JPH0831672B2 - 電気伝導パスの同時形成方法及びボンディングチップ - Google Patents

電気伝導パスの同時形成方法及びボンディングチップ

Info

Publication number
JPH0831672B2
JPH0831672B2 JP4214369A JP21436992A JPH0831672B2 JP H0831672 B2 JPH0831672 B2 JP H0831672B2 JP 4214369 A JP4214369 A JP 4214369A JP 21436992 A JP21436992 A JP 21436992A JP H0831672 B2 JPH0831672 B2 JP H0831672B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrically conductive
bonding
pads
lines
electrical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP4214369A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05206619A (ja
Inventor
ジョン インテランテ マリオ
バーガー マイケル
フランク ハンドフォード エドワード
タス ユージン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH05206619A publication Critical patent/JPH05206619A/ja
Publication of JPH0831672B2 publication Critical patent/JPH0831672B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/10—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating making use of vibrations, e.g. ultrasonic welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/225—Correcting or repairing of printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/45109—Indium (In) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/45113—Bismuth (Bi) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/45116—Lead (Pb) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/4512—Antimony (Sb) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45155—Nickel (Ni) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45164—Palladium (Pd) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45169—Platinum (Pt) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45171—Chromium (Cr) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/4518—Molybdenum (Mo) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8501—Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85191—Translational movements connecting first both on and outside the semiconductor or solid-state body, i.e. regular and reverse stitches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01083—Bismuth [Bi]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10287—Metal wires as connectors or conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0285—Using ultrasound, e.g. for cleaning, soldering or wet treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/049—Wire bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/17—Post-manufacturing processes
