JP3471266B2

JP3471266B2 - 半導体装置の製造方法および半導体装置

Info

Publication number: JP3471266B2
Application number: JP30034199A
Authority: JP
Inventors: 益教高森; 徹西脇
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-10-22
Filing date: 1999-10-22
Publication date: 2003-12-02
Anticipated expiration: 2019-10-22
Also published as: JP2001118804A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置、特に少
量のシリコンまたは銅を含有するなどのアルミニウム合
金膜が配線として設けられる半導体装置の製造方法およ
び半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】集積回路を有する半導体装置は、近年、
急激な集積度の増加により素子の微細化が進み、配線の
微細化および薄膜化が著しい。これに伴って配線抵抗の
低減やエレクトロマイグレーション寿命（以下、ＥＭ寿
命と呼ぶ。）の確保が重要な課題となっている。従来か
ら配線材料としては主にアルミニウム合金が用いられて
おり、ＥＭ寿命向上のために、現在は１％前後の少量の
銅を含有するものが多用されている。さらに配線の多く
は前記アルミニウム合金層と、この上下層に高融点の金
属化合物からなるバリア層を設けた構造となっている。
例えば、この上下層に用いる高融点金属化合物膜は窒化
チタン、窒化タンタル、窒化タングステンなどである。

【０００３】図７を用いて従来の半導体装置の配線積層
膜構造について説明する。不純物層１３が形成されてい
る半導体基板１１上に絶縁膜１２を形成し、その後、不
純物層１３と、後述する配線材料としてのアルミニウム
合金膜２０との電気的コンタクトを取るため、エッチン
グによりコンタクトホール１４を形成する（図７（ａ）
参照）。次に、コンタクトホール１４へ埋込み層１７を
形成するために、高融点金属化合物膜（または高融点金
属膜でもよい）による第１のバリヤ層１５を積層させて
形成するとともに埋込み層１７用の材料として、例えば
タングステン１６を形成する。

【０００４】このタングステン１６は、ＷＦ₆、Ｓｉ
Ｈ₄、Ｈ₂などの混合ガスを用いたＣＶＤ（Chemical Va
por Deposition）により形成するため、ＷＦ₆と半導体
基板１１のＳｉとの反応によるタングステン１６の異常
成長を抑制する窒化チタン等の高融点金属化合物膜によ
る第１のバリア層１５が必要である。この第１のバリア
層１５はアルゴンと窒素の混合ガスを用いた反応性スパ
ッタにより形成し、例えば、窒化チタンの第１のバリア
層１５を半導体基板１１の全面に成長させた後に、埋込
み層を形成するためにＣＶＤにより半導体基板１１の全
面にタングステン１６を成長させ（図７（ｂ）、（ｃ）
参照）、次に、エッチバック、ＣＭＰ（Chemical Mech
anical Polishing）により埋込み層１７以外のタング
ステン１６を除去する（図７（ｄ）参照）ことにより、
埋込み層１７を形成する。

【０００５】しかしながら、このように、コンタクトホ
ール１４だけでなく、絶縁膜１２の全面についたタング
ステン１６の必要でない部分を除去して、埋込み層１７
部分のタングステン１６だけを埋め込むべく、エッチバ
ックやＣＭＰを用いているが、この際に、エッチバック
やＣＭＰの研磨剤であるスラリー中のアルカリ性溶液に
よって、第１のバリア層１５に表面荒れが発生して窒化
チタンの結晶配向性が劣化してしまう。窒化チタンの結
晶配向性が劣化すると、アルミニウム合金膜の結晶配向
性も劣化し、ＥＭ寿命も劣化するのであるが、一般的に
アルミニウム合金膜の結晶配向性とＥＭ寿命と相関があ
ると言われている。そのため、アルミニウム合金膜の結
晶配向性を向上させるために、第１のバリア層１５の結
晶配向性も向上させる必要がある。このため、図７
（ｄ）の工程が終了した後、アルミニウム合金膜の成膜
前に第２の窒化チタン等の第２のバリア層１８を第１の
バリア層１５の上に再度反応性スパッタにより成膜し、
その上にアルミニウム合金膜２０をスパッタにより成膜
することが行われている（図８参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前記構造によりＥＭ寿
命は向上するが、配線の微細化、薄膜化が進むにつれて
電流密度が向上し、ますますＥＭ寿命の向上が要求され
る。そのため、上記のようなアルミニウム合金膜２０と
バリヤ層１５、１８との組み合わせによる積層膜構造に
より、アルミニウム合金膜２０の結晶配向性などを向上
させることが行われてきているが、このような手法でＥ
Ｍ寿命を向上させるだけでは、要求を満たすことができ
ないため、さらなるアルミニウム合金膜２０自体のＥＭ
寿命の安定的向上が要求される。

