JPS6354358A - ε−カプロラクタムの製法 - Google Patents

ε−カプロラクタムの製法

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JPS6354358A
JPS6354358A JP62003747A JP374787A JPS6354358A JP S6354358 A JPS6354358 A JP S6354358A JP 62003747 A JP62003747 A JP 62003747A JP 374787 A JP374787 A JP 374787A JP S6354358 A JPS6354358 A JP S6354358A
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crystalline
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silicate
caprolactam
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洋 佐藤
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馬田 洋一
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戸島 秀人
Masaru Kitamura
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    • C07ORGANIC CHEMISTRY
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    • C07D201/02Preparation of lactams
    • C07D201/04Preparation of lactams from or via oximes by Beckmann rearrangement
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J29/00Catalysts comprising molecular sieves
    • B01J29/04Catalysts comprising molecular sieves having base-exchange properties, e.g. crystalline zeolites
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明はe−カプロラクタムの製法に関し、詳しくはシ
クロヘキサノンオキシムからl−カプロラクタムを製造
するに当り、特定の結晶性メタロシリケート触媒を用い
ることを特徴とするC−カプロラクタムの製法に関する
ものである。
く従来の技術〉 e−カプロラクタムはナイロン等の原料として用いられ
ている重要な基幹化学原料であり、その製造方法として
は従来より、触媒として硫酸を用い、肢相下にシクロヘ
キサノンオキシムを転位させる方法が採用されている。
また触媒として固体−を用い、気相下に転位させる方法
ら棟々促楽されている。例えばホウ酸系触媒(特開昭5
8−87686号、同46−12125号公@)、シリ
カ・アルミナ系触媒(英国特許第881.927号)、
rj!Uf+リン酸触媒(英国特許!881.926号
)、複合金鵬化物触媒(日本化学会誌(1977)ム1
.77)、Y型ゼオライト触媒(Journal of
 Catalysis 5247(1966))、結晶
性アルミノシリケート触媒(特開昭57−189062
号公報)等を用いる方法が知られている。
〈発明が解決しようとする問題点〉 前記の硫酸を用いる方法では多産の発煙硫酸を必要とす
るのみならず硫安を大量仄副生するという問題、更には
発煙硫酸による装置の腐食等の問題がある。
一層、このような問題点を解決する方法としてs Fl
!!記のようjx ri!1々の固体酸を用いる方法が
提案されているが、いずれの方法も目幻物であるt−カ
