JPH0912540A - ε−カプロラクタムの製法 - Google Patents
ε−カプロラクタムの製法Info
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- JPH0912540A JPH0912540A JP8111763A JP11176396A JPH0912540A JP H0912540 A JPH0912540 A JP H0912540A JP 8111763 A JP8111763 A JP 8111763A JP 11176396 A JP11176396 A JP 11176396A JP H0912540 A JPH0912540 A JP H0912540A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D201/00—Preparation, separation, purification or stabilisation of unsubstituted lactams
- C07D201/02—Preparation of lactams
- C07D201/04—Preparation of lactams from or via oximes by Beckmann rearrangement
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ε−カプロラクタムの製法
【解決手段】 本発明は、その表面上に、対称的に配列
されたＯＨ−基が存在するＭＦＩ−触媒の使用下で、気
相で、シクロヘキサノンからε−カプロラクタムを製造
するための改善された方法に関する。
されたＯＨ−基が存在するＭＦＩ−触媒の使用下で、気
相で、シクロヘキサノンからε−カプロラクタムを製造
するための改善された方法に関する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、その表面上に、対
称的に配列されたＯＨ−基が存在するＭＦＩ−触媒の使
用下で、気相で、シクロヘキサノンオキシムから、ε−
カプロラクタムを製造するための改善された方法に関す
る。
称的に配列されたＯＨ−基が存在するＭＦＩ−触媒の使
用下で、気相で、シクロヘキサノンオキシムから、ε−
カプロラクタムを製造するための改善された方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ε−カプロラクタムは、ナイロン−６−
合成のための出発点として、経済上著しく重要である。
今日、主に使用される典型的な製法においては、シクロ
ヘキサノンオキシムを、発煙硫酸に接して、ベックマン
転位によって、ε−カプロラクタムに変換させる。硫酸
の中和のために必要な、アンモニアの使用が、この方法
の欠点であり、これは、カプロラクタム１ｔ当り、４．
５ｔまでの硫酸アンモニアの生成と結びついている。こ
の不所望な副生成物を回避するために、６０年代の中頃
以来、反応を不均一系触媒を用いて実施する努力がなさ
れている。
合成のための出発点として、経済上著しく重要である。
今日、主に使用される典型的な製法においては、シクロ
ヘキサノンオキシムを、発煙硫酸に接して、ベックマン
転位によって、ε−カプロラクタムに変換させる。硫酸
の中和のために必要な、アンモニアの使用が、この方法
の欠点であり、これは、カプロラクタム１ｔ当り、４．
５ｔまでの硫酸アンモニアの生成と結びついている。こ
の不所望な副生成物を回避するために、６０年代の中頃
以来、反応を不均一系触媒を用いて実施する努力がなさ
れている。
【０００３】ε−カプロラクタムを、シクロヘキサノン
オキシムから、気相で、固体触媒、例えばＭＦＩ−構造
のゼオライトに接して、製造しうることは公知である。
オキシムから、気相で、固体触媒、例えばＭＦＩ−構造
のゼオライトに接して、製造しうることは公知である。
【０００４】Ｘ−及びＹ−ゼオライト及びＨ−型の、又
は希土類金属もしくは遷移金属を添与されたモルデン沸
石は、極めて急速に失活する。これらの触媒で、副生成
物として、５−シアノペント−１−エン、シクロヘキサ
ノン及びシクロヘキサノールが著しく生成される。方法
パラメーターとして、大気圧で４００℃以下の温度が提
示された。更に、非極性溶剤、例えば、シクロヘキサ
ン、ベンゾール又はトルオールが、極性溶剤よりも有利
であるという。
は希土類金属もしくは遷移金属を添与されたモルデン沸
石は、極めて急速に失活する。これらの触媒で、副生成
物として、５−シアノペント−１−エン、シクロヘキサ
ノン及びシクロヘキサノールが著しく生成される。方法
パラメーターとして、大気圧で４００℃以下の温度が提
示された。更に、非極性溶剤、例えば、シクロヘキサ
ン、ベンゾール又はトルオールが、極性溶剤よりも有利
であるという。
【０００５】ＨＹ−ゼオライトの酸性中心を、Ｎａで部
分遮断することは、結果の改善にはならなかった［Ｍ．
Ｂｕｒｑｕｅｔ ｅｔ ａｌ．，Ａｎ．Ｑｕｉｍ．Ｓｅ
ｒ．Ａ８１（１９８５）２５９；Ａ．Ａｕｃｅｊｏ ｅ
ｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｃａｔａｌ．２２（１９８６）
１８７及びＡ．Ｃｏｒｍａ ｅｔ ａｌ．，Ｚｅｏｌｉ
ｔｅｓ １１（１９９１）５９３］。著者は、むしろ、
ベックマン−転位のためには、ｐＫａ≦１．５を有する
強酸性のブレンステッド（Ｂｒｏｅｎｓｔｅｄ）アジド
中心が必要であること、及び選択度を低下させる副生成
物５−シアノペント−１−エンが、酸性中心でも、Ｎａ
+−イオンでも生成されることを確認している。著者
は、更に、ゼオライト触媒の失活は、塩基性の副生成
物、例えば、アニリン及びメチルピリジンによって行な
われ、かつ触媒表面上のコークス（Ｃｏｋｅ）−生成に
よるものではないことを推測しているが、その故は、反
応後も、触媒の色がほとんど白色であるからである。
分遮断することは、結果の改善にはならなかった［Ｍ．
Ｂｕｒｑｕｅｔ ｅｔ ａｌ．，Ａｎ．Ｑｕｉｍ．Ｓｅ
ｒ．Ａ８１（１９８５）２５９；Ａ．Ａｕｃｅｊｏ ｅ
ｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｃａｔａｌ．２２（１９８６）
１８７及びＡ．Ｃｏｒｍａ ｅｔ ａｌ．，Ｚｅｏｌｉ
ｔｅｓ １１（１９９１）５９３］。著者は、むしろ、
ベックマン−転位のためには、ｐＫａ≦１．５を有する
強酸性のブレンステッド（Ｂｒｏｅｎｓｔｅｄ）アジド
中心が必要であること、及び選択度を低下させる副生成
物５−シアノペント−１−エンが、酸性中心でも、Ｎａ
+−イオンでも生成されることを確認している。著者
は、更に、ゼオライト触媒の失活は、塩基性の副生成
物、例えば、アニリン及びメチルピリジンによって行な
われ、かつ触媒表面上のコークス（Ｃｏｋｅ）−生成に
よるものではないことを推測しているが、その故は、反
応後も、触媒の色がほとんど白色であるからである。
【０００６】Ｘ−及びＹ−ゼオライト触媒の急速な老化
の欠点を避けるために、ペンタシル（Ｐｅｎｔａｓｉ
ｌ）−ゼオライト（ＭＦＩ−構造）が広汎に検査され
