JPH08325711A - 透明導電性金属酸化物被覆フィルムおよびその製造方法 - Google Patents
透明導電性金属酸化物被覆フィルムおよびその製造方法Info
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- JPH08325711A JPH08325711A JP12788795A JP12788795A JPH08325711A JP H08325711 A JPH08325711 A JP H08325711A JP 12788795 A JP12788795 A JP 12788795A JP 12788795 A JP12788795 A JP 12788795A JP H08325711 A JPH08325711 A JP H08325711A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】可視領域において透明であり、かつ電子導電性
を示す透明導電性金属酸化物を被覆したフィルムにおい
て、フィルム基材上の透明導電性金属酸化物中の酸素含
有率が、フィルム基材側から順に高くなっていることを
特徴とする透明導電性金属酸化物被覆フィルム。 【効果】可視光領域における光線透過率を向上でき、ま
た、抵抗値の劣化度も低減することが可能となる。
を示す透明導電性金属酸化物を被覆したフィルムにおい
て、フィルム基材上の透明導電性金属酸化物中の酸素含
有率が、フィルム基材側から順に高くなっていることを
特徴とする透明導電性金属酸化物被覆フィルム。 【効果】可視光領域における光線透過率を向上でき、ま
た、抵抗値の劣化度も低減することが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、タッチパネルや太陽電
池等の分野で利用されている、可視領域において透明で
あり、かつ電子導電性を示す金属酸化物被覆フィルムお
よびその製造方法に関する。
池等の分野で利用されている、可視領域において透明で
あり、かつ電子導電性を示す金属酸化物被覆フィルムお
よびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、タッチパネル、太陽電池等に
は、可視領域において高い光線透過率を有し、かつ低面
抵抗値を有する透明導電性膜を設けた基材が用いられて
いる。
は、可視領域において高い光線透過率を有し、かつ低面
抵抗値を有する透明導電性膜を設けた基材が用いられて
いる。
【０００３】この様な透明導電性膜の形成に用いる透明
導電性膜形成材料としては、酸化インジウム−酸化錫
系、酸化亜鉛−酸化アルミニウム系等の金属酸化物が挙
げられ、また、透明導電性金属酸化物膜を成膜する方法
としては、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、ＣＶＤ法等の真空成膜法が知られている。
導電性膜形成材料としては、酸化インジウム−酸化錫
系、酸化亜鉛−酸化アルミニウム系等の金属酸化物が挙
げられ、また、透明導電性金属酸化物膜を成膜する方法
としては、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、ＣＶＤ法等の真空成膜法が知られている。
【０００４】ところで、従来の透明導電性酸化物膜で
は、酸素の分布が均一であり、前記透明導電性金属酸化
物膜の膜厚を厚くすると、面抵抗値は低減されるもの
の、可視光領域における光線透過率は低下してしまうと
いう問題点がある。また、前記透明導電性金属酸化物膜
を形成する基材として、高分子フィルム等の耐熱性に優
れていない基材を用いる場合には、低温で成膜する必要
があり、長時間プラズマに曝すことが出来ない。即ち、
所望の膜厚を得るまで、連続して成膜すると、形成され
た、透明導電性金属酸化物被覆フィルムの面抵抗値、可
視光領域の光線透過率、機械的強度等の特性は、悪くな
るという問題点がある。
は、酸素の分布が均一であり、前記透明導電性金属酸化
物膜の膜厚を厚くすると、面抵抗値は低減されるもの
の、可視光領域における光線透過率は低下してしまうと
いう問題点がある。また、前記透明導電性金属酸化物膜
を形成する基材として、高分子フィルム等の耐熱性に優
れていない基材を用いる場合には、低温で成膜する必要
があり、長時間プラズマに曝すことが出来ない。即ち、
所望の膜厚を得るまで、連続して成膜すると、形成され
た、透明導電性金属酸化物被覆フィルムの面抵抗値、可
