JPH083713A - 溶融めっき線の製造方法 - Google Patents

溶融めっき線の製造方法

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JPH083713A JP15536594A JP15536594A JPH083713A JP H083713 A JPH083713 A JP H083713A JP 15536594 A JP15536594 A JP 15536594A JP 15536594 A JP15536594 A JP 15536594A JP H083713 A JPH083713 A JP H083713A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来の伸線加工工程と溶融めっき工程に於け
る工程能力の大きな差に起因する生産効率の悪さの改善
を図り、めっき厚さの偏りがなく、均一なめっき層を有
する溶融めっき線の製造方法を提供する。 【構成】 焼鈍,清浄化工程として、硬質被めっき銅母
線1aを貯留巻枠2から繰り出し、還元性ガス雰囲気加
熱炉3中を通過させ軟質被めっき銅母線1bとする。溶
融めっき工程として、前記母線1bを溶融錫めっき浴4
中に導き、次いで非酸化性ガス雰囲気5中にある溶融錫
めっき浴表面6から垂直上方向に引き出し,空中冷却域
7で溶融めっき層を凝固させ軟質溶融錫めっき銅母線1
cとする。伸線加工工程として、前記めっき銅母線1c
を伸線機8に導き,伸線加工し、硬質溶融錫めっき銅線
1dとする。通電加熱工程として、前記めっき銅線1d
を電流焼鈍装置10に導き,通電加熱を施し、軟質溶融
錫めっき銅線1を製造し、巻枠11に巻き取る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は溶融めっき線の製造方法
に関する。更に詳しくは電子部品のリード線材、或は電
子機器の配線材用導体として用いられる軟質錫或ははん
だめっき銅線の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近時,部品技術の進歩に従って各種電子
部品が小型化してきている。そのため,従来より電子部
品のリード線材として用いられているめっき線,例えば
軟質錫めっき銅線や軟質はんだめっき銅線も細線化の傾
向にあり、一般に線径が0.3〜0.6mmのものが主
として用いられている。これらのめっき線の錫或ははん
だめっき厚さは一般に3〜12μmである。また、電子
機器の配線材の導体として,撚線や編組線の状態で用い
られるめっき線は線径が0.1〜0.3mmのものが殆
どで、その錫或ははんだめっき厚さは0.5〜2μmで
ある。これらリード線材或は配線材用導体として用いら
れるめっき線は、めっき厚さに偏りがなく,均一なめっ
き厚さを有するものが求められていた。
【0003】上記の用途に使用される,めっき厚さに偏
りがなく,均一なめっき厚さを得る方法としては,当社
の特許である特公昭63−60825号の溶融めっき方
法を採用している。この溶融めっき方法を用いて,例え
ば錫めっき銅線を製造する方法としては、銅母線を伸線
機によって最終線径まで伸線して硬質被めっき銅線とし
た後、還元性ガス雰囲気の加熱炉で焼鈍して軟質被めっ
き銅線とし、続いてこの被めっき銅線を溶融錫めっき浴
の中に浸漬した後、非酸化性ガス雰囲気中にあるめっき
浴表面から垂直上方向に走行させて溶融錫めっきを施し
た後、溶融めっき層を冷却固着させて軟質錫めっき銅線
とし、続いて巻枠に巻き取るという製造方法であった。
【0004】図4によって従来の製造方法を更に詳しく
説明する。まず母線貯留巻枠2から母線1fを引き出
し、伸線機8に導き、複数の中間ダイス9及び仕上げダ
イス9aを通過させて最終線径の硬質被めっき線1gと
する。続いて該被めっき線1gを還元性ガス雰囲気から
なるトンネル式加熱炉3中を連続走行させ、該線1gの
焼鈍,軟質化及び表面清浄化を行い,軟質被めっき線1
hとする。続いて該被めっき線1hを間断なく溶融金属
めっき浴4中に導き、浸漬,走行させ、非酸化性ガス雰
