JPH085400A - 磁気抵抗センサ - Google Patents
磁気抵抗センサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は磁気抵抗センサに関して、ＭＲ素子と
ＭＲマグネツト間のギヤツプを狭くした場合でもＭＲ出
力の出力波形の中心付近に湾曲が発生しない安定した出
力を得る。 【構成】磁気抵抗素子３の感磁パターン幅ｄを磁石手段
２の磁極幅λの0.3 〜１倍の間に設定することにより、
磁石手段２と磁気抵抗素子３との対向間隔ｇが狭まくな
つた場合でも出力波形に湾曲を生ぜず安定した出力を得
る。
ＭＲマグネツト間のギヤツプを狭くした場合でもＭＲ出
力の出力波形の中心付近に湾曲が発生しない安定した出
力を得る。 【構成】磁気抵抗素子３の感磁パターン幅ｄを磁石手段
２の磁極幅λの0.3 〜１倍の間に設定することにより、
磁石手段２と磁気抵抗素子３との対向間隔ｇが狭まくな
つた場合でも出力波形に湾曲を生ぜず安定した出力を得
る。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術（図１０及び図１１） 発明が解決しようとする課題（図１０及び図１１） 課題を解決するための手段（図１及び図２、図７〜図
９） 作用（図３〜図６） 実施例（図１〜図９） 発明の効果
９） 作用（図３〜図６） 実施例（図１〜図９） 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗センサに関し、
例えば磁気抵抗（ＭＲ）素子を用いて、回転ドラム等の
回転周波数を検出するものに適用し得る。
例えば磁気抵抗（ＭＲ）素子を用いて、回転ドラム等の
回転周波数を検出するものに適用し得る。
【０００３】
【従来の技術】従来、回転ドラム等の回転周波数を検出
する周波数発電機として、例えばＭＲセンサが用いられ
ている。ＭＲセンサはＮ極、Ｓ極を等間隔で回転ドラム
に着磁した磁石でなるＭＲマグネツトをＭＲ素子に対し
て面対向に配し、回転ドラムが回転することによつて生
じる磁界の変化をＭＲ素子で検出し、この結果得られる
ＭＲ出力を周波数信号として出力するようになされてい
る。
する周波数発電機として、例えばＭＲセンサが用いられ
ている。ＭＲセンサはＮ極、Ｓ極を等間隔で回転ドラム
に着磁した磁石でなるＭＲマグネツトをＭＲ素子に対し
て面対向に配し、回転ドラムが回転することによつて生
じる磁界の変化をＭＲ素子で検出し、この結果得られる
ＭＲ出力を周波数信号として出力するようになされてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところでＭＲセンサを
組立てる際の部品成型精度の問題又は動作中の温度の変
化等が原因でＭＲ素子とＭＲマグネツトとの間のギヤツ
プが所定ギヤツプ長に比して狭くなつた場合、図１０
（Ａ）に示すように、ＭＲ素子の電極から検出されるＭ
Ｒ出力の中心付近の出力波形が湾曲するようになる。Ｍ
Ｒセンサは、図１０（Ｂ）に示すように、ＭＲ出力と電
源電圧Ｖccの１／２の電圧値との交点でパルスを発生さ
せ、これを位置信号として用いているため、出力波形の
中心付近の湾曲はパルスの発生位置の精度をばらつかせ
るという問題があつた。
組立てる際の部品成型精度の問題又は動作中の温度の変
化等が原因でＭＲ素子とＭＲマグネツトとの間のギヤツ
プが所定ギヤツプ長に比して狭くなつた場合、図１０
（Ａ）に示すように、ＭＲ素子の電極から検出されるＭ
Ｒ出力の中心付近の出力波形が湾曲するようになる。Ｍ
Ｒセンサは、図１０（Ｂ）に示すように、ＭＲ出力と電
源電圧Ｖccの１／２の電圧値との交点でパルスを発生さ
せ、これを位置信号として用いているため、出力波形の
中心付近の湾曲はパルスの発生位置の精度をばらつかせ
るという問題があつた。
【０００５】特に三相のＭＲセンサとして用いる場合、
図１１に示すように、三相のＭＲ出力Ａ、Ｂ、Ｃのクロ
ス点（○〜○）間を直線と仮定して内挿している。この
ためＭＲ出力Ａ、Ｂ、Ｃの中心付近の出力波形の湾曲
は、検出精度を著しく悪化させる問題があつた。
図１１に示すように、三相のＭＲ出力Ａ、Ｂ、Ｃのクロ
