JPH1148387A - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
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- JPH1148387A JPH1148387A JP9214539A JP21453997A JPH1148387A JP H1148387 A JPH1148387 A JP H1148387A JP 9214539 A JP9214539 A JP 9214539A JP 21453997 A JP21453997 A JP 21453997A JP H1148387 A JPH1148387 A JP H1148387A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明導電膜の導電性を高く維持しつつ、その
透明性を向上させる。 【解決手段】 透明導電膜１Ａを第１、第２及び第３の
セラミック薄膜２、３、４が順次積層した積層体から構
成し、その場合に第１のセラミック薄膜２の屈折率ｎ1
と第３のセラミック薄膜４の屈折率ｎ3との差を±０．
２以下とし、かつ第１のセラミック薄膜２の屈折率ｎ1
及び第３のセラミック薄膜４の屈折率ｎ3を、第２のセ
ラミック薄膜３の屈折率ｎ2よりも小さくする。
透明性を向上させる。 【解決手段】 透明導電膜１Ａを第１、第２及び第３の
セラミック薄膜２、３、４が順次積層した積層体から構
成し、その場合に第１のセラミック薄膜２の屈折率ｎ1
と第３のセラミック薄膜４の屈折率ｎ3との差を±０．
２以下とし、かつ第１のセラミック薄膜２の屈折率ｎ1
及び第３のセラミック薄膜４の屈折率ｎ3を、第２のセ
ラミック薄膜３の屈折率ｎ2よりも小さくする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明電極、電磁波
遮蔽膜、面状発熱膜、反射防止膜等として有用な透明導
電膜に関する。
遮蔽膜、面状発熱膜、反射防止膜等として有用な透明導
電膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜は、導電性と光学的な透明性
とを合わせ持つという特性を有しているため、産業的に
は、透明電極、電磁波遮蔽膜、面状発熱膜、反射防止膜
等として使用されている。また、学問的にも多くの研究
がなされている。
とを合わせ持つという特性を有しているため、産業的に
は、透明電極、電磁波遮蔽膜、面状発熱膜、反射防止膜
等として使用されている。また、学問的にも多くの研究
がなされている。
【０００３】これまでに透明導電膜の形成材料として
は、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛等の酸化物、ま
たそれらの混合酸化物が利用されている。この中で現在
最も一般的に利用されているのが、酸化インジウムと酸
化錫との混合酸化物であり、ＩＴＯと呼ばれている。通
常、このＩＴＯからなる透明導電膜は、ガラスやプラス
チック基材上で成膜される。
は、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛等の酸化物、ま
たそれらの混合酸化物が利用されている。この中で現在
最も一般的に利用されているのが、酸化インジウムと酸
化錫との混合酸化物であり、ＩＴＯと呼ばれている。通
常、このＩＴＯからなる透明導電膜は、ガラスやプラス
チック基材上で成膜される。
【０００４】ところで、光学的な透明性の程度は、主と
して、透明導電膜、透明導電膜を形成する基材、空間の
媒質、及び透明導電膜に付加的に設けられる機能層等の
屈折率や吸収特性に支配される。そこで、基材上に形成
した透明導電膜の透明性を制御する方法としては、透明
導電膜、基材、空間の媒質、機能層等の屈折率や吸収特
性に基づいて光学的設計を行い、それらの構成を決定す
ることが考えられる。ただし、基材や空間の媒質は当該
透明導電膜の用途に応じて定まるので、これらの構成素
材を透明導電膜の透明性を制御するために変更すること
は実際上できない。そこで、基材上に形成した透明導電
膜の透明性を制御するためには、通常、光学的設計によ
り透明導電膜自体について構成を種々試みることがなさ
れている。そして、透明導電膜が光学的設計に基づく所
定の屈折率や吸収特性となるように、透明導電膜の成膜
時の条件を変えることがなされている。
して、透明導電膜、透明導電膜を形成する基材、空間の
媒質、及び透明導電膜に付加的に設けられる機能層等の
屈折率や吸収特性に支配される。そこで、基材上に形成
した透明導電膜の透明性を制御する方法としては、透明
導電膜、基材、空間の媒質、機能層等の屈折率や吸収特
性に基づいて光学的設計を行い、それらの構成を決定す
ることが考えられる。ただし、基材や空間の媒質は当該
透明導電膜の用途に応じて定まるので、これらの構成素
材を透明導電膜の透明性を制御するために変更すること
は実際上できない。そこで、基材上に形成した透明導電
膜の透明性を制御するためには、通常、光学的設計によ
