの範囲も大きくなる傾向に
ある。従って受光量Ｖが小さいほどばらつきが小さく、
距離や角度が変化しても安定して検出することができ
る。
【００２１】図６（ｂ）は集光レンズ２８，２９の焦点
位置に光ファイバ２２，２３の端面を配置した図５のヘ
ッド部３Ａについて、ワーク２７の異なった面、即ち白
地領域２７ａと透明のテープ領域２７ｂとに光を照射し
てティーチングしたときの夫々の受光レベルＶ１，Ｖ２
を示しており、閾値の中心Ｖcen をこれらの相乗平均値
とする。又Ｖthon，Ｖthoff は相乗平均値の上下に一定
のヒステリシス幅ＶHを等分して設定する。図６（ｂ）
に示すように、Ｖ１，Ｖ２がいずれも高い状態では、ワ
ーク２７とヘッド部３Ａとの基準となる物体までの距離
（以下、中心距離という）からの変動によって図７
（ａ）に示すようにＶ１，Ｖ２のレベルが変動するが、
測定可能な距離範囲はＶ２の曲線がＶthonに接するまで
の範囲である。又図７（ｂ）に示すように、所定の中心
距離にワーク２７を配置した状態で光沢度判別センサ装
置のヘッド部３Ａに対してワーク２７の角度を変化させ
た場合、検出可能な角度範囲はＶ２の曲線がＶthonと接
する範囲となる。
位置に光ファイバ２２，２３の端面を配置した図５のヘ
ッド部３Ａについて、ワーク２７の異なった面、即ち白
地領域２７ａと透明のテープ領域２７ｂとに光を照射し
てティーチングしたときの夫々の受光レベルＶ１，Ｖ２
を示しており、閾値の中心Ｖcen をこれらの相乗平均値
とする。又Ｖthon，Ｖthoff は相乗平均値の上下に一定
のヒステリシス幅ＶHを等分して設定する。図６（ｂ）
に示すように、Ｖ１，Ｖ２がいずれも高い状態では、ワ
ーク２７とヘッド部３Ａとの基準となる物体までの距離
（以下、中心距離という）からの変動によって図７
（ａ）に示すようにＶ１，Ｖ２のレベルが変動するが、
測定可能な距離範囲はＶ２の曲線がＶthonに接するまで
の範囲である。又図７（ｂ）に示すように、所定の中心
距離にワーク２７を配置した状態で光沢度判別センサ装
置のヘッド部３Ａに対してワーク２７の角度を変化させ
た場合、検出可能な角度範囲はＶ２の曲線がＶthonと接
する範囲となる。
【００２２】又図６（ｃ）は図１に示すように光ファイ
バ２２の端面をレンズ２８の焦点より内側に配置したヘ
ッド部３について、一対の受光量Ｖ１，Ｖ２とそのとき
の閾値の中心値Ｖcen 、閾値レベルＶthon，Ｖthoff を
示している。受光量ＶはＳ偏光成分とＰ偏光成分の受光
量の差であるため、２回のティーチングのいずれのＳ偏
光成分の値も小さくなれば、受光量Ｖの値もそのまま低
下する。従って図６（ｃ）に示すように、図１の光学系
ではＶ１，Ｖ２の差はほぼ図６（ｂ）と同一で、そのレ
ベルがいずれも低下したものとなる。
バ２２の端面をレンズ２８の焦点より内側に配置したヘ
ッド部３について、一対の受光量Ｖ１，Ｖ２とそのとき
の閾値の中心値Ｖcen 、閾値レベルＶthon，Ｖthoff を
示している。受光量ＶはＳ偏光成分とＰ偏光成分の受光
量の差であるため、２回のティーチングのいずれのＳ偏
光成分の値も小さくなれば、受光量Ｖの値もそのまま低
下する。従って図６（ｃ）に示すように、図１の光学系
ではＶ１，Ｖ２の差はほぼ図６（ｂ）と同一で、そのレ
ベルがいずれも低下したものとなる。
【００２３】このようにＶ１，Ｖ２がいずれも低い場合
には、Ｖ２−Ｖ１が同一であっても図８（ａ）に示すよ
うにＶ１にＶcen が近づくため、検出距離範囲は広くな
る。このため同様にして図８（ｂ）に示すように検出角
度の変動に対して検出可能範囲が広くなる。本実施形態
では、図１に示すように焦点位置より光ファイバ２２を
前にずらせて配置しているため、Ｓ偏光成分の受光感度
を低下させることができ、検出距離範囲及び検出角度範
囲を広くすることができる。ここでＶthon，Ｖthoff と
はＶcen との差が同一になるようヒステリシス幅を上下
に二分しているが、Ｖ１，Ｖ２のレベルに応じてその値
を比例配分してヒステリシス幅を分配するようにしても
よい。又閾値の中心Ｖcen もＶ１，Ｖ２の相乗平均に限
らず相加平均等、他の種々の方法で決めるようにするこ
とができる。又本実施形態では光ファイバ２２の端面を
集光レンズ２８の焦点位置より偏光ビームスプリッタ２