ス点（○〜○）間を直線と仮定して内挿している。この
ためＭＲ出力Ａ、Ｂ、Ｃの中心付近の出力波形の湾曲
は、検出精度を著しく悪化させる問題があつた。
【０００６】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、ＭＲ素子とＭＲマグネツト間のギヤツプが狭くなつ
た場合でもＭＲ出力の出力波形の中心付近の湾曲をでき
るだけ防止して、安定した出力の得られる磁気抵抗セン
サを提案しようとするものである。
で、ＭＲ素子とＭＲマグネツト間のギヤツプが狭くなつ
た場合でもＭＲ出力の出力波形の中心付近の湾曲をでき
るだけ防止して、安定した出力の得られる磁気抵抗セン
サを提案しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、所定の磁極幅（λ）でＮ極及びＳ
極を等間隔で複数連続して着磁した磁石手段（２）と、
磁気抵抗素子（３）を面対向して配置し、磁石手段
（２）と磁気抵抗素子（３）との相対的な位置の移動変
化による磁界の変化を磁気抵抗素子（３）で検出し、電
圧変化として出力する磁気抵抗センサ（１）において、
磁気抵抗素子（３）は、磁石手段（２）のＮ極及びＳ極
の並び方向（ａ）に対して略直交する方向（ｂ）に伸張
し、かつＮ極及びＳ極の並び方向（ａ）に磁極幅（λ）
の0.3 〜１倍の感磁パターン幅（ｄ）を有する磁気抵抗
素子（３）の折り返し帯状パターンが形成された基礎感
磁パターンを、磁石手段（２）の並び方向（ａ）に磁極
幅（λ）の１／２の間隔で並べてなる第１及び第２の感
磁部（３Ａ、３Ｂ）をシリーズ接続し、当該第１及び第
２の感磁部の両端（４、５）に直流電圧を印加すると共
に、第１及び第２の感磁部（３Ａ、３Ｂ）の接続点を出
力端子（６）とする。
め本発明においては、所定の磁極幅（λ）でＮ極及びＳ
極を等間隔で複数連続して着磁した磁石手段（２）と、
磁気抵抗素子（３）を面対向して配置し、磁石手段
（２）と磁気抵抗素子（３）との相対的な位置の移動変
化による磁界の変化を磁気抵抗素子（３）で検出し、電
圧変化として出力する磁気抵抗センサ（１）において、
磁気抵抗素子（３）は、磁石手段（２）のＮ極及びＳ極
の並び方向（ａ）に対して略直交する方向（ｂ）に伸張
し、かつＮ極及びＳ極の並び方向（ａ）に磁極幅（λ）
の0.3 〜１倍の感磁パターン幅（ｄ）を有する磁気抵抗
素子（３）の折り返し帯状パターンが形成された基礎感
磁パターンを、磁石手段（２）の並び方向（ａ）に磁極
幅（λ）の１／２の間隔で並べてなる第１及び第２の感
磁部（３Ａ、３Ｂ）をシリーズ接続し、当該第１及び第
２の感磁部の両端（４、５）に直流電圧を印加すると共
に、第１及び第２の感磁部（３Ａ、３Ｂ）の接続点を出
力端子（６）とする。
【０００８】
【作用】磁気抵抗素子（３）の感磁パターン幅（ｄ）を
磁石手段（２）の磁極幅（λ）の0.3 〜１倍の間に設定
することにより、磁石手段（２）と磁気抵抗素子（３）
との対向間隔（ｇ）を狭めても出力波形に湾曲が発生し
ない安定した出力を得る。
磁石手段（２）の磁極幅（λ）の0.3 〜１倍の間に設定
することにより、磁石手段（２）と磁気抵抗素子（３）
との対向間隔（ｇ）を狭めても出力波形に湾曲が発生し
ない安定した出力を得る。
【０００９】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１０】図１において、１は全体としてＭＲセンサ
を示し、それぞれ磁極幅λのＮ極、Ｓ極を等間隔で着磁
したＭＲマグネツト２に、磁気検出するＭＲ素子３が面
対向するように配置されている。ＭＲ素子３は二つの矩
形帯状の基礎感磁パターン３Ａ及び３Ｂをシリーズ接続
して形成されている。この基礎感磁パターン３Ａ及び３
Ｂの矩形部分はパターン間が平行になるように折り曲げ
られて、中心線間の間隔がＭＲマグネツト２の磁極幅λ
の１／２の幅に設定される。
を示し、それぞれ磁極幅λのＮ極、Ｓ極を等間隔で着磁
したＭＲマグネツト２に、磁気検出するＭＲ素子３が面
対向するように配置されている。ＭＲ素子３は二つの矩
形帯状の基礎感磁パターン３Ａ及び３Ｂをシリーズ接続
