JPH11211654A - 偏光解析装置 - Google Patents
偏光解析装置Info
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- JPH11211654A JPH11211654A JP10013863A JP1386398A JPH11211654A JP H11211654 A JPH11211654 A JP H11211654A JP 10013863 A JP10013863 A JP 10013863A JP 1386398 A JP1386398 A JP 1386398A JP H11211654 A JPH11211654 A JP H11211654A
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23N—REGULATING OR CONTROLLING COMBUSTION
- F23N2223/00—Signal processing; Details thereof
- F23N2223/20—Opto-coupler
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23N—REGULATING OR CONTROLLING COMBUSTION
- F23N2227/00—Ignition or checking
- F23N2227/02—Starting or ignition cycles
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23N—REGULATING OR CONTROLLING COMBUSTION
- F23N2231/00—Fail safe
- F23N2231/20—Warning devices
- F23N2231/22—Warning devices using warning lamps
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
- F23N—REGULATING OR CONTROLLING COMBUSTION
- F23N5/00—Systems for controlling combustion
- F23N5/26—Details
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】測定時に偏光子の回転が必要でなく短時間で測
定でき、かつ、構造が簡単な偏光解析装置を実現する。 【解決手段】３種以上の固定された偏光素子６ａ〜６ｄ
を組み合わせ、それぞれの偏光素子６ａ〜６ｄを通り、
集光された光束を分光器９でそれぞれ同時に分光し、複
数のスペクトルとして検出し、装置定数Ｇ又はＡを使用
して偏光解析演算を行う。
定でき、かつ、構造が簡単な偏光解析装置を実現する。 【解決手段】３種以上の固定された偏光素子６ａ〜６ｄ
を組み合わせ、それぞれの偏光素子６ａ〜６ｄを通り、
集光された光束を分光器９でそれぞれ同時に分光し、複
数のスペクトルとして検出し、装置定数Ｇ又はＡを使用
して偏光解析演算を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料に偏光を照射
して透過光あるいは反射光の偏光状態を測定して試料の
偏光特性を解析する偏光解析装置に関するものである。
して透過光あるいは反射光の偏光状態を測定して試料の
偏光特性を解析する偏光解析装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】偏光解析装置の一種であるエリプソメー
タは、ある偏光の光を試料に照射し、その透過光又は反
射光の偏光状態からエリプソパラメータを求め、試料の
偏光特性を解析する装置である。電場ベクトルが入射面
（入射光束と反射光束が通る面）に垂直な成分であるｓ
波の反射率と、平行な成分であるｐ波の反射率の比 tan
Ψと位相差Δ（あるいはΨとΔ）をエリプソパラメータ
といい、エリプソパラメータを使って、膜厚の測定や、
薄膜材料の物性の測定が可能となる（特開平５−１３３
８１１号公報、特開平５−１４２１４１号公報参照）。
タは、ある偏光の光を試料に照射し、その透過光又は反
射光の偏光状態からエリプソパラメータを求め、試料の
偏光特性を解析する装置である。電場ベクトルが入射面
（入射光束と反射光束が通る面）に垂直な成分であるｓ
波の反射率と、平行な成分であるｐ波の反射率の比 tan
Ψと位相差Δ（あるいはΨとΔ）をエリプソパラメータ
といい、エリプソパラメータを使って、膜厚の測定や、
薄膜材料の物性の測定が可能となる（特開平５−１３３
８１１号公報、特開平５−１４２１４１号公報参照）。
【０００３】また、ある偏光の光を試料に照射し、その
透過光又は反射光の偏光状態からストークスパラメータ
を求めるストークスメータも知られている。本明細書で
は、エリプソメータ、ストークスメータを総称して「偏
光解析装置」という。特に、パラメータの波長依存性を
測定することができる分光偏光解析装置は、多層膜のよ
うな複雑な膜の解析に最適である。
透過光又は反射光の偏光状態からストークスパラメータ
を求めるストークスメータも知られている。本明細書で
は、エリプソメータ、ストークスメータを総称して「偏
光解析装置」という。特に、パラメータの波長依存性を
測定することができる分光偏光解析装置は、多層膜のよ
うな複雑な膜の解析に最適である。
【０００４】従来の偏光解析装置の構成を図６及び図７
に示す。図６は、試料透過型の偏光解析装置を示してい
る。この試料透過型の偏光解析装置は、白色光源２の光
を集光光学系３、回転偏光子４、回転可能な位相差板２
１を通して試料５に当て、試料５を透過した光を回転検
光子１４、集光光学系１５を通して、光ファイバ８に入
れている。光ファイバ８を透過した光は、分光器１６に
入り、検出器１７によってそのスペクトルが検出され
る。検出されたスペクトル信号は、演算処理装置１８に
入力されここで偏光解析演算がなされる。
に示す。図６は、試料透過型の偏光解析装置を示してい
る。この試料透過型の偏光解析装置は、白色光源２の光
を集光光学系３、回転偏光子４、回転可能な位相差板２
１を通して試料５に当て、試料５を透過した光を回転検
光子１４、集光光学系１５を通して、光ファイバ８に入
れている。光ファイバ８を透過した光は、分光器１６に
入り、検出器１７によってそのスペクトルが検出され
る。検出されたスペクトル信号は、演算処理装置１８に
入力されここで偏光解析演算がなされる。
【０００５】図７は、試料反射型の偏光解析装置を示し
ている。この試料反射型の偏光解析装置が試料透過型の
偏光解析装置と違うところは、試料５を反射した光を測
定していることであり、他は試料透過型の偏光解析装置
と同様である。なお、エリプソメータとして使用する場
合は、回転偏光子４と試料５との間の位相差板２１は必
要でない。
ている。この試料反射型の偏光解析装置が試料透過型の
偏光解析装置と違うところは、試料５を反射した光を測
定していることであり、他は試料透過型の偏光解析装置
と同様である。なお、エリプソメータとして使用する場
