JPH08325711A - Transparent conductive metal oxide-coated film and its production - Google Patents
Transparent conductive metal oxide-coated film and its productionInfo
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- JPH08325711A JPH08325711A JP12788795A JP12788795A JPH08325711A JP H08325711 A JPH08325711 A JP H08325711A JP 12788795 A JP12788795 A JP 12788795A JP 12788795 A JP12788795 A JP 12788795A JP H08325711 A JPH08325711 A JP H08325711A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、タッチパネルや太陽電
池等の分野で利用されている、可視領域において透明で
あり、かつ電子導電性を示す金属酸化物被覆フィルムお
よびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a metal oxide coating film which is used in the fields of touch panels, solar cells and the like, is transparent in the visible region and shows electronic conductivity, and a method for producing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、タッチパネル、太陽電池等に
は、可視領域において高い光線透過率を有し、かつ低面
抵抗値を有する透明導電性膜を設けた基材が用いられて
いる。2. Description of the Related Art Conventionally, a base material provided with a transparent conductive film having a high light transmittance in the visible region and a low surface resistance value is used for a touch panel, a solar cell and the like.
【０００３】この様な透明導電性膜の形成に用いる透明
導電性膜形成材料としては、酸化インジウム−酸化錫
系、酸化亜鉛−酸化アルミニウム系等の金属酸化物が挙
げられ、また、透明導電性金属酸化物膜を成膜する方法
としては、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、ＣＶＤ法等の真空成膜法が知られている。Examples of the transparent conductive film forming material used for forming such a transparent conductive film include metal oxides such as indium oxide-tin oxide type and zinc oxide-aluminum oxide type. As a method for forming a metal oxide film, a vacuum film forming method such as a sputtering method, an ion plating method or a CVD method is known.
【０００４】ところで、従来の透明導電性酸化物膜で
は、酸素の分布が均一であり、前記透明導電性金属酸化
物膜の膜厚を厚くすると、面抵抗値は低減されるもの
の、可視光領域における光線透過率は低下してしまうと
いう問題点がある。また、前記透明導電性金属酸化物膜
を形成する基材として、高分子フィルム等の耐熱性に優
れていない基材を用いる場合には、低温で成膜する必要
があり、長時間プラズマに曝すことが出来ない。即ち、
所望の膜厚を得るまで、連続して成膜すると、形成され
た、透明導電性金属酸化物被覆フィルムの面抵抗値、可
視光領域の光線透過率、機械的強度等の特性は、悪くな
るという問題点がある。By the way, in the conventional transparent conductive oxide film, the oxygen distribution is uniform, and when the film thickness of the transparent conductive metal oxide film is increased, the surface resistance value is reduced, but in the visible light region. However, there is a problem in that the light transmittance in is reduced. In addition, when a substrate that does not have excellent heat resistance such as a polymer film is used as the substrate for forming the transparent conductive metal oxide film, it is necessary to form the film at a low temperature, and the film is exposed to plasma for a long time. I can't. That is,
If the film is continuously formed until the desired film thickness is obtained, the properties such as the sheet resistance value, the light transmittance in the visible light region and the mechanical strength of the formed transparent conductive metal oxide coating film are deteriorated. There is a problem.
【０００５】そこで、成膜工程を複数回に分け、透明導
電性金属酸化物膜を複数の層から成る構成とすることが
考えられる。しかし、スパッタリング法の場合には、逆
スパッタリング、または、陰イオンによるスパッタリン
グが生じるため、例えば、２層目を成膜する場合には１
層目を構成している酸素が欠けてしまう等といった、所
望の特性が得られないという問題点がある。また、イオ
ンプレーティング法、ＣＶＤ法の場合も、プラズマに曝
すことにより同様の結果となる。Therefore, it is conceivable to divide the film forming step into a plurality of times to form the transparent conductive metal oxide film with a plurality of layers. However, in the case of the sputtering method, reverse sputtering or sputtering by negative ions occurs, so that, for example, when forming the second layer, 1
There is a problem that desired characteristics cannot be obtained, such as lack of oxygen forming the layers. Further, also in the case of the ion plating method and the CVD method, the same result can be obtained by exposing to the plasma.
