JP3331670B2 - 透明導電性フィルム - Google Patents
透明導電性フィルムInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示板，液晶スイ
ッチ，ＥＬパネル，オーバーヘッドプロジェクターに用
いられる電子写真記録用シートや第二原図，マイクロフ
ィルム，スライドポジフィルム等に用いることのできる
透明導電性フィルムおよびその製造方法に関する。
ッチ，ＥＬパネル，オーバーヘッドプロジェクターに用
いられる電子写真記録用シートや第二原図，マイクロフ
ィルム，スライドポジフィルム等に用いることのできる
透明導電性フィルムおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示板や液晶スイッチ等に用いる透
明導電性フィルムは適当な表面抵抗を有し、光透過性が
よく、また均一性が良好であることが必要とされる。透
明導電性フィルムの表面抵抗が小さすぎると電力損失が
大きくなったり、発熱のため液晶の寿命が短くなったり
する。また逆に表面抵抗が大きすぎると素子の高周波特
性が悪くなる。つまり表面抵抗をコントロールできるこ
とは非常に重要な事である。またこれ以外にもコントロ
ールできることは幅広い商品に対応できることでありそ
のメリットは大きい。その表面抵抗をコントロールする
方法として酸化インジウム，酸化錫と酸化けい素を混合
して蒸着する方法が、特開昭６３−８９６５６号、同６
４−１０５０７号に開示されている。
明導電性フィルムは適当な表面抵抗を有し、光透過性が
よく、また均一性が良好であることが必要とされる。透
明導電性フィルムの表面抵抗が小さすぎると電力損失が
大きくなったり、発熱のため液晶の寿命が短くなったり
する。また逆に表面抵抗が大きすぎると素子の高周波特
性が悪くなる。つまり表面抵抗をコントロールできるこ
とは非常に重要な事である。またこれ以外にもコントロ
ールできることは幅広い商品に対応できることでありそ
のメリットは大きい。その表面抵抗をコントロールする
方法として酸化インジウム，酸化錫と酸化けい素を混合
して蒸着する方法が、特開昭６３−８９６５６号、同６
４−１０５０７号に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法は後処理として２００℃以上で熱処理しなければ
ならないので、支持体がプラスチックフィルムの場合，
この処理は不可能である。また前記の方法は、蒸着方法
が電子ビーム加熱を利用しているため、どうしてもスプ
ラッシュといわれる蒸着飛沫による異物の発生が避けら
れない。このスプラッシュによる異物がフィルム上に残
っていると、その後の工程で問題を起こすことが多い。
例えば写真感光性フィルムの場合、現像時にスプラッシ
ュによる異物が残っていると、現像後その異物が黒点に
なりトラブルを招く。たとえこの方法でスプラッシュに
よる異物の発生を無くすことができたとしても、高温多
湿条件の場合は導電蒸着層とプラスチックフィルム間の
接着性に問題が発生する。
の方法は後処理として２００℃以上で熱処理しなければ
ならないので、支持体がプラスチックフィルムの場合，
この処理は不可能である。また前記の方法は、蒸着方法
が電子ビーム加熱を利用しているため、どうしてもスプ
ラッシュといわれる蒸着飛沫による異物の発生が避けら
れない。このスプラッシュによる異物がフィルム上に残
っていると、その後の工程で問題を起こすことが多い。
例えば写真感光性フィルムの場合、現像時にスプラッシ
ュによる異物が残っていると、現像後その異物が黒点に
なりトラブルを招く。たとえこの方法でスプラッシュに
よる異物の発生を無くすことができたとしても、高温多
湿条件の場合は導電蒸着層とプラスチックフィルム間の
接着性に問題が発生する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、プラスチック
フィルムの片面または両面に、高周波誘導加熱方式また
は抵抗加熱方式により、ＩＴＯ、インジウム酸化物およ
び錫酸化物から選ばれる少なくとも１種の導電性金属酸
化物、ならびにけい素酸化物、アルミニウム酸化物およ
びマグネシウム酸化物から選ばれる少なくとも１種の絶
縁性金属酸化物を含み、前記導電性金属酸化物と前記絶
縁性金属酸化物の合計量に対し前記導電性金属酸化物の
量が５０モル％以上、９５モル％以下であるドライプレ
