JPH08329879A - イオン注入装置及びイオン注入方法 - Google Patents

イオン注入装置及びイオン注入方法

Info

Publication number
JPH08329879A
JPH08329879A JP7130705A JP13070595A JPH08329879A JP H08329879 A JPH08329879 A JP H08329879A JP 7130705 A JP7130705 A JP 7130705A JP 13070595 A JP13070595 A JP 13070595A JP H08329879 A JPH08329879 A JP H08329879A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
ion implantation
ion
ion beam
implantation apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7130705A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3288554B2 (ja
Inventor
Kazuo Mera
和夫 米良
Isao Hashimoto
橋本　　勲
Yasuo Yamashita
泰郎 山下
Minoru Fujimoto
実 藤本
Koji Ishiguro
浩二 石黒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP13070595A priority Critical patent/JP3288554B2/ja
Priority to US08/654,601 priority patent/US5753923A/en
Publication of JPH08329879A publication Critical patent/JPH08329879A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3288554B2 publication Critical patent/JP3288554B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20221—Translation
    • H01J2237/20228—Mechanical X-Y scanning

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明の目的は、最適なイオンビーム注入角で
イオンビームをウエハに注入可能なイオン注入装置及び
最適な深さに酸素イオンを注入し得るＳｉＭＯＸ用イオ
ン注入方法を提供するにある。 【構成】イオン源１００から取り出されたイオンビーム
Ｘをウエハ３３０に打込む。ウエハ３００は、回転デイ
スク３１０に保持されており、この回転デイスクは、回
転するとともに、イオンビームにほぼ直交する平面内で
モータ３７０によって揺動される。さらに、モータ３５
２によって、回転デイスク３１０は、チルト軸３５２を
中心に回動して、ウエハ３３０とこのウエハに入射する
イオンビームＸの入射角θを可変する