囲気5中の溶融めっき浴表面6から垂直上方向に走行さ
せて溶融めっきを施し、連続して冷却域7を通過させて
溶融めっき層を固着させ軟質溶融めっき線1iとする。
続いてこのめっき線1iを巻枠11に巻き取る。という
製造方法であった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の溶融めっき線の
製造方法に於いては、めっき厚さが非酸化性ガス雰囲気
5中の溶融めっき浴表面6から軟質被めっき線1hが垂
直上方向に走行するときの線速によって決まり、線径が
0.3〜0.6mmのときに0.5〜15μm程度のめ
っき厚さを得るためにはこの線速が数m/min〜数十
m/min程度である。従って生産性が低く,コストア
ップの原因となっていた。また従来の方法では溶融めっ
き工程での生産速度が遅いために数百m/min以上の
伸線加工速度を持つ伸線機の能力や加熱炉の能力を生か
せないという欠点があった。即ち伸線加工工程と溶融め
っき工程の持つ製造能力(線速)を比較すると、伸線機
自体の能力は、溶融めっき厚さに影響される溶融めっき
速度の10倍前後或はそれ以上であり、上記した従来技
術のように,母線を伸線加工した後に溶融めっき処理す
る場合は、生産速度は溶融めっき処理の線速に支配され
てしまい、それ以上の生産の効率化ができなかった。
【0006】そのため、前記の製造方法の一部を変更し
て生産の効率化を図った方法も用いられている。この方
法について図示はしないが、まず母線を伸線機によって
伸線加工して最終線径の硬質被めっき線としたものを複
数の巻枠に一旦貯留しておく。そしてそれぞれの貯留巻
枠から並行して硬質被めっき線を走行させ、前記したよ
うに加熱炉,溶融めっき浴等を走行させ、溶融めっき線
を製造する方法である。すなわち母線から溶融めっき線
までを2段階で製造する方法で、多数本の同時溶融めっ
き処理により生産性を確保する方法である。しかしなが
らこの方法は2段階で製造しているので、めっき線の品
質にも影響し、長尺の製品が得られにくく、また歩留り
もあまり良くなかった。
【0007】本発明は上記従来技術が有する各種問題点
を解決するために為されたものであり、従来の伸線加工
工程と溶融めっき工程に於ける工程能力の大きな差に起
因する生産効率の悪さの改善を図り,めっき厚さの偏り
がなく、均一なめっき層を有する溶融めっき線が効率良
く得られる溶融めっき線の製造方法を提供することを目
的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、硬質被めっき母線を貯留巻枠から繰り出
し、非酸化性或は還元性ガス雰囲気からなる加熱炉中を
走行させ、該母線を焼鈍,軟質化させると共に表面清浄
化を行い軟質被めっき母線とする焼鈍,清浄化工程;
と、引き続いて前記軟質被めっき母線を溶融金属めっき
浴中に導き、非酸化性ガス雰囲気中にある溶融めっき浴
表面から垂直上方向に走行させて溶融めっきを施し、続
いて冷却域を通過させ,溶融めっき層を固着して軟質溶
融めっき母線とする溶融めっき工程;と、引き続いて前
記溶融めっき母線を伸線機を通過させて伸線加工し、伸
線仕上がり径に於けるめっき厚さが偏りのない0.5μ
m以上15μm以下の範囲内の均一溶融めっき層を有す
る硬質溶融めっき線とする伸線加工工程;と、更に引き
続いて前記硬質溶融めっき線を電流焼鈍装置を通過させ
て通電加熱し、軟質溶融めっき線とする通電加熱工程;
とからなる溶融めっき線の製造方法にある。
【0009】また本発明は、前記硬質被めっき母線が、
溶融めっき金属の溶融点温度よりも高い溶融点を有し、
かつ溶融めっき金属の溶融点温度よりも低温で焼鈍され
軟質化する溶融めっき線の製造方法にある。また前記硬
質被めっき母線が、180〜200℃の加熱温度で焼鈍
され軟質化する,含有不純物としての砒素及びアンチモ
ンを極力取り去った純度が99.996%以上の銅線である溶
融めっき線の製造方法にある。また前記溶融めっき金属
が溶融錫或ははんだである溶融めっき線の製造方法にあ
る。また前記通電加熱工程に於いて、硬質溶融めっき線