ーティング層を形成してなり、該ドライプレーティング
層の表面抵抗が１０6 Ω／cm2 以下、１０2 Ω／cm2 以
上を示し、かつ該ドライプレーティング層の中でプラス
チックフィルムとの界面の金属酸化物の組成において、
前記絶縁性金属酸化物が７０モル％以上であることを特
徴とする透明導電性フィルムを提供する。
フィルムの片面または両面に、高周波誘導加熱方式また
は抵抗加熱方式により、ＩＴＯ、インジウム酸化物およ
び錫酸化物から選ばれる少なくとも１種の導電性金属酸
化物、ならびにけい素酸化物、アルミニウム酸化物およ
びマグネシウム酸化物から選ばれる少なくとも１種の絶
縁性金属酸化物を含み、前記導電性金属酸化物と前記絶
縁性金属酸化物の合計量に対し前記導電性金属酸化物の
量が５０モル％以上、９５モル％以下であるドライプレ
ーティング層を形成してなり、該ドライプレーティング
層の表面抵抗が１０6 Ω／cm2 以下、１０2 Ω／cm2 以
上を示し、かつ該ドライプレーティング層の中でプラス
チックフィルムとの界面の金属酸化物の組成において、
前記絶縁性金属酸化物が７０モル％以上であることを特
徴とする透明導電性フィルムを提供する。
【０００５】また、本発明は、プラスチックフィルムの
片面または両面に、２箇所以上の蒸発源を有する高周波
誘導加熱方式または抵抗加熱方式の蒸着装置を用いて、
ＩＴＯ、インジウム酸化物および錫酸化物から選ばれる
少なくとも１種の導電性金属酸化物、ならびにけい素酸
化物、アルミニウム酸化物およびマグネシウム酸化物か
ら選ばれる少なくとも１種の絶縁性金属酸化物を加熱真
空蒸着させて、前記導電性金属酸化物と前記絶縁性金属
酸化物の合計量に対し前記導電性金属酸化物の量が５０
モル％以上、９５モル％以下であり、表面抵抗が１０6
Ω／cm2 以下、１０2 Ω／cm2 以上を示すドライプレー
ティング層であって、プラスチックフィルムとの界面の
金属酸化物の組成において、前記絶縁性金属酸化物が７
０モル％以上であるドライプレーティング層を形成する
ことを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法を提供
する。本発明の透明導電性フィルムは、ドライプレーテ
ィング層の中でプラスチックフィルムとの界面の金属酸
化物の組成がより絶縁性の高い金属酸化物が主体である
ことにより、プラスチックフィルムに対し強固に接着す
ることができる。
片面または両面に、２箇所以上の蒸発源を有する高周波
誘導加熱方式または抵抗加熱方式の蒸着装置を用いて、
ＩＴＯ、インジウム酸化物および錫酸化物から選ばれる
少なくとも１種の導電性金属酸化物、ならびにけい素酸
化物、アルミニウム酸化物およびマグネシウム酸化物か
ら選ばれる少なくとも１種の絶縁性金属酸化物を加熱真
空蒸着させて、前記導電性金属酸化物と前記絶縁性金属
酸化物の合計量に対し前記導電性金属酸化物の量が５０
モル％以上、９５モル％以下であり、表面抵抗が１０6
Ω／cm2 以下、１０2 Ω／cm2 以上を示すドライプレー
ティング層であって、プラスチックフィルムとの界面の
金属酸化物の組成において、前記絶縁性金属酸化物が７
０モル％以上であるドライプレーティング層を形成する
ことを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法を提供
する。本発明の透明導電性フィルムは、ドライプレーテ
ィング層の中でプラスチックフィルムとの界面の金属酸
化物の組成がより絶縁性の高い金属酸化物が主体である
ことにより、プラスチックフィルムに対し強固に接着す
ることができる。
【０００６】本発明においてプラスチックフィルムと
は、延伸フィルムや未延伸フィルムの限定は特に無い
が、液晶関係に使用するにあたっては一軸延伸フィルム
が望ましい。またその組成としては、ポリエチレンやポ
リプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフ
タレートやポリエチレン−２，６ナフタレート等のポリ
エステル、ナイロン６やナイロン１２等のポリアミド、
ポリイミド、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィ
ド、ポリカーボネートなどあるいはモノマー（原料）組
成的にこれらの重合体の構造単位を主成分として含む共
重合やブレンドポリマー等がある。
