KR100982129B1 - Zinc oxide-based thin film and method for preparing the same - Google Patents
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Abstract
기판; 과 제 1 XRD피크를 갖는 산화아연계 박막(ZnO:M) 사이에, M'2O3 를 포함하는 중간층(interlayer)을 구비하여, 상기 제 1 XRD피크보다 +0.05°~ +0.5°만큼 이동된 제 2 XRD 피크를 갖도록 조절된 것이 특징인 산화아연계 박막 및 그 제조방법을 제공한다. (이 때, 상기 M은 ZnO에 포함되는 도판트이며, M 및 M'는 13족 원소 및 +3의 산화수를 갖는 전이금속으로 구성된 군에서 선택된 원소이고, 상기 제 1 XRD피크 및 제 2 XRD 피크는 CuKα(λ=0.154nm) radiation에 의한 2θ= 34°±0.5°사이에 위치하는 산화아연(ZnO)의 (002)피크이다.) Board; An interlayer comprising M ′ 2 O 3 between ZnO: M and ZnO: M having a first XRD peak, and moving by + 0.05 ° to + 0.5 ° from the first XRD peak. A zinc oxide-based thin film and a method of manufacturing the same are characterized by being adjusted to have a second XRD peak. (The M is a dopant included in ZnO, M and M 'is an element selected from the group consisting of a Group 13 element and a transition metal having an oxidation number of +3, wherein the first XRD peak and the second XRD peak) Is the (002) peak of zinc oxide (ZnO) located between 2θ = 34 ° ± 0.5 ° by CuKα (λ = 0.154 nm) radiation.)
본 발명은 산화아연계 박막에 있어서, 기판과 산화아연층 사이에 +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물 박막을 중간층으로 구비함으로써, 전자 이동도의 저하없이 전자 농도를 증가시키는 효과를 가져올 수 있으며, 스퍼터링시 고에너지 입자에 의해 발생할 수 있는 결함(defect)를 감소시켜, 투명 도전성 박막의 전기적 특성, 특히 비저항 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 금속산화물 중간층에 의해 스퍼터링 증착시 박막 면의 중앙과 주변 간에 생기는 전기적 특성의 불균일 문제도 최소화할 수 있다. In the zinc oxide thin film, by providing an intermediate layer of an oxide thin film of a metal having a + trivalent oxidation number between a substrate and a zinc oxide layer, the effect of increasing the electron concentration without lowering electron mobility can be obtained. By reducing defects that may be caused by high energy particles during sputtering, it is possible to improve the electrical properties of the transparent conductive thin film, in particular, the resistivity properties. In addition, the non-uniformity problem of electrical characteristics generated between the center and the periphery of the thin film surface during the sputter deposition by the metal oxide intermediate layer can be minimized.
투명 도전막, 산화아연, 금속산화물, 중간층, 스퍼터링 Transparent conductive film, zinc oxide, metal oxide, intermediate layer, sputtering
Description
도 1은 실시예 1에 따라 제조된 투명 도전막의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a transparent conductive film prepared according to Example 1. FIG.
도 2는 실시예 1과 비교예 1에서 제조된 투명 도전막의 전기적 특성에 대한 결과이다. 2 is a result of the electrical properties of the transparent conductive film prepared in Example 1 and Comparative Example 1.
도 3은 실시예 1과 비교예 1에서 제조된 투명 도전막의 전기적 특성을 도전막 면 상의 위치별로 측정한 결과이다.3 is a result of measuring the electrical properties of the transparent conductive films prepared in Example 1 and Comparative Example 1 for each position on the surface of the conductive film.
도 4는 실시예 2, 3, 및 비교예 2에서 제조된 투명 도전막의 XRD 분석 결과이다.4 shows XRD analysis results of transparent conductive films prepared in Examples 2, 3, and Comparative Example 2. FIG.
<도면 부호에 대한 설명><Description of Drawing>
1 : 기판 2 : 금속 산화물 중간층 3 : 산화 아연계 박막
본 발명은 향상된 비저항 특성을 가지며, 면 전체에 걸쳐 균일한 물성을 갖는 산화아연계 박막에 관한 것이다. The present invention relates to a zinc oxide thin film having improved resistivity and having uniform physical properties over the entire surface.
투명전극은 각종 디스플레이의 전극, 태양전지 등의 광전 변환 소자 및 터치 패널 등에 다양하게 사용되고 있으며, 유리, 투명필름 등의 투명 기판 위에 투명 도전성 박막을 형성하여 제조된다. 현재 주로 사용되고 있는 투명 도전성 재료는 주석(Sn)이 도핑된 인듐산화물(ITO, Indium tin oxide)로서, 투명도가 우수하고 낮은 비저항 (1×10-4 ~ 2×10-4 Ω㎝)을 갖는 것으로 알려져 있다.Transparent electrodes are used in various types of electrodes of various displays, photoelectric conversion elements such as solar cells, touch panels, and the like, and are manufactured by forming transparent conductive thin films on transparent substrates such as glass and transparent films. Currently, the transparent conductive material mainly used is indium tin oxide (ITO) doped with tin, and has excellent transparency and low specific resistance (1 × 10 −4 to 2 × 10 −4 Ωcm). Known.
투명 도전성 박막을 제조하는 방법은 스퍼터링(sputtering), 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD), 이온빔 증착(ion beam deposition), 펄스레이저 증착(pulsed laser deposition) 등의 진공 증착 방법과 스프레이 코팅(spray coating), 스핀 코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating)과 같은 습식방법 등의 다양한 방법이 있다. 이러한 방법들 중 스퍼터링과 같은 진공 증착 방식이 좀 더 선호되고 있으며, 진공 증착 방식은 플라즈마를 이용하기 때문에 높은 입자 에너지를 가진 막을 성장시킬 수 있어, 다른 방식보다 높은 밀도를 가지는 양질의 막을 얻을 수 있다. 또한, 추가적인 열처리 없이 낮은 온도에서도 양질의 박막을 성장시킬 수 있다는 장점도 있다. The method of manufacturing a transparent conductive thin film includes vacuum deposition methods such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD), ion beam deposition, and pulsed laser deposition, and spray coating. There are various methods, such as coating, spin coating, and wet methods such as dip coating. Among these methods, a vacuum deposition method such as sputtering is more preferred, and since the vacuum deposition method uses plasma, it is possible to grow a film having high particle energy, thereby obtaining a high quality film having a higher density than other methods. . In addition, there is an advantage that the thin film of good quality can be grown at low temperature without additional heat treatment.