た。
の欠点を避けるために、ペンタシル（Ｐｅｎｔａｓｉ
ｌ）−ゼオライト（ＭＦＩ−構造）が広汎に検査され
た。
【０００７】欧州特許（ＥＰ）第０４９４５３５号明細
書及び欧州特許（ＥＰ）第０５４４５３０号明細書で
は、同様に、ＭＦＩ−構造のゼオライトが有利であると
見なされている。しかしながらこの場合、５〜５００以
上の高いＳｉ／Ｍ−比が要求される（この際、金属は、
殊に、Ａｌ、Ｂ、Ｇａであってよい）。添加成分もしく
は溶剤として、アルコール及びエーテル並びに水が挙げ
られる。水の最大添加は、オキシム１モル当り、０．０
６〜２．５モルである。
書及び欧州特許（ＥＰ）第０５４４５３０号明細書で
は、同様に、ＭＦＩ−構造のゼオライトが有利であると
見なされている。しかしながらこの場合、５〜５００以
上の高いＳｉ／Ｍ−比が要求される（この際、金属は、
殊に、Ａｌ、Ｂ、Ｇａであってよい）。添加成分もしく
は溶剤として、アルコール及びエーテル並びに水が挙げ
られる。水の最大添加は、オキシム１モル当り、０．０
６〜２．５モルである。
【０００８】触媒の寿命（Ｓｔａｎｄｚｅｉｔ）−改善
のための実験は、外側表面上の酸性度を中和するため
に、硼素−ＭＦＩ−ゼオライトの外側表面を、Ｎａ−イ
オンで遮蔽する方向にも進んだ［欧州特許（ＥＰ）第０
０８６５４３号明細書（７．５．１９８６）Ｓｔａｍｉ
ｃａｒｂｏｎ］。３４０℃で、シクロヘキサノンオキシ
ム、トルオール、二酸化炭素及び水からなる混合物（モ
ル比１：３：７：１）は、この触媒で、シクロヘキサノ
ンオキシムを定量的に変換させる。ε−カプロラクタム
についての選択率は５８％で挙げられる。
のための実験は、外側表面上の酸性度を中和するため
に、硼素−ＭＦＩ−ゼオライトの外側表面を、Ｎａ−イ
オンで遮蔽する方向にも進んだ［欧州特許（ＥＰ）第０
０８６５４３号明細書（７．５．１９８６）Ｓｔａｍｉ
ｃａｒｂｏｎ］。３４０℃で、シクロヘキサノンオキシ
ム、トルオール、二酸化炭素及び水からなる混合物（モ
ル比１：３：７：１）は、この触媒で、シクロヘキサノ
ンオキシムを定量的に変換させる。ε−カプロラクタム
についての選択率は５８％で挙げられる。
【０００９】Ｎａ−イオンで処理された触媒の寿命は、
１５時間であり、かつ未処理の硼素−ＭＦＩ−ゼオライ
トにおけるよりも、３倍よりももっと長い。また、この
触媒でも、副生成物５−シアノペント−１−エンが著し
く生成され、かつ従って、満足する結果を示さない。
１５時間であり、かつ未処理の硼素−ＭＦＩ−ゼオライ
トにおけるよりも、３倍よりももっと長い。また、この
触媒でも、副生成物５−シアノペント−１−エンが著し
く生成され、かつ従って、満足する結果を示さない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、触媒
として、ＭＦＩ−型の変性されたゼオライトを用いて、
気相で、ベックマン−転位により、ε−カプロラクタム
を製造する方法を改善することである。
として、ＭＦＩ−型の変性されたゼオライトを用いて、
気相で、ベックマン−転位により、ε−カプロラクタム
を製造する方法を改善することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、ゼオラ
イト触媒に接して、２５０〜４５０℃の温度範囲で、気
相で、シクロヘキサノンオキシムのベックマン−転位に
より、ε−カプロラクタムを製造するための方法であ
り、これは、中心金属原子、例えばＳｉ、Ａｌ及びＢの
欠如に基づき、表面上に、対称的に相互に配列されてい
るＯＨ−基を有するＭＦＩ−ゼオライトを使用すること
を特徴とする。
イト触媒に接して、２５０〜４５０℃の温度範囲で、気
相で、シクロヘキサノンオキシムのベックマン−転位に
より、ε−カプロラクタムを製造するための方法であ
り、これは、中心金属原子、例えばＳｉ、Ａｌ及びＢの
欠如に基づき、表面上に、対称的に相互に配列されてい
るＯＨ−基を有するＭＦＩ−ゼオライトを使用すること
を特徴とする。
【００１２】ＭＦＩ−構造を有する結晶性の珪酸塩は、
長い間、公知技術水準から公知である。これは、一方で
は、ＳｉＯ4−四面体からのみ構成され得るが、他方で
は、多数において、アルミノシリケート又はアルミニウ
ムの代りに他の金属原子が格子骨格中に組み込まれて存
在する珪酸塩も、それに数えられている。
長い間、公知技術水準から公知である。これは、一方で
は、ＳｉＯ4−四面体からのみ構成され得るが、他方で
は、多数において、アルミノシリケート又はアルミニウ
ムの代りに他の金属原子が格子骨格中に組み込まれて存
在する珪酸塩も、それに数えられている。
【００１３】ＭＦＩ−構造を有するアルミノシリケート
の最初の合成は、米国特許（ＵＳ）−特許第３７０２８
８６号明細書で明らかにされ、この際、そこでは、“Ｚ
ｅｏｌｉｔｅ ＺＳＭ−５”という表示が選択された。
これは、特性表示のために、ペンタシルゼオライトとし
て分類された。使用領域は、触媒、分子篩又は乾燥剤と
しての範囲にある。このゼオライト群の組成は、次のよ
うに記載される：
の最初の合成は、米国特許（ＵＳ）−特許第３７０２８
８６号明細書で明らかにされ、この際、そこでは、“Ｚ
ｅｏｌｉｔｅ ＺＳＭ−５”という表示が選択された。
これは、特性表示のために、ペンタシルゼオライトとし
て分類された。使用領域は、触媒、分子篩又は乾燥剤と
しての範囲にある。このゼオライト群の組成は、次のよ
うに記載される：
【００１４】
【化１】
【００１５】［式中、Ｍは陽イオンであり、ｎは、この
陽イオンの荷電であり、かつｚは０〜４０の数であ
る］。この触媒の製造は、熱水合成で行なわれる。この
ために、通例、珪素給源を、アルミニウム給源と共に、
水及びテンプレートテトラプロピルアンモニウムヒドロ
キシドの存在下で溶解させ、かつオートクレーブ中で、
撹拌又は静止条件下で、結晶させる。
陽イオンの荷電であり、かつｚは０〜４０の数であ
る］。この触媒の製造は、熱水合成で行なわれる。この
ために、通例、珪素給源を、アルミニウム給源と共に、
水及びテンプレートテトラプロピルアンモニウムヒドロ
キシドの存在下で溶解させ、かつオートクレーブ中で、
撹拌又は静止条件下で、結晶させる。
【００１６】好適な合成条件は、アルミニウム又は珪素
の同形置換を作用する。このような骨格置換されたＭＦ
Ｉ−構造を有するゼオライトは、例えば、三−及び二価
の元素、例えば、Ｂ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ａｓ、
Ｓｂ及びＢｉを、アルミニウムの代りに、又は四価の元
素、例えば、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆを、珪素の代りに
含有する。
の同形置換を作用する。このような骨格置換されたＭＦ
Ｉ−構造を有するゼオライトは、例えば、三−及び二価
の元素、例えば、Ｂ、Ｇａ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ａｓ、
Ｓｂ及びＢｉを、アルミニウムの代りに、又は四価の元