視光領域の光線透過率、機械的強度等の特性は、悪くな
るという問題点がある。
【０００５】そこで、成膜工程を複数回に分け、透明導
電性金属酸化物膜を複数の層から成る構成とすることが
考えられる。しかし、スパッタリング法の場合には、逆
スパッタリング、または、陰イオンによるスパッタリン
グが生じるため、例えば、２層目を成膜する場合には１
層目を構成している酸素が欠けてしまう等といった、所
望の特性が得られないという問題点がある。また、イオ
ンプレーティング法、ＣＶＤ法の場合も、プラズマに曝
すことにより同様の結果となる。
電性金属酸化物膜を複数の層から成る構成とすることが
考えられる。しかし、スパッタリング法の場合には、逆
スパッタリング、または、陰イオンによるスパッタリン
グが生じるため、例えば、２層目を成膜する場合には１
層目を構成している酸素が欠けてしまう等といった、所
望の特性が得られないという問題点がある。また、イオ
ンプレーティング法、ＣＶＤ法の場合も、プラズマに曝
すことにより同様の結果となる。
【０００６】また、透明導電性金属酸化物膜の酸素欠陥
が適度に存在することは、面抵抗値の低減に効果がある
ものの、逆に、酸素が充分に供給された透明導電性金属
酸化物膜の方が、可視光領域における光線透過率が高い
上、大気に曝されるなどの場合の酸化雰囲気における経
時変化が低減できるという問題点がある。
が適度に存在することは、面抵抗値の低減に効果がある
ものの、逆に、酸素が充分に供給された透明導電性金属
酸化物膜の方が、可視光領域における光線透過率が高い
上、大気に曝されるなどの場合の酸化雰囲気における経
時変化が低減できるという問題点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な問題点に着目してなされたもので、成膜工程における
劣化を抑え、低面抵抗化と、可視光領域における高光線
透過率とを同時に達成し、さらに特性の経時変化を抑え
るべく充分に考慮された構成を持つ、透明導電性金属酸
化物被覆フィルムおよびその製造方法を提供することを
課題とする。
な問題点に着目してなされたもので、成膜工程における
劣化を抑え、低面抵抗化と、可視光領域における高光線
透過率とを同時に達成し、さらに特性の経時変化を抑え
るべく充分に考慮された構成を持つ、透明導電性金属酸
化物被覆フィルムおよびその製造方法を提供することを
課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
可視光領域において透明であり、かつ、電子導電性を示
す透明導電性金属酸化物を被覆したフィルムにおいて、
フィルム基材上の透明導電性金属酸化物膜の酸素の含有
率が、フィルム基材側から順に高くなっていることを特
徴とする透明導電性金属酸化物被覆フィルムである。
可視光領域において透明であり、かつ、電子導電性を示
す透明導電性金属酸化物を被覆したフィルムにおいて、
フィルム基材上の透明導電性金属酸化物膜の酸素の含有
率が、フィルム基材側から順に高くなっていることを特
徴とする透明導電性金属酸化物被覆フィルムである。
【０００９】請求項２記載の発明は、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の真空成膜法
において、請求項１記載の透明導電性金属酸化物膜を成
膜する際に、成膜時の酸素分圧を順に上昇させることを
特徴とする透明導電性金属酸化物被覆フィルムの製造方
法である。
法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の真空成膜法
において、請求項１記載の透明導電性金属酸化物膜を成
膜する際に、成膜時の酸素分圧を順に上昇させることを
特徴とする透明導電性金属酸化物被覆フィルムの製造方
法である。
【００１０】請求項３記載の発明は、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の真空成膜法
において、成膜を複数回に分けることにより、透明導電
性金属酸化物膜を多層構造とすると共に、各層を成膜す
るときの酸素分圧を順に上昇させることを特徴とする透
明導電性金属酸化物被覆フィルムの製造方法である。
法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の真空成膜法
において、成膜を複数回に分けることにより、透明導電
性金属酸化物膜を多層構造とすると共に、各層を成膜す