최근, 평면 디스플레이 시장이 커지면서 ITO에 대한 수요가 급속하게 증가하고 있지만, 인듐의 높은 가격으로 인한 수급 불안정 및 인체에의 유해성 때문에, ITO를 대체할 수 있는 저가의 투명 도전성 재료의 개발이 요구되는 실정이다.Recently, the demand for ITO is increasing rapidly as the flat display market grows. However, due to supply and demand instability due to high price of indium and harmfulness to human body, development of low-cost transparent conductive material that can replace ITO is required. to be.
그러한 대체물로서는 산화주석(SnO2) 및 산화아연(ZnO) 등이 고려되고 있다. 이와 관련하여, 산화아연에 알루미늄(Al)을 도핑하여 낮은 비저항(2×10-4 ~ 3×10-4 Ω㎝)을 가지는 도전성 박막을 제조하려는 시도 등이 있었다. 산화아연(ZnO)의 경 우 넓은 밴드갭(~3.3ev)을 가지는 반도체 물질로서, 도핑을 통해 우수한 투과도(85% 이상)와 낮은 비저항을 가질 수 있다는 것이 알려졌으며, 도핑된 산화아연의 경우 비교적 저가이고, 인체에 무해한 재료이므로, ITO를 대체할 수 있는 재료로서 큰 관심을 받고 있다. 현재로서는 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 규소(Si) 및/또는 인듐(In)이 첨가된 산화아연(ZnO)을 재료로 한 투명전극용 재료에 대해 주로 연구가 집중되고 있으나, 전기전도성 측면에서는 아직 ITO에 미치지 못하기 때문에, 이를 해결해야 하는 문제점이 있다. Such substitutes include tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), and the like. In this regard, attempts have been made to produce a conductive thin film having a low specific resistance (2 × 10 −4 to 3 × 10 −4 Ωcm) by doping aluminum (Al) to zinc oxide. It is known that zinc oxide (ZnO) is a semiconductor material having a wide bandgap (~ 3.3ev), and can have excellent transmittance (more than 85%) and low resistivity through doping. Since it is a low cost and harmless material, it is receiving great attention as a material which can replace ITO. Currently, research is mainly focused on materials for transparent electrodes made of zinc oxide (ZnO) containing aluminum (Al), gallium (Ga), silicon (Si) and / or indium (In). There is a problem that needs to be solved because it does not reach ITO yet.
일반적으로, 일정한 두께의 투명 도전막의 비저항은 전자의 농도와 이동도에 반비례하는 관계(ρ = 1/(eμN), e : 전기전하, μ : 이동도, N : 전자 농도)를 갖기 때문에 투명전극의 비저항(ρ)을 감소시키기 위해서는 전자 농도를 증가시키거나 이동도를 증가시켜야 한다. 일반적으로 손쉽게 전자 농도를 증가시키는 방법으로는 스퍼터링 타겟에 첨가되어 있는 도판트(dopant)의 양을 증가시키는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 전자 농도가 일정 농도 이상(N > 1×1020cm-3)이 되면 전자와 산란중심(scattering center)인 도판트와의 충돌에 의해서 이동도는 감소하게 된다(N < 1×1020cm-3 인 경우는 결정립 경계(grain boundary)에서의 산란(scattering)에 의해 좌우되는 것으로 알려져 있다). 즉 스퍼터링 타겟에 첨가되어 있는 도판트(dopant)의 양을 증가시켜서 얻어지는 전자 농도의 증가는 이동도의 감소를 수반하게 되고, 그 결과 비저항은 거의 그대로 유지되거나 오히려 증가하게 된다. 이러한 전자 농도와 이동도의 관계는 여러 연구진에 의해서 실험적으로 밝혀져 있다. 따라서, 기존의 방법으로는 투명 도전막의 전기적 특성을 향상시키는 데에 한계가 있다. In general, the specific resistance of a transparent conductive film having a constant thickness is inversely proportional to electron concentration and mobility (ρ = 1 / (eμN), e: electric charge, μ: mobility, N: electron concentration), so that the transparent electrode In order to reduce the specific resistivity of ρ, the electron concentration must be increased or the mobility must be increased. In general, as a method of easily increasing the electron concentration, it is conceivable to increase the amount of dopant added to the sputtering target. However, if the electron concentration is above a certain concentration (N> 1 × 10 20 cm -3 ), the mobility decreases due to the collision between the electron and the dopant, the scattering center (N <1 × 10 20). The cm −3 case is known to depend on scattering at grain boundaries). That is, an increase in the electron concentration obtained by increasing the amount of dopant added to the sputtering target entails a decrease in mobility, and as a result, the specific resistance is maintained as it is or rather increased. The relationship between electron concentration and mobility has been experimentally demonstrated by several researchers. Therefore, there is a limit in improving the electrical characteristics of a transparent conductive film by the existing method.
본 발명자들은 산화아연계 박막을 제조함에 있어서, 기판과 산화아연 박막 사이에 +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물로 된 중간층(interlayer)을 구비함으로써 전자 이동도의 저하 없이 전자 농도를 증가시키는 효과를 얻을 수 있으며, 스퍼터링시 고에너지 입자에 의해 발생하는 결함(defect)을 제거할 수 있다는 사실을 인식하였다. 또한 상기 금속산화물 중간층에 의해 박막 면 상의 전기적 특성 분포를 균일하게 할 수 있다는 것도 밝혀 내었다. The inventors of the present invention have the effect of increasing the electron concentration without lowering the electron mobility by providing an interlayer of an oxide of a metal having a + trivalent oxidation number between the substrate and the zinc oxide thin film. It was recognized that the defects caused by the high energy particles in sputtering can be eliminated. It has also been found that the distribution of electrical properties on the thin film surface can be made uniform by the metal oxide intermediate layer.
이에 본 발명은 기판; +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물을 포함하는 중간층; 및 산화아연계 박막 층을 구비하는 산화아연계 박막 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention thus; An intermediate layer comprising an oxide of a metal having a + trivalent oxidation number; And a zinc oxide thin film having a zinc oxide thin film layer and a method of manufacturing the same.
본 발명은 기판; 과 제 1 XRD피크를 갖는 산화아연계 박막(ZnO:M) 사이에, M'2O3 를 포함하는 중간층(interlayer)을 구비하여, 상기 제 1 XRD피크보다 +0.05°~ +0.5°만큼 이동된 제 2 XRD 피크를 갖도록 조절된 것이 특징인 산화아연계 박막을 제공한다. The present invention is a substrate; An interlayer comprising M ′ 2 O 3 between ZnO: M and ZnO: M having a first XRD peak, and moving by + 0.05 ° to + 0.5 ° from the first XRD peak. It provides a zinc oxide-based thin film characterized in that it is adjusted to have a second XRD peak.