【０００７】本発明は、上記の問題を解決するもので、
長いＥＭ寿命を有する配線を形成することができる半導
体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目
的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上
に高融点金属窒化物膜を形成する工程と、前記高融点金
属窒化物膜から窒素の一部を除去して、窒素の一部を除
去された層を形成する工程と、前記高融点金属窒化物膜
上にアルミニウム合金膜を形成する工程とを含むことを
特徴とするものである。

【０００９】この方法によれば、長いＥＭ寿命を有する
配線を形成することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】ＥＭ寿命を安定させるために、従
来からアルミニウム合金膜の結晶配向性を向上させるた
めに下地バリヤ層を設けるとともに、アルミニウム合金
膜成膜条件を詳細（処理チャンバー圧力、成膜圧力、ガ
ス流量、成膜レート等）に管理しているが、それでもＥ
Ｍ寿命が変化する場合があった。そして、アルミニウム
合金膜の成膜条件とグレインサイズとの相関を評価した
結果、成膜条件とグレインサイズとが関係しており、さ
らにＥＭ寿命の変動はグレインサイズの変動と連結して
いることを確認した。そして、グレインサイズがばらつ
く原因は、ウエハから放出される窒素ガス量がウエハに
より異なるためであることを見出し、これに対処した装
置ならびに方法を考え出したものである。

【００１１】すなわち、本発明の半導体装置の製造方法
は、半導体基板上に、窒化チタンのような高融点金属窒
化物膜を形成する工程と、前記高融点金属窒化物膜から
窒素の一部を除去して、窒素の一部を除去された層を形
成する工程と、前記高融点金属窒化物膜上にアルミニウ
ム合金膜を形成する工程とを含むものである。そして高
融点金属窒化物膜から窒素の一部を除去して、窒素の一
部を除去された層を形成する工程は、（１）高融点金属窒化物膜を加熱する方法、または、
（２）高融点金属窒化物膜の形成後に、大気に曝す方
法、（３）高融点金属窒化物膜を窒素以外の不活性ガス
に曝す方法との各方法が使用できる。

【００１２】また、上記加熱する方法においては、特に
加熱温度が１００℃から６００℃の温度範囲内、さらに
加熱時間が３０秒から５分間で行うことが望ましい。ま
た、加熱処理の圧力は１０^-7Ｐａ〜１０^-2Ｐａの間の圧
力状態で行うことが望ましい。さらにまた、上記（３）
の方法に使用する不活性ガスとしてはアルゴンもしくは
アルゴンの混合ガスを特に用いる。

【００１３】以上の製造方法により、後述する説明から
明らかにするように、窒化チタン膜中に存在するチタン
とは結合していない窒素を、アルミニウム合金スパッタ
前に取り除くことによってＥＭ寿命を改善することので
きる所望のアルミニウム合金膜の結晶粒径（グレインサ
イズ）になる。以下、本発明の実施の形態にかかる半導
体装置の製造方法、すなわち半導体基板に、アルミニウ
ム合金を主体とする金属配線膜を形成する方法について
説明する。なお、従来のものと同機能のものには同符号
を付して、その説明は省略する。

【００１４】配線材料としてのアルミニウム合金膜２０
（図１参照）自体のＥＭ寿命は、その結晶粒径（グレイ
ンサイズ）と非常に相関があり、グレインサイズが小さ
くなるとＥＭ寿命が劣化する傾向がある。本発明者はこ
の傾向に注目し、グレインサイズはアルミニウム合金成
膜２０を形成する条件により変化し、特に膜中の窒素含
有量が多いとグレインサイズが小さくなることを見い出
し、配線構造の形成中に窒素が含有することの少ない成
膜工程にすることによってＥＭ長寿命化を図ったもので
ある。

