JPH09136957A

JPH09136957A - カプセル化材ならびにカプセル化された電子回路パッケージ及びその製造方法

Info

Publication number: JPH09136957A
Application number: JP8244424A
Authority: JP
Inventors: Konstantinos I Papathomas; コンスタンティノス・アイ・パパトマス; Stephen Joseph Fuerniss; ステファン・ジョーゼフ・ファーニス; Deborah Lynn Dittrich; デボラ・リン・ディットリヒ; David Wei Wang; デービッド・ウェイ・ワン
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1995-10-26
Filing date: 1996-09-17
Publication date: 1997-05-27
Also published as: CN1106418C; CN1154993A; US6129955A; SG48462A1

Abstract

(57)【要約】【課題】熱応力の問題がなく大量生産できる電子パッ
ケージ・アセンブリを提供する。【解決手段】薄型の集積回路チップ・パッケージが有
機（例えばエポキシ樹脂）基板、例えばプリント回路板
または回路カードにはんだ付けされ、集積回路チップ・
パッケージの突出しているリード線とこれらのリード
（及び基板上のそれぞれの導体）を実質的に覆うはんだ
が、紫外線で硬化されたカプセル化材（例えばポリマー
樹脂）で実質的に覆われて、はんだ・リード接続の補強
を提供する電子パッケージ・アセンブリが提供される。
カプセル化材は、はんだと、リードのはんだで覆われて
いない部分とを実質的に囲むように、はんだリフローと
固化の後にはんだとリードの接合部の周りに塗布され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄型の電子回路パッ
ケージ構造、とりわけ低重量の携帯装置に用いるかかる
パッケージに関する。

【０００２】

【従来の技術】一つまたは複数の電子パッケージをその
上に表面装着した様々な有機基板（例えばエポキシ樹脂
または類似物質からなるプリント回路板）を利用した電
子パッケージ・アセンブリが知られている。これらの電
子パッケージは少なくとも１個の半導体デバイス（集積
回路チップ）をその中に有する比較的平板なハウジング
部品を含む。この半導体デバイスは、そこから突出する
様々なリード線（例えば銅線）と電気的に接続される。
当技術分野で周知の１つの第１段パッケージはデュアル
・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）である。このよう
な集積回路チップ・パッケージ中に埋め込まれた集積回
路チップは、システム全体に対してさまざまな機能（例
えば記憶、論理、接続）を提供する。これらのパッケー
ジから突出するリード線は、有機基板の上面に回路を形
成する導体パッド（例えば銅）または類似物とそれぞれ
電気的に結合される。リード線と導体の各対間の個々の
接続を行うために様々なはんだ組成物が用いられる。

【０００３】最近、比較的薄い構造の絶縁ハウジングを
含む、比較的薄型の集積回路チップ・パッケージが開発
された。そのようなパッケージは、当技術分野ではＴＳ
ＯＰ（Thin Small Outline Package）と呼ばれる。この
ようなデバイスは、薄く、それぞれの有機基板上で最小
の高さを占め、さらに周知の（例えばはんだ）技術を用
いて基板のそれぞれの回路（例えば導体パッド）に表面
装着することができる。これらの比較的新しいパッケー
ジはその半導体デバイスとして記憶、論理及び接続した
集積回路チップを含む。重要なことは、これらの最近開
発されたパッケージは、コンパクトで低い外形を保証し
ながら、そのような機能を提供することができ、それを
使用した最終製品のスペースの実質的な節減をもたら
す。これらの表面実装ＴＳＯＰは、基板とその上に装着
されたチップの特に薄いトータル・パッケージとするこ
とができる。その結果得られる、ＰＣＭＣＩＡカードに
よって例示されるパッケージは、携帯用コンピュータ、
娯楽システム及び遠隔通信用送受信機に好ましい。

【０００４】「ＰＣＭＣＩＡ」は国際パーソナル・コン
ピュータ・メモリ・カード協会の略称である。ＰＣＭＣ
ＩＡカードは、ＤＲＡＭ、ＳＰＡＭ、ＲＯＭ及びＰＲＯ
Ｍを含むメモリ・カード、モデム・ファックス・カー
ド、ミニハード・ドライブ・カード、ターミナル・エミ
ュレータ・カード及びそれらの類似品として用いられる
「クレジット・カード」型周辺機器である。これらはＰ
ＣＭＣＩＡ標準に基づいて組み立てられる。ＰＣＭＣＩ
Ａ標準は、ＰＣＭＣＩＡカードの電気的、機械的及びイ
ンターフェース要件を設定するものである。

【０００５】ＰＣＭＣＩＡカードの小さなサイズは、携
帯用コンピュータのフォーム・ファクタの要求に合致す
るものである。これらの小さなカードはプラスチック製
クレジット・カードと同程度の寸法であるが数倍厚い
（タイプＩＰＣＭＣＩＡカードは厚さ３．３ｍｍ、タ
イプＩＩＰＣＭＣＩＡカードは厚さ５ｍｍ）。本明細
書では、タイプＩ及びタイプＩＩはＰＣＭＣＩＡの形状
及びはめ合いのタイプの標準に関連し、表面装着デバイ
スの取付け方法には関連しないことに留意されたい。Ｐ
ＣＭＣＩＡカードは、例えばR.C.アルフォード（Alfor
d）の「Under TheHood; The PCMCIA Redefines Portabi
lity」、Byte Magazine, 1992年12月、pp.237-242、ケ
ン・ウェルツェン（Ken Ueltzen）の「Pushing The Pac
kaging Envelope」、Circuit Assembly, 1992年3月, p
p.32-35、及びリチャード・ナス（Richard Nass）の「I
C-Card Spec Adapts I/O To Memory Card Slot」、Elec
tronicDesign, 1992年1月22日、pp.45-57に記載されて
いる。

【０００６】タイプＩのＰＣＭＣＩＡカード自体は頂部
カバーから底部カバーまでの厚さが３．３ｍｍ、頂部カ
バーと底部カバーは合計でちょうど０．４ｍｍの厚さで
ある。このため、両面装着のプリント回路カードで厚さ
２．９ｍｍのものが収容できる。

【０００７】タイプＩのカードの高さの限界３．３ｍｍ
から、ＴＳＯＰＩＣチップなど特別に設計された低い
高さのＩＣチップの使用と共に、薄型（low profile）
技術、例えばテープ自動ボンディング（ＴＡＢ）あるい
はカード・オン・ボード（ＣＯＢ）パッケージング技術
の使用が必要となる。高さ１．２ｍｍ（０．０４７イン
チ）のＴＳＯＰＩＣチップは、両面タイプＩＰＣＭ
ＣＩＡカードに特に望ましい。薄型のためＰＣＭＣＩＡ
プリント回路カードの両面への装着が可能である。

【０００８】代替ＩＣチップ技術では高さがちょうど
０．５ｍｍ（０．０２０インチ）のペーパーＴＳＯＰ
（ＰＴＳＯＰ）が用いられ、これによって単一のＰＣＭ
ＣＩＡカード・パッケージ中に２枚のプリント回路カー
ドを担持させることができる。ＴＳＯＰＩＣチップの
リード・ピッチは０．５ｍｍ（０．０１９インチ）であ
る。メモリ用プリント回路カードには、リード・ピッチ
が０．０１９〜０．０２５インチのＩＣチップが、プリ
ント回路カード当たり約１０００のはんだ接合によって
装着される。

【０００９】ＴＳＯＰパッケージ及び類似の薄型パッケ
ージを比較的厚い形状（例えば厚さ約０．０５０インチ
以上）の有機基板（特に、エポキシ樹脂またはパーフル
オロカーボン誘導体）上に表面装着すると、はんだとリ
ード線の接合部に比較的大きな熱応力がかかり、その熱
応力がそのような接合部に悪影響を与えて、それを分離
させる可能性がある。このようにして分離が生ずると、
リード線とはんだの間の接続が断たれ、そのためパッケ
ージ全体が動作不能になる。このような熱応力はパッケ
ージの動作中に有機基板の熱膨張係数（ＣＴＥ）と他の
様々な要素（例えばリード線、はんだ及びパッケージ・
ハウジング）の熱膨張係数（ＣＴＥ）の差が比較的大き
いために生じる。この差はより厚い多層有機基板（例え
ば信号面、電力面または接地面として機能するいくつか
の導電層をその中に含むもの）を用いるほど顕著であ
る。多層基板は単一のパッケージ、特に複数の多機能集
積回路チップを含むパッケージ内で付加的な機能を提供
するために、コンピュータ、エレクトロニクス及び電話
業界でしばしば望まれる。

【００１０】ＴＳＯＰ型パッケージのような電子パッケ
ージを有機基板，特に多層基板上で有効に使用できるよ
うにする電子パッケージ・アセンブリが明らかに求めら
れている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の主目的は、電
子パッケージ・アセンブリ技術を向上させることであ
る。

【００１２】本発明の他の目的は、前述の熱応力の問題
を未然に防ぐ電子パッケージ・アセンブリを提供するこ
とである。

【００１３】本発明の他の目的は、比較的大規模に生産
できることによっていくつかの利益（例えばより低いコ
スト）をもたらす前記パッケージを提供することであ
る。

【００１４】本発明の他の目的は、電子回路パッケージ
中において前記の熱応力を防止するのに有用な、エポキ
シ樹脂またはシアネート単量体、光開始剤及び粒子状シ
リカの分散相から形成された光重合樹脂を提供すること
である。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の一態様によれ
ば、その表面上に位置する複数の電気導体を有する表面
を含む一つの有機基板と、基板表面の上または上方に位
置する絶縁性集積回路チップ・ハウジングを含み、そこ
から突出する複数のリード線を含む側面を含む、電子パ
ッケージと、一つのそのようなリード線とそれに対応す
る導体とからなるそれぞれの対を実質的にカバーする個
々の量のはんだと、これらの量のはんだ上に位置し、電
子パッケージ・アセンブリの動作中にリード線とはんだ
の電気的接続の切断を実質的に防ぐためにハンダを実質
的に覆うカプセル化材とを備える電子パッケージ・アセ
ンブリが提供される。