６側に配置しているが、その光軸上で焦点位置より後方
に配置するようにしてもよい。
には、Ｖ２−Ｖ１が同一であっても図８（ａ）に示すよ
うにＶ１にＶcen が近づくため、検出距離範囲は広くな
る。このため同様にして図８（ｂ）に示すように検出角
度の変動に対して検出可能範囲が広くなる。本実施形態
では、図１に示すように焦点位置より光ファイバ２２を
前にずらせて配置しているため、Ｓ偏光成分の受光感度
を低下させることができ、検出距離範囲及び検出角度範
囲を広くすることができる。ここでＶthon，Ｖthoff と
はＶcen との差が同一になるようヒステリシス幅を上下
に二分しているが、Ｖ１，Ｖ２のレベルに応じてその値
を比例配分してヒステリシス幅を分配するようにしても
よい。又閾値の中心Ｖcen もＶ１，Ｖ２の相乗平均に限
らず相加平均等、他の種々の方法で決めるようにするこ
とができる。又本実施形態では光ファイバ２２の端面を
集光レンズ２８の焦点位置より偏光ビームスプリッタ２
６側に配置しているが、その光軸上で焦点位置より後方
に配置するようにしてもよい。
【００２４】次に図２に示すフローチャートにおいて、
ステップ３１の判断時にモード切換スイッチ１３がラン
モードであれば、図３のステップ５１に進んでＥＥＰＲ
ＯＭから閾値レベルＶthon，Ｖthoff を読出す。そして
ステップ５２に進んで投光回路５を駆動する。そうすれ
ば投光素子４より光が光ファイバ２１を介して出射さ
れ、レンズ２４，偏光フィルタ２５を介してＳ偏光成分
のみがワークに照射され、その反射光がＳ偏光とＰ偏光
とに分離して受光素子によって受光される。この出力の
Ａ／Ｄ変換値をマイクロコンピュータ１０に読込む（ス
テップ５３）。そしてステップ５４に進み、受光量Ｖを
Ｓ偏光成分の受光量−Ｐ偏光成分の受光量として算出す
る。そしてステップ５５において受光量Ｖを閾値レベル
Ｖthon，Ｖthoff と比較し、オンオフ信号を出力する。
そしてステップ５６に進んでモード切換スイッチ１３が
ティーチモードかどうかをチェックし、ティーチモード
でなければステップ５２に戻って同様の処理を繰り返
す。又ステップ５６においてモード切換スイッチ１３が
ティーチモードに設定されていれば、図２のステップ３
２に戻って同様の処理を繰り返し、閾値レベルＶthon，
Ｖthoff を設定する。こうすれば設定した閾値を用いて
２つの物体を識別することができる。ここでマイクロコ
ンピュータ１０はステップ５１〜５５において第１，第
２の光束の受光量の差分値に基づいて検知物体の光沢度
を判別する光沢度判別手段の機能を達成している。
ステップ３１の判断時にモード切換スイッチ１３がラン
モードであれば、図３のステップ５１に進んでＥＥＰＲ
ＯＭから閾値レベルＶthon，Ｖthoff を読出す。そして
ステップ５２に進んで投光回路５を駆動する。そうすれ
ば投光素子４より光が光ファイバ２１を介して出射さ
れ、レンズ２４，偏光フィルタ２５を介してＳ偏光成分
のみがワークに照射され、その反射光がＳ偏光とＰ偏光
とに分離して受光素子によって受光される。この出力の
Ａ／Ｄ変換値をマイクロコンピュータ１０に読込む（ス
テップ５３）。そしてステップ５４に進み、受光量Ｖを
Ｓ偏光成分の受光量−Ｐ偏光成分の受光量として算出す
る。そしてステップ５５において受光量Ｖを閾値レベル
Ｖthon，Ｖthoff と比較し、オンオフ信号を出力する。
そしてステップ５６に進んでモード切換スイッチ１３が
ティーチモードかどうかをチェックし、ティーチモード
でなければステップ５２に戻って同様の処理を繰り返
す。又ステップ５６においてモード切換スイッチ１３が
ティーチモードに設定されていれば、図２のステップ３
２に戻って同様の処理を繰り返し、閾値レベルＶthon，
Ｖthoff を設定する。こうすれば設定した閾値を用いて
２つの物体を識別することができる。ここでマイクロコ
ンピュータ１０はステップ５１〜５５において第１，第
２の光束の受光量の差分値に基づいて検知物体の光沢度
を判別する光沢度判別手段の機能を達成している。
【００２５】図９は本発明の第２の実施形態による光沢
度判別センサ装置の光学系部分を示す図である。本図に
示すようにＰ偏光成分の感度をＳ偏光成分より大きくす
るために集光レンズ２９より径の大きい集光レンズ２９
