JPH0882659A - 印加パターン設定回路 - Google Patents
印加パターン設定回路Info
- Publication number
- JPH0882659A JPH0882659A JP6305329A JP30532994A JPH0882659A JP H0882659 A JPH0882659 A JP H0882659A JP 6305329 A JP6305329 A JP 6305329A JP 30532994 A JP30532994 A JP 30532994A JP H0882659 A JPH0882659 A JP H0882659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- signal
- pattern
- setting circuit
- pattern setting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 異なるアドレスを有する複数の被測定デバイ
スを測定する場合に、共通なパターン発生により全デバ
イスを同時測定できる印加パターン設定回路を提供す
る。 【構成】 被測定デバイスに対応した、各反転制御信号
により、パターン発生器1からの印加信号を反転する、
出力反転回路(301、302、303、304)を設
けて、全被測定デバイス共通のパターン信号を被測定デ
バイス個別のパターン信号に変換するように、印加パタ
ーン設定回路を構成する。この出力反転回路の構成とし
て、印加信号を反転するインバータを設け、当該反転制
御信号により、当該インバータ出力か当該インバータ入
力信号かを選択出力するセレクタを設けて印加パターン
設定回路を構成しても良い。
スを測定する場合に、共通なパターン発生により全デバ
イスを同時測定できる印加パターン設定回路を提供す
る。 【構成】 被測定デバイスに対応した、各反転制御信号
により、パターン発生器1からの印加信号を反転する、
出力反転回路(301、302、303、304)を設
けて、全被測定デバイス共通のパターン信号を被測定デ
バイス個別のパターン信号に変換するように、印加パタ
ーン設定回路を構成する。この出力反転回路の構成とし
て、印加信号を反転するインバータを設け、当該反転制
御信号により、当該インバータ出力か当該インバータ入
力信号かを選択出力するセレクタを設けて印加パターン
設定回路を構成しても良い。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、被測定デバイスを試験
するための試験パターンを発生し、複数の被測定デバイ
スを同時に測定する場合に、各デバイス毎に印加するパ
ターンの設定を行う印加パターン設定回路に関する。
するための試験パターンを発生し、複数の被測定デバイ
スを同時に測定する場合に、各デバイス毎に印加するパ
ターンの設定を行う印加パターン設定回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、メモリデバイスの試験におい
て、メモリの内部セルに不良個所が発見され、その不良
個所を予備セルに置き換える場合において、置き換えら
れた予備セルを他の置き換えていないセルと論理を一致
させるため、予備セル側のアドレスを指定する必要があ
る。
て、メモリの内部セルに不良個所が発見され、その不良
個所を予備セルに置き換える場合において、置き換えら
れた予備セルを他の置き換えていないセルと論理を一致
させるため、予備セル側のアドレスを指定する必要があ
る。
【0003】図6は、試験対象となるデバイス(以下D
UTと称す)ごとのメモリセルの配置例である。DUT
1、DUT2、DUT3、DUT4は、試験結果から不
良セルが見つかり、その不良セルを予備セルに置き換え
た状態を示している。ここで、各DUTのアドレスは、
A0−A5で構成され、アドレスA0−A2と、A3−
A5はアドレスマルチプレクスされるものとし、(A0
−A2)の単位で予備セルとの置き換えが行われる。図
7は、各DUTの予備セルに置き換えられたセルのアド
レス例を示す。図7で示すように、一般に各DUTによ
り予備セルに置き換えられたセルのアドレスが異なるた
め、予備セルに対して書き込み試験を行う場合には、各
DUTに与えるアドレスが共通とならない。
UTと称す)ごとのメモリセルの配置例である。DUT
1、DUT2、DUT3、DUT4は、試験結果から不
良セルが見つかり、その不良セルを予備セルに置き換え
た状態を示している。ここで、各DUTのアドレスは、
A0−A5で構成され、アドレスA0−A2と、A3−
A5はアドレスマルチプレクスされるものとし、(A0