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン注入装置及びイ
オン注入方法に係り、特に、シリコンウエハに各種イオ
ンを打込むイオン注入装置及びＳｉＭＯＸ用のイオン注
入方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のイオン注入装置は、例えば、 特
開昭１ー１８９８４５号公報に記載のように、イオン源
から取り出されたイオンビームを処理室内に設置された
ウエハに打込む際に、ウエハに対するイオンビームの入
射角は、予め定められた所定角に固定されているもので
あった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、ＳｉＭＯＸ用の
イオン注入装置が研究開発されており、このイオン注入
装置においては、シリコンウエハの所定の深さに酸素イ
オンを注入し、その後、アニール処理を行うことによ
り、シリコンウエハ中にＳｉ０2の層を形成している。
このＳｉ０2層を絶縁基板とすることにより、従来のよ
うにＳｉ０2の基板上にシリコン層を形成するものに比
べて高速応答のウエハを実現できる。
【０００４】しかしながら、従来のイオン注入装置を用
いて、ＳｉＭＯＸのイオン注入を行った結果、適当なＳ
ｉ０2層を形成するのが困難であることが判明した。そ
の原因について、種々検討を行った結果、従来のイオン
注入装置においては、ウエハに対するイオンビームの入
射角は、酸素以外のイオンを最適に注入できる予め定め
られた所定角に固定されており、この角度で酸素イオン
を注入しようとすると、酸素イオンがシリコンの格子に
衝突する、いわゆるチャネリング現象によって、最適な
深さまで酸素イオンを注入できず、その結果として、シ
リコンウエハ中の最適な位置にＳｉ０2の層が形成でき
ないことが判明した。
【０００５】本発明の目的は、最適なイオンビーム注入
角でイオンビームをウエハに注入可能なイオン注入装置
を提供するにある。
【０００６】また、本発明の目的は、最適な深さに酸素
イオンを注入し得るイオン注入方法を提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、イオン源から取り出されたイオンビーム
をウエハに打込むイオン注入装置において、ウエハを保
持するウエハ保持手段と、上記イオンビームにほぼ直交
する平面内で上記ウエハ保持手段と上記イオンビームの
相対位置を変化させる相対位置変化手段と、上記ウエハ
保持手段に保持されるウエハとこのウエハに入射するイ
オンビームの入射角を可変する入射角可変手段を備える
ようにしたものである。
【０００８】上記イオン注入装置において、好ましく
は、上記ウエハ保持手段は、複数枚のウエハを円周上に
保持する回転デイスクであり、上記相対位置変化手段
は、上記回転デイスクを上記イオンビームにほぼ直交す
る平面内で回転させる回転手段と、上記回転デイスクを
上記イオンビームにほぼ直交する平面内で揺動する揺動
手段であるようにしたものである。
【０００９】上記イオン注入装置において、好ましく
は、上記揺動手段による上記回転デイスクの揺動により
上記ウエハが上記イオンビームを横切る時の上記ウエハ
の移動速度ｖが、上記回転手段による上記回転デイスク
の回転により上記ウエハが上記イオンビームを横切る時
の上記ウエハの回転周速ｗに対して反比例するように、
上記回転手段の回転速度と上記揺動手段の揺動速度の少
なくともいづれか一方を制御する制御手段を備えるよう
にしたものである。
【００１０】上記イオン注入装置において、好ましく
は、上記ウエハ保持手段は、上記イオンビームが上記ウ
エハに照射する面と反対側の面において上記ウエハを保
持するウエハホルダからなり、このウエハホルダは、上
記入射角可変手段により、上記ウエハとこのウエハに入
射するイオンビームの入射角を所定角度変化させた場合
でも、イオンビームが照射されないように傾斜部を設け
るようにしたものである。
【００１１】上記イオン注入装置において、好ましく
は、上記ウエハ保持手段は、さらに、このウエハホルダ
の外周部に取り付けられ、上記ウエハホルダの上面に載
置される上記ウエハの側面に係合する固定ピンと、上記
ウエハホルダの外周部に取り付けられ、上記ウエハホル
ダの上面に載置される上記ウエハの側面に係合するとと
もに、上記ウエハを上記ウエハホルダから取り外し自在
に保持する可動ピンを備えるようにしたものである。
【００１２】上記イオン注入装置において、好ましく
は、上記ウエハホルダは、さらに、このウエハホルダの
外周部に可動に取り付けられ、上記ウエハホルダの上面
に載置される上記ウエハの側面に係合するとともに、一
端にカウンタウエイトの取り付けられた複数のピンと、
このウエハホルダの外周部に取り付けられ、上記ウエハ
ホルダの上面に載置される上記ウエハの側面に係合する
座を備え、上記回転デイスクの回転により、遠心力で上
記カウンタウエイトを機能させて上記ピンと上記ウエハ
の係合を解くようにしたものである。
【００１３】上記イオン注入装置において、好ましく
は、上記ウエハホルダは、上記回転デイスクの回転面に
対して傾斜した面内に上記ウエハを保持する窪みを有
し、この窪みにて上記ウエハを保持するようにしたもの
である。
【００１４】上記イオン注入装置において、好ましく
は、さらに、上記回転デイスクに保持されたウエハと対
向する位置に配置された加熱手段を備えるようにしたも
のである。
【００１５】上記イオン注入装置において、好ましく
は、さらに、上記回転デイスクに保持されたウエハの温
度を計測する温度計測手段と、上記回転デイスクを回転
に同期して基準トリガ信号を発生する信号発生手段とを
備え、この信号発生手段から出力する上記基準トリガ信
号のタイミングで上記温度計測手段は上記ウエハの温度
を計測するようにしたものである。
【００１６】上記イオン注入装置において、好ましく
は、さらに、イオン注入処理の行われる前及びイオン注
入後のウエハを収納する収納カセットと、イオン注入の
直後のウエハを収納する耐熱材料で構成される高温カセ
ットと、上記収納カセット，上記高温カセット及び上記
ウエハ保持手段の相互間で、ウエハを搬送する搬送手段
とを備え、 この搬送手段は、イオン注入の直後のウエ
ハを上記ウエハ保持手段から取り外して上記高温カセッ
トに搬送し収納する耐熱材料から構成される高温アーム
と、イオン注入処理の行われる前のウエハを上記収納カ
セットから上記ウエハ保持手段に搬送するとともに、イ
オン注入処理後に上記高温カセットから上記収納カセッ
トに上記ウエハを搬送する低温アームを備えるようにし
たものである。
【００１７】上記イオン注入装置において、好ましく
は、上記収納カセット，上記高温カセット及び上記搬送
手段を内部に有する準備室と、上記ウエハ保持手段，上
記相対位置変化手段及び上記入射角可変手段を内部に有
する処理室を有し、さらに、上記準備室と上記処理室を
気密に遮断する封じ切り弁を備え、上記イオン注入済み
のウエハを上記高温カセットに収納し、さらに、イオン
注入前のウエハを上記ウエハ保持手段に保持後、上記封
じ切り弁により上記準備室と上記処理室を気密に遮断し
て、上記準備室内をガスパージするようにしたものであ
る。
【００１８】上記イオン注入装置において、好ましく
は、上記ウエハを保持する上記ウエハ保持手段を水平に
位置せしめた上で、上記ウエハ保持手段の下部から上記
ウエハ保持手段に設けられた開口からピンを挿入して上
記ウエハ保持手段からウエハを分離するウエハピックア
ップを備え、上記ウエハピックアップの移動方向と上記
ウエハの面のなす角度を９０゜以下の角度とするように
したものである。
【００１９】上記イオン注入装置において、好ましく
は、上記相対位置変化手段は、上記イオン源からの初期
イオンビーム出射時において、上記イオンビームの照射
位置から離れた位置に上記ウエハ保持手段に保持された
上記ウエハを位置せしめるようにしたものである。
【００２０】また、上記目的を達成するために、本発明
は、イオン源から取り出されたイオンビームをウエハに
打込むイオン注入方法において、上記イオン源から取り
出させるイオンは、酸素イオンであり、この酸素イオン
のイオンビームの上記ウエハへの入射角を可変して、上
記酸素イオンを上記ウエハに打込むようにしたものであ
る。
【００２１】上記イオン注入方法において、好ましく
は、複数枚の上記ウエハを円周上に保持し、このウエハ
を上記イオンビームにほぼ直交する平面内で回転させる
とともに、このウエハを上記イオンビームにほぼ直交す
る平面内で揺動させるようにしたものである。
【００２２】上記イオン注入方法において、好ましく
は、揺動により上記ウエハが上記イオンビームを横切る
時の上記ウエハの移動速度ｖが、回転により上記ウエハ
が上記イオンビームを横切る時の上記ウエハの回転周速
ｗに対して反比例するように、上記回転速度と揺動速度
の少なくともいづれか一方を制御するようにしたもので
ある。
【００２３】上記イオン注入方法において、好ましく
は、上記回転するウエハの回転に同期して回転するウエ
ハの温度を計測するようにしたものである。
【００２４】
【作用】本発明では、ウエハを保持するウエハ保持手段
と、イオンビームにほぼ直交する平面内でウエハ保持手
段とイオンビームの相対位置を変化させる相対位置変化
手段と、ウエハ保持手段に保持されるウエハとこのウエ
ハに入射するイオンビームの入射角を可変する入射角可
変手段を備えることにより、チャタリングの影響を防止
して最適角度でイオン注入が可能とし得るものとなる。
【００２５】また、ウエハ保持手段は、複数枚のウエハ
を円周上に保持する回転デイスクであり、相対位置変化
手段は、回転デイスクをイオンビームにほぼ直交する平
面内で回転させる回転手段と、回転デイスクをイオンビ
ームにほぼ直交する平面内で揺動する揺動手段とするこ