    • H05K2203/173—Adding connections between adjacent pads or conductors, e.g. for modifying or repairing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は概して同時電気接続を行
うための装置及び方法に関し、特に新たなボンドチップ
構成を用いてこれら電気接続を同時に行うための装置及
び方法に関する。電気導線又はパッドの間に電気接続を
同時に行うための種々の方法と処理が開示されている。
電気接続は電気的に接続されなければならない一対の電
線又はパッドを横切って電気伝導ワイヤを配置すること
によって行われ、次に特別なチップを用いることによっ
て電気伝導ワイヤの両端が２つの電気伝導ライン又はパ
ッドに同時に取付けられる。
【０００２】
【従来の技術】今日のエレクトロニクスの到来ととも
に、ＰＣＢ（プリント回路板）上の回路、又はモジュー
ル、又はチップはますます高密度になった。その結果、
より多くが所定の領域に配置されうるように電線若しく
は導線並びに端部若しくはパッドは一層小さくなった。
【０００３】従って、電気的機能性を満足させるため
に、これらラインとパッドとの間に、より一層小さい電
気接続を行うことが必要になっている。これら電気接続
部の密度の増加によって、導線又はパスの経路が変更さ
れなければならない可能性は増す。
【０００４】導線の経路変更は、パッケージング技術に
おいて最も重要なステップの中の１つである。これは、
電子ハードウェアを製造するのが非常に高価な上、フィ
ールド故障が容易に修復されないために、電子ハードウ
ェアは信頼性があって欠陥のないものでなければならな
いためである。更に、シリコン又は他のデバイスの間の
広い領域の相互接続部を支持するパッケージの大きさが
大きいために（数１０ミリメートル）、シリコンチップ
の製造で一般的に行われるように、パッケージの欠陥部
分を切り離して廃棄することは実際的でない。これら直
近且つ潜在的な欠陥を除去するために、多大な努力が払
われている。
【０００５】電線のこの経路変更は種々の理由で行われ
る。第１の理由は設計変更のためであり、特定の性能要
件のために一部をカストマイズする。電線を経路変更す
るための他の理由は、ラインの欠陥又は亀裂、又はライ
ン間のショートである。導線の欠陥又は故障は、伝導性
の物質のマスキングや不適当な付着による。しかし、欠
陥や故障は不純物質又はリソグラフィ処理の解像限界の
引き伸ばし等の他の要因にも関係する。汚染、処理事故
及び物理的損傷のために、薄膜に新たに配置されたライ
ンは開放（断線）されることがある。
【０００６】開放のもう１つの理由は、ＰＣＢ又はセラ
ミックモジュールのアセンブリの間に用いられるデバイ
ス取付け及びテスト処理での熱サイクルの間に発生する
応力による。亀裂及び他の潜在欠陥をもつ薄膜ラインに
は開放が発生することがある。さもなければ電気的に欠
陥のある基板、モジュール、又はパッケージを用いるた
め、これら断線が修復されるか又は信号線の経路が変更
される。
【０００７】特に、薄膜処理において、薄膜に新たに配
置されたライン及び他の相互接続ラインは電気的に開放
するラインをもたらす欠陥に影響されやすい。欠陥はボ
イド、ミッシングメタル（金属の欠落）、種々の粒子汚
染又は物理的損傷を含む。冗長な金属設計は欠陥ライン
の数の実質的な減少を助けるが、この設計によってそれ
ら欠陥が完全に除去されるのではない。薄膜電気テスト
の後に「開放」と識別されたラインは、ポリイミドオー
バコート処理の前にレーザＣＶＤ（化学蒸着法）等の処
理によって修復される。「開放」ラインはときにテスト
の間で検出されず、後続の熱処理の間で「開放」とな
る。ピン、キャパシタ及びチップが接合後、これら欠陥
のある導線がモジュール又は基板に現れる。「開放」ラ
インがこの時点で発見されるならば、モジュール又は基
板又はパッケージが用いられるように欠陥を修復する必
要がある。
【０００８】現在、非破壊的電気テスト方法（例えば、
米国特許第４、４９６、９００号に開示されるＮＬＣ
（非線形伝導率）テスタ）が開発されている。ＮＬＣテ
スタは、亀裂、ラインブレーク、断続的開放、狭いネッ
ク等の電流を制約する欠陥をもったラインを配置する。
次に他に述べられたような高パルス電流方法が、欠陥を
開放するために用いられる。この処理は、潜在欠陥より
も完全な開放を視覚的に配置する方が容易であるという