して形成されている。この基礎感磁パターン３Ａ及び３
Ｂの矩形部分はパターン間が平行になるように折り曲げ
られて、中心線間の間隔がＭＲマグネツト２の磁極幅λ
の１／２の幅に設定される。
【００１１】ＭＲ素子３の両端にはそれぞれ電源電圧Ｖ
cc端子４、接地端子５が形成され、この電源電圧Ｖcc端
子４と接地端子５との中点に出力端子６が形成されてい
る。ＭＲセンサ１では、矢印ａで示されるＭＲマグネツ
ト２のＮ極とＳ極の磁極の並び方向に対して、矢印ｂで
示されるＭＲ素子３の方向とが直交した状態から所定角
度傾けられると共に、所定のギヤツプ長ｇを保持して配
される。ＭＲセンサ１は、このＭＲ素子３に電源電圧Ｖ
ccを印加し、ＭＲマグネツト２をＭＲ素子３に対して相
対的に移動させ、このＭＲマグネツト２の相対的な移動
によつて生じる磁界の変化をＭＲ素子３によつて検出
し、出力端子６よりＭＲ出力ＶMRとして出力する。
cc端子４、接地端子５が形成され、この電源電圧Ｖcc端
子４と接地端子５との中点に出力端子６が形成されてい
る。ＭＲセンサ１では、矢印ａで示されるＭＲマグネツ
ト２のＮ極とＳ極の磁極の並び方向に対して、矢印ｂで
示されるＭＲ素子３の方向とが直交した状態から所定角
度傾けられると共に、所定のギヤツプ長ｇを保持して配
される。ＭＲセンサ１は、このＭＲ素子３に電源電圧Ｖ
ccを印加し、ＭＲマグネツト２をＭＲ素子３に対して相
対的に移動させ、このＭＲマグネツト２の相対的な移動
によつて生じる磁界の変化をＭＲ素子３によつて検出
し、出力端子６よりＭＲ出力ＶMRとして出力する。
【００１２】ＭＲ素子３の基礎感磁パターン幅ｄは、図
２に示すように、基礎感磁パターン３Ａ及び３Ｂのそれ
ぞれの矩形パターン幅の中心間距離とし、ｄ＝25〔μ
ｍ〕となる。また本実施例においては磁極幅λ＝ 200
〔μｍ〕なので、基礎感磁パターン３Ａ及び３Ｂの中心
線間は磁極幅λの１／２幅となる100 〔μｍ〕と設定さ
れる。
２に示すように、基礎感磁パターン３Ａ及び３Ｂのそれ
ぞれの矩形パターン幅の中心間距離とし、ｄ＝25〔μ
ｍ〕となる。また本実施例においては磁極幅λ＝ 200
〔μｍ〕なので、基礎感磁パターン３Ａ及び３Ｂの中心
線間は磁極幅λの１／２幅となる100 〔μｍ〕と設定さ
れる。
【００１３】ここで、ＭＲ素子３の伸張方向ｂとＭＲマ
グネツト２の磁極の並び方向ａとのなす角度を直交状態
からずらし変化させると、方向ａとｂとの直交状態から
の傾き角度の変化に応じて基礎感磁パターン幅ｄは変化
する。すなわち基礎感磁パターン幅ｄはＭＲマグネツト
２の磁極の並び方向ａに平行な方向への基礎感磁パター
ン３Ａ及び３Ｂの横切り幅となる。このようにして基礎
感磁パターン幅ｄを変化させ、その結果、基礎感磁パタ
ーン幅ｄと磁極幅λとの比ｄ／λを変化させることによ
つてＭＲ出力を変化させ得る。
グネツト２の磁極の並び方向ａとのなす角度を直交状態
からずらし変化させると、方向ａとｂとの直交状態から
の傾き角度の変化に応じて基礎感磁パターン幅ｄは変化
する。すなわち基礎感磁パターン幅ｄはＭＲマグネツト
２の磁極の並び方向ａに平行な方向への基礎感磁パター
ン３Ａ及び３Ｂの横切り幅となる。このようにして基礎
感磁パターン幅ｄを変化させ、その結果、基礎感磁パタ
ーン幅ｄと磁極幅λとの比ｄ／λを変化させることによ
つてＭＲ出力を変化させ得る。
【００１４】以上の構成において、図３（Ａ）に示すよ
うに、ＭＲマグネツト２の並び方向ａとＭＲ素子３の方
向ｂとが直交している場合、ＭＲ出力ＶMRは出力波形の
中心部が湾曲しているのが観測される。湾曲が観測され
るのは、ＭＲ素子３とＭＲマグネツト２のギヤツプ長ｇ
が25〔μｍ〕から100 〔μｍ〕の間で、このとき磁極幅
λに対する感磁パターン幅ｄの比はｄ／λ＝0.125 であ
る。
うに、ＭＲマグネツト２の並び方向ａとＭＲ素子３の方
向ｂとが直交している場合、ＭＲ出力ＶMRは出力波形の
中心部が湾曲しているのが観測される。湾曲が観測され
るのは、ＭＲ素子３とＭＲマグネツト２のギヤツプ長ｇ
が25〔μｍ〕から100 〔μｍ〕の間で、このとき磁極幅
λに対する感磁パターン幅ｄの比はｄ／λ＝0.125 であ
る。