プロラクタムの反応選択率、触媒寿命あるいは触媒当り
の生産性などの点で問題を残している。
例えば前記特開昭57−139062号公報には触媒と
して40〜60のSi/Al原子比を有するZMS−5
等の結晶性アルミノシリケートを用いる具体例が示さn
てはいるが、C−カプロラクタムへの選択Σメについて
は全く記載されてはいない。−77%シクロヘキサノン
オキシムの転化率は定量的と記載されてはいるものの、
その場合のMW空間速度(以下WH3Vと略称H する)は約2.5ha  と著しく低く、また触媒寿命
も15〜20時間と短い結果が示されている。
本発明者らも該公報に記載されているようなSi/Al
原子比の25M系−+イオライ1−を触媒として実際に
検討しt、=が、触媒の寿命のみならずξ−カプロラク
タムへの黄択率も充分な値を示さず、妹に実用的なWH
5V、例えば約10 hr−’以上の条件下では@媒寿
命が極めて雉<、シかも選択率が著しく低いことを確認
しt二。
このよう1こ固体酸触媒を用いjこ公知の方法もオキシ
ムの転化率、ラクタム−2の選択率、触媒寿暗等を同時
病足するものではなく、また生産性の商でも充分ではな
く、更に一層の改良が望まれでいた。
〈問題点を解決するだめの手段〉 本発明者らはこのような現状に鑑み、より優れたe−カ
プロラクタムの製法を見出すべく、種々の結晶性メタロ
シリゲート触媒について鋭意検討を」iねた結果、特定
のケイ素/金属原子比を有する結晶性メタロシリケート
触媒を使用すればオキシムの転化率およびラクタムへの
選択率が著しく向上するのみならず触媒寿命も著しく伸
び、その上生産性をも向上し得ることを見出すとともに
、更に穐々の検討を加え本発明に至った。
すなわち本発明はシクロヘキサノンオキシムよりC−カ
プロラクタムを製造するに当り、触媒として結晶骨格中
のケイ素/金!F4原子比が500以上である結晶性メ
タロシリケート(但し、結晶性アルミノシリケートは除
く)を使用することを特徴とする工業的に極めて優れた
I−カプロラクタムの製法を提供するものである。
結晶性メタロシリケートとしては、その結晶骨格中に金
、属元素を構成4分として含む結晶性ゼオライト系化合
物であって、具体的には該金属がGa、 Fe、 B、
 Zn、 Cr、 Be、 Co、 La、 Ti、 
Zr。
Hf、 V、 Ni、 51)、 Bi%Cu、 Nb
等から選ばれた少なくともl繍の元素を構成金属成分と
する結晶性メタロシリケートが挙げられる。より具体的
には、ゼオライト!r’rT造を有する結晶性のガロシ
リケート、フェロシリケート、ボロシリケート、ジンク
シリケート、クロムシリケート、ベリリウムシリケート
、コバルトシリケート、ランクンシリケート、チタンシ
リケー ト、ジルコニウムシリケート、ハフニウムシリ
ケート、バナドシリケート、ニッケルシリケート、アン
チモンシリケート、ビスマスシリケート、カッパーシリ
ケート、ニオブシリゲートなどが挙げられる。
かかる結晶性メタロシリケートには種々の結晶型が知ら
れているが、いわゆるペンタシル型構造にに4するもの
が特に好ましく用いられる。
本発明で使用される触媒は上記のような結晶性メタロシ
リケートであって、結晶骨格中のケイ素/金属原子比が
500以上の高シリカ領域のものであるが、ケイ素/金
属原子比は通常の分析手段、例えば原子吸光法、螢光x
s法等により求めることができる。ケイ素/金属原子比
は500以上が必要であり、かかる高シリカ領域の結晶
性メタロシリケートを用いることにより、反応成績が著
しく面上する。特に8−カプロラクタムへの選択率と触
媒寿命が著しく向上する。
また核結晶性アルミノシリケートの細孔外表面積も反応
成績に大ぎな影響を示す。持に細孔外表面績が5 d/
9以上の場合は触媒活性(オキシム転化率)を向上せし
めるのみならず触媒寿命、ラクタムへの転化率をより一
層向上せしめるので、細孔外表面積が5ゴ/7以上のも
のを用いるのが好ましい。かかる結晶性メタロシリケー
トを走食型m子顧微鏡で観察したところ、その1次結晶
粒径は0,5μ以下の細かなものになっており、この事
が細孔外表面積の増加ひいては反応成績の向上と関連あ