【０００６】また、透明導電性金属酸化物膜の酸素欠陥
が適度に存在することは、面抵抗値の低減に効果がある
ものの、逆に、酸素が充分に供給された透明導電性金属
酸化物膜の方が、可視光領域における光線透過率が高い
上、大気に曝されるなどの場合の酸化雰囲気における経
時変化が低減できるという問題点がある。Further, although the presence of appropriate oxygen defects in the transparent conductive metal oxide film is effective in reducing the sheet resistance value, on the contrary, the transparent conductive metal oxide in which oxygen is sufficiently supplied is used. There is a problem that the film has a higher light transmittance in the visible light region and can reduce a change with time in an oxidizing atmosphere when exposed to the atmosphere.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な問題点に着目してなされたもので、成膜工程における
劣化を抑え、低面抵抗化と、可視光領域における高光線
透過率とを同時に達成し、さらに特性の経時変化を抑え
るべく充分に考慮された構成を持つ、透明導電性金属酸
化物被覆フィルムおよびその製造方法を提供することを
課題とする。The present invention has been made in view of the above problems, and suppresses deterioration in the film forming process, lowers the surface resistance, and has a high light transmittance in the visible light region. It is an object of the present invention to provide a transparent conductive metal oxide coated film and a method for producing the same, which simultaneously achieves the above, and has a configuration that has been sufficiently considered to suppress changes in properties over time.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
可視光領域において透明であり、かつ、電子導電性を示
す透明導電性金属酸化物を被覆したフィルムにおいて、
フィルム基材上の透明導電性金属酸化物膜の酸素の含有
率が、フィルム基材側から順に高くなっていることを特
徴とする透明導電性金属酸化物被覆フィルムである。According to the first aspect of the present invention,
Transparent in the visible light region, and in a film coated with a transparent conductive metal oxide showing electronic conductivity,
The transparent conductive metal oxide-coated film is characterized in that the oxygen content of the transparent conductive metal oxide film on the film base increases in order from the film base side.
【０００９】請求項２記載の発明は、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の真空成膜法
において、請求項１記載の透明導電性金属酸化物膜を成
膜する際に、成膜時の酸素分圧を順に上昇させることを
特徴とする透明導電性金属酸化物被覆フィルムの製造方
法である。The invention according to claim 2 is a vacuum film forming method such as a sputtering method, an ion plating method, a CVD method, or the like, when the transparent conductive metal oxide film according to claim 1 is formed. The method for producing a transparent conductive metal oxide-coated film is characterized in that the oxygen partial pressure at that time is sequentially increased.
【００１０】請求項３記載の発明は、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の真空成膜法
において、成膜を複数回に分けることにより、透明導電
性金属酸化物膜を多層構造とすると共に、各層を成膜す
るときの酸素分圧を順に上昇させることを特徴とする透
明導電性金属酸化物被覆フィルムの製造方法である。According to a third aspect of the present invention, in a vacuum film forming method such as a sputtering method, an ion plating method and a CVD method, the transparent conductive metal oxide film has a multi-layer structure by dividing the film formation into a plurality of times. In addition, the method for producing a transparent conductive metal oxide-coated film is characterized by sequentially increasing the oxygen partial pressure when forming each layer.
【００１１】請求項４記載の発明は、請求項１記載の発
明を前提とし、金属酸化物が、酸化インジウムとドーパ
ントとして四価以上の金属あるいは半導体を少なくとも
一種含む混合物であることを特徴とする透明導電性金属
酸化物被覆フィルムである。The invention according to claim 4 is based on the invention according to claim 1, characterized in that the metal oxide is a mixture containing at least one metal or semiconductor having a valence of 4 or more as a dopant and indium oxide. It is a transparent conductive metal oxide coating film.
