JPH0869308A - メモリ容量設定方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 メモリカードに退避したデータ容量より大き
い記憶容量の不揮発性メモリに対しても、退避データを
入力することができるようにする。 【構成】 メモリカード４０は、任意の数値制御装置の
退避元不揮発性メモリ６０から一括退避した退避データ
を格納している。読取手段１０ａは、数値制御装置１０
内において、電源投入時にメモリカード４０が装着され
ていることを認識すると、退避データ４１のデータ容量
を読み取る。比較手段１０ｂは、データ容量と、不揮発
性メモリ１４の記憶容量とを比較する。メモリマップ設
定手段１０ｃは、比較手段１０ｂによる比較の結果、不
揮発性メモリ１４の記憶容量の方が大きい場合には、不
揮発性メモリ１４用のメモリマップに、退避データ４１
のデータ容量に対応するメモリマップを設定する。これ
により、不揮発性メモリ１４は、仮想的に、退避データ
４１のデータ容量と同じ記憶容量であるとして認識され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はバッテリでバックアップ
された不揮発性メモリを有する数値制御装置のメモリ容
量設定方式に関し、特にメモリカードから不揮発性メモ
リ内にデータの入力を行う数値制御装置のメモリ容量設
定方式に関する。

【０００２】

【従来の技術】数値制御装置では、電源切断後も保持す
べきデータを格納するためにバッテリでバックアップさ
れた不揮発性メモリが設けられている。この不揮発性メ
モリに格納されるデータは、パラメータ、ＮＣプログラ
ム、ラダープログラム等である。

【０００３】さらに、通常の数値制御装置では、メモリ
カードが装着できるようになっている。メモリカード
は、バッテリでバックアップされたＳＲＡＭが内蔵さ
れ、各種データを保持できる。

【０００４】そして、不揮発性メモリ内に保持されてい
るデータは、メモリカードに一括に退避させることがで
きる（以後、この不揮発性メモリを退避元不揮発性メモ
リと呼ぶ）。一括退避を行うと、退避元不揮発性メモリ
の記憶容量と同じ容量のデータが、メモリカード内に格
納される（以後、このデータを退避データと呼ぶ）。デ
ータを退避させる場合としては、システムアラームの発
生時や、他の数値制御装置に同じデータを記憶させる必
要が生じた場合等である。このメモリカード内の退避デ
ータは、不揮発性メモリを有する任意の数値制御装置内
に入力することができる。

【０００５】このように、不揮発性メモリ内のデータを
一括でメモリカード内に退避し、その後、任意の数値制
御装置内の不揮発性メモリ内に入力できるため、保守作
業等で不揮発性メモリ内のデータを失ってしまう危険性
がなくなる。また、メモリカードに退避させたデータ
を、同じような工作機械の制御を行う他の数値制御装置
の不揮発性メモリに格納することもできる。つまり、一
つの数値制御装置内に蓄積された各種データを、他の数
値制御装置で簡単に利用することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、メモリカード
内の退避データを、任意の数値制御装置の不揮発性メモ
リ内に入力する場合、退避データのデータ容量と転送先
の不揮発性メモリの記憶容量が一致していなければなら
なかった。もし、一致していない場合には、電源投入時
にアラーム信号が出力され入力指令は実行されない。

【０００７】これは、次のような理由による。数値制御
装置は、電源投入時に不揮発性メモリの記憶容量を確認
し、その記憶容量に対応したメモリマップを設定する。
このメモリマップは、不揮発性メモリの記憶容量ごとに
別々に用意されている。メモリマップでは、不揮発性メ
モリのアドレスを複数の領域に分割し、どの領域にどの
ようなデータを格納するかが決められている。

【０００８】そして、メモリカード内の退避データが数
値制御装置の不揮発性メモリ内に入力されると、そのデ
ータはアドレスの低い方から順に格納される。従って、
退避データが、容量の小さい不揮発性メモリから退避し
たデータであると、実際に格納されたデータが、メモリ
マップの設定で決められている領域に格納されない。例
えば、加工プログラムを格納すべき領域にパラメータが
格納されてしまう。

