JPH0897288A - リフロー方法及びリフロー装置 - Google Patents
リフロー方法及びリフロー装置Info
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- JPH0897288A JPH0897288A JP25460194A JP25460194A JPH0897288A JP H0897288 A JPH0897288 A JP H0897288A JP 25460194 A JP25460194 A JP 25460194A JP 25460194 A JP25460194 A JP 25460194A JP H0897288 A JPH0897288 A JP H0897288A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リフロー温度が低くてもリフロー膜の流動性
を高くして、微細でアスペクト比の高い凹部でもリフロ
ー膜で良好に埋め込むことができる様にする。 【構成】 ウェハ２１の周辺部が仕切り板２３のＯリン
グ２４に押圧されるまでステージ２５を上昇させて、ウ
ェハ２１の表面と裏面とを気密状態で分離し、ウェハ２
１の表面に臨む空間を真空にした状態で、ウェハ２１の
表面上に形成されている金属膜等のリフロー膜をリフロ
ーさせる。このため、リフローに際してリフロー膜の表
面を清浄な状態に保持することができ、リフロー温度が
低くてもリフロー膜の流動性が高い。
を高くして、微細でアスペクト比の高い凹部でもリフロ
ー膜で良好に埋め込むことができる様にする。 【構成】 ウェハ２１の周辺部が仕切り板２３のＯリン
グ２４に押圧されるまでステージ２５を上昇させて、ウ
ェハ２１の表面と裏面とを気密状態で分離し、ウェハ２
１の表面に臨む空間を真空にした状態で、ウェハ２１の
表面上に形成されている金属膜等のリフロー膜をリフロ
ーさせる。このため、リフローに際してリフロー膜の表
面を清浄な状態に保持することができ、リフロー温度が
低くてもリフロー膜の流動性が高い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願の発明は、半導体装置の配線
等を形成するために用いられるリフロー方法及びリフロ
ー装置に関するものである。
等を形成するために用いられるリフロー方法及びリフロ
ー装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化に伴って、半導体
基板と配線との間の電気的接続を得るためのコンタクト
ホールや、多層配線同士の間の電気的接続を得るための
ビアホールも微細化しており、０．２５μｍルールでは
これらの接続孔のアスペクト比が２を超えるまでになっ
てきている。
基板と配線との間の電気的接続を得るためのコンタクト
ホールや、多層配線同士の間の電気的接続を得るための
ビアホールも微細化しており、０．２５μｍルールでは
これらの接続孔のアスペクト比が２を超えるまでになっ
てきている。
【０００３】このため、配線等を形成するための金属膜
を通常のスパッタリング法で形成すると、シャドウイン
グ効果が顕著に表れて、接続孔の内部にボイドが形成さ
れたり、接続孔の底部近くの内側面における金属膜の膜
厚が十分には厚くならなかったりする問題が生じてい
る。
を通常のスパッタリング法で形成すると、シャドウイン
グ効果が顕著に表れて、接続孔の内部にボイドが形成さ
れたり、接続孔の底部近くの内側面における金属膜の膜
厚が十分には厚くならなかったりする問題が生じてい
る。
【０００４】そこで、形成した金属膜を真空中で加熱す
ることによって接続孔内へ金属膜を流動させるリフロー
法が開発されている。そして、リフローのための加熱方
法としては、ヒータで昇温させたＡｒガス等の不活性ガ
スをウェハの裏面に供給し、ガスからの熱伝導でウェハ
を加熱する方法が一般的に採用されている。
ることによって接続孔内へ金属膜を流動させるリフロー
法が開発されている。そして、リフローのための加熱方
法としては、ヒータで昇温させたＡｒガス等の不活性ガ
スをウェハの裏面に供給し、ガスからの熱伝導でウェハ