Ａを用いたものである。又この場合は光ファイバ２２の
端面をレンズ２８の焦点位置に配置している。その他の
構成は第１実施形態と同様である。このようにレンズ２
９Ａの径を大きくすれば、相対的にＰ偏光成分の受光レ
ベルが上昇し受光量Ｖが低下するため、第１実施形態と
同様の効果が得られる。
度判別センサ装置の光学系部分を示す図である。本図に
示すようにＰ偏光成分の感度をＳ偏光成分より大きくす
るために集光レンズ２９より径の大きい集光レンズ２９
Ａを用いたものである。又この場合は光ファイバ２２の
端面をレンズ２８の焦点位置に配置している。その他の
構成は第１実施形態と同様である。このようにレンズ２
９Ａの径を大きくすれば、相対的にＰ偏光成分の受光レ
ベルが上昇し受光量Ｖが低下するため、第１実施形態と
同様の効果が得られる。
【００２６】図１０は本発明の第３実施形態による光沢
度判別センサ装置の光学系部分を示す図である。本実施
形態ではレンズ２８の焦点位置より前方に光ファイバ２
２を配置し、同時にレンズ２９の焦点位置より前方に第
１，第２実施形態より太い光ファイバ２３Ａを配置す
る。こうすればＰ偏光成分の受光感度が高くなるため、
前述した第１実施形態と同様の効果を得ることができ
る。
度判別センサ装置の光学系部分を示す図である。本実施
形態ではレンズ２８の焦点位置より前方に光ファイバ２
２を配置し、同時にレンズ２９の焦点位置より前方に第
１，第２実施形態より太い光ファイバ２３Ａを配置す
る。こうすればＰ偏光成分の受光感度が高くなるため、
前述した第１実施形態と同様の効果を得ることができ
る。
【００２７】図１１は本発明の第４実施形態による光沢
度判別センサ装置の光学系部分を示す図である。本実施
形態では光ファイバ２２，２３は夫々レンズ２８，２９
の焦点位置に配置するものとする。そしてレンズ２８と
光ファイバ２２の間に受光量を減衰させる光量減衰用の
フィルタ６１を配置する。このようにフィルタを配置す
ればＳ偏光成分の受光感度が低下するため、前述した各
実施形態と同様の効果が得られる。
度判別センサ装置の光学系部分を示す図である。本実施
形態では光ファイバ２２，２３は夫々レンズ２８，２９
の焦点位置に配置するものとする。そしてレンズ２８と
光ファイバ２２の間に受光量を減衰させる光量減衰用の
フィルタ６１を配置する。このようにフィルタを配置す
ればＳ偏光成分の受光感度が低下するため、前述した各
実施形態と同様の効果が得られる。
【００２８】図１２は本発明の第５実施形態による光沢
度判別センサ装置の光学系部分を示す図である。本図に
おいて光ファイバ２２，２３は夫々レンズ２８，２９の
焦点位置にその端面を配置する。そしてレンズ２８と光
ファイバ２２との間にＳ偏光成分を透過する偏光フィル
タ６２を配置し、レンズ２９と光ファイバ２３の間にＰ
偏光成分を透過させる偏光フィルタ６３を配置する。そ
して偏光フィルタ６２の方が偏光フィルタ６３より透過
率を低いものを用いるようにすれば、相対的にＳ偏光成
分の感度が低下するため、前述した各実施形態と同様の
効果を得ることができる。
度判別センサ装置の光学系部分を示す図である。本図に
おいて光ファイバ２２，２３は夫々レンズ２８，２９の
焦点位置にその端面を配置する。そしてレンズ２８と光
ファイバ２２との間にＳ偏光成分を透過する偏光フィル
タ６２を配置し、レンズ２９と光ファイバ２３の間にＰ
偏光成分を透過させる偏光フィルタ６３を配置する。そ
して偏光フィルタ６２の方が偏光フィルタ６３より透過
率を低いものを用いるようにすれば、相対的にＳ偏光成
分の感度が低下するため、前述した各実施形態と同様の
効果を得ることができる。
【００２９】図１３は本発明の第６実施形態による光沢
度判別センサ装置の光学系部分を示す図である。本実施
形態においても光ファイバ２３の端面はレンズ２９の焦
点位置に配置する。そして光ファイバ２２は測定の中心
距離にワーク２７が位置する場合に、光ファイバの端面
中心より光軸に平行にずらせる。即ち図中破線で示すよ
うに、ワーク２７が中心距離よりやや遠方の特定位置に
平行に移動したときに、反射光のうちのＳ偏光成分がそ
の中心位置に入射する位置に配置する。こうすれば図１
４（ａ）に示すように距離に対してＰ偏光成分の受光量
は同一であるが、光ファイバ２２を元の位置から図１３
