JPS6111982Y2 - - Google Patents

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JPS6111982Y2
JPS6111982Y2 JP1976142759U JP14275976U JPS6111982Y2 JP S6111982 Y2 JPS6111982 Y2 JP S6111982Y2 JP 1976142759 U JP1976142759 U JP 1976142759U JP 14275976 U JP14275976 U JP 14275976U JP S6111982 Y2 JPS6111982 Y2 JP S6111982Y2
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magnetoelectric
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【考案の詳細な説明】 本考案はブラシレスモータの回転子位置検出装
置に関し、特に磁電変換素子と位置検出用磁石と
により構成したものである。
4極に着磁された回転子と互いに120゜間隔で
配された3相巻線とを有するブラシレスモータに
おいては、第1〜第3の各巻線に第1図に示す順
序に従つて電流を流すことにより回転子を回転さ
せるようにしている。このような通電を行うため
には、通常回転子の回転位置を検出し、この検出
信号に基いて各巻線に通電するための各トランジ
スタを順次にスイツチングするようにしている。
回転子の位置を検出するための装置として従来
より回転軸に検出用の円板状の磁石を設け、この
磁石の回転に伴つて得られる磁界の変化を磁電変
換素子で検出するようにしたものが提案されてい
る。しかしながなこのような検出装置では所定の
磁界の変化を得るための上記磁石の着磁状態が複
雑となるためこの磁石の製造が因難となり、また
検出装置の取付精度も高いものが要求されてい
た。
本考案は上記の問題を解決することのできるも
ので、3個の磁電変換素子を120゜または60゜間
隔で配設して成る検出器と、この検出器と近接対
向して配設され且つ4極回転子と一体的に回転さ
れる磁石とより成るものである。
先ず本考案に適用し得る磁電変換素子について
説明する。尚この磁電変換素子は本出願人が先に
「特開昭50−第28989号」により出願したものであ
り、ここではその概略について述べる。
第2図は磁電変換素子の構造を示すもので、ガ
ラス等より成る基板1の表面に、ニツケルコバル
トのような磁気抵抗の異方性効果を有する磁性体
A,Bの薄膜が形成されており、この磁性体A,
Bは強磁性材料をパターン状に蒸着し、又は全面
に蒸着した後エツチングして形成されている。こ
の強磁性体A,Bは主電流通路となる複数の直線
部分2A,2Bと、これらを連結する屈曲部3
A,3Bとから夫々形成されており、前記直線部
分2A,2Bは互いに略直交するように配されて
いる。また直線部分2A,2Bの各端部4A,4
Bは接続されていて強磁性体A,Bは直列接続と
なつている。この接続部に出力端子5が形成さ
れ、さらに直線部分2A,2Bの他端部6A,6
Bには夫々電流端子7A,7Bが形成されてい
る。
第3図は動作原理図で、電流端子7A,7Bが
電源8に接続され、且つ一方の電流端子7Bはア
ースされており、全体として磁電変換回路9を構
成している。
今強磁性体A,Bを飽和磁化させるに充分な強
さの磁界Hを、強磁性体A,Bのなす平面に於い
て、強磁性体Aの直線部分2Aの方向、即ち電流
方向に対して角度θを以つて加えると、強磁性体
A,Bの各電気抵抗ρA、ρBが変化し、その変化
は角度θにより次式で表わされる。
ρA=ρ⊥sin2θ+ρ〓cos2θ − ρB=ρ⊥cos2θ+ρ〓sin2θ − 但し、ρ⊥は強磁性体A,Bを電流と垂直方向
に飽和磁化したときの強磁性体A,Bの電気抵
抗、ρ〓は同じく電流と平行方向に飽和磁化した
ときの強磁性体A,Bの電気抵抗である。
また出力端子5の電圧V〓は、強磁性体A,B
は直列接続であるから、電源電圧をV0とすれば
次式で表わされる。
V〓=ρ/ρ+ρV0 − 式に式を代入して整理すると、 V〓=V/2−Δρ/2(ρ〓+ρ⊥)・cos2θ・
V0− (但しΔρ=ρ〓−ρ⊥とする) となり、この式に於いて右辺第1項は基準電圧
を表し、第2項は変化量を表すものとなる。
従つて出力端子5の電圧V〓は、磁界Hの方向
により変化し、その出力変化は第4図のように、
0゜、180゜で最小値、90゜、270゜で最大値をと
る正弦波形となる。第5図は等価回路を示し、強
磁性体A,Bを可変抵抗とし、その抵抗値が磁界
Hの方向により変化するものとして考えることが
できる。
次に上述した磁電変換素子を用いた本考案の実
施例を図面と共に説明する。
第6図は本考案の概略的な構成を示すものであ
る。
第6図において円柱状の磁石より成る回転子1
0はその円周方向に4極のNS磁極が着磁されて
いる。この回転子10は回転軸11に固定され、
回転軸11には位置検出用磁石12が固定されて
いる。この磁石12は図示のように円板状を有し