【００１５】このようにＥＭ長寿命化を図るべく、本発
明の半導体装置は、図１に示すように、半導体基板１１
上に形成されるアルミニウム合金膜２０の下方に設けら
れて、アルミニウム合金膜２０の結晶配向性を向上させ
るための高融点金属窒化物膜からなる第２のバリア層１
９に窒素除去処理が施されているものである。この半導
体装置の製造方法は、図２（ａ）に示すように、従来と
同様な手法にて、不純物層１３が形成された半導体基板
１１上に絶縁膜１２を形成した後、コンタクトホール１
４を形成するとともに窒化チタン、窒化タンタル、窒化
タングステンなどの高融点金属窒化物膜からなる第１の
バリア層１５を積層させる。そして、従来と同じ手順
で、コンタクトホール１４の箇所だけにタングステンな
どからなる埋込み層１６を形成し、その後、同じく、窒
化チタン、窒化タンタル、窒化タングステンなどの高融
点金属窒化物膜からなる第２のバリア層１８を積層させ
る（図２（ｂ）参照）。この後、本発明の実施の形態に
おいては、特に、第２のバリア層１８から窒素の一部を
除去し（図２（ｃ）参照）、この窒素の一部が除去され
た第２のバリア層（窒素除去バリア層）１９の上に、配
線材料としてのアルミニウム合金膜２０を形成するもの
である（図２（ｄ）参照）。

【００１６】アルミニウム合金膜２０は一般にスパッタ
リング法で形成されるが、本発明者はまず最初に、アル
ミニウム合金膜２０のスパッタ成膜に関する雰囲気を調
査した。用いたスパッタ成膜装置は図３に示すように、
中心部の多角形型のチャンバー２８を中心として複数の
処理室が付随して構成されている。図３において、２１
は半導体基板１１としてのウエハ２２を入れたカセット
が設置自在とされ、大気圧から真空に排気する機能を有
するロードロック室、２３はアルミニウム合金膜２０を
成膜する前の予備加熱に使用されるプリヒートチャンバ
ーである。また、２４Ａ，２４Ｂは第１および第２のメ
タル層１５、１８を形成する高融点金属スパッタ処理チ
ャンバー、２５は膜形成工程の間で加熱処理を行うチャ
ンバー、２６はアルミニウム合金膜２０を形成するスパ
ッタチャンバー、２７はウエハ２２を各チャンバー２
３、２４Ａ，２４Ｂ、２５、２６などに搬送するための
ウエハ搬送系である。

【００１７】このように一台のスパッタ成膜装置にプリ
ヒート、高融点金属窒化物膜の形成、アルミニウム合金
膜２０の形成等の各プロセスを行う複数のプロセスチャ
ンバーを取り付け、真空中でウエハ２２を搬送させなが
ら連続的に処理を行うようになっており、スパッタ成膜
装置の生産能力を十分に発揮できるものである。このス
パッタ成膜装置において、微量ガスを定量するための質
量分析器（図示せず）を、スパッタチャンバー２６に取
り付けて測定した。

【００１８】ガスを測定した結果を図４に示す。図４の
縦軸は質量分析器で分析したチャンバー中の窒素分圧を
示している。図４から解るようにアルミニウム合金膜２
０を成膜するウエハ２２がスパッタチャンバー２６内に
入ると、窒素分圧が上昇している。すなわち、アルミニ
ウム合金膜２０のスパッタ形成時にターゲット付近のウ
エハ２２が加熱されるため、第２のバリア層１８などが
形成されたウエハ２２から窒素がスパッタチャンバー２
６内に拡散し、そのためにスパッタチャンバー２６内の
窒素分圧が上昇するものである。その結果、成膜中のア
ルミニウム合金膜２０中に取り込まれる窒素量も上昇す
る。