−A2)の単位で予備セルとの置き換えが行われる。図
7は、各DUTの予備セルに置き換えられたセルのアド
レス例を示す。図7で示すように、一般に各DUTによ
り予備セルに置き換えられたセルのアドレスが異なるた
め、予備セルに対して書き込み試験を行う場合には、各
DUTに与えるアドレスが共通とならない。
【0004】図3は、従来の半導体試験装置の内、DU
Tに対するアドレス設定部分を示すものである。パター
ン発生器1から発生されたnビットからなるアドレス信
号は、波形整形部(21、22、2n)において被測定
デバイス(DUT1、DUT2、DUT3、DUT4)
に適合する信号波形に整形される。例えば、アドレスの
セットアップやホールドタイムを試験するのに好適なS
BC波形に変換を行う。図4は、SBC波形の例であ
る。図4に示すように、パターンデータ”1”であるサ
イクルで、ポジティブ・パルスが生成され、パターンデ
ータ”0”であるサイクルで、ネガティブ・パルスが生
成される。
Tに対するアドレス設定部分を示すものである。パター
ン発生器1から発生されたnビットからなるアドレス信
号は、波形整形部(21、22、2n)において被測定
デバイス(DUT1、DUT2、DUT3、DUT4)
に適合する信号波形に整形される。例えば、アドレスの
セットアップやホールドタイムを試験するのに好適なS
BC波形に変換を行う。図4は、SBC波形の例であ
る。図4に示すように、パターンデータ”1”であるサ
イクルで、ポジティブ・パルスが生成され、パターンデ
ータ”0”であるサイクルで、ネガティブ・パルスが生
成される。
【0005】波形整形部(21、22、2n)からの出
力信号は、出力分岐部(31、32、3n)でDUTの
個数だけ信号分岐がなされる。図3に示すように、単純
な分岐回路となっており、DUT1−DUT4に共通な
信号が出力される。このため、DUT1−DUT4の各
々に異なったアドレスを指定したい場合には、パターン
発生器1のアドレスをその都度変更して半導体試験を繰
り返し行う。
力信号は、出力分岐部(31、32、3n)でDUTの
個数だけ信号分岐がなされる。図3に示すように、単純
な分岐回路となっており、DUT1−DUT4に共通な
信号が出力される。このため、DUT1−DUT4の各
々に異なったアドレスを指定したい場合には、パターン
発生器1のアドレスをその都度変更して半導体試験を繰
り返し行う。
【0006】図5に、パターン発生器から発生するアド
レスを示す。DUT1に印加する、A0−A2として、
#0を発生し、予備セルに対して書き込み可能とする。
次に、DUT3に印加する、A0−A2として、#3を
発生し、子備セルに対して書き込み可能とする。次に、
DUT2に印加する、A0−A2として、#4を発生
し、予備セルに対して書き込み可能とする。次に、DU
T4に印加する、A0−A2として、#6を発生し、予
備セルに対して書き込み可能とする。従って、通常、D
UTの個数回の試験時間を要することになる。
レスを示す。DUT1に印加する、A0−A2として、
#0を発生し、予備セルに対して書き込み可能とする。
次に、DUT3に印加する、A0−A2として、#3を
発生し、子備セルに対して書き込み可能とする。次に、
DUT2に印加する、A0−A2として、#4を発生
し、予備セルに対して書き込み可能とする。次に、DU
T4に印加する、A0−A2として、#6を発生し、予
備セルに対して書き込み可能とする。従って、通常、D
UTの個数回の試験時間を要することになる。
【0007】上述のように、従来のアドレス設定回路を
有するパターン発生に於いては、各DUTごとに別々の
アドレスを指定する場合、パターン発生器で発生するア
ドレスを変更し、DUT1個ずつ指定しなければならな
い。このため、DUT複数個の同時測定ができず、試験
時間の増大を招くという欠点を有する。
有するパターン発生に於いては、各DUTごとに別々の
アドレスを指定する場合、パターン発生器で発生するア
ドレスを変更し、DUT1個ずつ指定しなければならな
い。このため、DUT複数個の同時測定ができず、試験
時間の増大を招くという欠点を有する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的はこれ
らの欠点を一掃し、異なる予備セルの割り当て等によ
る、異なるアドレスを有する複数の被測定デバイスを測
定する場合に、共通なパターン発生により全デバイスを
同時測定できる印加パターン設定回路を提供することを
目的とする。
らの欠点を一掃し、異なる予備セルの割り当て等によ
る、異なるアドレスを有する複数の被測定デバイスを測
定する場合に、共通なパターン発生により全デバイスを