(이 때, 상기 M은 ZnO에 포함되는 도판트이며, M 및 M'는 13족 원소 및 +3의 산화수를 갖는 전이금속으로 구성된 군에서 선택된 원소이고, 상기 제 1 XRD피크 및 제 2 XRD 피크는 CuKα(λ=0.154nm) radiation에 의한 2θ= 34°± 0.5°사이에 위치하는 산화아연(ZnO)의 (002)피크이다.) (The M is a dopant included in ZnO, M and M 'is an element selected from the group consisting of a Group 13 element and a transition metal having an oxidation number of +3, wherein the first XRD peak and the second XRD peak) Is the (002) peak of zinc oxide (ZnO) located between 2θ = 34 ° ± 0.5 ° due to CuKα (λ = 0.154nm) radiation.)
또한, 본 발명은 a)기판 위에 M'2O3 를 포함하는 중간층을 형성하는 단계; 및 b)상기 중간층 위에 산화아연계 박막(ZnO:M)을 형성하는 단계를 포함하여 제 1 XRD피크보다 +0.05°~ +0.5°만큼 이동된 제 2XRD피크를 갖도록 조절된 것이 특징인 산화아연계 박막의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention comprises the steps of a) forming an intermediate layer comprising M ' 2 O 3 on the substrate; And b) forming a zinc oxide based thin film (ZnO: M) on the intermediate layer, wherein the zinc oxide system is adjusted to have a second XRD peak shifted by + 0.05 ° to + 0.5 ° from the first XRD peak. It provides a method for producing a thin film.
이하 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.
본 발명은 기판과 산화아연계 박막층 사이에 +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물을 포함하는 중간층(interlayer)을 개재(介在)시킴으로써, 산화아연계 박막의 비저항을 감소시킬 수 있고, 또한 박막 면 전체적으로 균일한 물성을 갖도록 하는 것이 특징이다. The present invention can reduce the resistivity of a zinc oxide based thin film by interposing an interlayer containing an oxide of a metal having a + trivalent oxidation number between the substrate and the zinc oxide based thin film layer, and also as a whole of the thin film surface. It is characterized by having uniform physical properties.
전술한 바와 같이 산화아연계 박막의 비저항을 감소시키는 방법의 하나로, 전자 농도를 증가시키기 위해 도판트의 농도를 증가시키는 경우에는 전자 간의 충돌로 인해 이동도가 감소되어, 원하는 비저항 값을 얻지 못하는 문제점이 있었다. 그러나, 본 발명에서와 같이 중간층을 개재시킬 경우에는 스퍼터링시 타겟에 포함되는 도판트의 농도는 그대로 유지한 채 전자 이동도의 감소 없이 전자 농도를 증가시키는 효과를 가져올 수 있다.As described above, one of the methods for reducing the resistivity of a zinc oxide thin film is to increase the concentration of the dopant to increase the concentration of electrons. There was this. However, when interposing the intermediate layer as in the present invention, the concentration of the dopant included in the target during sputtering may be maintained while maintaining the concentration of the dopant without affecting the electron mobility.
상기 전자 농도 증가 효과의 원인에 대해 아직까지 명확히 밝혀져 있지는 않으나, 1)산화물에 포함된 양이온이 확산(diffusion)되어 산화아연 박막 내의 도판 트 농도를 증가시키는 효과를 가져오거나 또는 2)중간층에 의해 산화아연 박막 내의 억셉터(acceptor)로 작용할 수 있는 결함(defect)이 제거됨으로써 전자 농도의 감소 효과가 제거되는 효과에 의한 것으로 생각된다. The cause of the electron concentration increase effect is not yet clear, but 1) the cation contained in the oxide (diffusion) effect to increase the dopant concentration in the zinc oxide thin film or 2) oxidized by the intermediate layer It is thought that the effect of reducing the electron concentration is eliminated by removing a defect which may act as an acceptor in the zinc thin film.
예컨대, 스퍼터링으로 산화아연 박막을 증착시 타겟 물질인 산화아연으로부터 해리된 산소입자(O-)는 타겟의 셀프 바이어스(self-bias)에 의해 높은 에너지를 갖게 되며, 이러한 고 에너지 입자가 투명 도전막에 함께 혼입되어 침입형 결함(interstitial defect)으로 작용하거나, 박막에 충돌하여 결함(defect)를 발생시킬 수 있다. 이러한 산소 침입형 결합(Oi defect)은 산화아연 박막 내에서 억셉터(acceptor)로 작용하여 전자농도 감소의 원인이 될 수 있다. 또한, 이러한 결함이 산란 중심(scattering center)로 작용하여 전자 이동도의 감소를 가져오기도 한다. 따라서, 이러한 결함의 작용에 의해 투명 도전막의 비저항을 증가시키는 결과를 가져온다. For example, when depositing a zinc oxide thin film by sputtering, oxygen particles (O − ) dissociated from zinc oxide, a target material, have high energy by self-biasing of a target, and the high energy particles are transparent conductive films. May be incorporated together to act as interstitial defects, or may collide with the thin film to produce defects. The oxygen invasion bond (Oi defect) may act as an acceptor (acceptor) in the zinc oxide thin film may cause a decrease in the electron concentration. These defects also act as scattering centers, leading to a reduction in electron mobility. Therefore, the action of such a defect results in increasing the specific resistance of the transparent conductive film.
그러나, 본 발명에서와 같이 +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물을 포함하는 중간층을 개재시키는 경우에는 상기와 같은 침입형 산소 결함(interstitial oxygen defect)을 비롯한 결함을 제거하여 막의 비저항을 감소시킬 수 있다. However, in the case of interposing an intermediate layer containing an oxide of a metal having a + trivalent oxidation number as in the present invention, defects including interstitial oxygen defects as described above may be removed to reduce the resistivity of the film. .
이러한 사실은 산화아연계 박막의 XRD분석에 의한 산화아연(002) 피크의 쉬프트(shift)로부터 확인할 수 있다. XRD 분석시 2θ= 34°부근에서 나타나는 산화아연 (002) 피크는 박막 내에 많은 결함이나 스트레스가 존재하는 경우에 비대칭적인 피크 모양을 나타내며, JCPDS(Joint Committee on Poweder Diffraction Standards)상에 알려진 표준 ZnO(002)의 피크 위치보다 낮은 각도에서 나타나는 것으로 알려져 있다. 그러나 본 발명에서와 같이 +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물을 중간층으로 개재시키면 피크의 모양이 대칭적으로 변화하고, 피크의 위치도 높은 각도로 이동하게 된다. 이는 중간층에 의해 투명 도전막 내의 결함이나 스트레스, 특히 침입형 산소 결함(interstitial oxygen defect)이 감소했다는 것을 나타내는 것이다. This fact can be confirmed from the shift of the zinc oxide (002) peak by XRD analysis of the zinc oxide thin film. The zinc oxide (002) peak appearing near 2θ = 34 ° in XRD analysis shows an asymmetric peak shape in the presence of many defects or stresses in the thin film, and is known as the standard ZnO (Joint Committee on Poweder Diffraction Standards). It is known to appear at an angle lower than the peak position of 002). However, when the oxide of the metal having +3 valence oxidation number is interposed in the intermediate layer as in the present invention, the shape of the peak is changed symmetrically, and the position of the peak is also moved at a high angle. This indicates that the intermediate layer reduced defects or stresses in the transparent conductive film, in particular, interstitial oxygen defects.