は、延伸フィルムや未延伸フィルムの限定は特に無い
が、液晶関係に使用するにあたっては一軸延伸フィルム
が望ましい。またその組成としては、ポリエチレンやポ
リプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフ
タレートやポリエチレン−２，６ナフタレート等のポリ
エステル、ナイロン６やナイロン１２等のポリアミド、
ポリイミド、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィ
ド、ポリカーボネートなどあるいはモノマー（原料）組
成的にこれらの重合体の構造単位を主成分として含む共
重合やブレンドポリマー等がある。
【０００７】本発明の透明プラスチックフィルムの光線
透過率は一般論として高い方が望ましいが、液晶関係は
その活用分野によってその要求特性は異なる。これらの
事を配慮しても白色自然光での全光線透過率が少なくと
も５０％以上、好ましくは７０％以上である。本発明の
プラスチックフィルムに２種以上の金属酸化物の混合物
または化合物のドライプレーティング層を設けるにあた
り、プラスチックフィルム表面にコロナ放電処理、プラ
ズマ処理、火炎処理、グロー放電処理、粗面化処理等の
表面処理が施されてもよい。
透過率は一般論として高い方が望ましいが、液晶関係は
その活用分野によってその要求特性は異なる。これらの
事を配慮しても白色自然光での全光線透過率が少なくと
も５０％以上、好ましくは７０％以上である。本発明の
プラスチックフィルムに２種以上の金属酸化物の混合物
または化合物のドライプレーティング層を設けるにあた
り、プラスチックフィルム表面にコロナ放電処理、プラ
ズマ処理、火炎処理、グロー放電処理、粗面化処理等の
表面処理が施されてもよい。
【０００８】ドライプレーティング層の付与方法は巻取
り連続方式が望ましく，その場合には、プラスチックフ
ィルムの伸び，しわ，亀裂の発生防止の面からプラスチ
ックフィルムの厚みは５〜５００ミクロン（μ）である
ことが望ましい。本発明による積層体の形成方法は以下
に示すとおりである。まず基材のプラスチックフィルム
の片面または両面にドライプレーティング層を形成す
る。このドライプレーティング層は、主に最終的に得ら
れる導電性や透明性、基材フィルムとの易接着性の他
に、表面保護性，寸法安定性，ガスバリヤー性を付与す
るものである。
り連続方式が望ましく，その場合には、プラスチックフ
ィルムの伸び，しわ，亀裂の発生防止の面からプラスチ
ックフィルムの厚みは５〜５００ミクロン（μ）である
ことが望ましい。本発明による積層体の形成方法は以下
に示すとおりである。まず基材のプラスチックフィルム
の片面または両面にドライプレーティング層を形成す
る。このドライプレーティング層は、主に最終的に得ら
れる導電性や透明性、基材フィルムとの易接着性の他
に、表面保護性，寸法安定性，ガスバリヤー性を付与す
るものである。
【０００９】ドライプレーティング層としては、ＩＴＯ
（インジウム・錫酸化物），インジウム酸化物，錫酸化
物から選ばれるより導電性の高い一種またはそれ以上の
導電性金属酸化物と、けい素酸化物、アルミニウム酸化
物またはマグネシウム酸化物のより絶縁性の高い一種ま
たはそれ以上の絶縁性金属酸化物の混合物または化合物
なら特に制限はない。また、その混合比は、導電性金属
酸化物と絶縁性金属酸化物の合計量に対し導電性金属酸
化物の量が５０モルパーセント以上、９５モルパーセン
ト以下である。ここでの絶縁性金属酸化物と導電性金属
酸化物の比により最終的に形成される透明導電膜の導電
性が決められる。
（インジウム・錫酸化物），インジウム酸化物，錫酸化
物から選ばれるより導電性の高い一種またはそれ以上の
導電性金属酸化物と、けい素酸化物、アルミニウム酸化
物またはマグネシウム酸化物のより絶縁性の高い一種ま
たはそれ以上の絶縁性金属酸化物の混合物または化合物
なら特に制限はない。また、その混合比は、導電性金属
酸化物と絶縁性金属酸化物の合計量に対し導電性金属酸
化物の量が５０モルパーセント以上、９５モルパーセン
ト以下である。ここでの絶縁性金属酸化物と導電性金属
酸化物の比により最終的に形成される透明導電膜の導電
性が決められる。
【００１０】また、プラスチックフィルム上に形成され
るドライプレーティング層が結果的に金属酸化物であれ
ばよく、原料は金属酸化物，金属，有機金属化合物等何