合は、回転偏光子４と試料５との間の位相差板２１は必
要でない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の偏光
解析装置は、測定するときに偏光子や検光子を回転（半
回転又はそれ以上）させる必要があり、その回転に一定
以上の時間が必要である。したがって、高速測定が困難
であり、特に試料が経時変化を起こす場合に解析ができ
なかった。また、偏光子や検光子を回転させる機構も必
要となるので、構造が複雑になるとともに、光学素子の
光軸の調整精度不足、光学素子の加工精度不足、光学素
子の中心軸の直線性の不良などのために測定中に光軸が
動く可能性もあり、測定精度を悪くする原因となってい
た。
解析装置は、測定するときに偏光子や検光子を回転（半
回転又はそれ以上）させる必要があり、その回転に一定
以上の時間が必要である。したがって、高速測定が困難
であり、特に試料が経時変化を起こす場合に解析ができ
なかった。また、偏光子や検光子を回転させる機構も必
要となるので、構造が複雑になるとともに、光学素子の
光軸の調整精度不足、光学素子の加工精度不足、光学素
子の中心軸の直線性の不良などのために測定中に光軸が
動く可能性もあり、測定精度を悪くする原因となってい
た。
【０００７】そこで、短時間で測定でき、かつ、構造が
簡単な偏光解析装置の実現が求められている。
簡単な偏光解析装置の実現が求められている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の偏光解析装置
は、３種以上の検光子を組み合わせた検光手段と、光束
分離集光光学系と、集光された複数光束をそれぞれ同時
に分光する分光器と、複数のスペクトルを同時に検出す
ることのできる検出器と、偏光解析演算を行う演算処理
部とを有するものである（請求項１）。
は、３種以上の検光子を組み合わせた検光手段と、光束
分離集光光学系と、集光された複数光束をそれぞれ同時
に分光する分光器と、複数のスペクトルを同時に検出す
ることのできる検出器と、偏光解析演算を行う演算処理
部とを有するものである（請求項１）。
【０００９】前記の偏光解析演算は、装置定数Ｃあるい
はゲインファクターＧを使用して行う。前記の構成の偏
光解析装置によれば、３種以上の検光子を組み合わせた
検光手段を測定に使用するので、各検光子を通過した光
の同時測定が行え、したがって測定時間が短くなり、回
転部分も不要となる。
はゲインファクターＧを使用して行う。前記の構成の偏
光解析装置によれば、３種以上の検光子を組み合わせた
検光手段を測定に使用するので、各検光子を通過した光
の同時測定が行え、したがって測定時間が短くなり、回
転部分も不要となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、添
付図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明
に係る試料透過型の分光偏光解析装置の構成を示してい
る。この試料透過型の分光偏光解析装置は、白色光源２
の光を集光光学系３及び直線偏光子（以下単に「偏光
子」という）４、回転可能な位相差板（以下単に「位相
差板」という）２０を通して試料５に当て、試料５を透
過した光を複数（この例では４個）の直線検光子（以下
単に「検光子」という）６ａ〜６ｄに通し、光束分離集
光光学系７を通して、複数本（この例では４本）の光フ
ァイバ８ａ〜８ｄに入れている。各光ファイバ８ａ〜８
ｄを透過した光は、それぞれＣＣＤなどの２次元分光器
９に入り、２次元検出器１０によってそれらのスペクト
ルが独立して検出される。検出されたスペクトル信号
は、演算処理装置１１に入力され、ここで偏光解析演算
がなされる。
付図面を参照しながら詳細に説明する。図１は、本発明
に係る試料透過型の分光偏光解析装置の構成を示してい
る。この試料透過型の分光偏光解析装置は、白色光源２
の光を集光光学系３及び直線偏光子（以下単に「偏光
子」という）４、回転可能な位相差板（以下単に「位相
差板」という）２０を通して試料５に当て、試料５を透
過した光を複数（この例では４個）の直線検光子（以下
単に「検光子」という）６ａ〜６ｄに通し、光束分離集
光光学系７を通して、複数本（この例では４本）の光フ
ァイバ８ａ〜８ｄに入れている。各光ファイバ８ａ〜８
ｄを透過した光は、それぞれＣＣＤなどの２次元分光器
９に入り、２次元検出器１０によってそれらのスペクト
ルが独立して検出される。検出されたスペクトル信号
は、演算処理装置１１に入力され、ここで偏光解析演算
がなされる。
【００１１】なお、偏光子４は、ストークスメータとし
て測定及びキャリブレーションに使用するとき並びにエ
リプソメータとしてキャリブレーションに使用するとき
には回転するものが必要であるが、エリプソメータとし
て測定に使用するときは回転できない固定型のものでも
よい。位相差板２０は、ストークスメータとして測定及
びキャリブレーションに使用するときに必要であって、
エリプソメータとして測定及びキャリブレーションに使
用するときは絶対的に必要なものではない（あってもよ
い）。また、位相差板２０の位置は、偏光子４と検光子
６ａ〜６ｄとの間にあれば、試料５の後においてもよ
い。
て測定及びキャリブレーションに使用するとき並びにエ
リプソメータとしてキャリブレーションに使用するとき
には回転するものが必要であるが、エリプソメータとし
て測定に使用するときは回転できない固定型のものでも
よい。位相差板２０は、ストークスメータとして測定及
びキャリブレーションに使用するときに必要であって、
エリプソメータとして測定及びキャリブレーションに使
用するときは絶対的に必要なものではない（あってもよ
い）。また、位相差板２０の位置は、偏光子４と検光子
６ａ〜６ｄとの間にあれば、試料５の後においてもよ
い。
【００１２】前記白色光源２は、試料５の透過光のスペ
クトルを必要な範囲で測定できる波長の広がりを持つも
のであればよく、例えば、Ｘｅランプなどの希ガスを使
ったランプ、ハロゲンランプ、水銀ランプなどが使用で
きる。前記集光光学系３は、レンズ又はミラーを使って
構成した集光光学系のことである。
クトルを必要な範囲で測定できる波長の広がりを持つも
のであればよく、例えば、Ｘｅランプなどの希ガスを使
ったランプ、ハロゲンランプ、水銀ランプなどが使用で
きる。前記集光光学系３は、レンズ又はミラーを使って
構成した集光光学系のことである。
【００１３】検光子６ａ〜６ｄは、それぞれ偏光方向の
異なった複数の検光子６ａ〜６ｄを組み合わせたもので
あり、図１の例では、正方形を４つに縦横分割するよう
に配置している。このように配置したのは、検光子６ａ
〜６ｄが図１に図示した光軸Ｄから離れる距離を、各検
光子６ａ〜６ｄについて均一かつ最小にするためであ
る。
異なった複数の検光子６ａ〜６ｄを組み合わせたもので
あり、図１の例では、正方形を４つに縦横分割するよう
に配置している。このように配置したのは、検光子６ａ
〜６ｄが図１に図示した光軸Ｄから離れる距離を、各検
光子６ａ〜６ｄについて均一かつ最小にするためであ
る。
【００１４】複数の検光子６ａ〜６ｄの偏光方向は、０
°から１８０°までの任意の角度で重複しない角度であ