とにより、イオンビーム自体をスキャンするものでない
ため、イオンビームの密度が変化することなく、イオン
注入分布を均一にし得るものとなる。
【００２６】また、さらに、揺動手段による回転デイス
クの揺動によりウエハがイオンビームを横切る時のウエ
ハの移動速度ｖが、回転手段による回転デイスクの回転
によりウエハがイオンビームを横切る時のウエハの回転
周速ｗに対して反比例するように、回転手段の回転速度
と揺動手段の揺動速度の少なくともいづれか一方を制御
する制御手段を備えることにより、単位時間当たりのイ
オンビーム照射時間がいため、イオンビームの密度が変
化することなく、イオン注入分布を均一にし得るものと
なる。
【００２７】また、ウエハ保持手段は、イオンビームが
ウエハに照射する面と反対側の面においてウエハを保持
するウエハホルダからなり、このウエハホルダは、入射
角可変手段により、ウエハとこのウエハに入射するイオ
ンビームの入射角を所定角度変化させた場合でも、イオ
ンビームが照射されないように傾斜部を設けることによ
り、イオンビームは、ウエハ以外には照射されないた
め、コンタミネーションを防止し得るものとなる。
【００２８】また、さらに、ウエハ保持手段は、さら
に、このウエハホルダの外周部に取り付けられ、ウエハ
ホルダの上面に載置されるウエハの側面に係合する固定
ピンと、ウエハホルダの外周部に取り付けられ、ウエハ
ホルダの上面に載置されるウエハの側面に係合するとと
もに、ウエハをウエハホルダから取り外し自在に保持す
る可動ピンを備えることにより、ウエハに大きな力が加
わることを防止し得るものとなる。
【００２９】また、ウエハホルダは、さらに、このウエ
ハホルダの外周部に可動に取り付けられ、ウエハホルダ
の上面に載置されるウエハの側面に係合するとともに、
一端にカウンタウエイトの取り付けられた複数のピン
と、このウエハホルダの外周部に取り付けられ、ウエハ
ホルダの上面に載置されるウエハの側面に係合する座を
備えることにより、回転デイスクの回転による遠心力で
カウンタウエイトを機能させてピンとウエハの係合を解
くので、ウエハに大きな力が加わることを防止し得るも
のとなる。
【００３０】また、ウエハホルダは、回転デイスクの回
転面に対して傾斜した面内に上記ウエハを保持する窪み
を有し、この窪みにてウエハを保持することにより、ピ
ン等を用いることなく、遠心力でウエハを保持可能とし
得るものとなる。
【００３１】また、さらに、回転デイスクに保持された
ウエハと対向する位置に配置された加熱手段を備えるこ
とにより、ウエハの予備加熱及び補助加熱を効率よく行
い得るものとなる。
【００３２】また、さらに、回転デイスクに保持された
ウエハの温度を計測する温度計測手段と、回転デイスク
を回転に同期して基準トリガ信号を発生する信号発生手
段とを備えりことにより、この信号発生手段から出力す
る基準トリガ信号のタイミングで温度計測手段はウエハ
の温度を精度よく計測し得るものとなる。
【００３３】また、さらに、イオン注入処理の行われる
前及びイオン注入後のウエハを収納する収納カセット
と、イオン注入の直後のウエハを収納する耐熱材料で構
成される高温カセットと、収納カセット，高温カセット
及びウエハ保持手段の相互間で、ウエハを搬送する搬送
手段とを備え、この搬送手段は、イオン注入の直後のウ
エハをウエハ保持手段から取り外して高温カセットに搬
送し収納する耐熱材料から構成される高温アームと、イ
オン注入処理の行われる前のウエハを上記収納カセット
から上記ウエハ保持手段に搬送するとともに、イオン注
入処理後に上記高温カセットから上記収納カセットに上
記ウエハを搬送する低温アームを備えることにより、耐
熱性の必要な高温カセットは１個で済むものとなる。
【００３４】また、収納カセット，高温カセット及び搬
送手段を内部に有する準備室と、ウエハ保持手段，相対
位置変化手段及び入射角可変手段を内部に有する処理室
を有し、さらに、準備室と処理室を気密に遮断する封じ
切り弁を備え、イオン注入済みのウエハを高温カセット
に収納し、さらに、イオン注入前のウエハをウエハ保持
手段に保持後、封じ切り弁により準備室と処理室を気密
に遮断して、準備室内をガスパージすることにより、イ
オン注入済みのウエハを効率よく冷却し得るものとな
る。
【００３５】また、さらに、ウエハを保持するウエハ保
持手段を水平に位置せしめた上で、ウエハ保持手段の下
部からウエハ保持手段に設けられた開口からピンを挿入
してウエハ保持手段からウエハを分離するウエハピック
アップを備え、ウエハピックアップの移動方向とウエハ
の面のなす角度を９０゜以下の角度とすることにより、
ウエハの着脱時にウエハとウエハ保持手段が擦れること
を防止し得るものとなる。
【００３６】また、相対位置変化手段は、イオン源から
の初期イオンビーム出射時において、イオンビームの照
射位置から離れた位置にウエハ保持手段に保持されたウ
エハを位置せしめることにより、パーテイクルがウエハ
に付着するのを防止し得るものとなる。
【００３７】また、本発明では、イオン源から取り出さ
せるイオンは、酸素イオンであり、この酸素イオンのイ
オンビームの上記ウエハへの入射角を可変して、上記酸
素イオンを上記ウエハに打込むことにより、最適の角度
で酸素イオンをウエハに打ち込んで、最適なＳｉＯ2層
をＳｉＭＯＸにより形成し得るものとなる。
【００３８】また、複数枚のウエハを円周上に保持し、
このウエハをイオンビームにほぼ直交する平面内で回転
させるとともに、このウエハをイオンビームにほぼ直交
する平面内で揺動させることにより、イオンビームは固
定のため、イオン注入の分布を均一にし得るものとな
る。
【００３９】また、さらに、揺動によりウエハがイオン
ビームを横切る時のウエハの移動速度ｖが、回転により
ウエハがイオンビームを横切る時のウエハの回転周速ｗ
に対して反比例するように、回転速度と揺動速度の少な
くともいづれか一方を制御することにより、ウエハ全体
に均一にイオンを注入し得るものとなる。
【００４０】また、回転するウエハの回転に同期して回
転するウエハの温度を計測することにより、温度計測精
度を向上し得るものとなる。
【００４１】
【実施例】本発明の一実施例について、以下図面を用い
て説明する。図１は、本発明の一実施例によるＳｉＭＯ
Ｘ用イオン注入装置の全体構成図である。
【００４２】イオン源１００から放出されたイオンビー
ムは、質量分離器２００によって所定の質量を有するイ
オン、即ち、イオン注入に用いる、例えば、酸素イオン
が分離され、取り出される。質量分離器２００によって
取り出されたイオンビームＸは、処理室３００の入射口
３０１から処理室３００内に入射する。イオン源１０
０，質量分離器２００及び処理室３００は、気密連結さ
れており、それらの内部は、真空に保たれている。
【００４３】処理室２００内には、回転デイスク３１０
が設置されており、この回転デイスク３１０の外周に複
数のウエハホルダ３２０が配置されており、このウエハ
ホルダ３２０にシリコンウエハが固定される。回転デイ
スク３１０は、回転するとともに、左右に揺動する。イ
オンビームＸの断面積は、ウエハホルダ３２０に固定さ
れるシリコンウエハの面積に比べて小さいため、回転デ
イスク３１０が、回転及び揺動することにより、シリコ
ンウエハの全表面に目的とするイオンを打ち込むことが
できる。
【００４４】処理室３００の後方には、イオン注入対象
物のウエハを出し入れする準備室４００が接続されてい
る。準備室４００には、ウエハの搬送を行う搬送ロボッ
ト４１０及びウエハを収納する収納カセット４２０が配
置されている。搬送ロボット４１０は、収納カセット４
２０に収納されたウエハを取り出し、その先端を処理室
３００内に挿入して、ウエハをウエハホルダ３２０に装
着する。さらに、搬送ロボット４１０は、イオン注入の
終了後、ウエハホルダ３２０からウエハを取り外し、収
納カセット４２０に収納する。
【００４５】処理室３００と準備室４００により、イオ
ン注入装置のエンドステーションを構成している。
【００４６】次に、図２，図３を用いて、処理室３００
内の回転デイスク３１０の構造について説明する。図２
は、本発明の一実施例によるイオン注入装置の回転デイ
スク装置の正面図である。図３は、図２の側面図であ
る。
【００４７】図２において、１７枚のウエハ３３０が設
置されたウエハホルダー３２０が、回転ディスク３１０
の円周上に等ピッチで配置され、その回転ディスク３１
０の任意のウエハ位置にイオンビームＸが照射される。
回転ディスク３１０は、その中央に位置する円形部３１
２と、円形部３１２から９０゜の等間隔で十字形に延在
する４本のアーム部３１４，３１５，３１６，３１７
と、このアーム部３１４，３１５，３１６，３１７の外
周に位置するリング部３１８から構成される。１７個の
ウエハホルダ３２０は、このリング部３１８に取り付け
られている。中央の円形部３１２の後ろには、内部にモ
ータを有するインナーチャンバー３４０が取り付けられ
ており、モータの回転力が回転デイスク３１０に伝えら
れ、回転デイスク３１０を矢印Ａ方向に回転する。な
お、インナーチャンバー３４０の詳細な構成について
は、図３を用いて後述する。
【００４８】インナーチャンバー３４０は、左右からチ
ルト軸３５０，３５２によってコ字状のシャフト３６０
に対して回動可能に支持されている。シャフト３６０に
は、モータ３５４が固定されており、このモータ３５４
の回転軸がチルト軸３５２の端部に結合されており、モ
ータ３５４を正転若しくは逆転することにより、回転デ
イスク３１０は、チルト軸３５０，３５２を中心として
回動して、イオンビームＸに対する傾き角度を可変でき
る。
【００４９】コ字状のシャフト３６０は、その基部にお
いてシャフト３６２に固定されており、シャフト３６２
は、スキャン軸３６４に固定されている。スキャン軸３
６４の端部には、２点鎖線で示すギア３６６が固定され
ている。ギア３６６は、モータ３７０の回転軸に固定さ