れでも構わない。つまり、金属酸化物を原料とし直接プ
ラスチックフィルム上にドライプレーティング層を形成
させても、また金属または有機金属酸化物のような金属
を含む化合物を酸化させながらドライプレーティング層
としても、また金属をプラスチックフィルム上にドライ
プレーティング層として形成させ、後工程でそのドライ
プレーティング層を酸化処理しても構わない。酸化処理
の方法としてはプラスチックフィルムの使用可能温度範
囲内であれば特に限定されず、蒸着中の酸素ガス導入
法、放電処理法、酸素プラズマ法、熱酸化法等があげら
れる。
るドライプレーティング層が結果的に金属酸化物であれ
ばよく、原料は金属酸化物，金属，有機金属化合物等何
れでも構わない。つまり、金属酸化物を原料とし直接プ
ラスチックフィルム上にドライプレーティング層を形成
させても、また金属または有機金属酸化物のような金属
を含む化合物を酸化させながらドライプレーティング層
としても、また金属をプラスチックフィルム上にドライ
プレーティング層として形成させ、後工程でそのドライ
プレーティング層を酸化処理しても構わない。酸化処理
の方法としてはプラスチックフィルムの使用可能温度範
囲内であれば特に限定されず、蒸着中の酸素ガス導入
法、放電処理法、酸素プラズマ法、熱酸化法等があげら
れる。
【００１１】ドライプレーティング層の中でプラスチッ
クフィルム界面の組成は、プラスチックフィルムとの接
着性に優れた組成でなくてはならない。具体的には、導
電性及び絶縁性金属酸化物の総量に対する、けい素酸化
物、アルミニウム酸化物およびマグネシウム酸化物から
選ばれる少なくとも１種の絶縁性金属酸化物の比を７０
モルパーセント以上とする。
クフィルム界面の組成は、プラスチックフィルムとの接
着性に優れた組成でなくてはならない。具体的には、導
電性及び絶縁性金属酸化物の総量に対する、けい素酸化
物、アルミニウム酸化物およびマグネシウム酸化物から
選ばれる少なくとも１種の絶縁性金属酸化物の比を７０
モルパーセント以上とする。
【００１２】プラスチックフィルムにドライプレーティ
ング層を形成する方法としては、ドライプレーティング
層中のプラスチックフィルム界面の組成を導電性及び絶
縁性金属酸化物の総量の対する絶縁性金属酸化物の比を
上げることのできる方法かつ蒸着中にスプラッシュを発
生しないまたは少ない方法なら特に制限はなく、真空蒸
着，イオンプレーティング，スパッタリングなどを用い
る事ができる。さらに真空蒸着の加熱方法としては、高
周波誘導加熱または抵抗加熱を用いる。
ング層を形成する方法としては、ドライプレーティング
層中のプラスチックフィルム界面の組成を導電性及び絶
縁性金属酸化物の総量の対する絶縁性金属酸化物の比を
上げることのできる方法かつ蒸着中にスプラッシュを発
生しないまたは少ない方法なら特に制限はなく、真空蒸
着，イオンプレーティング，スパッタリングなどを用い
る事ができる。さらに真空蒸着の加熱方法としては、高
周波誘導加熱または抵抗加熱を用いる。
【００１３】なお、金属酸化物のドライプレーティング
層を形成する方法として、金属を原料として、ドライプ
レーティングをしつつ、またはドライプレーティングし
た後、プラスチックフィルムの仕様可能温度範囲内で酸
化処理することもできる。ドライプレーテイング総全体
の組成に対しプラスチックフィルムとドライプレーティ
ング層との界面の組成を変化させるためには、ドライプ
レーティング層の蒸発源（原料源）は２箇所以上にする
方法、蒸発原料の蒸発温度の差を用いる方法、蒸発材料
（原料）を２層にし加熱源との位置関係から蒸発タイミ
ングを変える方法等があげられるが、特に限定はされ
ず、結果的にドライプレーティング層の中でプラスチッ
クフィルムとの界面の金属酸化物の組成が、絶縁性金属
酸化物が７０パーセント以上になればよい。
層を形成する方法として、金属を原料として、ドライプ
レーティングをしつつ、またはドライプレーティングし
た後、プラスチックフィルムの仕様可能温度範囲内で酸
化処理することもできる。ドライプレーテイング総全体
の組成に対しプラスチックフィルムとドライプレーティ
ング層との界面の組成を変化させるためには、ドライプ
レーティング層の蒸発源（原料源）は２箇所以上にする
方法、蒸発原料の蒸発温度の差を用いる方法、蒸発材料
（原料）を２層にし加熱源との位置関係から蒸発タイミ
ングを変える方法等があげられるが、特に限定はされ