【００１５】続いてこのＭＲ素子３の並び方向ｂをＭＲ
マグネツト２の磁極の並び方向ａに対して直交させた状
態から傾かせ、基礎感磁パターン幅ｄを広げる。このと
きｄ／λとＭＲ出力ＶMRとの関係は、ｄ／λ＝0.19（図
３（Ｂ））、ｄ／λ＝0.256（図３（Ｃ））、ｄ／λ＝
0.322 （図３（Ｄ））となり、ｄ／λを大きくするに従
つてＭＲ出力ＶMRの中心部における出力波形の湾曲が少
なくなつていくのが観測される。
マグネツト２の磁極の並び方向ａに対して直交させた状
態から傾かせ、基礎感磁パターン幅ｄを広げる。このと
きｄ／λとＭＲ出力ＶMRとの関係は、ｄ／λ＝0.19（図
３（Ｂ））、ｄ／λ＝0.256（図３（Ｃ））、ｄ／λ＝
0.322 （図３（Ｄ））となり、ｄ／λを大きくするに従
つてＭＲ出力ＶMRの中心部における出力波形の湾曲が少
なくなつていくのが観測される。
【００１６】すなわち基礎感磁パターン幅ｄを傾けない
状態で、ｄ／λ＝0.125 とした場合、ギヤツプ長ｇ25
〔μｍ〕から100 〔μｍ〕の間で見られたＭＲ出力ＶMR
の中心部における出力波形の湾曲は、ＭＲ素子３を傾け
たｄ／λ＝0.256 では略見られなくなり、さらにｄ／λ
＝0.322 においては、ギヤツプ長ｇ＝25〔μｍ〕におい
ても湾曲が見られなくなつているのが確認できる。また
ｄ／λをさらに大きくしても湾曲は現れなくなつている
のが確認できる（図４及び図５）。従つて基礎感磁パタ
ーン幅ｄを0.3 λ以上にすれば、ギヤツプ長ｇが狭くな
つた場合でもＭＲ出力ＶMRに湾曲が発生せず、精度の良
いＭＲ素子３を実現することができることがわかる。
状態で、ｄ／λ＝0.125 とした場合、ギヤツプ長ｇ25
〔μｍ〕から100 〔μｍ〕の間で見られたＭＲ出力ＶMR
の中心部における出力波形の湾曲は、ＭＲ素子３を傾け
たｄ／λ＝0.256 では略見られなくなり、さらにｄ／λ
＝0.322 においては、ギヤツプ長ｇ＝25〔μｍ〕におい
ても湾曲が見られなくなつているのが確認できる。また
ｄ／λをさらに大きくしても湾曲は現れなくなつている
のが確認できる（図４及び図５）。従つて基礎感磁パタ
ーン幅ｄを0.3 λ以上にすれば、ギヤツプ長ｇが狭くな
つた場合でもＭＲ出力ＶMRに湾曲が発生せず、精度の良
いＭＲ素子３を実現することができることがわかる。
【００１７】次に、ＭＲ素子３をさらに傾斜させ、基礎
感磁パターン幅ｄを広げｄ／λの値を大きくしていく
と、図６に示すように、ｄ／λが大きくなるに従つてＭ
Ｒ出力ＶMRが小さくなるのが観測される。ここでｄ／λ
＝１でＭＲ出力ＶMRは略ゼロとなることから中心付近の
出力波形に湾曲が存在せず、かつＭＲ出力ＶMRが検出可
能なｄ／λの範囲が0.3 ≦ｄ／λ＜1 の範囲に存在する
ことがわかる。ここでＭＲ出力ＶMRは大きいほどＳ／Ｎ
比の点で有利になることから、ｄ／λの最適値は約0.3
とすることができる。
感磁パターン幅ｄを広げｄ／λの値を大きくしていく
と、図６に示すように、ｄ／λが大きくなるに従つてＭ
Ｒ出力ＶMRが小さくなるのが観測される。ここでｄ／λ
＝１でＭＲ出力ＶMRは略ゼロとなることから中心付近の
出力波形に湾曲が存在せず、かつＭＲ出力ＶMRが検出可
能なｄ／λの範囲が0.3 ≦ｄ／λ＜1 の範囲に存在する
ことがわかる。ここでＭＲ出力ＶMRは大きいほどＳ／Ｎ
比の点で有利になることから、ｄ／λの最適値は約0.3
とすることができる。
【００１８】以上の構成によれば、ＭＲ素子３と面対向
するＭＲマグネツト２とのギヤツプ長ｇが狭くＭＲ出力
ＶMRの中心部分の出力波形に湾曲が発生するような場
合、ＭＲマグネツト２に面対向するＭＲ素子３を傾かせ
ることによつて基礎感磁パターン幅ｄを広げ、基礎感磁
パターン幅ｄと磁極幅λとの比ｄ／λを約 0.3とするこ
とにより、ギヤツプ長ｇが狭い場合でもＭＲ出力ＶMRの
中心付近の出力波形の湾曲が少ない精度の良いＭＲセン
サを実現することができる。
するＭＲマグネツト２とのギヤツプ長ｇが狭くＭＲ出力
ＶMRの中心部分の出力波形に湾曲が発生するような場
合、ＭＲマグネツト２に面対向するＭＲ素子３を傾かせ
ることによつて基礎感磁パターン幅ｄを広げ、基礎感磁