【００１２】請求項５記載の発明は、請求項１記載の発
明を前提とし、金属酸化物が酸化亜鉛とドーパントとし
て三価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一種含む
混合物であることを特徴とする透明導電性金属酸化物被
覆フィルムである。A fifth aspect of the present invention is based on the first aspect of the invention and is characterized in that the metal oxide is a mixture containing zinc oxide and at least one trivalent or higher valent metal or semiconductor as a dopant. It is a conductive metal oxide coated film.
【００１３】請求項６記載の発明は、請求項２記載の発
明を前提とし、金属酸化物が、酸化インジウムとドーパ
ントとして四価以上の金属あるいは半導体を少なくとも
一種含む混合物であることを特徴とする透明導電性金属
酸化物被覆フィルムの製造方法である。The invention according to claim 6 is based on the invention according to claim 2, characterized in that the metal oxide is a mixture containing at least one metal or semiconductor having a valence of 4 or more as a dopant and indium oxide. It is a method for producing a transparent conductive metal oxide-coated film.
【００１４】請求項７記載の発明は、請求項２記載の発
明を前提とし、金属酸化物が、酸化亜鉛とドーパントと
して三価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一種含
む混合物であることを特徴とする透明導電性金属酸化物
被覆フィルム製造方法である。The invention described in claim 7 is based on the invention described in claim 2, and is characterized in that the metal oxide is a mixture containing zinc oxide and at least one trivalent or higher valent metal or semiconductor as a dopant. It is a method for producing a transparent conductive metal oxide coated film.
【００１５】請求項８記載の発明は、請求項３記載の発
明を前提とし、金属酸化物が、酸化インジウムとドーパ
ントとして四価以上の金属あるいは半導体を少なくとも
一種含む混合物であることを特徴とする透明導電性金属
酸化物被覆フィルムの製造方法である。The invention according to claim 8 is based on the invention according to claim 3, characterized in that the metal oxide is a mixture containing at least one metal or semiconductor having a valence of 4 or more as a dopant with indium oxide. It is a method for producing a transparent conductive metal oxide-coated film.
【００１６】請求項９記載の発明は、請求項３記載の発
明を前提とし、金属酸化物が、酸化亜鉛とドーパントと
して三価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一種含
む混合物であることを特徴とする透明導電性金属酸化物
被覆フィルム製造方法である。The invention according to claim 9 is based on the invention according to claim 3, characterized in that the metal oxide is a mixture containing zinc oxide and at least one trivalent or higher valent metal or semiconductor as a dopant. It is a method for producing a transparent conductive metal oxide coated film.
【００１７】以下、本発明を詳述する。The present invention will be described in detail below.
【００１８】本発明にかかわるフィルム基材は、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、
ポリエチレンナフタレート等に代表されるポリエステル
フィルムであるが、その他目的に応じて、いかなる高分
子フィルムであっても特に限定されるものではない。ま
た、前記高分子フィルムの厚さは特に限定されるもので
はなく、用途に応じて適宜選択されるものである。The film substrate according to the present invention includes polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate,
A polyester film represented by polyethylene naphthalate or the like is used, but any polymer film is not particularly limited according to other purposes. The thickness of the polymer film is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the application.
【００１９】本発明にかかわる透明導電性金属酸化物
は、ある一種の金属酸化物であっても良いが、金属酸化
物中の金属とイオンの価数が異なり、かつ、二価以上の
少量の金属あるいは半導体を少なくとも一種ドーパント
として含む混合物であっても良い。これらの金属もしく
は半導体は、金属酸化物に混合することにより、化学量
論組成からのズレを生じ、金属過剰の状態となることに
より、安定な透明導電体を形成できる。The transparent conductive metal oxide according to the present invention may be a kind of metal oxide, but the valences of the metal and the ion in the metal oxide are different, and a small amount of divalent or higher valence is used. It may be a mixture containing at least one metal or semiconductor as a dopant. When these metals or semiconductors are mixed with a metal oxide, a deviation from the stoichiometric composition is caused, and a metal-excessive state results in a stable transparent conductor.