事実のゆえに用いられる。
【０００９】「プリント回路におけるブレーク修復(Rep
airing Breaks in Printed Circuits ) 」(IBM技術発表
報告、Vol. 8, No. 11, 1966年4 月, 1469頁) におい
て、ラインにおける小さなブレークは、ブレークされた
ラインのギャップをベース伝導性の物質を成形するため
室温又はそれ以上の温度で硬化される物質で充填するこ
とによって修復される。次に伝導性の金属層は、修復を
完了するためベース伝導性の物質に電気メッキされる。
この処理を用いることは、チップ、キャパシタ及びディ
スクリートワイヤが決まった場所にある非常に密度の高
いパッケージ上で、修復されるべきラインが電気メッキ
の間に切り離されるのを必要とする。これは重要な取扱
い及びツーリング問題を引き起こす。
【００１０】「ガラスメタルモジュールにおける開放導
線修復(Open Conductor Repair ForGlass Metal Modul
e) 」(IBM技術発表報告, Vol. 14, No. 10, 1972 年3
月, 2915頁) は、開放修復を実行する他の方法を開示し
ている。ここで動かされるべき金属ラインは開放又はブ
レークに位置合わせされ、レーザビームを用いて、金属
層の一部がブレークされたラインの各端に溶接される。
この文献はまた、ラインがレーザを用いてブレークへリ
フローされるか、又はブレークへと蒸着することを教示
している。銅等の高温伝導性金属の溶融が行われるた
め、これらの各々の特徴は本発明で用いられない。レー
ザによってそのようなラインを溶融するのに必要なエネ
ルギーは、修復されるべきラインに隣接するポリイミド
を損傷する。
【００１１】他の開示として米国特許第３、４６３、８
９８号は、Ａｌ、Ａｕ、及びＮｉ等の金属及び金属合金
の複数のスポットでの同時溶融を示している。電極上の
２つの異なるスポットに集められたスプリットビームレ
ーザを用いることによって、金属電極全体が熱くなる。
溶融は同時に発生するが、金属及び金属合金を溶融する
ために必要な温度は600 ℃から1400℃に及ぶ。これら温
度は非常に高いため、メタルボンドタブ及びその下にあ
るポリマー構造体の間の付着界面を損傷するだけでな
く、恐らく本発明のボンドタブの下にある幾つかのマル
チレベルポリマー及び薄膜層を溶融又は変形するであろ
う。
【００１２】多くのタイプの電気接続及び接続処理が開
示されている。例えば、米国特許第３、７６２、０４０
号は、クロスオーバの端をキャリヤから機能的ラインに
転送するため、金メッキされ800Psi、340 ℃でプレスで
積層される圧縮成形半円端(35-80ミル長) の精巧な製造
を開示している。これら処理の特徴は、大きな大きさ(3
5-80ミル) と、本発明でのボンドタブの回りのポリマー
構造体を歪める温度340 ℃等の圧縮ボンディングパラメ
ータのために本発明で用いられない。
【００１３】開放の修復のためのかなり複雑な処理が米
国特許第４、２５９、３６７号に開示され、導体パッチ
ラインが絶縁層を介して良好なラインに相互接続され
る。これは、既に決まった場所にある素子が基板と適合
しないフォトリソグラフィック技術によって新たなワイ
ヤリング層を追加することを必要とする。
【００１４】開放を修復する他の方法は、米国特許第
４、７０４、３０４号に開示されるようなデカール転写
による。
【００１５】電気回路ライン修復の他の方法は、米国特
許第４、６３０、３５５号に教示されている。相転移物
質の層は導線の付着の前に付着され、導線において開放
が生じる場合、電流が相転移物質を介して流れて、その
一部が電気的に伝導し、ギャップ又は開放を横切る電気
的ブリッジを生成する。この方法はそのような相転移物
質がポリイミドへ付着しないため、ポリイミド膜の修復
に適切でない。
【００１６】米国特許第４、４１８、２６４号におい
て、特殊な形状の金属部分が導体パス遮断部に位置さ
れ、ミクロ抵抗溶接によって、金属部分が遮断部を橋渡
しするよう導線に溶接される。溶接は修復物質の溶融を
必要とし、現在の「技術の現状」の薄膜ポリマーパッケ
ージに用いられると、ポリマーに構造的損傷を引き起こ
す。異なる位置で修復されるラインに接続されるアクテ
ィブデバイスがあり、高いドライブ電流によってこれら
アクティブデバイスが損傷されるため、溶接は本発明と
不適合な高いドライブ電流の通路もまた必要とする。
【００１７】開放及び狭いネックを修復するための他の
方法が、米国特許第４、９１９、９７１号に開示されて
いる。薄い部分又は狭いネックを有する導線における欠
陥の位置は、修復を開始するため物理的に配置される必
要はない。処理は自己誘導である、即ち、ドライブ電流
の通路が欠陥のある位置にホットスポットを生成し、伝
導性の物質が欠陥のある位置に付着されるよう導かれ
る。この処理はまた自己制限である、即ち、欠陥が修復
されると処理が減速して停止する。この技術は基板がメ