り透明導電膜自体について構成を種々試みることがなさ
れている。そして、透明導電膜が光学的設計に基づく所
定の屈折率や吸収特性となるように、透明導電膜の成膜
時の条件を変えることがなされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般
に、物質は、導電性を高めると光の吸収が大きくなり、
光学的透明性が低下する。このことは透明導電膜におい
ても例外ではなく、透明導電膜の導電性を向上させると
透明性が低下する。したがって、高い透明性が要求され
る分野へ透明導電膜を応用する場合に問題が生じてい
る。
に、物質は、導電性を高めると光の吸収が大きくなり、
光学的透明性が低下する。このことは透明導電膜におい
ても例外ではなく、透明導電膜の導電性を向上させると
透明性が低下する。したがって、高い透明性が要求され
る分野へ透明導電膜を応用する場合に問題が生じてい
る。
【０００６】本発明は以上のような従来技術の課題を解
決しようとするものであり、透明導電膜の導電性を高く
維持しつつ、その透明性を向上させることを目的とす
る。
決しようとするものであり、透明導電膜の導電性を高く
維持しつつ、その透明性を向上させることを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、少なくとも、第１、第２及び第３のセラ
ミック薄膜が順次積層した積層体からなり、第１のセラ
ミック薄膜の屈折率ｎ1と第３のセラミック薄膜の屈折
率ｎ3との差が±０．２以下であり、かつ第１のセラミ
ック薄膜の屈折率ｎ1及び第３のセラミック薄膜の屈折
率ｎ3が、第２のセラミック薄膜の屈折率ｎ2よりも小さ
いことを特徴とする透明導電膜を提供する。
達成するため、少なくとも、第１、第２及び第３のセラ
ミック薄膜が順次積層した積層体からなり、第１のセラ
ミック薄膜の屈折率ｎ1と第３のセラミック薄膜の屈折
率ｎ3との差が±０．２以下であり、かつ第１のセラミ
ック薄膜の屈折率ｎ1及び第３のセラミック薄膜の屈折
率ｎ3が、第２のセラミック薄膜の屈折率ｎ2よりも小さ
いことを特徴とする透明導電膜を提供する。
【０００８】特に、この透明導電膜の好ましい態様とし
て、第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1と第３のセラミ
ック薄膜の屈折率ｎ3との差が±０．１以下である態様
や、第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1及び第３のセラ
ミック薄膜の屈折率ｎ3が１．８よりも大きく、第２の
セラミック薄膜の屈折率ｎ2が２．３よりも小さい態様
を提供する。
て、第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1と第３のセラミ
ック薄膜の屈折率ｎ3との差が±０．１以下である態様
や、第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1及び第３のセラ
ミック薄膜の屈折率ｎ3が１．８よりも大きく、第２の
セラミック薄膜の屈折率ｎ2が２．３よりも小さい態様
を提供する。
【０００９】また、第１のセラミック薄膜がプラスチッ
クフィルム等の基材上に形成されている態様を提供す
る。
クフィルム等の基材上に形成されている態様を提供す
る。
【００１０】また、本発明は、基材上に真空成膜法でセ
ラミック薄膜を形成することにより透明導電膜を製造す
る方法であって、真空成膜時の酸素添加量を制御するこ
とにより、形成されるセラミック薄膜の屈折率を変化さ
せ、屈折率ｎ1の第１のセラミック薄膜、屈折率ｎ2の第
２のセラミック薄膜及び屈折率ｎ3の第３のセラミック
薄膜を順次積層し、その場合に第１のセラミック薄膜の
屈折率ｎ1と第３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3との差を
±０．２以下とし、第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1
及び第３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3を、第２のセラ
ミック薄膜の屈折率ｎ2よりも小さくすることを特徴と
する透明導電膜の製造方法を提供する。
ラミック薄膜を形成することにより透明導電膜を製造す
る方法であって、真空成膜時の酸素添加量を制御するこ
とにより、形成されるセラミック薄膜の屈折率を変化さ
せ、屈折率ｎ1の第１のセラミック薄膜、屈折率ｎ2の第
２のセラミック薄膜及び屈折率ｎ3の第３のセラミック
薄膜を順次積層し、その場合に第１のセラミック薄膜の
屈折率ｎ1と第３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3との差を
±０．２以下とし、第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1
及び第３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3を、第２のセラ