ればよい（ここで１８０°以上はその角度から１８０°
の整数倍を引いた角度とする）。例えば、任意の角度を
基準としてそれぞれ０°、４５°、９０°、１３５°
と、４５°ずつずれていてもよい。検光子６ａ〜６ｄの
数は４つであったが、最低３つあればエリプソパラメー
タの測定は可能である。
°から１８０°までの任意の角度で重複しない角度であ
ればよい（ここで１８０°以上はその角度から１８０°
の整数倍を引いた角度とする）。例えば、任意の角度を
基準としてそれぞれ０°、４５°、９０°、１３５°
と、４５°ずつずれていてもよい。検光子６ａ〜６ｄの
数は４つであったが、最低３つあればエリプソパラメー
タの測定は可能である。
【００１５】光束分離集光光学系７は、後述するよう
に、試料５から出て、複数の検光子６ａ〜６ｄを通った
光をそれぞれ複数の光ファイバ８ａ〜８ｄの各入射端８
１に集める光学系である。２次元分光器９は、複数の光
ファイバ８ａ〜８ｄから出射される各光束を、それぞれ
分光し、２次元検出器１０の異なる検出位置にスペクト
ルとして結像させる分光器である。
に、試料５から出て、複数の検光子６ａ〜６ｄを通った
光をそれぞれ複数の光ファイバ８ａ〜８ｄの各入射端８
１に集める光学系である。２次元分光器９は、複数の光
ファイバ８ａ〜８ｄから出射される各光束を、それぞれ
分光し、２次元検出器１０の異なる検出位置にスペクト
ルとして結像させる分光器である。
【００１６】以上の分光偏光解析装置において、白色光
源２から出た光の集光点（焦点）は、試料５の観測点、
光ファイバ８ａ〜８ｄの入射端８１、２次元分光器９の
スリット、及び２次元検出器１０の検出面にそれぞれ位
置することになる。なお、図１において、偏光子４及び
検光子６ａ〜６ｄは互いに入れ替えてもよい。集光光学
系３及び光束分離集光光学系７は互いに入れ替えてもよ
い。また光ファイバ８ａ〜８ｄを省略して光を直接２次
元分光器９に入れてもよい。
源２から出た光の集光点（焦点）は、試料５の観測点、
光ファイバ８ａ〜８ｄの入射端８１、２次元分光器９の
スリット、及び２次元検出器１０の検出面にそれぞれ位
置することになる。なお、図１において、偏光子４及び
検光子６ａ〜６ｄは互いに入れ替えてもよい。集光光学
系３及び光束分離集光光学系７は互いに入れ替えてもよ
い。また光ファイバ８ａ〜８ｄを省略して光を直接２次
元分光器９に入れてもよい。
【００１７】光束分離集光光学系７の詳細を図２に示
す。図２において、試料５を透過し、各検光子６ａ〜６
ｄを透過した光は、それぞれ４つの平面鏡７１ａ〜７１
ｄで反射され、さらに凹面鏡７２で反射され、４つの光
ファイバ端面８１においてそれぞれ集光される。各平面
鏡７１ａ〜７１ｄは、同一平面に置かれたものではな
く、それぞれ設置角度が異なっている。これは、試料５
から出た光が、４つの光ファイバ端面８１で別々に焦点
を結ぶようにするためである。
す。図２において、試料５を透過し、各検光子６ａ〜６
ｄを透過した光は、それぞれ４つの平面鏡７１ａ〜７１
ｄで反射され、さらに凹面鏡７２で反射され、４つの光
ファイバ端面８１においてそれぞれ集光される。各平面
鏡７１ａ〜７１ｄは、同一平面に置かれたものではな
く、それぞれ設置角度が異なっている。これは、試料５
から出た光が、４つの光ファイバ端面８１で別々に焦点
を結ぶようにするためである。
【００１８】なお、図２の構成で、光ファイバ端面８１
は縦横に並んでいるが、これに限らず直線状に４つ並ん
でいてもよい。また平面鏡７１ａ〜７１ｄと凹面鏡７２
とを入れ替えてもよい。さらに途中に平面鏡を挿入して
光学系をコンパクトにすることも可能である。また平面
鏡７１ａ〜７１ｄを凹面鏡として、凹面鏡７２を省略す
ることも可能である。
は縦横に並んでいるが、これに限らず直線状に４つ並ん
でいてもよい。また平面鏡７１ａ〜７１ｄと凹面鏡７２
とを入れ替えてもよい。さらに途中に平面鏡を挿入して
光学系をコンパクトにすることも可能である。また平面
鏡７１ａ〜７１ｄを凹面鏡として、凹面鏡７２を省略す
ることも可能である。
【００１９】また試料５と検光子６ａ〜６ｄに間にレン
ズ、ミラー又はその組合せを用いた集光光学系あるいは
光束拡大光学系を置くことも可能である。こうすれば、
試料５と検出光学系の配置に制限がある場合でも光束を
検出器に導くことができる。図３は、２次元検出器１０
の検出面１０ａにおけるスペクトルの結像位置を説明す
る図である。複数の光ファイバ８ａ〜８ｄから出射され
る各光束は、それぞれ分光され、２次元検出器１０の検
出面１０ａでは、それぞれ、図３の縦方向に分離して結
像する。図３の横方向は波長に対応する。なお、各スペ
クトル間の領域にバックグラウンド補正用のチャンネル
を設定すれば、光束のスペクトルから差し引くことによ
り、分光器の迷光を除去したスペクトルを得ることがで
きるという利点がある。
ズ、ミラー又はその組合せを用いた集光光学系あるいは
光束拡大光学系を置くことも可能である。こうすれば、
試料５と検出光学系の配置に制限がある場合でも光束を
検出器に導くことができる。図３は、２次元検出器１０
の検出面１０ａにおけるスペクトルの結像位置を説明す
る図である。複数の光ファイバ８ａ〜８ｄから出射され
る各光束は、それぞれ分光され、２次元検出器１０の検
出面１０ａでは、それぞれ、図３の縦方向に分離して結
像する。図３の横方向は波長に対応する。なお、各スペ
クトル間の領域にバックグラウンド補正用のチャンネル
を設定すれば、光束のスペクトルから差し引くことによ
り、分光器の迷光を除去したスペクトルを得ることがで
きるという利点がある。
【００２０】図４は、本発明に係る、試料反射型の分光
偏光解析装置の構成を示す。図１に示した試料透過型の
分光偏光解析装置との違いだけを説明すると、白色光源
２から出た光が、試料５に斜めに当たり、その反射光が
検出されること、複数の検光子１２ａ〜１２ｄが横１列
に並んでいること、及び光束分離集光光学系１３の構成
が異なることである。
偏光解析装置の構成を示す。図１に示した試料透過型の
分光偏光解析装置との違いだけを説明すると、白色光源
２から出た光が、試料５に斜めに当たり、その反射光が
検出されること、複数の検光子１２ａ〜１２ｄが横１列
に並んでいること、及び光束分離集光光学系１３の構成
が異なることである。
【００２１】複数の検光子１２ａ〜１２ｄを横１列に並
べたのは、反射光が図４に図示した垂線Ｂとなす角度θ
を、各検光子１２ａ〜１２ｄについて均一にするためで
ある。光束分離集光光学系１３の詳細を図５に示す。図
５において、試料５から反射され、各検光子１２ａ〜１
２ｄを透過した光は、それぞれ４つの平面鏡１３ａ〜１
３ｄにあたり反射され、さらに凹面鏡１３１で反射さ
れ、４つの光ファイバ端面８１においてそれぞれ集光さ
れる。各平面鏡１３ａ〜１３ｄは、同一平面に置かれた
ものではなく、それぞれ設置角度が異なっている。これ
は、試料５から出て、各検光子１２ａ〜１２ｄを透過し
た光が、光ファイバ端面８１で別々に焦点を結ぶように
するためである。なお、図５の構成で、光ファイバ端面
８１は直線状に並んでいるが、これに限らず縦横に並ん
でいてもよい。平面鏡１３ａ〜１３ｄと凹面鏡１３１と
を入れ替えてもよい。さらに途中に平面鏡を挿入して光