중간층이 상기의 결함을 감소시키는 원인에 대해서 역시 명확하게 밝혀진 바는 없으나, 1)높은 에너지를 갖는 산소입자(O-)의 작용이 산화물 중간층에 포함된 산소와의 상호작용에 의해 상쇄되어 스퍼터링 초기 단계에서 결함 발생 요인이 제거되거나 또는 2)산화물 중간층이 기판에 걸리는 전기장(electric field)의 변화를 야기하여 높은 에너지를 갖는 산소입자(O-)의 작용을 완화시키는 것으로 생각된다. The reason why the intermediate layer reduces the above defects is also not clear. However, 1) the action of high-energy oxygen particles (O − ) is canceled by the interaction with oxygen contained in the oxide intermediate layer. It is believed that the cause of defects in the step is eliminated, or 2) the oxide intermediate layer causes a change in the electric field across the substrate to mitigate the action of high energy oxygen particles (O − ).
이 때, 상기 XRD 피크의 쉬프트 값은 측정 조건에 따라서 조금씩 달라질 수는 있으나, CuKα(λ=0.15405nm)복사(radiation)에 의할 때 중간층이 없는 경우에 비해서 +0.05°~ +0.5°범위인 경우가 바람직하다. 상기 XRD 피크 쉬프트가 상기 범위보다 작은 경우에는 중간층 개재에 의한 비저항 특성 향상의 효과가 미미하며, 상기 범위보다 큰 경우에는 결정격자의 변형 및/또는 응력 등이 발생하는 경우로 역시 비저항 특성에 좋지 않은 영향을 끼칠 수 있다. At this time, the shift value of the XRD peak may vary slightly depending on the measurement conditions, but it is in the range of + 0.05 ° to + 0.5 ° compared to the case of no intermediate layer when radiated by CuKα (λ = 0.15405 nm) radiation. The case is preferred. If the XRD peak shift is smaller than the above range, the effect of improving the resistivity characteristics by the interlayer is negligible. If the XRD peak shift is smaller than the above range, deformation and / or stress of the crystal lattice are generated, which is not good for the resistivity. May affect
한편, 본 발명은 기판과 산화아연계 박막 사이에 금속산화물 중간층을 개재시킴으로 인하여, 박막의 면 전체에 걸쳐 균일한 전기적 특성을 확보할 수 있다. 종래에는 스퍼터링으로 산화아연 박막 증착시 박막 면의 중앙 부분과 주변 부분 간에 전기적 특성의 차이가 발생하는 문제점이 있었다. 이는 박막 면의 중앙부분에 에너지가 큰 입자들이 충돌하여 그 부분에 여러가지 결함 및 응력을 발생시키게 되어 국부적으로 비저항 등 전기적 특성이 나빠지기 때문이다. 이러한 물성의 불균일성은 투명 도전막을 다양한 분야에 응용하는 데에 있어서 큰 걸림돌로 작용할 수 있다. 상기와 같은 불균일성 문제(특히, 박막의 중앙부분에 국한된)는 타겟과 기판의 크기 비율에 따라 일어나는 문제일 수도 있으며, 증착물질의 특성에 기인한 것일 수도 있다. 즉, 증착물질이 ITO(Indium Zinc Oxide)인 경우에는 타겟 및 기판의 크기에 관계없이 박막 면 전체의 전기적 특성 불균일 문제가 거의 발생하지 않으나, 증착물질이 산화아연인 경우에는 그러한 문제가 좀 더 심각한 형태로 나타날 수 있다. On the other hand, the present invention by interposing the metal oxide intermediate layer between the substrate and the zinc oxide thin film, it is possible to ensure a uniform electrical characteristics over the entire surface of the thin film. Conventionally, when the zinc oxide thin film is deposited by sputtering, there is a problem that a difference in electrical characteristics occurs between the central portion and the peripheral portion of the thin film surface. This is because particles with high energy collide with the central portion of the thin film surface to generate various defects and stresses in the portion, and the electrical characteristics such as local resistivity deteriorate. Such nonuniformity of physical properties may act as a big obstacle in applying the transparent conductive film to various fields. The non-uniformity problem (particularly, limited to the central portion of the thin film) may be a problem that occurs depending on the size ratio of the target and the substrate, or may be due to the characteristics of the deposition material. In other words, if the deposition material is indium zinc oxide (ITO), there is almost no problem of uneven electrical characteristics of the entire thin film surface regardless of the size of the target and the substrate, but if the deposition material is zinc oxide, the problem is more serious. May appear in the form
그러나, 본 발명에서와 같이 +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물을 중간층으로 개재시키는 경우에는 상기의 고(高) 에너지 입자의 충돌에 의한 결함 발생을 산화물 중간층에 의해 감소시켜 줄 수 있기 때문에, 박막 면 전체적으로 균일한 전기적 특성을 갖는 투명 도전막을 제작할 수 있다. However, in the case of interposing an oxide of a metal having +3 valence oxidation number in the intermediate layer as in the present invention, since the occurrence of defects due to the collision of high energy particles can be reduced by the oxide intermediate layer, A transparent conductive film having uniform electrical characteristics on the entire surface can be produced.
따라서, 본 발명의 산화아연계 박막은 상기 +3가의 산화수를 갖는 금속의 산화물 중간층에 의해 산화아연계 박막 내의 2이상의 지점에서 측정한 비저항 간의 편차가 0.01% ~ 60% 범위일 수 있다. Therefore, the zinc oxide thin film of the present invention may have a deviation between the resistivity measured at two or more points in the zinc oxide thin film by the oxide intermediate layer of the metal having the + trivalent oxidation number in a range of 0.01% to 60%.
본 발명에서, 상기 산화아연계 박막은 ZnO:M 과 같은 화학식으로 나타낼 수 있으며, 상기 M은 도판트 원소로서, 13족 원소 또는 +3의 산화수를 갖는 전이금속 일 수 있고, 그 비제한적인 예는 B, Al, Ga, In, Tl, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni등이 있다. In the present invention, the zinc oxide thin film may be represented by a chemical formula such as ZnO: M, wherein M is a dopant element, and may be a transition metal having an oxidation number of Group 13 element or +3, and a non-limiting example. B, Al, Ga, In, Tl, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni and the like.