を加熱する方法が一般的に採用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ガスでウェ
ハを加熱しようとすると、１×１０-3Ｔｏｒｒ程度の真
空度しかリフロー中に得ることができない。このため、
加熱用のガス自体に含まれている不純物や、加熱された
チャンバからの脱ガスである酸素等によって、スパッタ
リング直後は清浄であった金属膜の表面が汚染される。
この結果、金属膜の流動性が低下して埋め込み性が劣化
するので、従来は、微細でアスペクト比の高い接続孔等
を金属膜で良好に埋め込むことが困難であった。
ハを加熱しようとすると、１×１０-3Ｔｏｒｒ程度の真
空度しかリフロー中に得ることができない。このため、
加熱用のガス自体に含まれている不純物や、加熱された
チャンバからの脱ガスである酸素等によって、スパッタ
リング直後は清浄であった金属膜の表面が汚染される。
この結果、金属膜の流動性が低下して埋め込み性が劣化
するので、従来は、微細でアスペクト比の高い接続孔等
を金属膜で良好に埋め込むことが困難であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１のリフロー方法
は、ウェハ２１の表面と裏面とを気密状態で分離し、前
記表面に臨む空間を真空にした状態で、前記表面上に形
成されているリフロー膜３６をリフローさせることを特
徴としている。
は、ウェハ２１の表面と裏面とを気密状態で分離し、前
記表面に臨む空間を真空にした状態で、前記表面上に形
成されているリフロー膜３６をリフローさせることを特
徴としている。
【０００７】請求項２のリフロー方法は、請求項１のリ
フロー方法において、前記空間の真空度を１×１０-6Ｔ
ｏｒｒ以下にすることを特徴としている。
フロー方法において、前記空間の真空度を１×１０-6Ｔ
ｏｒｒ以下にすることを特徴としている。
【０００８】請求項３のリフロー方法は、請求項１また
は２のリフロー方法において、前記リフロー膜３６がＡ
ｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらを主成分とする合金
の何れかから成っている金属膜であることを特徴として
いる。
は２のリフロー方法において、前記リフロー膜３６がＡ
ｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらを主成分とする合金
の何れかから成っている金属膜であることを特徴として
いる。
【０００９】請求項４のリフロー装置は、内周壁から突
出している仕切り板２３を有するリフローチャンバ１７
と、表面上にリフロー膜３６が形成されているウェハ２
１の周辺部を前記仕切り板２３に押圧して前記ウェハ２
１の前記表面と裏面とを気密状態で分離する押圧手段２
５と、前記気密状態で前記リフローチャンバ１７のうち
で前記表面側の空間を真空にする真空ポンプとを具備す
ることを特徴としている。
出している仕切り板２３を有するリフローチャンバ１７
と、表面上にリフロー膜３６が形成されているウェハ２
１の周辺部を前記仕切り板２３に押圧して前記ウェハ２
１の前記表面と裏面とを気密状態で分離する押圧手段２
５と、前記気密状態で前記リフローチャンバ１７のうち
で前記表面側の空間を真空にする真空ポンプとを具備す
ることを特徴としている。
【００１０】請求項５のリフロー装置は、請求項４のリ
フロー装置において、前記真空ポンプが１×１０-6Ｔｏ
ｒｒ以下の真空度を得ることができることを特徴として
いる。
フロー装置において、前記真空ポンプが１×１０-6Ｔｏ
ｒｒ以下の真空度を得ることができることを特徴として
いる。
【００１１】請求項６のリフロー装置は、請求項５のリ
フロー装置において、昇温させたガスを前記裏面に供給
することによって前記ウェハ２１を加熱する加熱手段２
５を具備することを特徴としている。
フロー装置において、昇温させたガスを前記裏面に供給
することによって前記ウェハ２１を加熱する加熱手段２
５を具備することを特徴としている。
【００１２】請求項７のリフロー装置は、請求項４〜６
の何れかのリフロー装置において、前記リフロー膜３６
をスパッタリングするためのスパッタリングチャンバ１
