JPH09131767A - 電子部品用樹脂ケースの成形金型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 射出成形において、ウェルドラインを所定の
位置に形成でき、製品の特性や強度に支障を生じること
のない略箱形状の電子部品用樹脂ケースを得ること。 【解決手段】ケース７を射出成形するために多数のキャ
ビティを有する成形金型であって、金型の温度分布に基
づいて、各キャビティのゲート１３の位置を、ウェルド
ラインＷがケース７の長辺部７ｂに形成されるように配
置した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品用樹脂ケ
ースの成形金型、詳しくは、セラミック発振器、ラダー
フィルタ等の電子部品の略箱形状の樹脂ケースを射出成
形するための成形金型に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、セラミック発振器として、図４に
示したものが提供されている。この発振器は、発振素子
１と、この発振素子１を挟着保持する端子２，３と、発
振素子１及び端子２，３を収容する内ケース５と、この
内ケース５の開口部を閉じる内蓋６と、内ケース５及び
内蓋６を被覆する外ケース７’とを備え、端子２，３が
導出される部分をシール樹脂８で封止したものである。

【０００３】前記外ケース７’は、図６に示すように、
一方に開口した箱形状をなし、樹脂材から射出成形によ
って成形される。射出成形は、図５（ａ）に示す金型１
０’を用いて、スプルー１１，ランナー１２を通じてゲ
ート１３から各キャビティ１４に溶融樹脂を充填するこ
とによって行われる。従来の成形金型１０’において、
ゲート１３は各キャビティ１４（外ケース７’）に対し
て一定の位置、即ち、図６に示す中心線Ｃ上に配置され
ている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、射出成形で
は成形品にウェルドラインが発生する。これはゲートか
ら射出された溶融樹脂が左右に分かれてキャビティ内を
進行し、合流する位置に形成される合流痕跡であり、強
度的に（特に、衝撃に対して）は弱い部分である。一
方、成形金型にあっては、中央部にスプルー、ランナー
が位置して高温となり、周辺部分で放熱が生じるため、
内部の温度は一様ではなく、例えば金型１０’に関して
中央ラインの温度特性は図５（ｂ）に示すとおりであ
る。そして、温度分布が左右対称なキャビティ１４にあ
っては、図７（ａ）に示すように、ゲート１３とは反対
側の短辺の略中央部分にウェルドラインＷが発生する。

【０００５】キャビティ１４の左右に温度差が生じてい
ると、溶融樹脂の流動性は温度に比例するため、図７
（ｂ），（ｃ）に示すように短辺の角部分にウェルドラ
インＷが発生する。多数個取りの成形金型においては、
個々のキャビティでの温度分布にばらつきが存在し、そ
れ故ウェルドラインの形成箇所が一定ではなく、しかも
従来ではウェルドラインの形成箇所を何ら考慮していな
かった。

【０００６】一方、図４に示したセラミック発振器で
は、端子２，３のばね力によって外ケース７’には矢印
Ａ方向の拡張力が作用することになる。この力は専ら外
ケース７’の短辺部７ａ’（図６参照）に作用し、応力
が集中する短辺部７ａ’にウェルドラインが発生する
と、外ケース７’が変形したり破損するおそれが大き
く、完成品の特性のばらつき、歩留まりの低下を招来し
ていた。あるいは、ウェルドラインが製品の目立つ位置
に現れ、美観を損なうという問題点も有していた。

【０００７】特に、近年では電子部品の小型化に伴って
ケースも小型化が進行し、薄肉化に対する必要な剛性を
得るため、あるいは耐熱性向上等のため、ＬＣＰ樹脂
（液晶ポリマー）が用いられている。ＬＣＰ樹脂の成形
では金型温度が高くなると共に温度分布の差も大きくな
り、かつ、ＬＣＰ樹脂の流動性は温度に大きく依存す
る。従って、ウェルドラインの形成位置は他の樹脂材料
に比べて大きくばらつき、前述の問題点が顕著に発生す
る。

【０００８】

【発明の要旨、効果】そこで、本発明の目的は、ウェル
ドラインを所定の位置に形成でき、製品の特性や強度に
支障を生じることのない略箱形状の樹脂ケースを得るこ
とのできる成形金型を提供することにある。

【０００９】以上の目的を達成するため、本発明に係る
成形金型は、成形金型の温度分布に基づいて、各キャビ
ティのゲート位置をウェルドラインが所定の箇所に形成
されるように配置したことを特徴とする。

【００１０】ゲート位置を金型温度の高温側あるいは低
温側にシフトすることでウェルドラインの形成位置が変
化する。本発明では、多数個取りの成形金型において、
金型の温度分布に基づく溶融樹脂の流動性の差を考慮
し、各キャビティにおいてゲート位置を変更し、ウェル
ドラインが成形品の弱点部分に形成されないようにす
る。