ず、結果的にドライプレーティング層の中でプラスチッ
クフィルムとの界面の金属酸化物の組成が、絶縁性金属
酸化物が７０パーセント以上になればよい。
【００１４】ドライプレーティング層の厚さは使用する
プラスチックフィルムのに合わせて選定されるが、本発
明においては５０〜２０００オングストロームが望まし
い。また、この積層を２回以上に分けて行ってもよく、
その時異種類の金属酸化物を積層しても構わない。ま
た、プラスチックフィルムとドライプレーティング層の
間に下塗り接着層を、またドライプレーティング層の外
側には表面保護層や界面活性剤系及び高分子電解質系の
帯電防止剤を設けても構わない。
プラスチックフィルムのに合わせて選定されるが、本発
明においては５０〜２０００オングストロームが望まし
い。また、この積層を２回以上に分けて行ってもよく、
その時異種類の金属酸化物を積層しても構わない。ま
た、プラスチックフィルムとドライプレーティング層の
間に下塗り接着層を、またドライプレーティング層の外
側には表面保護層や界面活性剤系及び高分子電解質系の
帯電防止剤を設けても構わない。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、プラスチックフィルムの片面
または両面に、１０6 Ω／cm2 以下、１０2 Ω／cm2 以
上の表面抵抗を示す、２種以上の金属酸化物のドライプ
レーティング層を有し、ドライプレーティング層の中で
プラスチックフィルムとの界面の金属酸化物の組成が絶
縁性金属酸化物が主体であることによりドライプレーテ
ィング層とプラスチックフィルムとが強固に接着するこ
とができる透明導電性フィルムであり、この透明導電性
フィルムの中の透明導電性膜が透明性、導電性、プラス
チックフィルムへの易接着性を兼ね備える事を特徴とす
る透明導電性フィルムである。さらに、本発明により、
透明性、導電性、プラスチックフィルムへの易接着性だ
けでなく、表面保護性，寸法安定性，ガスバリヤー性を
も高めることができる。
または両面に、１０6 Ω／cm2 以下、１０2 Ω／cm2 以
上の表面抵抗を示す、２種以上の金属酸化物のドライプ
レーティング層を有し、ドライプレーティング層の中で
プラスチックフィルムとの界面の金属酸化物の組成が絶
縁性金属酸化物が主体であることによりドライプレーテ
ィング層とプラスチックフィルムとが強固に接着するこ
とができる透明導電性フィルムであり、この透明導電性
フィルムの中の透明導電性膜が透明性、導電性、プラス
チックフィルムへの易接着性を兼ね備える事を特徴とす
る透明導電性フィルムである。さらに、本発明により、
透明性、導電性、プラスチックフィルムへの易接着性だ
けでなく、表面保護性，寸法安定性，ガスバリヤー性を
も高めることができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例に基づいてさらに詳細
に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。
に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。
【実施例１】フィルムの流れ方向に対し二箇所のルツボ
を持つ連続巻取り式高周波誘導加熱方式の蒸着装置を使
い、厚さ１００μの二軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムの表面に直接蒸着する第一蒸発ルツボには一
酸化けい素を入れ、その上に蒸着する第二蒸発ルツボに
はＩＴＯ（インジウム・錫酸化物：錫を１０重量％添
加）と一酸化けい素（重量比はＩＴＯ／一酸化けい素＝
８０／２０）を入れ、酸素ガス導入（酸素分圧は２×１
０-4ｔｏｒｒ）させながら加熱真空蒸着させ、約５００
オングストロームのＩＴＯ／けい素酸化物の混合薄膜を
形成させた。次にＥＳＣＡ（ＰＨＩ−５４００、パーキ
ンエルマー社製）及びアルゴンエッチング装置を用い
て、形成されたフィルム上の蒸着膜について、蒸着膜表
面から約２５０オングストローム付近，ポリエチレンテ
レフタレートとの界面付近の全分子数に対するインジウ
ム酸化物の分子数の比を測定した。またこの蒸着フィル
ムについて導電性，透明性，スプラッシュによる異物の
有無，蒸着膜とポリエチレンテレフタレートフィルムと
の接着性を調べた。結果を表１に示す。