６と前記リフローチャンバ１７とを少なくとも含むマル
チチャンバ構造を有していることを特徴としている。
の何れかのリフロー装置において、前記リフロー膜３６
をスパッタリングするためのスパッタリングチャンバ１
６と前記リフローチャンバ１７とを少なくとも含むマル
チチャンバ構造を有していることを特徴としている。
【００１３】
【作用】請求項１〜３のリフロー方法では、ウェハ２１
の表面と裏面とを気密状態で分離し、ウェハ２１の表面
に臨む空間を真空にした状態で、ウェハ２１の表面上に
形成されているリフロー膜３６をリフローさせているの
で、リフローに際してリフロー膜３６の表面を清浄な状
態に保持することができる。このため、リフロー温度が
低くてもリフロー膜３６の流動性が高い。
の表面と裏面とを気密状態で分離し、ウェハ２１の表面
に臨む空間を真空にした状態で、ウェハ２１の表面上に
形成されているリフロー膜３６をリフローさせているの
で、リフローに際してリフロー膜３６の表面を清浄な状
態に保持することができる。このため、リフロー温度が
低くてもリフロー膜３６の流動性が高い。
【００１４】請求項４〜６のリフロー装置では、ウェハ
２１の表面と裏面とを気密状態で分離し、ウェハ２１の
表面に臨む空間を真空にした状態で、ウェハ２１の表面
上に形成されているリフロー膜３６をリフローさせるこ
とができるので、リフローに際してリフロー膜３６の表
面を清浄な状態に保持することができる。このため、リ
フロー温度が低くてもリフロー膜３６の流動性が高い。
２１の表面と裏面とを気密状態で分離し、ウェハ２１の
表面に臨む空間を真空にした状態で、ウェハ２１の表面
上に形成されているリフロー膜３６をリフローさせるこ
とができるので、リフローに際してリフロー膜３６の表
面を清浄な状態に保持することができる。このため、リ
フロー温度が低くてもリフロー膜３６の流動性が高い。
【００１５】請求項７のリフロー装置では、スパッタリ
ングチャンバ１６とリフローチャンバ１７とを少なくと
も含むマルチチャンバ構造を有しているので、スパッタ
リング１６で形成したリフロー膜３６を外気に触れさせ
ることなく引き続いてリフローを行うことができるの
で、リフローに際してリフロー膜３６の表面を更に清浄
な状態に保持することができる。このため、リフロー温
度が更に低くてもリフロー膜３６の流動性が更に高い。
ングチャンバ１６とリフローチャンバ１７とを少なくと
も含むマルチチャンバ構造を有しているので、スパッタ
リング１６で形成したリフロー膜３６を外気に触れさせ
ることなく引き続いてリフローを行うことができるの
で、リフローに際してリフロー膜３６の表面を更に清浄
な状態に保持することができる。このため、リフロー温
度が更に低くてもリフロー膜３６の流動性が更に高い。
【００１６】
【実施例】以下、金属膜のリフローに適用した本願の発
明の実施例を、図１〜３を参照しながら説明する。図２
が、リフロー装置の実施例の全体を示している。このリ
フロー装置１１はマルチチャンバ構造を有しており、搬
送チャンバ１２の周囲にロードロックチャンバ１３、ソ
フトエッチングチャンバ１４、第１のスパッタリングチ
ャンバ１５、第２のスパッタリングチャンバ１６及びリ
フローチャンバ１７が順次に配置されている。
明の実施例を、図１〜３を参照しながら説明する。図２
が、リフロー装置の実施例の全体を示している。このリ
フロー装置１１はマルチチャンバ構造を有しており、搬
送チャンバ１２の周囲にロードロックチャンバ１３、ソ
フトエッチングチャンバ１４、第１のスパッタリングチ
ャンバ１５、第２のスパッタリングチャンバ１６及びリ
フローチャンバ１７が順次に配置されている。
【００１７】搬送チャンバ１２には、ウェハ２１を各チ
ャンバ１３〜１７間で搬送するためのアーム１２ａが設
けられている。ロードロックチャンバ１３では、２５枚
のウェハ２１を装填したカセット２２がロード及びアン
ロードされ、また、ウェハ２１の方位を揃えるためのオ
リエンテーションフラット合せ室１３ａも設けられてい
る。
ャンバ１３〜１７間で搬送するためのアーム１２ａが設
けられている。ロードロックチャンバ１３では、２５枚
のウェハ２１を装填したカセット２２がロード及びアン