【００２０】前記ドーパントとしての金属もしくは半導
体は、原材料である金属酸化物に酸化物として、１０ｗ
ｔ％以下の割合で含有される。例としては、原材料が酸
化インジウムの場合は、錫（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）、
およびジルコニウム（Ｚｒ）等の四価以上の金属あるい
は半導体が挙げられる。また、原材料が酸化亜鉛の場合
は、アルミニウム（Ａｌ）、ホウ素（Ｂ）、スカンジウ
ム（Ｓｃ）、ガリウム（Ｇａ）、ケイ素（Ｓｉ）、イッ
トリウム（Ｙ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム
（Ｉｎ）、およびタリウム（Ｔｌ）等の三価以上の金属
あるいは半導体が挙げられる。The metal or semiconductor as the dopant is added to the raw material metal oxide as an oxide in an amount of 10 w.
It is contained at a ratio of t% or less. For example, when the raw material is indium oxide, tin (Sn), titanium (Ti),
And tetravalent or higher metal or semiconductor such as zirconium (Zr). When the raw material is zinc oxide, aluminum (Al), boron (B), scandium (Sc), gallium (Ga), silicon (Si), yttrium (Y), ytterbium (Yb), indium (In), And trivalent or higher-valent metals such as thallium (Tl) or semiconductors.
【００２１】本発明にかかわる透明導電性金属酸化物膜
の成膜方法は、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法、ＣＶＤ法等いかなる方法でもよく、適宜選択され
るものである。また、スパッタリング法においては、マ
グネトロンスパッタリング法であっても、プラズマを発
生させる方法が直流であっても、交流であってもよい。The method for forming the transparent conductive metal oxide film according to the present invention may be any method such as a sputtering method, an ion plating method and a CVD method, and is appropriately selected. Further, in the sputtering method, the magnetron sputtering method or the method of generating plasma may be direct current or alternating current.
【００２２】本発明にかかわる透明導電性金属酸化物被
覆フィルムの構成例を、図１と図２に示す。Examples of the constitution of the transparent conductive metal oxide coating film according to the present invention are shown in FIGS.
【００２３】図１は、透明導電性金属酸化物被覆フィル
ムの構成例１であり、１はフィルム基材、２１は透明導
電性金属酸化物膜である。前記透明導電性金属酸化物膜
の酸素含有率は、基材側から順に高くなっている。酸素
含有率の上昇の割合は特に限定されるものではなく、用
途に応じて適宜選択される。可視領域における光線透過
率は、酸素含有率が高くなるに従い、即ち、基材側から
外側へいくに従い高くなる傾向を示す。ここで、外側と
は、前記透明導電性金属酸化物膜の、基材側とは反対
側、つまり空気と接している部分をいう。また、面抵抗
値は、酸素含有率が高くなるに従い、即ち、基材側から
外側へいくに従い、高くなる傾向にある。FIG. 1 is a structural example 1 of a transparent conductive metal oxide coating film, 1 is a film substrate, and 21 is a transparent conductive metal oxide film. The oxygen content of the transparent conductive metal oxide film increases in order from the base material side. The rate of increase in the oxygen content is not particularly limited and is appropriately selected depending on the application. The light transmittance in the visible region tends to increase as the oxygen content increases, that is, from the substrate side to the outside. Here, the outer side means a portion of the transparent conductive metal oxide film opposite to the base material side, that is, a portion in contact with air. Further, the sheet resistance value tends to increase as the oxygen content increases, that is, as the oxygen content increases from the substrate side to the outside.