【００１９】このようにウエハ２２から窒素ガスが放出
される原因を調べたところ、以下のことが判明した。す
なわち、アルミニウム合金膜２０を成膜する前のウエハ
２２には、第１、第２のバリア層１５、１８を形成する
ときに、アルゴンと窒素との混合ガスを用いた反応性ス
パッタにより窒化チタンなどの高融点金属の窒化物を成
膜しているが、成膜された窒化チタンの膜中には、チタ
ンと結合していない多量の窒素が存在し、アルミニウム
合金膜２０の成膜中にそこから窒素ガスが放出されるこ
とが明らかとなった。

【００２０】このようなことを踏まえて、後述する方法
によって高融点金属窒化物膜（第２のバリア層１８）か
ら窒素の一部を除去することにより、窒素分圧が上昇し
ないようにしながら、アルミニウム合金膜２０を成膜し
た。そして、成膜したアルミニウム合金膜２０のグレイ
ンサイズを評価した結果、窒素分圧が上昇しないように
しながらアルミニウム合金膜２０を成膜した場合には、
従来の方法で製造したものと比べて、ウエハ２２のグレ
インサイズが約０．１μｍ程度大きくなっており、この
ようにウエハ２２から放出される窒素ガスがグレインサ
イズに影響していることが明らかになった。

【００２１】図２（ｂ）における、１５、１８は従来と
同様な第１、第２のバリヤ層で、具体的には例えばＴｉ
とＴｉＮとの積層膜である。そして、第１のバリヤメタ
ル１５上に、従来の技術において述べた場合と同様に、
再度、第２のバリヤ層１８がスパッタリングを用いて形
成される。そして、図３に示すようなスパッタ成膜装置
において、それぞれの処理チャンバーには高融点金属窒
化物、アルミニウム合金膜２０を成膜するためのターゲ
ットを取り付けている。ここでは高融点金属化合物のス
パッタは高融点金属のターゲットを用いて反応性スパッ
タにより成膜する。以下高融点金属としてチタン、高融
点金属化合物として窒化チタンを代表例として説明す
る。

【００２２】半導体基板１１としてのウエハ２２は第
１、第２のバリア層１５、１８を成膜するために、高融
点金属膜スパッタ処理チャンバー２４Ａ，２４Ｂにロー
ドロック室２１を介して搬送される。ウエハ２２は、ロ
ードロック室２１に搬送された後、高融点金属膜スパッ
タ処理チャンバー２４Ａ，２４Ｂに搬送される前に、大
気除去および水分除去を行うためにプリヒートチャンバ
ー２３で予備加熱を行う。このプリヒートチャンバー２
３の加熱機構は、ランプあるいは抵抗加熱のどちらでも
構わない。高融点金属膜スパッタ処理チャンバー２４
Ａ，２４Ｂに搬送されたウエハ２２は、アルゴンと窒素
との混合ガスを用いた反応性スパッタにより第１、第２
のバリア層１５、１８が形成される。

【００２３】第２のバリア層１８の下層にはタングステ
ンなどの埋込み層１７とのコンタクト抵抗を下げるため
に、Ｔｉのような高融点金属膜をスパッタしても良い。
第２のバリア層１８中には、チタンと反応していない窒
素が多量に存在する。この未反応窒素を第２のバリア層
１８中から取り除くために、本発明では以下に示す５種
類の方法のうちの少なくとも１つの方法を用いた後にア
ルミニウム合金膜２０をスパッタ成膜する。

【００２４】第１の方法：上記未反応窒素は非常に不安
定なため、低温の熱処理で短時間で取り除くことがで
き、例えば、プリヒートチャンバー２３を使い行って未
反応窒素を取り除くことができる。第２のバリア層１８
を成膜後、ウエハ２２をプリヒートチャンバー２３に搬
送し、ウエハ温度が１００℃〜６００℃となる温度範囲
内で、３０秒〜１０分間加熱する。これにより、未反応
窒素を第２のバリア層１８から除去した第２のバリア層
（窒素除去バリア層）１９を形成できるため、この窒素
除去した第２のバリア層１９上に、アルミニウム合金膜
２０を形成する。