パターン幅ｄと磁極幅λとの比ｄ／λを約 0.3とするこ
とにより、ギヤツプ長ｇが狭い場合でもＭＲ出力ＶMRの
中心付近の出力波形の湾曲が少ない精度の良いＭＲセン
サを実現することができる。
【００１９】なお上述の実施例においては、基礎感磁パ
ターン幅ｄを広げるためにＭＲ素子３全体を傾けた場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、図７（Ａ）
に示すように、ＭＲ素子１０の感磁パターン１０Ａ及び
１０Ｂ部分のみを傾けるようにしても良い。
ターン幅ｄを広げるためにＭＲ素子３全体を傾けた場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、図７（Ａ）
に示すように、ＭＲ素子１０の感磁パターン１０Ａ及び
１０Ｂ部分のみを傾けるようにしても良い。
【００２０】さらに上述の実施例においては、直な基礎
感磁パターンを傾斜させることによつて基礎感磁パター
ン幅ｄを広げ、ｄ／λを約 0.3とした場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、例えば図７（Ｂ）及び
（Ｃ）に示すように、ＭＲ素子１１及び１２の矩形部分
１１Ａ及び１１Ｂ又は１２Ａ及び１２Ｂをくの字に曲げ
て、アジマスを持たせＭＲ素子１１の並び方向ｂとＭＲ
マグネツトの磁極の並び方向ａとを斜交させ、これによ
りＭＲ素子１１又は１２の基礎感磁パターン幅ｄを広
げ、ｄ／λを約 0.3とするようにしても良い。
感磁パターンを傾斜させることによつて基礎感磁パター
ン幅ｄを広げ、ｄ／λを約 0.3とした場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、例えば図７（Ｂ）及び
（Ｃ）に示すように、ＭＲ素子１１及び１２の矩形部分
１１Ａ及び１１Ｂ又は１２Ａ及び１２Ｂをくの字に曲げ
て、アジマスを持たせＭＲ素子１１の並び方向ｂとＭＲ
マグネツトの磁極の並び方向ａとを斜交させ、これによ
りＭＲ素子１１又は１２の基礎感磁パターン幅ｄを広
げ、ｄ／λを約 0.3とするようにしても良い。
【００２１】因に、基礎感磁パターンのくの字の方向は
どちら向きでも構わず、左傾斜のくの字パターン及び右
傾斜のくの字パターンが設定し得る。このとき左傾斜の
くの字パターン及び右傾斜のくの字パターンの長さは概
ね等しく設定する。ここで、矩形部分をくの字に曲げた
ことにより、ＭＲマグネツトと感磁パターンとの間の平
行度に誤差を生じても、例えばＡの部分のＭＲ出力ＶMR
が増加すれば、Ａ´部分のＭＲ出力ＶMRが減少し、角度
誤差に対して安定なＭＲセンサとすることができる。こ
れによりＭＲマグネツトとＭＲ素子との間の平行度に誤
差を生じた場合でも、ＭＲ出力ＶMRが変動することがな
くなる。
どちら向きでも構わず、左傾斜のくの字パターン及び右
傾斜のくの字パターンが設定し得る。このとき左傾斜の
くの字パターン及び右傾斜のくの字パターンの長さは概
ね等しく設定する。ここで、矩形部分をくの字に曲げた
ことにより、ＭＲマグネツトと感磁パターンとの間の平
行度に誤差を生じても、例えばＡの部分のＭＲ出力ＶMR
が増加すれば、Ａ´部分のＭＲ出力ＶMRが減少し、角度
誤差に対して安定なＭＲセンサとすることができる。こ
れによりＭＲマグネツトとＭＲ素子との間の平行度に誤
差を生じた場合でも、ＭＲ出力ＶMRが変動することがな
くなる。
【００２２】さらに図８（Ａ）及び（Ｂ）に示すよう
に、ＭＲ素子１３及び１４の基礎感磁パターン１３Ａ及
び１３Ｂ又は１４Ａ及び１４Ｂの矩形部分をくの字に曲
げる回数を一回に限らず、何回曲げるようにしても良
い。
に、ＭＲ素子１３及び１４の基礎感磁パターン１３Ａ及
び１３Ｂ又は１４Ａ及び１４Ｂの矩形部分をくの字に曲
げる回数を一回に限らず、何回曲げるようにしても良
い。
【００２３】また上述の実施例においては、感磁パター
ン幅を広げるのにＭＲマグネツト２の磁極並び方向ａに
対してＭＲ素子の向きを傾けた場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、例えば図９（Ａ）及び（Ｂ）に