素、例えば、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆを、珪素の代りに
含有する。
【００１７】この物質は、触媒特性を、一般に、例えば
陽子又は金属陽イオンによる、ナトリウムイオンの交換
によって得る。
陽子又は金属陽イオンによる、ナトリウムイオンの交換
によって得る。
【００１８】ゼオライト製造の特別な実施態様は、アル
カリ金属不含の合成にある。アルミノシリケートゼオラ
イトは、例えば、アルミニウム化合物、殊にＡｌ（Ｏ
Ｈ）3又はＡｌ2（ＳＯ4）3、及び珪素成分、殊に高分散
性の二酸化珪素から、アミン水溶液、特に１，６−ヘキ
サンジアミン−又は１，３−プロパンジアミン−又はト
リエチレントリアミン水溶液中で、アルカリ金属−又は
アルカリ土類金属添加して及び添加しないで、１００〜
２００℃で、自己圧下で製造され得る。そうして得られ
るアルミノシリケートは、使用物質量の選択に依り、Ｓ
ｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3−比 １０〜４００００を含有する。
このような製造は、例えば、欧州特許（ＥＰ）第０００
７０８１号明細書に記載されている。また、アルミノシ
リケートゼオライトは、エーテル性媒体、例えば、ジエ
チレングリコールジメチルエーテルもしくは１，４−ブ
タンジオール又は水中で製造される。
カリ金属不含の合成にある。アルミノシリケートゼオラ
イトは、例えば、アルミニウム化合物、殊にＡｌ（Ｏ
Ｈ）3又はＡｌ2（ＳＯ4）3、及び珪素成分、殊に高分散
性の二酸化珪素から、アミン水溶液、特に１，６−ヘキ
サンジアミン−又は１，３−プロパンジアミン−又はト
リエチレントリアミン水溶液中で、アルカリ金属−又は
アルカリ土類金属添加して及び添加しないで、１００〜
２００℃で、自己圧下で製造され得る。そうして得られ
るアルミノシリケートは、使用物質量の選択に依り、Ｓ
ｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3−比 １０〜４００００を含有する。
このような製造は、例えば、欧州特許（ＥＰ）第０００
７０８１号明細書に記載されている。また、アルミノシ
リケートゼオライトは、エーテル性媒体、例えば、ジエ
チレングリコールジメチルエーテルもしくは１，４−ブ
タンジオール又は水中で製造される。
【００１９】硼珪酸塩ゼオライトは、例えば、９０〜２
００℃で、自己圧下で、硼素化合物、例えば、Ｈ3ＢＯ3
を、珪素化合物、殊に高分散性の二酸化珪素と、アミン
水溶液、特に、１，６−ヘキサンジアミン−又は１，３
−プロパンジアミン−又はトリエチレンテトラミン−水
溶液中で、アルカリ金属−又はアルカリ土類金属添加し
て及び特に添加せずに反応させることによって、合成さ
れうる。これは、例えば、欧州特許（ＥＰ）第０００７
０８１号明細書に記載されている。この反応では、アミ
ン水溶液の代りに、エーテル性溶液、例えばジエチレン
グリコールジメチルエーテル、又はアルコール性溶液、
例えば１，６−ヘキサンジオールを、溶剤として使用す
ることができる。
００℃で、自己圧下で、硼素化合物、例えば、Ｈ3ＢＯ3
を、珪素化合物、殊に高分散性の二酸化珪素と、アミン
水溶液、特に、１，６−ヘキサンジアミン−又は１，３
−プロパンジアミン−又はトリエチレンテトラミン−水
溶液中で、アルカリ金属−又はアルカリ土類金属添加し
て及び特に添加せずに反応させることによって、合成さ
れうる。これは、例えば、欧州特許（ＥＰ）第０００７
０８１号明細書に記載されている。この反応では、アミ
ン水溶液の代りに、エーテル性溶液、例えばジエチレン
グリコールジメチルエーテル、又はアルコール性溶液、
例えば１，６−ヘキサンジオールを、溶剤として使用す
ることができる。
【００２０】珪酸鉄ゼオライトは、例えば、欧州特許
（ＥＰ）第０００７０８１号明細書に記載されているよ
うに、例えば、鉄化合物、殊にＦｅ2（ＳＯ4）3及び珪
素化合物、殊に、高分散性の二酸化珪素から、アミン水
溶液、特に１，６−ヘキサンジアミン中で、アルカリ金
属−又はアルカリ土類金属添加して及び添加せずに、１
００〜２００℃で、自己圧下で得られる。
（ＥＰ）第０００７０８１号明細書に記載されているよ
うに、例えば、鉄化合物、殊にＦｅ2（ＳＯ4）3及び珪
素化合物、殊に、高分散性の二酸化珪素から、アミン水
溶液、特に１，６−ヘキサンジアミン中で、アルカリ金
属−又はアルカリ土類金属添加して及び添加せずに、１
００〜２００℃で、自己圧下で得られる。
【００２１】特に、ペンタシル型（Ｐｅｎｔａｓｉｌｔ
ｙｐ）のアルミノ−、硼素−及び鉄珪酸塩ゼオライト並
びに西ドイツ国公開公報（ＤＥ−ＯＳ）第３００６４７
１号明細書、欧州特許（ＥＰ）第００３４７２７号明細
書及び欧州特許（ＥＰ）第００４６５０４号明細書に記
載のアイソタクチックゼオライトが有利である。
ｙｐ）のアルミノ−、硼素−及び鉄珪酸塩ゼオライト並
びに西ドイツ国公開公報（ＤＥ−ＯＳ）第３００６４７
１号明細書、欧州特許（ＥＰ）第００３４７２７号明細
書及び欧州特許（ＥＰ）第００４６５０４号明細書に記
載のアイソタクチックゼオライトが有利である。
【００２２】そうして製造された分子篩は、その単離、
１００〜１６０℃、殊に１１０℃での乾燥及び４５０〜
６００℃、殊に５５０℃でのか焼後に、バインダーと、
９０：１０〜４０：６０重量％の割合で、索状物又は錠
剤に成形されうる。バインダーとしては、多様な酸化ア
ルミニウム、有利に、ベーム石、ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3−
比 ２５：７５〜９５：５、有利に７５：２５を有する
非晶質の珪酸アルミニウム、二酸化珪素、有利に高分散
性のＳｉＯ2、高分散性のＳｉＯ2と高分散性のＡｌ2Ｏ3
とからなる混合物、高分散性のＴｉＯ2並びに粘土が好
適である。成形後に、押出物又は圧搾物を、１１０℃／
１６時間で乾燥させ、かつ５５０℃／６時間でか焼す
る。
１００〜１６０℃、殊に１１０℃での乾燥及び４５０〜
６００℃、殊に５５０℃でのか焼後に、バインダーと、
９０：１０〜４０：６０重量％の割合で、索状物又は錠
剤に成形されうる。バインダーとしては、多様な酸化ア
ルミニウム、有利に、ベーム石、ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3−
比 ２５：７５〜９５：５、有利に７５：２５を有する
非晶質の珪酸アルミニウム、二酸化珪素、有利に高分散
性のＳｉＯ2、高分散性のＳｉＯ2と高分散性のＡｌ2Ｏ3
とからなる混合物、高分散性のＴｉＯ2並びに粘土が好
適である。成形後に、押出物又は圧搾物を、１１０℃／
１６時間で乾燥させ、かつ５５０℃／６時間でか焼す
る。
【００２３】そのような触媒は、単離した分子篩を、乾
燥直後に成形し、かつ成形後にはじめてか焼することに
よって、特に有利に製造される。しかし分子篩を純粋形
で、バインダー無しで、索状物又は錠剤として使用する
こともできる。この成形は、押出し−又は分散剤、例え
ば、メチルセルロース、ヘキサエチルセルロース、蓚