【０００９】この状態では、数値制御装置は不揮発性メ
モリ内のデータを正しく認識することができない。この
ような事態を避けるために、メモリカードの退避データ
のデータ容量と書き込まれる不揮発性メモリの記憶容量
が一致していない場合には、電源投入時にアラーム信号
を出力し、不揮発性メモリに対する退避データの入力指
令を禁止している。

【００１０】このように、従来はメモリカードに退避さ
れたデータの容量と、入力される不揮発性メモリの記憶
容量が一致していないと、メモリカードに退避したデー
タを不揮発性メモリ内に入力することができないという
問題点があった。

【００１１】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、メモリカードに退避したデータ容量より大き
い記憶容量の不揮発性メモリを有する数値制御装置に対
しても、退避データを入力することができる数値制御装
置のメモリ容量設定方式を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、バッテリでバックアップされた不揮発性
メモリを有する数値制御装置のメモリ容量設定方式にお
いて、退避元不揮発性メモリから一括退避した退避デー
タを格納しているメモリカードと、前記数値制御装置内
において、電源投入時に前記メモリカードが装着されて
いることを認識すると、前記退避データのデータ容量を
読み取る読取手段と、前記データ容量と、前記不揮発性
メモリの記憶容量とを比較する比較手段と、前記比較手
段による比較の結果、前記不揮発性メモリの記憶容量の
方が大きい場合には、前記不揮発性メモリ用のメモリマ
ップに、前記データ容量に対応するメモリマップを設定
するメモリマップ設定手段と、を有することを特徴とす
るメモリ容量設定方式が提供される。

【００１３】また、前記不揮発性メモリ内で使用可能と
すべき領域のデータ容量を入力する入力手段と、前記デ
ータ容量と、前記不揮発性メモリの記憶容量とを比較す
る比較手段と、前記比較手段による比較の結果、前記不
揮発性メモリの記憶容量の方が大きい場合には、前記不
揮発性メモリ用のメモリマップに、前記データ容量に対
応するメモリマップを設定するメモリマップ設定手段
と、を有することを特徴とするメモリ容量設定方式が提
供される。

【００１４】

【作用】メモリ容量を自動設定する場合には、メモリカ
ードは、任意の数値制御装置の退避元不揮発性メモリか
ら一括退避した退避データを格納している。読取手段
は、数値制御装置内において、電源投入時にメモリカー
ドが装着されていることを認識すると、退避データのデ
ータ容量を読み取る。比較手段は、データ容量と、不揮
発性メモリの記憶容量とを比較する。設定手段は、比較
手段による比較の結果、不揮発性メモリの記憶容量の方
が大きい場合には、不揮発性メモリ用のメモリマップ
に、退避データのデータ容量に対応するメモリマップを
設定する。

【００１５】また、メモリ容量を手動入力により設定す
る場合には、入力手段は、不揮発性メモリ内で使用可能
とすべき領域のデータ容量を入力する。比較手段は、デ
ータ容量と、不揮発性メモリの記憶容量とを比較する。
メモリマップ設定手段は、比較手段による比較の結果、
不揮発性メモリの記憶容量の方が大きい場合には、不揮
発性メモリ用のメモリマップに、退避データのデータ容
量に対応するメモリマップを設定する。

【００１６】これにより、不揮発性メモリは、仮想的
に、退避データのデータ容量と同じ記憶容量であるとし
て認識され、退避データのデータ容量より大きい記憶容
量の不揮発性メモリに対しても、退避データを入力する
ことができるようになる。

【００１７】また、手動操作でデータ容量を設定するこ
とにより、不揮発性メモリの記憶容量を任意の値で認識
させることができる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明のメモリ容量設定方式の概略構成を
示すブロック図である。図において、数値制御装置１０
には、メモリカード４０を装着することができる。この
メモリカード４０内には、退避データ４１が格納されて
いる。この退避データ４１は、任意の数値制御装置内の
退避元不揮発性メモリ６０に格納されていた加工プログ
ラム等のデータを、一括退避させたものである。この退
避元不揮発性メモリ６０は、図１に示す数値制御装置１
０内に以前実装されていた不揮発性メモリであっても良
いし、他の数値制御装置内に実装されていた不揮発性メ
モリであっても良い。