示すように、ＭＲマグネツトに面対向するＭＲ素子１５
及び１６の感磁パターン１５Ａ及び１５Ｂ又は１６Ａ及
び１６Ｂの折り曲げる矩形の回数をＭＲマグネツトの磁
極の並び方向ａに沿つて増やし、面対向するＭＲ素子の
感磁パターンの面積を増加させるようにしても良い。
ン幅を広げるのにＭＲマグネツト２の磁極並び方向ａに
対してＭＲ素子の向きを傾けた場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、例えば図９（Ａ）及び（Ｂ）に
示すように、ＭＲマグネツトに面対向するＭＲ素子１５
及び１６の感磁パターン１５Ａ及び１５Ｂ又は１６Ａ及
び１６Ｂの折り曲げる矩形の回数をＭＲマグネツトの磁
極の並び方向ａに沿つて増やし、面対向するＭＲ素子の
感磁パターンの面積を増加させるようにしても良い。
【００２４】さらに上述の実施例においては、一対の基
礎感磁パターンをシリーズ接続し、その中点に１つの出
力端子を形成した場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、シリーズ接続した一対の基礎感磁パターン
を、λの所定整数倍の間隔を離した位置に複数個接続す
るようにしても良い。この場合、出力端子も複数にな
り、一対の基礎感磁パターン単体のときに比して一層感
度を上げることができる。
礎感磁パターンをシリーズ接続し、その中点に１つの出
力端子を形成した場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、シリーズ接続した一対の基礎感磁パターン
を、λの所定整数倍の間隔を離した位置に複数個接続す
るようにしても良い。この場合、出力端子も複数にな
り、一対の基礎感磁パターン単体のときに比して一層感
度を上げることができる。
【００２５】さらに上述の実施例においては、本発明を
一相のＭＲセンサに対して適用する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、二相、三相等、多相のＭＲ
センサに対して用いれば、出力の中心付近の直線性が改
善され、検出精度を一層向上させ得る。
一相のＭＲセンサに対して適用する場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、二相、三相等、多相のＭＲ
センサに対して用いれば、出力の中心付近の直線性が改
善され、検出精度を一層向上させ得る。
【００２６】さらに上述の実施例においては、ＭＲマグ
ネツトとＭＲ素子との相対的な位置移動を発生させるの
に、回転ドラムでなるＭＲマグネツトを回転させる場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばリニ
アモータにおける場合のように、直線運動による相対的
な位置移動から、磁界の変化を検出するようにしても良
い。またＭＲマグネツトとＭＲ素子との位置移動は相対
的なものなので、ＭＲマグネツト又はＭＲ素子の何方が
位置移動しても良い。
ネツトとＭＲ素子との相対的な位置移動を発生させるの
に、回転ドラムでなるＭＲマグネツトを回転させる場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばリニ
アモータにおける場合のように、直線運動による相対的
な位置移動から、磁界の変化を検出するようにしても良
い。またＭＲマグネツトとＭＲ素子との位置移動は相対
的なものなので、ＭＲマグネツト又はＭＲ素子の何方が
位置移動しても良い。
【００２７】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、磁気抵抗
素子の感磁パターン幅を磁石手段の磁極幅の0.3 〜１倍
の間に設定することにより、磁気抵抗素子と磁石手段と
の対向間隔を狭めても、出力波形に湾曲が発生しない安
定した出力を得ることのできる磁気抵抗センサを実現し
得る。
素子の感磁パターン幅を磁石手段の磁極幅の0.3 〜１倍
の間に設定することにより、磁気抵抗素子と磁石手段と
の対向間隔を狭めても、出力波形に湾曲が発生しない安
定した出力を得ることのできる磁気抵抗センサを実現し