のめっき層が再溶融しない範囲の条件で硬質溶融めっき
線に通電する溶融めっき線の製造方法にある。また前記
溶融金属めっき浴を走行する軟質被めっき母線の線速度
と伸線機の仕上げダイスの孔径及び最終仕上がり線速に
よって、仕上がり軟質溶融めっき線の規定めっき厚さを
得る溶融めっき線の製造方法にある。
【0010】本発明の溶融めっき線の製造方法について
図1,2を用いて更に詳しく説明する。図1は溶融めっ
き線の製造方法を示す略図,また図2は溶融めっき線の
製造方法を示す工程図である。この図1に於いて、1は
軟質溶融めっき線,1aは硬質被めっき母線,1bは軟
質被めっき母線,1cは軟質溶融めっき母線,1dは硬
質溶融めっき線,2は貯留巻枠,3は非酸化性或は還元
性ガス雰囲気トンネル式加熱炉,4は溶融めっき浴,5
は非酸化性ガス雰囲気,6は溶融めっき浴表面,7は冷
却域,8は伸線機,9は中間ダイス,9aは仕上げダイ
ス,10は電流焼鈍装置、また11は巻枠である。
【0011】まず、焼鈍,清浄化工程として、硬質被め
っき母線1aを貯留巻枠2から引き出し、非酸化性或は
還元性ガス雰囲気からなるトンネル式加熱炉3に導き,
被めっき母線1aを焼鈍し軟化すると共に表面清浄化処
理を行い軟質被めっき母線1bとする。次いで溶融めっ
き工程として、前記焼鈍,清浄化工程に引き続き,間断
なく直ちに前記軟質被めっき母線1bを溶融めっき浴4
中に浸漬し走行させ、引き続き,非酸化性ガス雰囲気5
中の溶融めっき浴表面6から垂直上方向に引き出し,溶
融めっきを施した後、冷却域7を通過させて溶融めっき
層を固着せしめ軟質溶融めっき母線1cとする。次いで
めっき線伸線加工工程として、前記軟質溶融めっき母線
1cを伸線機8に導き、中間ダイス9及び仕上げダイス
9aによって所定の仕上げ線径とめっき厚さの硬質溶融
めっき線1dとする。引き続いて焼鈍工程として、電流
焼鈍装置10を通過させて通電加熱し軟質溶融めっき線
1とし、続いて該溶融めっき線1を巻枠11に巻き取る
方法である。
【0012】なお所定の線径におけるめっき厚さを、偏
りのない0.5μm以上から15μm以下に限定した理
由は、電子部品のリード線材,或は電子機器の配線用導
体として使用される溶融めっき線は線径に係わらず,実
用上このめっき厚の範囲内にあるからである。なお、リ
ード線材として使用する場合は、耐熱,耐湿性,はんだ
付け性の要求から3〜15μmが必要とされており、一
方電子配線材の導体としては0.5〜2μmが要求され
ている。
【0013】
【作用】本発明の溶融めっき線の製造方法によれば、ま
ず軟質被めっき母線1bへのめっき厚さは該母線1bが
非酸化性ガス雰囲気5の溶融めっき浴表面6から垂直上
方向に走行する速度によって決定する。また所定の仕上
がり線径でのめっき厚さは伸線機8の仕上げダイス9a
の孔径によって決まる。従って所定の仕上がり線径で所
定のめっき厚さを得るためには、仕上がりめっき線1の
巻取り速度を調節することにより軟質被めっき母線1b
へのめっき速度を変え、該母線1bに対するめっき厚さ
を調節するものである。
【0014】本発明の製造方法によれば、溶融めっき金
属の溶融点温度よりも高い溶融点を有し、かつ溶融めっ
き金属の溶融点温度より低温で焼鈍し軟質化する母線材
を用いているので、該母線材を非酸化性ガス雰囲気中の
溶融金属めっき浴表面から垂直上方向に引き上げ、めっ
きされた溶融金属を固着した後、軟質溶融めっき母線を
伸線加工し、更にめっき層が再溶融しない温度範囲の通
電加熱によって軟質溶融めっき線が得られる。従って、
従来仕上がり線径の軟質被めっき線に溶融めっきを施し
て軟質溶融めっき線を得ていた方法と比較して、はるか
に速い,伸線機の伸線速度能力で生産することができる
ようになった。なお本発明に於いても従来と同じ溶融金
属めっき浴と伸線機を用いているが、工程の順序を逆に
することにより、それぞれの能力の高い方でバランスが
とれるようにし生産性をアップさせているものである。
【0015】
【実施例】本発明の溶融めっき線の製造方法について実
施例を挙げて詳細に説明する。なお本発明は本実施例に