酸、硝酸、アンモニア、アミン、シリコエステル、グラ
ファイト又はその混合物の添加下に行なわれる。索状物
に成形されたゼオライトから、粉砕及び篩分けによっ
て、所望の触媒粒度を得ることができる。流動層中での
使用のために、粒度０．１〜０．６ｍｍが好適であり、
固定層では、粒度１〜５ｍｍが使用され、液相バッチ反
応器中では、粉末が有利に使用される。
燥直後に成形し、かつ成形後にはじめてか焼することに
よって、特に有利に製造される。しかし分子篩を純粋形
で、バインダー無しで、索状物又は錠剤として使用する
こともできる。この成形は、押出し−又は分散剤、例え
ば、メチルセルロース、ヘキサエチルセルロース、蓚
酸、硝酸、アンモニア、アミン、シリコエステル、グラ
ファイト又はその混合物の添加下に行なわれる。索状物
に成形されたゼオライトから、粉砕及び篩分けによっ
て、所望の触媒粒度を得ることができる。流動層中での
使用のために、粒度０．１〜０．６ｍｍが好適であり、
固定層では、粒度１〜５ｍｍが使用され、液相バッチ反
応器中では、粉末が有利に使用される。
【００２４】本発明により使用されるＭＦＩ−ゼオライ
トの特別な適性は、自体公知の製法に続く後処理に基づ
いて適応する。これは、ゼオライトの内や外の表面上
に、対称的に配列された、ＯＨ−基の“巣（Ｎｅｓｔｅ
ｒ）”が生ずる作用をする。
トの特別な適性は、自体公知の製法に続く後処理に基づ
いて適応する。これは、ゼオライトの内や外の表面上
に、対称的に配列された、ＯＨ−基の“巣（Ｎｅｓｔｅ
ｒ）”が生ずる作用をする。
【００２５】好適な処理によって、Ｓｉ−又は他の金属
原子、例えば、Ｂ、Ｆｅ、Ｇａは、オキシド性結晶格子
から除去され、この際、この方法で遊離する酸素結合
は、水素イオンによって飽和される。前駆物質として、
硼珪酸塩ゼオライトの使用が有利である。
原子、例えば、Ｂ、Ｆｅ、Ｇａは、オキシド性結晶格子
から除去され、この際、この方法で遊離する酸素結合
は、水素イオンによって飽和される。前駆物質として、
硼珪酸塩ゼオライトの使用が有利である。
【００２６】三結合元素が例えば溶出されるＢである場
合には、次の式に示されるように、同様に対称的に配列
されたシラノール基が生じる：
合には、次の式に示されるように、同様に対称的に配列
されたシラノール基が生じる：
【００２７】
【化２】
【００２８】水素橋形成によって結合された、“巣”の
ＯＨ−基は、例えば、ＦＴ−ＩＲ−検査によって確認さ
れる。
ＯＨ−基は、例えば、ＦＴ−ＩＲ−検査によって確認さ
れる。
【００２９】しかしながら、シラノール巣の形成は、硼
素ゼオライトだけに限らない。
素ゼオライトだけに限らない。
【００３０】ゼオライト結晶の表面上の４個のシラノー
ル基の幾何学的配列並びに弱酸性の特性は、意外にも、
気相で、シクロヘキサノンオキシムから、ε−カプロラ
クタムへの転位に特に有効に作用する。
ル基の幾何学的配列並びに弱酸性の特性は、意外にも、
気相で、シクロヘキサノンオキシムから、ε−カプロラ
クタムへの転位に特に有効に作用する。
【００３１】本発明による方法のために好適な微結晶寸
法は、＜５μｍ、有利に＜２μｍ、特に＜１μｍであ
る。０．０５〜０．５μｍの範囲が極めて有利であるこ
とが明らかである。
法は、＜５μｍ、有利に＜２μｍ、特に＜１μｍであ
る。０．０５〜０．５μｍの範囲が極めて有利であるこ
とが明らかである。
【００３２】高シリケート性ＭＦＩ−ゼオライトが例え
ば、単斜構造を有するシリカライト（Ｓｉｌｉｋａｌｉ
ｔｅ）である場合には、これは、比較的に高い温度での
塩基性処理によって、斜方晶構造に変えられる。この構
造変換は、例えば、レントゲン回折法で確かめることが
できる。
ば、単斜構造を有するシリカライト（Ｓｉｌｉｋａｌｉ
ｔｅ）である場合には、これは、比較的に高い温度での
塩基性処理によって、斜方晶構造に変えられる。この構
造変換は、例えば、レントゲン回折法で確かめることが
できる。
【００３３】そのために、触媒を、例えば、撹拌フラス
コ中で、又はオートクレーブ中で、自己圧下で、２０〜
１５０℃、有利に６０〜１５０℃の温度で、アンモニウ
ム塩（硝酸塩、塩化物）からなる溶液及び／又はアンモ
ニア水溶液と接触させる。引続いて、そうして得られる
触媒を、１１０℃で１２時間乾燥させる。その後に、記
載の活性ヒドロキシル巣を有する斜方結晶構造が得られ
る。
コ中で、又はオートクレーブ中で、自己圧下で、２０〜
１５０℃、有利に６０〜１５０℃の温度で、アンモニウ
ム塩（硝酸塩、塩化物）からなる溶液及び／又はアンモ
ニア水溶液と接触させる。引続いて、そうして得られる
触媒を、１１０℃で１２時間乾燥させる。その後に、記
載の活性ヒドロキシル巣を有する斜方結晶構造が得られ
る。
【００３４】硼素−含有ＭＦＩ−ゼオライトの場合に
は、変性の実際的な可能性は、ゼオライト性物質（成形
された又は非成形の）を、酸、例えば、塩酸、フッ化水
素酸、燐酸及び／又は水蒸気で処理することにある。こ
の際、例えば、粉末状のゼオライトを、０．５〜３ｎ燐
酸で、０．５〜１０時間、４０〜１００℃で処理するよ
うに行なう。処理後に、水で洗浄し、８０〜１００℃
で、０．５〜１０時間乾燥させ、かつ３５０〜６５０℃
で、１〜１０時間か焼する。他の操作法により、ゼオラ
イトを、その成形前又は後に、バインダーで例えば１〜
３時間、６０〜８０℃の温度で、３〜２５重量％の、特
に１２〜２０重量％の塩酸水で処理する。引続き、そう
して処理されたゼオライトを、水で洗浄し、乾燥させ、
かつ４００〜５００℃でか焼する。
は、変性の実際的な可能性は、ゼオライト性物質（成形
された又は非成形の）を、酸、例えば、塩酸、フッ化水
素酸、燐酸及び／又は水蒸気で処理することにある。こ
の際、例えば、粉末状のゼオライトを、０．５〜３ｎ燐
酸で、０．５〜１０時間、４０〜１００℃で処理するよ
うに行なう。処理後に、水で洗浄し、８０〜１００℃
で、０．５〜１０時間乾燥させ、かつ３５０〜６５０℃
で、１〜１０時間か焼する。他の操作法により、ゼオラ
イトを、その成形前又は後に、バインダーで例えば１〜
３時間、６０〜８０℃の温度で、３〜２５重量％の、特
に１２〜２０重量％の塩酸水で処理する。引続き、そう
して処理されたゼオライトを、水で洗浄し、乾燥させ、
かつ４００〜５００℃でか焼する。
【００３５】ＭＦＩ−ゼオライトの有利な変性は、次の
ように記載される。
ように記載される。
【００３６】ゼオライト粉末を水蒸気で処理する場合に
は、３００〜６５０℃、極めて特に有利に４００〜５０
０℃の温度で、０．５〜３時間、有利に１〜２時間にわ
たって、操作すること、及び窒素又は空気及び水蒸気か
らなる混合物を、水蒸気部分圧０．０１〜１バール、有
利に０．０５〜０．８バール、極めて特に有利に０．１
〜０．５バールで使用することが有利である。この処理
に、例えば、ｐＨ−値４〜６、有利に５〜６を有する塩
酸水での酸−処理が続きうる。このように処理されたゼ
オライトを、水で洗浄し、かつ１１０℃／１６時間乾燥
させる。
は、３００〜６５０℃、極めて特に有利に４００〜５０
０℃の温度で、０．５〜３時間、有利に１〜２時間にわ
たって、操作すること、及び窒素又は空気及び水蒸気か