ミック薄膜の屈折率ｎ2よりも小さくすることを特徴と
する透明導電膜の製造方法を提供する。
【００１１】本発明の透明導電膜によれば、３層のセラ
ミック薄膜の積層体から透明導電膜を構成し、それらの
屈折率の間に、第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1と第
３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3との差が±０．２以下
であり、かつ第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1及び第
３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3が、第２のセラミック
薄膜の屈折率ｎ2よりも小さいという関係をもたせてい
るので、光学的干渉効果を利用して、かかるセラミック
薄膜の積層体からなる透明導電膜全体としての透明性を
向上させることができる。またこの場合、導電性の低下
が引き起こされることも防止できる。
ミック薄膜の積層体から透明導電膜を構成し、それらの
屈折率の間に、第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1と第
３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3との差が±０．２以下
であり、かつ第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1及び第
３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3が、第２のセラミック
薄膜の屈折率ｎ2よりも小さいという関係をもたせてい
るので、光学的干渉効果を利用して、かかるセラミック
薄膜の積層体からなる透明導電膜全体としての透明性を
向上させることができる。またこの場合、導電性の低下
が引き起こされることも防止できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面を参照しつ
つ詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は同一又は
同等の構成要素を表している。
つ詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は同一又は
同等の構成要素を表している。
【００１３】図１は、本発明の基本的な一態様の透明導
電膜１Ａの層構成を表す断面図である。この透明導電膜
１Ａは、基材５上に順次積層した第１のセラミック薄膜
２、第２のセラミック薄膜３及び第３のセラミック薄膜
４の積層体からなっている。
電膜１Ａの層構成を表す断面図である。この透明導電膜
１Ａは、基材５上に順次積層した第１のセラミック薄膜
２、第２のセラミック薄膜３及び第３のセラミック薄膜
４の積層体からなっている。
【００１４】ここで、第１、第２又は第３のセラミック
薄膜を形成するセラミックとは、酸化物、硫化物、フッ
化物等の無機化合物をいう。より具体的には、酸化物と
しては、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛等やこれら
の混合酸化物等をあげることができる。
薄膜を形成するセラミックとは、酸化物、硫化物、フッ
化物等の無機化合物をいう。より具体的には、酸化物と
しては、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛等やこれら
の混合酸化物等をあげることができる。
【００１５】セラミックには、必要に応じて、導電性及
び光学特性の制御のため、Ａｌ、Ｚｒ、Ｇａ等の添加元
素を含有させることができる。
び光学特性の制御のため、Ａｌ、Ｚｒ、Ｇａ等の添加元
素を含有させることができる。
【００１６】本発明においては、かかる第１のセラミッ
ク薄膜の屈折率ｎ1と第３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3
との差を±０．２以下とし、これらの屈折率ｎ1、ｎ3を
実質的に等しくすること、かつ第１のセラミック薄膜の
屈折率ｎ1及び第３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3を、第
２のセラミック薄膜の屈折率ｎ2よりも小さくすること
を特徴としている。
ク薄膜の屈折率ｎ1と第３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3
との差を±０．２以下とし、これらの屈折率ｎ1、ｎ3を
実質的に等しくすること、かつ第１のセラミック薄膜の
屈折率ｎ1及び第３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3を、第
２のセラミック薄膜の屈折率ｎ2よりも小さくすること
を特徴としている。
【００１７】このように、第１のセラミック薄膜２の屈