るときの酸素分圧を順に上昇させることを特徴とする透
明導電性金属酸化物被覆フィルムの製造方法である。
【００１１】請求項４記載の発明は、請求項１記載の発
明を前提とし、金属酸化物が、酸化インジウムとドーパ
ントとして四価以上の金属あるいは半導体を少なくとも
一種含む混合物であることを特徴とする透明導電性金属
酸化物被覆フィルムである。
明を前提とし、金属酸化物が、酸化インジウムとドーパ
ントとして四価以上の金属あるいは半導体を少なくとも
一種含む混合物であることを特徴とする透明導電性金属
酸化物被覆フィルムである。
【００１２】請求項５記載の発明は、請求項１記載の発
明を前提とし、金属酸化物が酸化亜鉛とドーパントとし
て三価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一種含む
混合物であることを特徴とする透明導電性金属酸化物被
覆フィルムである。
明を前提とし、金属酸化物が酸化亜鉛とドーパントとし
て三価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一種含む
混合物であることを特徴とする透明導電性金属酸化物被
覆フィルムである。
【００１３】請求項６記載の発明は、請求項２記載の発
明を前提とし、金属酸化物が、酸化インジウムとドーパ
ントとして四価以上の金属あるいは半導体を少なくとも
一種含む混合物であることを特徴とする透明導電性金属
酸化物被覆フィルムの製造方法である。
明を前提とし、金属酸化物が、酸化インジウムとドーパ
ントとして四価以上の金属あるいは半導体を少なくとも
一種含む混合物であることを特徴とする透明導電性金属
酸化物被覆フィルムの製造方法である。
【００１４】請求項７記載の発明は、請求項２記載の発
明を前提とし、金属酸化物が、酸化亜鉛とドーパントと
して三価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一種含
む混合物であることを特徴とする透明導電性金属酸化物
被覆フィルム製造方法である。
明を前提とし、金属酸化物が、酸化亜鉛とドーパントと
して三価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一種含
む混合物であることを特徴とする透明導電性金属酸化物
被覆フィルム製造方法である。
【００１５】請求項８記載の発明は、請求項３記載の発
明を前提とし、金属酸化物が、酸化インジウムとドーパ
ントとして四価以上の金属あるいは半導体を少なくとも
一種含む混合物であることを特徴とする透明導電性金属
酸化物被覆フィルムの製造方法である。
明を前提とし、金属酸化物が、酸化インジウムとドーパ
ントとして四価以上の金属あるいは半導体を少なくとも
一種含む混合物であることを特徴とする透明導電性金属
酸化物被覆フィルムの製造方法である。
【００１６】請求項９記載の発明は、請求項３記載の発
明を前提とし、金属酸化物が、酸化亜鉛とドーパントと
して三価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一種含
む混合物であることを特徴とする透明導電性金属酸化物
被覆フィルム製造方法である。
明を前提とし、金属酸化物が、酸化亜鉛とドーパントと
して三価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一種含
む混合物であることを特徴とする透明導電性金属酸化物
被覆フィルム製造方法である。
【００１７】以下、本発明を詳述する。
【００１８】本発明にかかわるフィルム基材は、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート等に代表されるポリエステル
フィルムであるが、その他目的に応じて、いかなる高分
子フィルムであっても特に限定されるものではない。ま
た、前記高分子フィルムの厚さは特に限定されるもので
はなく、用途に応じて適宜選択されるものである。
チレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート等に代表されるポリエステル
フィルムであるが、その他目的に応じて、いかなる高分
子フィルムであっても特に限定されるものではない。ま
た、前記高分子フィルムの厚さは特に限定されるもので
はなく、用途に応じて適宜選択されるものである。
【００１９】本発明にかかわる透明導電性金属酸化物
は、ある一種の金属酸化物であっても良いが、金属酸化