상기 도판트 원소는 +3가 양이온의 형태로 산화아연(ZnO)에 도핑될 수있으며 이 때, Zn자리를 치환하여 잉여의 전자가 발생하는 n형 도판트로서 작용하므로 산화아연계 투명 도전막의 전자 농도를 증가시킬 수 있다. 다만, 전자의 이동도를 저하시키지 않기 위해서 상기 도판트의 농도는 0.1 wt% ~ 10 wt% 범위인 것이 바람직하다. The dopant element may be doped with zinc oxide (ZnO) in the form of a + trivalent cation. At this time, the electrons of the zinc oxide transparent conductive film are acted as an n-type dopant in which excess electrons are generated by substituting Zn sites. The concentration can be increased. However, in order not to reduce the mobility of the electron, the concentration of the dopant is preferably in the range of 0.1 wt% to 10 wt%.
한편, 본 발명의 중간층 박막은 M'2O3 형태의 산화물을 포함할 수 있으며, 상기 M은 도판트 원소로서, 13족 원소 또는 +3의 산화수를 갖는 전이금속일 수 있고, 그 비제한적인 예로는 주기율표상 13족 원소의 산화물(B2O3, Al2O3, Ga2O3, In2O3, Tl2O3) 또는 전이금속 산화물(Sc2O3, V2O3, Cr2O3, Mn2O3, Fe2O3, Co2O3, Ni2O3 ) 등이 있다. On the other hand, the interlayer thin film of the present invention may include an oxide in the form of M ' 2 O 3 , wherein M is a dopant element, may be a transition metal having a Group 13 element or an oxidation number of +3, the non-limiting Examples include oxides of Group 13 elements on the periodic table (B 2 O 3 , Al 2 O 3 , Ga 2 O 3 , In 2 O 3 , Tl 2 O 3 ) or transition metal oxides (Sc 2 O 3 , V 2 O 3 , Cr 2 O 3 , Mn 2 O 3 , Fe 2 O 3 , Co 2 O 3 , Ni 2 O 3 ), and the like.
상기의 M'2O3 이외의 산화물(예를 들면 SiO2 등)을 중간층 박막으로 사용하는 경우에는 XRD상의 ZnO (002) 피크 쉬프트도 거의 일어나지 않고, 산화아연계 박막의 비저항 감소도 미미하다. (비교예 4 및 도 7참조) When oxides other than M ' 2 O 3 (for example, SiO 2, etc.) are used as the intermediate layer thin film, ZnO (002) peak shift on the XRD hardly occurs, and the decrease in the specific resistance of the zinc oxide thin film is minimal. (See Comparative Example 4 and FIG. 7)
본 발명에서는 상기 중간층에 포함되는 산화물의 양이온 M'와 산화아연계 박막에 포함되는 도판트 원소 M이 서로 동일한 원소 인 것이 바람직하다. 도판트와 산화물의 양이온 원소가 모두 +3가의 산화수를 갖는 경우이기만 하면, 본 발명에서와 같은 XRD 피크 쉬프트 및 비저항 감소 효과가 나타나지만, 도판트와 산화물 양 이온 원소가 동일한 경우에 이러한 효과는 더욱 커지게 된다. (도 5 참조) 또한, 본 발명에서 상기 도판트 M과 중간층에 포함되는 산화물 M'2O3의 조합은 Al과 Al2O3 또는 Ga 와 Ga2O3 인 것이 더욱 바람직하다. 상기와 같이 본 발명에서 M과 M'는 서로 동일한 원소인 것이 바람직하기는 하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, M과 M'가 +3가의 산화수를 갖는 양이온인 한 모두 본 발명의 범위에 속한다. In the present invention, it is preferable that the cation M 'of the oxide included in the intermediate layer and the dopant element M included in the zinc oxide thin film are the same elements. As long as both the cationic elements of the dopant and the oxide have a + trivalent oxidation number, the XRD peak shift and the resistivity reduction effect as in the present invention are obtained, but the effect is greater when the dopant and the oxide cation element are the same. You lose. In addition, in the present invention, the combination of the dopant M and the oxide M ' 2 O 3 included in the intermediate layer is more preferably Al and Al 2 O 3 or Ga and Ga 2 O 3 . As described above, in the present invention, M and M 'are preferably the same elements, but the present invention is not limited thereto. As long as M and M' are cations having a + trivalent oxidation number, all of them are within the scope of the present invention. Belong.
본 발명에 사용되는 기판은 투명성이 있는 기판이면 특별히 제한되지 않으며, 그 비제한적인 예는 유리 기판 또는 플라스틱 기판이 있고, 플라스틱 기판의 비제한적인 예로는 PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene 2,6-naphthalate), PES(polyether sulfone), PEI(polyether imide), PMMA(polymethylmethacrylate), PC(polycarbonate) 등이 있다. The substrate used in the present invention is not particularly limited as long as it is a transparent substrate, and non-limiting examples thereof include a glass substrate or a plastic substrate, and non-limiting examples of the plastic substrate include polyethylene terephthalate (PET) and
본 발명의 산화아연계 박막은 특정한 용도에 한정하지는 않으나, 바람직하게는 투명 도전막으로 사용될 수 있으며, TFT(Thin Film Transistor) 등에도 적용 가능하다. The zinc oxide thin film of the present invention is not limited to a specific use, but may preferably be used as a transparent conductive film, and may also be applied to TFT (Thin Film Transistor).
본 발명의 산화아연계 박막은 다음과 같이 The zinc oxide thin film of the present invention is as follows.
a)기판 위에 M'2O3 를 포함하는 중간층을 형성하는 단계; 및 a) forming an intermediate layer comprising M ' 2 O 3 on the substrate; And
b)상기 중간층 위에 산화아연계 박막(ZnO:M)을 형성하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다. b) a zinc oxide based thin film (ZnO: M) may be formed on the intermediate layer.
본 발명에서 상기 산화 아연계 박막은 PVD(Physical Vapor Deposition)방법, 예컨대 이온 플레이팅(ion-plating), 또는 스퍼터링(sputtering) 등에 의하여 증착 될 수 있고, 상기 중간층은 CVD(Chemical Vapor Deopostion)및 PVD(Physical Vapor Deposition), 예컨대 이베퍼레이션(evaporation), 이온 플레이팅(ion plating), 스퍼터링(sputtering) 등의 방법에 의해 증착될 수 있다. In the present invention, the zinc oxide-based thin film may be deposited by PVD (Physical Vapor Deposition) method, for example, ion-plating, sputtering, etc., and the intermediate layer is CVD (Chemical Vapor Deopostion) and PVD. Physical Vapor Deposition, such as evaporation, ion plating, sputtering, or the like, may be deposited.