学系をコンパクトにすることも可能である。また平面鏡
１３ａ〜１３ｄを凹面鏡として、凹面鏡１３１を省略す
ることも可能である。図４では、偏光子４と検光子１２
ａ〜１２ｄを入れ替えてもよい。また試料５と検光子１
２ａ〜１２ｄに間にレン、ミラー又はその組合せを用い
た集光光学系あるいは光束拡大光学系を置くことも可能
である。
べたのは、反射光が図４に図示した垂線Ｂとなす角度θ
を、各検光子１２ａ〜１２ｄについて均一にするためで
ある。光束分離集光光学系１３の詳細を図５に示す。図
５において、試料５から反射され、各検光子１２ａ〜１
２ｄを透過した光は、それぞれ４つの平面鏡１３ａ〜１
３ｄにあたり反射され、さらに凹面鏡１３１で反射さ
れ、４つの光ファイバ端面８１においてそれぞれ集光さ
れる。各平面鏡１３ａ〜１３ｄは、同一平面に置かれた
ものではなく、それぞれ設置角度が異なっている。これ
は、試料５から出て、各検光子１２ａ〜１２ｄを透過し
た光が、光ファイバ端面８１で別々に焦点を結ぶように
するためである。なお、図５の構成で、光ファイバ端面
８１は直線状に並んでいるが、これに限らず縦横に並ん
でいてもよい。平面鏡１３ａ〜１３ｄと凹面鏡１３１と
を入れ替えてもよい。さらに途中に平面鏡を挿入して光
学系をコンパクトにすることも可能である。また平面鏡
１３ａ〜１３ｄを凹面鏡として、凹面鏡１３１を省略す
ることも可能である。図４では、偏光子４と検光子１２
ａ〜１２ｄを入れ替えてもよい。また試料５と検光子１
２ａ〜１２ｄに間にレン、ミラー又はその組合せを用い
た集光光学系あるいは光束拡大光学系を置くことも可能
である。
【００２２】以上の試料透過型及び試料反射型の分光偏
光解析装置におけるキャリブレーション及び測定の方法
を説明する。ただし、以下の方法は、変形が可能であ
り、この方法には限定されず他の手順を採用してもよ
い。 (1) エリプソパラメータ測定時の装置キャリブレーショ
ン 試料透過型の場合は試料なしで、試料反射型の場合は石
英板、ガラス板などのキャリブレーション用試料を用い
て、エリプソパラメータを検光子の１つ（あるいは複
数）を用いて回転偏光子法で測定する。
光解析装置におけるキャリブレーション及び測定の方法
を説明する。ただし、以下の方法は、変形が可能であ
り、この方法には限定されず他の手順を採用してもよ
い。 (1) エリプソパラメータ測定時の装置キャリブレーショ
ン 試料透過型の場合は試料なしで、試料反射型の場合は石
英板、ガラス板などのキャリブレーション用試料を用い
て、エリプソパラメータを検光子の１つ（あるいは複
数）を用いて回転偏光子法で測定する。
【００２３】まず、キャリブレーション用試料の偏光特
性の測定を行う。検出強度Ｉは偏光子４の方位角Ｐの関
数となる。 Ｉ＝Ｉ0 （１＋αcos ２Ｐ＋βsin ２Ｐ） 回転偏光子法で強度ＩをＰに対して求め、上の式からα
及びβを求める。キャリブレーション用試料のエリプソ
パラメータの関数は下記式で求められる。
性の測定を行う。検出強度Ｉは偏光子４の方位角Ｐの関
数となる。 Ｉ＝Ｉ0 （１＋αcos ２Ｐ＋βsin ２Ｐ） 回転偏光子法で強度ＩをＰに対して求め、上の式からα
及びβを求める。キャリブレーション用試料のエリプソ
パラメータの関数は下記式で求められる。
【００２４】tanΨc exp(j Δc ) ＝ tanＡ／｛〔β±j
(１−α2 −β2 )1/2〕／（１＋α）｝ ここでＡは検光子の方位角である。上記式は複素数なの
で、この式よりキャリブレーション用試料のエリプソパ
ラメータ tanΨc と位相差Δc を求めることができる。
(１−α2 −β2 )1/2〕／（１＋α）｝ ここでＡは検光子の方位角である。上記式は複素数なの
で、この式よりキャリブレーション用試料のエリプソパ
ラメータ tanΨc と位相差Δc を求めることができる。
【００２５】このときに位相差板２０を偏光子４と同時
に回すとキャリブレーション用試料のエリプソパラメー
タが求められ、位相差板２０を固定としておくと位相差
板２０の特性が加わったエリプソパラメータが求められ
る。複数の光束の強度を用いる場合には、各々の光束の
強度から求められた偏光状態χ0 、 tanΨc またはcos
Δc を平均する。
に回すとキャリブレーション用試料のエリプソパラメー
タが求められ、位相差板２０を固定としておくと位相差
板２０の特性が加わったエリプソパラメータが求められ
る。複数の光束の強度を用いる場合には、各々の光束の
強度から求められた偏光状態χ0 、 tanΨc またはcos
Δc を平均する。
【００２６】求められた tanΨc とΔc から以下の順序
で装置定数、すなわち４光束各々の検出系のゲインファ
クターを求める。偏光子４の方位角をＰm と設定する
と、キャリブレーション用試料を置いた時の検出光学系
に入る光の偏光特性は下記式で与えられる。 χ0 ＝ tanＰm ／｛ tanΨc exp(j Δc ) ｝ 各光束の検出光量は下記の式で表される。
で装置定数、すなわち４光束各々の検出系のゲインファ
クターを求める。偏光子４の方位角をＰm と設定する
と、キャリブレーション用試料を置いた時の検出光学系
に入る光の偏光特性は下記式で与えられる。 χ0 ＝ tanＰm ／｛ tanΨc exp(j Δc ) ｝ 各光束の検出光量は下記の式で表される。
【００２７】 Ｉａ＝ＧａＩ0 （１＋α′cos ２Ａａ＋β′sin ２Ａａ） Ｉｂ＝ＧｂＩ0 （１＋α′cos ２Ａｂ＋β′sin ２Ａｂ） Ｉｃ＝ＧｃＩ0 （１＋α′cos ２Ａｃ＋β′sin ２Ａｃ） Ｉｄ＝ＧｄＩ0 （１＋α′cos ２Ａｄ＋β′sin ２Ａｄ） ここでＧａからＧｄは光束により受光の効率が異なるこ
とから生じるためのゲインファクター（装置定数）、Ａ
ａからＡｄは各検光子の方位角である。
とから生じるためのゲインファクター（装置定数）、Ａ
ａからＡｄは各検光子の方位角である。
【００２８】なお、分離する光学系が３つ（３光束）の
場合は、３つのゲインファクターＧａからＧｃを求める
ことになる。α′とβ′は下記式で与えられる。 α′＝（１−χ0 χ0 * ）／（１＋χ0 χ0 * ） β′＝（１＋α′）Ｒｅ（χ0 ） ここでχ* はχの共役複素数。Ｒｅは実部を表わす。し
たがって、ゲインファクターＧａＩ0 〜ＧｄＩ0 が計算
で求められる。ある１つのゲインファクターたとえばＧ
ａを１とすると全ての装置定数であるゲインファクター
を求めることができる。これ等のゲインファクターは波
長依存性があるので各波長毎に求める必要がある。 (2) 試料のエリプソパラメータの測定 次に測定試料を装着して各光束の強度ＩａからI ｄを測
定する。下記式で未知数はＩ0 、α″、β″であり、方
程式の数が多いので下記式より最小二乗法により未知数
（α″、β″）を求める。
場合は、３つのゲインファクターＧａからＧｃを求める
ことになる。α′とβ′は下記式で与えられる。 α′＝（１−χ0 χ0 * ）／（１＋χ0 χ0 * ） β′＝（１＋α′）Ｒｅ（χ0 ） ここでχ* はχの共役複素数。Ｒｅは実部を表わす。し
たがって、ゲインファクターＧａＩ0 〜ＧｄＩ0 が計算
で求められる。ある１つのゲインファクターたとえばＧ
ａを１とすると全ての装置定数であるゲインファクター