ロードされ、また、ウェハ２１の方位を揃えるためのオ
リエンテーションフラット合せ室１３ａも設けられてい
る。
【００１８】図１は、図２に示したリフロー装置１１の
うちのリフローチャンバ１７を示している。リフローチ
ャンバ１７の内周壁からは、円形またはそれに近い形状
の開口２３ａを有する仕切り板２３が突出している。仕
切り板２３のうちで開口２３ａに近い部分の下面にはＯ
リング２４が配置されており、また、仕切り板２３のう
ちでＯリング２４に近い部分には水冷管２３ｂが埋設さ
れている。
うちのリフローチャンバ１７を示している。リフローチ
ャンバ１７の内周壁からは、円形またはそれに近い形状
の開口２３ａを有する仕切り板２３が突出している。仕
切り板２３のうちで開口２３ａに近い部分の下面にはＯ
リング２４が配置されており、また、仕切り板２３のう
ちでＯリング２４に近い部分には水冷管２３ｂが埋設さ
れている。
【００１９】リフローチャンバ１７内には、昇降可能な
ステージ２５が設けられている。そして、ガス導入管２
５ａがステージ２５を貫通してその上面にまで達してお
り、光ファイバ温度計２６がステージ２５中を通ってス
テージ２５の上面近傍にまで達している。また、ステー
ジ２５は、ガス導入管２５ａを介して導入されるガスを
加熱するガス加熱機構を有している。
ステージ２５が設けられている。そして、ガス導入管２
５ａがステージ２５を貫通してその上面にまで達してお
り、光ファイバ温度計２６がステージ２５中を通ってス
テージ２５の上面近傍にまで達している。また、ステー
ジ２５は、ガス導入管２５ａを介して導入されるガスを
加熱するガス加熱機構を有している。
【００２０】一方、リフローチャンバ１７のうちで仕切
り板２３よりも上側の壁面に設けられている排気口２７
には、クライオポンプ（図示せず）が接続されており、
リフローチャンバ１７の底面に設けられている排気口２
８には、ターボ分子ポンプ（図示せず）が接続されてい
る。
り板２３よりも上側の壁面に設けられている排気口２７
には、クライオポンプ（図示せず）が接続されており、
リフローチャンバ１７の底面に設けられている排気口２
８には、ターボ分子ポンプ（図示せず）が接続されてい
る。
【００２１】図３は、図２に示したリフロー装置１１を
用いてＡｌＳｉＣｕ膜をリフローさせ、リフローさせた
ＡｌＳｉＣｕ膜でコンタクトホールを埋め込む実施例を
示している。この実施例では、図３（ａ）に示す様に、
所定の素子を形成したウェハ２１上に、膜厚が７００ｎ
ｍのＢＰＳＧ膜３１を形成し、ウェハ２１に達するコン
タクトホール３２をＢＰＳＧ膜３１に開孔する。
用いてＡｌＳｉＣｕ膜をリフローさせ、リフローさせた
ＡｌＳｉＣｕ膜でコンタクトホールを埋め込む実施例を
示している。この実施例では、図３（ａ）に示す様に、
所定の素子を形成したウェハ２１上に、膜厚が７００ｎ
ｍのＢＰＳＧ膜３１を形成し、ウェハ２１に達するコン
タクトホール３２をＢＰＳＧ膜３１に開孔する。
【００２２】その後、リフロー装置１１のロードロック
チャンバ１３及び搬送チャンバ１２を介して、ウェハ２
１をソフトエッチングチャンバ１４に装填し、コンタク
トホール３２の底部におけるウェハ２１の表面に形成さ
れた自然酸化膜（図示せず）を希フッ酸で除去する。な
お、搬送チャンバ１２内は１×１０-8Ｔｏｒｒの真空度
に保たれている。
チャンバ１３及び搬送チャンバ１２を介して、ウェハ２
１をソフトエッチングチャンバ１４に装填し、コンタク
トホール３２の底部におけるウェハ２１の表面に形成さ
れた自然酸化膜（図示せず）を希フッ酸で除去する。な
お、搬送チャンバ１２内は１×１０-8Ｔｏｒｒの真空度
に保たれている。
【００２３】そして、搬送チャンバ１２を介して、ウェ
ハ２１を第１のスパッタリングチャンバ１５に装填し、
次に形成するＡｌＳｉＣｕ膜の下地金属膜として、膜厚
が３０ｎｍのＴｉ膜３３と、膜厚が７０ｎｍのＴｉＮ膜
３４と、膜厚が３０ｎｍのＴｉ膜３５とを、直流マグネ
トロンスパッタリング法で連続的に形成する。このとき
の条件は、下記の通りである。
ハ２１を第１のスパッタリングチャンバ１５に装填し、
次に形成するＡｌＳｉＣｕ膜の下地金属膜として、膜厚
が３０ｎｍのＴｉ膜３３と、膜厚が７０ｎｍのＴｉＮ膜