折率ｎ1、第２のセラミック薄膜３の屈折率ｎ2、第３の
セラミック薄膜４の屈折率ｎ3を制御することにより、
これらセラミック薄膜２、３、４の積層体からなる透明
導電膜１Ａは、光学的干渉効果により反射光成分が抑制
されるので、高い透明性を備えたものとなる。またこの
場合、第１のセラミック薄膜２及び第３のセラミック薄
膜４が高い導電性を有し、第２のセラミック薄膜３が十
分な導電性を示すように設計できるので、良好な導電性
も兼ね備えたものとなる。
折率ｎ1、第２のセラミック薄膜３の屈折率ｎ2、第３の
セラミック薄膜４の屈折率ｎ3を制御することにより、
これらセラミック薄膜２、３、４の積層体からなる透明
導電膜１Ａは、光学的干渉効果により反射光成分が抑制
されるので、高い透明性を備えたものとなる。またこの
場合、第１のセラミック薄膜２及び第３のセラミック薄
膜４が高い導電性を有し、第２のセラミック薄膜３が十
分な導電性を示すように設計できるので、良好な導電性
も兼ね備えたものとなる。
【００１８】なお、セラミック薄膜の屈折率を上述のよ
うに制御するにあたり、各セラミック薄膜内の屈折率
は、均一に一定の値となっていなくてもよく、セラミッ
ク薄膜の積層方向に各セラミック薄膜内の屈折率が徐々
に変化していてもよい。
うに制御するにあたり、各セラミック薄膜内の屈折率
は、均一に一定の値となっていなくてもよく、セラミッ
ク薄膜の積層方向に各セラミック薄膜内の屈折率が徐々
に変化していてもよい。
【００１９】また、第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1
と第３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3との差を実質的に
等しくするに際しては、これらの差を±０．１以下とす
ることが好ましく、±０．０５以下とすることがより好
ましい。
と第３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3との差を実質的に
等しくするに際しては、これらの差を±０．１以下とす
ることが好ましく、±０．０５以下とすることがより好
ましい。
【００２０】また、第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1
及び第３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3を第２のセラミ
ック薄膜の屈折率ｎ2よりも小さくするに際しては、第
１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1及び第３のセラミック
薄膜の屈折率ｎ3を１．８よりも大きくし、第２のセラ
ミック薄膜の屈折率ｎ2を２．３よりも小さくすること
が導電性と光学特性の両立の点から好ましい。
及び第３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3を第２のセラミ
ック薄膜の屈折率ｎ2よりも小さくするに際しては、第
１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1及び第３のセラミック
薄膜の屈折率ｎ3を１．８よりも大きくし、第２のセラ
ミック薄膜の屈折率ｎ2を２．３よりも小さくすること
が導電性と光学特性の両立の点から好ましい。
【００２１】以上のようなセラミック薄膜２、３、４の
積層体からなる透明導電膜１Ａの透明性は、当該透明導
電膜１Ａの用途に応じて適宜設定することができるが、
本発明においては、通常、薄膜材料の種類や薄膜の酸素
含有率を制御することにより、透明導電膜１Ａの透明性
を５０％とし、より好ましくは７０％以上とする。ま
た、透明導電膜１Ａは、当該透明導電膜１Ａの用途に応
じて、着色されていてもよい。
積層体からなる透明導電膜１Ａの透明性は、当該透明導
電膜１Ａの用途に応じて適宜設定することができるが、
本発明においては、通常、薄膜材料の種類や薄膜の酸素
含有率を制御することにより、透明導電膜１Ａの透明性
を５０％とし、より好ましくは７０％以上とする。ま
た、透明導電膜１Ａは、当該透明導電膜１Ａの用途に応
じて、着色されていてもよい。
【００２２】透明導電膜１Ａの全体としての屈折率は、
上述のように各セラミック薄膜２、３、４の屈折率を設
定することにより、通常、約１．７〜２．４程度とな
る。
上述のように各セラミック薄膜２、３、４の屈折率を設
定することにより、通常、約１．７〜２．４程度とな
る。
【００２３】透明導電膜１Ａの導電性も当該透明導電膜
１Ａの用途に応じて適宜設定することができ、特に限定
されないが、本発明においては、通常、薄膜材料の種類
や薄膜の酸素含有率を制御することにより、１ｋΩ／□
以下とし、より好ましくは２００Ω／□以下、さらに好
ましくは５０Ω／□以下とする。
１Ａの用途に応じて適宜設定することができ、特に限定
されないが、本発明においては、通常、薄膜材料の種類
や薄膜の酸素含有率を制御することにより、１ｋΩ／□
以下とし、より好ましくは２００Ω／□以下、さらに好