を持つ連続巻取り式高周波誘導加熱方式の蒸着装置を使
い、厚さ１００μの二軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムの表面に直接蒸着する第一蒸発ルツボには一
酸化けい素を入れ、その上に蒸着する第二蒸発ルツボに
はＩＴＯ（インジウム・錫酸化物：錫を１０重量％添
加）と一酸化けい素（重量比はＩＴＯ／一酸化けい素＝
８０／２０）を入れ、酸素ガス導入（酸素分圧は２×１
０-4ｔｏｒｒ）させながら加熱真空蒸着させ、約５００
オングストロームのＩＴＯ／けい素酸化物の混合薄膜を
形成させた。次にＥＳＣＡ（ＰＨＩ−５４００、パーキ
ンエルマー社製）及びアルゴンエッチング装置を用い
て、形成されたフィルム上の蒸着膜について、蒸着膜表
面から約２５０オングストローム付近，ポリエチレンテ
レフタレートとの界面付近の全分子数に対するインジウ
ム酸化物の分子数の比を測定した。またこの蒸着フィル
ムについて導電性，透明性，スプラッシュによる異物の
有無，蒸着膜とポリエチレンテレフタレートフィルムと
の接着性を調べた。結果を表１に示す。
【００１７】
【実施例２】実施例１と同じ装置，同じ二軸延伸ポリエ
チレンテレフタレートフィルム用いて、加熱方式を抵抗
加熱方式に、また蒸着原料を変え、第一蒸発源にはアル
ミニウムを、第二蒸発源にはＩＴＯ（インジウム・錫酸
化物：錫を１０重量％添加）／アルミニウム（その時の
原料のモル比はＩＴＯ／アルミニウム＝８０／２０）を
入れ、酸素ガス導入（酸素分圧は９×１０-4ｔｏｒｒ）
させながら加熱真空蒸着させ、約５００オングストロー
ムのＩＴＯ／アルミニウム酸化物の混合薄膜を形成させ
た。実施例１と同じ方法を用いて形成されたフィルム上
の蒸着膜について、蒸着膜表面から約２５０オングスト
ローム付近，ポリエチレンテレフタレートとの界面付近
の全分子数に対するインジウム酸化物の分子数の比を測
定した。またこの蒸着フィルムについて導電性，透明
性，スプラッシュによる異物の有無，蒸着膜とポリエチ
レンテレフタレートフィルムとの接着性を調べた。結果
を表１に示す。
チレンテレフタレートフィルム用いて、加熱方式を抵抗
加熱方式に、また蒸着原料を変え、第一蒸発源にはアル
ミニウムを、第二蒸発源にはＩＴＯ（インジウム・錫酸
化物：錫を１０重量％添加）／アルミニウム（その時の
原料のモル比はＩＴＯ／アルミニウム＝８０／２０）を
入れ、酸素ガス導入（酸素分圧は９×１０-4ｔｏｒｒ）
させながら加熱真空蒸着させ、約５００オングストロー
ムのＩＴＯ／アルミニウム酸化物の混合薄膜を形成させ
た。実施例１と同じ方法を用いて形成されたフィルム上
の蒸着膜について、蒸着膜表面から約２５０オングスト
ローム付近，ポリエチレンテレフタレートとの界面付近
の全分子数に対するインジウム酸化物の分子数の比を測
定した。またこの蒸着フィルムについて導電性，透明
性，スプラッシュによる異物の有無，蒸着膜とポリエチ
レンテレフタレートフィルムとの接着性を調べた。結果
を表１に示す。
【００１８】
【比較例１】フィルムの流れ方向に対し一箇所のルツボ
を持つ連続式巻取り式高周波誘導加熱方式の蒸着装置を
使い、実施例１と同じ二軸延伸ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムの表面にＩＴＯと一酸化けい素（モル比は
ＩＴＯ／一酸化けい素＝８０／２０）を入れ、酸素ガス
導入（酸素分圧は２×１０-4ｔｏｒｒ）させながら加熱
真空蒸着させ、約５００オングストロームのＩＴＯ／け
い素酸化物の混合薄膜を形成させた。実施例１と同じ方
法を用いて形成されたフィルム上の蒸着膜について、蒸
着膜表面から約２５０オングストローム付近，ポリエチ
レンテレフタレートとの界面付近の全分子数に対するイ
ンジウム酸化物の分子数の比を測定した。またこの蒸着
フィルムについて導電性，透明性，スプラッシュによる
異物の有無，蒸着膜とポリエチレンテレフタレートフィ
ルムとの接着性を調べた。結果を表１に示す。
を持つ連続式巻取り式高周波誘導加熱方式の蒸着装置を
使い、実施例１と同じ二軸延伸ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムの表面にＩＴＯと一酸化けい素（モル比は
ＩＴＯ／一酸化けい素＝８０／２０）を入れ、酸素ガス
導入（酸素分圧は２×１０-4ｔｏｒｒ）させながら加熱
真空蒸着させ、約５００オングストロームのＩＴＯ／け