３４と、膜厚が３０ｎｍのＴｉ膜３５とを、直流マグネ
トロンスパッタリング法で連続的に形成する。このとき
の条件は、下記の通りである。
【００２４】 Ｔｉ形成条件 ：ガス＝Ａｒ 直流電力＝７ｋＷ 圧力＝０．４Ｐａ ウェハ温度＝１００℃ ＴｉＮ形成条件 ：ガス＝Ａｒ−６０％Ｎ2 直流電力＝８ｋＷ 圧力＝０．４Ｐａ ウェハ温度＝１００℃
【００２５】次に、搬送チャンバ１２を介して、ウェハ
２１を第２のスパッタリングチャンバ１６に装填し、図
３（ｂ）に示す様に、１％のＳｉと０．５％のＣｕとを
含み膜厚が４００ｎｍであるＡｌＳｉＣｕ膜３６を形成
する。このときの条件は、下記の通りである。 ＡｌＳｉＣｕ形成条件：ガス＝Ａｒ 直流電力＝１０ｋＷ 圧力＝０．４Ｐａ ウェハ温度＝１００℃
２１を第２のスパッタリングチャンバ１６に装填し、図
３（ｂ）に示す様に、１％のＳｉと０．５％のＣｕとを
含み膜厚が４００ｎｍであるＡｌＳｉＣｕ膜３６を形成
する。このときの条件は、下記の通りである。 ＡｌＳｉＣｕ形成条件：ガス＝Ａｒ 直流電力＝１０ｋＷ 圧力＝０．４Ｐａ ウェハ温度＝１００℃
【００２６】次に、搬送チャンバ１２を介して、ウェハ
２１をリフローチャンバ１７のステージ２５上に装填す
る。そして、ウェハ２１の周辺部が仕切り板２３のＯリ
ング２４に押圧されるまでステージ２５を上昇させて、
ウェハ２１の表面と裏面とを気密状態で分離する。
２１をリフローチャンバ１７のステージ２５上に装填す
る。そして、ウェハ２１の周辺部が仕切り板２３のＯリ
ング２４に押圧されるまでステージ２５を上昇させて、
ウェハ２１の表面と裏面とを気密状態で分離する。
【００２７】その後、ウェハ２１の表面側の空間と裏面
側の空間とを排気口２７、２８を介して別系統で排気し
た状態で、ＡｌＳｉＣｕ膜３６をリフローさせる。この
ときの条件は、下記の通りである。なお、Ｏリング２４
は水冷管２３ｂで冷却されて熱変形を防止されているの
で、ウェハ２１の表面と裏面とはリフロー中も気密状態
で分離されている。
側の空間とを排気口２７、２８を介して別系統で排気し
た状態で、ＡｌＳｉＣｕ膜３６をリフローさせる。この
ときの条件は、下記の通りである。なお、Ｏリング２４
は水冷管２３ｂで冷却されて熱変形を防止されているの
で、ウェハ２１の表面と裏面とはリフロー中も気密状態
で分離されている。
【００２８】リフロー条件 ウェハ表面側 真空度＝２×１０-8Ｔｏｒｒ ウェハ裏面側 ヒータ温度＝５００℃ ガス＝Ａｒ ２
０ＳＣＣＭ 圧力＝８Ｔｏｒｒ リフロー時間＝１８０秒 ウェハ実温＝４５０℃±５℃
０ＳＣＣＭ 圧力＝８Ｔｏｒｒ リフロー時間＝１８０秒 ウェハ実温＝４５０℃±５℃
【００２９】以上の様なリフローの結果、図３（ｃ）に
示す様に、ＡｌＳｉＣｕ膜３６がコンタクトホール３２
内へ流動して、コンタクトホール３２の埋め込みが完了
する。その後、搬送チャンバ１２及びロードロックチャ
ンバ１３を介して、ウェハ２１をリフロー装置１１外へ
搬出する。
示す様に、ＡｌＳｉＣｕ膜３６がコンタクトホール３２
内へ流動して、コンタクトホール３２の埋め込みが完了
する。その後、搬送チャンバ１２及びロードロックチャ
ンバ１３を介して、ウェハ２１をリフロー装置１１外へ
搬出する。
【００３０】次に、リフローさせたＣｕ膜でコンタクト
ホールを埋め込む実施例を説明する。この実施例でも、
Ｔｉ膜３５を形成するまでは、上述の実施例と実質的に
同様の工程を実行する。この実施例では、その後、Ｃｕ
膜を形成するが、そのときの条件は、下記の通りであ
る。 Ｃｕ形成条件 ：ガス＝Ａｒ 直流電力＝８ｋＷ 圧力＝０．４Ｐａ ウェハ温度＝１００℃
ホールを埋め込む実施例を説明する。この実施例でも、
Ｔｉ膜３５を形成するまでは、上述の実施例と実質的に
同様の工程を実行する。この実施例では、その後、Ｃｕ
膜を形成するが、そのときの条件は、下記の通りであ
る。 Ｃｕ形成条件 ：ガス＝Ａｒ 直流電力＝８ｋＷ 圧力＝０．４Ｐａ ウェハ温度＝１００℃
【００３１】その後、再び上述の実施例と実質的に同様
の工程を実行して、リフローチャンバ１７内でＣｕ膜を
リフローさせる。このときの条件は、下記の通りであ