れたギア３６８と係合している。従って、モータ３７０
を正逆転することにより、ギア３６６が矢印Ｂ方向に正
逆転し、回転デイスク３１０は、矢印Ｃ，Ｃ’方向に揺
動する。その揺動角は、図示するように、ψである。イ
オンビームＸの位置は固定であるので、回転デイスク３
１０の揺動により、相対的にイオンビームＸによってウ
エハ３３０上を走査できる。
【００５０】次に、図３を用いて回転デイスク３１０の
チルト機構について説明する。
【００５１】図３において、ウエハ３３０が設置された
ウエハホルダー３２０が、回転ディスク３１０の外周上
に配置され、その回転ディスク３１０の任意のウエハ位
置にイオンビームＸが照射される。回転デイスク３１０
の中央の円形部３１２の後ろには、デイスク座３１９が
印篭結合されている。デイスク座３１９に取り付けられ
たシャフト３４１は、モータ３４２の回転軸に結合され
ている。また、シャフト３４１は、絶縁物３４３を介し
て、インナーチャンバー３４０に回動自在に取り付けら
れている。モータ３４２には、磁気シールド３４４が取
り付けられ、さらに、冷却のための給排水口３４５が取
り付けられており、モータ３４２を冷却している。モー
タ３４２が配置されるインナーチャンバー３４０内は、
大気圧に保たれており、その外側は真空であるので、イ
ンナーチャンバー３４０内の封止のために磁気シールド
３４４が設けられている。インナーチャンバー３４０の
内部は、大気圧となっており、その内部には、乾燥空気
の吹き出し口３４７が設けられており、乾燥空気をチャ
ンバ内に導入できる。これは、モータ３４２を大気圧で
動作できるようにし、しかも、冷却を水冷方式としたた
め、インナーチャンバー３４０の内部が結露する可能性
があるので、外部より乾燥空気を取り込んでインナーチ
ャンバー３４０内を乾燥させ、結露を防ぐようにしてい
るためである。
【００５２】インナーチャンバー３４０は、左右からチ
ルト軸３５２によってコ字状のシャフト３６０に対して
回動可能に支持されている。シャフト３６０には、モー
タ３５４が固定されており、このモータ３５４の回転軸
がチルト軸３５２の端部に結合されており、モータ３５
４を正転若しくは逆転することにより、回転デイスク３
１０は、チルト軸３５０，３５２を中心として矢印Ｄ方
向に回動可能である。回転デイスク３１０を実線で示す
位置から矢印Ｃ方向に破線で示す位置に回動することに
より、イオンビームＸに対するウエハ３３０の傾き角度
θを可変できる。
【００５３】モータ３５４は、サーボモータを用いてお
り、モータ３５４の回転は、モータの回転軸に取り付け
られたエンコーダから出力するパルスによって検知され
る。ウエハの傾き角度θを変えるには、モータ制御回路
３４８は、回転デイスク３１０を傾ける角度に対応する
パルス数を供給し、モータ３５４が回転し、それに伴っ
てエンコーダから出力するパルス数を計数し、両者のパ
ルス数が等しくなるまで、モータ３５４を回転すること
により、モータを所定角度θまで傾けることができる。
ここで、傾ける角度は、図３において実線で示される従
来の位置から７゜，１４゜，２８゜の３種類とする。即
ち、図３における角度θを８３゜，７６゜，６２゜とな
るように回転デイスクの角度を制御できる。
【００５４】さらに、ウエハの交換をする際には、モー
タ制御回路３４８からの制御信号によってモータ３５４
を駆動し、回転デイスク３１０を実線で示す位置から破
線で示す回転デイスク３１０’の位置まで矢印Ｄ方向に
回動し、回転デイスク３１０を水平状態にして行われ
る。
【００５５】シャフト３６０は、その基部においてシャ
フト３６２に溶接固定されており、シャフト３６２は、
スキャン軸３６４に固定されている。スキャン軸３６４
は、４個のベアリング３６５ａ，３６５ｂ，３６５ｃ，
３６５ｄにより、ハウジング３６３に回転可能に支持さ
れている。スキャン軸３６４の右端部には、ギア３６６
が固定されている。ギア３６６は、モータ３７０の回転
軸に固定されたギア３６８と係合している。従って、モ
ータ制御回路３４８からの制御信号によりモータ３７０
を正逆転することにより、回転デイスク３１０は、揺動
する。その揺動角ψは、スキャン軸３６４に取り付けら
れたエンコーダ３６７によって検出できる。
【００５６】以上説明したように、回転ディスク３１０
は、その中心位置にモータ３４２が配置され、モータ３
４２により回転する。また、モータ３４２は、内部が大
気圧となっているインナーチャンバー３４０内に配置さ
れている。回転ディスク３１０は、イオンビームＸに対
し、イオン注入角θを可変できるように、チルト軸３５
０，３５２を中心に傾斜する構造となっている。また、
回転ディスク３１０は、ビームＸがウエハ全面に照射さ
れるように、スキャン軸３６４を中心にスキャン角ψに
て往復円弧運動ができるようになっている。
【００５７】従って、本実施例によれば、チルト軸を中
心にして回転デイスクが傾斜する構造となっているた
め、ウエハへイオンが打ち込まれる際の打込み角（ビー
ム入射角）を可変できるので、イオンをウエハに打込む
際のチャネリング現象を考慮して、最適なイオン打込み
を行うことができる。したがって、ＳｉＭＯＸ用のイオ
ン注入装置として用いることにより、最適のＳｉＯ2層
を形成できるので、高速応答のＳｉＭＯＸシリコンウエ
ハを製造できる。
【００５８】また、イオンビームを移動させずに、回転
デイスクに取り付けたウエハを移動する方式としたの
で、イオン注入分布の均一化を図ることができるように
なった。即ち、従来のイオンビーム自体を可変磁場によ
ってスキャンする方式では、磁場によるスキャンによっ
てイオンビームの密度も変化することとなったが、イオ
ンビームを移動させずに、ウエハを取り付けた回転デイ
スクを回転するようにしたので、イオンビームの密度が
変化することなく、均一密度でのイオン注入が可能とな
った。また、スキャン軸を中心に回転デイスクを揺動す
ることにより、イオン注入分布の均一化が図れる。な
お、回転デイスクは揺動だけでなく、別の機構により、
往復移動するようにしてもよい。いづれにしても、複数
枚のウエハに順次イオンビームを照射するために、ウエ
ハ側を回転させ、さらに、この回転方向にほぼ直交する
方向に往復動することにより、個々のウエハ内でイオン
ビームの位置を変えてイオンビームを照射することがで
きる。
【００５９】次に、図４を用いて、回転デイスクの揺動
動作について説明する。図４は、本発明の一実施例によ
るイオン注入装置の回転デイスクの揺動によるウエハの
位置とその時のウエハの移動速度の関係を示す図であ
る。
【００６０】上述したように、ウエハホルダ３２０の付
いた回転ディスク３１０は、モータ３４２によって回転
し、さらにスキャン軸３６４を中心に往復円弧運動を行
いながら、ウエハ３３０にイオンビームＸを照射してい
くものである。この時、ウエハ３３０に対して照射ビー
ムＸの断面サイズが小さいので、ウエハ３３０は回転と
スキャンの２つの移動によりビームを横切っていく。し
かしながら、回転運動では、回転ディスク３１０の外径
寄りと内径寄りとでウエハの回転周速が異なるので、ビ
ームが照射された時に、ウエハへの単位時間当たりの注
入イオン量が異なるので、均一性の点より問題が生じる
ことになる。そこで、図４に示すように、スキャンの往
復移動の速度をコントロールする。即ち、図４に示すよ
うに、回転ディスク３１０をスキャン往復移動させた
時、回転ディスク中心とビーム照射位置との距離をｒと
すると、スキャン往復移動速度ｖはこの距離ｒの関数で
ｖ＝ｆ（１／ｒ）とすることで、ウエハに照射される単
位時間当たりの注入量を同じにすることができる。距離
ｒは、ウエハの回転周速ｗに比例するので、ウエハの回
転周速ｗとウエハの往復移動速度ｖとを、ｖ＝ｆ（１／
ｗ）となるように、モータ制御回路３４８は、モータ３
７０の回転速度を制御する。この時、スキャン軸３６４
に取り付けられたエンコーダ３６７により、シャフト３
６０の回動位置を検出して、この検出値に基づいて、モ
ータ３７０の回転速度を制御する。なお、図中の１／ｒ
制御範囲の間において、イオンビームＸがウエハに接触
するので、この範囲でのみ、ｖ＝ｆ（１／ｒ）となるよ
うに制御すればよい。
【００６１】本実施例によれば、ウエハとビームの相対
速度を所定の関係で制御することにより、ウエハの単位
時間当たりのイオンビームの照射時間がウエハ全面にお
いて同一とすることができる。
【００６２】次に、図５を用いて、ウエハホルダの構造
について説明する。図５は、本発明の一実施例によるイ
オン注入装置のウエハホルダの横断面図であり、図２の
ウエハホルダ３２０のＭ−Ｍ断面図である。
【００６３】回転ディスク３１０を傾斜させた時、ビー
ムＸが回転ディスク３１０の側面やウエハホルダ３２０
の側面に当たらないように、図５に示す如く、回転ディ
スク３１０のリング部３１８の側面３１８ａやウエハホ
ルダ３２０の側面３２０ａが傾斜した断面構造となって
いる。
【００６４】本実施例によれば、イオンビームの注入角
を変えられるようにしたので、イオンビームの注入角を
変化させた場合、ウエハホルダのウエハ保持部及び回転
デイスクのリング部がイオンビームに対して傾斜するの
に対して、ウエハ保持部及び回転デイスクのリング部の
側壁に傾斜部を設けることにより、イオンビームが当た
るのを防止できるものとなる。
【００６５】次に、図６〜図８を用いて、ウエハホルダ
のウエハ保持構造について説明する。図６（ａ）は、本
発明の一実施例によるイオン注入装置のウエハホルダの
一実施例の平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の
Ｎ−Ｎ断面図である。
【００６６】ウエハ３３０の底面は、アルミ製のウエハ
ホルダ３２０によって保持されている。ウエハホルダ３
２０の上面には窪みが形成されており、ウエハ３３０と
は、ウエハホルダ３２０の上面外周でのみ接触するよう