바람직하게는 상기 중간층 및 산화아연계 박막은 스퍼터링 방법에 의해 증착될 수 있고, 더욱 바람직하게는 RF 마그네트론 스퍼터링(Radio Frequency Magnetron Sputtering)에 의해 증착될 수 있다. 다만, 본 발명이 상기 방법에 한정되는 것은 아니며, 박막 증착 방법이기만 하면 특별히 제한되지 않는다.Preferably, the intermediate layer and the zinc oxide-based thin film may be deposited by a sputtering method, and more preferably may be deposited by RF magnetron sputtering. However, the present invention is not limited to the above method, and is not particularly limited as long as it is a thin film deposition method.
예컨대, 본 발명의 박막의 제조방법의 일 실시예를 살펴보면, 스퍼터링 챔버 내에 기판과 산화물 타겟을 일정간격으로 서로 대향하여 위치시키고, 아르곤(Ar) 가스를 플라즈마화 시킨 후, 타겟에 걸린 바이어스 전압에 의해 아르곤 플라즈마를 가속시켜 타겟에 충돌시킨다. 아르곤 플라즈마의 충돌에 의해 떨어져 나온 타겟 물질은 기판 위에 증착되어 산화물 박막을 성막(成膜)시킨다. 한편, 동일한 시스템에서 타겟 만을 산화아연으로 교체한 후 동일한 공정을 수행하면, 상기 산화물 중간층이 성막된 기판 상에 산화아연계 박막을 증착시킬 수 있다. 이 때, 박막의 두께는 스퍼터링 시간 등을 조절함으로써 용이하게 조절 가능하다. For example, referring to an embodiment of the method of manufacturing a thin film of the present invention, the substrate and the oxide target are positioned in the sputtering chamber to face each other at a predetermined interval, and after argon (Ar) gas is plasma-formed, the bias voltage applied to the target is applied. This accelerates the argon plasma to collide with the target. The target material released by the collision of the argon plasma is deposited on the substrate to form an oxide thin film. Meanwhile, when the target is replaced with zinc oxide in the same system and the same process is performed, a zinc oxide thin film may be deposited on the substrate on which the oxide intermediate layer is formed. At this time, the thickness of the thin film can be easily adjusted by adjusting the sputtering time or the like.
특히, 본 발명의 방법은 하나의 시스템에서 금속산화물 박막과 산화아연계 투명 도전막을 연속적으로 증착하는 것이 가능하다는 점에서 번거로운 과정 없이 용이하게 박막을 제조할 수 있다는 장점이 있다. 다만, 본 발명의 금속 산화물 박막과 산화아연계 박막이 하나의 시스템 내에서 연속적으로 증착되는 방법에 한정하는 것은 아니며, 각각 독립적으로 증착될 수도 있다. 예컨대, 금속 산화물 박막만 기판 상에 증착시킨 후, 챔버를 옮겨서 다른 챔버에서 산화아연계 박막을 증착할 수도 있다. In particular, the method of the present invention has the advantage that the thin film can be easily produced without a cumbersome process in that it is possible to continuously deposit the metal oxide thin film and the zinc oxide transparent conductive film in one system. However, the metal oxide thin film and the zinc oxide thin film of the present invention are not limited to the method of being continuously deposited in one system, and may be deposited independently. For example, after depositing only a metal oxide thin film on a substrate, the chamber may be moved to deposit a zinc oxide thin film in another chamber.
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 보다 자세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명이 이로써 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. However, the present invention is not limited thereto.
[실시예 1] Al doped ZnO / Al 2 O 3 interlayer / Glass 투명도전막 제조 Example 1 Al doped ZnO / Al 2 O 3 interlayer / Glass Transparent conductive film manufacturing
<중간층(interlayer) 증착>Interlayer Deposition
유리 기판 위에 RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 Al2O3 박막을 증착하였다. 스퍼터링 타겟은 Al2O3 소결체 타겟을 이용하였고, 증착된 Al2O3 박막의 두께는 19nm, 20nm, 32nm 의 세 가지 시편을 준비하였다.An Al 2 O 3 thin film was deposited on the glass substrate using an RF magnetron sputter. As the sputtering target, an Al 2 O 3 sintered compact target was used, and three specimens of 19 nm, 20 nm, and 32 nm of the deposited Al 2 O 3 thin film were prepared.
이외의 스퍼터링 조건은 바이어스 전압(bias voltage) 약 -350V, 챔버 내의 압력 3×10-3 torr, 아르곤(Ar) 가스의 유량 50sccm 이었다.Other sputtering conditions were about -350V of bias voltage, the pressure in a chamber 3x10 <-3> torr, and the flow volume of argon (Ar) gas 50sccm.
<산화아연계 투명도전막 증착><Zinc oxide transparent conductive film deposition>
상기 제작된 Al2O3중간층 위에 RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 ZnO(Al 2wt% 도핑) 박막을 증착하였다. 스퍼터링 타겟은 ZnO(Al 2wt% 도핑) 소결체 타겟을 이용하였고, 증착된 ZnO 박막의 두께는 140nm(±7nm) 였다. 이외에 다른 스퍼터링 조건은 중간층 증착의 경우와 동일하였다. A ZnO (
[실시예 2] Ga doped ZnO / Ga 2 O 3 interlayer / Glass 투명도전막 제조 Example 2 Ga doped ZnO / Ga 2 O 3 interlayer / Glass Transparent conductive film manufacturing
중간층(interlayer)으로 Ga2O3를 증착하였고, ZnO에 Ga이 5.5 wt% 도핑된 것 을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 산화아연계 투명도전막을 제작하였다.Ga 2 O 3 was deposited as an interlayer, and a zinc oxide transparent conductive film was manufactured in the same manner as in Example 1 except that Ga was doped with 5.5 wt% of ZnO.
[실시예 3] Ga doped ZnO/Al 2 O 3 interlayer/Glass 투명도전막 제조 Example 3 Preparation of Ga doped ZnO / Al 2 O 3 Interlayer / Glass Transparent Conductive Film
ZnO에 Ga이 5.5 wt% 도핑된 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 산화아연계 투명도전막을 제작하였다.A zinc oxide transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that Ga was doped with 5.5 wt% of ZnO.