第7図のように円板を形成する各半円部の2極の
NS極が着磁されている。このような一方向性の
着磁は例えば磁気ヘツドに電流を片方向に流しな
がら磁石を移動させる等の簡単な方法で行うこと
ができる。尚磁石12としては例えばゴム磁石、
CuNiFe等を用いてよい。
磁石12と近接対向して位置検出器13が配設
されている。この検出器13は第8図に示すよう
に円板状の基板13aに3個の磁電変換素子14
a,14b,14cを互いに120゜間隔で配設し
た構造を有するもので、中心に設けた挿通孔13
bに回転軸11を遊嵌して図示せずもモータに設
けた支持部材により固定されている。各磁電変換
素子14a,14b,14cは図示のように磁性
体Aが基板13aの径方向と直交し、磁性体Bが
径方向と平行になるようにして配設されている。
またこれらの磁電変換素子14a,14b,14
cは一枚の基板13a上に蒸着またはエツチング
して形成することができる。尚図示せずも回転子
10の周囲には3相の巻線が互いに120゜間隔で
配設されているものとする。
次に上記構成による動作を説明する。
4極回転子10を有するブラシレスモータにお
いては、第1図により明らかなようにこの回転子
10が1回転する間に各巻線には互いに位相が30
゜異る電流を夫々2周期づつ流すようにすればよ
い。一方磁石12の磁界は検出器13に対して第
9図の磁界Hで示すような方向で作用する。
第6図において回転子10が矢印方向に回転す
るものとすると、これに伴つて回転軸11及び磁
石12が回転する。これにより各磁電変換素子1
4a,14b,14cに作用する磁石12からの
磁界Hの方向は夫々0〜360゜まで変化し、各磁
電変換素子14a,14b,14cからは第4図
に示す正弦波の出力電圧が夫々得られる。この場
合磁電変換素子14a,14b,14cは互いに
120゜間隔で配されているため上記各出力電圧の
位相関係は第10図の実線で示すように互いに30
゜位相のずれたものとなる。そこで第10図の各
出力電圧を夫々零レベルで立上り立下るような矩
形波信号に変換すれば、これらの矩形波信号は第
1図に示すものと同様の位相関係となる。従つて
これらの矩形波信号で各巻線に通電するためのト
ランジスタをスイツチングすることにより回転子
10を回転させることができる。
第11図は第1図の磁電変換素子を2つ用い
て、これをブリツジに組んで成る磁電変換素子2
0の略図を示すものである。これは同一の基板2
1上に強磁性体A,Bを形成し、さらに電流供給
端子22a、アース端子22b及び出力端子23
a,23bを形成して成るものである。このよう
な磁電変換素子20に0〜360゜まで変化する磁
界を加えると、出力端子23a,23bより互い
に逆相の正弦波出力電圧を得ることができる。従
つてこの磁電変換素子20を3個用い、これらを
互いに120゜間隔で配設することにより各磁電変
換素子20より第10図の位相関係を有する実線
で示す出力電圧と点線で示す逆相の出力電圧を得
ることができる。尚3個の磁電変換素子20は第
8図と同様に同一基板上にまとめて形成すること
ができる。
第12図は上記磁電変換素子20を用いた場合
の4極ブラシレスモータの駆動回路の一例を示す
ものである。
第12図において巻線24a,24b,24c
に通電するための駆動回路25a,25b,25
cは同一の構成を有している。磁電変換素子20
から得られる互いに逆相で取り出された出力電圧
はトランジスタ26a,26bに加えられ、これ
らの出力は差動アンプ27に加えられて増巾され
た後ドライブ用のトランジスタ28a,28b,
28cを駆動するようにしている。尚この駆動回
路24a,24b,24cによれば各巻線24
a,24b,24cに矢印で示すように両方向の
電流を流すことができる。即ち第1図の遮断期間
に逆方向の電流を流すことができる。
以上述べた実施例では磁電変換素子14a,1
4b,14cまたは20は互いに120゜間隔で配
設されているが、これらを第13図のように互い
に60゜間隔で配設しても同じ出力電圧を得ること
ができる。また、検出器13及び磁石12は回転
軸11に対して必ずしも同軸的に取付けられなく
てもよい。即ち、これらが互いに偏心して取付け
られても、磁石12の回転により3個の磁電変換
素子に作用する磁界の方向は夫々0゜から360゜
に変化するので、出力電圧は回転に応じて変化す
る。従つて、検出器13及び磁石12が偏心して
いても、出力電圧の位相が変化する影響はない。
従つて、検出装置の偏心に関しての取付精度は特
に高いものを要求されない。この場合、3個の磁
電変換素子は正確に120゜または60゜間隔で配設
される必要があるが、3個の磁電変換素子は同一
基板上に同じ工程で蒸着またはエツチングするこ
とができるので、上記120゜または60゜の角度の
精度は容易に出すことができる。また上記の実施
例では、回転子10が巻線の内側に配されたいわ
ゆるインナーロータ形であるが、リング状の回転
子の内側に巻線を配したアウターロータ形のモー
タに本考案を適用できるのは勿論である。
本考案は、夫々磁気抵抗の異方性効果を有する