同時測定できる印加パターン設定回路を提供することを
目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】被測定デバイス(41、
42、43、44)に対応した、各反転制御信号(31
9、320、321、322)により、パターン発生器
1からの印加信号を反転する、出力反転回路(301、
302、303、304)を設ける。そして、複数の当
該出力反転回路から成り、全被測定デバイス共通のパタ
ーン信号を被測定デバイス個別のパターン信号に変換す
る複数の出力分岐部(31、32、3n)を設けて、印
加パターン設定回路を構成する。
42、43、44)に対応した、各反転制御信号(31
9、320、321、322)により、パターン発生器
1からの印加信号を反転する、出力反転回路(301、
302、303、304)を設ける。そして、複数の当
該出力反転回路から成り、全被測定デバイス共通のパタ
ーン信号を被測定デバイス個別のパターン信号に変換す
る複数の出力分岐部(31、32、3n)を設けて、印
加パターン設定回路を構成する。
【0010】当該出力反転回路(301、302、30
3、304)は、波形整形部(21、22、2n)の後
段に設けても良いし、前段に設けても良い。
3、304)は、波形整形部(21、22、2n)の後
段に設けても良いし、前段に設けても良い。
【0011】当該出力反転回路(301、302、30
3、304)の構成として、印加信号を反転するインバ
ータ(315、316、317、318)を設け、当該
反転制御信号(319、320、321、322)によ
り、当該インバータ出力か当該インバータ入力信号かを
選択出力するセレクタ(311、312、313、31
4)を設けて印加パターン設定回路を構成しても良い。
3、304)の構成として、印加信号を反転するインバ
ータ(315、316、317、318)を設け、当該
反転制御信号(319、320、321、322)によ
り、当該インバータ出力か当該インバータ入力信号かを
選択出力するセレクタ(311、312、313、31
4)を設けて印加パターン設定回路を構成しても良い。
【0012】また、当該出力反転回路(301、30
2、303、304)の構成として、設定信号を記憶す
る記憶素子を設け、当該反転制御信号(319、32
0、321、322)により、当該記憶素子出力か当該
入力信号かを選択出力するセレクタ(311、312、
313、314)を設けて、印加パターン設定回路を構
成しても良い。
2、303、304)の構成として、設定信号を記憶す
る記憶素子を設け、当該反転制御信号(319、32
0、321、322)により、当該記憶素子出力か当該
入力信号かを選択出力するセレクタ(311、312、
313、314)を設けて、印加パターン設定回路を構
成しても良い。
【0013】
【作用】この発明によれば、出力反転回路301では、
制御信号CA319が”0”の場合には、セレクタ31
1が非反転信号を選択し、出力を行う。制御信号CA3
19が”1”の場合には、セレクタ311が、インバー
タ315を通じて入力信号を反転した反転信号を選択
し、出力を行う。このように、本回路により、デバイス
の同時測定の場合にパターン発生器で発生するパターン
の変更をすることなく、出力分岐部の反転制御で、DU
T毎にパターンを反転して印加することができる。この
ように、異なるアドレスを有する複数の被測定デバイス
を測定する場合に、共通なパターン発生により全デバイ
スを同時測定できる。
制御信号CA319が”0”の場合には、セレクタ31
1が非反転信号を選択し、出力を行う。制御信号CA3
19が”1”の場合には、セレクタ311が、インバー
タ315を通じて入力信号を反転した反転信号を選択
し、出力を行う。このように、本回路により、デバイス
の同時測定の場合にパターン発生器で発生するパターン
の変更をすることなく、出力分岐部の反転制御で、DU
T毎にパターンを反転して印加することができる。この
ように、異なるアドレスを有する複数の被測定デバイス
を測定する場合に、共通なパターン発生により全デバイ
スを同時測定できる。
【0014】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。
する。
【0015】図1は本発明の実施例を示す印加パターン
設定回路のブロック図である。パターン発生器1で発生
したアドレス信号は、出力分岐部(31、32、3n)
に与えられる。出力分岐部31には、出力反転回路(3
01、302、303、304)を設ける。
設定回路のブロック図である。パターン発生器1で発生
したアドレス信号は、出力分岐部(31、32、3n)