物中の金属とイオンの価数が異なり、かつ、二価以上の
少量の金属あるいは半導体を少なくとも一種ドーパント
として含む混合物であっても良い。これらの金属もしく
は半導体は、金属酸化物に混合することにより、化学量
論組成からのズレを生じ、金属過剰の状態となることに
より、安定な透明導電体を形成できる。
は、ある一種の金属酸化物であっても良いが、金属酸化
物中の金属とイオンの価数が異なり、かつ、二価以上の
少量の金属あるいは半導体を少なくとも一種ドーパント
として含む混合物であっても良い。これらの金属もしく
は半導体は、金属酸化物に混合することにより、化学量
論組成からのズレを生じ、金属過剰の状態となることに
より、安定な透明導電体を形成できる。
【００２０】前記ドーパントとしての金属もしくは半導
体は、原材料である金属酸化物に酸化物として、１０ｗ
ｔ％以下の割合で含有される。例としては、原材料が酸
化インジウムの場合は、錫（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）、
およびジルコニウム（Ｚｒ）等の四価以上の金属あるい
は半導体が挙げられる。また、原材料が酸化亜鉛の場合
は、アルミニウム（Ａｌ）、ホウ素（Ｂ）、スカンジウ
ム（Ｓｃ）、ガリウム（Ｇａ）、ケイ素（Ｓｉ）、イッ
トリウム（Ｙ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム
（Ｉｎ）、およびタリウム（Ｔｌ）等の三価以上の金属
あるいは半導体が挙げられる。
体は、原材料である金属酸化物に酸化物として、１０ｗ
ｔ％以下の割合で含有される。例としては、原材料が酸
化インジウムの場合は、錫（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）、
およびジルコニウム（Ｚｒ）等の四価以上の金属あるい
は半導体が挙げられる。また、原材料が酸化亜鉛の場合
は、アルミニウム（Ａｌ）、ホウ素（Ｂ）、スカンジウ
ム（Ｓｃ）、ガリウム（Ｇａ）、ケイ素（Ｓｉ）、イッ
トリウム（Ｙ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム
（Ｉｎ）、およびタリウム（Ｔｌ）等の三価以上の金属
あるいは半導体が挙げられる。
【００２１】本発明にかかわる透明導電性金属酸化物膜
の成膜方法は、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法、ＣＶＤ法等いかなる方法でもよく、適宜選択され
るものである。また、スパッタリング法においては、マ
グネトロンスパッタリング法であっても、プラズマを発
生させる方法が直流であっても、交流であってもよい。
の成膜方法は、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法、ＣＶＤ法等いかなる方法でもよく、適宜選択され
るものである。また、スパッタリング法においては、マ
グネトロンスパッタリング法であっても、プラズマを発
生させる方法が直流であっても、交流であってもよい。
【００２２】本発明にかかわる透明導電性金属酸化物被
覆フィルムの構成例を、図１と図２に示す。
覆フィルムの構成例を、図１と図２に示す。
【００２３】図１は、透明導電性金属酸化物被覆フィル
ムの構成例１であり、１はフィルム基材、２１は透明導
電性金属酸化物膜である。前記透明導電性金属酸化物膜
の酸素含有率は、基材側から順に高くなっている。酸素
含有率の上昇の割合は特に限定されるものではなく、用
途に応じて適宜選択される。可視領域における光線透過
率は、酸素含有率が高くなるに従い、即ち、基材側から
外側へいくに従い高くなる傾向を示す。ここで、外側と
は、前記透明導電性金属酸化物膜の、基材側とは反対
側、つまり空気と接している部分をいう。また、面抵抗
値は、酸素含有率が高くなるに従い、即ち、基材側から
外側へいくに従い、高くなる傾向にある。
ムの構成例１であり、１はフィルム基材、２１は透明導
電性金属酸化物膜である。前記透明導電性金属酸化物膜
の酸素含有率は、基材側から順に高くなっている。酸素
含有率の上昇の割合は特に限定されるものではなく、用
途に応じて適宜選択される。可視領域における光線透過
率は、酸素含有率が高くなるに従い、即ち、基材側から
外側へいくに従い高くなる傾向を示す。ここで、外側と
は、前記透明導電性金属酸化物膜の、基材側とは反対
側、つまり空気と接している部分をいう。また、面抵抗