ッキ浴に浸されるか又は有機金属蒸気にさらされて、ア
クティブ及びパッシブ素子が既に基板にマウントされる
ライン修復処理と適合しない。
【００１８】「グラス金属モジュールにおける伝導性の
ラインジャンパ／修復接続(Conductive Line Jumper/Re
pair Connection in Glass Metal Module)」(IBM技術発
表報告, Vol.15, No. 8, 1973 年1 月, 2423頁) は開放
修復を行う他の方法を開示している。ここで開放が配置
された後、ワイヤが開放ラインを横切って配置され、ワ
イヤが開放ラインの各端に溶接される。溶接後、修復さ
れた平面は他の回路層を生成するのに適した表面を残し
てガラスで覆われる。この処理は生成レベルにおけるキ
ャリアの修復を教示しているが、機能的なモジュールの
レベルにおいてではない。この処理はまた融点の高い金
属の使用と、続く無機物質の焼結を必要とする。
【００１９】開放の修復のための他の溶接処理は、「金
属化されたポリイミド基板の回路修復／作動(Circuit R
epair/Work of Metallized Polyimide Substrates)」(I
BM技術発表報告, Vol. 22, No. 9, 1980年2 月, 3986
頁) に述べられている。１片のワイヤが開放を横切って
ジャンパされ、ジャンパされたワイヤの両端が回路ライ
ンに溶接されて「連続する電線」を生ずる。この処理で
はまた融点の高い金属の使用についても開示している。
【００２０】回路修復を行う他の方法が、「無尾熱圧着
ボンディング(Tailless Thermo-Compression Bonding)
」(IBM技術発表報告, Vol. 27, No. 5, 1984年10月, 3
041頁) に開示され、ここで回路ラインは回路ラインと
修復物質を共に溶融する２つの電極の間に電流を流すこ
とによって修復される。
【００２１】「ジョセフソンパッケージ修復(Josephson
Package Repair)」(IBM技術発表報告, Vol. 26, No. 1
2, 1984 年5 月, 6244-6245 頁) は、修復を行う他の例
である。故障した回路はレーザスクライビングによって
切り取られ、開放の修復はパッドに隣接する不良なライ
ンを切り、適切なパッドに再接続するため第３のワイヤ
リングレベルを用いることによって行われる。この処理
には、新たなワイヤリングレベルを形成するためフォト
リソグラフィック技術を要するという制限がある。更
に、追加の薄膜処理ステップは、チップ、ピン等が取付
けられた後では実行されない。
【００２２】回路開放を修復するために、レーザ付着方
法もまた開発されている。１９８８年７月２５日に出願
された米国特許出願第２３３、４８７号に開示されてい
るように、回路開放はサーモバッテリ効果に基づいたレ
ーザ誘導電気メッキ処理によって修復される。開放導線
の１チップがレーザビームによって加熱され、サーモバ
ッテリがホットスポット（導線の１チップ）と冷たい部
分（導線の正常な部分）の間に形成される。チップのレ
ーザ加熱はホットチップにおいて形成されるメッキ溶液
にある伝導性の物質を誘導する。この処理は伝導性の物
質の成長によって開放の内の開放する２つの端が接合
し、連続電気パスが形成されるまで続けられる。
【００２３】薄膜電気回路を相互接続するための他の処
理は、米国特許第４、８８０、９５９号に教示されてい
る。現存の回路の両端は開放の欠陥のある位置にエクサ
イマーレーザからのパルスによって部分的に除去され、
次に金メタルがＬＣＶＤ（レーザ化学蒸着）によって付
着される。この処理では、薄膜付着直後及び後続の任意
のモジュール成形の前（即ち、基板レベルにおいて）で
修復する。
【００２４】任意の状況のもとでは、米国特許第４、５
７２、９４１号に開示されているように、スポット溶接
を行うためにレーザが用いられる。レーザ誘導溶融は、
敏感な誘電体及び隣接するラインに構造的損傷をもたら
すことができる。
【００２５】また他の開示である米国特許第４、４１
８、２６４号は、円形中央電極及びその中央電極の反対
側にある２つの半円電極が存在する抵抗溶接装置の使用
について記述している。その開示では、１つの作動にお
いて電流が電極を介して流れ、修復処理としてタブを２
本のラインに溶接することについて述べている。更に、
溶接中に電流を一方の外側の電極から他方の電極に何度
も切り替え、また戻すためクロックがデバイスに組み込
まれていることについても述べている。これは、真の同
時作動が試みられるならば、電流が抵抗の最も小さいパ
スをとり、２つのタブにむらのある／不均一な溶融をも
たらすためである。
【００２６】「個々に制御可能なワイヤハンダリフロー
ボンディングチップ(IndividuallyControllable Wire S
older Reflow Bonding Tip)」(IBM技術発表報告, Vol.