に与えられる。出力分岐部31には、出力反転回路(3
01、302、303、304)を設ける。
【0016】出力反転回路301では、制御信号CA3
19が”0”の場合には、セレクタ311が非反転信号
を選択し、出力を行う。制御信号CA319が”1”の
場合には、セレクタ311が、インバータ315を通じ
て入力信号を反転した反転信号を選択し、出力を行う。
出力反転回路はDUTの個数分を設ける。図1の実施例
の場合には4個の出力反転回路(301、302、30
3、304)を設ける。
19が”0”の場合には、セレクタ311が非反転信号
を選択し、出力を行う。制御信号CA319が”1”の
場合には、セレクタ311が、インバータ315を通じ
て入力信号を反転した反転信号を選択し、出力を行う。
出力反転回路はDUTの個数分を設ける。図1の実施例
の場合には4個の出力反転回路(301、302、30
3、304)を設ける。
【0017】出力分岐部は、必要なビット数分を設け
る。例えば、図6の例によるDUTの場合には、A0,
A1,A2に対応する少なくとも3ビット分の構成によ
る出力分岐部(31、32、3n)を設ける。
る。例えば、図6の例によるDUTの場合には、A0,
A1,A2に対応する少なくとも3ビット分の構成によ
る出力分岐部(31、32、3n)を設ける。
【0018】図2に、DUT1−DUT4に対応する反
転制御信号の設定例を示す。パターン発生器1には、共
通のアドレス信号を発生する。本例では、#0とする。
アドレス#0のパターンは、各出力分岐部(31、3
2、3n)に印加され、さらに各分岐ピンに対応した出
力反転回路(301、302、303、304)の入力
端に印加される。出力反転回路の制御は、各制御信号
(CA、CB、CC、CD)により行う。
転制御信号の設定例を示す。パターン発生器1には、共
通のアドレス信号を発生する。本例では、#0とする。
アドレス#0のパターンは、各出力分岐部(31、3
2、3n)に印加され、さらに各分岐ピンに対応した出
力反転回路(301、302、303、304)の入力
端に印加される。出力反転回路の制御は、各制御信号
(CA、CB、CC、CD)により行う。
【0019】図2に示すように、DUT1に対応する反
転制御信号CA319としては、#0を印加する。従っ
てこの場合は全ビットに対して反転は行われず、#0が
そのままDUT1にアドレスとして信号として印加され
る。DUT2に対応する反転制御信号CB320として
は、#4を印加する。従って、#4がDUT2にアドレ
スとして信号として印加される。DUT3に対応する反
転制御信号CC321としては、#3を印加する。従っ
て、#3がDUT3にアドレスとして信号として印加さ
れる。DUT4に対応する反転制御信号CD322とし
ては、#6を印加する。従って、#6がDUT4にアド
レスとして信号として印加される。
転制御信号CA319としては、#0を印加する。従っ
てこの場合は全ビットに対して反転は行われず、#0が
そのままDUT1にアドレスとして信号として印加され
る。DUT2に対応する反転制御信号CB320として
は、#4を印加する。従って、#4がDUT2にアドレ
スとして信号として印加される。DUT3に対応する反
転制御信号CC321としては、#3を印加する。従っ
て、#3がDUT3にアドレスとして信号として印加さ
れる。DUT4に対応する反転制御信号CD322とし
ては、#6を印加する。従って、#6がDUT4にアド
レスとして信号として印加される。
【0020】上述のように、本回路により、デバイスの
同時測定の場合にパターン発生器で発生するパターンの
変更をすることなく、出力分岐部の反転制御で、DUT
毎にパターンを反転して印加することができる。
同時測定の場合にパターン発生器で発生するパターンの
変更をすることなく、出力分岐部の反転制御で、DUT
毎にパターンを反転して印加することができる。
【0021】上述の実施例は、出力反転回路(301、
302、303、304)の構成を、インバータ(31
5、316、317、318)とセレクタ(311、3
12、313、314)により行っているが、この構成
の代わりに、メモリ素子を設け、このメモリに一定のデ
ータを設定し、セレクタ(311、312、313、3
14)により選択するように、構成してもよい。
302、303、304)の構成を、インバータ(31
5、316、317、318)とセレクタ(311、3
12、313、314)により行っているが、この構成
の代わりに、メモリ素子を設け、このメモリに一定のデ
ータを設定し、セレクタ(311、312、313、3
14)により選択するように、構成してもよい。
【0022】また、上述の実施例の出力反転回路(30