【００１６】本発明によれば、カプセル化材組成物も開
示される。カプセル化材組成物は、エポキシ樹脂または
シアネート単量体と、光開始剤と、粒子状シリカの分散
相とを含有する。ポリマーがエポキシ樹脂である場合、
それは複数の反応性１，２エポキシ基を有するものであ
る。エポキシ樹脂は、モノマー、ポリマー、飽和、不飽
和、脂肪族、脂環式、芳香族及び複素環式のエポキシド
からなる群から選ばれ、あるいは、置換基が水酸基、エ
ーテル残基、ハロゲン原子及びそれらの組合せからなる
群から選ばれた置換エポキシド、あるいはエポキシポリ
エーテルである。

【００１７】あるいは、樹脂は２個以上のＯＣＮ基を有
し環状三量体化によって硬化できるシアネートエステル
から形成される。

【００１８】光開始剤は、ＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＡｓＦ₆ ^-ま
たはＳｂＦ₆ ^-アニオンとの「オニウム」塩からなる群か
ら選ばれたオニウム塩のようなアリールジアゾニウム光
開始剤である。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明によれば、ＰＣＭＣＩＡ
（ＴＳＯＰ）中のはんだ接合に対し十分なチキソトロピ
ーを有するカプセル化材、ならびにそのようなデバイス
の頑丈さを強化する方法を提供する。

【００２０】未硬化のカプセル化材は、脂環式エポキシ
樹脂、またはシアン酸エステル・モノマーあるいはプレ
ポリマーとモノマーの組合せと、シリカ充填剤及び適切
な光開始剤からなる組成物である。光開始剤としては、
ユニオン・カーバイド社のＣｙｒａｃｕｒｅＵＶＩ
６９７４光開始剤のようなヘキサフロロアンチモン酸ト
リアリールスルホニウムが好ましい。典型的な脂環式エ
ポキシドには、３，４−エポキシシクロヘキサンカルボ
ン酸３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（ユニオン
・カーバイド社のＥＲＬ 4221）、アジピン酸ビス
（３，４−エポキシシクロヘキシル）（ユニオン・カー
バイド社のＥＲＬ−4299）、及びビニルシクロヘキサン
ジエポキシド（ユニオン・カーバイド社の4206）があ
る。シリカは溶融シリカまたはアモルファス・シリカが
好ましい。この組成物ははんだ接合を熱サイクルの影響
から保護する。

【００２１】このカプセル化材が有用である電子パッケ
ージ構造を添付の図１〜４に示す。図１には本発明の好
ましい実施形態による電子パッケージ・アセンブリ１０
の部分図が示されている。パッケージ・アセンブリ１０
は、有機基板１１と、基板１１上で基板１１の回路１５
に電気的に接続できる位置にくるように設計された集積
回路チップ電子パッケージ１３とを含む。回路１５は例
示的に、基板１１の平坦な上面１９上に位置する複数の
電気導体１７として示されている。集積回路チップ・パ
ッケージ１３は、その側面から突出する複数のリード線
２１を含めて、各リード線２１が基板１１上でそれぞれ
一つまたは複数の導体１７に電気的に接続できる位置に
くるように設計されていることを理解されたい。例示の
ため、少数の導体１７のみが示してある。さらに、各リ
ード線は適切なランド（図示せず）を有するメッキされ
たスルーホールを含めて、基板１１の一部となる他の導
体に接続することができ、そのメッキされたスルーホー
ルは様々な内部導体（例えば図３に示すような信号面、
電力面または接地面２３）に電気的に結合される。この
ようなメッキされたスルーホール、ランド及び他の導体
は、典型的には導電性材料（例えば銅、クロム−銅−ク
ロム等）を含み、平坦な表面１９のような表面上、また
は基板１１内に当技術分野で周知の手順に従って設けら
れる。従ってこれ以上の説明は必要でないと考える。

【００２２】有機基板１１は、好ましくは少なくともそ
の平坦な上面１９上に位置する回路１５を有する多層プ
リント回路板であり、この回路板は既知の組成の誘電体
２５（図２〜４をも参照）からなる。この誘電体は、当
業界でＦＲ−４材料と呼ばれる、ガラス繊維で強化した
エポキシ樹脂であることが好ましい。あるいは、この誘
電体はフルオロカーボン樹脂、または熱硬化性樹脂で含
浸させた織布もしくは不織布アラミド構造でもよい。本
発明の一実施例では、基板１１は複数の個別導電層、例
えば８〜１０の個別導電層を含むことができる。本発明
は導電層のこの数に限定されるものではなく、他の数
（より多いまたはより少ない）にすることもできる。

【００２３】集積回路チップ・パッケージ１３は既知の
プラスチック材料製の電気絶縁性集積回路チップ・ハウ
ジング３１を含む。集積回路チップ・ハウジング３１の
好ましい形状は、図１、２及び４に示すように、実質的
に直方体であり全体で４つの側面３３、３４、３５及び
３６を有する。本発明の一実施例では、集積回路チップ
・ハウジング３１は、約１９ｍｍ（約０．７５０イン
チ）の長さ（図１中の寸法「Ｌ」）とわずか約７．６ｍ
ｍ（約０．３００インチ）の幅（図１中の寸法「Ｗ」）
を有する。各側面または対応する側面の対は、そこから
突出する複数のリード線２１を含む。

【００２４】ＴＳＯＰ構造においてもう一つ重要なこと
であるが、集積回路チップ・ハウジング３１は、図３に
寸法「Ｔ」で表されるわずか約０．７６〜１２．７ｍｍ
（約０．０３０〜０．０５０インチ）の厚さを有する。
さらに、集積回路チップ・ハウジング３１は表面１９上
の回路１５から約０．０２５〜０．０７６ｍｍ（約０．
００１〜０．００３インチ）のギャップ（図３に寸法
「Ｓ」で表す）の所に位置することができる。したがっ
てこの実施形態ではこの比較的平板なパッケージは、基
板１１の回路１７を含む上面から全体の高さがわずか約
０．８４〜１．３５ｍｍ（約０．０３３〜０．０５３イ
ンチ）であることがわかる。図２に小さなギャップが示
されているが、本発明はパッケージ１３のプラスチック
・ハウジングが表面１９または回路１５あるいはその両
方の上面上に直接（底を外側にして）存在するアセンブ
リにも適用できる。

【００２５】平板なパッケージ集積回路チップ・ハウジ
ング３１は、４個の側面３３、３４、３５及び３６に加
えて、比較的平坦な上面３７及び下面３８をも含む。

【００２６】集積回路チップ・パッケージ１３はさら
に、プラスチック集積回路チップ・ハウジング３１内に
位置する半導体デバイス（シリコン・チップ）を含む。
この半導体デバイスは、例示的に番号４１で表し、図３
に破線で示してある。デバイス４１はそれぞれのリード
線２１（図３には一つだけが示してある）にワイヤ・ボ
ンディングまたは類似物によって電気的に接続すること
が好ましく、そのようなワイヤは番号４３で表し図３に
破線で示してある。図３のデバイス４１とワイヤ４３は
例示のために示したものであり、本発明をこの図の位
置、接続または相対寸法に限定するものではないことを
理解されたい。このようなパッケージにおいて、突出す
る各リード線２１は内部でリード・フレームまたは類似
物（図示せず）に結合され、ここに示したような形でハ
ウジングのそれぞれの側面から個別に突出する。したが
って、これらのリード線はそれぞれ、パッケージ・ハウ
ジングから下方にたれ下がって基板１１上に位置する端
部５１を含む、特に図３に示すような曲がった形状であ
ることが好ましい。前述のように、各リード線２１は、
基板１１のそれぞれの導体１７に電気的に結合されるよ
うに設計されている。本発明の各リード線２１は銅であ
ることが好ましく、わずか約０．２５ｍｍ（約０．０１
０インチ）の厚みを有し、これらのリード線は集積回路
チップ・ハウジング３１のそれぞれの側面（図３の３
４）からわずか約０．６４ｍｍ（約０．０２５インチ）
の距離だけ突出する。

【００２７】リード線２１とそれぞれの導体１７との間
の健全な電気的接続を保証するために、一定量のはんだ
５３を塗布して、リード線と導体の各対を実質的に覆
う。すなわち単一のはんだ塊を塗布して、１本のリード
線と、リード線２１が電気的に結合されるそれぞれの導
体の少なくとも一部分を実質的に覆う。本発明の一実施
例では、各はんだ塊は６３：３７（スズ：鉛）はんだか
らなる。他のはんだ組成も利用できることを理解された
い。図３には一つの塊のはんだ５３だけが示されている
が、他の導体−リード線対実施形態を覆うために別の塊
が設けられることも理解されたい。そのようなはんだ
は、まぎらわしいので図１には示していない。したがっ
て図１に示した実施形態において、合計１６の個々のハ
ンダ塊が提供されることを理解されたい。好ましい形態
では、パッケージ１３を基板１１上に位置決めする前
に、はんだ５３をそれぞれの導体１７の部位にぺースト
として塗布する。スクリーン印刷操作がしばしばまた好
んで用いられ、それに続いて、各リード線２１がそれぞ
れのはんだぺースト部位と合うようにパッケージを並べ
る。次いでパッケージと基板のサブアセンブリを熱空気
オーブン（炉）内に置き、例えば炉内を通過させ、所定
の温度に加熱して、はんだペーストをそれぞれのリード
線上にリフローさせる。その結果、はんだはほぼ図３に
示すような形状になる。スズ：鉛、６３：３７のはんだ
を使用する場合、リフローを達成するための好ましい温
度は約１８５℃である。この温度はパッケージまたは基
板組成に悪影響を与えない。図３に示すようなはんだ５
３の形状は、はんだが実質的にピン２１を覆い、ほとん
ど完全にピンを囲んでいることを示す。さらにはんだ５
３が基板１１上の導体１７の少なくとも一部分を覆うこ
とも示されている。導体１７がランドまたは類似の要素
（これは次に基板１１内を延びるメッキされたスルーホ
ールに電気的に結合することができる）の形状である場
合、はんだ５３はこのランド導体の全部でないとしても
大きな部分を覆う。