【００１９】数値制御装置１０内において、読取手段１
０ａは、電源投入時にメモリカード４０が装着されてい
ることを認識すると、メモリカード４０に格納されてい
る退避データ４１のデータ容量を読み取り、データ容量
情報１３ａとしてＲＡＭ１３に格納する。

【００２０】このデータ容量情報１３ａは、電源投入時
にキーボード等を用いた入力手段２０ａから手動操作で
入力することもできる。手動操作で入力を行う場合に
は、メモリカード４０が装着されている必要はない。

【００２１】この時、同時に不揮発性メモリ１４の記憶
容量情報１３ｂがＲＡＭ１３内に格納される。不揮発性
メモリ１４には、種類別にＩＤコードが設定されてお
り、そのＩＤコードにより記憶容量が認識される。

【００２２】比較手段１０ｂは、データ容量情報１３ａ
と記憶容量情報１３ｂとを比較する。比較の結果、退避
データ４１のデータ容量の方が不揮発性メモリ１４の記
憶容量より大きいか、あるいは同じ大きさの場合には、
ＲＡＭ１３内のメモリ容量変更フラグ１３ｃを「０」に
しておく。不揮発性メモリ１４の記憶容量の方が退避デ
ータ４１のデータ容量より大きい場合には、メモリ容量
変更フラグ１３ｃを「１」にする。

【００２３】Ｒ０Ｍ１２には、不揮発性メモリの記憶容
量に応じた複数のメモリマップ１２ａ、１２ｂ、１２ｃ
が格納されている。そして、メモリマップ設定手段１０
ｃは、メモリ容量設定フラグ１３ｃの値が「０」の場合
には、記憶容量情報１３ｂを参照し、不揮発性メモリ１
４の記憶容量に対応するメモリマップをＲＡＭ１３に転
送する。また、メモリ容量設定フラグ１３ｃの値が
「１」の場合には、データ容量情報１３ａを参照し、退
避データ４１のデータ容量に対応するメモリマップをＲ
ＡＭ１３に転送する。

【００２４】ＲＡＭ１３に転送されたメモリマップは、
現行メモリマップ１３ｄとして格納される。そして、数
値制御装置１０における不揮発性メモリ１４に対するア
クセスは、全てこの現行メモリマップ１３ｄを用いて行
われる。

【００２５】このように、不揮発性メモリ１４が、退避
データ４１を格納できるだけの記憶容量を有する場合に
は、退避データ４１のデータ容量に応じたメモリマップ
が設定される。その結果、退避データ４１を不揮発性メ
モリ１４に入力し、使用することが可能となる。

【００２６】また、入力手段２０ａを用いた手動操作に
より、設定すべきメモリマップを任意に選択することが
できる。従って、不揮発性メモリ１４が、あたかも別の
記憶容量を有しているかのように使用することができ
る。例えば、７６８ＫＢの不揮発性メモリであっても、
２５６ＫＢの記憶容量であるかのように使用することが
できる。これにより、２５６ＫＢの退避データ４１をい
つでも不揮発性メモリ１４内に入力することができる。

【００２７】なお、退避データ４１が不揮発性メモリ１
４に入力されると、メモリ容量変更フラグ１３ｃとデー
タ容量情報１３ａは不揮発性メモリ１４に格納される。
そして、電源が再投入された場合には、数値制御装置１
０はメモリ容量変更フラグ１３ｃが設定されているか否
かを確認し、メモリ容量変更フラグ１３ｃが設定されて
いれば、不揮発性メモリ１４に格納されているデータ容
量情報１３ａに対応するメモリマップを設定する。これ
で電源再投入時にも、不揮発性メモリ１４内のデータに
アクセスできるようになる。