にしてある。ウエハ３３０の側面から、ウエハ３３０
は、円柱状の２本の固定ピン３２１と１本の可動ピン３
２２によってチャックされている。固定ピン３２１及び
可動ピン３２２は、ＳｉＯ2若しくはＳｉによって作ら
れている。
【００６７】可動ピン３２２の下部のウエハチャック解
除ピン３２３を上下させることで、可動ピン２３２を図
中破線で示すように可動させ、ウエハ３３０の着脱を行
う構造としてある。
【００６８】ウエハホルダによって、ウエハを固定する
場合、ウエハの上面に押さえ部分がないこと、できるだ
けウエハとの接触を少なくして擦れによるゴミを発生さ
せないこと、及び過度の力で押さえつけて傷等をつけな
いことなどの留意が必要である。
【００６９】本実施例によれば、ウエハとの接触面は、
ウエハホルダの上面の外周部及び固定ピンと可動ピンの
みであるため、その接触面積を小さくし、かつ、ウエハ
を保持可能とするものである。従って、ウエハに不要に
大きな力が加わることがなくなる。
【００７０】図７（ａ）は、本発明の一実施例によるイ
オン注入装置のウエハホルダの他の実施例の平面図であ
り、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＯ−Ｏ断面図であり、
図７（ｃ）は、図７（ａ）のＰ−Ｐ断面図であり、図７
（ｄ）は、図７（ｃ）の動作状態の図である。
【００７１】ウエハ３３０の底面は、ウエハホルダ３２
０によって保持されている。ウエハホルダ３２０の上面
には窪みが形成されており、ウエハ３３０とは、ウエハ
ホルダ３２０の上面外周でのみ接触するようにしてあ
る。ウエハ３３０の側面から、ウエハ３３０は、円柱状
の２本のピン３２４と１本のピン３２５によってチャッ
クされている。さらに、ウエハホルダ３２０の外周の３
カ所に固定された座３２６によってもウエハ３３０の側
面を保持されている。座３２６は、ＳｉＯ2若しくはＳ
ｉを用いて作られている。
【００７２】ピン３２５の下端には、それぞれカウンタ
ウエイト３２５ａが取り付けられている。従って、回転
デイスクが回転すると、遠心力により、カウンタウエイ
ト３２５ａが移動し、ピン３２５は、矢印Ｅ方向に回動
して、ピン３２５は、ウエハ３３０の側面から離れる。
また、ピン３２４の回転軸には、ギア３２４ａが取り付
けられ、このギア３２４ａは、ラック３２４ｂと係合し
ている、ラック３２４ｂの一端には、カウンタウエイト
３２４ｃが固定されているため、回転デイスクが回転す
ると、遠心力により、カウンタウエイト３２４ｃは、矢
印Ｆ方向に移動するため、ギア３２４ａが回転し、ピン
３２４は、矢印Ｇ方向に回動して、ピン３２４は、ウエ
ハ３３０の側面から離れる。
【００７３】しかしながら、遠心力により、ウエハ３３
０は、座３２６に押しつけられているため、ウエハホル
ダ３２０に保持される。
【００７４】本実施例によれば、ウエハとの接触面は、
ウエハホルダの上面の外周部及び固定ピンと可動ピンの
みであるため、その接触面積を小さくし、かつ、ウエハ
を保持可能とするものである。従って、ウエハに不要に
大きな力が加わることがなくなる。
【００７５】また、座によって、遠心力により移動する
ウエハの移動を阻止する構造であるため、ウエハにかか
る力を小さくできるものである。
【００７６】また、回転デイスクを回転させて、イオン
ビームをウエハに照射するときは、ピンは、ウエハホル
ダの下部に退避する構造としたので、イオンビームがピ
ンに照射されることはなくなる。
【００７７】図８は、本発明の一実施例によるイオン注
入装置のその他の実施例のウエハホルダの断面図であ
る。
【００７８】ウエハホルダ３２０’は、回転デイスクの
リング部３１８’と一体に形成されているとともに、チ
ャック用ピンを使用せず、遠心力だけでウエハをウエハ
ホルダ３２０’に押さえつけて固定している。アルミ製
のウエハホルダ３２０’の上面には、窪みを形成して、
ウエハ３３０との接触面積を少なくしている。ウエハホ
ルダ３２０’のウエハ３３０の保持面は、若干傾斜させ
ることにより、遠心力Ｈの分力ｈがウエハ３３０をウエ
ハホルダ３２０’へ押さえつける力を生み出している。
【００７９】また、ウエハ３３０をウエハホルダ３２
０’に埋め込む構造とし、ウエハ面３３０ａがウエハ保
持部面３２０’ａとほぼ同じ高さとなるようにしている
ことにより、ウエハ裏面等へのビームのスパッタリング
異物を少なくするようにしている。
【００８０】本実施例によれば、ウエハとの接触面積を
小さくし、かつ、ウエハを保持可能とするものである。
【００８１】また、ウエハ面３３０ａがウエハ保持部面
３２０’ａとほぼ同じ高さとなるようにしているので、
ウエハ保持部でのウエハ裏面等へのビームのスパッタリ
ング異物を少なくなる。
【００８２】次に、図９を用いて、本発明の一実施例に
よるイオン注入装置の加熱装置について説明する。図９
は、本発明の一実施例によるイオン注入装置の加熱装置
の斜視図である。
【００８３】回転ディスク３１０上に円周方向に取り付
けられたウエハ３３０に、対向するように、処理室３０
０の蓋３８２に円形状のランプヒータ３８０ａ，３８０
ｂ，３８０ｃ，３８０ｄが取り付け、配置されている。
ランプヒータ３８０ａ，３８０ｂ，３８０ｃ，３８０ｄ
を、ウエハ３３０の配置と合うように設置することで、
効率よくウエハを加熱することができる。また、消耗品
であるランプヒータ３８０ａ，３８０ｂ，３８０ｃ，３
８０ｄは、交換保守が必要となるので、真空容器である
処理室３００を構成する扉３８２の内部側に設置してあ
る。
【００８４】ランプヒータ３８０ａ，３８０ｂ，３８０
ｃ，３８０ｄは、イオン注入前の予備加熱によりウエハ
３３０の温度を所定温度に上げるのに使用される。予備
加熱後、ウエハ３３０には、イオン注入されるが、この
イオン注入中においても、ウエハ３３０の温度を所定温
度に保つために、ランプヒータ３８０ａ，３８０ｂ，３
８０ｃ，３８０ｄによって、補助加熱される。
【００８５】本実施例によれば、ランプヒータによっ
て、ウエハの予備加熱のみならず、イオン注入中の補助
加熱も可能となる。
【００８６】また、ランプヒータは、処理室の扉に取り
付けてあるため、ランプヒータの交換も容易となる。
【００８７】次に、図１０を用いて回転デイスク上に配
置されたウエハの温度計測装置について説明する。図１
０は、本発明の一実施例によるイオン注入装置のウエハ
温度計測装置の概念図である。
【００８８】処理室３００内のウエハ３３０と対向する
位置には、非接触式温度計３９０が配置されている。こ
の非接触式温度計３９０により、ランプヒータによって
加熱されたウエハ３３０の温度を測定する。この時、回
転デイスク３１０は、５００ｒｐｍで高速回転している
ため、ウエハ３３０の温度を正確に測定するため、回転
デイスク３１０を回転するモータ３４２の回転に同期し
て温度を計測するようにしている。即ち、モータ３４２
を駆動するモータドライバ３９２からは、モータの回転
に同期した信号として、回転デイスク３１０の１回転に
１パルスを出力する基準位置トリガ信号３９２ａを出力
するようにして、この基準位置トリガ信号３９２ａを温
度計測制御部３９４に送り、回転ディスクの回転に同期
させて温度計測する。この時、基準位置トリガ信号３９
２ａは、回転デイスク３１０の１回転に１パルスを出力
するように構成しているので、常に回転デイスク３１０
の上の同一デイスクの温度を計測していることになる。
【００８９】非接触式温度計３９０によって計測された
ウエハの温度の信号は、ランプヒータ制御回路３９６に
入力され、ウエハ３３０の温度が所定温度になるよう
に、ランプヒータ３８０への通電量を制御する。
【００９０】本実施例によれば、回転デイスクの回転に
同期して、ウエハの温度を計測するようにしているの
で、その計測を精度よく行うことができる。
【００９１】次に、図１１を用いて、準備室４００の詳
細構造について説明する。
【００９２】図１１は、本発明の一実施例によるイオン
注入装置の処理室及び準備室の平面図である。
【００９３】処理室３００内には、回転デイスク３１０
上に複数枚のウエハ３３０が保持されている。ウエハ３
３０の回転デイスク３１０へ取り付け時及び取り外し時
には、回転デイスク３１０は水平位置まで傾けられてい
る。即ち、図３に実線で示す状態では、回転デイスク３
１０は、垂直方向に位置しているが、チルト軸３５２を
中心に２点鎖線で示される水平位置まで回転デイスク３
１０を回動して、ウエハの交換を行う。
【００９４】処理室３００にてイオン注入された高温の
ウエハ３３０は、搬送ロボット４１０に取り付けられた
高温アーム４２０によって処理室３００より搬出され
る。高温アーム４２０は、セラミック等の耐熱材ででき
ている。搬送ロボット４１０の回転中心には、回動可能
な下アーム４１２が取付られており、この下アーム４１
２の他端には、回動可能な上アーム４１４が取り付けら
れている。搬送ロボット４１０の内部に配置されたモー
タを駆動することにより、下アーム４１２が搬送ロボッ
ト４１０の回転中心を軸としてＹ1方向に回動し、さら
に、モータの回転力は、上アーム４１４にも伝わり、上
アーム４１４を軸４１６を中心にＹ2方向に回動する。
上アーム４１２と下アーム４１４は、共働して動くた
め、上アーム４１４に取付られた高温アーム４２０は、
Ｚ方向に直線的に移動する。高温アーム４２０は、処理
室３００内に挿入される。処理室３００内において、ウ
エハホルダ３２０に保持されており、イオン注入の終了
したウエハは、後述するピックアップピンによって、ウ
エハホルダ３２０の分離されており、処理室３００内に
挿入された高温ホルダ４２０は、ウエハホルダ３２０と
ウエハの間に挿入され、ウエハを載置する。その後、搬
送ロボット４１０を動作させ、上アーム４１４及び下ア
ーム４１２を回動して、高温アーム４２０を元の位置ま
で戻し、ウエハ３３０を処理室３００より搬出する。さ