強磁性体から成る第1及び第2の電流通路を直列
に接続すると共に前記第1及び第2の電流通路の
主電流通路を夫々互いに略直交する如く配しさら
に前記第1及び第2の電流通路の接続点に出力端
子を設けると共に前記第1及び第2の電流通路の
他端側に電流供給端子を設けて成る磁電変換素子
を3個用いこれらの磁電変換素子を基板上に120
゜または60゜間隔で配設して成る検出器と、上記
基板と近接して対向配置される磁石とより成り、
上記磁石には上記基板との対向面に一方向性の磁
束を発生する一対の磁極が着磁され且つ上記磁石
は4極回転子の回転に伴つて回転されるように設
けられることを特徴とするブラシレスモータの回
転子位置検出装置に係るものである。
従つて本考案によれば、磁石の着磁を容易に行
うことができ、また検出装置の取付精度も特に高
くする必要はない。さらに検出装置は着磁の容易
な磁石及び磁電変換素子の配設された基板のみで
構成されるので、全体の構造を極めて簡単にする
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は4極回転子を有するブラシレスモータ
の通電方法を示すタイムチヤート、第2図は本考
案に適用し得る磁電変換素子の平面図、第3図は
磁電変換素子の原理的回路図、第4図は出力特性
図、第5図は等価回路図、第6図は本考案の実施
例を示すブラシレスモータの要部の概略的な斜視
図、第7図は検出用磁石の平面図、第8図は検出
器の平面図、第9図は磁石と検出器の関係を示す
側面図、第10図は検出器の出力特性図、第11
図はブリツジ形磁電変換素子の概略的な平面図、
第12図は駆動回路の一例を示す回路図、第13
図は検出器の他の実施例を示す平面図である。 なお図面に用いられている符号において、1は
基板、2A,2Bは直線部分、5は出力端子、7
A,7B電流供給端子、10は回転子、12は検
出用磁石、13は検出器、13aは基板、14
a,14b,14cは磁電変換素子である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 夫々磁気抵抗の異方性効果を有する強磁性体か
    ら成る第1及び第2の電流通路を直列に接続する
    と共に前記第1及び第2の電流通路の主電流通路
    を夫々互いに略直交する如く配しさらに前記第1
    及び第2の電流通路の接続点に出力端子を設ける
    と共に前記第1及び第2の電流通路の他端側に電
    流供給端子を設けて成る磁電変換素子を3個用い
    これらの磁電変換素子を基板上に120゜または60
    ゜間隔で配設して成る検出器と、上記基板と近接
    して対向配置される磁石とより成り、上記磁石に
    は上記基板との対向面に一方向性の磁束を発生す
    る一対の磁極が着磁され、且つ上記磁石は4極回
    転子の回転に伴つて回転されるように設けられる
    ことを特徴とするブラシレスモータの回転子位置
    検出装置。
JP1976142759U 1976-10-22 1976-10-22 Expired JPS6111982Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP1976142759U JPS6111982Y2 (ja) 1976-10-22 1976-10-22

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JP1976142759U JPS6111982Y2 (ja) 1976-10-22 1976-10-22

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Publication Number Publication Date
JPS5359606U JPS5359606U (ja) 1978-05-20
JPS6111982Y2 true JPS6111982Y2 (ja) 1986-04-15

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JP1976142759U Expired JPS6111982Y2 (ja) 1976-10-22 1976-10-22

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51114700A (en) * 1975-04-01 1976-10-08 Sony Corp Magnet forming process

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS51114700A (en) * 1975-04-01 1976-10-08 Sony Corp Magnet forming process

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JPS5359606U (ja) 1978-05-20

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