限定されるものではない。 実施例1 実施例1について図1〜3を用いて説明する。図3は本
発明に用いる特定の特性と組成を有する硬質被めっき銅
母線1.2mmφの加熱温度と伸びの関係を示すグラフ
図である。まず焼鈍,清浄化工程として、第3図に示し
た180〜200℃の加熱温度で完全焼鈍した場合に軟
質化し、伸び特性値が40%を示す,純度99.996%の銅
からなる1.2mmφの硬質被めっき銅母線1aを貯留
巻枠2から繰り出し、炉内温度が450℃の(3%H2-
97%N2)ガス雰囲気からなるトンネル式加熱炉3中を
24.5m/minの速度で通過させ硬質銅母線1aを
焼鈍すると同時に該線1aの表面の清浄化を行い軟質被
めっき銅母線1bとする。
【0016】続いて溶融めっき工程として、前記軟質銅
母線1bを間断なく260℃の溶融錫めっき浴4中に導
き、該めっき浴4中を走行させてから3%H2-97%N
2 ガス雰囲気5中にある溶融錫めっき浴表面6から垂直
上方向に引き出し,3m長の空中冷却域7で溶融めっき
層を凝固させ軟質溶融錫めっき銅母線1cとする。この
時の錫めっき層は偏りがなく、均一な10μmのめっき
厚さであり、錫めっき銅母線1cの外径は1.22mm
であった。
【0017】続いて伸線加工工程として、前記工程と連
続して前記錫めっき銅母線1cを伸線機8に導き,1ダ
イスの断面縮小率が18%で中間ダイス9及び仕上げダ
イス9aの計20枚のダイスにより1800m/minの速
度で伸線加工し、線径が0.14mmで錫めっき層が偏
りのない1μm厚さの硬質溶融錫めっき銅線1dとす
る。
【0018】続いて通電加熱工程として、前記の工程に
引き続いて電流焼鈍装置10に導き,前記伸線速度と同
じ線速で電圧28V,電流15Aの条件で通電加熱を施
し、線径が0.14mmの軟質溶融錫めっき銅線1を製
造し、巻枠11に巻き取った。
【0019】上記実施例1により得られた0.14mm
φ軟質錫めっき銅線の特性として、伸び特性値は,通常
電子機器の配線材として用いられている軟質錫めっき銅
線と同じ程度の20%を示し、錫めっき層は偏りのない
1μm厚さで、また線の表面は平滑で光沢性に優れてい
た。従って,電子機器配線材用導体として、従来方法に
劣らない高品質の軟質錫めっき銅線を高い生産性のもと
に得ることが出来た。
【0020】実施例2 まず焼鈍,清浄化工程として、実施例1と同じ伸び特性
及び純度を示す2.6mmφの硬質被めっき銅母線1a
を貯留巻枠2から繰り出し、実施例1と同じ条件のトン
ネル式加熱炉3中を30m/minの速度で通過させ、
線の焼鈍,清浄化を行い軟質被めっき銅母線1bとす
る。続いて溶融めっき工程として、前記実施例1と同じ
装置を用い,同条件で溶融錫めっきを施し軟質溶融錫め
っき銅母線1cとする。この時の錫めっき層は偏りがな
く、均一な26μmのめっき厚さであり、錫めっき銅母
線1cの外径は 2.652mmであった。
【0021】続いて伸線加工工程として、前記実施例1
と同様に, 伸線機8に導き,1ダイスの断面縮小率が1
8%で中間ダイス9及び仕上げダイス9aの計18枚の
ダイスにより800 m/minの速度で伸線加工し、線径
が0.50mmで錫めっき層が偏りのない5μm厚さの硬質
溶融錫めっき銅線1dとする。続いて通電加熱工程とし
て、前記の工程に引き続いて実施例1と同じ電流焼鈍装
置10に導き,前記伸線速度と同じ線速で電圧38V,
電流25Aの条件で通電加熱を施し、線径が0.50mmの
軟質溶融錫めっき銅線1を製造し、巻枠11に巻き取っ
た。
【0022】上記実施例2により得られた0.50mmφ軟
質錫めっき銅線の特性として、伸び特性値は通常電子部
品のリード線材として用いられている軟質錫めっき銅線
と同じ程度の25%を示し、錫めっき層は偏りがなく、
均一な5μmのめっき厚さであり、また線の表面は平滑
で光沢性に優れていた。従って,電子部品用リード線材
として、従来方法に劣らない高品質の軟質錫めっき銅線
を高い生産性のもとに得ることが出来た。
【0023】比較例 比較例について図4を用いて説明する。まず実施例1と