値は、酸素含有率が高くなるに従い、即ち、基材側から
外側へいくに従い、高くなる傾向にある。
【００２４】図２は、透明導電性金属酸化物被覆フィル
ムの構成例２であり、２はフィルム基材、２１〜２ｎは
透明導電性金属酸化物膜である。前記透明導電性金属酸
化物膜はｎ層から成り、各層の酸素含有率が２１から２
ｎへいくに従い高くなっている。層数ｎは、２以上であ
れば特に限定されるものではなく、用途に応じて適宜選
択される。更に、各層の膜厚は、それぞれ同じであって
も、また、異なっていても構わない。各層ごとの可視領
域における光線透過率は、酸素含有率が高くなるに従
い、即ち、２１層から２ｎ層へいくに従い高くなる傾向
を示す。また、各層ごとの面抵抗値は、適度に酸素含有
率が低い層から、酸素含有率が高くなるに従い、即ち、
２１層から２ｎ層へいくに従い、高くなる傾向にある。
ムの構成例２であり、２はフィルム基材、２１〜２ｎは
透明導電性金属酸化物膜である。前記透明導電性金属酸
化物膜はｎ層から成り、各層の酸素含有率が２１から２
ｎへいくに従い高くなっている。層数ｎは、２以上であ
れば特に限定されるものではなく、用途に応じて適宜選
択される。更に、各層の膜厚は、それぞれ同じであって
も、また、異なっていても構わない。各層ごとの可視領
域における光線透過率は、酸素含有率が高くなるに従
い、即ち、２１層から２ｎ層へいくに従い高くなる傾向
を示す。また、各層ごとの面抵抗値は、適度に酸素含有
率が低い層から、酸素含有率が高くなるに従い、即ち、
２１層から２ｎ層へいくに従い、高くなる傾向にある。
【００２５】前記透明導電性金属酸化物被覆フィルムの
構成において、フィルム基材側の層から順に酸素の含有
率が高くなっているということは、必ずしも絶対に順番
に酸素含有率が高くなっていることに限らず、ある程度
不規則性があっても、フィルム基材側から酸素含有率が
高くなっている傾向があればよい。更に言えば、最低限
最も外側（多層構成の場合はｎ層目）の酸素含有率より
酸素含有率が低い部分が、最も外側の部分（多層構成の
場合はｎ層目）以外に存在すればよい。
構成において、フィルム基材側の層から順に酸素の含有
率が高くなっているということは、必ずしも絶対に順番
に酸素含有率が高くなっていることに限らず、ある程度
不規則性があっても、フィルム基材側から酸素含有率が
高くなっている傾向があればよい。更に言えば、最低限
最も外側（多層構成の場合はｎ層目）の酸素含有率より
酸素含有率が低い部分が、最も外側の部分（多層構成の
場合はｎ層目）以外に存在すればよい。
【００２６】
【作用】本発明の作用は、フィルム基材上の透明導電性
金属酸化物膜の酸素含有率が、フィルム基材側から順に
高くなっていることにより、従来の方法によって得られ
る同膜厚の透明導電性金属酸化物膜の比較し、可視光領
域における光線透過率が、大きく向上することができ、
また、面抵抗値もそん色ない。合わせて、前記透明導電
性金属酸化物膜は大気と接する外側部分に酸素を充分に
含有させているため、大気に曝すこと等による経時変化
（劣化）も防ぐことが出来る。また、成膜時には成膜す
るごとに、酸素分圧を上昇させていくこと等をするた
め、成膜中において〔０００５〕に記載した理由によっ
て生じる、酸素が欠けるなどといった劣化をも防ぐこと
が出来る。
金属酸化物膜の酸素含有率が、フィルム基材側から順に
高くなっていることにより、従来の方法によって得られ
る同膜厚の透明導電性金属酸化物膜の比較し、可視光領
域における光線透過率が、大きく向上することができ、
また、面抵抗値もそん色ない。合わせて、前記透明導電
性金属酸化物膜は大気と接する外側部分に酸素を充分に
含有させているため、大気に曝すこと等による経時変化
（劣化）も防ぐことが出来る。また、成膜時には成膜す
るごとに、酸素分圧を上昇させていくこと等をするた
め、成膜中において〔０００５〕に記載した理由によっ
て生じる、酸素が欠けるなどといった劣化をも防ぐこと
が出来る。
【００２７】
〈実施例１〉厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレー
トを基材として、マグネトロンスパッタリング法によ
り、酸化インジウム−酸化錫系膜を４層構成として成膜
し、４層の合計の膜厚は７０ｎｍとした。成膜時にはＯ
2 流量を１層目から順に、１．０，１．２，１．５，
２．０ｓｃｃｍとし、各層の酸素含有率を調整した。酸
素の含有率は、１層目から順に高い構成となっている。