【００２５】第２の方法：第１の方法ではウエハ加熱を
プリヒートチャンバー２３により行ったが、これに代え
て、第２の方法においては、上記所望のウエハ温度にな
るように加熱処理チャンバー２５によりウエハ加熱を行
うことで、未反応窒素を除去する。その加熱処理チャン
バー２５の加熱機構はランプ、抵抗加熱どちらの加熱機
構でも良い。その後、窒素除去した第２のバリア層１９
上に、アルミニウム合金膜２０を形成する。

【００２６】第３の方法：第１、第２の方法ではウエハ
加熱をプリヒートチャンバー２３、または加熱処理チャ
ンバー２５により加熱しているが、マグネトロン方式の
スパッタではスパッタ処理チャンバーにもウエハ加熱機
構を備えているので、このウエハ加熱機構により、ウエ
ハ２２を加熱するものである。このウエハ加熱機構は、
抵抗加熱方式が一般的であり、本来、スパッタ中のウエ
ハ温度が所望の温度になるよう制御するために用いてい
るものであるが、この第３の方法では、第２のバリア層
１８中の未反応窒素を除去するための加熱機構として用
いるものである。具体的には、第２のバリア層１８を成
膜した後に、ウエハ２２をアルミニウム合金膜スパッタ
処理チャンバー２６に搬送し、その処理チャンバー２６
内に備えている加熱機構によりウエハ２２を所望の温度
で加熱して未反応窒素を除去し、その後、窒素除去した
第２のバリア層１９上に、アルミニウム合金膜２０を成
膜する。

【００２７】以上の第１〜第３の加熱処理はいずれもス
パッタ装置の減圧可能なチャンバー内で行うものである
が、その圧力としては１０^-7Ｐａ〜１０^-2Ｐａが適当で
ある。減圧下で加熱を行うことによって一層容易に未反
応窒素を除去することができる。第４の方法：第２のバリヤ層１８に含有する未反応窒素
は非常に不安定なため、ウエハ２２を大気に曝すと第２
のバリア層１８から未反応窒素を除去できる。この現象
を利用して、第２のバリア層１８を成膜した後に、ウエ
ハ２２をロードロック室２１を介してスパッタ成膜装置
から取り出して大気暴露を行う。次にアルミニウム合金
膜２０を成膜するために、再度ロードロック２１を介
し、アルミニウム合金膜スパッタ処理チャンバー２６に
ウエハ２２を搬送し、窒素除去した第２のバリア層１９
上に、アルミニウム合金膜２０を成膜する。

【００２８】第５の方法：第４の方法ではウエハ２２を
スパッタ成膜装置から取り出して大気暴露させたが、こ
の第５の方法では、ロードロック室２１でウエハ２２を
保持し、アルゴンガス等の不活性ガスを使用しながらロ
ードロック室２２を常圧もしくは準常圧になるように
し、その中にウエハ２２を保持することにより未反応窒
素を第２のバリア層１８から取り除く。次にアルミニウ
ム合金膜２０を成膜するために、再度ロードロック室２
１を介し、アルミニウム合金膜スパッタ処理チャンバー
２６にウエハを搬送し、窒素除去した第２のバリア層１
９上に、アルミニウム合金膜２０を成膜する。

【００２９】このように、第２のバリア層１８を成膜し
た後に、上記第１〜第５の方法による工程のどれかひと
つ、若しくはこれらを含む複数の工程を行い、その後ア
ルミニウム合金膜２０を成膜する。図５は、第２のバリ
ア層１８を成膜した後に、上記した第１の方法による処
理を行ってアルミニウム合金膜２０を成膜し、その後、
４００℃の温度の水素雰囲気中で１０分間熱処理を加え
たアルミニウム合金膜２０のＦＩＢ観察写真（収束イオ
ンビームによる像）を示す。また、図６は従来の製造方
法で成膜したアルミニウム合金膜２０のＦＩＢ観察写真
を示す。これらのＦＩＢ写真を用いてインターセプト法
によりアルミニウム合金膜２０のグレインサイズを測定
した結果、本発明の製造方法で得られたアルミニウム合
金膜２０のグレインサイズは０．６μｍ、従来の製造方
法でのアルミニウム合金膜２０のグレインサイズは０．
５μｍであり、本発明によりアルミニウム合金膜２０の
グレインサイズは充分成長していることが確認できた。