ましくは５０Ω／□以下とする。
【００２４】一方、透明導電膜１Ａを形成する基材５に
ついて、その構成材料には、特に制限はないが、透明性
の点から、ガラスやプラスチックフィルムとすることが
好ましい。
ついて、その構成材料には、特に制限はないが、透明性
の点から、ガラスやプラスチックフィルムとすることが
好ましい。
【００２５】以上、図１に示した３層のセラミック薄膜
２、３、４の積層体からなる透明導電膜１Ａに基づいて
本発明を説明したが、本発明の透明導電膜は、これに限
らず、さらに必要に応じて種々の層を有することができ
る。また、透明導電膜全体としての厚さにも特に制限は
ない。
２、３、４の積層体からなる透明導電膜１Ａに基づいて
本発明を説明したが、本発明の透明導電膜は、これに限
らず、さらに必要に応じて種々の層を有することができ
る。また、透明導電膜全体としての厚さにも特に制限は
ない。
【００２６】例えば、図１の透明導電膜１Ａでは、第１
のセラミック薄膜２が基材５の一方の面上に直接接触す
るように形成されているが、第１、第２及び第３のセラ
ミック薄膜２、３、４の積層体は必ずしも基材５上に直
接接触するように形成しなくてもよい。第１、第２及び
第３のセラミック薄膜２、３、４の積層体の片面又は両
面、あるいは基材５の片面又は両面に必要に応じて何ら
かの機能層を設けたり、あるいは何らかの表面処理を施
してもよい。このような機能層の例としては、ハードコ
ート層、ガスバリア層、耐候性層、接着層、防汚層、撥
水層等をあげることができる。
のセラミック薄膜２が基材５の一方の面上に直接接触す
るように形成されているが、第１、第２及び第３のセラ
ミック薄膜２、３、４の積層体は必ずしも基材５上に直
接接触するように形成しなくてもよい。第１、第２及び
第３のセラミック薄膜２、３、４の積層体の片面又は両
面、あるいは基材５の片面又は両面に必要に応じて何ら
かの機能層を設けたり、あるいは何らかの表面処理を施
してもよい。このような機能層の例としては、ハードコ
ート層、ガスバリア層、耐候性層、接着層、防汚層、撥
水層等をあげることができる。
【００２７】したがって、本発明は、例えば図２に示し
たように、基材５上に、紫外線硬化性アクリル樹脂等か
らなるハードコート層６を介して第１のセラミック薄膜
２、第２のセラミック薄膜３及び第３のセラミック薄膜
４が順次積層されている透明導電膜１Ｂも包含する。
たように、基材５上に、紫外線硬化性アクリル樹脂等か
らなるハードコート層６を介して第１のセラミック薄膜
２、第２のセラミック薄膜３及び第３のセラミック薄膜
４が順次積層されている透明導電膜１Ｂも包含する。
【００２８】また、図３に示したように、基材５上に第
１のセラミック薄膜２、第２のセラミック薄膜３及び第
３のセラミック薄膜４が順次積層され、さらにその第３
のセラミック層４上に、フッ素含有有機化合物等からな
る防汚層７が形成されている透明導電膜１Ｃも包含す
る。
１のセラミック薄膜２、第２のセラミック薄膜３及び第
３のセラミック薄膜４が順次積層され、さらにその第３
のセラミック層４上に、フッ素含有有機化合物等からな
る防汚層７が形成されている透明導電膜１Ｃも包含す
る。
【００２９】さらに図４に示したように、基材５上にハ
ードコート層６を介して第１のセラミック薄膜２、第２
のセラミック薄膜３及び第３のセラミック薄膜４が順次
積層され、さらにその第３のセラミック層４上に第４の
セラミック薄膜８及び防汚層７が順次積層されている透
明導電膜１Ｄも包含する。
ードコート層６を介して第１のセラミック薄膜２、第２
のセラミック薄膜３及び第３のセラミック薄膜４が順次
積層され、さらにその第３のセラミック層４上に第４の
セラミック薄膜８及び防汚層７が順次積層されている透
明導電膜１Ｄも包含する。
【００３０】本発明の透明導電膜の製造方法については
特に限定はないが、本発明の透明導電膜を構成する第
１、第２及び第３のセラミック薄膜の積層体は、スパッ
タリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等の真空成膜法を用いて
好ましく製造することができる。
特に限定はないが、本発明の透明導電膜を構成する第
１、第２及び第３のセラミック薄膜の積層体は、スパッ
タリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等の真空成膜法を用いて
好ましく製造することができる。
【００３１】また、第１のセラミック薄膜の屈折率
ｎ1、第２のセラミック薄膜の屈折率ｎ2及び第３のセラ
ミック薄膜の屈折率ｎ3を前述のように制御する方法と
しては、成膜時の成膜条件、例えば、酸素添加量を制御
することが、実用上最も容易に所定の屈折率のセラミッ
ク薄膜を形成できるので好ましい。この他、所定の屈折
率のセラミック薄膜を形成するためには、セラミック薄
膜の形成材料の構成を変化させてもよい。
ｎ1、第２のセラミック薄膜の屈折率ｎ2及び第３のセラ
ミック薄膜の屈折率ｎ3を前述のように制御する方法と
しては、成膜時の成膜条件、例えば、酸素添加量を制御
することが、実用上最も容易に所定の屈折率のセラミッ
ク薄膜を形成できるので好ましい。この他、所定の屈折
率のセラミック薄膜を形成するためには、セラミック薄
膜の形成材料の構成を変化させてもよい。
【００３２】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。
明する。
【００３３】実施例１ 図１の層構成の透明導電膜１Ａを、直流マグネトロンス
パッタリング法にて、１００μｍ厚のＰＥＴフィルムを
基材５とし、その上にＩＴＯ薄膜を３層構成で成膜する
ことにより形成した。この場合、基材５に近い側から、
第１のＩＴＯ薄膜２は４０ｎｍ厚、第２のＩＴＯ薄膜３
は２０ｎｍ、第３のＩＴＯ薄膜４は８０ｎｍとし、積層
した薄膜の総膜厚を約１４０ｎｍとした。
パッタリング法にて、１００μｍ厚のＰＥＴフィルムを
基材５とし、その上にＩＴＯ薄膜を３層構成で成膜する
ことにより形成した。この場合、基材５に近い側から、
第１のＩＴＯ薄膜２は４０ｎｍ厚、第２のＩＴＯ薄膜３
は２０ｎｍ、第３のＩＴＯ薄膜４は８０ｎｍとし、積層
した薄膜の総膜厚を約１４０ｎｍとした。
【００３４】成膜時の酸素流量（分圧）を変化させるこ
とにより、形成される薄膜の酸素欠損の量を変化させ、
屈折率を１．８〜２．３の範囲で変化させることができ
たので、ＩＴＯ薄膜の成膜時の屈折率の制御は、酸素流
量の制御により行った。
とにより、形成される薄膜の酸素欠損の量を変化させ、
屈折率を１．８〜２．３の範囲で変化させることができ
たので、ＩＴＯ薄膜の成膜時の屈折率の制御は、酸素流
量の制御により行った。
【００３５】得られた各ＩＴＯ薄膜の、波長５５０ｎｍ
の光線に対する屈折率を測定したところ、第１のＩＴＯ
薄膜２は１．９７、第２のＩＴＯ薄膜３は２．０７、第
３のＩＴＯ薄膜４は１．９７であった。
の光線に対する屈折率を測定したところ、第１のＩＴＯ
薄膜２は１．９７、第２のＩＴＯ薄膜３は２．０７、第
３のＩＴＯ薄膜４は１．９７であった。
【００３６】また、得られた透明導電膜１Ａの、空気を
レファレンスとして測定した光線透過率を表１に示す。
レファレンスとして測定した光線透過率を表１に示す。
【００３７】さらに、得られた透明導電膜１Ａの抵抗値
を４端子法で測定したところ、３２．５Ω／□であっ
た。
を４端子法で測定したところ、３２．５Ω／□であっ
た。
【００３８】比較例１ 図５に示すように、１００μｍ厚のＰＥＴフィルムを基
材５とし、その上に、１４０ｎｍ厚のＩＴＯ薄膜１０の
単層構成の透明導電膜を、直流マグネトロンスパッタリ
ング法にて成膜した。
材５とし、その上に、１４０ｎｍ厚のＩＴＯ薄膜１０の
単層構成の透明導電膜を、直流マグネトロンスパッタリ
ング法にて成膜した。
【００３９】得られた各ＩＴＯ薄膜の、波長５５０ｎｍ
の光線に対する屈折率を測定したところ、１．９７であ
った。
の光線に対する屈折率を測定したところ、１．９７であ
った。
【００４０】また、得られたＩＴＯ薄膜１０の、空気を
レファレンスとして測定した光線透過率を表１に示す。
レファレンスとして測定した光線透過率を表１に示す。
【００４１】さらに、得られたＩＴＯ薄膜１０の抵抗値
を４端子法で測定したところ、３１．９Ω／□であっ
た。
を４端子法で測定したところ、３１．９Ω／□であっ
た。
【００４２】
【表１】
【００４３】実施例１と比較例１とを対比すると、抵抗
値は、ほぼ同じ値であるにもかかわらず、光線透過率
は、表１から、実施例１の方が可視光全域において向上
していることがわかる。
値は、ほぼ同じ値であるにもかかわらず、光線透過率
は、表１から、実施例１の方が可視光全域において向上
していることがわかる。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、透明導電膜の導電性を
高く維持しつつ、その透明性を向上させることが可能と
なる。
高く維持しつつ、その透明性を向上させることが可能と
なる。
【図１】本発明の透明導電膜の断面図である。
【図２】本発明の透明導電膜の断面図である。
【図３】本発明の透明導電膜の断面図である。
【図４】本発明の透明導電膜の断面図である。
【図５】比較例の透明導電膜の断面図である。
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ 透明導電膜 ２ 第１のセラミック薄膜 ３ 第２のセラミック薄膜 ４ 第３のセラミック薄膜 ５ 基材 ６ ハードコート層 ７ 防汚層 ８ 第４のセラミック薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０５Ｂ 33/28 Ｈ０５Ｂ 33/28 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｚ
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも、第１、第２及び第３のセラ
ミック薄膜が順次積層した積層体からなり、第１のセラ
ミック薄膜の屈折率ｎ1と第３のセラミック薄膜の屈折
率ｎ3との差が±０．２以下であり、かつ第１のセラミ
ック薄膜の屈折率ｎ1及び第３のセラミック薄膜の屈折
率ｎ3が、第２のセラミック薄膜の屈折率ｎ2よりも小さ
いことを特徴とする透明導電膜。 - 【請求項２】 第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1と第
３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3との差が±０．１以下
である請求項１記載の透明導電膜。 - 【請求項３】 第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1及び
第３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3が１．８よりも大き
く、第２のセラミック薄膜の屈折率ｎ2が２．３よりも
小さい請求項１記載の透明導電膜。 - 【請求項４】 第１のセラミック薄膜が基材上に形成さ
れている請求項１〜３のいずれかに記載の透明導電膜。 - 【請求項５】 基材がガラス又はプラスチックフィルム
である請求項４記載の透明導電膜。 - 【請求項６】 基材上と第１のセラミック薄膜との間に
ハードコート層を有する請求項５記載の透明導電膜。 - 【請求項７】 第３のセラミック薄膜上に防汚層を有す
る請求項４〜６のいずれかに記載の透明導電膜。 - 【請求項８】 基材上に真空成膜法でセラミック薄膜を
形成することにより透明導電膜を製造する方法であっ
て、真空成膜時の酸素添加量を制御することにより形成
されるセラミック薄膜の屈折率を変化させ、屈折率ｎ1
の第１のセラミック薄膜、屈折率ｎ2の第２のセラミッ
ク薄膜及び屈折率ｎ3の第３のセラミック薄膜を順次積
層し、その場合に第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1と
第３のセラミック薄膜の屈折率ｎ3との差を±０．２以
下とし、第１のセラミック薄膜の屈折率ｎ1及び第３の
セラミック薄膜の屈折率ｎ3を、第２のセラミック薄膜
の屈折率ｎ2よりも小さくすることを特徴とする透明導
電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21453997A JP4172049B2 (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21453997A JP4172049B2 (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 透明導電膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1148387A true JPH1148387A (ja) | 1999-02-23 |
| JP4172049B2 JP4172049B2 (ja) | 2008-10-29 |
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ID=16657422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21453997A Expired - Fee Related JP4172049B2 (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 透明導電膜 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4172049B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002071414A1 (fr) * | 2001-03-07 | 2002-09-12 | Ueyama Electric Co., Ltd. | Film conducteur transparent depose sur un substrat et procede de fabrication d'un filtre colore |
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-
1997
- 1997-08-08 JP JP21453997A patent/JP4172049B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| KR101109918B1 (ko) * | 2004-05-25 | 2012-02-29 | 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 | 전기발광 디바이스를 위한, 주변광의 반사를 감소시킬 수 있는 복합 전극 |
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| JP4172049B2 (ja) | 2008-10-29 |
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