図３に、構成図を示した。表１には、面抵抗値、５５０
ｎｍの光線に対する透過率、および抵抗の劣化度とし
て、成膜直後の面抵抗値と１０日後の面抵抗値の比を示
した。透過率が高く、劣化度の小さい結果を得ることが
出来た。
トを基材として、マグネトロンスパッタリング法によ
り、酸化インジウム−酸化錫系膜を４層構成として成膜
し、４層の合計の膜厚は７０ｎｍとした。成膜時にはＯ
2 流量を１層目から順に、１．０，１．２，１．５，
２．０ｓｃｃｍとし、各層の酸素含有率を調整した。酸
素の含有率は、１層目から順に高い構成となっている。
図３に、構成図を示した。表１には、面抵抗値、５５０
ｎｍの光線に対する透過率、および抵抗の劣化度とし
て、成膜直後の面抵抗値と１０日後の面抵抗値の比を示
した。透過率が高く、劣化度の小さい結果を得ることが
出来た。
【００２８】〈実施例２〉厚さ５０μｍのポリエチレン
テレフタレートを基材として、イオンプレーティング法
により、酸化亜鉛−酸化アルミニウム系膜を２層構成と
して成膜し、２層の合計の膜厚は６０ｎｍとした。成膜
時にはＯ2 流量を１層目では２００ｓｃｃｍ、２層目で
は２５０ｓｃｃｍとし、各層の酸素含有率を調整した。
酸素の含有率は、第１層よりも第２層目が高い構成とし
た。図４に構成図を示した。表１に、面抵抗値、５５０
ｎｍの光線に対する透過率、および抵抗の劣化度とし
て、成膜直後の面抵抗値と１０日後の面抵抗値の比を示
した。
テレフタレートを基材として、イオンプレーティング法
により、酸化亜鉛−酸化アルミニウム系膜を２層構成と
して成膜し、２層の合計の膜厚は６０ｎｍとした。成膜
時にはＯ2 流量を１層目では２００ｓｃｃｍ、２層目で
は２５０ｓｃｃｍとし、各層の酸素含有率を調整した。
酸素の含有率は、第１層よりも第２層目が高い構成とし
た。図４に構成図を示した。表１に、面抵抗値、５５０
ｎｍの光線に対する透過率、および抵抗の劣化度とし
て、成膜直後の面抵抗値と１０日後の面抵抗値の比を示
した。
【００２９】＜比較例１＞厚さ５０μｍのポリエチレン
テレフタレートを基材として、マグネトロンスパッタリ
ング法により、酸化インジウム−酸化錫系膜を４層構成
とし成膜し、４層の合計の膜厚は７０ｎｍとした。成膜
時にはＯ2 流量を、１．０ｓｃｃｍに固定し、各層とも
同条件で成膜した。表１に、面抵抗値、５５０ｎｍの光
線に対する透過率、および抵抗の劣化度として、成膜直
後の面抵抗値と１０日後の面抵抗値の比を示した。実施
例１の結果と比較すると、透過率が低く、劣化度が大き
い結果となった。
テレフタレートを基材として、マグネトロンスパッタリ
ング法により、酸化インジウム−酸化錫系膜を４層構成
とし成膜し、４層の合計の膜厚は７０ｎｍとした。成膜
時にはＯ2 流量を、１．０ｓｃｃｍに固定し、各層とも
同条件で成膜した。表１に、面抵抗値、５５０ｎｍの光
線に対する透過率、および抵抗の劣化度として、成膜直
後の面抵抗値と１０日後の面抵抗値の比を示した。実施
例１の結果と比較すると、透過率が低く、劣化度が大き
い結果となった。
【００３０】〈比較例２〉厚さ５０μｍのポリエチレン
テレフタレートを基材として、イオンプレーティング法
により、酸化亜鉛−酸化アルミニウム系膜を２層構成と
し成膜し、２層の合計の膜厚は６０ｎｍとした。成膜時
にはＯ2 流量を２００ｓｃｃｍに固定し、各層とも同条
件で成膜した。表１に、面抵抗値、５５０ｎｍの光線に
対する透過率、および抵抗の劣化度として、成膜直後の
面抵抗値と１０日後の面抵抗値の比を示した。実施例２
の結果と比較すると、透過率が低く、劣化度が大きい結
果となった。実施例と比較例との結果の比較を表１に示
した。
テレフタレートを基材として、イオンプレーティング法
により、酸化亜鉛−酸化アルミニウム系膜を２層構成と
し成膜し、２層の合計の膜厚は６０ｎｍとした。成膜時
にはＯ2 流量を２００ｓｃｃｍに固定し、各層とも同条
件で成膜した。表１に、面抵抗値、５５０ｎｍの光線に
対する透過率、および抵抗の劣化度として、成膜直後の
面抵抗値と１０日後の面抵抗値の比を示した。実施例２
の結果と比較すると、透過率が低く、劣化度が大きい結
果となった。実施例と比較例との結果の比較を表１に示
した。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、フィルム基材上の透明
導電性金属酸化物膜の酸素含有率がフィルム基材側か
ら、順に高くなっていることにより、比較例で挙げたよ
うな、従来の方法により得られる同膜厚の透明導電性金