るものと推定される。
細孔外表面積は、結晶性ゼオライトの結晶内細孔を消勢
または無機の分子で充填し、外部表面への窒素またはク
リプトンの吸看鍬からBET法により細孔外表面積を算
出すると云った通常の′″細孔充填法”が採用される。
この際細孔を充填する分子としては、ブタン、ヘキサン
、ベンゼン等の有機分子や水を使う方法(日本触媒学会
第7回(1984年)及び第8回(1985年)参照触
媒討論会資料)あるいはゼオライトの水熱合成時に結晶
化調整剤として使用した官有アミンやテトラアルキルア
ンモニウムカチオンを利用する方法がある。
ここで後者の方法についてM4 )?説明すると。
結晶性メタロシリケ−1・を水熱合成で得るためには、
通常、有機アミンやテトラアルキルアンモニウムカチオ
ンを結晶化調整剤に使うが、水熱合成@後は、これ等の
結晶化調整剤が生成ゼオライトの細孔を充填した形で存
在する。従って水熱合成直後のゼオライトを120℃以
下の温度で十分に乾燥しただけの状態でB E T表面
積を測定すれば、その値は細孔外表−1槙に相当するこ
とになる。
本発明に使用される結晶性メタロシリケートは公知の方
法、例えばJ、 of Mo1ecular Cata
lysis 、 3 L =355〜870(1985
)、特開昭55−7598号公報、特開昭60−827
19号公報等Ic準拠した方法により製造したものの中
から選定することができろう 触媒を製造するにあたって、ケイ素源としては不純物A
I含量の極端に少ない高純I!t′原料を用いることが
大切であり、そのような高純度ケイ素源としては、例え
ばテトラアルキルシリケート、アエロジル、コロイダル
シリカ、ケイ酸ソーダ(3号水ガラス)等を挙げること
ができる。
また金@源としてはGa、 Fe、 B、 Zn%Be
、 Cr、 Co。
Ti、 La、 Zr、 Hf、 V、 Ni、 Sb
、 Bi、 Cu、 Nbなどの酸化物、水酸化物、ア
ルコキシ誘導体、硝酸塩、酢酸塩等が用いられる。
水熱合成して得られる結晶性メタロシリケートは通常、
結晶化調整剤としての有機アミンカチオン及びアルカリ
金属カチオン(N a” * K+等)を含むので、空
気中焼成して有機アミンカチオンを除去した後に、塩化
アンモニア水や希塩酸水でイオン交換後再焼成して、H
型に変換したものを用いるか、あるいは、塩化アンモニ
ア水や希塩酸水の代わりに、 Ca”、M9”、 Sr
”、 Ba”等のアルカリ土類金属イオンを含む水溶液
またはLa  、Ce  等のランタノイド類金属イオ
ンを含む水溶液でイオン交換し、各々対応する多価金属
イオン交換型として使う事も出来る。
次に本発明に於ける反応方法について述べる。
反応は通常の固定床又は流動床方式の気相接触反応で行
なう。原料のシクロヘキサノンオキシムは原料気化器を
通して気化させ、気体状態で触媒床と接触反応せしめる
が、その際、シクロヘキサノンオキシム単独で供給して
も良いが、ベンゼンやトルエン溶液として希釈供給する
のが好ましい。
ベンゼンもしくはトルエン溶液として供給、反応させる
場合、反応キャリヤーガスは使わなくてもよいが、 N
、 、Co2  等の不活性ガスをキャリヤーガスとし
て用いてもよい。
キャリヤーガスを使うとラクタムへの選択率を向上させ
る傾向が見られ、特にCO2キャリヤーにその効果が著
るしい。
接触転位反応温度は通常2508C〜500℃、特に好
ましくは8009C〜450°Cの範囲である。gl’
4フイ)’速ffハWH5V−04〜10011r−:
hr−+ 好ましくは1〜50  より好ましくは5〜hr−+ 40  の範囲から選ばれる。
長期間の使用によって活性の低下した触媒は、空気々流
中450〜550℃で焼成することにより容易に元の性
能に賦活でき、N返し使用される。
反応混合物からのl−カプロラクタムの単離は、例几ば
反応混合ガスを冷却して凝縮せしめ、次で蒸留あるいは
再結晶などにより水反応原料等と分離される。
〈発明の効果〉 かくしてC−カプロラクタムが製造されるが、本発明に
よれば従来技術に比し、シクロヘキサノンオキシムの転
化率が向上するのみならずl−カプロラクタムへの選択