【００２８】図に示すように、一定量のカプセル化材６
１を集積回路チップ・ハウジング３１の対向する側面３
３及び３４に、これらの側面と突き合わせになりはんだ
５３を実質的に覆うように付着する。カプセル化材６１
は、図３に示すように、リード線と導体の組合せの対ご
とにはんだ５３塊の全体を実質的に囲む。図１でははん
だを露出させてアセンブリを図示するため、カプセル化
材６１は示されていないことに留意されたい。しかし図
２にはカプセル化材６１は示されている。カプセル化材
６１は、はんだリフロー・プロセス（及びはんだの固
化）工程の後に、重合していない形、例えば液状で適当
な光開始剤または光触媒と共に提供される。好ましい実
施形態では、カプセル化材６１は少なくとも１本のシリ
ンジ、吸込みポンプまたは他のディスペンサ手段を用い
て塗布する。このカプセル化材の塗布は、基板１１及び
その上に位置する集積回路チップ電子パッケージ３１を
所定の時間予加熱した後に行う。集積回路チップ・パッ
ケージ３１が定位置にはんだ付けされた基板１１を例え
ば６５〜８５℃で１〜２時間加熱して、その中の水分を
除去する。この加熱の目的は、基板１１の一部を形成す
る誘電体中に集まる好ましくない水分を除外するためで
ある。この加熱を達成するために熱空気オーブンを用い
ることが好ましい。続いて、基板１１がこの予加熱工程
からのかなりの熱を保持している間にカプセル化材６１
を塗布する。カプセル化材の塗布後に、パッケージとカ
プセル化材を装着した回路板を紫外線照射源の下に置
き、紫外線照射にかけて、カプセル化材６１の重合化、
すなわち光重合化を実行する。

【００２９】本発明で使用されるカプセル化材として
は、高分子樹脂、特にエポキシもしくはシアネートまた
はその組合せが好ましい。このカプセル化材はリード線
を覆うのに適したチキソトロピーと低ストレスを特徴と
する流動性の液状のエポキシまたはシアネート物質であ
り、この両方の特徴はここに記載する型式のパッケージ
構造と共に使用するのに好ましいものである。適切に紫
外線硬化を行うと、カプセル化材は低い熱膨張と高いガ
ラス転位温度を示し、（例えば熱サイクル中の）増強さ
れた保護を保証する。そのようなカプセル化材は約２６
〜３９ｐｐｍ／℃の線熱膨張係数及び１００〜１６０℃
のガラス転位温度を有する。本発明は上述のカプセル化
材の使用に限定されるものではなく、他の紫外線硬化可
能なカプセル化材も本発明で首尾よく使用できる。

【００３０】上述の型式のカプセル化材をアセンブリ１
０上の指定された場所に塗布すると、そのようなパッケ
ージ・アセンブリ、とりわけ上述の低プロフィルのパッ
ケージ・アセンブリの動作寿命を著しく増長させる働き
があることが判明した。例えばカプセル化材のないパッ
ケージ・アセンブリに比べて動作寿命が約２〜５倍に延
びた。このようなカプセル化材は、リード線とはんだの
結合を強化して、それらの間の接続を破壊してパッケー
ジ・アセンブリ１０の少なくとも一部を動作不能にする
可能性のあるはんだとリード要素との分離を顕著に実質
的に防止することが証明された。より具体的には、この
カプセル化材は、基板及び様々なパッケージ要素（例え
ば内部シリコン・チップ）によって熱が発生するパッケ
ージ・アセンブリの動作中にそのような保護を提供す
る。

【００３１】例として、以下に本発明の一実施形態で用
いられる様々な要素の熱膨張係数（ＣＴＥ）の顕著な差
を示す。ＣＴＥ要素（×１０^-6ｉｎ／ｉｎ／℃）有機基板（ＦＲ−４）１０〜２１リード線（銅合金）４５プラスチック製ハウジングに封入したＩＣチップ７はんだ２８カプセル化材２６〜３９

【００３２】カプセル化材１１によって与えられるその
ような保護が無いと、こうした大きく異なる膨張係数
が、はんだリード接合の割れまたは類似の変形をもたら
し、そのような割れがその障害を引き起こす可能性があ
る。ここに定義したタイプのカプセル化材をここに記載
した方法で使用すると、カプセル化材を使用しないアセ
ンブリよりも長い寿命をもつはるかに改善されたパッケ
ージ・アセンブリが得られる。

【００３３】図３ではカプセル化材６１は集積回路チッ
プ・ハウジング３１の側面３４の底部から少し離れて存
在する（したがってその間にギャップを形成する）が、
これは本発明を制限するものではない。すなわち、本明
細書の教示によれば、図３に示したように集積回路チッ
プ・ハウジング３１がギャップでもって隔置されている
と仮定して、カプセル化材６１を集積回路チップ・ハウ
ジング３１の下部表面の一部またはすべてに塗布するこ
とも可能である。そのようなカプセル化材の部分的位置
が図３に輪郭で示し番号６３で表してある。

【００３４】図４では、集積回路チップ・ハウジング３
１の４つの側面３３、３４、３５及び３６はすべてその
付近に位置するカプセル化材６１を有する。前述のよう
に、これらの側面のうち二つだけ（例えば３３と３４）
がそこから突出する導電性リード線を含んでもよい。し
かしカプセル化材をパッケージ・ハウジングのこの外周
全体（４側面のすべて）の周りに追加すると、前述のリ
ードはんだ接合が更に強化（補強）されることが判って
いる。そのようにさらなる補強が得られるのは、操作中
にパッケージのハウジングの線膨張に対して紫外線で硬
化されたカプセル化材が対抗できるからであると考えら
れる。カプセル化材を頂部表面３７に設ける必要はな
い。

【００３５】未硬化のカプセル化材は、脂環式エポキシ
樹脂、シリカ充填剤及び適当な光開始剤からなる組成物
である。好ましい光開始剤は、ユニオン・カーバイド社
のＣｙｒａｃｕｒｅＵＶＩ６９７４光開始剤のよう
なヘキサフルオロアンチモン酸トリアリールスルホニウ
ムである。

【００３６】典型的な脂環式エポキシには、３，４−エ
ポキシシクロヘキサンカルボン酸３，４−エポキシシク
ロヘキシルメチル（ユニオン・カーバイドＥＲＬ 422
1）、アジピン酸ビス（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）（ユニオン・カーバイドＥＲＬ−4299）、及びビニ
ルシクロヘキサンジエポキシド（ユニオン・カーバイド
4206）が含まれる。所望により脂環式エポキシドの混合
物を使用することもできる。

【００３７】本発明で使用される硬化させて架橋網目に
することができるポリエポキシド含有組成物は、複数の
反応性１，２−エポキシ基を有する有機物質を含む。こ
れらのポリエポキシド物質は、モノマーでもポリマーで
も、飽和でも不飽和でも、脂肪族、脂環式、芳香族また
は複素環式でもよく、所望によりエポキシ基以外の置換
基、例えば水酸基、エーテル残基、ハロゲン原子などで
置換したものでもよい。

【００３８】本発明の実施にしたがって使用できる広く
使用されているポリエポキシドのクラスは、エピクロロ
ヒドリン、エピブロモヒドリン、エピヨードヒドリンな
どのエピハロヒドリンを多価フェノールまたは多価アル
コールと反応させて得られるエポキシポリエーテルを包
含する。さらに、フェノール環は水酸基以外に他の置換
基、例えば１〜４個の炭素原子を含む低級アルキル基、
例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、第二級ブチル及び第三級ブチル基、ならびにハロゲ
ン原子、すなわちフッ素、塩素、臭素またはヨウ素など
を含むことができる。

【００３９】二価フェノールの例示的で網羅的ではない
リストには、４，４'−ジヒドロキシジフェニルメチル
メタン（ビスフェノールＡ）、２，４'−ジヒドロキシ
ジフェニルメチルメタン、３、３'−ジヒドロキシジフ
ェニルジエチルメタン、３，４'−ジヒドロキシジフェ
ニルメチルプロピルメタン、２，３'−ジヒドロキシジ
フェニルエチルフェニルメタン、４，４'−ジヒドロキ
シジフェニルプロピルフェニルメタン、４，４'−ジヒ
ドロキシジフェニルブチルフェニルメタン、２，２'−
ジヒドロキシジフェニルジトリルメタン、４，４'−ジ
ヒドロキシジフェニルトリルメチルメタンなどが含まれ
る。