属酸化物膜と比較し、可視光領域における光線透過率を
向上でき、また、抵抗値の劣化度も低減することが可能
となる。
導電性金属酸化物膜の酸素含有率がフィルム基材側か
ら、順に高くなっていることにより、比較例で挙げたよ
うな、従来の方法により得られる同膜厚の透明導電性金
属酸化物膜と比較し、可視光領域における光線透過率を
向上でき、また、抵抗値の劣化度も低減することが可能
となる。
【００３３】
【図１】本発明の構成例１を示す断面図である。
【図２】本発明の構成例２を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例１を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例２を示す断面図である。
１…フィルム基材 １１…透明導電性金属酸化物膜 ２…フィルム基材 ２１〜２ｎ…透明導電性金属酸化物
膜 ３…フィルム基材 ３１〜３４…透明導電性金属酸化物
膜 ４…フィルム基材 ４１・４２…透明導電性金属酸化物
膜
膜 ３…フィルム基材 ３１〜３４…透明導電性金属酸化物
膜 ４…フィルム基材 ４１・４２…透明導電性金属酸化物
膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｂ
Claims (9)
- 【請求項１】可視領域において透明であり、かつ電子導
電性を示す透明導電性金属酸化物を被覆したフィルムに
おいて、フィルム基材上の透明導電性金属酸化物中の酸
素含有率が、フィルム基材側から順に高くなっているこ
とを特徴とする透明導電性金属酸化物被覆フィルム。 - 【請求項２】スパッタリング法、イオンプレーティング
法、ＣＶＤ法等の真空成膜法において、請求項１記載の
透明導電性金属酸化物膜を成膜する際に、成膜時の酸素
分圧を順に上昇させることを特徴とする透明導電性金属
酸化物被覆フィルムの製造方法。 - 【請求項３】スパッタリング法、イオンプレーティング
法、ＣＶＤ法等の真空成膜法において、請求項２記載の
透明導電性金属酸化物被覆フィルムの製造方法で、成膜
を複数回に分けることにより、前記透明導電性金属酸化
物膜を多層構造とすると共に、各層を成膜するときの酸
素分圧を順に上昇させることを特徴とする透明導電性金
属酸化物被覆フィルムの製造方法。 - 【請求項４】金属酸化物が、酸化インジウムとドーパン
トとして四価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一
種含む混合物であることを特徴とする請求項１記載の透
明導電性金属酸化物被覆フィルム。 - 【請求項５】金属酸化物が、酸化亜鉛とドーパントとし
て三価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一種含む
混合物であることを特徴とする請求項１記載の透明導電
性金属酸化物被覆フィルム。 - 【請求項６】金属酸化物が、酸化インジウムとドーパン
トとして四価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一
種含む混合物であることを特徴とする請求項２記載の透
明導電性金属酸化物被覆フィルムの製造方法。 - 【請求項７】金属酸化物が、酸化亜鉛とドーパントとし
て三価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一種含む
混合物であることを特徴とする請求項２記載の透明導電
性金属酸化物被覆フィルムの製造方法。 - 【請求項８】金属酸化物が、酸化インジウムとドーパン
トとして四価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一
種含む混合物であることを特徴とする請求項３記載の透
明導電性金属酸化物被覆フィルムの製造方法。 - 【請求項９】金属酸化物が、酸化亜鉛とドーパントとし
て三価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一種含む
混合物であることを特徴とする請求項３記載の透明導電