【００１１】従って、本発明によれば、成形品の強度が
要求される部分や美観を損なう部分にウェルドラインが
形成されることはなく、完成品の特性の安定化、歩留ま
りの向上を図ることができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る成形金型の実
施の形態について添付図面を参照して説明する。

【００１３】図１は金型１０の概略平面を示し、スプル
ー１１、ランナー１２、複数のキャビティ１４ａ〜１４
ｄを有するものであることは、図５（ａ）に示した従来
の金型１０’と同様である。また、射出成形時における
金型１０の温度分布も図５（ｂ）に示したように従来の
金型１０’と同様である。異なる点は、ゲート１３の配
置であり、この点は以下に詳述する。

【００１４】図２は金型１０によって成形される外ケー
ス７を示す。この外ケース７は図４に示したセラミック
発振器の外ケース７’と同じものであるが、各キャビテ
ィ１４においてゲート１３の位置を調整することによ
り、ウェルドラインの形成位置を不具合が発生しない位
置に改善されている。なお、外ケース７において７ａは
短辺部、７ｂは長辺部、７ｃは開口部、７ｄはリブであ
る。

【００１５】ところで、従来の金型１０’ではゲート１
３を外ケースの中心線Ｃ上に配置するとウェルドライン
Ｗが短辺部に形成されてしまうことは図７に示したとお
りである。本実施形態では、図１中左側のキャビティ１
４ａ，１４ｂに関しては、キャビティ１４ａ，１４ｂの
右側が高温で左側が低温の温度分布にあることを考慮
し、ゲート１３を中心線Ｃよりも高温側にシフトさせて
配置した（図３（ａ）参照）。これにて、ウェルドライ
ンＷが外ケース７の長辺部７ｂに形成されることにな
る。さらに、図１中右側のキャビティ１４ｃ，１４ｄに
関しては、キャビティ１４ｃ，１４ｄの右側が低温で左
側が高温の温度分布にあることを考慮し、ゲート１３を
中心線Ｃよりも高温側にシフトさせて配置した（図３
（ｂ）参照）。これにて、ウェルドラインＷが外ケース
７の長辺部７ｂに形成されることになる。

【００１６】図３（ａ），（ｂ）に示すように、金型１
０内での温度分布を考慮してゲート１３の配置を調整す
ることにより、この種の外ケース７としては応力が集中
する短辺部７ａを避けて長辺部７ｂにウェルドラインＷ
を形成することができる。なお、金型の温度分布やキャ
ビティの設置位置によっては、図３（ｃ）に示すよう
に、ゲート１３を中心線Ｃ上に配置しても短辺部７ａを
避けて長辺部７ｂにウェルドラインＷを形成することも
できる。

【００１７】また、ゲート１３の配置を微妙に調整する
ことでウェルドラインＷの形成位置を微妙に変化させる
ことができる。応力の集中具合によっては、ウェルドラ
インＷを短辺部７ａに形成させても支障ない場合もあり
得る。このような場合であっても、ゲート１３の配置を
改善することによってウェルドラインＷが避けるべき位
置に形成されることを確実に回避できる。

【００１８】また、ゲート１３の配置は中心線Ｃと平行
方向にもシフトしてもよい。また、ゲート１３の配置
は、強度上の問題ばかりではなく、外観を損なう位置に
ウェルドラインＷが形成されないように考慮することも
必要である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である成形金型を示す概略
平面図。

【図２】前記成形金型で成形された外ケースを示し、
（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図。

【図３】前記成形金型におけるゲートの配置とウェルド
ラインの位置を示す斜視図。

【図４】前記外ケースを用いたセラミック発振器を示す
断面図。

【図５】従来の成形金型を示し、（ａ）は概略平面図、
（ｂ）は温度分布を示すグラフ。

【図６】従来の成形金型におけるゲート配置と成形品を
示す斜視図。

【図７】従来の成形金型におけるキャビティ内での溶融
樹脂の流れとウェルドラインの形成位置を示す説明図。

【符号の説明】

７…外ケース １０…成形金型 １３…ゲート １４ａ〜１４ｄ…キャビティ Ｗ…ウェルドライン

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 略箱形状の電子部品用樹脂ケースを射出
   成形するために多数のキャビティを有する成形金型にお
   いて、 成形金型の温度分布に基づいて、各キャビティのゲート
   位置をウェルドラインが所定の箇所に形成されるように
   配置したこと、 を特徴とする電子部品用樹脂ケースの成形金型。