率が著しく向上し、しかも触媒上の炭素析出も極めて少
く触媒の等向も著しく伸び、長期間にわたり高い成績で
ε−カプロラクタムが得られる。即ち、触媒活性、選択
性、寿命という工業触媒に必須の3要件がバランス良く
保たれるのである。
また本発明によれば、より高いWH5Vをも採用でき触
媒当りの生産性を著しく向上し得る点、更には長期間の
反応によって反応成績が低下した場合でもs fI′+
i媒を空気中で焼成せしめることにより容易に元の反応
成績に戻すことができ、触媒を燥り返し使用できる点も
本発明の利点である。
〈実施例〉 以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明は、こnらのみに限定されるものではない。
触媒調製剤l (高シリカ・ガロシリケートの合成)1
.5でのテヌンレス製オー・トクレーブに、両純度アエ
ロジル(日本アエロジル社製、 A#≦8.81)pm
 )を7(1,蒸留水を6005’、5−トラ−n−プ
ロピル−アンモニウムブロマイド34)を溶かした水溶
液15〇−及び硝酸ガリウムを0.4889を仕込み倣
しく攪拌し1こ。更に力性ソーダ7.42を溶かした水
溶液10(lt/を一気に加えた後、30分間激しく攪
拌を行った。この混合ゲル溶液のpHは12.8であっ
た。続いてオートクレーブを密閉した後、内温を190
℃迄昇温し、その温度に保持したまま400r、p、m
以上での攪拌を5 Q hrs継続し水熱合成を行なっ
た。水熱合成終了時のpHは11.66であった。
続いて、白色固体生成物を濾過し、P液のpHが7付近
になる迄、蒸留水で連続的に洗浄した。
得られた結晶を120℃で16時間乾燥した。
この段階の結晶を、室累ガス吸4法によりBET衣面横
を測疋したところ、細孔外表i槓として1、9 d/9
の値を得た。
この乾燥された結晶を更に500〜550°Cで4時間
、空気々流下で焼成し、70yの白色粉末状結晶を得た
。このものの粉本X線回折の結果、ZSM−5と類似構
造を有する結晶性ガロシリケートと同定された。原子吸
光法による元素分析の結果、 Si//Ga原子比−8
90であった。
この結晶toyに5%−NH,C1水溶液1002を加
几、50〜60℃で1時間イオン交換処理を行ない、続
いてろ別した。このイオン交換処理を計4回行なった後
、結晶をCI−が検出されなくなるまで蒸留水で洗浄し
た。続いて1200C,16時間乾燥した。得られたN
H4型の結晶を、24〜48 mesh  に造粒した
後500°C14時間、焼成し、H型のガロシリケート
を得た。
尚このものの表面酸強度は、指示薬法で測定してpKa
 W −73であった。また350℃での4−メチルキ
ノリン(以後4MQと略す)吸着量から計算した細孔外
酸量は4.87y当M/Pであった。
実施例1 (固定床気相反応による触媒活性テスト)長
さ32】、内径l】の石英ガラス製反応管中に、触媒調
製例1で調製した24〜48メツシュ粒径のH型ガロシ
リケート触媒を0.69(1,04−)充填L/、NZ
気流下350℃で1時間予熱処理した。次いで8. O
wt%シクロヘキサノンオキシム/ベンゼン溶液をWH
S V (MWhr−+ 空間速度)−11,7の速度で気化器を通してフィード
し反応させた。触媒床の温度(反応温度)は350℃で
あった。
反応生成物は水冷下トラップして捕集し、ガスクロマト
グラフィー(カラム:20%s山coneS E −8
0/ chromosorb AW−DMC5(60/
80M)2 m : glass column 、内
部標準:プソイドキュメン)にて分析した。
得られた結果を表−1に示す。
表 −1 触媒調製例2 (高シリカ・ガロシリケートの合成)1
.5gのステンレス製オートクレーブに、高純1(のテ
トラエナルオルソシリケー)(Ad<10p pln以
下)をN0ON、10%の水酸化テトラ−n−プロピル
アンモニウム水溶液を217.5Zを仕込みよく撹拌し
た。この混合液に、予め調製した硝酸ガリウムのエチレ
ングリコール溶液214 S’(Ga(No3)、を1
ooq含む)を加え。
30分闇識しく攪拌した。尚、混合溶成のpHは12.