【００２４】図２は、透明導電性金属酸化物被覆フィル
ムの構成例２であり、２はフィルム基材、２１〜２ｎは
透明導電性金属酸化物膜である。前記透明導電性金属酸
化物膜はｎ層から成り、各層の酸素含有率が２１から２
ｎへいくに従い高くなっている。層数ｎは、２以上であ
れば特に限定されるものではなく、用途に応じて適宜選
択される。更に、各層の膜厚は、それぞれ同じであって
も、また、異なっていても構わない。各層ごとの可視領
域における光線透過率は、酸素含有率が高くなるに従
い、即ち、２１層から２ｎ層へいくに従い高くなる傾向
を示す。また、各層ごとの面抵抗値は、適度に酸素含有
率が低い層から、酸素含有率が高くなるに従い、即ち、
２１層から２ｎ層へいくに従い、高くなる傾向にある。FIG. 2 is a structural example 2 of the transparent conductive metal oxide coating film, 2 is a film substrate, and 21 to 2n are transparent conductive metal oxide films. The transparent conductive metal oxide film is composed of n layers and has an oxygen content of 21 to 2 in each layer.
It gets higher as you go to n. The number n of layers is not particularly limited as long as it is 2 or more, and is appropriately selected according to the application. Furthermore, the film thickness of each layer may be the same or different. The light transmittance of each layer in the visible region tends to increase as the oxygen content increases, that is, from the 21st layer to the 2nth layer. Further, the sheet resistance value for each layer is, as the oxygen content becomes higher, from a layer having an appropriately low oxygen content, that is,
It tends to increase as the number of layers increases from the 21st layer to the 2nth layer.
【００２５】前記透明導電性金属酸化物被覆フィルムの
構成において、フィルム基材側の層から順に酸素の含有
率が高くなっているということは、必ずしも絶対に順番
に酸素含有率が高くなっていることに限らず、ある程度
不規則性があっても、フィルム基材側から酸素含有率が
高くなっている傾向があればよい。更に言えば、最低限
最も外側（多層構成の場合はｎ層目）の酸素含有率より
酸素含有率が低い部分が、最も外側の部分（多層構成の
場合はｎ層目）以外に存在すればよい。In the constitution of the transparent conductive metal oxide-coated film, the fact that the oxygen content increases in order from the layer on the film substrate side means that the oxygen content does not necessarily increase in order. Not limited to this, even if there is some irregularity, it is sufficient if the oxygen content tends to increase from the film substrate side. Further, if there is at least an outermost portion (n-th layer in the case of a multi-layer structure) having a lower oxygen content than the outermost portion (n-th layer in the case of a multi-layer structure). Good.
【００２６】[0026]
【作用】本発明の作用は、フィルム基材上の透明導電性
金属酸化物膜の酸素含有率が、フィルム基材側から順に
高くなっていることにより、従来の方法によって得られ
る同膜厚の透明導電性金属酸化物膜の比較し、可視光領
域における光線透過率が、大きく向上することができ、
また、面抵抗値もそん色ない。合わせて、前記透明導電
性金属酸化物膜は大気と接する外側部分に酸素を充分に
含有させているため、大気に曝すこと等による経時変化
（劣化）も防ぐことが出来る。また、成膜時には成膜す
るごとに、酸素分圧を上昇させていくこと等をするた
め、成膜中において〔０００５〕に記載した理由によっ
て生じる、酸素が欠けるなどといった劣化をも防ぐこと
が出来る。The function of the present invention is that the transparent conductive metal oxide film on the film substrate has a higher oxygen content in order from the film substrate side. Compared with transparent conductive metal oxide film, the light transmittance in the visible light region can be greatly improved,
Also, the sheet resistance value is not bad. In addition, since the transparent conductive metal oxide film contains sufficient oxygen in the outer portion in contact with the atmosphere, it is possible to prevent a change (deterioration) with time due to exposure to the atmosphere. In addition, since the oxygen partial pressure is increased each time a film is formed during film formation, it is possible to prevent deterioration such as lack of oxygen caused by the reason described in [0005] during film formation. I can.