18,No. 12, 1976 年5 月, 3984頁) は、うち１つが共通
である３つの電極を用いることによって２本のワイヤを
ハンダリフローするような２つの電源も用いるという点
で米国特許第４、４１８、２６４号に類似している。
【００２７】これら２つの資料は、電気接続を行う目的
の代わりに金属ワイヤ又はタブを溶融するための複雑な
デバイスを用いる抵抗溶接について述べている。またも
や溶接は、マルチレベルポリマー／薄膜パッケージに用
いられるには非常に荒い処理である。１つが接続の各端
になる２つの電源の使用によって、エレクトロニクス産
業で極めて広く用いられる従来のステッチボンドアプロ
ーチを実際シミュレートする。
【００２８】これらに対して、本特許出願の発明は、１
ボンドサイクル中にワイヤステープルの各端を同時に超
音波でボンディングすることによって２つの別々のパッ
ドとラインの内少なくとも１方の間に電気接続を行う
「同時電気接続」について開示している。
【００２９】特に、本特許出願の発明はアクティブ及び
パッシブ素子が基板に取付けられた後の電気接続処理に
ついて述べている。これは、マイクロワイヤ又はステー
プルを用いて、それを同時に２つ以上の電気パッド又は
接続部に保持し、電気的に連続するパスを形成すること
によって行われる。マイクロワイヤ又はステープルの取
付けは、ロウ付け、超音波ボンディング、レーザ音波ボ
ンディング、熱圧着ボンディング又はこれら方法の任意
の組合せによって達成される。
【００３０】本発明の処理は電気接続が１ステップで達
成されるのを可能にして、他の方法に対するもう１つの
利点となっている。
【００３１】この処理は、モジュールが成形された後で
電気接続及び電気ラインの経路変更を可能にするという
点で新しい。
【００３２】本発明は概して、高密度の電子パッケージ
ングに電気接続を行うための新たな方法に関する。超音
波、レーザ音波、熱圧着及びマイクロ表面溶接と同様
に、ハンダ接続、プラグ可能な又は接点接続等の、電気
接続を行うための種々の方法が業界で用いられている。
本発明は、機能的電気ネットを生成するためワイヤコネ
クタの２つの別々のボンドパッドへの同時ボンディング
に焦点をおいているが、それに限定されない。ボンドパ
ッドはマルチレベルポリイミド、薄膜構造体の一部にな
りうる。
【００３３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、パッケージ
の構造の完全性又はデバイスの機能性に衝撃を与えずに
構造の異なるレベルで同時に電気接続を行うための新た
な方法である。
【００３４】本発明の１つの目的は、特定のパッド又は
ラインの間に電気コネクタ（ステープル）を同時に取付
けることによって機能的電気回路を製造することであ
る。
【００３５】本発明の他の目的は、初期のプロセシング
において選択的に開放され又はレーザ除去された、ライ
ンのセクションを横切る電気パスを同時に再接続するこ
とによって、電子パッケージをフル電気機能性にレスト
アすることである。
【００３６】本発明の他の目的は、後続の処理間に欠陥
を生成した以前の連続電気導線を横切って電気接続を可
能にすることである。
【００３７】本発明の更に他の方法は、チップ等のアク
ティブ素子及びキャパシタ、ピン、ディスクリートワイ
ヤ等のパッシブ素子の存在において、同時電気接続を可
能にすることである。
【００３８】他の目的は、ポリイミド等の有機誘電物質
の上に薄膜ラインの同時電気接続を可能にさせることで
ある。
【００３９】本発明の他の目的は、導線を横切って電気
的に接続するため超音波又は関連するボンディング方法
を用いて、同時電気接続を実行するための「乾式」方法
を可能にすることである。
【００４０】本発明の他の目的は、導線の任意の他の部
分を影響せずに局所的な領域に同時電気接続を実行する
ことである。
【００４１】本発明の他の目的は、下にある又は囲んで
いるポリマー又は誘電体に影響せずに、薄膜ライン又は