性金属酸化物被覆フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12788795A JPH08325711A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 透明導電性金属酸化物被覆フィルムおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12788795A JPH08325711A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 透明導電性金属酸化物被覆フィルムおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08325711A true JPH08325711A (ja) | 1996-12-10 |
Family
ID=14971122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12788795A Pending JPH08325711A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 透明導電性金属酸化物被覆フィルムおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08325711A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
| JP2007113109A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Asahi Kasei Chemicals Corp | イオンプレーティング法による酸化亜鉛系透明導電性積層体及びその製造方法 |
| JP2007113110A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 酸化亜鉛系透明導電性積層体及びその製造方法 |
| KR100913553B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2009-08-21 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 폴리머 기판과 투명전도막 사이에 세라믹 중간층 구조를갖는 투명전극 기판 |
| KR100982129B1 (ko) * | 2007-02-26 | 2010-09-14 | 주식회사 엘지화학 | 산화아연계 박막 및 그 제조방법 |
| US8303856B2 (en) | 2007-02-26 | 2012-11-06 | Lg Chem, Ltd. | Conductive laminated body and method for preparing the same |
-
1995
- 1995-05-26 JP JP12788795A patent/JPH08325711A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
| JP2007113109A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Asahi Kasei Chemicals Corp | イオンプレーティング法による酸化亜鉛系透明導電性積層体及びその製造方法 |
| JP2007113110A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 酸化亜鉛系透明導電性積層体及びその製造方法 |
| KR100982129B1 (ko) * | 2007-02-26 | 2010-09-14 | 주식회사 엘지화학 | 산화아연계 박막 및 그 제조방법 |
| US8303856B2 (en) | 2007-02-26 | 2012-11-06 | Lg Chem, Ltd. | Conductive laminated body and method for preparing the same |
| KR100913553B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2009-08-21 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 폴리머 기판과 투명전도막 사이에 세라믹 중간층 구조를갖는 투명전극 기판 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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