【００２８】図２は、本発明の数値制御装置のハードウ
ェアの概略構成を示すブロック図である。数値制御装置
はプロセッサ１１を中心に構成されている。プロセッサ
１１はＲＯＭ１２に格納されたシステムプログラムに従
って数値制御装置全体を制御する。さらに、ＲＯＭ１２
には不揮発性メモリ用の複数のメモリマップが格納され
ている。このＲＯＭ１２にはＥＰＲＯＭあるいはＥＥＰ
ＲＯＭが使用される。

【００２９】ＲＡＭ１３にはＳＲＡＭ等が使用され、一
時的な計算データ、表示データ、入出力信号等が格納さ
れる。不揮発性メモリ１４には図示されていないバッテ
リによってバックアップされたＣＭＯＳが使用され、電
源切断後も保持すべき、プログラム、確認用パスワー
ド、パラメータ、加工プログラム、工具補正データ、ピ
ッチ誤差補正データ等が記憶される。

【００３０】ＣＲＴ／ＭＤＩユニット２０は、数値制御
装置の前面あるいは機械操作盤と同じ位置に配置され、
データ及び図形の表示、データ入力、数値制御装置の運
転に使用される。グラフィック制御回路２１は数値デー
タ及び図形データ等のディジタル信号を表示用のラスタ
信号に変換し、表示装置２２に送り、表示装置２２はこ
れらの数値及び図形を表示する。表示装置２２にはＣＲ
Ｔあるいは液晶表示装置が使用される。

【００３１】キーボード２３は数値キー、シンボリック
キー、文字キー及び機能キーから構成され、加工プログ
ラムの作成、編集及び数値制御装置の運転に使用され
る。また、このキーボード２３を操作することにより、
現行メモリマップとして使用すべきメモリマップを選択
することができる。ソフトウェアキー２４は表示装置２
２の下部に設けられ、その機能は表示装置に表示され
る。表示装置の画面が変化すれば、表示される機能に対
応して、ソフトウェアキーの機能も変化する。

【００３２】メモリカードインタフェース１７は、ＰＣ
ＭＣＩＡ（Personal Computer Memory Card Internatio
nal Association)によって定められた規格に準拠したメ
モリカード４０を装着することができる。そして、装着
されたメモリカード４０のデータにアクセスすることが
できる。このメモリカード４０には、バッテリでバック
アップされたＳＲＡＭが使用される。

【００３３】軸制御回路１５はプロセッサ１１からの軸
の移動指令を受けて、軸の移動指令をサーボアンプ１６
に出力する。サーボアンプ１６はこの移動指令を増幅
し、工作機械３０に結合されたサーボモータを駆動し、
工作機械３０の工具とワークの相対運動を制御する。な
お、軸制御回路１５及びサーボアンプ１６はサーボモー
タの軸数に対応した数だけ設けられる。

【００３４】ＰＭＣ（プログラマブル・マシン・コント
ローラ）１８はプロセッサ１１からバス１９経由でＭ
（補助）機能信号、Ｓ（スピンドル速度制御）機能信
号、Ｔ（工具選択）機能信号等を受け取る。そして、こ
れらの信号をシーケンス・プログラムで処理して、出力
信号を出力し、工作機械３０内の空圧機器、油圧機器、
電磁アクチュエイタ等を制御する。また、工作機械３０
内の機械操作盤のボタン信号、スイッチ信号及びリミッ
トスイッチ等の信号を受けて、シーケンス処理を行い、
バス１９を経由してプロセッサ１１に必要な入力信号を
転送する。

【００３５】なお、図２ではスピンドルモータ制御回路
及びスピンドルモータ用アンプ等は省略してある。ま
た、上記の例ではプロセッサ１１は１個で説明したが、
複数のプロセッサを使用してマルチプロセッサ構成にす
ることもできる。