1、302、303、304)は、波形整形回路(2
1、22、2n)の後段に設けても良いし、波形整形回
路(21、22、2n)の前段に設けても良い。
1、302、303、304)は、波形整形回路(2
1、22、2n)の後段に設けても良いし、波形整形回
路(21、22、2n)の前段に設けても良い。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように本発明は構成されて
いるので、次に記載する効果を奏する。異なる予備セル
の割り当て等による、異なるアドレスを有する複数の被
測定デバイスを測定する場合に、共通なパターン発生に
より全デバイスを同時測定できる印加パターン設定回路
を提供できた。例えば、DUT4個に対して、従来4回
の試験実行を要していたものが、同時測定1回で試験終
了するので、試験時間を4分の1に低減できる。
いるので、次に記載する効果を奏する。異なる予備セル
の割り当て等による、異なるアドレスを有する複数の被
測定デバイスを測定する場合に、共通なパターン発生に
より全デバイスを同時測定できる印加パターン設定回路
を提供できた。例えば、DUT4個に対して、従来4回
の試験実行を要していたものが、同時測定1回で試験終
了するので、試験時間を4分の1に低減できる。
【図1】本発明の実施例を示す印加パターン設定回路の
ブロック図である。
ブロック図である。
【図2】DUT1−DUT4に対応する反転制御信号の
設定例を示す。
設定例を示す。
【図3】従来の半導体試験装置の内、DUTに対するア
ドレス設定部分を示す。
ドレス設定部分を示す。
【図4】SBC波形の例を示す。
【図5】パターン発生器から発生するアドレスを示す。
【図6】試験対象となるデバイス(以下DUTと称す)
ごとのメモリセルの配置例である。
ごとのメモリセルの配置例である。
【図7】各DUTの予備セルに置き換えられたセルのア
ドレス例を示す。
ドレス例を示す。
1 パターン発生器 21、22、2n 波形整形部 31、32、3n 出力分岐部 41 DUT1 42 DUT2 43 DUT3 44 DUT4 301、302、303、304 出力反転回路 311、312、313、314 セレクタ 315、316、317、318 インバータ 319、320、321、322 反転制御信号
Claims (4)
- 【請求項1】 被測定デバイス(41、42、43、4
4)に対応した、各反転制御信号(319、320、3
21、322)により、パターン発生器(1)からの印
加信号を反転する、出力反転回路(301、302、3
03、304)を設け、 複数の当該出力反転回路から成り、全被測定デバイス共
通のパターン信号を被測定デバイス個別のパターン信号
に変換する複数の出力分岐部(31、32、3n)を設
けたことを特徴とする印加パターン設定回路。 - 【請求項2】 当該出力分岐部(31、32、3n)へ
の印加信号は、当該パターン発生器(1)の出力を入力
し、パターンビット毎に、被測定デバイスの波形に適合
した整形を行う波形整形部(21、22、2n)から出
力した印加信号である、請求項1記載の印加パターン設
定回路。 - 【請求項3】 当該出力反転回路(301、302、3
03、304)は、 印加信号を反転するインバータ(315、316、31
7、318)と、 当該反転制御信号(319、320、321、322)
により、当該インバータ出力か当該インバータ入力信号
かを選択出力するセレクタ(311、312、313、
314)とから成る、請求項1又は請求項2記載の印加
パターン設定回路。 - 【請求項4】 当該出力反転回路(301、302、3
03、304)は、設定信号を記憶する記憶素子と、 当該反転制御信号(319、320、321、322)
により、当該記憶素子出力か当該入力信号かを選択出力
するセレクタ(311、312、313、314)とか
ら成る、請求項1又は請求項2記載の印加パターン設定
回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6305329A JPH0882659A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 印加パターン設定回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6305329A JPH0882659A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 印加パターン設定回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0882659A