同じ伸び特性及び純度を示す2.6mmφの硬質銅母線
1fを貯留巻枠2から繰り出し、実施例1と同じ伸線機
8に導き,1ダイスの断面縮小率が18%で中間ダイス
9及び仕上げダイス9aの計18枚のダイスにより20
m/minの伸線速度で伸線加工し、線径が0.49mmの
硬質被めっき銅線1g とする。続いて前記実施例1と同
じ,炉内温度が400℃の(3%H2-97%N2)ガス雰
囲気からなるトンネル式加熱炉3中を通過させ、線の焼
鈍,清浄化を行い軟質被めっき銅線1hとする。続いて
前記実施例1と同じ260℃の溶融錫めっき浴4中に浸
漬した後、実施例1と同様に非酸化性ガス雰囲気5中に
ある溶融めっき浴表面6から垂直上方向に走行させて溶
融錫めっきを施した後、溶融めっき層を冷却固着させ線
径が0.50mmの軟質溶融錫めっき銅線1iを製造し、2
0m/minの速度で巻枠11に巻き取った。
【0024】上記比較例により得られた0.50mmφ軟質
錫めっき銅線の特性として、伸び特性値は25%を示
し、錫めっき層は偏りがなく、均一な5μmのめっき厚
さであり、また線の表面は平滑で光沢性に優れていた。
【0025】実施例2と比較例を比べてみた場合、実施
例2の0.50mmφ軟質錫めっき銅線の特性は比較例の軟
質錫めっき銅線の特性と何等変わりなく良好である。ま
た生産性を比較した場合、実施例2の巻取り速度は800
m/min,比較例の巻取り速度は20m/minであ
るので実施例2は比較例の40倍の生産性がある事が分
かる。
【0026】
【発明の効果】本発明の溶融めっき線の製造方法は、硬
質被めっき母線を焼鈍,軟質化及び表面清浄化してから
溶融めっきを施し、次いで伸線加工してから通電加熱し
て軟質溶融めっき線を得る方法なので、得られた溶融め
っき線は偏肉のない均一な厚さで均質なめっき層を備え
たものとなるうえに、伸線機のもつ伸線速度能力で溶融
めっき線が生産出来るようになり、従来の製造方法と比
較して生産性が格段に改善出来た。そのため,めっき厚
さが3〜15μmで線径が0.3〜0.6mmの軟質錫
めっき銅線は電子部品用リード線材或はフレキシブルフ
ラット配線材の導体母線として、コスト低減と高品質化
がなされ好適となった。まためっき厚さが0.5〜2μ
mで線径が0.1〜0.3mm近辺のものは電子機器の
配線材用の撚り線や編組線としてコスト低減や高品質化
がなされ好適となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の溶融めっき線の製造方法を示す略図で
ある。
【図2】本発明の溶融めっき線の製造方法を示す工程図
である。
【図3】本発明に用いる特定の特性と組成を有する硬質
被めっき銅母線1.2mmφの加熱温度と伸びの関係を
示すグラフ図である。
【図4】従来の溶融めっき線の製造方法を示す略図であ
る。
【符号の説明】
1 軟質溶融めっき線 1a 硬質被めっき母線 1b 軟質被めっき母線 1c 軟質溶融めっき母線 1d 硬質溶融めっき線 2 貯留巻枠 3 非酸化性或は還元性ガス雰囲気トンネル式加熱炉 4 溶融金属めっき浴 5 非酸化性ガス雰囲気 6 溶融めっき浴表面 7 冷却域 8 伸線機 9 中間ダイス 9a 仕上げダイス 10 電流焼鈍装置 11 巻枠
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C23C 2/26 H01B 13/00 501 E H01L 21/60 301 F

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 硬質被めっき母線を貯留巻枠から繰り出
    し、非酸化性或は還元性ガス雰囲気からなる加熱炉中を
    走行させ、該母線を焼鈍,軟質化させると共に表面清浄
    化を行い軟質被めっき母線とする焼鈍,清浄化工程;
    と、引き続いて前記軟質被めっき母線を溶融金属めっき
    浴中に導き、非酸化性ガス雰囲気中にある溶融めっき浴
    表面から垂直上方向に走行させて溶融めっきを施し、続
    いて冷却域を通過させ,溶融めっき層を固着して軟質溶