パッドを横切って同時に電気接続部を製造することであ
る。
【００４２】本発明の他の目的は、導線を溶融せずに導
線と電気パッドの間に金属ボンドを行うことである。
【００４３】本発明の他の目的は、モジュールの表面に
２つのジャンクション端又はパッドを同時に電気接続す
ることによって、ＸとＹの内の少なくとも１つの埋め込
みＥＣラインのセグメントを接続することである。
【００４４】本発明の他の目的は、２本以上の電線を横
切って電気パスを同時に形成し、プラーナ構造体を製造
することによって、後続の処理で追加のワイヤリング層
の製造を可能にすることである。
【００４５】
【課題を解決するための手段と作用】本発明の１つの態
様は、複数の電気伝導ライン及び複数の電気伝導パッド
の内の少なくとも２つの間に、開放又は潜在欠陥を横切
って電気伝導パスを同時に形成する方法であって、それ
は以下のステップから成る。
【００４６】（ａ）前記複数の電気伝導ライン及び複数
の電気伝導パッドの内の少なくとも２つの少なくとも一
部をサイトドレスするステップ。
【００４７】（ｂ）前記複数の電気伝導ライン及び複数
の電気伝導パッドの前記サイトドレスされた部分の各々
の少なくとも一部に電気伝導物質のセグメントを配置す
るステップ。
【００４８】（ｃ）該電気導電物質の少なくとも一部分
を保持するための少なくとも２つの作業溝とこれらの作
業溝の間に設けられたチップギャップを有するチップを
用いて、前記複数の電気伝導ライン及び複数の電気伝導
パッドの内の前記少なくとも２つに、前記セグメントを
同時に取付け、それによって、前記電気伝導パスを形成
するステップ。
【００４９】本発明の他の態様は、１つのステープルに
対して少なくとも２つの端部を同時に電気的に接続する
ためのボンディングチップを含み、ここで、前記ボンド
チップがボンディング表面及び取付け表面を有し、前記
取付け表面が超音波ホーンに取付けられ、前記ボンディ
ング表面が前記少なくとも２つの端部を横切って前記同
時電気接続部を形成するために前記ステープルの少なく
とも一部を保持するような少なくとも２つの作業溝とこ
れらの作業溝の間に設けられたチップギャップを有す
る。
【００５０】
【実施例】本発明は、複数のライン又はパッド間を、電
気導線における開放或いはほぼ開放、又は潜在欠陥を横
切って、同時に電気的に接続する種々の方法について述
べている。
【００５１】本発明は、機能的電気ネットを完成するた
めチップ領域内のチップ接続タブからチップ領域外の設
計変更（ＥＣ）されたパッドへの電気接続を行う方法に
ついても述べている。本方法は、チップマイクロソケッ
トの間に戦略的に配置された２つの薄膜上表面パッドの
間に、ワイヤステープルを同時にボンディングすること
を必要とする。１つのパッドはチップ領域外の大きなＥ
Ｃパッドで終了するチップ接続部の間に延びる薄膜ライ
ンに取付けられると共に、他のパッドはチップ接続マイ
クロソケットから延びて、ラインパッドと整合及び見当
合わせされる。
【００５２】電気パスが削除された後のその回復は、本
発明の同時ステープルボンドを用いても述べられる。
【００５３】ここで用いられるようなステープルボンデ
ィングは、電気回路を生成又は完成するために２つのパ
ッド、２つのライン、或いはパッド及びラインの間の電
気接続部を同時に取り付けることを意味する。これは、
薄膜ラインの欠陥又は開放を横切って電気接続を行うこ
とを含む。このステープルを形成するのに用いられる媒
体を、僅かに挙げるとワイヤ、デカール又はプレフォー
ム（小平板）である。
【００５４】ここで使用される用語としての潜在欠陥
は、正常の導線より単位長当たりの抵抗がより高い導線
の小さい部分又はセクションを意味する。狭いネックは
異なる形状から成り、例えば、狭いネックはラインの幅
のローカル減少、ラインの高さ又は厚さのローカル減
少、又はラインの一部が正常なラインの一部よりも低い
伝導性をもった物質から成る。狭いネックは薄い電気接
続部又は回路離間を横切るブリッジ、又は応力を加える