5であった。オートクレーブのフタを締めつけた後、内
温を105℃に保った。同時に、400 r、p、m 
以上の回転で攪拌を行ないながら、120時間、水熱合
成を行なった。オートクレーブの圧力は2〜2.51に
達した。尚水熱脅威終了時のp Hは11.88であっ
た。
続いて、触媒調製例1の後半部に準じて濾過洗浄、乾燥
を行ない、この段階でBET表面積を測定したところ、
細孔外表面積として、9.3d/9の値を得た。この乾
燥された結晶を更に、500〜550℃で4時間空気々
下焼成し、287の粉末状白色結晶を得た。このものの
粉末X線回折の結果ZSM−5と類似構造を有する結晶
性ガロシリケートと同定された。
原子吸光法による元素分析の結果、Si/Ga原子比−
2,(M(0であった。触媒調製例1に準じNH40e
イオン交換、洗浄、焼成を経てH型ガロシリケートを得
た。尚このものの表面酸強度は指示薬法で測定してpK
a −−8,0を示し、又4MQの吸右斌から計算され
た細孔外酸鍬は8.9μ当斌/〕であった。
実施例2 触媒調製例2で調製した24〜48メツシュ粒径のH型
結晶性ガロシリケート触媒を用いる他は実施例1と同様
に転位反応を行なった。得られた結果を表−2に示す。
表  −2 触媒調製例3 硝酸ガリウムに代えて塩化第二鉄(無水)39■を用い
る他は、触媒調製例2に準じて水熱合成を行なった。濾
過、洗浄、乾燥を行ない、この段階でBET表可積を測
定したところ、細孔外表面積として、73ゴ/9の値を
得た。このものを焼成し28りの粉末状臼1巴結晶をイ
υtこ。X線回り〒の結果、ZSM−5と類収構造を有
する結晶性フェロ・シリケートと同定され−こ。原子吸
光法による元素分析の結果、Si/Fe’京子比−1,
600であった。
次いで触媒調製例1に準じNH,Cgイオン父換、洗浄
、焼成を経てH型フェロ・シリケートを得た。尚このも
のの表面酸強度は指示薬法で測定してpKa −−3,
0を示し、また、iMQの吸看菫から計算された細孔外
酸量はほぼ零であった。
実施例3 触媒調製例3で調製し・た24〜48メツシュ粒径のH
型結晶性フェロ・シリケート触媒を用いる他は、実施例
1と同様に転位反応を行なった。得ら九た結果を表−3
に示す。
表  −3 実施例4 (高いWH5V条件での反応)長さ82a、
内径11の石英ガラス要反応管中に、触媒調製例1で調
製した24〜48メツシュ粒径のH型結晶性ガロ・シリ
ケート触媒0.351’(0,5rnl)を充填し、8
50℃でN2気流下、l hr 、予熱処理した。次い
でf3 wt%シクロヘキサノンオキシム/ベンゼン溶
KIWH5V−、38,5−’の速度で気化器を通して
供給し、反応させた。
触媒床の温度は350℃であった。反応生成物は水冷下
トラップして捕集し、ガスクロマトグラフィにて分析し
た。得られた結果を表−4に示した。
表  −4 実施例5 触媒調製例2で調製した24〜48メツシュ粒径のH型
結晶性ガロ・シリケートを触媒に用いる他は実施例4に
準じ転位反応を行なった。
得られた結果を表−5に示す。
表 −5 触媒調製例4 硝酸ガリウムに代えてコバルト(III)アセチルアセ
トナート(Co(AcAC)s ) 85”9を用いる
他は、触媒調製例−2に阜じて水熱合成を行なった。濾
過、洗浄、乾燥を行ない、この段階でBET表面積を測
定したところ、細孔外表面積とじて10.7d/9の値
を得た。このものを焼成し289の粉末状白色結晶を得
た。
X線回折の結果、ZSM−5と類似構造を有する結晶性
コバルトシリケートと同定された。
原子吸光法における元累分析の結果、コバルトSi/C
o原子比−1,310であった。随媒調製例−1に準じ
NH,CIイオン交換、洗浄、焼成を紅でH型コバルト
シリケートを得た。尚、このものの表面を目動は指示薬
法で測定したところpKa−+ 3.3を示し、又、4
 M Qの吸看から計算された細孔外酸量は2.5μ当
量/ノであった。
実施例6 触媒調製例−4で調製した24〜48メツシュ粒径のH
型結晶性コバルトシリケートを触媒lζ用いる他は実施
例4に準じ、転位反応を行なった。得られた結果を表−
6に示す。
表  −6 触媒調製例5.6および7 触媒調製例1に於ける硝酸ガリウムの量を表−8に示す
量に変える他は、触媒調製例1と同様に水熱合成、乾燥
、焼成計街イClイオン交換、乾燥、焼成を行ないSi
/Ga比の異なるH種結晶性ガロシリケートを得た。得
られた結果を表−7に示す。
表  −7 実施例7 触媒調製例5で調製した24〜48メツシュ粒件のH種