    融めっき母線とする溶融めっき工程;と、引き続いて前
    記溶融めっき母線を伸線機を通過させて伸線加工し、伸
    線仕上がり径に於けるめっき厚さが偏りのない0.5μ
    m以上15μm以下の範囲内の均一溶融めっき層を有す
    る硬質溶融めっき線とする伸線加工工程;と、更に引き
    続いて前記硬質溶融めっき線を電流焼鈍装置を通過させ
    て通電加熱し、軟質溶融めっき線とする通電加熱工程;
    とからなることを特徴とする溶融めっき線の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記硬質被めっき母線が、溶融めっき金
    属の溶融点温度よりも高い溶融点を有し、かつ溶融めっ
    き金属の溶融点温度よりも低温で焼鈍され軟質化するこ
    とを特徴とする請求項1記載の溶融めっき線の製造方
    法。
  3. 【請求項3】 前記硬質被めっき母線が、180〜20
    0℃の加熱温度で焼鈍され軟質化する,含有不純物とし
    ての砒素及びアンチモンを極力取り去った純度が99.996
    %以上の銅線であることを特徴とする請求項1または2
    記載の溶融めっき線の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記溶融めっき金属が溶融錫或ははんだ
    であることを特徴とする請求項1,2または3記載の溶
    融めっき線の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記通電加熱工程に於いて、硬質溶融め
    っき線のめっき層が再溶融しない範囲の条件で硬質溶融
    めっき線に通電することを特徴とする請求項1,2,3
    または4記載の溶融めっき線の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記溶融金属めっき浴を走行する軟質被
    めっき母線の線速度と伸線機の仕上げダイスの孔径及び
    最終仕上がり線速によって、仕上がり軟質溶融めっき線
    の規定めっき厚さを得ることを特徴とする請求項1,
    2,3,4または5記載の溶融めっき線の製造方法。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311258A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 合金の製造方法およびフラットケーブルの製造方法
JP2008192385A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Fuji Densen Kogyo Kk 同軸ケーブル、及び同軸ケーブル用内部導体の製造方法
WO2011155477A1 (ja) * 2010-06-11 2011-12-15 古河電気工業株式会社 半田メッキ線の製造方法及び製造装置
WO2012063396A1 (ja) * 2010-11-08 2012-05-18 三菱電線工業株式会社 メッキ線材並びにその製造方法及び製造装置
WO2012111185A1 (ja) * 2011-02-15 2012-08-23 三菱電線工業株式会社 はんだめっき銅線およびその製造方法
JP5036545B2 (ja) * 2005-09-28 2012-09-26 株式会社Neomaxマテリアル 太陽電池用電極線材の製造方法
CN104971954A (zh) * 2015-07-17 2015-10-14 上海鼎凡电工机械股份有限公司 一种高速高稳定性铜导体大中拉拉丝机
CN105363824A (zh) * 2015-12-04 2016-03-02 无锡统力电工有限公司 槽形嵌丝线连续生产设备
EP3000907A1 (en) * 2014-09-25 2016-03-30 Strip Tinning Limited Coatings
CN108914035A (zh) * 2018-09-03 2018-11-30 德清县欣琪电子有限公司 一种双工位的铜包钢线镀锡装置