[실시예 4] Al doped ZnO / Ga 2 O 3 interlayer / Glass 투명도전막 제조 Example 4 Al doped ZnO / Ga 2 O 3 interlayer / Glass Transparent conductive film manufacturing
중간층(interlayer)으로 Ga2O3를 증착한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 산화아연계 투명도전막을 제작하였다. A zinc oxide transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that Ga 2 O 3 was deposited as an interlayer.
[비교예 1] Al doped ZnO / Glass 투명도전막 제조 Comparative Example 1 Al doped ZnO / Glass Transparent conductive film manufacturing
중간층을 증착하지 않고, 유리 기판 상에 바로 ZnO(Al 2wt%도핑)를 증착한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 산화아연계 투명도전막을 제작하였다. A zinc oxide transparent conductive film was manufactured in the same manner as in Example 1 except that ZnO (
[비교예 2] Ga doped ZnO/Glass 투명도전막 제조 Comparative Example 2 Ga doped ZnO / Glass transparent conductive film production
중간층을 증착하지 않고, 유리 기판 상에 바로 ZnO(Ga 5.5 wt%도핑)를 증착한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 산화아연계 투명도전막을 제작하였다. A zinc oxide transparent conductive film was manufactured in the same manner as in Example 1 except that ZnO (Ga 5.5 wt% doping) was deposited directly on the glass substrate without depositing an intermediate layer.
[비교예 3] excess Ga doped ZnO / Glass 투명도전막 제조 Comparative Example 3 excess Ga doped ZnO / Glass Transparent conductive film manufacturing
중간층을 증착하지 않고, 유리 기판 상에 바로 ZnO(Ga 3~7wt%도핑)를 증착한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 산화아연계 투명도전막을 제작하였다. A zinc oxide transparent conductive film was manufactured in the same manner as in Example 2, except that ZnO (Ga 3-7 wt% doping) was deposited directly on the glass substrate without depositing the intermediate layer.
[비교예 4] Al doped ZnO / SiO 2 interlayer / Glass 투명도전막 제조 Comparative Example 4 Al doped ZnO / SiO 2 interlayer / Glass Transparent conductive film manufacturing
SiO2를 중간층으로 증착한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 산화아연계 투명도전막을 제작하였다.A zinc oxide transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that SiO 2 was deposited as an intermediate layer.
[실험예 1]Experimental Example 1
상기 실시예 및 비교예에서 제작된 투명도전막에 대해서 Hall 효과 측정에 의해 전자 농도, 이동도, 및 비저항을 측정하였고, 박막의 두께 측정은 ST2000-DLX(케이맥, 한국)에 의해 측정하였으며, CuKα(λ=0.154nm)radiation을 이용하여 X선 회절분석(X-Ray Diffraction analysis, XRD)을 행하였다. For the transparent conductive films prepared in Examples and Comparative Examples, electron concentration, mobility, and specific resistance were measured by Hall effect measurement, and the thickness of the thin film was measured by ST2000-DLX (K Mac, Korea), and CuKα ( X-Ray Diffraction Analysis (XRD) was performed using λ = 0.154 nm) radiation.
도 2는 실시예 1과 비교예 1(산화 알루미늄 박막의 두께 : 0nm)에서 제조된 투명 도전막의 전기적 특성에 대한 결과이다. Al2O3 중간층을 구비한 실시예 1의 경우, 중간층을 구비하지 않은 비교예 1에 비해 전자 농도가 증가하는 반면, 이동도는 감소하지 않고 거의 일정하게 나타남을 알 수 있다. 즉, 동일한 타겟을 이용하여 스퍼터링한 경우에도 Al2O3 중간층을 구비함에 의해 비저항 감소 효과를 얻을 수 있었다. 하지만, Al2O3 중간층의 두께와 투명 도전막의 전기적 특성은 별다른 상관관계가 나타나지 않았다. 2 is a result of the electrical properties of the transparent conductive film prepared in Example 1 and Comparative Example 1 (thickness of the aluminum oxide thin film: 0nm). In Example 1 having an Al 2 O 3 intermediate layer, the electron concentration was increased compared to Comparative Example 1 without the intermediate layer, while the mobility did not decrease and appeared to be almost constant. That is, even when sputtering using the same target, by providing the Al 2 O 3 intermediate layer it was possible to obtain a specific resistance reduction effect. However, there was no correlation between the thickness of the Al 2 O 3 intermediate layer and the electrical properties of the transparent conductive film.
도 3은 실시예 1과 비교예 1에서 제조된 투명 도전막의 전기적 특성을 도전막 면 상의 위치별로 측정한 결과이다. 도 3의 측정위치는 도전막 중앙을 0으로 하고, 상기 0 점을 지나고 도전막을 가로지는 임의의 직선을 그어 상기 0점으로부터 양쪽으로 균등하게 4등분 씩하여 0점으로부터 가까운 순서로 1(-1), 2(-2), 3(-3), 4(-4) 점을 설정하여 그 점에서 전기적 특성을 측정한 것이다. 3 is a result of measuring the electrical properties of the transparent conductive films prepared in Example 1 and Comparative Example 1 for each position on the surface of the conductive film. In the measurement position of FIG. 3, the center of the conductive film is set to 0, and an arbitrary straight line passing through the zero point and intersecting the conductive film is drawn in equal order from the zero point to the two sides equally, and in a close order from the zero point. ), 2 (-2), 3 (-3), and 4 (-4) points are set and electrical characteristics are measured at that point.
우선, 박막 두께의 편차는 산화 알루미늄 중간층 여부에 관계없음을 알수 있다. 그러나, 전기적 특성의 경우는 산화 알루미늄 중간층 여부에 따라 큰 차이를 나타냄을 알 수 있다. 즉, 산화 알루미늄 중간층을 구비하지 않은 비교예 1의 경우에는 중앙 부분(position 0)에서 면저항과 비저항이 급격히 증가하며, 이는 에너지가 큰 입자들의 충돌에 의한 결함 형성 때문인 것으로 생각된다. 하지만 산화 알루미늄 중간층을 구비한 실시예 1의 경우에는 중앙 부분의 면저항과 비저항이 상당히 감소하여 다른 부분의 물성과 거의 유사하게 나타났다. 이는 산화 알루미늄 박막에 의해 에너지가 큰 입자들의 충돌에 의한 결함 형성을 감소시켜준 것이라고 생각된다. First, it can be seen that the variation in the thickness of the thin film is irrelevant whether the aluminum oxide interlayer is present. However, it can be seen that the electrical properties show a great difference depending on whether the aluminum oxide interlayer. That is, in the case of Comparative Example 1 without the aluminum oxide intermediate layer, the sheet resistance and the specific resistance increase rapidly in the center portion (position 0), which is considered to be due to defect formation due to collision of particles with high energy. However, in the case of Example 1 having an aluminum oxide intermediate layer, the sheet resistance and specific resistance of the central portion were significantly reduced, which was almost similar to that of the other portions. This is thought to reduce defect formation by collision of energetic particles by the aluminum oxide thin film.