らなる混合物を、水蒸気部分圧０．０１〜１バール、有
利に０．０５〜０．８バール、極めて特に有利に０．１
〜０．５バールで使用することが有利である。この処理
に、例えば、ｐＨ−値４〜６、有利に５〜６を有する塩
酸水での酸−処理が続きうる。このように処理されたゼ
オライトを、水で洗浄し、かつ１１０℃／１６時間乾燥
させる。
【００３７】もう１つの有利な実施は、特に、硼素及び
Ｆｅ−ゼオライトから出発する場合に、酸素下、４５０
〜６００℃、有利に５００〜５５０℃でのゼオライトの
か焼である。この際、格子骨格からの脱金属化もしくは
元素の駆逐が起こる。それは、細孔中に酸化物形での非
晶質成分として残留する。
Ｆｅ−ゼオライトから出発する場合に、酸素下、４５０
〜６００℃、有利に５００〜５５０℃でのゼオライトの
か焼である。この際、格子骨格からの脱金属化もしくは
元素の駆逐が起こる。それは、細孔中に酸化物形での非
晶質成分として残留する。
【００３８】１００〜１５０℃、殊に１１０〜１２０℃
での乾燥及び４５０〜６００℃、殊に５００〜５５０℃
でのか焼後に、ゼオライトを錠剤にするか又はバインダ
ーと共に、比９０：１０〜４０：６０重量％で押出しす
ることができる。バインダーとしては、種々の酸化アル
ミニウム、有利に、ベーム石、ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3−比
２５：７５〜９５：５、有利に７５：２５を有する非晶
質のアルミノシリケート、二酸化珪素、有利に高分散性
のＳｉＯ2、高分散性のＳｉＯ2及び高分散性のＡｌ2Ｏ3
からなる混合物並びに粘土が好適である。成形後に、押
出物又は圧搾物を１１０℃／１６時間で乾燥させ、かつ
５５０℃／１６時間でか焼する。
での乾燥及び４５０〜６００℃、殊に５００〜５５０℃
でのか焼後に、ゼオライトを錠剤にするか又はバインダ
ーと共に、比９０：１０〜４０：６０重量％で押出しす
ることができる。バインダーとしては、種々の酸化アル
ミニウム、有利に、ベーム石、ＳｉＯ2／Ａｌ2Ｏ3−比
２５：７５〜９５：５、有利に７５：２５を有する非晶
質のアルミノシリケート、二酸化珪素、有利に高分散性
のＳｉＯ2、高分散性のＳｉＯ2及び高分散性のＡｌ2Ｏ3
からなる混合物並びに粘土が好適である。成形後に、押
出物又は圧搾物を１１０℃／１６時間で乾燥させ、かつ
５５０℃／１６時間でか焼する。
【００３９】しかし、ゼオライトを成形後にはじめてか
焼することも可能である。
焼することも可能である。
【００４０】ゼオライトをバインダー無しで索状物又は
錠剤として使用する場合には、分散剤を、成形安定のた
めに使用することができる。そのために、例えば、エチ
ルセルロース、ステアリン酸、馬鈴薯澱粉、蟻酸、蓚
酸、酢酸、硝酸、アンモニア、アミン、シリコエステル
及びグラファイト又はその混合物が好適である。
錠剤として使用する場合には、分散剤を、成形安定のた
めに使用することができる。そのために、例えば、エチ
ルセルロース、ステアリン酸、馬鈴薯澱粉、蟻酸、蓚
酸、酢酸、硝酸、アンモニア、アミン、シリコエステル
及びグラファイト又はその混合物が好適である。
【００４１】操作圧は、０．０１〜１バール、有利に
０．０５〜０．５バール、特に有利に０．０８〜０．２
５バールである。狭い温度範囲、約３００℃及び特に３
００℃以下が、０．０８〜０．２５バールの圧力で、特
に有利である。
０．０５〜０．５バール、特に有利に０．０８〜０．２
５バールである。狭い温度範囲、約３００℃及び特に３
００℃以下が、０．０８〜０．２５バールの圧力で、特
に有利である。
【００４２】単位時間当りの空間速度重量（Ｗｅｉｇｈ
ｔ Ｈｏｕｒｌｙ Ｓｐａｃｅ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）に
よって表現されるシクロヘキサノンオキシムでの触媒の
負荷（触媒１ｋｇ当りのオキシムｋｇ／時）は、ＷＨＳ
Ｖ＝０．１〜１０ｈ-1、有利に０．２〜５ｈ-1である。
水は、有利に、＞２．５モル：１（オキシム）の割合で
使用される。反応は、固定層中でも、流動層中でも、実
施されうる。
ｔ Ｈｏｕｒｌｙ Ｓｐａｃｅ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）に
よって表現されるシクロヘキサノンオキシムでの触媒の
負荷（触媒１ｋｇ当りのオキシムｋｇ／時）は、ＷＨＳ
Ｖ＝０．１〜１０ｈ-1、有利に０．２〜５ｈ-1である。
水は、有利に、＞２．５モル：１（オキシム）の割合で
使用される。反応は、固定層中でも、流動層中でも、実
施されうる。
【００４３】固定層法では、通例、装入物質を、それが
蒸発器を経て反応帯域に導入される前に、混合する。触
媒として、この場合、錠剤化された、又は押出された成
形体を使用し、その平均粒度は、０．５〜５ｍｍであっ
てよい。
蒸発器を経て反応帯域に導入される前に、混合する。触
媒として、この場合、錠剤化された、又は押出された成
形体を使用し、その平均粒度は、０．５〜５ｍｍであっ
てよい。
【００４４】流動層法では、個々の成分を混合して、又
は別々に、予備蒸発器を経て又は直接流動層に導入して
よい。この際、平均直径８０〜２５０μｍを有する押出
形の流動物が、特に有利であることが明らかである。
は別々に、予備蒸発器を経て又は直接流動層に導入して
よい。この際、平均直径８０〜２５０μｍを有する押出
形の流動物が、特に有利であることが明らかである。
【００４５】一定の実験時間後の変換率が、特定値を下
回る場合には、触媒の活性を、新たなか焼によって取り
戻すことができる。再生温度は３５０〜６５０℃、有利
に４００〜５５０℃、極めて特に有利に４５０〜５００
℃である。再生時間は、触媒の残留活性に依り、１６時
間〜９６時間である。このために、純酸素、空気又は意
外にも、純窒素も使用することができる。窒素を再生ガ
スとして使用する場合には、処理時間は、空気の使用の
場合よりも長い。
回る場合には、触媒の活性を、新たなか焼によって取り
戻すことができる。再生温度は３５０〜６５０℃、有利
に４００〜５５０℃、極めて特に有利に４５０〜５００
℃である。再生時間は、触媒の残留活性に依り、１６時
間〜９６時間である。このために、純酸素、空気又は意
外にも、純窒素も使用することができる。窒素を再生ガ
スとして使用する場合には、処理時間は、空気の使用の
場合よりも長い。
【００４６】次の例につき、本発明による方法を説明す
る。
る。
【００４７】
触媒の記載： 触媒Ａ 成分： ［ｇ］ ＳｉＯ2（Ａｅｒｏｓｉｌ ２００） ６４．０ Ｂ（ＯＨ）3 １２．２ ヘキサメチレンジアミン ８００．０ （水中５０％の溶液） ヘキサメチレンジアミン溶液を、ＰＥ−ビーカー中に前
もって装入する。これに、撹拌下に、硼酸を加え、かつ
これが完全に溶けるまで撹拌する。この溶液を、撹拌オ
ートクレーブ中に充填し、かつＳｉＯ2を１０分間かか
って撹拌下で添加する。閉鎖オートクレーブ中で、１４
日間、１７０℃で、撹拌機速度５０Ｕ／分で合成する。
成分の冷却後に、これを、オートクレーブから取り出
す。上澄溶液を慎重に傾瀉除去し、かつ残った固体を濾