【００３０】本発明の製造方法によれば、窒化チタンの
ような高融点金属窒化物膜から加熱処理や大気暴露によ
って未反応窒素を除去することにより、アルミニウム合
金膜２０の成膜時に、窒素ガスのアルミニウム合金膜２
０への取り込みが少なくなって、アルミニウム合金膜２
０のグレインサイズを安定して大きくすることができ、
この結果、ＥＭ寿命を従来よりも長くすることができる
とともにそのバラツキが無くなり、安定した配線を有す
る半導体装置を提供することが可能となった。

【００３１】

【発明の効果】以上述べたように本発明の半導体装置の
製造方法、ならびに半導体装置によれば、アルミニウム
合金膜の成膜条件を良好に管理できて、安定したＥＭ寿
命を有するアルミニウム合金膜からなる配線を安定して
形成できるため、高い信頼性を持つ半導体装置を製造す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の構成
を示す断面図。

【図２】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ本発明の実施の形態
にかかる半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図。

【図３】同半導体装置の製造方法に使用するスパッタ成
膜装置の構成を概略的に示す平面図。

【図４】質量分析器を用いて評価したアルミニウム合金
スパッタ処理中のチャンバー内窒素分圧の推移を示す
図。

【図５】本発明の製造方法によるアルミニウム合金膜の
ＦＩＢによる粒子構造の顕微鏡写真（グレイン観察写
真）。

【図６】従来の技術によるアルミニウム合金膜のＦＩＢ
による粒子構造の顕微鏡写真（グレイン観察写真）。

【図７】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ従来の半導体装置の
製造方法の各工程を示す断面図。

【図８】従来の半導体装置の構成を示す断面図。

【符号の説明】

１１半導体基板１２絶縁膜１３不純物層１５第１のバリア層１７埋込み層１９窒素の一部を除去した第２のバリヤ層（窒素の一部を除去した高融点金属窒化物膜）２０アルミニウム合金膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/28 H01L 21/203 H01L 21/768

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に高融点金属窒化物膜を形
成する工程と、前記高融点金属窒化物膜から窒素の一部
を除去して、窒素の一部を除去された層を形成する工程
と、前記高融点金属窒化物膜上にアルミニウム合金膜か
らなる配線材料を形成する工程とを含むことを特徴とす
る、半導体装置の製造方法。
【請求項２】高融点金属窒化物膜から窒素の一部を除
去して、窒素の一部を除去された層を形成する工程が、
高融点金属窒化物膜を加熱することで行われることを特
徴とする、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】高融点金属窒化物膜から窒素の一部を除
去して、窒素の一部を除去された層を形成する工程が、
高融点金属窒化物膜の形成後に大気に曝すことで行われ
ることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項４】高融点金属窒化物膜から窒素の一部を除
去して、窒素の一部を除去された層を形成する工程が、
高融点金属窒化物膜を窒素以外の不活性ガスに曝すこと
で行われることを特徴とする、請求項１記載の半導体装
置の製造方法。
【請求項５】請求項２に記載の工程における加熱温度
が１００℃から６００℃の温度範囲内で行うことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】請求項５記載の工程における加熱時間が
３０秒から５分間の間であることを特徴とする半導体装
置の製造方法。
【請求項７】請求項２、５、または６のいずれかに記
載の加熱処理の圧力状態が１０^−７Ｐａ〜１０^−２Ｐａ
の間の圧力状態で行うことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
【請求項８】請求項４記載の不活性ガスがアルゴンも
しくはアルゴンの混合ガスであることを特徴とする半導
体装置の製造方法。
【請求項９】半導体基板上に高融点金属窒化物膜が形
成され、この高融点金属窒化物膜上にアルミニウム合金
膜からなる配線材料が形成されてなる半導体装置であっ
て、前記高融点金属窒化物膜から窒素の一部を除去され
た層が形成されている半導体装置。