【００４０】エピハロヒドリンと反応してエポキシポリ
エーテルを提供することのできる他の多価フェノール
は、レゾルシノール、ハイドロキノン、置換ハイドロキ
ノン、例えばｐ−ｔ−ブチルヒドロキノンなど、米国特
許第２７５４２８５号に開示されているようなインダノ
ール類、及びヒドロキシルアリール基の核炭素原子に炭
素−炭素結合によって付いた長さが少なくとも炭素原子
６個の脂肪族の鎖で分離された二つのヒドロキシルアリ
ール基を有する多価フェノールなどの化合物である。そ
のようなグリシジルエーテルはすべて米国特許第２５３
８０７２号に記載の方法によって調製することができ
る。

【００４１】エピハロヒドリンと反応してエポキシポリ
エーテルを提供することのできる多価アルコールには、
エチレングリコール、ペンタンジオール、ビス（４−ヒ
ドロキシシクロヘキシル）ジメチルメタン、１，４−ジ
メチロールベンゼン、グリセロール、１，２，６−ヘキ
サントリオール、トリメチロールプロパン、マニトー
ル、ソルビトール、エリスリトール、ペンタエリスリト
ール、その二量体、三量体及び高級重合体、例えばポリ
エチレングリコール、ポリプロピレングリコール、トリ
グリセロール、ジペンタエリスリトールなど、さらに、
ポリアリールアルコール、ポリビニルアルコール、２，
２'−ジヒドロキシジエチルスルフィド、２，２'，３，
３'−テトラヒドロキシジプロピルスルフィドなどの多
価チオエーテル、モノチオグリセロール、ジチオグリセ
ロールなどのメルカプトアルコール、モノステアリン、
ペンタエリスリトールモノアセテートのような多価アル
コールの部分エステル、及びグリセロール、ソルビトー
ル、ペンタエリスリトールなどのモノクロロヒドリンの
ようなハロゲン化多価アルコールがある。

【００４２】エポキシ化ノボラックは、好ましくは水酸
化ナトリウムなどの塩基性触媒の存在下でエピクロロヒ
ドリンなどのエピハロヒドリンを、例えばホルムアルデ
ヒドなどのアルデヒドと、例えばフェノール、クレゾー
ルなどの一価フェノールまたは例えばビスフェノールＡ
などの多価フェノールとの樹脂縮合物と反応させると得
られる。

【００４３】そのようなエポキシ組成物に関する総合的
開示は、A.メイ（May）及びY.タナカ（Tanaka）の論文
「Epoxy resins」, Chemistry and Technology, Marcel
Decker, Inc., New York (1973)、及びC. A.メイ（Ma
y）の論文「Resins for Aerospace」, R. W. Phehlein
編Applied Polymer Science, ACS Symposium Series 28
5,American Chemical Society (1985)、p.559に出てい
る。

【００４４】そのようなエポキシ樹脂として特に適した
ものとしては、例えばレゾルシノール、カテコール、ヒ
ドロキノン、ビフェノール、ビフェノールＡ，ビスフェ
ノールＫ、テトラブロモビスフェノールＡ、フェノール
アルデヒトノボラック樹脂、アルキル置換フェノールア
ルデヒトノボラック樹脂、アルキル置換フェノールホル
ムアルデヒト樹脂、フェノールヒドロキシベンズアルデ
ヒト樹脂、クレゾールヒドロキシベンズアルデヒト樹
脂、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂、ジシクロペ
ンタジエン置換フェノール樹脂、ビスフェノールＦ、テ
トラメチルビフェノール、テトラメチルテトラブロモビ
フェノール、テトラメチルトリブロモビフェノール、テ
トラクロロビスフェノールＡ、その組合せなどのジグリ
シジルエーテルが含まれる。

【００４５】また本発明で使用できるエポキシド化合物
として適したものとして、米国特許第４５９４２９１号
に開示されている部分的に伸長された（partially adva
nced）エポキシ樹脂もある。

【００４６】またエポキシド化合物として適したものと
して、例えば脂肪族ジオール、ポリエーテルジオール、
ポリエーテルテトラオール及びそれらの組合せなど１分
子当たり平均１個を超える脂肪族水酸基を有する化合物
のグリシジルエーテルもある。また、例えばジヒドロキ
シフェノール、ビフェノール、ビスフェノール、ハロゲ
ン化ビスフェノール、アルキル化ビスフェノール、トリ
スフェノール、フェノールアルデヒドノボラック樹脂、
ハロゲン化フェノールアルデヒドノボラック樹脂、アル
キル化フェノールアルデヒドノボラック樹脂、ハイドロ
カーボンフェノール樹脂、ハイドロカーボンハロゲン化
フェノール樹脂、ハイドロカーボンアルキル化樹脂、ま
たはその任意の組合せの、エチレンオキサイド、プロピ
レンオキサイド、あるいはブチレンオキサイド付加物な
ど、１分子当たり平均１個を超える芳香族水酸基を含む
化合物のアルキレンオキシド付加物もある。

【００４７】エポキシとフェノールまたはカルボン酸
（または無水物）あるいはその両方の間の反応は広範囲
に研究されており、これらの周知のクラスまたは反応物
を記載した多くの特許が発行されている。例えば米国特
許第２２１６０９９号、第３３７７４０６号、第３５４
７８８５号、第２６３３４５８号、第３４７７９９０号
第３６９４４０７号、第２６５８８８５号、第３５４７
８８１号、第３７３８８６２号、カナダ特許第８９３１
９１号、ドイツ特許第２２０６２１８号及び、H.リー
（Lee）、K.ネヴィル（Neville）著「Handbook of Epox
y Resins」、 Mc Graw Hill, NY (1967)を参照のこと。

【００４８】この目的に用いられる、市販のエポキシ樹
脂は、ＥＰＯＮシリーズ（シェル化学），Ａｒａｌｄｉ
ｔｅシリーズ（チバガイギー）、ＤＥＲシリーズ（ダウ
ケミカル）、Ｅｐｉｃｌｏｎシリーズ（大日本インキ化
学工業）である。

【００４９】好ましい脂環式エポキシ樹脂は、１分子当
たり１個を超える１，２−エポキシ基を含む非グリシジ
ルエーテルエポキシドである。これらは、一般的に、シ
クロオレフィンのような不飽和芳香族ハイドロカーボン
化合物を過酸化水素または過酢酸や過安息香酸などの過
酸を使用してエポキシ化することによって調製される。
そのような非グリシジルエーテル脂環式エポキシ樹脂
は、エポキシド基が環の一部をなし、または環構造に結
合している。これらのエポキシ樹脂はエステル結合を含
んでもよい。適切な非グリシジルエーテル脂環式エポキ
シ樹脂は次の構造を有する。

【化１】は飽和の環構造、ＲはＣＨＯＣＨ₂、Ｏ（ＣＨ）_nＣＨＯ
ＣＨ₂及びＯＣ（ＣＨ₃）₂ＣＨＯＣＨ₂基からなる群から
選ばれ、ｎは１〜５、Ｒ'は水素、メチル、エチル、プ
ロピル、ブチル及びベンジル基からなる群から選ばれ、
Ｒ"はＣＨ₂ＯＯＣ及びＣＨ₂ＯＯＣ（ＣＨ₂）₄ＣＯＯ基
からなる群から選ばれる。

【００５０】適切な非グリシジルエーテル脂環式エポキ
シドの例としては、３，４−エポキシシクロヘキサンカ
ルボン酸３，４−エポキシシクロヘキシルメチル、その
１つが環構造の一部である２個のエポキシド基を含むビ
ニルシクロヘキサンジオキシド、３，４−エポキシシク
ロヘキサンカルボン酸３，４−エポキシ−６−メチルシ
クロヘキシルメチル及びジシクロペンタジエンジオキシ
ドがある。

【００５１】他の好ましい脂環式エポキシ樹脂には、
１，２−ビス（２，３−エポキシシクロペンチルオキ
シ）−エタン、２，３−エポキシシクロペンチルグリシ
ジルエーテル、シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸
ジグリシジル、３，４−エポキシシクロヘキシルグリシ
ジルエーテル、ビス−（２，３−エポキシシクロペンチ
ル）エーテル、ビス−（３，４−エポキシシクロペンチ
ル）エーテル、５（６）−グリシジル−２−（１，２−
エポキシエチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、シ
クロヘキサ−１，３−ジエンジオキシド、３'，４'−エ
ポキシ−６'−メチルシクロヘキサンカルボン酸３，４
−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチルのような
グリシジルエーテルが含まれる。１，２−エポキシ基が
様々なヘテロ原子または官能基に結合しているエポキシ
樹脂も適している。そのような化合物には、たとえば４
−アミノフェノールのＮ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジル誘導
体、３−アミノフェノールのＮ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジ
ル誘導体、サリチル酸のグリシジルエーテルまたはグリ
シジルエステル、Ｎ−グリシジル−Ｎ'−（２−グリシ
ジルオキシプロピル）−５，５−ジメチルヒダントイン
あるいは２−グリシジル−１，３−ビス−（５，５−ジ
メチル−１−グリシジルヒダントイン−３−イル）−プ
ロパンが含まれる。脂環式エポキシ樹脂の混合物も適し
ている。

【００５２】好ましい脂環式エポキシ樹脂には、ユニオ
ン・カーバイド社からＥＲＬ−4221の名称で市販されて
いる３，４−エポキシシクロヘキサンカルボン酸３，４
−エポキシシクロヘキシルメチル（分類名７−オキサ
ビシクロ（４．１０）ヘプタン−３−カルボン酸７−オ
キサビシクロ（４．１）ヘプト−３−イルメチルエステ
ル）及びユニオン・カーバイド社からＥＲＬ−４２９９
の名称で市販の、アジピン酸ビス（３，４−エポキクロ
ヘキシル）と混合した３，４−エポキシシクロヘキサン
カルボン酸３，４−エポキシシクロヘキシルメチルが含
まれる。