を求めることができる。これ等のゲインファクターは波
長依存性があるので各波長毎に求める必要がある。 (2) 試料のエリプソパラメータの測定 次に測定試料を装着して各光束の強度ＩａからI ｄを測
定する。下記式で未知数はＩ0 、α″、β″であり、方
程式の数が多いので下記式より最小二乗法により未知数
（α″、β″）を求める。
【００２９】 Ｉａ／Ｇａ ＝Ｉ0 （１＋α″cos ２Ａａ＋β″sin ２Ａａ） Ｉｂ／Ｇｂ ＝Ｉ0 （１＋α″cos ２Ａｂ＋β″sin ２Ａｂ） Ｉｃ／Ｇｃ ＝Ｉ0 （１＋α″cos ２Ａｃ＋β″sin ２Ａｃ） Ｉｄ／Ｇｄ ＝Ｉ0 （１＋α″cos ２Ａｄ＋β″sin ２Ａｄ） 求められたα″とβ″を用い下記式より反射測定の場合
の試料のエリプソパラメータΨとΔが求められる。
の試料のエリプソパラメータΨとΔが求められる。
【００３０】tanΨ exp(jΔ) ＝ tanＰm ／｛〔β″±j
(１−α″2 −β″2 ）1/2 〕／（１＋α″）｝ 透過測定で位相差特性を持つ試料の光軸方向を方位角の
基準方向に設置した場合にはその縦軸と横軸での偏光の
透過率の比（Ψに相当）と位相差（Δに相当）が同じ式
から求められる。
(１−α″2 −β″2 ）1/2 〕／（１＋α″）｝ 透過測定で位相差特性を持つ試料の光軸方向を方位角の
基準方向に設置した場合にはその縦軸と横軸での偏光の
透過率の比（Ψに相当）と位相差（Δに相当）が同じ式
から求められる。
【００３１】なお、光束の数が３つの場合は、前記式に
は３つの未知パラメータがあり、式が３つあるので解を
求めることができる。したがって、３光束の場合でもエ
リプソパラメータΨ，Δを求めることができる。 (3) ストークスメータの場合の装置キャリブレーション 試料透過型の場合は試料なし、試料反射型の場合は石英
板、ガラス板あるいは薄い酸化膜を張ったシリコン基板
などのキャリブレーション用試料を用いて回転偏光子法
により、試料の偏光特性を測定する。
は３つの未知パラメータがあり、式が３つあるので解を
求めることができる。したがって、３光束の場合でもエ
リプソパラメータΨ，Δを求めることができる。 (3) ストークスメータの場合の装置キャリブレーション 試料透過型の場合は試料なし、試料反射型の場合は石英
板、ガラス板あるいは薄い酸化膜を張ったシリコン基板
などのキャリブレーション用試料を用いて回転偏光子法
により、試料の偏光特性を測定する。
【００３２】試料４と試料５の間に置かれた位相差板
の方位角を検光子の方位角の１つと同じになるように同
時に回転させ、１つ（あるいはそれ以上）の光束の信号
を検出して回転偏光子法でキャリブレーション用試料の
特性を測定する。この場合に試料に照射する光は直線偏
光である。検出強度Ｉは偏光子の方位角Ｐの関数とな
る。
の方位角を検光子の方位角の１つと同じになるように同
時に回転させ、１つ（あるいはそれ以上）の光束の信号
を検出して回転偏光子法でキャリブレーション用試料の
特性を測定する。この場合に試料に照射する光は直線偏
光である。検出強度Ｉは偏光子の方位角Ｐの関数とな
る。
【００３３】Ｉ＝Ｉ0 （１＋αcos ２Ｐ＋βsin ２Ｐ） 偏光子を使って回転偏光子法で強度Ｉのグラフを求め、
上の式からα及びβを求める。キャリブレーション用試
料の偏光特性は下記式で求められる。 tanΨc exp(j Δc ) ＝ tanＡ／｛〔β±j(１−α2 −
β2 )1/2〕／（１＋α）｝ ここでＡは選んだ光束の検光子の方位角である。ただし
Δc の符号（つまり上記式の±）は装着した位相差板お
よびキャリブレーション用試料の特性から推定する。
上の式からα及びβを求める。キャリブレーション用試
料の偏光特性は下記式で求められる。 tanΨc exp(j Δc ) ＝ tanＡ／｛〔β±j(１−α2 −
β2 )1/2〕／（１＋α）｝ ここでＡは選んだ光束の検光子の方位角である。ただし
Δc の符号（つまり上記式の±）は装着した位相差板お
よびキャリブレーション用試料の特性から推定する。
【００３４】次に試料４と試料５の間に置かれた位相
差板の方位角を０度あるいは９０度に固定する( 任意の
方位角でも可能) 。１つあるいはそれ以上の光束の信号
を用い、回転偏光子法により位相差板を含むキャリブレ
ーション用治具の偏光特性を測定する。この時の強度の
フーリエ係数α′とβ′から位相差板の特性が測定され
る。
差板の方位角を０度あるいは９０度に固定する( 任意の
方位角でも可能) 。１つあるいはそれ以上の光束の信号
を用い、回転偏光子法により位相差板を含むキャリブレ
ーション用治具の偏光特性を測定する。この時の強度の
フーリエ係数α′とβ′から位相差板の特性が測定され
る。
【００３５】tanΨrc exp(jΔrc）＝１／｛tan Ψc exp
(j Δc ) ｝×tan Ａ／｛〔β′±j(１−α′2 −β′
2 )1/2〕／（１＋α′）｝ ここでΨc 、Δc は(3) で求められた値を用いる。 次に偏光子４の方位角Ｐm を４種類あるいはそれ以
上設定する（ｍ＝１，２，３，４，‥‥）。位相差板の
方位角は偏光子４と同時に回転する場合をケース１、０
度あるいは９０度に固定の場合をケース２とする。４種
類の測定にはケース１とケース２が少なくとも共に１つ
は含まれている必要がある。
(j Δc ) ｝×tan Ａ／｛〔β′±j(１−α′2 −β′
2 )1/2〕／（１＋α′）｝ ここでΨc 、Δc は(3) で求められた値を用いる。 次に偏光子４の方位角Ｐm を４種類あるいはそれ以
上設定する（ｍ＝１，２，３，４，‥‥）。位相差板の
方位角は偏光子４と同時に回転する場合をケース１、０
度あるいは９０度に固定の場合をケース２とする。４種
類の測定にはケース１とケース２が少なくとも共に１つ
は含まれている必要がある。
【００３６】キャリブレーション用試料の偏光特性が判
っているので、次式が与えられる。 χi ／χ0 ＝｛ tanΨc exp(j Δc ）｝ したがってこの式に相当するミュラーマトリックスＭｃ
（Ψc ，Δc ）が求められる。このマトリックスはエリ
プソパラメータΨとΔをもつ試料のミュラーマトリック
スであり下記式で与えられる。
っているので、次式が与えられる。 χi ／χ0 ＝｛ tanΨc exp(j Δc ）｝ したがってこの式に相当するミュラーマトリックスＭｃ
（Ψc ，Δc ）が求められる。このマトリックスはエリ
プソパラメータΨとΔをもつ試料のミュラーマトリック
スであり下記式で与えられる。
【００３７】
【数１】
【００３８】位相差板についても同様にミュラーマトリ
ックスＭｒが求められる。偏光方向Ｐm の場合のストー
クスベクトルＳi はＩ0 （１，cos Ｐm ，sin Ｐm ，
０）Tである。したがって検光子に入射する光のストー
クスベクトルＳo は下記式で求められる。 ケース１の場合；Ｓo ＝ＭｃＳi ケース２の場合：Ｓo ＝ＭｃＭｒＳi 結論として４種類（あるいはそれ以上）のＳo 、つまり
Ｓom（ｍ＝１，２，３，４，‥‥）が求められた。下記
式で検出器側のストークスベクトルを求めることができ
る。
ックスＭｒが求められる。偏光方向Ｐm の場合のストー
クスベクトルＳi はＩ0 （１，cos Ｐm ，sin Ｐm ，