前は開放として現れない亀裂もまた含む。
【００５５】技術において理解されるように開放は、電
流が流れることができない、又は大幅に妨げられる任意
のミッシング（欠落）導線である。これは、一般的に電
気伝導パスが開放していると見なされるより上の抵抗ス
レショルドを設定する。
【００５６】本特許出願で述べられている欠陥又はキズ
は、主にマウントされるディスクリートな素子をもった
或いはもたない薄膜パッケージング構造体にある。
【００５７】薄膜は、基板に形成されるライン又は極小
の寸法（約数マイクロメータ）を有するキャリヤを画定
するため現在業界において用いられる用語である。薄膜
は非常に小さいため、顕微鏡又は同様のデバイスを用い
て明確に見ることができるに過ぎない。従って、そうし
た寸法をもったそのような導線の修復は同様に困難であ
る。
【００５８】本発明によって開示されたような方法は比
較的低温で実行され、従って、この方法は金属／ポリマ
ー薄膜ワイヤリング又は他の有機物質をもった基板に用
いられる。またプリント回路板にも適用されうる。
【００５９】図１（Ａ）から（Ｅ）は、欠陥が伝導薄膜
ラインに如何に形成されるかについての一般的な方法を
図解している。マウスバイトによって生じた欠陥が図１
（Ａ）に示されている。絶縁層１２を有する基板１０
に、薄膜ライン等の電気伝導ライン１４が技術に周知の
任意の方法によって形成されるが、処理事故又は汚染等
のライン寸法より小さい欠陥のため、マウスバイト１７
が生じる。このマウスバイト１７は保護コーティング２
８が付着された後まで発見されないかもしれない。多く
の場合、この保護コーティング２８はポリイミド層又は
他の誘電層又は絶縁層である。一般的に、薄膜ライン１
４の電気伝導物質は、アルミニウム、アンチモン、ビス
マス、クロム、銅、金、インジウム、鉛、モリブデン、
ニッケル、パラジウム、プラチナ、銀、錫、チタン、タ
ングステン、又はその合金を含む群より選択される。
【００６０】導線が連続しない他の理由は、ラインパス
に入ったデブリのためである。これは図１（Ｂ）に図解
され、ここでデブリ（屑）２１はライン１４が連続する
のを妨げている。デブリ２１は、小さいダスト粒子、破
片、ファイバ、又は残留処理物質である。同様に、デブ
リ２１によって電気パスの部分的又は完全なブロッケー
ジが生じるか、或いは開放が後続の処理間に除去された
デブリの結果として生じる。もしブロッケージが部分的
ならば、このラインの問題は後になるまで浮上しない
が、一方完全なブロッケージならば電気テストが実行さ
れるときに検出される。
【００６１】図１（Ｃ）は、基板１０及び絶縁層１２に
おけるキズ１１のため開放を有する導線１４を図解して
いる。このキズは、一般的にマウスバイト１７のように
表面に現れる。このキズ１１は部分的な切れ目を生じる
だけの小さいものであるか、或いは導線１４を完全に開
放する大きいものである。
【００６２】その部分の物理的損傷の結果としての途切
れは、導線に開放を生じる他の方法である。図１（Ｄ）
は、物理的損傷の結果として、スクラッチ又はカット又
はニック１９をもった電気導線１４を図解し、スクラッ
チ１９は保護コーティング２９を損傷しただけでなく、
基板１０へと貫通している。
【００６３】処理の間、電気導線自体は時々図１（Ｅ）
に示されるようなキズと切れ目１３を有する。処理の事
故のためライン１４にブレーク又はキズ１３をもった導
線１４は、導線１４に保護コーティング２８を形成する
ため用いられる保護コーティング１５によって完全に又
は部分的に充填される。
【００６４】電気接続部が形成されなければならない各
々の場合において、導線１４又はパッドの少なくとも一
部が、適切な方法によって後続の修復を可能にするよう
に露出及び準備されなくてはならない。これはサイトド
レッシングとして知られている。ある状況では、電線１
４の一部分以上が露出及び準備されなくてはならない。
多くの状況では、修復処理に用いられる電線１４の一部