true JPH0882659A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=17943809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6305329A Withdrawn JPH0882659A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 印加パターン設定回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0882659A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001091598A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-06 | Advantest Corp | 波形フォーマッタ・この波形フォーマッタを搭載した半導体デバイス試験装置 |
WO2003052767A1 (fr) * | 2001-11-15 | 2003-06-26 | Advantest Corporation | Appareil destine a tester des semi-conducteurs |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP6305329A patent/JPH0882659A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001091598A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-06 | Advantest Corp | 波形フォーマッタ・この波形フォーマッタを搭載した半導体デバイス試験装置 |
WO2003052767A1 (fr) * | 2001-11-15 | 2003-06-26 | Advantest Corporation | Appareil destine a tester des semi-conducteurs |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4334285B2 (ja) | 半導体試験装置及びその制御方法 | |
KR100544213B1 (ko) | 데이터 직렬변환기를 구비한 반도체 테스터 | |
JP3871384B2 (ja) | 半導体メモリ試験装置用不良解析メモリ | |
JPH09128998A (ja) | テスト回路 | |
JP4377238B2 (ja) | 半導体試験装置 | |
US6490700B1 (en) | Memory device testing apparatus and data selection circuit | |
JPH0882659A (ja) | 印加パターン設定回路 | |
JP3298955B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH11316259A (ja) | 半導体試験装置およびこれを用いた半導体試験方法 | |
JPH07104386B2 (ja) | 論理回路試験装置 | |
JP3879618B2 (ja) | 半導体集積回路試験装置及び方法 | |
JP2001222897A (ja) | 半導体試験装置 | |
JPH08293734A (ja) | 波形発生装置 | |
JP5003953B2 (ja) | 半導体試験装置 | |
JPS6348479A (ja) | Icテスト装置 | |
JP3185187B2 (ja) | Ic試験装置 | |
JP2864880B2 (ja) | 半導体メモリic試験装置 | |
JP3001012B2 (ja) | メモリ試験装置 | |
JP4922506B2 (ja) | 半導体メモリ試験装置 | |
JP3264812B2 (ja) | Ic試験装置のタイミング同期方式 | |
JPH0688859A (ja) | 半導体試験装置用波形発生装置 | |
JP2001176300A (ja) | メモリ検査装置 | |
JPH02271273A (ja) | Lsi評価装置 | |
JPH0877796A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPH05281292A (ja) | Ad回路を使用するicテスタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011120 |