【００５３】脂環式エポキシ樹脂は約５０〜５００、好
ましくは約５０〜２５０のエポキシ当量を含むことが好
ましい。脂環式エポキシ樹脂は、２５℃で約１０００ｃ
ｐｓ（センチポイズ）以下の粘度、好ましくは、約５〜
９００ｃｐｓ、より好ましくは約３００〜６００ｃｐ
ｓ、最も好ましくは約３００〜４５０ｃｐｓの粘度を有
する。脂環式エポキシ樹脂は、約２００〜７００、好ま
しくは２００〜５００の分子量を有し、またエポキシド
１個当たり５０〜５００、好ましくは５０〜３００の分
子量を有する。

【００５４】カチオン重合可能なシアネート単量体と、
プレポリマー及びその混合物と、全体の割れ特性を強化
するための有効量の改質剤と、光分解によってすくなく
とも一つの配位部位を開放することができ、有機金属錯
体中の金属カチオンが周期律表IＶＢ、ＶＢ、ＶIＢ、Ｖ
IIＢ及びＶIIIＢ族の元素から選ばれる重合開始剤とし
て触媒的有効量の有機金属錯塩とを含む光誘導重合可能
なシアン酸エステル組成物及びこれらの組成物の製造方
法、ならびに電子部品のはんだ接続をカプセル化する際
のその使用も開示される。

【００５５】本発明に従って使用できるシアン酸エステ
ルは２個以上のＯＣＮ基を有し、環状三量体化によって
硬化可能である。シアン酸エステルは単量体でも、また
はあまり好ましくはないがオリゴマーを含む重合体でも
よく、以下の基を含む物質によって代表される。

【化２】上式でＡは、単結合、Ｃ（ＣＨ₃）Ｈ、ＳＯ₂、Ｏ、Ｃ
（ＣＦ₂）₂、ＣＨ₂ＯＣＨ₂、Ｓ、Ｃ（＝Ｏ）、ＯＣ（＝
Ｏ）、Ｓ（＝Ｏ）、ＯＰ（＝Ｏ）Ｏ、ＯＰ（＝Ｏ）（＝
Ｏ）Ｏ、鎖上のＯ、Ｓ、Ｎなどのヘテロ原子によって中
断されたＣＨ₂やＣ（ＣＨ₃）₂のような二価アルキレン
基である。Ｒは、水素、ハロゲン及び１〜９個の炭素原
子を含むアルキル基が運ばれ、ｎは０〜４の整数であ
る。

【００５６】本発明において使用できる特定のシアン酸
エステルは入手可能で周知であり、参照によりその開示
を本明細書に合体する、米国特許第４１９５１３２号、
第３６８１２９２号、第４７４０５８４号、第４７４５
２１５号、第４４７７６２９号及び第４５４６１３１
号、欧州特許出願ＥＰＯ１４７５４８／８２号、ドイツ
公開特許出願第２６１１７９６号で論じられているもの
が含まれる。

【００５７】適切な多官能性シアネートは、周知の方法
で、例えば米国特許第３５５３２４４号、第３７４０３
４８号及び第３７５５４０２号に例示されているよう
に、対応する多価フェノールを、トリエチルアミンのよ
うな第三級アミンの存在下でハロゲン化シアネートに反
応させて調製する。

【００５８】フェノール反応物は、１個または複数の反
応性水酸基を含む任意の芳香族化合物でよい。フェノー
ル性反応物は次式のジまたはトリポリヒドロキシ化合物
であることが好ましい。

【化３】上式で、ａとｂは独立に０、１、２または３であり、少
なくとも一つのａは０でない。ｎは０〜約８の範囲であ
り、好ましくは０〜３である。各Ｒは独立に、非干渉性
のアルキル、アリール、アルカリール、ヘテロ原子、複
素環式、カルボニルオキシ、カルボキシ、ならびに水
素、Ｃ_1-6アルキル、Ｃ_1-6アリール、Ｃ_1- ₆アルコキ
シ、ハロゲン、マレイミド、プロパルギルエーテル、グ
リシジルエーテルなど類似の環置換基から選ばれる。Ａ
は多価結合部分であり、例えば芳香族、脂肪族、脂環
式、多環式及びヘテロ原子とすることができる。結合部
分Ａの例には、−Ｏ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＯＣ
ＯＯ−、−Ｓ−、Ｃ_1-12−ジシクロペンタジエニル、ア
ラルキル、アリール、脂環式及び直接結合がある。

【００５９】シアネートの例は次のとおりである。シア
ナトベンゼン、１，３−及び１，４−ジシアナトベンゼ
ン、２−ｔ−ブチル−１，４−ジシアナトベンゼン、
２，４−ジメチル−１，３−ジシアナトベンゼン、２，
５−ジ−ｔ−ブチル−１，４−ジシアナトベンゼン、テ
トラメチル−１，４−ジシアナトベンゼン、４−クロロ
−１，３−ジシアナトベンゼン、１，３，５−トリシア
ナトベンゼン、２，２'−または４，４'−ジシアナトビ
フェニル、３，３'，５，５'−テトラメチル−４，４'
−ジシアナトビフェニル、１，３−、１，４−、１，５
−、１，６−、１，８−、２，６−または２，７−ジシ
アナトナフタレン、１，３，６−トリシアナトナフタレ
ン、ビス（４−シアナトフェニル）メタン、ビス（３−
クロロ−４−シアナトフェニル）メタン、２，２−ビス
（４−シアナトフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３，５−ジクロロ−４−シアナトフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−シアナトフ
ェニル）プロパン、ビス（４−シアナトフェニル）エー
テル、ビス（ｐーシアノフェノキシフェノキシ）ベンゼ
ン、ジ（４−シアナトフェニル）ケトン、ビス（４−シ
アナトフェニル）チオエーテル、ビス（４−シアナトフ
ェニル）スルホン、亜硫酸トリス（４−シアナトフェニ
ル）、硝酸トリス（４−シアナトフェニル）である。ま
た、米国特許第３９６２１８４号に開示されているよう
なフェノール樹脂から誘導されたシアン酸エステル、米
国特許４０２２７５５号に記載のノボラックから誘導さ
れたシアネート化ノボラック、米国特許第４０２６９１
３号に記載のビスフェノール型ポリカーボネートオリゴ
マーから誘導されたシアネート化ビスフェノール型ポリ
カーボネートオリゴマー、米国特許第３５９５９００号
に記載のシアナト末端ポリアリーレンエーテル、米国特
許第４７４０５８４号に記載のオルソ置換ジシアン酸エ
ステル、米国特許第４７０９００８号に記載のジまたは
トリシアネートの混合物、米国特許第４５２８３６６号
のダウケミカルのＸＵ７１７８のような多環式脂肪族二
残基を含む多環芳香族シアネート、米国特許第３７３３
３４９号に記載されているフロロカーボンシアネート、
及び米国特許第４１９５１３２号及び第４１１６９４６
号に教示された他の新しいシアネート組成物の使用も有
用である。これらの開示を参照により本明細書に合体す
る。これらの組成物に関する議論は、ボーガン（Boga
n）他の「Unique Polyaromatic Cyanate Ester for Low
Dielectric Printed Circuit Boards」、SAMPE Journa
l, Vol.24, No.6 Nov./Dec. 1988に出ている。好ましい
多官能性シアン酸エステルは、チバガイギーからＡｒｏ
ｃｙＬ−１０の商標で入手できるビスフェノールＡＤ
ジシアネート（４，４'−エチリデンビスフェノールジ
シアネート）及びチバガイギーからＲＴＸ−３６６とし
て市販されているビスフェノールＭジシアネートであ
る。

【００６０】他の適切なシアン酸エステル樹脂として
は、チバガイギーからＲＥＸ−３７８、ＲＥＸ−３７
９、ＡｒｏｃｙＢ−１０、Ｂ−３０、Ｂ−４０Ｓ、Ｂ
−５０、ＡｒｏｃｙＭ−１０、Ｍ−２０、Ｍ−３０、
Ｍ−４０Ｓ、Ｍ−５０、ＡｒｏｃｙＦ−４０Ｓ及びＦ
−１０として市販されている製品がある。

【００６１】幾つかのクラスのカチオン性光開始剤が見
つかっており、エポキシと組み合わせた使用が、G. E.
グリーン（Green）、B. P.スターク（Stark）及びS. A.
ザーヒル（Zahir）によってMacromol. Chem. C21, 187
(1981/82)のJ. Macromol. Sci. Revs.に記載されてい
る。しかし、これらの開始剤の大多数はあまりにも速度
が遅く実用上の価値はない。商業的に最も重要な触媒
は、アリールジアゾニウム、トリフェニルスルホニウム
及びジフェニルヨードニウム塩であり、ごく最近見つか
った化合物が、低求核性のアニオンを有するジアリール
ヨードシル及びトリアリールスルホキソニウム塩であ
る。これらは照射によって、対応するルイス酸ＢＦ₃、
ＢＦ₅等またはブレンステッド酸ＨＢ₄、ＨＰＦ₆、ＨＡ
ｓＦ₆を遊離することが知られている。

【００６２】光開始剤としてのアリールジアゾニウム塩
の有効性は、これらの塩のカチオン部分またはアニオン
部分の構造に依存する。それらのスペクトル感度は、ア
リールジアゾニウム化合物のアリール部分の構造を改変
することによって変えることができる。このクラスの光
開始剤は、エポキシ樹脂の十分な硬化を達成するため
に、一般的に照射後に熱処理工程を必要とする。しかし
光分解過程での窒素の発生、低い熱安定性、及び固有の
水分感受性など幾つかの欠点のために、エポキシ硬化の
多くの実用的応用例において光開始剤としてのアリール
ジアゾニウム塩の使用が制限されている。