る。 リフロー条件 ウェハ表面側 真空度＝２×１０-8Ｔｏｒｒ ウェハ裏面側 ヒータ温度＝５５０℃ ガス＝Ａｒ ２
０ＳＣＣＭ 圧力＝８Ｔｏｒｒ リフロー時間＝３００秒 ウェハ実温＝５００℃±５℃
の工程を実行して、リフローチャンバ１７内でＣｕ膜を
リフローさせる。このときの条件は、下記の通りであ
る。 リフロー条件 ウェハ表面側 真空度＝２×１０-8Ｔｏｒｒ ウェハ裏面側 ヒータ温度＝５５０℃ ガス＝Ａｒ ２
０ＳＣＣＭ 圧力＝８Ｔｏｒｒ リフロー時間＝３００秒 ウェハ実温＝５００℃±５℃
【００３２】なお、以上の実施例では、ウェハ２１の表
面側における真空度を２×１０-8Ｔｏｒｒにしたが、こ
の真空度は１×１０-6Ｔｏｒｒ以下でもよい。また、以
上の実施例では、ＡｌＳｉＣｕ膜３６をリフローさせた
が、Ａｌ膜、Ｃｕ膜、Ａｇ膜、Ａｕ膜またはこれらを主
成分とする合金膜や非金属膜をリフローさせることもで
きる。
面側における真空度を２×１０-8Ｔｏｒｒにしたが、こ
の真空度は１×１０-6Ｔｏｒｒ以下でもよい。また、以
上の実施例では、ＡｌＳｉＣｕ膜３６をリフローさせた
が、Ａｌ膜、Ｃｕ膜、Ａｇ膜、Ａｕ膜またはこれらを主
成分とする合金膜や非金属膜をリフローさせることもで
きる。
【００３３】
【発明の効果】本願の発明によるリフロー方法及びリフ
ロー装置では、リフロー膜の流動性が高いので、リフロ
ー膜の埋め込み性が優れており、微細でアスペクト比の
高い凹部でもリフロー膜で良好に埋め込むことができ
る。しかも、リフロー温度が低くてもよいので、異なる
材料同士の反応によるボイドの形成を抑制して高い信頼
性で凹部をリフロー膜で埋め込むことができ、また、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ａｕ等をリフローさせて高信頼性及び低抵抗
の配線等を形成することもできる。
ロー装置では、リフロー膜の流動性が高いので、リフロ
ー膜の埋め込み性が優れており、微細でアスペクト比の
高い凹部でもリフロー膜で良好に埋め込むことができ
る。しかも、リフロー温度が低くてもよいので、異なる
材料同士の反応によるボイドの形成を抑制して高い信頼
性で凹部をリフロー膜で埋め込むことができ、また、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ａｕ等をリフローさせて高信頼性及び低抵抗
の配線等を形成することもできる。
【図１】本願の発明の実施例におけるリフローチャンバ
の断面図である。
の断面図である。
【図２】本願の発明の実施例におけるリフロー装置の概
略図である。
略図である。
【図３】本願の発明の実施例を工程順に示す断面図であ
る。
る。
１６ スパッタリングチャンバ １７ リフローチャンバ ２１ ウェハ ２３ 仕切り板 ２５ ステージ ２６ ＡｌＳｉＣｕ膜
Claims (7)
- 【請求項１】 ウェハの表面と裏面とを気密状態で分離
し、前記表面に臨む空間を真空にした状態で、前記表面
上に形成されているリフロー膜をリフローさせることを
特徴とするリフロー方法。 - 【請求項２】 前記空間の真空度を１×１０-6Ｔｏｒｒ
以下にすることを特徴とする請求項１記載のリフロー方
法。 - 【請求項３】 前記リフロー膜がＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕまたはこれらを主成分とする合金の何れかから成って
いる金属膜であることを特徴とする請求項１または２記
載のリフロー方法。 - 【請求項４】 内周壁から突出している仕切り板を有す
るリフローチャンバと、 表面上にリフロー膜が形成されているウェハの周辺部を
前記仕切り板に押圧して前記ウェハの前記表面と裏面と
を気密状態で分離する押圧手段と、 前記気密状態で前記リフローチャンバのうちで前記表面
側の空間を真空にする真空ポンプとを具備することを特
徴とするリフロー装置。 - 【請求項５】 前記真空ポンプが１×１０-6Ｔｏｒｒ以
下の真空度を得ることができることを特徴とする請求項
４記載のリフロー装置。 - 【請求項６】 昇温させたガスを前記裏面に供給するこ
とによって前記ウェハを加熱する加熱手段を具備するこ
とを特徴とする請求項５記載のリフロー装置。 - 【請求項７】 前記リフロー膜をスパッタリングするた