過器上に置き、かつ脱イオン水で充分に後洗浄する。生
成物を１２時間にわたり１１０℃で乾燥させ、かつ引続
いて、１２時間、５５０℃で空気下でか焼する。
もって装入する。これに、撹拌下に、硼酸を加え、かつ
これが完全に溶けるまで撹拌する。この溶液を、撹拌オ
ートクレーブ中に充填し、かつＳｉＯ2を１０分間かか
って撹拌下で添加する。閉鎖オートクレーブ中で、１４
日間、１７０℃で、撹拌機速度５０Ｕ／分で合成する。
成分の冷却後に、これを、オートクレーブから取り出
す。上澄溶液を慎重に傾瀉除去し、かつ残った固体を濾
過器上に置き、かつ脱イオン水で充分に後洗浄する。生
成物を１２時間にわたり１１０℃で乾燥させ、かつ引続
いて、１２時間、５５０℃で空気下でか焼する。
【００４８】成形：触媒粉末１００ｇを、成形助剤及び
水１００ｇと緊密に混和させる。混合物を、８０バール
の圧力で、直径２ｍｍの索状物に押出す。索状物を１２
時間にわたり１１０℃で乾燥させ、かつ５５０℃で１２
時間にわたりか焼する。所望のメッシュ巾の篩上での粉
砕及び微細成分の篩分けによって、触媒粒子を適正な粒
度にする。
水１００ｇと緊密に混和させる。混合物を、８０バール
の圧力で、直径２ｍｍの索状物に押出す。索状物を１２
時間にわたり１１０℃で乾燥させ、かつ５５０℃で１２
時間にわたりか焼する。所望のメッシュ巾の篩上での粉
砕及び微細成分の篩分けによって、触媒粒子を適正な粒
度にする。
【００４９】 触媒Ｂ 成分： ［ｇ］ 珪酸ゾル（ＬＵＤＯＸ） ７９．６ 硼酸トリメチルエステル ３．９ テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド ２２．２ 脱イオン水 ８９．０ アンモニア溶液（２５重量％） ７２．０ 珪酸ゾル、ＴＰＡＯＨ、脱イオン水及び硼素給源を、撹
拌オートクレーブ中に、前もって装入する。この懸濁液
に、アンモニア溶液を添加する。閉鎖オートクレーブ中
で、７日間、１８５℃で、撹拌機速度１００Ｕ／分で合
成する。成分の冷却後に、これをオートクレーブから取
り出す。上澄溶液を慎重に傾瀉除去し、残った固体を濾
過器上に置きかつ脱イオン水で充分に後洗浄する。生成
物を１２時間にわたり１１０℃で乾燥させ、かつ引続い
て１２時間５５０℃で空気下でか焼する。
拌オートクレーブ中に、前もって装入する。この懸濁液
に、アンモニア溶液を添加する。閉鎖オートクレーブ中
で、７日間、１８５℃で、撹拌機速度１００Ｕ／分で合
成する。成分の冷却後に、これをオートクレーブから取
り出す。上澄溶液を慎重に傾瀉除去し、残った固体を濾
過器上に置きかつ脱イオン水で充分に後洗浄する。生成
物を１２時間にわたり１１０℃で乾燥させ、かつ引続い
て１２時間５５０℃で空気下でか焼する。
【００５０】成形：成形を、触媒Ａの場合と同様に行
う。
う。
【００５１】 触媒Ｃ 成分： ［ｇ］ ＳｉＯ2（Ａｅｒｏｓｉｌ） ８．０ Ｂ（ＯＨ）3 ３．３９ テトラプロピルアンモニウムブロミド ８．６１ 弗化アンモニウム ２．４７ 脱イオン水 １６８．０ 脱イオン水を、２００ｍｌ入りＰＴＦＥ−ビーカーに前
もって装入する。硼酸を、撹拌下で、水中に溶かす。引
続いて、先ず弗化アンモニウム、次いでＴＰＡＢｒを添
加する。最後に、ＳｉＯ2を入れて撹拌する。閉鎖オー
トクレーブ中で、８時間、１８６℃で合成する。冷却後
に、上澄溶液を慎重に傾瀉除去し、残った固体を濾過器
上にのせ、かつ脱イオン水で充分に後洗浄する。生成物
を１２時間にわたり１１０℃で乾燥させ、かつ引続いて
１２時間５５０℃で空気下でか焼する。
もって装入する。硼酸を、撹拌下で、水中に溶かす。引
続いて、先ず弗化アンモニウム、次いでＴＰＡＢｒを添
加する。最後に、ＳｉＯ2を入れて撹拌する。閉鎖オー
トクレーブ中で、８時間、１８６℃で合成する。冷却後
に、上澄溶液を慎重に傾瀉除去し、残った固体を濾過器
上にのせ、かつ脱イオン水で充分に後洗浄する。生成物
を１２時間にわたり１１０℃で乾燥させ、かつ引続いて
１２時間５５０℃で空気下でか焼する。
【００５２】成形：成形を、触媒Ａの場合と同様に行
う。
う。
【００５３】触媒Ｄ 市場で得られる、Ｓｉ／Ａｌ＝５４を有するＨＺＳＭ−
５；Ｕｅｔｉｋｏｎ社のＺＥＯＣＡＴ ＰＺ−２／５４
Ｈ 触媒Ｅ 市場で得られる、Ｄｅｇｕｓｓａ社の触媒；Ａｅｒｏｓ
ｉｌ ２００ 特性表示：ＳｉＯ2 触媒Ｆ 成分： ［ｇ］ テトラエチルオルトシリケート ５００ エタノール １０７０ テトラ−ｎ−プロピルアンモニウムヒドロキシド １１２０ （水中１０％の溶液） テトラエチルオルトシリケート、テトラ−ｎ−プロピル
アンモニウムヒドロキシド及びエタノールを、５ｌ入り
鋼製オートクレーブ中で、１２０分間、強力に混合す
る。引続いて、蓋を閉め、かつ溶液を１０５℃で強力撹
拌下で結晶させる。９６時間後に、合成を中止し、触媒
を洗浄し、１１０℃／１６時間で乾燥させ、かつ５５０
℃／１２時間でか焼する。シリカライト（Ｓｉｌｉｋａ
ｌｉｔ）が得られた。
５；Ｕｅｔｉｋｏｎ社のＺＥＯＣＡＴ ＰＺ−２／５４
Ｈ 触媒Ｅ 市場で得られる、Ｄｅｇｕｓｓａ社の触媒；Ａｅｒｏｓ
ｉｌ ２００ 特性表示：ＳｉＯ2 触媒Ｆ 成分： ［ｇ］ テトラエチルオルトシリケート ５００ エタノール １０７０ テトラ−ｎ−プロピルアンモニウムヒドロキシド １１２０ （水中１０％の溶液） テトラエチルオルトシリケート、テトラ−ｎ−プロピル
アンモニウムヒドロキシド及びエタノールを、５ｌ入り
鋼製オートクレーブ中で、１２０分間、強力に混合す
る。引続いて、蓋を閉め、かつ溶液を１０５℃で強力撹
拌下で結晶させる。９６時間後に、合成を中止し、触媒
を洗浄し、１１０℃／１６時間で乾燥させ、かつ５５０
℃／１２時間でか焼する。シリカライト（Ｓｉｌｉｋａ
ｌｉｔ）が得られた。
【００５４】成形：成形を触媒Ａの場合と同様に行な
う。
う。
【００５５】触媒Ｇ 未成形の触媒Ｆ５ｇを、硝酸アンモニウム水溶液（７．
５％の）５ｇ及びアンモニア水（２８％の）１０ｇから
なる混合物と、１００ｍｌ入り一頸フラスコ中で、室温
で１時間撹拌混合した。触媒を濾過し、かつその処理を
更に３回行なった。引続いて、粉末を洗浄しかつ乾燥さ
せた。錠剤に圧搾し、かつ粒度１〜１．６ｍｍの粒子に
粉砕した。
５％の）５ｇ及びアンモニア水（２８％の）１０ｇから
なる混合物と、１００ｍｌ入り一頸フラスコ中で、室温
で１時間撹拌混合した。触媒を濾過し、かつその処理を
更に３回行なった。引続いて、粉末を洗浄しかつ乾燥さ
せた。錠剤に圧搾し、かつ粒度１〜１．６ｍｍの粒子に
粉砕した。
【００５６】触媒Ｈ 触媒Ｇと同様の製造。しかしながら、処理を、オートク
レーブ中で、９０℃で、自己圧下で実施する。
レーブ中で、９０℃で、自己圧下で実施する。
【００５７】触媒Ｉ 直径４ｃｍの陶製管中で、粉末状の触媒Ｂ５ｇ上に、４
００℃で、窒素−水蒸気混合物を２時間通す。水の質量
割合は５０％である。水蒸気処理後に、触媒を、１００
ｍｌ入り一頸フラスコ中で、ＨＣｌ−水溶液（ｐＨ６）
中で、室温で２４時間撹拌する。引続いて、乾燥を行な
う。乾燥させた粉末を、錠剤に圧搾し、かつ粒度１〜
１．６ｍｍの粒子に粉砕する。