得る。
【図１】本発明の一実施例による磁気抵抗センサを示す
略線図である。
略線図である。
【図２】ＭＲ素子を示す略線図である。
【図３】ＭＲ素子の感磁パターン幅とＭＲ出力に発生す
る中心付近の湾曲の実験結果を示す信号波形図である。
る中心付近の湾曲の実験結果を示す信号波形図である。
【図４】ＭＲ素子の感磁パターン幅とＭＲ出力に発生す
る中心付近の湾曲の実験結果を示す信号波形図である。
る中心付近の湾曲の実験結果を示す信号波形図である。
【図５】ＭＲ素子の感磁パターン幅とＭＲ出力に発生す
る中心付近の湾曲の実験結果を示す信号波形図である。
る中心付近の湾曲の実験結果を示す信号波形図である。
【図６】ＭＲ素子の感磁パターン幅とＭＲ出力との実験
結果を示す出力図である。
結果を示す出力図である。
【図７】ＭＲ素子の感磁パターンの変形例（１）を示す
略線図である。
略線図である。
【図８】ＭＲ素子の感磁パターンの変形例（２）を示す
略線図である。
略線図である。
【図９】ＭＲ素子の感磁パターンの変形例（３）を示す
略線図である。
略線図である。
【図１０】ＭＲセンサにより検出されたＭＲ出力に発生
する中心付近の湾曲の実験結果を示す信号波形図であ
る。
する中心付近の湾曲の実験結果を示す信号波形図であ
る。
【図１１】三相のＭＲセンサにおけるＭＲ出力を示す略
線図である。
線図である。
１……ＭＲセンサ、２……ＭＲマグネツト、３……ＭＲ
素子、４……電源電圧端子、５……接地端子、６……出
力端子。
素子、４……電源電圧端子、５……接地端子、６……出
力端子。
Claims (3)
- 【請求項１】所定の磁極幅でＮ極及びＳ極を等間隔で複
数連続して着磁した磁石手段と、磁気抵抗素子とを面対
向して配置し、上記磁石手段と上記磁気抵抗素子との相
対的な位置の移動変化による磁界の変化を上記磁気抵抗
素子で検出し、電圧の変化として出力する磁気抵抗セン
サにおいて、 上記磁気抵抗素子は、 上記磁石手段の上記Ｎ極及びＳ極の並び方向に対して略
直交する方向に伸張し、かつ上記Ｎ極及びＳ極の並び方
向に上記磁極幅の0.3 〜１倍の感磁パターン幅を有する
磁気抵抗素子の折り返し帯状パターンが形成された基礎
感磁パターンを、上記磁石手段の上記並び方向に上記磁
極幅の１／２の間隔で並べてシリーズ接続し、当該２つ
の基礎感磁パターンの両端に直流電圧を印加すると共
に、接続点を出力端子として出力を得ることを特徴とす
る磁気抵抗センサ。 - 【請求項２】上記感磁パターン幅は上記磁極幅の0.3 倍
であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗セン
サ。 - 【請求項３】上記感磁パターンは、くの字形状又は逆く
の字形状であることを特徴とする請求項１又は請求項２
に記載の磁気抵抗センサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15910994A JP3344605B2 (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 磁気抵抗センサ |
| US08/490,453 US5696443A (en) | 1994-06-17 | 1995-06-14 | Magnetic reluctance sensor arrangement with titled reluctance element |
| KR1019950015980A KR100382047B1 (ko) | 1994-06-17 | 1995-06-16 | 자기저항센서 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15910994A JP3344605B2 (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 磁気抵抗センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH085400A true JPH085400A (ja) | 1996-01-12 |