【００６３】クリヴェロ（Crivello）は「Developments
in Polymer Photochemistry 2」（N.S.Allen編），P1.
Applied Science Publ., London, 1981で、光化学反応
によって誘導された１つのアリール結合のホモリシス分
解が第一の反応過程であり、次いで適切なドナーからの
水素の引き抜きと、それに続くプロトンの損失によって
ブレンステッド酸ＨＸを生ずると仮定した。この強いブ
レンステッド酸ＨＸは、まず最初の過程としてオキシラ
ン基をプロトン化し、次いで開環重合が行われる。一般
的に先述の順序に従って、速い重合速度を有するものと
して、アニオンＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＡｓＦ₆ ^-またはＳｂＦ
₆ ^-との「オニウム」塩のみが使用できる。脂環式エポキ
シはグリシジルエーテル及びグリシジルエステルよりも
高い反応性を示す。今までに報告された例のほとんど
は、D. M.アレン（Allen）がJ. Photog. Sci. 2461 (19
76)に、また、H.カーチス（Curtis）、E.アーヴィング
（Irving）、B.F.G.ジョンソン（Johnson）がChem. Bri
t. 22,327 (1986)に記載しているような一酸化炭素、オ
レフィン、炭素環などの光活性（photo labile）な配位
子を有する有機金属錯体を含む。

【００６４】有機金属カルボニル化合物、メタロセン及
びアルミニウム錯体のような多数の有機金属化合物が、
エポキシ官能化高分子の重合における光開始剤として作
用できる。K.マイヤー（Meier）とH.ヅヴァイフェル（Z
weifel）はJ. Imag. Sci., 30,174 (1986)に低求核性の
アニオンを有する鉄アレーン塩を記載している。これら
の化合物が光分解すると、エポキシ樹脂を比較的容易に
重合することができるルイス酸が生じる。

【００６５】不溶性網目構造の形成には露光過程後に熱
活性化過程が必要である。高解像度の結像システムが生
成される。鉄アレーン塩は一般的ににN. A. Nesmeyanov
他によってDokl. Akad. Nauk SSSR 149,615 (1963)報告
された方法によってフェロセンから調製される。

【００６６】シアン酸エステル樹脂は、米国特許第４０
９４８５２号に記載されているように、多官能性シアネ
ートモノマーから作られる。一般的に、より低い硬化温
度及び早い硬化時間を達成するために触媒を使用する。
有効な熱活性化触媒には、酸、塩基、塩、窒素及びリン
化合物、すなわちＡｌＣｌ₃、ＢＦ₃、ＦｅＣｌ₃、Ｔｉ
Ｃｌ₄、ＺｎＣｌ₂、ＳｎＣｌ₄のようなルイス酸、ＨＣ
ｌ、Ｈ₃ＰＯ₄のようなブレンステッド酸、フェノール、
ｐ−ニトロフェノール、ピロカテコール、ジヒドロキシ
ナフタレンのような芳香族ヒドロキシ化合物、水酸化ナ
トリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムフェノキ
シド、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチ
ルアミン、ジアザビシクロ−２，２，２−オクタン、キ
ノリン、イソキノリン、テトラヒドロキノリン、塩化テ
トラエチルアンモニウム、ピリジン−Ｎーオキサイド、
トリブチルホスフィン、オクタン酸亜鉛、オクタン酸ス
ズ、ナフトエ酸亜鉛ならびにその混合物のような様々な
他の化合物がある。米国特許第３６９４４１０号は芳香
族多官能性シアネートからトリアジンを形成するための
触媒として、１〜６個またはそれ以上のキレート環を有
する金属イオンのイオン性または非イオン性キレートの
使用を開示している。同様に米国特許第４５２８３６６
号は、Ｃ₆−Ｃ₂₀カルボン酸のコバルト塩、特にオクタ
ン酸コバルト及びナフトエ酸コバルトがトリアジンの形
成に有用な触媒であることを教示している。米国特許第
４６０４４５２号及び第４６０８４３４号は、金属カル
ボキシレートのアルコール溶液が加熱によるトリアジン
の形成に有効な触媒組成であることを開示している。有
機金属コバルト化合物は、アセチレンの三量体化（米国
特許第４１８３８６４号）及びアセチレンとニトリルの
共三量体化（米国特許第４３２８３４３号）の触媒とし
て使用されている。金属カルボニル錯体を用いた、アリ
ールイソシアネートの光触媒三量体化は、E.マルテリ
（Martelli）、C.ペリツィ（Pellizzi）及びG.プレディ
エリ（Predieri）によってJ. Molec. Catalysis 22, 89
-91(1983)に開示されている。有機金属錯体カチオンと
カチオン感受性物質のイオン塩を含むエネルギー重合可
能な組成物及びその硬化が、欧州特許第１０９８５１
号、第０９４９１４号、及び第０９４９１５号に教示さ
れている。米国特許第４５５４３４６号はシアン酸エス
テル化合物からの光硬化樹脂を開示している。この発明
者等は、多官能性シアン酸エステルと、水酸基とラジカ
ル重合可能な不飽和二重結合とを有する少なくとも一つ
の化合物を、シアナート基と水酸基の比が１：０．１か
ら１：２の範囲になるような量で混合し、またラジカル
重合光開始剤を含む混合物を高温で使用している。これ
らの物質はシアネート単独の直接重合で得られるものと
同じポリトリアジン物質をもたらさないと予想される。

【００６７】本発明で有用な有機金属化合物は、文献に
記載のように当業者に周知の方法で調製できる。Inorg.
Chem. 17，1003 (1978)、Chem. Ber. 102, 2449 (196
9)、J. Organomet. Chem. 135,373 (1977)、Inorg. Che
m. 18,553 (1979)にその例が出ており、欧州特許第１０
９８５１号、第０９４９１４号、及び第０９４９１５号
にこれらの方法が開示されている。

【００６８】硬化剤は、全組成物の０．０１〜２０重量
％、好ましくは０．１〜１０重量％の範囲の量を使用す
る。

【００６９】約０．５〜３％，好ましくは約１．２〜
１．６％の量の界面活性剤を使って、充填剤とエポキシ
樹脂の混合を容易にすることができる。適当な界面活性
剤にはロームアンドハース社のＴｒｉｔｏｎＸ−１０
０のような非イオン型の界面活性剤が含まれる。これら
の界面活性剤はオクチルフェノールまたはノニルフェノ
ールとエチレンオキサイドの反応によって調製される。
上述の一連の化合物の生成物にはオクチルフェノール系
列とノニルフェノール系列が含まれる。

【００７０】この組成物には、任意選択で他の硬化促進
剤または加速剤、及び可塑剤、エラストマー、充填剤、
顔料、離型剤または他の樹脂などその他の各種物質を含
めることができる。

【００７１】本発明に使用される表面処理剤は、例えば
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメ
チルジメトキシシラン、３−アミノプロピルエトキシシ
ラン、３−グリシドオキシプロピルトリメトキシシラ
ン、３−グリシドオキシプロピルメチルジメトキシシラ
ンがある。使用される表面処理剤の量は、樹脂１００部
に対して好ましくは１〜２０部、より好ましくは３〜１
５部である。

【００７２】デバイスから周囲への熱伝導を改善するた
めに、熱伝導性かつ電気絶縁性の充填剤を用いることが
できる。そのような充填剤には、酸化アルミニウム、９
２％アルミナ、９６％アルミナ、窒化アルミニウム、窒
化シリコン、シリコンカーバイド、酸化ベリリウム、窒
化ホウ素及び高圧またはプラズマＣＶＤによるダイアモ
ンド粉末が含まれる。

【００７３】本発明の組成物は、約２５〜６０重量パー
セント、好ましくは約５０〜６０重量パーセントのバイ
ンダ、及びそれに対応して約４０〜７５重量パーセン
ト、好ましくは約５０〜６０重量パーセントの充填剤を
含む。これらの量は組成物中のバインダと充填剤の合計
量に対するものである。バインダがポリエポキシドを含
む時には、本発明で使用する組成物は硬化剤をも含む。

【００７４】シリカは溶融シリカまたはアモルファス・
シリカが好ましい。充填剤の粒子サイズは３１ミクロン
以下、好ましくは約０．５ミクロン〜３１ミクロン、最
も好ましくは約０．７〜２０ミクロンである。これは未
硬化の物質が重合前に容易に流動するために、また組成
物が集積回路チップ・ハウジング３１の下でハウジング
３１と基板１１の間を流れるために必要である。さらに
シリカ充填剤は、信頼性の問題の一因となるイオン性化
合物またはイオン性不純物を実質的に含んでいてはなら
ない。

【００７５】本発明の組成物は、約２５〜６０重量パー
セント、好ましくは５０〜６０重量パーセントの液状ま
たは流動性の有機樹脂と、残部の熱膨張係数を低減でき
る適当な充填剤を含む。

【００７６】硬化は、エポキシド、シリカ及び光開始剤
に対して、例えば約０．５重量パーセントから約５重量
パーセントの有効量の適切な光開始剤の存在下で実施さ
れる。そのような光開始剤の一つは、アンチモン酸トリ
アリールスルホニウム（ＣＡＳ登録番号８９４５２−３
７−９及び７１４４９−７８−０）のプロピレンカーボ
ネートに溶かした５０重量パーセント溶液である。その
ような光開始剤の１つにユニオン・カーバイド社のCyra
cure UVI-6974がある。