らに、搬送ロボット４１０内に配置された別のモータに
より、搬送ロボット４１０自体をＹ3方向に回動して、
高温アーム４２０を高温カセット４４０に対向させる。
その上で、上アーム４１４及び下アーム４１２を回動し
て、高温アーム４２０を伸ばして、ウエハ３３０を高温
カセット４４０内に収納する。高温カセット４４０は、
不純物や重金属の発生しないＳｉ又はＳｉ０2等の耐熱
材及びウエハ素材に近い材料でできたものである。
【００９５】高温カセット４４０へのウエハ３３０の収
納後、収納カセット４５０ａからイオン注入をまだ行っ
ていないウエハ３３０を低温アーム４３０で取り出し、
処理室３００へ搬入する。低温アーム４３０は、高温ア
ーム４２０の反対側に高温アーム４２０と一体的に上ア
ーム４１４に回動自在に取り付けられている。従って、
冷温アーム４３０によるウエハの取り出し、搬入の動作
も、高温アーム４２０の動作と同様にして、搬送ロボッ
ト４１０により、上アーム４１４と下アーム４１２を回
動して、低温アーム４３０を伸縮し、さらに、搬送ロボ
ット４１０自体を回動することにより行われる。
【００９６】１７枚の新しいウエハの処理室３００への
搬入終了後、処理室３００と準備室４００の間に設けら
れた封じ切り弁４６０を閉じて、準備室４００内をＮ2
等の不活性ガスによりパージして、高温カセット４４０
に収納された１７枚のイオン注入処理済みのウエハを冷
却する。また、この間に、処理室３００内では、次のイ
オン注入処理室３００を実行することで、全体のタクト
タイムを短縮できる。
【００９７】冷却の終了した高温カセット４４０内のウ
エハは、低温アーム４３０によって取り出され、空いて
いる収納カセット４５０ａに収納する。３個の収納カセ
ット３５０ａ，３５０ｂ，３５０ｃは、ターンテーブル
４７０上に載置されており、このターンテーブル４７０
を回転することにより、順次、低温アーム４３０に対向
させることができるとともに、準備室４００の側壁に設
けられた取り出し口４８０に対向することができる。イ
オン注入の終了した高温カセット４５０は、取り出し口
４８０から外部に取り出すことができるとともに、ま
た、この取り出し口４８０から未処理室のウエハを収納
した収納カセット４５０を準備室４００内に搬入するこ
とができる。
【００９８】本実施例によれば、高温アームの材料とし
て、セラミック等の耐熱性の材料を用いることにより、
イオン注入後、ウエハをウエハ保持部であるウエハホル
ダから高温カセットに移送する際にも、アーム自体から
の不純物の飛散や重金属の飛散を防止できる。
【００９９】また、複数の収納カセット他に耐熱性の高
温カセットを備え、イオン注入後のウエハは、一旦、高
温カセットに載置した後、冷却するようにしているの
で、収納カセットを全て耐熱性にする必要がなく、耐熱
カセットは、１個用意すればよりので、低コスト化が図
れる。一般に、収納カセットは、イオン注入プロセスの
前後のプロセスでも使用するので、多数個用意する必要
があるが、耐熱性の高温カセットは１個用意すればよ
く、それ以外のカセットは、従来からの耐熱性のないカ
セットをそのまま使用できる。
【０１００】また、高温カセットに収納したイオン注入
後の高温ウエハを冷却する際に、準備室のチャンバー内
が真空状態では、熱の逃げが少ないので、イオン注入を
行う処理室と高温カセットが配置された準備室の間は、
封じ切り弁により遮断し、準備室には、窒素ガス等の不
活性ガスでパージすることにより、冷却時間を短縮でき
るものである。
【０１０１】また、イオン注入を行う処理室とイオン注
入済みのウエハを冷却する準備室の間を封じ切り弁によ
り遮断することにより、それぞれの室では、別々の処理
を行えるため、全体のタクトタイムを短縮できるもので
ある。
【０１０２】次に、図１２を用いてウエハホルダに保持
されたウエハの着脱機構について説明する。図１２は、
本発明の一実施例によるイオン注入装置のウエハ着脱機
構の側面図である。
【０１０３】回転ディスク３１０上に取り付けられたウ
エハホルダ３２０に保持されたウエハ３３０をウエハ３
３０の下面から持ち上げる構造としている。即ち、ウエ
ハホルダ３２０には、スリット３２０ａ，３２０ｂ及び
図示しない２個のスリットが形成されている。ウエハピ
ックアップ３７４には、ピックアップピン３７６，３７
８及び図示しない２本のピックアップピンが固定されて
おり、ウエハホルダ３２０の下から上昇することによ
り、ピックアップピン３７６，３７８は、スリット３２
０ａ，３２０ｂを貫通して、ウエハ３３０の下面と接触
して、ウエハ３３０を上方に持ち上げる。この時、ウエ
ハ３３０の端面は、ウエハホルダ３２０の固定された座
３２６と接触面３２６ａにおいて接触しているので、ウ
エハ３３０をまっすぐ上方に持ち上げると、ウエハ３３
０の端面が座３２６と擦れるので、それを避けるため、
ウエハピックアップ３７４は、真上に上昇するのではな
く、矢印Ｊ方向に上昇し、この時の角度θは、約８７゜
としてある。ウエハピックアップ３７４の上昇距離Ｌ1
は、３ｃｍであるが、この時の水平方向の移動距離Ｌ2
は、１ｍｍ程度である。従って、スリット３２０ａ，３
２０ｂは、ピックアップピン３７６，３７８の外径より
２〜３ｍｍ大きい円形の開口であればよい。また、図１
１との関連において、準備室４００から挿入された高温
アームは、矢印Ｋ方向から挿入され、ウエハ３３０とウ
エハホルダ３２０の間に挿入される。高温アームの挿入
後、ウエハピックアップ３７４を下降することにより、
高温アーム上にウエハ３３０を載置できる。
【０１０４】また、新しいウエハをウエハホルダに載置
する場合にも、同様にして、ウエハホルダにウエハの端
面を擦ることなく、ウエハを載置できる。
【０１０５】本実施例によれば、ウエハをウエハホルダ
から外す場合にも、ウエハの端面がウエハホルダと擦れ
ることがないので、ウエハが傷ついたり、ウエハの粉末
が処理室内に飛散することを防止できる。
【０１０６】次に、図１３を用いて、 本発明の他の実
施例によるイオン注入装置の回転ディスク装置について
説明する。
【０１０７】図１３は、本発明の他の実施例によるイオ
ン注入装置の回転ディスク装置の正面図である。図２と
同一符号は同一部分を表している。
【０１０８】図１３において、ウエハ３３０が設置され
たウエハホルダー３２０が回転デイスク３１０の円周上
に配置され、スキャン軸３６４を中心に揺動することに
より、イオンビームＸをウエハ３３０が横切って、イオ
ン注入する機構となっている。イオン注入動作におい
て、初期イオンビーム出射開始時においては、パーテイ
クルを多く含んだイオンビームとなっているため、この
イオンビームをウエハ３３０に照射するとパーテイクル
を付着させる原因となる。そのため、イオンビーム出射
開始時には、図に示すように、ウエハ３３０にイオンビ
ームが当たらない位置まで回転デイスクを揺動し、退避
するようにしている。
【０１０９】本実施例によれば、ウエハへのパーテイク
ルの付着を防止することができる。
【０１１０】
【発明の効果】本発明によれば、イオン注入装置におけ
るウエハへのイオンビームのイオン注入角を最適にし得
るものとなる。
【０１１１】また、本発明によれば、イオン注入方法に
おける最適な深さに酸素イオンの注入をなし得るものと
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例によるイオン注入装置の全体
構成図である。
【図２】本発明の一実施例によるイオン注入装置の回転
ディスク装置の正面図である。
【図３】図２の側面図である。
【図４】本発明の一実施例によるイオン注入装置の回転
デイスクの揺動によるウエハの位置とその時のウエハの
移動速度の関係を示す図である。
【図５】本発明の一実施例によるイオン注入装置のウエ
ハホルダの横断面図である。
【図６】本発明の一実施例によるイオン注入装置のウエ
ハホルダの一実施例の説明図である。
【図７】本発明の一実施例によるイオン注入装置のウエ
ハホルダの他の実施例の説明図である。
【図８】本発明の一実施例によるイオン注入装置のその
他の実施例のウエハホルダの説明図である。
【図９】本発明の一実施例によるイオン注入装置の加熱
装置の斜視図である。
【図１０】本発明の一実施例によるイオン注入装置のウ
エハ温度計測手段の概念図である。
【図１１】本発明の一実施例によるイオン注入装置の処
理室及び準備室の平面ずである。
【図１２】本発明の一実施例によるイオン注入装置のウ
エハ着脱機構の側面図である。
【図１３】本発明の他の実施例によるイオン注入装置の
回転ディスク装置の正面図である。
【符号の説明】
１００…イオン源 ２００…質量分離器 ３００…処理室 ３１０…回転ディスク ３２０…ウエハホルダ ３２１…固定ピン ３２２…可動ピン ３２４，３２５…ピン ３２４ｃ，３２５ａ…カウンタウエイト ３２６…座 ３３０…ウエハ ３４２，３５４，３７０…モータ ３４７…乾燥空気吐き出し口 ３４８…モータ制御回路 ３５０，３５２…チルト軸 ３６４…スキャン軸 ３７４…ウエハピックアップ ３７６，３７８…ピックアップピン ３８０…ランプヒータ ３８２…扉 ３９０…非接触式温度計 ３９２…モータドライバ ３９４…温度計制御器 ３９６…ランプヒータ制御回路 ４００…準備室 ４１０…搬送ロボット ４２０…高温アーム ４３０…低温アーム ４４０…高温カセット ４５０…収納カセット ４６０…封じ切り弁 Ｘ…イオンビーム
フロントページの続き (72)発明者 藤本 実 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内 (72)発明者 石黒 浩二 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 イオン源から取り出されたイオンビーム
    をウエハに打込むイオン注入装置において、 ウエハを保持するウエハ保持手段と、 上記イオンビームにほぼ直交する平面内で上記ウエハ保