に示す位置に移動したときに、Ｓ偏光成分の受光量は実
線Ｓ１から破線Ｓ２で示すように変化する。従ってＳ偏
光成分とＰ偏光成分との差分として示される受光量Ｖの
変化も、図１４（ｂ）に示すように実線Ａから破線Ｂの
ように変化する。このため前述した各実施形態と同様の
効果が得られる。更に遠距離側ではＳ偏光成分の受光量
が上昇し、近距離では低下するため、距離変動に対する
受光量の変動も小さくなり、距離変動に対する影響が少
なくなるという効果が得られる。
度判別センサ装置の光学系部分を示す図である。本実施
形態においても光ファイバ２３の端面はレンズ２９の焦
点位置に配置する。そして光ファイバ２２は測定の中心
距離にワーク２７が位置する場合に、光ファイバの端面
中心より光軸に平行にずらせる。即ち図中破線で示すよ
うに、ワーク２７が中心距離よりやや遠方の特定位置に
平行に移動したときに、反射光のうちのＳ偏光成分がそ
の中心位置に入射する位置に配置する。こうすれば図１
４（ａ）に示すように距離に対してＰ偏光成分の受光量
は同一であるが、光ファイバ２２を元の位置から図１３
に示す位置に移動したときに、Ｓ偏光成分の受光量は実
線Ｓ１から破線Ｓ２で示すように変化する。従ってＳ偏
光成分とＰ偏光成分との差分として示される受光量Ｖの
変化も、図１４（ｂ）に示すように実線Ａから破線Ｂの
ように変化する。このため前述した各実施形態と同様の
効果が得られる。更に遠距離側ではＳ偏光成分の受光量
が上昇し、近距離では低下するため、距離変動に対する
受光量の変動も小さくなり、距離変動に対する影響が少
なくなるという効果が得られる。
【００３０】図１５は本発明の第７実施形態による光沢
度判別センサ装置の光学系部分を示す図である。本図に
示すように光ファイバ２２，２３は夫々レンズ２８，２
９の焦点位置に配置する。本実施形態では光ファイバ２
２を図示のように回転させて信号処理部２に導くように
している。こうすれば光ファイバの湾曲によりＳ偏光成
分の受光感度が低下するため、前述した各実施形態と同
様の効果が得ることができる。
度判別センサ装置の光学系部分を示す図である。本図に
示すように光ファイバ２２，２３は夫々レンズ２８，２
９の焦点位置に配置する。本実施形態では光ファイバ２
２を図示のように回転させて信号処理部２に導くように
している。こうすれば光ファイバの湾曲によりＳ偏光成
分の受光感度が低下するため、前述した各実施形態と同
様の効果が得ることができる。
【００３１】前述した各実施形態ではヘッド部の光学系
部分においてＳ偏光成分のレベルを低下させるようにし
ているが、信号処理部２の受光回路８，９によりそのレ
ベルを変化させるようにしてもよい。例えばＰ側受光回
路９の増幅率をＳ側受光回路８の増幅率より大きくする
か、Ｓ受光回路８の増幅率を小さくするようにすれば同
様の効果が得られる。又Ｐ側受光回路９のオフセットを
大きくし、その出力レベルを実際の受光量より大きくす
るか、又はＳ側受光回路８に負のオフセットを与えてそ
の出力レベルを実際の受光量より小さくしてもよい。こ
うすれば、差分値である受光量Ｖのレベルが低下するた
め、同様に距離変動に対しての変化を少なくすることが
できるという効果が得られる。
部分においてＳ偏光成分のレベルを低下させるようにし
ているが、信号処理部２の受光回路８，９によりそのレ
ベルを変化させるようにしてもよい。例えばＰ側受光回
路９の増幅率をＳ側受光回路８の増幅率より大きくする
か、Ｓ受光回路８の増幅率を小さくするようにすれば同
様の効果が得られる。又Ｐ側受光回路９のオフセットを
大きくし、その出力レベルを実際の受光量より大きくす
るか、又はＳ側受光回路８に負のオフセットを与えてそ
の出力レベルを実際の受光量より小さくしてもよい。こ
うすれば、差分値である受光量Ｖのレベルが低下するた
め、同様に距離変動に対しての変化を少なくすることが
できるという効果が得られる。
【００３２】尚前述した各実施形態では、ヘッド部３と
信号処理部２とを光ファイバ２１〜２３によって分離す
るようにしているが、レンズ２４，２８，２９の位置に
直接投光素子４や受光素子６，７を配置し、一体型の光
沢度判別センサ装置として構成してもよいことはいうま
でもない。
信号処理部２とを光ファイバ２１〜２３によって分離す