【００７７】

【実施例】ユニオン・カーバイドのＥＲＬ４２２１
３，４−エポキシシクロヘキサンカルボン酸３，４−エ
ポキシシクロヘキシルメチル、ＮｏｖａｃｕｐＬ３３
７シリカ、及びユニオン・カーバイドのＣｙｒａｃｕｒ
ｅＵＶＩ−６９７４アンチモン酸トリアリールスルホ
ニウム塩のプロピレンカーボネート溶液（アンチモン酸
トリアリールスルホニウムとプロピレンカーボネートの
合計に対して５０重量パーセントのアンチモン酸トリア
リールスルホニウムを含む）を用いて一連の試験を実施
した。

【００７８】実施例１等量のＮｏｖａｃｕｐＬ３３７シリカ充填剤とユニオ
ン・カーバイドのＥＲＬ４２２１脂環式エポキシ樹脂
を様々な量（０、０．２５、０．５、１．２５、及び５
％）のユニオン・カーバイドＣｙｒａｃｕｒｅＵＶＩ
−６９７４光開始剤と混合した。その混合物をアルミニ
ウムのサンプル・ホルダに加えて処理した。処理は、Ｕ
Ｖ照射時間０〜２分、保持時間０〜２８０分、ベーキン
グ６０〜１００℃で１０分の様々な条件で行った。未硬
化の樹脂をメチルエチルケトンで除去した後の硬化物質
の厚さを記録した。

【００７９】その結果、紫外照射が必要なことが判明し
た。ベーキングだけで硬化した物質はなかった。０．５
％の光開始剤を用いた場合に最大の厚さが得られた。ベ
ーキング温度が高いほど厚さが大きくなった。低温ベー
キング後の硬化物質は、薄いが可撓性はより大きかっ
た。

【００８０】実施例２硬化物の厚さを最適化し、各種パラメータの影響を決定
するために、以下の統計的に設計した試験を実施した。
ＮｏｖａｃｕｐＬ３３７シリカ２５ｇを１００ｍｌの
プラスチック製ビーカに秤り取って「マスタ」混合物を
調製した。これにユニオン・カーバイドのＥＲＬ４２
２１脂環式エポキシ樹脂２５ｇを加えた。これをガラス
製の攪拌棒を用いて滑らかな粘稠度になるまで手で混合
した。この混合物を２０ｇの二つの部分に分けた。一方
のビーカにユニオン・カーバイドＣｙｒａｃｕｒｅＵ
ＶＩ−６９７４（プロピレンカーボネート中に光開始剤
５０％を含む混合物）０．２４ｇを加えた。他方のビー
カにＣｙｒａｃｕｒｅＵＶＩ−６９７４２．０ｇを
加えた。それぞれの混合物の一部分を３０×３０×４ｍ
ｍのアルミニウム・キャップ８個に加えた。それぞれの
キャップを５ｍＷ／ｃｍ²の水銀ランプで下記の時間露
光した。キャップは表に記載したように処理した。ベー
キングはＦｉｓｈｅｒＩｓｏｔｅｍｐまたはＢｌｕｅ
Ｍオーブン中でまずオーブンの温度を上げ、次いでキ
ャップを記載された時間挿入して行った。処理後硬化し
た物質をキャップから取り出し、メチルエチルケトン中
で洗浄した。これによって下部の未硬化物質は除去さ
れ、樹脂の上の部分だけが硬化する。硬化物質の厚さを
Ｆｅｄｅｒａｌｍｏｄｅｌ６９１８−Ｒ２ベンチ
・マイクロメータで測定し、数回の測定の平均を取っ
た。

【表１】表１試験開始剤露光保持時間ベーク温度ベーク時間硬化物厚さ（％）（秒）（時間）（℃）（分）（ミル）１０．５３００８０１０２３．８２０．５３０２１２０１０１１１．１３０．５１８００１２０２０１００．３４０．５１８０２８０２０４６．９５５．０３００１２０２０３８．４６５．０３０２８０２０２８．８７５．０１８００８０１０３７．７，３８．５８５．０１８０２１２０１０４９．４９５．０１８０２１２０２０６０．８１０５．０１８００８０２０４５．２，３５．８１１５．０３０２８０１０２８．７，２４．５１２５．０３００１２０１０３３．５１３０．５１８０２８０１０４２．２，４５．６１４０．５１８００１２０１０７２．１１５０．５３０２１２０２０１４３．８１６０．５３００８０２０３９．０

【００８１】実施例３Ｅｐｏｎ１００７１ｇとＥＲＬ−４２２１９ｇをガ
ラス・ビーカに入れてホット・プレート上で加熱して樹
脂混合物を調製した。ホット・プレートはＥｐｏｎ１０
０７が溶解するまで１４０℃〜１５０℃に３時間保持し
た。熱い間にエチル・バイオレット染料０．０１ｇ、次
いでＮｏｖａｃｕｐＬ３３７シリカ１５ｇを加えて攪
拌棒で混合した。暗青色の混合物は冷却した時に粘性で
あった。その混合物を回路形成したテスト基板上のリー
ド線に攪拌棒で塗布した。基板を５ｍＷ／ｃｍ²水銀ラ
ンプの下で２分間露光し、次いで１２０℃で５分間ベー
キングした。その表面が硬化した。その基板を数回冷凍
室中で−７０℃に冷却し、室温まで温めた。塗布した物
質の発泡部分で割目が認められたが、その他の所では保
全性と接着性が良好であった。

【００８２】開始剤０．５〜５重量％、ＵＶ照射３０〜
１８０秒、保持時間０〜２時間、ベーク温度８０〜１２
０℃、ベーク時間１０〜２０分で１６組の試験を行っ
た。０．５８〜３．６５ｍｍ（２３．０〜１４３．８ミ
ル）の硬化厚さが得られた。このデータのＲ二乗解析を
実施した。開始剤濃度（有意レベル０．０２１０４６）
及びベーク温度（有意レベル０．００７９８８３）が最
も重要な変数であることがわかった。

【００８３】実施例４チバガイギーのＡｒｏｃｙＬ１０１０ｇ、Ｍｏｏｎ
ｅｙＣｈｅｍｉｃａｌｓの８％オクタン酸亜鉛の１０
％鉱油溶液０．１ｇ、及びチバガイギーのＩｒｇａｃｕ
ｒｅ２６１０．１５ｇを混合して均質な溶液を調製し
た。ＮｏｖａｃｕｐＬ３３７シリカ１５ｇを加えて攪
拌棒で混合した。

【００８４】ＡｒｏｃｙＬ１０５ｇ、ＭＲ２８３−
２５０５ｇ、オクタン酸亜鉛０．１ｇ及びＩｒｇａｃ
ｕｒｅ２６１０．１５ｇを加えて別の混合物を調製し
た。この溶液にＮｏｖａｃｕｐＬ３３７シリカ１７ｇ
を加えて攪拌棒で混合した。

【００８５】添加後に各サンプルを１時間ロールミル処
理し、真空にしてトラップされている空気を除去した。
これらの混合物のコーティング（２ミル）を最初１３０
℃で１５分ベークし、３００秒（３５０ＷＯｒｉｅｌ
Ｌａｍｐ）露光し、１５０℃で１５分間ベークした。
得られた硬化フィルムは良好な品質を有し，９０度曲げ
テストで割目は認められない。

【００８６】この組成物ははんだ継手を熱サイクルの作
用から保護する。

【００８７】以上、カプセル化材を利用してアセンブリ
のパッケージ要素とこのパッケージがその上に位置する
基板との間に形成された電気接続を補強した、改良され
た電子パッケージ・アセンブリについて図示し説明し
た。上述のように、そのようなパッケージ・アセンブリ
は（カプセル化材または類似物質を含有しない）保護の
ないパッケージに比べて著しく長い動作寿命を示した。
ここで定義したパッケージ・アセンブリは、大量生産技
術を用いて製造でき、従って利益を享受できる。本発明
を薄型パッケージ（全厚がわずか０．７６〜１２．７ｍ
ｍ（０．０３０〜０．０５０インチ））に関して定義し
てきたが、この教示は当技術分野で周知のものの多くを
含めてより高いプロフィルのパッケージにも容易に適合
できる。