    持手段と上記イオンビームの相対位置を変化させる相対
    位置変化手段と、 上記ウエハ保持手段に保持されるウエハとこのウエハに
    入射するイオンビームの入射角を可変する入射角可変手
    段を備えたことを特徴とするイオン注入装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載のイオン注入装置におい
    て、 上記ウエハ保持手段は、複数枚のウエハを円周上に保持
    する回転デイスクであり、 上記相対位置変化手段は、上記回転デイスクを上記イオ
    ンビームにほぼ直交する平面内で回転させる回転手段
    と、上記回転デイスクを上記イオンビームにほぼ直交す
    る平面内で揺動する揺動手段であることを特徴とするイ
    オン注入装置。
  3. 【請求項３】 請求項２記載のイオン注入装置におい
    て、 上記揺動手段による上記回転デイスクの揺動により上記
    ウエハが上記イオンビームを横切る時の上記ウエハの移
    動速度ｖが、上記回転手段による上記回転デイスクの回
    転により上記ウエハが上記イオンビームを横切る時の上
    記ウエハの回転周速ｗに対して反比例するように、上記
    回転手段の回転速度と上記揺動手段の揺動速度の少なく
    ともいづれか一方を制御する制御手段を備えたことを特
    徴とするイオン注入装置。
  4. 【請求項４】 請求項１若しくは請求項２のいづれか記
    載のイオン注入装置において、 上記ウエハ保持手段は、上記イオンビームが上記ウエハ
    に照射する面と反対側の面において上記ウエハを保持す
    るウエハホルダからなり、このウエハホルダは、上記入
    射角可変手段により、上記ウエハとこのウエハに入射す
    るイオンビームの入射角を所定角度変化させた場合で
    も、イオンビームが照射されないように傾斜部を設けた
    ことを特徴とするイオン注入装置。
  5. 【請求項５】 請求項４記載のイオン注入装置におい
    て、 上記ウエハホルダは、さらに、 このウエハホルダの外周部に取り付けられ、上記ウエハ
    ホルダの上面に載置される上記ウエハの側面に係合する
    固定ピンと、 上記ウエハホルダの外周部に取り付けられ、上記ウエハ
    ホルダの上面に載置される上記ウエハの側面に係合する
    とともに、上記ウエハを上記ウエハホルダから取り外し
    自在に保持する可動ピンを備えることを特徴とするイオ
    ン注入装置。
  6. 【請求項６】 請求項４記載のイオン注入装置におい
    て、 上記ウエハホルダは、さらに、 このウエハホルダの外周部に可動に取り付けられ、上記
    ウエハホルダの上面に載置される上記ウエハの側面に係
    合するとともに、一端にカウンタウエイトの取り付けら
    れた複数のピンと、 このウエハホルダの外周部に取り付けられ、上記ウエハ
    ホルダの上面に載置される上記ウエハの側面に係合する
    座を備え、 上記回転デイスクの回転により、遠心力で上記カウンタ
    ウエイトを機能させて上記ピンと上記ウエハの係合を解
    くことを特徴とするイオン注入装置。
  7. 【請求項７】 請求項４記載のイオン注入装置におい
    て、 上記ウエハホルダは、上記回転デイスクの回転面に対し
    て傾斜した面内に上記ウエハを保持する窪みを有し、こ
    の窪みにて上記ウエハを保持することを特徴するイオン
    注入装置。
  8. 【請求項８】 請求項２記載のイオン注入装置におい
    て、さらに、 上記回転デイスクに保持されたウエハと対向する位置に
    配置された加熱手段を備えたことを特徴するイオン注入
    装置。
  9. 【請求項９】 請求項８記載のイオン注入装置におい
    て、さらに、 上記回転デイスクに保持されたウエハの温度を計測する
    温度計測手段と、 上記回転デイスクを回転に同期して基準トリガ信号を発
    生する信号発生手段とを備え、 この信号発生手段から出力する上記基準トリガ信号のタ
    イミングで上記温度計測手段は上記ウエハの温度を計測
    することを特徴するイオン注入装置。
  10. 【請求項１０】 請求項１記載のイオン注入装置におい
    て、さらに、 イオン注入処理の行われる前及びイオン注入後のウエハ
    を収納する収納カセットと、 イオン注入の直後のウエハを収納する耐熱材料で構成さ
    れる高温カセットと、 上記収納カセット，上記高温カセット及び上記ウエハ保
    持手段の相互間で、ウエハを搬送する搬送手段とを備
    え、 この搬送手段は、イオン注入の直後のウエハを上記ウエ
    ハ保持手段から取り外して上記高温カセットに搬送し収
    納する耐熱材料から構成される高温アームと、イオン注
    入処理の行われる前のウエハを上記収納カセットから上
    記ウエハ保持手段に搬送するとともに、イオン注入処理
    後に上記高温カセットから上記収納カセットに上記ウエ
    ハを搬送する低温アームを備えることを特徴するイオン
    注入装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１０記載のイオン注入装置にお
    いて、 上記収納カセット，上記高温カセット及び上記搬送手段
    を内部に有する準備室と、上記ウエハ保持手段，上記相
    対位置変化手段及び上記入射角可変手段を内部に有する
    処理室を有し、さらに、 上記準備室と上記処理室を気密に遮断する封じ切り弁を
    備え、 上記イオン注入済みのウエハを上記高温カセットに収納
    し、さらに、イオン注入前のウエハを上記ウエハ保持手
    段に保持後、上記封じ切り弁により上記準備室と上記処
    理室を気密に遮断して、上記準備室内をガスパージする
    ことを特徴するイオン注入装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１記載のイオン注入装置におい
    て、 上記ウエハを保持する上記ウエハ保持手段を水平に位置
    せしめた上で、上記ウエハ保持手段の下部から上記ウエ
    ハ保持手段に設けられた開口からピンを挿入して上記ウ
    エハ保持手段からウエハを分離するウエハピックアップ
    を備え、 上記ウエハピックアップの移動方向と上記ウエハの面の
    なす角度を９０゜以下の角度としたことを特徴とするイ
    オン注入装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１記載のイオン注入装置におい
    て、 上記相対位置変化手段は、上記イオン源からの初期イオ
    ンビーム出射時において、上記イオンビームの照射位置
    から離れた位置に上記ウエハ保持手段に保持された上記
    ウエハを位置せしめることを特徴とするイオン注入装
    置。
  14. 【請求項１４】 イオン源から取り出されたイオンビー
    ムをウエハに打込むイオン注入方法において、 上記イオン源から取り出させるイオンは、酸素イオンで
    あり、 この酸素イオンのイオンビームの上記ウエハへの入射角
    を可変して、上記酸素イオンを上記ウエハに打込むこと
    を特徴とするＳｉＭＯＸ用イオン注入方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１４記載のイオン注入方法にお
    いて、 複数枚の上記ウエハを円周上に保持し、このウエハを上
    記イオンビームにほぼ直交する平面内で回転させるとと
    もに、このウエハを上記イオンビームにほぼ直交する平
    面内で揺動させることを特徴とするイオン注入方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１５記載のイオン注入方法にお
    いて、 揺動により上記ウエハが上記イオンビームを横切る時の
    上記ウエハの移動速度ｖが、回転により上記ウエハが上
    記イオンビームを横切る時の上記ウエハの回転周速ｗに
    対して反比例するように、上記回転速度と揺動速度の少
    なくともいづれか一方を制御することを特徴とするイオ
    ン注入方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１５記載のイオン注入方法にお
    いて、さらに、 上記回転するウエハの回転に同期して回転するウエハの
    温度を計測することを特徴するイオン注入方法。
JP13070595A 1995-05-29 1995-05-29 イオン注入装置及びイオン注入方法 Expired - Fee Related JP3288554B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13070595A JP3288554B2 (ja) 1995-05-29 1995-05-29 イオン注入装置及びイオン注入方法
US08/654,601 US5753923A (en) 1995-05-29 1996-05-29 Ion injection device and method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13070595A JP3288554B2 (ja) 1995-05-29 1995-05-29 イオン注入装置及びイオン注入方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08329879A true JPH08329879A (ja) 1996-12-13
JP3288554B2 JP3288554B2 (ja) 2002-06-04