００℃で、窒素−水蒸気混合物を２時間通す。水の質量
割合は５０％である。水蒸気処理後に、触媒を、１００
ｍｌ入り一頸フラスコ中で、ＨＣｌ−水溶液（ｐＨ６）
中で、室温で２４時間撹拌する。引続いて、乾燥を行な
う。乾燥させた粉末を、錠剤に圧搾し、かつ粒度１〜
１．６ｍｍの粒子に粉砕する。
【００５８】触媒Ｊ この触媒の製造及び成形を、触媒Ｉの場合と同様に行な
う。しかしながら、水蒸気処理を５５０℃で自己圧で実
施する。
う。しかしながら、水蒸気処理を５５０℃で自己圧で実
施する。
【００５９】水蒸気処理後に、触媒を１００ｍｌ入り一
頸フラスコ中で、ＨＣｌ−水溶液（ｐＨ６）中で、室温
で２４時間撹拌する。引続いて、乾燥及び成形を、触媒
Ｉの場合と同様に行なう。
頸フラスコ中で、ＨＣｌ−水溶液（ｐＨ６）中で、室温
で２４時間撹拌する。引続いて、乾燥及び成形を、触媒
Ｉの場合と同様に行なう。
【００６０】固定層反応器を有する実験装置の記載 固定層での触媒実験を、６ｍｍの内径を有する管状反応
器中で実施した。反応帯域は、反応全体にわたって、均
一の温度を与える炉中にあった。反応帯域の末端で、金
網が触媒粒子の排出を防いだ。シクロヘキサノンオキシ
ムを、溶剤及び場合による添加成分と、受容器中で混合
し、かつ小配量ポンプで、予備蒸発器中に導入した。こ
こで、混合物を、担体ガスと混合し、かつガス状で反応
器に導入した。反応生成物を、液体窒素で冷却された冷
却トラップ（Ｋｕｅｈｌｆａｌｌｅ）中に受け集め、融
解させ、かつガスクロマトグラフィー分析にかけた。質
量バランスは、９９％以上であった。
器中で実施した。反応帯域は、反応全体にわたって、均
一の温度を与える炉中にあった。反応帯域の末端で、金
網が触媒粒子の排出を防いだ。シクロヘキサノンオキシ
ムを、溶剤及び場合による添加成分と、受容器中で混合
し、かつ小配量ポンプで、予備蒸発器中に導入した。こ
こで、混合物を、担体ガスと混合し、かつガス状で反応
器に導入した。反応生成物を、液体窒素で冷却された冷
却トラップ（Ｋｕｅｈｌｆａｌｌｅ）中に受け集め、融
解させ、かつガスクロマトグラフィー分析にかけた。質
量バランスは、９９％以上であった。
【００６１】第１表：温度及び圧力低下の影響
【００６２】
【表１】
【００６３】装入物質混合物トルオール／シクロヘキサ
ノンオキシム９：１ 質量割合 窒素流 ５ｌ／時 ・比較例 １） ２時間後の変換率、８時間後の変換率下落 ＜１
％ ２） ２時間後の変換率、８時間後の変換率下落 約２
６％ ３） ２時間後の変換率、８時間後の変換率下落 ２２
％に ４） ２時間後の変換率、８時間後の変換率下落 ９２
％に例８ 第１図は、３００℃及び３５０℃における圧力低下の影
響を示している。
ノンオキシム９：１ 質量割合 窒素流 ５ｌ／時 ・比較例 １） ２時間後の変換率、８時間後の変換率下落 ＜１
％ ２） ２時間後の変換率、８時間後の変換率下落 約２
６％ ３） ２時間後の変換率、８時間後の変換率下落 ２２
％に ４） ２時間後の変換率、８時間後の変換率下落 ９２
％に例８ 第１図は、３００℃及び３５０℃における圧力低下の影
響を示している。
【００６４】例９ 第２図は、０．１及び１バールにおける温度の影響を示
している。
している。
【００６５】圧力及び温度の選択度への影響の定性的曲
線経過を示している。
線経過を示している。
【００６６】例１０〜１２ 第２表：持続時間及び圧力の、反応への影響
【００６７】
【表２】
【００６８】例１３〜１７ 第３表：３００℃及び減圧での、様々な溶剤の反応への
影響
影響
【００６９】
【表３】
【００７０】例１８ 第３図は２０時間にわたる、変換率及び選択度の経過を
示している。
示している。
【００７１】例１９〜２４ 第４表：エタノールの存在での水添加及び減圧の影響
【００７２】
【表４】
【００７３】第５表：メタノールの存在での水添加及び
減圧の影響
減圧の影響
【００７４】
【表５】
【００７５】例２５ 第４図は触媒の寿命への水の影響を示している。
【００７６】例２６〜２８ 第６表：微結晶粒度の影響
【００７７】
【表６】
【００７８】例２９ この例は、酸素での再生を示す。
【００７９】第７表：数回の再生サイクル後の変換率及
び選択率
び選択率
【００８０】
【表７】
【００８１】例３０ この例は、窒素での再生を示す。
【００８２】第８表：数回の再生サイクル後の変換率及
び選択率
び選択率
【００８３】
【表８】
【００８４】例３１＊及び３２＊ 第９表：高シリカライト性触媒の変換率及び選択率
【００８５】
【表９】
【００８６】比較例例３３及び３４ 触媒Ｆを次のように処理した：そのために、触媒粒子
を、アンモニア水及び硝酸アンモニウムからなる溶液中
で、３回、１時間撹拌し、洗浄し、かつ１１０℃で乾燥
させた。この処理法を、一方で、一頸フラスコ中で、室
温で（例３３）及び他方で、オートクレーブ中で、９０
℃で、自己圧下で（例３４）実施した。処理触媒で達成
された実験結果を、第１０表に示す。
を、アンモニア水及び硝酸アンモニウムからなる溶液中
で、３回、１時間撹拌し、洗浄し、かつ１１０℃で乾燥
させた。この処理法を、一方で、一頸フラスコ中で、室
温で（例３３）及び他方で、オートクレーブ中で、９０
℃で、自己圧下で（例３４）実施した。処理触媒で達成
された実験結果を、第１０表に示す。
【００８７】第１０表：変性された高シリカライト性Ｍ
ＦＩ−ゼオライト（シリカライト）の変換率及び選択率
ＦＩ−ゼオライト（シリカライト）の変換率及び選択率
【００８８】
【表１０】
【００８９】触媒Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈの、ＦＴ−ＩＲでの特
性表示：
性表示：
【００９０】
【化３】
【００９１】ＦＴ−ＩＲにおける個々のシラノール基の
周波数： 末端 →ｎ＝３７４５±５ｃｍ-1 ジェム →ｎ＝３７２５ｃｍ-1 隣接架橋 →ｎ＝３７２５及び３５００ｃｍ-1 シラノール巣 →ｎ＝３５００ｃｍ-1 図５〜図８は触媒Ｅ〜ＨのＦＴ−ＩＲでの吸光度を示し
ている。
周波数： 末端 →ｎ＝３７４５±５ｃｍ-1 ジェム →ｎ＝３７２５ｃｍ-1 隣接架橋 →ｎ＝３７２５及び３５００ｃｍ-1 シラノール巣 →ｎ＝３５００ｃｍ-1 図５〜図８は触媒Ｅ〜ＨのＦＴ−ＩＲでの吸光度を示し
ている。
【００９２】例３５〜３７ これらの例は、水蒸気及び酸処理の、触媒活性及び選択
率への影響を示している。
率への影響を示している。
【００９３】第１１表：水蒸気（２時間）及びＨＣｌ−
水溶液（ｐＨ４；２４時間）での触媒処理
水溶液（ｐＨ４；２４時間）での触媒処理
【００９４】
【表１１】
【００９５】流動層反応器を有する実験装置の記載：流
動層方法では、内径５１ｍｍ及び６００ｍｍの流動帯域
を有する流動反応器を使用することができた。触媒を３
０μｍ以下の孔巾を有するガラスフリット上に置いた。
シクロヘキサノンオキシムを、溶剤及び場合による添加
成分と、受容器中で混合し、かつ小配量ポンプで予備蒸
発器に導入させた。ここで、混合物をキャリアガスと混
合し、かつガス状で反応器に導入させた。しかし混合物