０）Tである。したがって検光子に入射する光のストー
クスベクトルＳo は下記式で求められる。 ケース１の場合；Ｓo ＝ＭｃＳi ケース２の場合：Ｓo ＝ＭｃＭｒＳi 結論として４種類（あるいはそれ以上）のＳo 、つまり
Ｓom（ｍ＝１，２，３，４，‥‥）が求められた。下記
式で検出器側のストークスベクトルを求めることができ
る。
【００３９】Ｓom＝Ｉ0 Ｍｃ（Ψc ，Δc ）Ｍ（Ｐm ）
（１，１，０，０）T Ｍ（Ｐm ）は、座標回転のミュラーマトリックスであ
る。このようにして検出系に入射する光の４種（あるい
はそれ以上）の偏光状態のストークスベクトルＳom＝
（Ｓ0 ，Ｓ1 ，Ｓ2 ，Ｓ3 ）T が計算で求められる。４
種（又はそれ以上）の偏光状態Ｓomの各々で４つの光束
の測定強度をＩｍ＝（Ｉ1 ｍ，Ｉ2 ｍ，Ｉ3 ｍ，Ｉ
4 ｍ）T とする。
（１，１，０，０）T Ｍ（Ｐm ）は、座標回転のミュラーマトリックスであ
る。このようにして検出系に入射する光の４種（あるい
はそれ以上）の偏光状態のストークスベクトルＳom＝
（Ｓ0 ，Ｓ1 ，Ｓ2 ，Ｓ3 ）T が計算で求められる。４
種（又はそれ以上）の偏光状態Ｓomの各々で４つの光束
の測定強度をＩｍ＝（Ｉ1 ｍ，Ｉ2 ｍ，Ｉ3 ｍ，Ｉ
4 ｍ）T とする。
【００４０】Ｉｍ＝Ｃ Ｓom ４種類（またはそれ以上）の設定条件の結果は連立方程
式になりｍ行４列の変換マトリクスＣ（装置定数）が求
められる。ｍが４以上の場合にはＣは最小二乗法で求め
ることが出来る。Ｃは各波長ごとに求めることが必要で
ある。これにより装置のキャリブレーションは完了す
る。 (4) ストークスメータの場合の測定 未知試料を所定の場所に装着し、偏光子の角度Ｐm と位
相差板の方位角度を設 定してある偏光を試料に照射し、４光束の強度Ｉを測定
すると、 Ｉ＝ＣＳo 未知試料のミュラーマトリックスをＭS とすると、 Ｉ＝Ｃ Ｍs ＭｒＳi ここでＩは測定値、Ｃは装置定数、Ｍｒはすでに求めら
れているので、試料のミュラーマトリックスのみが未知
数となる。したがって、ストークスメータの測定目的に
あわせた特定の偏光を試料に照射すると上記式から、ミ
ュラーマトリックスの要素からなる目的としたパラメー
タを得ることが可能である。
式になりｍ行４列の変換マトリクスＣ（装置定数）が求
められる。ｍが４以上の場合にはＣは最小二乗法で求め
ることが出来る。Ｃは各波長ごとに求めることが必要で
ある。これにより装置のキャリブレーションは完了す
る。 (4) ストークスメータの場合の測定 未知試料を所定の場所に装着し、偏光子の角度Ｐm と位
相差板の方位角度を設 定してある偏光を試料に照射し、４光束の強度Ｉを測定
すると、 Ｉ＝ＣＳo 未知試料のミュラーマトリックスをＭS とすると、 Ｉ＝Ｃ Ｍs ＭｒＳi ここでＩは測定値、Ｃは装置定数、Ｍｒはすでに求めら
れているので、試料のミュラーマトリックスのみが未知
数となる。したがって、ストークスメータの測定目的に
あわせた特定の偏光を試料に照射すると上記式から、ミ
ュラーマトリックスの要素からなる目的としたパラメー
タを得ることが可能である。
【００４１】
【発明の効果】以上のように本発明の偏光解析装置によ
れば、従来ならば偏光素子を回転させて複数回測定する
ところを、同時に測定することができるので、測定時間
が短くできる。したがって、高速測定が可能となり、特
に試料が経時変化を起こす場合にも対応できる。
れば、従来ならば偏光素子を回転させて複数回測定する
ところを、同時に測定することができるので、測定時間
が短くできる。したがって、高速測定が可能となり、特
に試料が経時変化を起こす場合にも対応できる。
【００４２】また、偏光素子を回転させる機構が必要な
いので、装置の構造が簡単になるとともに、測定精度も
よくなる。
いので、装置の構造が簡単になるとともに、測定精度も
よくなる。
【図１】本発明に係る試料透過型の分光偏光解析装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】光束分離集光光学系の詳細を示す図である。
【図３】２次元検出器の検出面におけるスペクトルの結
像位置を説明する図である。
像位置を説明する図である。
【図４】本発明に係る試料反射型の分光偏光解析装置の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図５】光束分離集光光学系の詳細を示す図である。
【図６】従来の試料透過型の偏光解析装置を示す図であ
る。
る。
【図７】従来の試料反射型の偏光解析装置を示す図であ
る。
る。
２ 白色光源 ３ 集光光学系 ４ 偏光子 ５ 試料 ６ａ〜６ｄ 検光子 ７ 光束分離集光光学系 ８ａ〜８ｄ 光ファイバ ９ ２次元分光器 １０ ２次元検出器 １１ 演算処理装置 １２ａ〜１２ｄ 検光子 １３ 光束分離集光光学系
Claims (1)
- 【請求項１】試料光を複数の異なる偏光成分に分離し
て、各偏光成分を測定する偏光解析装置において、 ３種以上の検光子を組み合わせた検光手段と、光束分離
集光光学系と、集光された複数光束をそれぞれ同時に分
光する分光器と、複数のスペクトルを同時に検出するこ
とのできる検出器と、偏光解析演算を行う演算処理部と
を有することを特徴とする偏光解析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01386398A JP3866849B2 (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 偏光解析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01386398A JP3866849B2 (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 偏光解析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11211654A true JPH11211654A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3866849B2 JP3866849B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=11845104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01386398A Expired - Lifetime JP3866849B2 (ja) | 1998-01-27 | 1998-01-27 | 偏光解析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3866849B2 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001013079A1 (en) * | 1999-08-18 | 2001-02-22 | Swinburne University | Method and apparatus for the resolution of beams of electromagnetic radiation |