| JP3344605B2 JP3344605B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=15686445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15910994A Expired - Fee Related JP3344605B2 (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 磁気抵抗センサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5696443A (ja) |
| JP (1) | JP3344605B2 (ja) |
| KR (1) | KR100382047B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012088211A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Hitachi Metals Ltd | 磁気式エンコーダ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10322130A1 (de) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Anton Rodi | Phasenabgleich für Winkel- und Wegmessgeber |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5218585B2 (ja) * | 1973-09-14 | 1977-05-23 | ||
| JPS58158017A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS601514A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-07 | Copal Co Ltd | 変位量検出器 |
| EP0151002B1 (en) * | 1984-01-25 | 1991-08-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic detector |
| JP2990822B2 (ja) * | 1991-03-14 | 1999-12-13 | ソニー・プレシジョン・テクノロジー株式会社 | 磁気センサ |
-
1994
- 1994-06-17 JP JP15910994A patent/JP3344605B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-06-14 US US08/490,453 patent/US5696443A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-16 KR KR1019950015980A patent/KR100382047B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012088211A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Hitachi Metals Ltd | 磁気式エンコーダ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960001723A (ko) | 1996-01-25 |
| KR100382047B1 (ko) | 2003-08-21 |
| JP3344605B2 (ja) | 2002-11-11 |
| US5696443A (en) | 1997-12-09 |
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Legal Events
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