を直接流動帯域に注入することもできた。反応生成物
を、水冷却器を介して導き、かつ引続き、未凝縮成分
を、液体窒素で冷却した冷却トラップ中に収容した。分
析目的のために、部分ガス流を流動反応器の放出帯域か
ら直接排出させ、かつガスクロマトグラフィーで検査し
た。
動層方法では、内径５１ｍｍ及び６００ｍｍの流動帯域
を有する流動反応器を使用することができた。触媒を３
０μｍ以下の孔巾を有するガラスフリット上に置いた。
シクロヘキサノンオキシムを、溶剤及び場合による添加
成分と、受容器中で混合し、かつ小配量ポンプで予備蒸
発器に導入させた。ここで、混合物をキャリアガスと混
合し、かつガス状で反応器に導入させた。しかし混合物
を直接流動帯域に注入することもできた。反応生成物
を、水冷却器を介して導き、かつ引続き、未凝縮成分
を、液体窒素で冷却した冷却トラップ中に収容した。分
析目的のために、部分ガス流を流動反応器の放出帯域か
ら直接排出させ、かつガスクロマトグラフィーで検査し
た。
【００９６】例３８及び３９ 第９図：ε−カプロラクタムに対する選択率へのエダク
ト供給の影響 変換率は、双方の例において、１００重量％である。
ト供給の影響 変換率は、双方の例において、１００重量％である。
【００９７】例４０〜４２ 第１０図：シクロヘキサノンオキシムの変換率への温度
の影響 第１１図：ε−カプロラクタムに対する選択率への温度
の影響例４３〜４５ 第１２表：エダクトに水を添加した際の変換率及び選択
率
の影響 第１１図：ε−カプロラクタムに対する選択率への温度
の影響例４３〜４５ 第１２表：エダクトに水を添加した際の変換率及び選択
率
【００９８】
【表１２】
【図１】３００℃及び３５０℃における圧力低下の影響
を示す曲線図。
を示す曲線図。
【図２】０．１及び１バールにおける温度の影響を示す
曲線図。
曲線図。
【図３】２０時間にわたる変換率及び選択度の経過を示
す線図。
す線図。
【図４】触媒の寿命への水の影響を示す曲線図。
【図５】触媒ＥにおけるＦＴ−ＩＲでの吸光度を示す曲
線図。
線図。
【図６】触媒ＦにおけるＦＴ−ＩＲでの吸光度を示す曲
線図。
線図。
【図７】触媒ＧにおけるＦＴ−ＩＲでの吸光度を示す曲
線図。
線図。
【図８】触媒ＨにおけるＦＴ−ＩＲでの吸光度を示す曲
線図。
線図。
【図９】ε−カプロラクタムに対する選択率へのエダク
ト供給の影響を示す線図。
ト供給の影響を示す線図。
【図１０】シクロヘキサノンオキシムの変換率への温度
の影響を示す線図。
の影響を示す線図。
【図１１】ε−カプロラクタムに対する選択率への温度
の影響を示す線図。
の影響を示す線図。
フロントページの続き (72)発明者 ディートリッヒ アルンツ ドイツ連邦共和国 オーバーウルゼル ロ ルスバッハシュトラーセ 32
Claims (15)
- 【請求項１】 ゼオライト−触媒に接して、２５０〜４
５０℃の温度範囲で、気相で、シクロヘキサノンオキシ
ムのベックマン（Ｂｅｃｋｍａｎｎ）−転移により、ε
−カプロラクタムを製造する場合に、表面に、中心金属
原子の欠如に基づく、対称的に相互に配列されているＯ
Ｈ−基を有するＭＦＩ−ゼオライトを使用することを特
徴とする、ε−カプロラクタムの製法。 - 【請求項２】 中心金属原子は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｆ
ｅ、Ｇａ、Ｃｒ、Ｂｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ
又はＨｆの群から由来する、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 ＭＦＩ−構造を有する、珪素四面体から
のみ構成された正斜方ゼオライトを使用する、請求項１
に記載の方法。 - 【請求項４】 前駆物質として、Ｂ−原子で置換された
ＭＦＩ−ゼオライトを使用する、請求項１に記載の方
法。 - 【請求項５】 Ｓｉ：Ｂの比は、５〜４０：１である、
請求項４に記載の方法。 - 【請求項６】 硼素−ＭＦＩ−ゼオライトは、ジアミン
及びトリアミンを用いて、アルカリ金属無しで合成され
た、請求項４又は５に記載の方法。 - 【請求項７】 ＭＦＩ−ゼオライト結晶の一次粒径は、
５μｍよりも小さい、請求項１から６までの、いずれか
１項に記載の方法。 - 【請求項８】 シクロヘキサノンオキシム１モル当り、
水を２．５モルよりも多く使用する、請求項１から７ま
でのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項９】 反応を、０．０１〜１バールの範囲の圧
力で、かつ２８０〜３１０℃の温度で実施する、請求項
1から８までのいずれか1項に記載の方法。 - 【請求項１０】 流動層法を使用して、エダクトを直
接、流動帯域に供給する、請求項１から９までのいずれ
か１項に記載の方法。 - 【請求項１１】 請求項１から３までのいずれか１項に
記載の方法で使用するための、ゼオライト触媒を製造す
るために、単斜構造を有する高シリケート性のＭＦＩ−
ゼオライト（シリカライト）を、２０〜１５０℃で、自
己圧下で、アンモニア塩の溶液及び／又はアンモニア水
溶液と接触させ、反応後に、正斜方生成物を分離し、か
つ乾燥させることを特徴とする、ゼオライト触媒の製
法。 - 【請求項１２】 請求項１、４又は５に記載の方法で使
用するための、ゼオライト触媒の製造のために、硼素−
含有ＭＦＩ−ゼオライトを、３００〜６５０℃の温度
で、水蒸気で処理し、かつ場合により、ｐＨ−値４〜６
での酸処理を引続いて行なうことを特徴とする、ゼオラ
イト触媒の製法。 - 【請求項１３】 請求項１、４又は５に記載の方法で使
用するためのゼオライト触媒を製造するために、硼素−
含有ＭＦＩ−ゼオライトを、６０〜８０℃の温度で、３
〜２５重量％の水性酸で処理し、引続いて洗浄し、かつ
４００〜５００℃で乾燥させることを特徴とする、ゼオ
ライト触媒の製法。 - 【請求項１４】 ＭＦＩ−型のＢ−含有ゼオライトを、
５００〜７００℃で、酸素下にか焼する、請求項１から
５までのいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１５】 請求項１１から１４までのいずれか１
項に記載のゼオライト触媒の再生のために、触媒の再生
を、純窒素を用いて、４００〜６５０℃の温度範囲で実
施する、ゼオライト触媒の再生法。
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| DE19608660.4 | 1996-03-06 | ||
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| US6592729B2 (en) | 2000-08-18 | 2003-07-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | In-line sputtering apparatus |
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