【００２７】[0027]
〈実施例１〉厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレー
トを基材として、マグネトロンスパッタリング法によ
り、酸化インジウム−酸化錫系膜を４層構成として成膜
し、４層の合計の膜厚は７０ｎｍとした。成膜時にはＯ
2 流量を１層目から順に、１．０，１．２，１．５，
２．０ｓｃｃｍとし、各層の酸素含有率を調整した。酸
素の含有率は、１層目から順に高い構成となっている。
図３に、構成図を示した。表１には、面抵抗値、５５０
ｎｍの光線に対する透過率、および抵抗の劣化度とし
て、成膜直後の面抵抗値と１０日後の面抵抗値の比を示
した。透過率が高く、劣化度の小さい結果を得ることが
出来た。<Example 1> Using a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 µm as a base material, an indium oxide-tin oxide based film was formed into a four-layer structure by a magnetron sputtering method, and the total film thickness of the four layers was set to 70 nm. O during film formation
2 Flow rate is 1.0, 1.2, 1.5, in order from the first layer
The oxygen content of each layer was adjusted to 2.0 sccm. The oxygen content is configured to increase from the first layer.
FIG. 3 shows a configuration diagram. Table 1 shows the sheet resistance value, 550.
The ratio of the sheet resistance value immediately after film formation and the sheet resistance value after 10 days was shown as the transmittance for the light of nm and the degree of resistance deterioration. It was possible to obtain the result of high transmittance and small deterioration degree.
【００２８】〈実施例２〉厚さ５０μｍのポリエチレン
テレフタレートを基材として、イオンプレーティング法
により、酸化亜鉛−酸化アルミニウム系膜を２層構成と
して成膜し、２層の合計の膜厚は６０ｎｍとした。成膜
時にはＯ2 流量を１層目では２００ｓｃｃｍ、２層目で
は２５０ｓｃｃｍとし、各層の酸素含有率を調整した。
酸素の含有率は、第１層よりも第２層目が高い構成とし
た。図４に構成図を示した。表１に、面抵抗値、５５０
ｎｍの光線に対する透過率、および抵抗の劣化度とし
て、成膜直後の面抵抗値と１０日後の面抵抗値の比を示
した。Example 2 Using a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm as a base material, a zinc oxide-aluminum oxide based film was formed into a two-layer structure by an ion plating method, and the total thickness of the two layers was 60 nm. And During film formation, the O 2 flow rate was set to 200 sccm for the first layer and 250 sccm for the second layer to adjust the oxygen content of each layer.
The oxygen content of the second layer was higher than that of the first layer. The block diagram is shown in FIG. Table 1 shows the sheet resistance value, 550
The ratio of the sheet resistance value immediately after film formation and the sheet resistance value after 10 days was shown as the transmittance for the light of nm and the degree of resistance deterioration.
【００２９】＜比較例１＞厚さ５０μｍのポリエチレン
テレフタレートを基材として、マグネトロンスパッタリ
ング法により、酸化インジウム−酸化錫系膜を４層構成
とし成膜し、４層の合計の膜厚は７０ｎｍとした。成膜
時にはＯ2 流量を、１．０ｓｃｃｍに固定し、各層とも
同条件で成膜した。表１に、面抵抗値、５５０ｎｍの光
線に対する透過率、および抵抗の劣化度として、成膜直
後の面抵抗値と１０日後の面抵抗値の比を示した。実施
例１の結果と比較すると、透過率が低く、劣化度が大き
い結果となった。<Comparative Example 1> Using a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm as a base material, a magnetron sputtering method was used to form an indium oxide-tin oxide based film having a four-layer structure, and the total film thickness of the four layers was 70 nm. did. At the time of film formation, the O 2 flow rate was fixed at 1.0 sccm, and each layer was formed under the same conditions. Table 1 shows the ratio of the sheet resistance immediately after film formation and the sheet resistance after 10 days as the sheet resistance, the transmittance with respect to a light of 550 nm, and the degree of resistance deterioration. Compared with the results of Example 1, the transmittance was low and the degree of deterioration was large.