| WO2004008196A1 (ja) * | 2002-07-13 | 2004-01-22 | Autocloning Technology Ltd. | 偏光解析装置 |
| JP2004504590A (ja) * | 2000-07-17 | 2004-02-12 | ソシエテ・ドゥ・プロデュクシオン・エ・ドゥ・ルシェルシェ・アプリケ | コンパクトな分光エリプソメータ |
| JP2005257508A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Nokodai Tlo Kk | 複屈折特性測定装置および複屈折特性測定方法 |
| JP2006162509A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | National Institutes Of Natural Sciences | 分光器 |
| JP2007263593A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Photonic Lattice Inc | 位相差および光軸方位の測定装置 |
| JP2008244448A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-10-09 | Asml Netherlands Bv | 検査方法および装置、リソグラフィ装置、ならびにリソグラフィセル |
| JP2010175266A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Jasco Corp | 位相差測定装置 |
| JP4779124B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-09-28 | 国立大学法人東京農工大学 | 光学特性計測装置及び光学特性計測方法 |
| JP2012068270A (ja) * | 2012-01-13 | 2012-04-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法およびその装置 |
| CN103558157A (zh) * | 2013-11-19 | 2014-02-05 | 上海理工大学 | 基于dsp的全数字自动化旋光光谱仪及测试方法 |
| WO2015171076A1 (en) * | 2014-05-08 | 2015-11-12 | National University Of Singapore | Device for analysing a specimen and corresponding method |
| FR3079028A1 (fr) * | 2018-03-15 | 2019-09-20 | Horiba France Sas | Ellipsometre ou scatterometre spectroscopique instantane et procede de mesure associe |
| WO2022249527A1 (ja) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 | ソニーグループ株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102014119235A1 (de) | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Anton Paar Optotec Gmbh | Bestimmen von polarisationsoptischen Eigenschaften einer Probe unter Berücksichtigung einer Transmissionsdispersion |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56137247A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-27 | Japan Atom Energy Res Inst | Multipoint simultaneous measuring instrument |
| JPS62167151U (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-23 | ||
| JPH04270943A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-28 | Tomoya Ogawa | 分光分析装置 |
| JPH0571923A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-23 | Canon Inc | 偏光解析方法および薄膜測定装置 |
| JPH05209791A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-08-20 | Hewlett Packard Co <Hp> | 光学装置の偏光感度を測定する装置 |
| JPH07260295A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Omron Corp | 表面状態制御装置 |
| JPH0972827A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-03-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 偏波モード分散の測定方法およびその装置 |
| JPH09127012A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Nkk Corp | 表面疵の検出方法およびその装置 |
| JPH09170983A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Omron Corp | 光沢度判別センサ装置 |
| JPH09178562A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-11 | Omron Corp | 色検出装置及びそれを用いた印刷装置 |
| JPH09222361A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-08-26 | Omron Corp | 物体の色等の検出装置及びそれを用いた検査装置 |
| JPH11101739A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | エリプソメトリ装置 |
-
1998