CN112226719A (zh) * 2020-10-16 2021-01-15 鹰潭市众鑫成铜业有限公司 一种铜线的热镀装置
CN112553551A (zh) * 2020-12-08 2021-03-26 重庆星达铜业有限公司 一种铜线退火用的加热管
CN113106369A (zh) * 2021-04-15 2021-07-13 江西富鸿金属有限公司 一种超细铜线的热镀锡工艺

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5036545B2 (ja) * 2005-09-28 2012-09-26 株式会社Neomaxマテリアル 太陽電池用電極線材の製造方法
JP2007311258A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 合金の製造方法およびフラットケーブルの製造方法
JP4640260B2 (ja) * 2006-05-19 2011-03-02 住友電気工業株式会社 フラットケーブルの製造方法
JP2008192385A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Fuji Densen Kogyo Kk 同軸ケーブル、及び同軸ケーブル用内部導体の製造方法
JP2012017518A (ja) * 2010-06-11 2012-01-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 半田メッキ線の製造方法及び製造装置
WO2011155477A1 (ja) * 2010-06-11 2011-12-15 古河電気工業株式会社 半田メッキ線の製造方法及び製造装置
CN102939402A (zh) * 2010-06-11 2013-02-20 古河电气工业株式会社 镀焊锡线的制造方法和制造装置
JP2012017523A (ja) * 2010-06-11 2012-01-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 半田メッキ線の製造方法及び製造装置
WO2012063396A1 (ja) * 2010-11-08 2012-05-18 三菱電線工業株式会社 メッキ線材並びにその製造方法及び製造装置
WO2012111185A1 (ja) * 2011-02-15 2012-08-23 三菱電線工業株式会社 はんだめっき銅線およびその製造方法
JPWO2012111185A1 (ja) * 2011-02-15 2014-07-03 三菱電線工業株式会社 はんだめっき銅線およびその製造方法
EP3000907A1 (en) * 2014-09-25 2016-03-30 Strip Tinning Limited Coatings
CN104971954A (zh) * 2015-07-17 2015-10-14 上海鼎凡电工机械股份有限公司 一种高速高稳定性铜导体大中拉拉丝机
CN105363824A (zh) * 2015-12-04 2016-03-02 无锡统力电工有限公司 槽形嵌丝线连续生产设备
CN105363824B (zh) * 2015-12-04 2017-07-07 无锡统力电工股份有限公司 槽形嵌丝线连续生产设备
CN108914035A (zh) * 2018-09-03 2018-11-30 德清县欣琪电子有限公司 一种双工位的铜包钢线镀锡装置
CN112226719A (zh) * 2020-10-16 2021-01-15 鹰潭市众鑫成铜业有限公司 一种铜线的热镀装置
CN112553551A (zh) * 2020-12-08 2021-03-26 重庆星达铜业有限公司 一种铜线退火用的加热管
CN113106369A (zh) * 2021-04-15 2021-07-13 江西富鸿金属有限公司 一种超细铜线的热镀锡工艺

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