【００３６】図３はメモリ容量を自動設定する際の処理
手順を示すフローチャートである。このフローチャート
は、数値制御装置の電源投入時に開始される。 〔Ｓ１〕メモリカードが装着されているかどうかを判断
し、装着されていればステップ２に進み、装着されてい
なければステップ４に進む。 〔Ｓ２〕メモリカードに格納されている退避データのデ
ータ容量を読み取る。 〔Ｓ３〕不揮発性メモリの記憶容量は、退避データのデ
ータ容量よりも大きいかどうかを判断し、大きければス
テップ５に進み、大きくなければステップ４に進む。 〔Ｓ４〕不揮発性メモリの記憶容量に対応するメモリマ
ップを、現行メモリマップに設定する。 〔Ｓ５〕退避データの容量に対応するメモリマップを、
現行メモリマップに設定する。

【００３７】このようにメモリマップを設定した後、作
業者は退避データを不揮発性メモリに転送するための操
作を行う。以後は、現行メモリマップに設定されている
領域区分と、不揮発性メモリ内に実際に格納されたデー
タの配置が一致するため、通常通りに不揮発性メモリ内
のデータにアクセスすることができる。

【００３８】次に、不揮発性メモリ容量を手動入力によ
り設定する場合について説明する。これは、メモリカー
ド４０に、２５６ＫＢの不揮発性メモリのデータが退避
されており、その退避データを数値制御装置内の７６８
ＫＢの不揮発性メモリに転送する場合についての例であ
る。

【００３９】作業者は、ＭＤＩキーの「Ｍ」キーを押し
ながら電源を投入する。すると、表示装置にメモリ容量
設定画面が表示される。図４はメモリ容量を手動設定す
る際のメモリ容量設定画面を示す図である。画面上に
は、設定することができるメモリ容量５２、５３、５４
が表示されている。この例では、「２５６ＫＢ」、「５
１２ＫＢ」、「７６８ＫＢ」のいずれかにメモリ容量を
設定することができる。作業者はメモリ容量を「２５６
ＫＢ」にするために、画面上のカーソル５１を目的のメ
モリ容量５２の位置に移動し、ＭＤＩキー上の「ＩＮＰ
ＵＴ」キーを押す。このようにして、メモリ容量は、手
動操作により何時でも変更することが可能である。

【００４０】これにより、実際に設けられている不揮発
性メモリの記憶容量に関係なく「２５６ＫＢ」に対応す
るメモリマップが現行メモリマップとして設定される。
この設定は電源切断時にも保持されており、電源再投入
時にも「２５６ＫＢ」に対応するメモリマップが現行メ
モリマップとして設定される。

【００４１】そして、作業者はメモリカード内の「２５
６ＫＢ」の退避データを不揮発性メモリに転送する操作
を行う。これにより、メモリカード内の退避データを数
値制御装置内の不揮発性メモリに格納し、使用すること
ができる。

【００４２】このようにして、「不揮発性メモリから一
括退避した退避データは、同じ容量の不揮発性メモリに
しか入力することができない。」という制限が取り払わ
れた。つまり、１台の数値制御装置の不揮発性メモリか
ら一括退避した退避データは、その退避データを格納で
きるだけの記憶容量の不揮発性メモリが実装された数値
制御装置に対しては、何の制限もなく入力できる。その
ため、ある数値制御装置に格納されている、パラメー
タ、加工プログラム、ラダープログラム等を、多数の数
値制御装置で使用することが可能となる。

【００４３】また、不揮発性メモリを含む部品に障害が
発生した場合、従来は同じ記憶容量の不揮発性メモリを
持った部品でなければ交換して使用するとができなかっ
た。ところが、本発明を用いることにより、障害発生時
の不揮発性メモリの記憶容量より、大きい記憶容量の不
揮発性メモリを持った部品であれば、交換が可能とな
る。つまり、手動操作でメモリマップを設定しなおすこ
とにより、交換後の不揮発性メモリを、交換前の不揮発
性メモリの記憶容量と同じであるかのようにして使用す
ることができる。従って、保守用部品は、不揮発性メモ
リの記憶容量の大きいものを用意しておけば十分であ
り、保守用部品の点数を減らすことができる。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように本発明では、メモリ
カードに格納されている退避データの容量より記憶容量
の大きい不揮発性メモリに、退避データを格納する場
合、退避データの容量に対応したメモリマップを使用す
るようにした。この結果、退避データのデータ容量より
大きい記憶容量の不揮発性メモリにおいても、退避デー
タを入力し、通常通り使用することができるようになっ
た。