るようにしているが、レンズ２４，２８，２９の位置に
直接投光素子４や受光素子６，７を配置し、一体型の光
沢度判別センサ装置として構成してもよいことはいうま
でもない。
【００３３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、光沢度を検知する光沢度判別センサ装置において物
体までの距離や物体の角度に対する変動を小さくするこ
とができ、検出感度を向上させることができるという効
果が得られる。又請求項５の発明では、第１の光束の受
光位置を変更することによって距離変動をより受けにく
い光沢度判別センサ装置とすることができる。
ば、光沢度を検知する光沢度判別センサ装置において物
体までの距離や物体の角度に対する変動を小さくするこ
とができ、検出感度を向上させることができるという効
果が得られる。又請求項５の発明では、第１の光束の受
光位置を変更することによって距離変動をより受けにく
い光沢度判別センサ装置とすることができる。
【図１】本発明の第１実施形態による光沢度判別センサ
装置の全体構成を示すブロック図である。
装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】本実施形態のティーチングモードでの動作を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図３】本実施形態のランモードでの動作を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図４】光沢度の小さい物体及び大きい物体に一方に偏
光方向を有する光を入射したときの正反射光と拡散反射
光との関係を示す概略図である。
光方向を有する光を入射したときの正反射光と拡散反射
光との関係を示す概略図である。
【図５】本実施形態と比較するための比較例による光沢
度判別センサ装置の光学系部分を示す図である。
度判別センサ装置の光学系部分を示す図である。
【図６】受光量Ｖと閾値の関係を示すグラフである。
【図７】比較例による受光量Ｖの距離及び角度の変化に
対する変化を示すグラフである。
対する変化を示すグラフである。
【図８】本発明の第１実施形態による受光量Ｖの距離及
び角度の変化に対する変化を示すグラフである。
び角度の変化に対する変化を示すグラフである。
【図９】本発明の第２実施形態による光沢度判別センサ
装置の光学系部分を示す図である。
装置の光学系部分を示す図である。
【図１０】本発明の第３実施形態による光沢度判別セン
サ装置の光学系部分を示す図である。
サ装置の光学系部分を示す図である。
【図１１】本発明の第４実施形態による光沢度判別セン
サ装置の光学系部分を示す図である。
サ装置の光学系部分を示す図である。
【図１２】本発明の第５実施形態による光沢度判別セン
サ装置の光学系部分を示す図である。
サ装置の光学系部分を示す図である。
【図１３】本発明の第６実施形態による光沢度判別セン
サ装置の光学系部分を示す図である。
サ装置の光学系部分を示す図である。
【図１４】第６実施形態による距離の変化に対する受光
量Ｓ，Ｐ及びＶの変化を示すグラフである。
量Ｓ，Ｐ及びＶの変化を示すグラフである。
【図１５】本発明の第７実施形態による光沢度判別セン
サ装置の光学系部分を示す図である。
サ装置の光学系部分を示す図である。
１ 光沢度判別センサ装置 ２ 信号処理部 ３，３Ａ ヘッド部 ４ 投光素子 ５ 投光回路 ６，７ 受光素子 ８ Ｓ側受光回路 ９ Ｐ側受光回路 １０ マイクロコンピュータ １１ 発振回路 １２ 電源回路 １３ モード切換スイッチ １４ 感度設定スイッチ １５ ＥＥＰＲＯＭ １６ 出力回路 ２１〜２３，２３Ａ 光ファイバ ２４ レンズ ２５，６２，６３ 偏光フィルタ ２６ 偏光ビームスプリッタ ２７ ワーク ２８，２９，２９Ａ レンズ ６１ フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｋ 17/78 Ｇ０１Ｂ 11/30 １０２Ｚ Ｇ０１Ｓ 17/02 Ａ // Ｇ０１Ｂ 11/30 １０２ Ｂ
Claims (5)
- 【請求項１】 特定の偏光方向の光を出射する投光手段
と、 前記投光手段より出射され検知物体により反射された反
射光のうち、投光側の偏光方向と平行な偏光成分を有す