い素酸化物の混合薄膜を形成させた。実施例１と同じ方
法を用いて形成されたフィルム上の蒸着膜について、蒸
着膜表面から約２５０オングストローム付近，ポリエチ
レンテレフタレートとの界面付近の全分子数に対するイ
ンジウム酸化物の分子数の比を測定した。またこの蒸着
フィルムについて導電性，透明性，スプラッシュによる
異物の有無，蒸着膜とポリエチレンテレフタレートフィ
ルムとの接着性を調べた。結果を表１に示す。
【００１９】
【比較例２】比較例１と同じ蒸着装置，同じ二軸延伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルムを用いて約５００オ
ングストロームのけい素酸化物薄膜を形成させた。実施
例１と同じ方法を用いて形成されたフィルム上の蒸着膜
について、蒸着膜表面から約２５０オングストローム付
近，ポリエチレンテレフタレートとの界面付近の全分子
数に対するインジウム酸化物の分子数の比を測定した。
またこの蒸着フィルムについて導電性，透明性，スプラ
ッシュによる異物の有無，蒸着膜とポリエチレンテレフ
タレートフィルムとの接着性を調べた。結果を表１に示
す。
リエチレンテレフタレートフィルムを用いて約５００オ
ングストロームのけい素酸化物薄膜を形成させた。実施
例１と同じ方法を用いて形成されたフィルム上の蒸着膜
について、蒸着膜表面から約２５０オングストローム付
近，ポリエチレンテレフタレートとの界面付近の全分子
数に対するインジウム酸化物の分子数の比を測定した。
またこの蒸着フィルムについて導電性，透明性，スプラ
ッシュによる異物の有無，蒸着膜とポリエチレンテレフ
タレートフィルムとの接着性を調べた。結果を表１に示
す。
【００２０】
【比較例３】比較例１と同じ蒸着装置，同じ二軸延伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルムを用いて約５００オ
ングストロームのＩＴＯ薄膜を形成させた。実施例１と
同じ方法を用いて形成されたフィルム上の蒸着膜につい
て、蒸着膜表面から約２５０オングストローム付近，ポ
リエチレンテレフタレートとの界面付近の全分子数に対
するインジウム酸化物の分子数の比を測定した。またこ
の蒸着フィルムについて導電性，透明性，スプラッシュ
による異物の有無，蒸着膜とポリエチレンテレフタレー
トフィルムとの接着性を調べた。結果を表１に示す。
リエチレンテレフタレートフィルムを用いて約５００オ
ングストロームのＩＴＯ薄膜を形成させた。実施例１と
同じ方法を用いて形成されたフィルム上の蒸着膜につい
て、蒸着膜表面から約２５０オングストローム付近，ポ
リエチレンテレフタレートとの界面付近の全分子数に対
するインジウム酸化物の分子数の比を測定した。またこ
の蒸着フィルムについて導電性，透明性，スプラッシュ
による異物の有無，蒸着膜とポリエチレンテレフタレー
トフィルムとの接着性を調べた。結果を表１に示す。
【００２１】
【比較例４】実施例１に用いた装置の加熱方法を電子線
加熱に変え、それ以外は実施例１同様にしてけい素酸化
物，ＩＴＯ／けい素酸化物の蒸着フィルムを得た。この
蒸着フィルムについて、蒸着膜表面から約２５０オング
ストローム付近，ポリエチレンテレフタレートとの界面
付近の全分子数に対するインジウム酸化物の分子数の比
を測定した。またこの蒸着フィルムについて導電性，透
明性，スプラッシュの有無，蒸着膜とポリエチレンテレ
フタレートフィルムとの接着性を調べた。結果を表１に
示す。
加熱に変え、それ以外は実施例１同様にしてけい素酸化
物，ＩＴＯ／けい素酸化物の蒸着フィルムを得た。この
蒸着フィルムについて、蒸着膜表面から約２５０オング
ストローム付近，ポリエチレンテレフタレートとの界面
付近の全分子数に対するインジウム酸化物の分子数の比
を測定した。またこの蒸着フィルムについて導電性，透
明性，スプラッシュの有無，蒸着膜とポリエチレンテレ
フタレートフィルムとの接着性を調べた。結果を表１に
示す。
【００２２】
【表１】
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−171413（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−283135（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−206403（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−89656（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B32B 1/00 - 35/00 H01B 5/14 H01B 13/00