도 4는 실시예 2, 3, 및 비교예 2에서 제조된 투명 도전막의 XRD 분석 결과이다. 중간층이 없는 비교예 2의 경우, 2θ= 34°부근에서 나타나는 (002) 피크가 비대칭적인 모양을 나타내며, 일반적으로 알려진 ZnO(002)의 피크 위치(JCPDS(Joint Committee on Poweder Diffraction Standards) 참고)보다 낮은 각도에서 나타났다. 이런 결과는 박막 내에 많은 결함이나 스트레스가 있을 때 나타나는 것으로 알려져 있다. 그러나 산화 알루미늄이나 산화 갈륨을 중간층으로 삽입하면 피크의 모양이 대칭적으로 변화하고, 피크의 위치도 높은 각도로 이동하였다. 이는 중간층에 의해 투명 도전막 내의 결함이나 스트레스가 감소했다는 것을 나타내는 것이다. 따라서, 도 3에서 본 바와 같이 전기적 물성이 전체 면에 균일하게 나타나는 것은 에너지가 큰 입자들의 충돌에 의한 충격을 중간층이 완화시켜 준다는 것을 확인할 수 있다. 4 shows XRD analysis results of transparent conductive films prepared in Examples 2, 3, and Comparative Example 2. FIG. For Comparative Example 2 without an interlayer, the (002) peak appearing near 2θ = 34 ° exhibits an asymmetric shape, which is more commonly known than the peak position of ZnO (002) (see Joint Committee on Poweder Diffraction Standards (JCPDS)). Appeared from a low angle. This result is known to occur when there are many defects or stresses in the thin film. However, when aluminum oxide or gallium oxide was inserted into the intermediate layer, the shape of the peak was changed symmetrically, and the position of the peak was also moved at a high angle. This indicates that defects or stresses in the transparent conductive film are reduced by the intermediate layer. Therefore, as shown in FIG. 3, the uniform appearance of electrical properties on the entire surface can be seen that the intermediate layer mitigates the impact caused by the collision of particles with high energy.
도 5는 실시예 1 및 4에서 제조된 투명 도전막의 전기적 특성을 도전막 면 상의 위치별로 측정한 결과이다. 중간층에 포함되는 산화물의 양이온 Ga와 산화아연계 박막에 포함되는 도판트 원소 Al을 서로 다르게 한 실시예 4의 경우, 중간층 포함원소와 도판트 원소가 동일한 실시예 1에 비해 박막 면 상의 물성 균일화 정도가 떨어지기는 하나, 중간층을 사용하지 않은 경우보다는 균일성이 향상되는 것을 알 수 있었다. 5 is a result of measuring the electrical properties of the transparent conductive films prepared in Examples 1 and 4 for each position on the surface of the conductive film. In Example 4, in which the dopant element Al included in the zinc oxide based thin film and the cation Ga of the oxide included in the intermediate layer were different from each other, the degree of physical property uniformity on the surface of the thin film was lower than that of Example 1 in which the intermediate layer containing element and the dopant element were identical. Although it was decreased, it was found that the uniformity was improved than when the intermediate layer was not used.
도 6은 비교예 3에 따라, 중간층을 증착하지 않고 도판트인 Ga의 농도를 증가시켜 제조한 산화아연 박막의 비저항, 전자농도, 및 전자 이동도에 대한 그래프이다. Ga 농도가 5.5wt% 까지는 비저항이 감소하는 모습을 보였으나, 그 이상 과잉의 Ga이 도핑되는 경우에는 전자농도, 전자 이동도가 모두 감소하여 비저항이 증가하는 것을 알 수 있다. FIG. 6 is a graph of specific resistance, electron concentration, and electron mobility of a zinc oxide thin film prepared by increasing the concentration of Ga, a dopant, without depositing an intermediate layer, according to Comparative Example 3. FIG. Although the resistivity decreases until the Ga concentration is 5.5wt%, when the excess Ga is doped, it can be seen that the resistivity increases because both the electron concentration and the electron mobility decrease.
도 7은 비교예 4에 따라, SiO2를 중간층으로 증착한 산화아연 박막에 대한 비저항 및 XRD 분석결과이다. XRD 피크 시프트가 발견되지 않았으며, 비저항의 감소도 관찰되지 않았다. 다만, 박막 중앙 부분과 가장자리 부분의 전기적 특성 균일성은 중간층이 없는 경우에 비해 향상된 것을 알 수 있었다. 7 is a specific resistance and an XRD analysis result of a zinc oxide thin film deposited with SiO 2 as an intermediate layer according to Comparative Example 4. No XRD peak shift was found and no decrease in resistivity was observed. However, it was found that the uniformity of the electrical characteristics of the center portion and the edge portion of the thin film was improved compared to the case without the intermediate layer.
본 발명은 산화아연계 박막에 있어서, 기판과 산화아연층 사이에 +3가의 산 화수를 갖는 금속의 산화물 박막을 중간층으로 구비함으로써, 전자 이동도의 저하없이 전자 농도를 증가시키는 효과를 가져올 수 있으며, 스퍼터링시 고에너지 입자에 의해 발생할 수 있는 결함(defect)를 감소시켜, 투명 도전성 박막의 전기적 특성, 특히 비저항 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 금속산화물 중간층에 의해 스퍼터링 증착시 박막 면의 중앙과 주변 간에 생기는 전기적 특성의 불균일 문제도 최소화할 수 있다. According to the present invention, by providing an oxide thin film of a metal having a + trivalent oxidized water between the substrate and the zinc oxide layer as an intermediate layer in the zinc oxide thin film, the effect of increasing the electron concentration without reducing the electron mobility can be obtained. In addition, by reducing defects that may be caused by the high energy particles during sputtering, it is possible to improve the electrical properties, in particular the resistivity characteristics of the transparent conductive thin film. In addition, the non-uniformity problem of electrical characteristics generated between the center and the periphery of the thin film surface during the sputter deposition by the metal oxide intermediate layer can be minimized.
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPH08325711A (en) * | 1995-05-26 | 1996-12-10 | Toppan Printing Co Ltd | Transparent conductive metal oxide-coated film and its production |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08325711A (en) * | 1995-05-26 | 1996-12-10 | Toppan Printing Co Ltd | Transparent conductive metal oxide-coated film and its production |
| KR19990037486A (en) * | 1997-10-29 | 1999-05-25 | 미따라이 하지메 | A photovoltaic device having a back transparent conductive layer with a light incident side surface area of a particular cross section and a module comprising said photovoltaic device |
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