る第１の光束、及び前記投光手段より出射され検知物体
により反射された反射光のうち、投光側の偏光方向と垂
直な偏光成分を有する第２の光束を夫々分離して受光す
る受光手段と、 前記受光手段の第１，第２の光束の受光信号の差分値に
基づいて検知物体の光沢度を判別する光沢度判別手段
と、を具備し、 前記受光手段は第２の光束の受光感度を第１の光束の受
光感度より相対的に大きくしたことを特徴とする光沢度
判別センサ装置。 - 【請求項２】 前記受光手段は、第１の光束の受光感度
を小さく変化させるようにしたことを特徴とする請求項
１記載の光沢度判別センサ装置。 - 【請求項３】 前記受光手段は、第２の光束の受光感度
を大きく変化させるようにしたことを特徴とする請求項
１記載の光沢度判別センサ装置。 - 【請求項４】 前記受光手段は、反射光のうち第１の光
束を集光する集光レンズ及び受光素子を有し、前記受光
素子の受光領域を前記集光レンズの焦点位置より光軸方
向に沿ってずらせて配置したものであることを特徴とす
る請求項２記載の光沢度判別センサ装置。 - 【請求項５】 前記受光手段は、反射光のうち第１の光
束を集光する集光レンズ及び受光素子を有し、検知物体
を基準位置より所定距離遠方にずらせたときに前記集光
レンズの焦点位置が前記受光素子の受光領域の中心とな
るように配置したことを特徴とする請求項２記載の光沢
度判別センサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34924695A JP3264162B2 (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 光沢度判別センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34924695A JP3264162B2 (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 光沢度判別センサ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09170983A true JPH09170983A (ja) | 1997-06-30 |
| JP3264162B2 JP3264162B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=18402474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34924695A Expired - Fee Related JP3264162B2 (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | 光沢度判別センサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3264162B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11211654A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Otsuka Denshi Kk | 偏光解析装置 |
| JPH11326187A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-26 | Fuji Electric Co Ltd | 油膜検知装置 |
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| CN110476082A (zh) * | 2017-04-03 | 2019-11-19 | 罗伯特·博世有限公司 | 激光雷达系统和用于运行激光雷达系统的方法 |
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1995
- 1995-12-19 JP JP34924695A patent/JP3264162B2/ja not_active Expired - Fee Related
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