めのスパッタリングチャンバと前記リフローチャンバと
を少なくとも含むマルチチャンバ構造を有していること
を特徴とする請求項４〜６の何れか１項に記載のリフロ
ー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25460194A JPH0897288A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | リフロー方法及びリフロー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25460194A JPH0897288A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | リフロー方法及びリフロー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897288A true JPH0897288A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=17267310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25460194A Pending JPH0897288A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | リフロー方法及びリフロー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897288A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343863A (ja) * | 2001-03-13 | 2002-11-29 | Samsung Electronics Co Ltd | ウェーハ処理装置及びこれを用いたウェーハ処理方法 |
| WO2009066390A1 (ja) * | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Canon Anelva Corporation | スパッタ装置およびスパッタ方法 |
| WO2009066389A1 (ja) * | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Canon Anelva Corporation | スパッタ装置およびスパッタ方法 |
| JP2013143442A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Ulvac Japan Ltd | デバイスの製造方法および製造装置 |
-
1994
- 1994-09-22 JP JP25460194A patent/JPH0897288A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343863A (ja) * | 2001-03-13 | 2002-11-29 | Samsung Electronics Co Ltd | ウェーハ処理装置及びこれを用いたウェーハ処理方法 |
| WO2009066390A1 (ja) * | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Canon Anelva Corporation | スパッタ装置およびスパッタ方法 |
| WO2009066389A1 (ja) * | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Canon Anelva Corporation | スパッタ装置およびスパッタ方法 |
| JP2013143442A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Ulvac Japan Ltd | デバイスの製造方法および製造装置 |
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