【００８８】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。

【００８９】（１）エポキシ樹脂またはシアン酸エステ
ル単量体と、光開始剤と粒子状シリカの分散相との光重
合生成物を含むカプセル化材。（２）前記エポキシ樹脂が、複数の反応性１，２−エポ
キシ基を有するものである上記（１）に記載のカプセル
化材。（３）前記エポキシ樹脂が置換エポキシドであり、置換
基が水酸基、エーテル残基、ハロゲン原子及びその組合
せからなる群から選ばれたものである、上記（２）に記
載のカプセル化材。（４）前記エポキシ樹脂が、エピクロロヒドリン、エピ
ブロモヒドリン及びエピヨードヒドリンから成る群から
選ばれたエピハロヒドリンを多価フェノールまたは多価
アルコールと反応させて得られるエポキシポリエーテル
である上記（２）に記載のカプセル化材。（５）前記多価フェノールまたは多価アルコールが、１
〜４個の炭素原子を含む低級アルキル基及びハロゲン原
子から成る群から選ばれた置換基を有するものである、
上記（４）に記載のカプセル化材。（６）前記シアン酸エステルが２個以上のＯＣＮ基を有
し、環状三量体化によって硬化できるものである、上記
（１）に記載のカプセル化材。（７）前記光開始剤がアリールジアゾニウム光開始剤で
ある上記（１）に記載のカプセル化材。（８）前記光開始剤が、ＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＡｓＦ₆ ^-また
はＳｂＦ₆ ^-アニオンとの「オニウム」塩から成る群から
選ばれたオニウム塩である、上記（７）に記載のカプセ
ル化材。（９）ａ．エポキシ樹脂またはシアン酸エステル単量体
と、有効量の光開始剤と、分散シリカとを含む組成物を
形成する工程と、ｂ．前記組成物をはんだ接合に接触して供給する工程
と、ｃ．前記組成物を光硬化する工程とを含む、集積回路チ
ップとそのチップ用の基板との間のはんだ接合をカプセ
ル化する方法。（１０）前記組成物を光硬化する工程後、さらに熱硬化
する工程を含む、上記（９）に記載の方法。（１１）前記エポキシ樹脂が、複数の反応性１，２−エ
ポキシ基を有するものである上記（９）に記載の方法。（１２）前記エポキシ樹脂が置換エポキシドであり、置
換基が水酸基、エーテル残基、ハロゲン原子及びその組
合せからなる群から選ばれたものである、上記（１１）
に記載の方法。（１３）前記エポキシ樹脂が、エピクロロヒドリン、エ
ピブロモヒドリン及びエピヨードヒドリンから成る群か
ら選ばれたエピハロヒドリンを多価フェノールまたは多
価アルコールと反応させて得られるエポキシポリエーテ
ルである、上記（１１）に記載の方法。（１４）前記多価フェノールまたは多価アルコールが、
１〜４個の炭素原子を含む低級アルキル基及びハロゲン
原子から成る群から選ばれた置換基を有するものであ
る、上記（１３）に記載の方法。（１５）前記シアン酸エステルが二つ以上のＯＣＮ基を
有し、環状三量体化によって硬化できるものである、上
記（９）に記載の方法。（１６）前記光開始剤がアリールジアゾニウム光開始剤
である上記（９）に記載の方法。（１７）前記光開始剤が、ＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＡｓＦ₆ ^-ま
たはＳｂＦ₆ ^-アニオンとの「オニウム」塩から成る群か
ら選ばれたオニウム塩である、上記（９）に記載の方
法。（１８）集積回路チップと、そのチップ用の基板と、そ
れらの間にあって脂環式エポキシドの光重合生成物及び
粒子状シリカの分散相を含むはんだ接合のカプセル化材
を有するはんだ接合とを含む製造物。（１９）カチオン重合可能なシアン酸エステル単量体、
プレポリマーまたはその混合物と、全体の割れ特性を強
化するのに有効な量の改質剤と、充填剤と、光分解によ
って少なくとも１つの配位部位を開放することのできる
重合開始剤としての触媒有効量の有機金属錯塩とを含
み、前記有機金属錯体中の金属カチオンが周期律表IVＢ
族、ＶＢ族、VIＢ族、VIIＢ族及びVIIIＢ族の元素から
選ばれたものである、光誘導重合可能シアン酸エステル
組成物。（２０）カチオン重合可能なシアネート単量体と、プレ
ポリマー及びその混合物と、全体の割れ特性を強化する
のに有効な量の改善剤と、光分解によって少なくとも一
つの配位部位を開放することのできる重合開始剤として
の触媒量の有機金属錯塩を含み、有機金属錯体中の金属
カチオンが周期律表IVＢ族、ＶＢ族、VIＢ族、VIIＢ族
及びVIIIＢ族の元素から選ばれたものである光誘導重合
可能シアン酸エステル組成物を提供する方法。（２１）ａ．少なくとも１つのシアン酸エステル単量体
と、ｂ．触媒有効量の有機金属化合物と、ｃ．充填剤との重合生成物を含む、リード線保護組成
物。

【図面の簡単な説明】

【図１】カプセル化材を添加する前の、本発明の一実施
例による電子パッケージ・アセンブリの部分透視図であ
る。

【図２】カプセル化材をその両面及びこれらの面から突
出するリード線（図示せず）に付加した図１と同様の透
視図である。

【図３】本発明のパッケージの一つの面がそこから突出
しているリード線の上にカプセル化材を有することを示
す、図１及び図２よりもずっと拡大した部分立面図であ
る。

【図４】本発明のパッケージ・ハウジングの全周囲（４
側面）のカプセル化材を示す図１及び図２と同様の透視
図である。

【符号の説明】１０パッケージ・アセンブリ１１基板１３集積回路チップ・パッケージ１５回路１７導体１９上面２１リード線２３接地面３１集積回路チップ・ハウジング３３側面３４側面３５側面３６側面３７上面３８下面４１半導体デバイス４３ワイヤ５１端末５３はんだ６１カプセル化材６３カプセル化材

フロントページの続き (72)発明者ステファン・ジョーゼフ・ファーニスアメリカ合衆国13760 ニューヨーク州エンディコットボスウェル・ヒル・ロード 766 (72)発明者デボラ・リン・ディットリヒアメリカ合衆国13732 ニューヨーク州アパラチントベイ・ロード 91 (72)発明者デービッド・ウェイ・ワンアメリカ合衆国12590 ニューヨーク州ウォッピンガーズ・フォールズデニム・ドライブ８

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】エポキシ樹脂またはシアン酸エステル単量
体と、光開始剤と粒子状シリカの分散相との光重合生成
物を含むカプセル化材。
【請求項２】前記エポキシ樹脂が、複数の反応性１，２
−エポキシ基を有するものである請求項１に記載のカプ
セル化材。
【請求項３】前記エポキシ樹脂が置換エポキシドであ
り、置換基が水酸基、エーテル残基、ハロゲン原子及び
その組合せからなる群から選ばれたものである、請求項
２に記載のカプセル化材。
【請求項４】前記エポキシ樹脂が、エピクロロヒドリ
ン、エピブロモヒドリン及びエピヨードヒドリンから成
る群から選ばれたエピハロヒドリンを多価フェノールま
たは多価アルコールと反応させて得られるエポキシポリ
エーテルである請求項２に記載のカプセル化材。
【請求項５】前記多価フェノールまたは多価アルコール
が、１〜４個の炭素原子を含む低級アルキル基及びハロ
ゲン原子から成る群から選ばれた置換基を有するもので
ある、請求項４に記載のカプセル化材。
【請求項６】前記シアン酸エステルが２個以上のＯＣＮ
基を有し、環状三量体化によって硬化できるものであ
る、請求項１に記載のカプセル化材。
【請求項７】前記光開始剤がアリールジアゾニウム光開
始剤である請求項１に記載のカプセル化材。
【請求項８】前記光開始剤が、ＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＡｓＦ
₆ ^-またはＳｂＦ₆ ^-アニオンとの「オニウム」塩から成る
群から選ばれたオニウム塩である、請求項７に記載のカ
プセル化材。
【請求項９】ａ．エポキシ樹脂またはシアン酸エステル
単量体と、有効量の光開始剤と、分散シリカとを含む組
成物を形成する工程と、ｂ．前記組成物をはんだ接合に接触して供給する工程
と、ｃ．前記組成物を光硬化する工程とを含む、集積回路チ
ップとそのチップ用の基板との間のはんだ接合をカプセ
ル化する方法。
【請求項１０】前記組成物を光硬化する工程後、さらに
熱硬化する工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】前記エポキシ樹脂が、複数の反応性１，
２−エポキシ基を有するものである請求項９に記載の方
法。
【請求項１２】前記エポキシ樹脂が置換エポキシドであ
り、置換基が水酸基、エーテル残基、ハロゲン原子及び
その組合せからなる群から選ばれたものである、請求項
１１に記載の方法。
【請求項１３】前記エポキシ樹脂が、エピクロロヒドリ
ン、エピブロモヒドリン及びエピヨードヒドリンから成
る群から選ばれたエピハロヒドリンを多価フェノールま
たは多価アルコールと反応させて得られるエポキシポリ
エーテルである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】前記多価フェノールまたは多価アルコー
ルが、１〜４個の炭素原子を含む低級アルキル基及びハ
ロゲン原子から成る群から選ばれた置換基を有するもの
である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】前記シアン酸エステルが二つ以上のＯＣ
Ｎ基を有し、環状三量体化によって硬化できるものであ
る、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】前記光開始剤がアリールジアゾニウム光
開始剤である請求項９に記載の方法。
【請求項１７】前記光開始剤が、ＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、Ａｓ
Ｆ₆ ^-またはＳｂＦ₆ ^-アニオンとの「オニウム」塩から成
る群から選ばれたオニウム塩である、請求項９に記載の
方法。
【請求項１８】集積回路チップと、そのチップ用の基板
と、それらの間にあって脂環式エポキシドの光重合生成
物及び粒子状シリカの分散相を含むはんだ接合のカプセ
ル化材を有するはんだ接合とを含む製造物。
【請求項１９】カチオン重合可能なシアン酸エステル単
量体、プレポリマーまたはその混合物と、全体の割れ特
性を強化するのに有効な量の改質剤と、充填剤と、光分
解によって少なくとも１つの配位部位を開放することの
できる重合開始剤としての触媒有効量の有機金属錯塩と
を含み、前記有機金属錯体中の金属カチオンが周期律表
IVＢ族、ＶＢ族、VIＢ族、VIIＢ族及びVIIIＢ族の元素
から選ばれたものである、光誘導重合可能シアン酸エス
テル組成物。
【請求項２０】カチオン重合可能なシアネート単量体
と、プレポリマー及びその混合物と、全体の割れ特性を
強化するのに有効な量の改善剤と、光分解によって少な
くとも一つの配位部位を開放することのできる重合開始
剤としての触媒量の有機金属錯塩を含み、有機金属錯体
中の金属カチオンが周期律表IVＢ族、ＶＢ族、VIＢ族、
VIIＢ族及びVIIIＢ族の元素から選ばれたものである光
誘導重合可能シアン酸エステル組成物を提供する方法。
【請求項２１】ａ．少なくとも１つのシアン酸エステル
単量体と、ｂ．触媒有効量の有機金属化合物と、ｃ．充填剤との重合生成物を含む、リード線保護組成
物。