- 1998-01-27 JP JP01386398A patent/JP3866849B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56137247A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-27 | Japan Atom Energy Res Inst | Multipoint simultaneous measuring instrument |
| JPS62167151U (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-23 | ||
| JPH04270943A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-28 | Tomoya Ogawa | 分光分析装置 |
| JPH05209791A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-08-20 | Hewlett Packard Co <Hp> | 光学装置の偏光感度を測定する装置 |
| JPH0571923A (ja) * | 1991-09-12 | 1993-03-23 | Canon Inc | 偏光解析方法および薄膜測定装置 |
| JPH07260295A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-13 | Omron Corp | 表面状態制御装置 |
| JPH0972827A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-03-18 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 偏波モード分散の測定方法およびその装置 |
| JPH09127012A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Nkk Corp | 表面疵の検出方法およびその装置 |
| JPH09222361A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-08-26 | Omron Corp | 物体の色等の検出装置及びそれを用いた検査装置 |
| JPH09170983A (ja) * | 1995-12-19 | 1997-06-30 | Omron Corp | 光沢度判別センサ装置 |
| JPH09178562A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-11 | Omron Corp | 色検出装置及びそれを用いた印刷装置 |
| JPH11101739A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | エリプソメトリ装置 |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001013079A1 (en) * | 1999-08-18 | 2001-02-22 | Swinburne University | Method and apparatus for the resolution of beams of electromagnetic radiation |
| JP2004504590A (ja) * | 2000-07-17 | 2004-02-12 | ソシエテ・ドゥ・プロデュクシオン・エ・ドゥ・ルシェルシェ・アプリケ | コンパクトな分光エリプソメータ |
| WO2004008196A1 (ja) * | 2002-07-13 | 2004-01-22 | Autocloning Technology Ltd. | 偏光解析装置 |
| EP1560044A1 (en) * | 2002-07-13 | 2005-08-03 | Autocloning Technology Ltd. | Polarization analyzer |
| EP1560044A4 (en) * | 2002-07-13 | 2008-03-19 | Autocloning Technology Ltd | POLARISATIONSANALYSIERER |
| JP2009139973A (ja) * | 2002-07-13 | 2009-06-25 | Autocloning Technology:Kk | 偏光解析装置 |
| JP2005257508A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Nokodai Tlo Kk | 複屈折特性測定装置および複屈折特性測定方法 |
| JP2006162509A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | National Institutes Of Natural Sciences | 分光器 |
| JP4779124B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-09-28 | 国立大学法人東京農工大学 | 光学特性計測装置及び光学特性計測方法 |
| JP2007263593A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Photonic Lattice Inc | 位相差および光軸方位の測定装置 |
| JP2008244448A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-10-09 | Asml Netherlands Bv | 検査方法および装置、リソグラフィ装置、ならびにリソグラフィセル |
| JP2010175266A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Jasco Corp | 位相差測定装置 |
| JP2012068270A (ja) * | 2012-01-13 | 2012-04-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法およびその装置 |
| CN103558157A (zh) * | 2013-11-19 | 2014-02-05 | 上海理工大学 | 基于dsp的全数字自动化旋光光谱仪及测试方法 |
| WO2015171076A1 (en) * | 2014-05-08 | 2015-11-12 | National University Of Singapore | Device for analysing a specimen and corresponding method |
| US20170045397A1 (en) * | 2014-05-08 | 2017-02-16 | National University Of Singapore | Device for analysing a specimen and corresponding method |
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