結晶性ガロシリケートを触媒に用いる他は、実施例4に
準じ転位反応を行なった。
得られた結果を表−8に示す。
表 −8 触媒調製例8 触媒調製例1における硝酸ガリウムに代えて、硫酸アル
ミニウム(A#z(SO2)s 46H2O)を0.6
87用いる他は触媒調製例1に準じて水熱合成、乾燥、
焼成、 NH4Clイオン交換、焼成を経て、H型の結
晶性アルミノシリケートゼオライト(Z SM−5) 
l#f=。コノも(D (7) S i/A(1111
子比は49.2であった。
比較例1 触媒調製例8で調製した24〜48メツシュ粒径のH種
結晶性アルミノシリケート(ZSM−5)を触媒に用い
る他は、実施例4に準じ転位反応を行なった。得られた
結果を表−9に示す。
表  −9 比較例2 触媒調製例6で調製した24〜48メツシユf51 径
cD S i /Ga 原子比−450のH耐結晶性ガ
ロシリケートを触媒に用いる他は実施例4に準じ反位反
応を行なった。得られた結果を表−10に示す。
表  −10 比較例3 触媒調製例7で調製した24〜48メツシュ粒径のS 
i/Ga原子比−50のH耐結晶性ガロシリケートを触
媒に用いる他は、実施例4に準じ、転位反応を行った。
得られた結果を表−11に示す。
表 −11 触媒調製例9 1.51のステンレス製オート・クレープに、10%の
水酸化テトラ−n−プロピルアンモニウム水溶液217
.5 f、エタノール214y、酸化ニオブ・NH,錯
体107.5■を含む水溶液2−1高純度のテトラエチ
ルオルソシリケート(AI < 101)I)m以下)
100s’をこの順に仕込み、1時間、よく攪拌した。
この混合液のpHt ’に12.5であった。オートクレーブのフタを閉め、
内温を105℃に保ち、400 r、p、m以との回転
で攪拌を行ないながら、48時間水熱合成を行なった。
オートクレーブの圧力は約2.51に達した。
水熱合成終了後、触媒調製例1の後半部に準じて、濾過
、洗浄、乾燥を行ない、この段階でBET表11fi積
を測定したところ、細孔外表面積としてl O,Od/
9の値を得た。この乾燥された結晶を更に500〜55
0℃で4時間空気々流下焼成し、28.452の粉末状
白色結晶を得た。
このものの粉末X線回折の結果、ZSM−5と類似構造
を有するニオブ・シリケートと同定さnた。原子吸光法
による元素分析の結果、Si/Nb原子比−2,964
であった。触媒調製例1に準じ、NH4Clイオン交換
、洗浄、焼成を経てn型ニオブ・シリケートを得た。尚
このものの表面酸強度は指示薬法でpKa −+ 1.
5をボし、又4MQの吸i量から計算された紬孔外龍−
は1.97μ当嵐/2であった。
触媒調製例1O〜18 触媒調製例9に於ける酸化ニオブ・NH3錯体に代えて
、表−12に示す各元素含有化合物を所定槌用いる他は
、触媒調製例9に準じて、各メタロシリケート・ゼオラ
イト触媒を調製した。
得られた結晶はX線回折の結果、ZSM−5と類似構造
を有する事が確認された。各メタロシリケートの分析値
を表−12に示す。
表  −12 実施例8〜12 触媒調製例9〜13で調製した% 24〜48メツシュ
粒径のH種結晶性メタロシリケートを触媒に用いる他は
、実施例4に準じて転位反応を行なった。得られた結果
を表−13〜17に示す。
表−18,触媒調製例9のニオブ・シリケート触媒によ
る反応結果 表−14,触媒調製例1oのボロン・シリケート触媒に
よる反応結果 表−15,触媒調製例11のガロ・シリケート触媒によ
る反応結果 表−16,触媒調製例12のビスマス・シリケート触媒
による反応結果 表−17触媒調製例I8のジルコノ・シリケート触媒に
よる反応結果

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)シクロヘキサノンオキシムよりε−カプロラクタ
    ムを製造するに当り、触媒として結晶骨格中のケイ素/
    金属原子比が500以上である結晶性メタロシリケート
    (但し、結晶性アルミノシリケートは除く)を用いるこ
    とを特徴とするε−カプロラクタムの製法。
  2. (2)結晶性メタロシリケートの細孔外表面積が5m^
    2/g以上である特許請求の範囲第1項記載のε−カプ
    ロラクタムの製法。
JP62003747A 1986-04-21 1987-01-09 ε−カプロラクタムの製法 Granted JPS6354358A (ja)

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