Family

ID=15040657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13070595A Expired - Fee Related JP3288554B2 (ja) 1995-05-29 1995-05-29 イオン注入装置及びイオン注入方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5753923A (ja)
JP (1) JP3288554B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999031705A1 (fr) * 1997-12-12 1999-06-24 Hitachi, Ltd. Implanteur ionique et procede
JP2001035435A (ja) * 1999-05-24 2001-02-09 Applied Materials Inc イオン注入装置
US6429442B1 (en) 1999-09-17 2002-08-06 Hitachi, Ltd. Ion implanter
JP2004321973A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Sony Corp 導電性触媒粒子の製造装置及び振動装置
JP2007533078A (ja) * 2004-04-09 2007-11-15 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド ばねと釣合重りを用いて往復回転運動を行うウエハ走査システム
JP2009266391A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Sumco Corp 酸素イオン注入装置
JP2010003647A (ja) * 2008-06-23 2010-01-07 Sumco Corp イオン注入装置
JP2010015774A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Sumco Corp イオン注入装置
JP2011103447A (ja) * 2009-11-05 2011-05-26 Soi Tec Silicon On Insulator Technologies 基板ホルダおよびクリッピング装置

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3407548B2 (ja) * 1996-03-29 2003-05-19 株式会社日立製作所 イオン打込み装置及びこれを用いた半導体製造方法
JP2001516129A (ja) * 1997-08-13 2001-09-25 バリアン・セミコンダクター・イクイップメント・アソシエーツ・インコーポレーテッド リニア気体軸受け及びアクティブカウンターバランスオプションを有するスキャニングシステム
US5982132A (en) * 1997-10-09 1999-11-09 Electroglas, Inc. Rotary wafer positioning system and method
JP2891255B1 (ja) * 1998-04-15 1999-05-17 日本電気株式会社 イオン注入装置
US6084240A (en) * 1998-06-20 2000-07-04 United Integrated Circuits Corp. Ion implanter
US6255662B1 (en) * 1998-10-27 2001-07-03 Axcelis Technologies, Inc. Rutherford backscattering detection for use in Ion implantation
JP3064269B2 (ja) * 1998-10-30 2000-07-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド イオン注入装置及びイオン注入方法
JP2000183139A (ja) * 1998-12-17 2000-06-30 Hitachi Ltd イオン注入装置
JP3695971B2 (ja) * 1998-12-22 2005-09-14 シャープ株式会社 成膜装置および成膜方法
US6248642B1 (en) 1999-06-24 2001-06-19 Ibis Technology Corporation SIMOX using controlled water vapor for oxygen implants
US6155436A (en) * 1999-08-18 2000-12-05 Ibis Technology Corporation Arc inhibiting wafer holder assembly
US6423975B1 (en) 1999-08-18 2002-07-23 Ibis Technology, Inc. Wafer holder for simox processing
US6433342B1 (en) 1999-08-18 2002-08-13 Ibis Technology Corporation Coated wafer holding pin
US6452195B1 (en) 1999-08-18 2002-09-17 Ibis Technology Corporation Wafer holding pin
US6677599B2 (en) * 2000-03-27 2004-01-13 Applied Materials, Inc. System and method for uniformly implanting a wafer with an ion beam
US6614190B2 (en) * 2001-01-31 2003-09-02 Hitachi, Ltd. Ion implanter
KR100484949B1 (ko) * 2002-12-27 2005-04-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 배향막을 형성하기 위한 이온빔 조사 장치
JP4790211B2 (ja) * 2003-06-13 2011-10-12 シルトロニック・ジャパン株式会社 Ｓｏｉ基板と半導体基板及びその製造方法
US7078712B2 (en) * 2004-03-18 2006-07-18 Axcelis Technologies, Inc. In-situ monitoring on an ion implanter
US7232744B2 (en) * 2004-10-01 2007-06-19 Texas Instruments Incorporated Method for implanting dopants within a substrate by tilting the substrate relative to the implant source
US7547897B2 (en) * 2006-05-26 2009-06-16 Cree, Inc. High-temperature ion implantation apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using high-temperature ion implantation
CN102804328B (zh) * 2009-06-30 2015-09-16 特温克里克技术公司 离子植入装置和方法
US7989784B2 (en) * 2009-06-30 2011-08-02 Twin Creeks Technologies, Inc. Ion implantation apparatus and a method
US7939812B2 (en) * 2009-06-30 2011-05-10 Twin Creeks Technologies, Inc. Ion source assembly for ion implantation apparatus and a method of generating ions therein
US8044374B2 (en) * 2009-06-30 2011-10-25 Twin Creeks Technologies, Inc. Ion implantation apparatus
US7982197B2 (en) * 2009-06-30 2011-07-19 Twin Creeks Technologies, Inc. Ion implantation apparatus and a method for fluid cooling
FR2953643B1 (fr) * 2009-12-08 2012-07-27 Soitec Silicon On Insulator Cellule memoire flash sur seoi disposant d'une seconde grille de controle enterree sous la couche isolante
US8508289B2 (en) * 2009-12-08 2013-08-13 Soitec Data-path cell on an SeOI substrate with a back control gate beneath the insulating layer
FR2957193B1 (fr) * 2010-03-03 2012-04-20 Soitec Silicon On Insulator Cellule a chemin de donnees sur substrat seoi avec grille de controle arriere enterree sous la couche isolante
FR2953636B1 (fr) * 2009-12-08 2012-02-10 Soitec Silicon On Insulator Procede de commande d'une cellule memoire dram sur seoi disposant d'une seconde grille de controle enterree sous la couche isolante
FR2953641B1 (fr) * 2009-12-08 2012-02-10 S O I Tec Silicon On Insulator Tech Circuit de transistors homogenes sur seoi avec grille de controle arriere enterree sous la couche isolante
FR2955204B1 (fr) * 2010-01-14 2012-07-20 Soitec Silicon On Insulator Cellule memoire dram disposant d'un injecteur bipolaire vertical
FR2955203B1 (fr) * 2010-01-14 2012-03-23 Soitec Silicon On Insulator Cellule memoire dont le canal traverse une couche dielectrique enterree
FR2955200B1 (fr) * 2010-01-14 2012-07-20 Soitec Silicon On Insulator Dispositif, et son procede de fabrication, disposant d'un contact entre regions semi-conductrices a travers une couche isolante enterree
FR2955195B1 (fr) * 2010-01-14 2012-03-09 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de comparaison de donnees dans une memoire adressable par contenu sur seoi
FR2957186B1 (fr) * 2010-03-08 2012-09-28 Soitec Silicon On Insulator Cellule memoire de type sram
FR2957449B1 (fr) * 2010-03-11 2022-07-15 S O I Tec Silicon On Insulator Tech Micro-amplificateur de lecture pour memoire
FR2958441B1 (fr) 2010-04-02 2012-07-13 Soitec Silicon On Insulator Circuit pseudo-inverseur sur seoi
EP2375442A1 (en) 2010-04-06 2011-10-12 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Method for manufacturing a semiconductor substrate
EP2381470B1 (en) 2010-04-22 2012-08-22 Soitec Semiconductor device comprising a field-effect transistor in a silicon-on-insulator structure
JP6108674B2 (ja) * 2012-03-16 2017-04-05 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置及び試料搬送装置
JP7530157B2 (ja) * 2018-07-18 2024-08-07 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン注入方法
CN111162003B (zh) * 2020-01-02 2022-08-12 长江存储科技有限责任公司 离子注入方法及离子注入系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3993018A (en) * 1975-11-12 1976-11-23 International Business Machines Corporation Centrifugal support for workpieces
US4453080A (en) * 1981-07-20 1984-06-05 Varian Associates, Inc. Temperature control of a workpiece under ion implantation
JPS625548A (ja) * 1985-07-01 1987-01-12 Hitachi Ltd イオンビ−ム加工装置
US4705951A (en) * 1986-04-17 1987-11-10 Varian Associates, Inc. Wafer processing system
US4745287A (en) * 1986-10-23 1988-05-17 Ionex/Hei Ion implantation with variable implant angle
US4817556A (en) * 1987-05-04 1989-04-04 Varian Associates, Inc. Apparatus for retaining wafers
JP2595113B2 (ja) * 1989-12-21 1997-03-26 株式会社日立製作所 半導体製造装置
JP2969788B2 (ja) * 1990-05-17 1999-11-02 日新電機株式会社 イオンビームの平行度測定方法、走査波形整形方法およびイオン注入装置
US5311028A (en) * 1990-08-29 1994-05-10 Nissin Electric Co., Ltd. System and method for producing oscillating magnetic fields in working gaps useful for irradiating a surface with atomic and molecular ions
JPH056752A (ja) * 1991-02-05 1993-01-14 Nissin High Voltage Co Ltd イオン注入装置
JPH05275511A (ja) * 1991-03-01 1993-10-22 Tokyo Electron Ltd 被処理体の移載システム及び処理装置
JP2751975B2 (ja) * 1991-12-20 1998-05-18 株式会社日立製作所 半導体処理装置のロードロック室

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999031705A1 (fr) * 1997-12-12 1999-06-24 Hitachi, Ltd. Implanteur ionique et procede
US6403969B1 (en) 1997-12-12 2002-06-11 Hitachi, Ltd. Ion implantation system and ion implantation method
JP2001035435A (ja) * 1999-05-24 2001-02-09 Applied Materials Inc イオン注入装置
US6429442B1 (en) 1999-09-17 2002-08-06 Hitachi, Ltd. Ion implanter
US6570171B2 (en) 1999-09-17 2003-05-27 Hitachi, Ltd. Ion implanter
JP2004321973A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Sony Corp 導電性触媒粒子の製造装置及び振動装置
JP2007533078A (ja) * 2004-04-09 2007-11-15 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド ばねと釣合重りを用いて往復回転運動を行うウエハ走査システム
JP2009266391A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Sumco Corp 酸素イオン注入装置
JP2010003647A (ja) * 2008-06-23 2010-01-07 Sumco Corp イオン注入装置
JP2010015774A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Sumco Corp イオン注入装置
JP2011103447A (ja) * 2009-11-05 2011-05-26 Soi Tec Silicon On Insulator Technologies 基板ホルダおよびクリッピング装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5753923A (en) 1998-05-19
JP3288554B2 (ja) 2002-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08329879A (ja) イオン注入装置及びイオン注入方法
JP2761887B2 (ja) ウエファ保持装置
US5556275A (en) Heat treatment apparatus
US6614190B2 (en) Ion implanter
EP0852393A2 (en) Thermal reaction chamber for semiconductor wafer processing operations
JPH0232745B2 (ja)
US20030197133A1 (en) Method and apparatus for scanning a workpiece in a vacuum chamber
JP4817480B2 (ja) イオン注入装置
US6530157B1 (en) Precise positioning device for workpieces
JPH053699B2 (ja)
JP2004303499A (ja) イオン注入装置およびイオン注入方法
US6667485B2 (en) Ion implanting apparatus and sample processing apparatus
JPH1021867A (ja) イオン注入装置
US6403969B1 (en) Ion implantation system and ion implantation method
JPH1064471A (ja) イオン注入装置
JP2961167B2 (ja) ボート並びにそれを用いた熱処理装置及び方法
JP2865603B2 (ja) 半導体ウエハーの加熱処理装置
JPH11204391A (ja) 熱処理装置
JP2010161079A (ja) イオン注入装置
JP2002231177A (ja) イオン注入装置
JPH0210642A (ja) イオン注入装置
JPS6296335A (ja) ガラス成形品の取出し徐光装置
JPH1167142A (ja) イオン注入装置
JPH11224643A (ja) イオン注入方法及び装置
JPH0449815Y2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090315

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090315

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100315

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110315

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110315

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120315

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130315

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130315

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140315

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees