KR101465518B1 - 무반사 기능을 갖는 투명 면상 발열체 - Google Patents

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Abstract

무반사 기능을 갖는 투명 면상 발열체가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 면상 발열체는 투명기판; 투명기판 상에 형성되는 제1 투명전도성층; 제1 투명전도성층 상에 분산되는 나노와이어들을 구비하는 나노와이어층; 나노와이어층 상에 형성되는 제2 투명전도성층; 및 제2 투명전도성층 상에 가시광선 투과도 향상을 위해 형성되는 것으로, 잠열특성을 갖는 무반사층을 포함한다.

Description

무반사 기능을 갖는 투명 면상 발열체{TRANSPARENT PLANAR HEATER WITH ANTI REFLECTIVE FUNCTION}
본 발명은 면상 발열체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 무반사 기능을 갖는 투명 면상 발열체에 관한 것이다.
일반적으로 면상 발열체(planar heater)는 냉동 진열장의 유리 표면, 창호 시스템, 자동차 유리 표면, 욕실 거울 등에 활용되는 것으로, 상기 예시한 사례들에 있어 주변 온도 차이로 인한 김서림 내지 결로 현상으로 인해 발생하는 불편함을 제거하기 위한 목적으로 주로 사용된다. 특히 투명한 성질을 유지하면서도 발열되므로 투명 면상 발열체라고도 한다.
이러한 투명 면상 발열체는 일반적으로 투명 부도체 기판에 투명성을 갖는 전도성 발열 물질을 코팅하고, 상기 전도성 발열 물질의 양단에 전극을 설치하는 구조로 구성된다. 이 때, 양 전극에 직류 또는 교류 전압을 걸어주면 상기 전도성 발열 물질에 전류가 흐르게 되면서 발열한다. 그런데 상기와 같은 구조로 이루어지는 면상 발열체의 경우에는 양 전극에 전압을 인가하였을 때에 면상 발열체의 바깥쪽으로부터 발열이 일어나므로 중앙 부분에 대해서는 발열이 일어나지 않는 문제가 있었다.
상기 문제를 해결하기 위하여 전극을 패턴화 시켜 발열체 전면에 형성하는 방법이 제안된 바 있으나, 이 경우에는 국부적 과열 현상이 일어서 장시간 구동이 힘들뿐더러, 헤이즈(Haze)가 높아 건축용 창호 등에서는 사용할 수 없다는 문제가 있었다.
본 발명의 실시예들은 장시간 구동이 가능하고 투과도를 향상시켜 헤이즈가 낮은 투명 면상 발열체를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 투명기판; 상기 투명기판 상에 형성되는 제1 투명전도성층; 상기 제1 투명전도성층 상에 분산되는 나노와이어들을 구비하는 나노와이어층; 상기 나노와이어층 상에 형성되는 제2 투명전도성층; 및 상기 제2 투명전도성층 상에 가시광선 투과도 향상을 위해 형성되는 것으로, 잠열특성을 갖는 무반사층을 포함하는 투명 면상 발열체가 제공될 수 있다.
이 때, 상기 제1 투명전도성층 및 제2 투명전도성층은 Zn, Cd, In, Ga, Sn 및 Ti의 산화물, 이들 물질간의 화합물, ITO(Indium Tin Oxide), FTO(fluorine doped tin oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum doped Zinc Oxide), GZO(Gallium doped Zinc Oxide), 그래핀 및 카본나노튜브로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
또한, 상기 제1 투명전도성층 및 제2 투명전도성층의 두께는 서로 다를 수 있다.
한편, 상기 무반사층은 제1 굴절율을 갖는 제1 굴절층과, 상기 제1 굴절율보다 낮은 제2 굴절율을 갖는 제2 굴절층이 교대로 적층하여 형성되는 것으로, 상기 무반사층의 적층수는 홀수일 수 있다.
이 때, 상기 제1 굴절층은 TiO2, Ta2O5, FTO(fluorine tin oxide), ITO(indium tin oxide) 또는 AZO(aluminum doped zinc oxide)로 형성되고, 상기 제2 굴절층은 SiO2, Al2O3 또는 SiN으로 형성될 수 있다.
한편, 상기 투명기판 및 제1 투명전도성층 사이에 배치되어 굴절율을 조정하는 굴절율 조정층을 더 포함할 수 있고, 상기 제1 투명전도성층 및 제2 투명전도성층 양단에 각각 형성되는 전극을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 나노와이어 및 투명전도성층의 복층 구조를 통해 장시간동안 안정적으로 고온 발열 구동이 가능하다.
또한, 무반사층을 통해 가시광선 투과도를 향상시킴으로써 나노와이어를 사용하면서도 헤이즈를 낮출 수 있고, 전면에 걸친 균일한 발열이 가능하다.
또한, 무반사층은 잠열 특성을 가지므로 면상 발열체의 전원이 차단된 상태에서도 장시간 발열 상태를 유지 가능하여 에너지 절약 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 면상 발열체를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 투명 면상 발열체에서 나노와이어층을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 3은 도 1의 투명 면상 발열체에서 무반사층을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 도 1의 투명 면상 발열체에서 굴절율 조정층을 추가하여 도시한 단면도이다.
도 5는 도 1의 투명 면상 발열체의 발열 실험 결과를 나타내는 이미지이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 구체적으로 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 면상 발열체(100, 이하 면상 발열체로 칭함)를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 면상 발열체(100)는 투명기판(110), 제1 투명전도성층(120), 나노와이어층(130), 제2 투명전도성층(140) 및 무반사층(150)이 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다.
투명기판(110)은 투명성을 갖는 기판으로 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 고리형 올레핀 고분자(COC), TAC(Triacetylcellulose) 필름, 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol; PVA) 필름, 폴리이미드(Polyimide; PI) 필름, 폴리스틸렌(Polystyrene; PS), 이축연신폴리스틸렌(K레진 함유 biaxially oriented PS; BOPS), 유리 또는 강화유리 등으로 형성될 수 있으며, 상기 열거된 물질로 한정되는 것은 아니고 투명성을 가진 기판 재료면 어느 것이나 사용될 수 있다.
투명기판(110)의 크기는 특정되지 않으며, 예컨대 1,600mm의 폭을 갖는 대면적으로 형성될 수 있다.
제1 투명전도성층(120) 및 제2 투명전도성층(140)은 투명성과 전도성 특성을 갖는 물질로 형성되는 레이어(layer)에 해당하는 것으로, 제1 투명전도성층(120) 및 제2 투명전도성층(140)은 동일한 물질 또는 상이한 물질로 형성될 수 있다.
제1 투명전도성층(120) 및 제2 투명전도성층(140)은 Zn, Cd, In, Ga, Sn 및 Ti의 산화물이나 이들 물질간의 화합물로 이루어진 산화물일 수 있다. 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide), FTO(fluorine doped tin oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum doped Zinc Oxide), GZO(Gallium doped Zinc Oxide), 그래핀, 카본나노튜브 등이 있으며, 두 물질 이상이 다층구조로 형성될 수 있다.
제1 투명전도성층(120) 및 제2 투명전도성층(140)의 두께는 특정되지 않는다. 즉, 제1,2 투명전도성층(120, 140)의 두께는 동일할 수도 있고, 다르게 형성될 수도 있다. 예컨대 본 발명의 실시예에서는 제1,2 투명전도성층(120,140)과 나노와이어층(130)이 발열체 기능을 하므로 이들 간의 전체 저항을 조정하기 위하여 제1 투명전도성층(120)과 제2 투명전도성층(140)의 두께를 상이하게 할 수 있다.
제1 투명전도성층(120) 및 제2 투명전도성층(140)은 CVD(Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링, 증발법(evaporation), 졸-겔법(sol-gel)등의 증착 공정이나, 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅 등의 용액 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
한편, 제1,2 투명전도성층(120,140)의 양단에는 전극(미도시)이 각각 형성될 수 있다. 상기 전극은 면상 발열체(100)에 전압을 걸어주기 위해 형성되는 것으로 하나는 (+) 전극으로, 다른 하나는 (-) 전극으로 기능할 수 있다. 상기 전극은 은(Ag) 나노와이어/페이스트와 같은 투명성을 갖는 금속, ITO(산화인듐주석), ZnO(산화아연), SnO2(산화주석)과 같은 산화물 투명 전극 또는 카본나노튜브, 그래핀과 같은 비산화물 투명 전극 등을 사용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
나노와이어층(130)은 제1 투명전도성층(120) 상에 형성되는 것으로, 제1 투명전도성층(120) 및 제2 투명전도성층(140) 사이에 게재된다. 나노와이어층(130)은 제1 투명전도성층(120) 상에 복수개의 나노와이어(nanowire)들이 균일하게 분산됨으로써 형성될 수 있다. 관련하여 도 2에서는 면상 발열체(100)에서 나노와이어층(130)이 형성된 모습을 개략적으로 도시하였다.
나노와이어층(130)을 이루는 나노와이어는 투명성과 전도성을 갖는 Zn 나노와이어 또는 Ag 나노와이어일 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다. 이와 같은 나노와이어들은 공지된 방법을 통해서 수득 가능하므로 구체적인 설명은 생략하도록 한다.
나노와이이층(130)의 형성은 제1 투명전도성층(120) 상부에 나노와이어들이 분산된 용액을 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅 등의 용액 공정을 이용하여 분산시킨 후에 건조시킴으로써 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 면상 발열체(100)에서는 제1 투명전도성층(120), 나노와이어층(130) 및 제2 투명전도성층(140)의 복층구조로 형성된 투명 전도성 적층체가 발열체 기능을 수행하는 것을 일 특징으로 한다.
투명전도성층(TCO)만을 발열체로 하여 면상 발열체를 구성하는 경우에는 면상 발열체의 중앙 부분에 대해서는 발열이 일어나지 않는 문제가 있으며, 여기에 전극패턴을 형성하는 경우에도 국부적 과열 현상으로 인해 장시간 구동이 힘들다는 문제가 있다. 또한, 나노와이어만을 발열체로 하여 면상 발열체를 구성하는 경우에도 일정시간이 지나면 나노와이어들 간의 접촉 부위에서 과열 현상이 일어나 전체적으로 단락되어 안정적인 구동이 힘들다는 문제가 있다.
그러나 본 발명의 일 실시예에서와 같이 양 투명전도성층(120,140) 사이에 나노와이어를 분산시켜 나노와이어층(130)을 형성하는 경우에는 전류가 나노와이어층(130)뿐만 아니라 상하부의 투명전도성층(120,140)을 통해서도 흐를 수 있으므로 나노와이어들의 접촉 부위에서의 과열 현상이 일어나지 않을 뿐만 아니라, 나노와이어에 의해 면상 발열체의 전면에서 발열이 고르게 일어나도록 할 수 있는 장점이 있다.
무반사층(150)은 제2 투명전도성층(140) 상에 형성되는 것으로, 면상 발열체(100)의 가시광선 투과도를 향상시키고 장시간 발열 상태를 유지하는 기능을 한다.
무반사층(150)은 굴절율이 다른 복수개의 굴절층이 적층되어 형성될 수 있다. 관련하여 도 3은 도 1의 면상 발열체(100)에서 무반사층(150)을 개략적으로 도시한 단면도이다.
무반사층(150)은 제1 굴절율을 갖는 제1 굴절층(151)과, 제1 굴절층(151)보다 낮은 제2 굴절율을 갖는 제2 굴절층(152)이 교대로 적층하여 형성될 수 있다. 무반사층(150)의 두께는 특정되지 않으며 가시광선 투과율 향상을 위해 상기 제1 굴절층(151) 및 제2 굴절층(152)의 두께가 조정됨으로써 무반사층(150)의 두께가 정해질 수 있다.
제1 굴절층(151)은 TiO2(굴절율 ~2.3), Ta2O5(굴절율 2.1~2.3), FTO(fluorine tin oxide), ITO(indium tin oxide, 굴절율 2.0) 또는 AZO(aluminum doped zinc oxide)로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 제2 굴절층(152)은 SiO2(굴절율 ~1.46), Al2O3(굴절율 1.6~1.9) 또는 SiN(굴절율 1.6)로 형성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
즉, 제1 굴절층(151) 및 제2 굴절층(152)은 구성 물질(산화물)의 굴절율 차이가 존재하면 되고, 제2 굴절층(152)이 제1 굴절층(151)보다 낮은 굴절율을 갖는 물질로 형성되면 충분하다.
무반사층(150)은 홀수의 적층수를 갖도록 형성된다. 도 3a에 도시된 것처럼 두 개의 제1 굴절층(151) 사이에 제2 굴절층(152)이 게재되어 세 개의 층으로 형성되거나, 도 3b에 도시된 것처럼 두 개의 제2 굴절층(152) 사이에 제1 굴절층(151)이 게재되어 세 개의 층으로 형성될 수 있다. 또한, 생산 단가 또는 발열 지속성 등을 고려하여 무반사층(150)의 적층수를 5층, 7층, …, 2n+1층(n=1 이상의 정수)으로 형성할 수 있다.
상기와 같이 형성되는 무반사층(150)은 면상 발열체(100)의 가시광선 투과율을 높이는 기능을 한다. 구체적으로 무반사층(150)에서는 굴절층(151,152)들의 굴절율 차이를 이용하여 가시광선 투과율을 높임으로써 면상 발열체(100)의 투명도를 향상시키게 된다. 따라서 나노와이어층(130)에서 발생 가능한 나노와이어(131, 도2 참조)의 헤이즈(Haze) 발생 문제를 방지 가능하다.
무반사층(150)은 잠열특성을 갖는다. 산화물과 같은 상변화 물질은 고유의 일정한 상변화 온도를 가지고 있으며, 상기 상변화 온도에 도달하게 되면 온도 변화없이 일정한 양의 열을 흡수 내지 방출하게 되는데 이를 잠열특성이라 한다. 무반사층(150)은 상술한 것과 같이 굴절율이 서로 다른 산화물이 적층되어 형성되는 구조를 가지므로, 무반사층(150)은 산화물들에 의해 잠열특성을 가지게 된다. 따라서 면상 발열체(100)의 전원이 차단된 상태에서도 장시간 발열 상태를 유지 가능하므로 에너지 절약 효과를 가질 수 있다.
상술한 무반사층(150)의 형성은 CVD(Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링, 증발법(evaporation), 졸-겔법(sol-gel)등의 증착 공정이나, 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅 등의 용액 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
도 4는 도 1의 면상 발열체(100)에서 굴절율 조정층(115)을 추가하여 도시한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 면상 발열체(100)는 투명기판(110) 및 제1 투명전도성층(120) 사이에 배치되어 굴절율을 조정하는 굴절율 조정층(115)을 더 포함할 수 있다.
굴절율 조정층(115)은 면상 발열체(100)의 전체적인 광학적 투과도를 맞추기 위하여 선택적으로 형성되는 것으로, 투명기판(110)과 제1 투명전도성층(120)과의 굴절율 차이를 상쇄시키는 기능을 한다.
이러한 굴절율 조정층(115)은 유기물, 무기물, 산화물, 유무기 복합물 등의 다양한 물질을 사용하여 형성될 수 있으며, 예를 들면 무반사층(150)을 이루는 물질과 동일 또는 유사한 물질로 형성될 수 있다. 한편, 굴절율 조정층(115)의 형성은 상술한 증착 공정 또는 용액 공정을 이용할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예들은 나노와이어 및 투명전도성층의 복층 구조를 통해 장시간동안 안정적으로 고온 발열 구동이 가능하고, 무반사층을 통해 가시광선 투과도를 향상시킴으로써 나노와이어를 사용하면서도 헤이즈를 낮출 수 있고, 전면에 걸친 균일한 발열이 가능한 효과를 갖는다. 관련하여, 도 5에서는 도 1의 면상 발열체(100)의 발열 실험 결과를 나타내는 이미지로, 도 5를 참조하면 면상 발열체(100)의 중앙부분의 네 부분(Sp1 내지 Sp4)에서 측정한 발열 결과는 42.4℃~42.7℃로 균일한 온도 구배를 보이고 있음을 확인할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
100: 투명 면상 발열체 110: 투명 기판
115: 굴절율 조정층 120: 제1 투명전도성층
130: 나노와이어층 131: 나노와이어
140: 제2 투명전도성층 150: 무반사층
151: 제1 굴절층 152: 제2 굴절층

Claims (7)

  1. 투명기판;
    상기 투명기판 상에 형성되는 제1 투명전도성층;
    상기 제1 투명전도성층 상에 분산되는 나노와이어들을 구비하는 나노와이어층;
    상기 나노와이어층 상에 형성되는 제2 투명전도성층; 및
    상기 제2 투명전도성층 상에 가시광선 투과도 향상을 위해 형성되는 것으로, 잠열특성을 갖는 무반사층을 포함하고,
    상기 제1 투명전도성층 및 제2 투명전도성층은 Zn, Cd, In, Ga, Sn 및 Ti의 산화물, 이들 물질간의 화합물, ITO(Indium Tin Oxide), FTO(fluorine doped tin oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum doped Zinc Oxide), GZO(Gallium doped Zinc Oxide), 그래핀 및 카본나노튜브로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상이고,
    상기 제1 투명전도성층 및 제2 투명전도성층의 두께는 서로 다른 투명 면상 발열체.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 무반사층은 제1 굴절율을 갖는 제1 굴절층과, 상기 제1 굴절율보다 낮은 제2 굴절율을 갖는 제2 굴절층이 교대로 적층하여 형성되는 것으로, 상기 무반사층의 적층수는 홀수인 투명 면상 발열체.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 굴절층은 TiO2, Ta2O5, FTO(fluorine tin oxide), ITO(indium tin oxide) 또는 AZO(aluminum doped zinc oxide)로 형성되고,
    상기 제2 굴절층은 SiO2, Al2O3 또는 SiN으로 형성되는 투명 면상 발열체.
  6. 청구항 1, 청구항 4 및 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명기판 및 제1 투명전도성층 사이에 배치되어 굴절율을 조정하는 굴절율 조정층을 더 포함하는 투명 면상 발열체.
  7. 청구항 1, 청구항 4 및 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 투명전도성층 및 제2 투명전도성층 양단에 각각 형성되는 전극을 더 포함하는 투명 면상 발열체.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101637920B1 (ko) * 2015-01-06 2016-07-08 연세대학교 산학협력단 투명필름히터 및 그의 제조방법
KR101840339B1 (ko) * 2015-12-03 2018-03-20 한국과학기술연구원 분산형 금속 나노점 계면을 갖는 투명 발열막
KR101900695B1 (ko) * 2016-06-23 2018-09-20 부산대학교 산학협력단 하이브리드 투명 면상 발열체 및 이의 제조 방법
CN110149738A (zh) * 2019-04-22 2019-08-20 杭州电子科技大学 一种基于石墨烯/氧化铁复合材料的电热膜及其制备方法
KR20200037547A (ko) 2018-10-01 2020-04-09 한국과학기술연구원 금속나노입자가 전사된 투명 면상 발열필름 및 이의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090109807A (ko) * 2008-04-16 2009-10-21 임기주 발열 판재 및 그 제조방법
JP2010103041A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Konica Minolta Holdings Inc 透明フィルムヒーター、ヒーター機能付きガラス、ヒーター機能付き合わせガラスおよび自動車用窓ガラス
KR20110093735A (ko) * 2010-02-12 2011-08-18 성균관대학교산학협력단 그래핀을 이용한 유연성 투명 발열체 및 이의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090109807A (ko) * 2008-04-16 2009-10-21 임기주 발열 판재 및 그 제조방법
JP2010103041A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Konica Minolta Holdings Inc 透明フィルムヒーター、ヒーター機能付きガラス、ヒーター機能付き合わせガラスおよび自動車用窓ガラス
KR20110093735A (ko) * 2010-02-12 2011-08-18 성균관대학교산학협력단 그래핀을 이용한 유연성 투명 발열체 및 이의 제조 방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101637920B1 (ko) * 2015-01-06 2016-07-08 연세대학교 산학협력단 투명필름히터 및 그의 제조방법
US10237923B2 (en) 2015-01-06 2019-03-19 Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University Transparent film heater and manufacturing method thereof
KR101840339B1 (ko) * 2015-12-03 2018-03-20 한국과학기술연구원 분산형 금속 나노점 계면을 갖는 투명 발열막
KR101900695B1 (ko) * 2016-06-23 2018-09-20 부산대학교 산학협력단 하이브리드 투명 면상 발열체 및 이의 제조 방법
KR20200037547A (ko) 2018-10-01 2020-04-09 한국과학기술연구원 금속나노입자가 전사된 투명 면상 발열필름 및 이의 제조방법
US11083049B2 (en) 2018-10-01 2021-08-03 Korea Institute Of Science And Technology Transparent planar heating film including transferred metal nanoparticles
CN110149738A (zh) * 2019-04-22 2019-08-20 杭州电子科技大学 一种基于石墨烯/氧化铁复合材料的电热膜及其制备方法

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