Claims (2)
- 【請求項１】プラスチックフィルムの片面または両面
に、高周波誘導加熱方式または抵抗加熱方式により、Ｉ
ＴＯ、インジウム酸化物および錫酸化物から選ばれる少
なくとも１種の導電性金属酸化物、ならびにけい素酸化
物、アルミニウム酸化物およびマグネシウム酸化物から
選ばれる少なくとも１種の絶縁性金属酸化物を含み、前
記導電性金属酸化物と前記絶縁性金属酸化物の合計量に
対し前記導電性金属酸化物の量が５０モル％以上、９５
モル％以下であるドライプレーティング層を形成してな
り、該ドライプレーティング層の表面抵抗が１０6 Ω／
cm2以下、１０2 Ω／cm2 以上を示し、かつ該ドライプ
レーティング層の中でプラスチックフィルムとの界面の
金属酸化物の組成において、前記絶縁性金属酸化物が７
０モル％以上であることを特徴とする透明導電性フィル
ム。 - 【請求項２】プラスチックフィルムの片面または両面
に、２箇所以上の蒸発源を有する高周波誘導加熱方式ま
たは抵抗加熱方式の蒸着装置を用いて、ＩＴＯ、インジ
ウム酸化物および錫酸化物から選ばれる少なくとも１種
の導電性金属酸化物、ならびにけい素酸化物、アルミニ
ウム酸化物およびマグネシウム酸化物から選ばれる少な
くとも１種の絶縁性金属酸化物を加熱真空蒸着させて、
前記導電性金属酸化物と前記絶縁性金属酸化物の合計量
に対し前記導電性金属酸化物の量が５０モル％以上、９
５モル％以下であり、表面抵抗が１０6 Ω／cm2 以下、
１０2 Ω／cm2 以上を示すドライプレーティング層であ
って、プラスチックフィルムとの界面の金属酸化物の組
成において、前記絶縁性金属酸化物が７０モル％以上で
あるドライプレーティング層を形成することを特徴とす
る透明導電性フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09794493A JP3331670B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 透明導電性フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09794493A JP3331670B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 透明導電性フィルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06305069A JPH06305069A (ja) | 1994-11-01 |
| JP3331670B2 true JP3331670B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=14205786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09794493A Expired - Lifetime JP3331670B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 透明導電性フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3331670B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102216071A (zh) * | 2008-11-17 | 2011-10-12 | 3M创新有限公司 | 梯度组合物阻挡件 |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP09794493A patent/JP3331670B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06305069A (ja) | 1994-11-01 |
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