【００３０】〈比較例２〉厚さ５０μｍのポリエチレン
テレフタレートを基材として、イオンプレーティング法
により、酸化亜鉛−酸化アルミニウム系膜を２層構成と
し成膜し、２層の合計の膜厚は６０ｎｍとした。成膜時
にはＯ2 流量を２００ｓｃｃｍに固定し、各層とも同条
件で成膜した。表１に、面抵抗値、５５０ｎｍの光線に
対する透過率、および抵抗の劣化度として、成膜直後の
面抵抗値と１０日後の面抵抗値の比を示した。実施例２
の結果と比較すると、透過率が低く、劣化度が大きい結
果となった。実施例と比較例との結果の比較を表１に示
した。<Comparative Example 2> A zinc oxide-aluminum oxide film was formed into a two-layer structure by ion plating using polyethylene terephthalate having a thickness of 50 μm as a base material, and the total thickness of the two layers was 60 nm. And At the time of film formation, the O 2 flow rate was fixed at 200 sccm, and each layer was formed under the same conditions. Table 1 shows the ratio of the sheet resistance immediately after film formation and the sheet resistance after 10 days as the sheet resistance, the transmittance with respect to a light of 550 nm, and the degree of resistance deterioration. Example 2
Compared with the results of 1., the transmittance was low and the degree of deterioration was large. Table 1 shows a comparison of the results between the example and the comparative example.
【００３１】[0031]
【表１】 [Table 1]
【００３２】[0032]
【発明の効果】本発明によれば、フィルム基材上の透明
導電性金属酸化物膜の酸素含有率がフィルム基材側か
ら、順に高くなっていることにより、比較例で挙げたよ
うな、従来の方法により得られる同膜厚の透明導電性金
属酸化物膜と比較し、可視光領域における光線透過率を
向上でき、また、抵抗値の劣化度も低減することが可能
となる。EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, the oxygen content of the transparent conductive metal oxide film on the film substrate increases in order from the film substrate side. Compared with a transparent conductive metal oxide film of the same thickness obtained by a conventional method, the light transmittance in the visible light region can be improved, and the degree of resistance deterioration can be reduced.
【００３３】[0033]
【図１】本発明の構成例１を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration example 1 of the present invention.
【図２】本発明の構成例２を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a second configuration example of the present invention.
【図３】本発明の実施例１を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施例２を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a second embodiment of the present invention.
１…フィルム基材 １１…透明導電性金属酸化物膜 ２…フィルム基材 ２１〜２ｎ…透明導電性金属酸化物
膜 ３…フィルム基材 ３１〜３４…透明導電性金属酸化物
膜 ４…フィルム基材 ４１・４２…透明導電性金属酸化物
膜DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Film base material 11 ... Transparent conductive metal oxide film 2 ... Film base material 21-2n ... Transparent conductive metal oxide film 3 ... Film base material 31-34 ... Transparent conductive metal oxide film 4 ... Film base Material 41/42 ... Transparent conductive metal oxide film
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Claims (9)
電性を示す透明導電性金属酸化物を被覆したフィルムに
おいて、フィルム基材上の透明導電性金属酸化物中の酸
素含有率が、フィルム基材側から順に高くなっているこ
とを特徴とする透明導電性金属酸化物被覆フィルム。1. A film coated with a transparent conductive metal oxide which is transparent in the visible region and exhibits electronic conductivity, wherein the oxygen content in the transparent conductive metal oxide on the film substrate is a film base. A transparent conductive metal oxide coating film, which is characterized by increasing in order from the material side.
法、ＣＶＤ法等の真空成膜法において、請求項１記載の
透明導電性金属酸化物膜を成膜する際に、成膜時の酸素
分圧を順に上昇させることを特徴とする透明導電性金属
酸化物被覆フィルムの製造方法。2. When forming the transparent conductive metal oxide film according to claim 1 in a vacuum film forming method such as a sputtering method, an ion plating method or a CVD method, the oxygen partial pressure at the time of film formation is controlled. A method for producing a transparent conductive metal oxide-coated film, which comprises increasing the temperature in order.