【００４５】また、手動操作でデータ容量を設定するこ
とにより、不揮発性メモリの記憶容量を任意の値で認識
させることができる。そのため、記憶容量の大きい不揮
発性メモリを、記憶容量の小さい不揮発性メモリの代わ
りとして自由に使用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のメモリ容量設定方式の概略構成を示す
ブロック図である。

【図２】本発明の数値制御装置のハードウェアの概略構
成を示すブロック図である。

【図３】メモリ容量を自動設定する際の処理手順を示す
フローチャートである。

【図４】メモリ容量を手動設定する際のメモリ容量設定
画面を示す図である。

【符号の説明】

１０ 数値制御装置 １０ａ 読取手段 １０ｂ 比較手段 １０ｃ メモリマップ設定手段 １２ ＲＯＭ １３ ＲＡＭ １４ 不揮発性メモリ ２０ａ 入力手段 ４０ メモリカード ４１ 退避データ ６０ 退避元不揮発性メモリ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 バッテリでバックアップされた不揮発性
   メモリを有する数値制御装置のメモリ容量設定方式にお
   いて、 退避元不揮発性メモリから一括退避した退避データを格
   納しているメモリカードと、 前記数値制御装置内において、電源投入時に前記メモリ
   カードが装着されていることを認識すると、前記退避デ
   ータのデータ容量を読み取る読取手段と、 前記データ容量と、前記不揮発性メモリの記憶容量とを
   比較する比較手段と、 前記比較手段による比較の結果、前記不揮発性メモリの
   記憶容量の方が大きい場合には、前記不揮発性メモリ用
   のメモリマップに、前記データ容量に対応するメモリマ
   ップを設定するメモリマップ設定手段と、 を有することを特徴とするメモリ容量設定方式。
2. 【請求項２】 前記メモリマップ設定手段は、ＲＯＭ内
   格納されている複数のメモリマップから１つを選択する
   ことにより、前記データ容量に対応するメモリマップを
   設定することを特徴とする請求項１記載のメモリ容量設
   定方式。
3. 【請求項３】 前記メモリマップ設定手段は、前記不揮
   発性メモリ内に前記退避データが入力された場合、電源
   再投入時においても、前記不揮発性メモリ用のメモリマ
   ップに、前記データ容量に対応するメモリマップを設定
   することを特徴とする請求項１記載のメモリ容量設定方
   式。
4. 【請求項４】 バッテリでバックアップされた不揮発性
   メモリを有する数値制御装置のメモリ容量設定方式にお
   いて、 前記不揮発性メモリ内で使用可能とすべき領域のデータ
   容量を入力する入力手段と、 前記データ容量と、前記不揮発性メモリの記憶容量とを
   比較する比較手段と、 前記比較手段による比較の結果、前記不揮発性メモリの
   記憶容量の方が大きい場合には、前記不揮発性メモリ用
   のメモリマップに、前記データ容量に対応するメモリマ
   ップを設定するメモリマップ設定手段と、 を有することを特徴とするメモリ容量設定方式。
5. 【請求項５】 前記メモリマップ設定手段は、ＲＯＭ内
   に格納されている複数のメモリマップから１つを選択す
   ることにより、前記データ容量に対応するメモリマップ
   を設定することを特徴とする請求項４記載のメモリ容量
   設定方式。
6. 【請求項６】 前記メモリマップ設定手段は、前記不揮
   発性メモリ内に前記退避データが入力された場合、電源
   再投入時においても、前記不揮発性メモリ用のメモリマ
   ップに、前記データ容量に対応するメモリマップを設定
   することを特徴とする請求項４記載のメモリ容量設定方
   式。