法、ＣＶＤ法等の真空成膜法において、請求項２記載の
透明導電性金属酸化物被覆フィルムの製造方法で、成膜
を複数回に分けることにより、前記透明導電性金属酸化
物膜を多層構造とすると共に、各層を成膜するときの酸
素分圧を順に上昇させることを特徴とする透明導電性金
属酸化物被覆フィルムの製造方法。3. A vacuum film forming method such as a sputtering method, an ion plating method or a CVD method, wherein the film formation is divided into a plurality of times by the method for producing a transparent conductive metal oxide coated film according to claim 2. A method for producing a transparent conductive metal oxide-coated film, wherein the transparent conductive metal oxide film has a multi-layered structure, and the oxygen partial pressure when forming each layer is sequentially increased.
トとして四価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一
種含む混合物であることを特徴とする請求項１記載の透
明導電性金属酸化物被覆フィルム。4. The transparent conductive metal oxide-coated film according to claim 1, wherein the metal oxide is a mixture containing indium oxide and at least one tetravalent or higher metal or semiconductor as a dopant.
て三価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一種含む
混合物であることを特徴とする請求項１記載の透明導電
性金属酸化物被覆フィルム。5. The transparent conductive metal oxide-coated film according to claim 1, wherein the metal oxide is a mixture containing zinc oxide and at least one trivalent or higher valent metal or semiconductor as a dopant.
トとして四価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一
種含む混合物であることを特徴とする請求項２記載の透
明導電性金属酸化物被覆フィルムの製造方法。6. The method for producing a transparent conductive metal oxide-coated film according to claim 2, wherein the metal oxide is a mixture containing indium oxide and at least one tetravalent or higher metal or semiconductor as a dopant. .
て三価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一種含む
混合物であることを特徴とする請求項２記載の透明導電
性金属酸化物被覆フィルムの製造方法。7. The method for producing a transparent conductive metal oxide-coated film according to claim 2, wherein the metal oxide is a mixture containing zinc oxide and at least one trivalent or higher valent metal or semiconductor as a dopant. .
トとして四価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一
種含む混合物であることを特徴とする請求項３記載の透
明導電性金属酸化物被覆フィルムの製造方法。8. The method for producing a transparent conductive metal oxide-coated film according to claim 3, wherein the metal oxide is a mixture containing indium oxide and at least one tetravalent or higher metal or semiconductor as a dopant. .
て三価以上の金属あるいは半導体を少なくとも一種含む
混合物であることを特徴とする請求項３記載の透明導電
性金属酸化物被覆フィルムの製造方法。9. The method for producing a transparent conductive metal oxide coated film according to claim 3, wherein the metal oxide is a mixture containing zinc oxide and at least one trivalent or higher valent metal or semiconductor as a dopant. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12788795A JPH08325711A (en) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | Transparent conductive metal oxide-coated film and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12788795A JPH08325711A (en) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | Transparent conductive metal oxide-coated film and its production |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08325711A true JPH08325711A (en) | 1996-12-10 |
Family
ID=14971122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12788795A Pending JPH08325711A (en) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | Transparent conductive metal oxide-coated film and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08325711A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
| JP2007113110A (en) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Asahi Kasei Chemicals Corp | Zinc oxide transparent conductive multilayer body and method for producing the same |
| JP2007113109A (en) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Asahi Kasei Chemicals Corp | Zinc oxide transparent conductive multilayer body by ion-plating process and method for producing the same |
| KR100913553B1 (en) * | 2007-06-22 | 2009-08-21 | 한국산업기술대학교산학협력단 | Transparent Conductive Substrate with Ceramic Interlayer between Polymer and Transparent Conductive Film |
| KR100982129B1 (en) * | 2007-02-26 | 2010-09-14 | 주식회사 엘지화학 | Zinc oxide-based thin film and method for preparing the same |
| US8303856B2 (en) | 2007-02-26 | 2012-11-06 | Lg Chem, Ltd. | Conductive laminated body and method for preparing the same |
-
1995
- 1995-05-26 JP JP12788795A patent/JPH08325711A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
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