だけが露出及びサイトドレスされる必要がある。
【００６５】レーザを用いたボンディング表面のそうし
た一つの洗浄が、「ボンディング表面のレーザ除去洗浄
(Laser Ablative Cleaning of Bonding Surfaces) 」(I
BM技術発表報告, Vol. 32, No. 4A, 1989 年9 月, 429-
430 頁) に開示されており、その開示が参照のためここ
に組み込まれている。
【００６６】今日の基板又はモジュールの製造には、薄
膜及びポリマーの多数の層又はレベルを必要とする。最
後の頂上層は一般的にポリマーである保護コーティング
で、チップ及びＥＣパッドの少なくとも一部を除いて全
ての頂上表面機能を被覆する。電気接続されるべき他の
位置にアクセスするため、保護ポリマーはその領域から
除去されなければならない。これは、前に述べたような
サイトドレッシングによって行われる。一般的に、サイ
トドレッシングはエクサイマーレーザを用いて行われ、
レーザは多数のパルス間にポリマーを両ラインとパッド
の内の少なくとも一方の所定の領域からポリマーを除去
する。
【００６７】電気的に接続されるべきパッドの頂上表面
の金属は一般的に金であり、一旦ポリマーが除去される
と、表面は清潔、純粋で、同時ステープルボンディング
への準備ができている。
【００６８】ステープルボンディングは図２（Ａ）及び
（Ｂ）に示されているように、特別に設計されたボンド
チップ５０の作業溝５４にワイヤ又はステープルを配置
することによって起こるので、ワイヤ又はステープルが
ボンディング領域と接触するように配置されるとき超音
波ボンド処理のエネルギーパラメータ、ロードパラメー
タ及びタイムパラメータは各ボンディングロケーション
の小さな領域に作動するだけである。ステープルは、１
ボンドサイクル間に両パッドとラインの内の少なくとも
一方に同時に取付けられる。図２（Ａ）は、作業溝５４
及びチップギャップ５２を図解する特定のボンドチップ
の正面図である。チップギャップ５２がそこにあるの
で、いずれのボンド力もポリマー又は薄膜パッド又はラ
インエッジに付与されないか、或いは言い換えれば、ボ
ンド力は特定のボンディングロケーションにのみ付与さ
れる。即ち、チップギャップ５２は、ボンド力を特定の
ボンディングロケーションのみに付与するようにチップ
のボンディング面に対して形成された溝である。
【００６９】図２（Ｂ）は、チップギャップ５２、作業
溝５４、及び特別な作業溝テクスチャー（きめ）５６を
図解する特別なボンドチップ５０の底面図である。作業
溝テクスチャー５６は、作業溝５４の表面に形成された
凹凸模様、細かいきめ、又はシボ等の表面形態でああ
り、同時ボンディング処理の間にボンドチップ５０とス
テープル又はワイヤの間での機械的ボンディングを高め
るように作用する。
【００７０】特別なボンドチップ５０は、一般的に超音
波ボンディングホーンに取付けられ、特定の距離でボン
ディングホーンより下に延びる。超音波エネルギーがホ
ーンに付与されるとき、ボンドチップ５０は最大振幅で
振動又は共振する。ボンドチップ５０がホーンより下に
延びる距離は、一般に共振するＳＩＮ波長距離の１／４
か又は３／４に近いが、限定はされない。従ってボンド
チップ５０の底で最大振幅を生じる。エネルギーは特定
の数のピエゾエレクトリッククリスタルをホーンの後ろ
に取付けることによってホーンに伝送され、電流と電圧
がクリスタルに印加されると所定の周波数で共振する。
クリスタルの組成、結晶構造、厚さ及び数は、共振する
周波数の全ての要素である。この印加に関して、カリフ
ォルニア州ミルピタスのユテ社(Uthe, Inc.)によって製
造されたＩＢＭモデル５５ＰＴピエゾエレクトリック変
換器（ホーン）が、整合するユテモデル10G 超音波電源
と共に用いられた。
【００７１】同時電気接続を行う実施例が図３に示され
ている。絶縁層１２の電気伝導ライン１４、１４’は、
ライン１４においてブレークされた又は弱い電気接続部
等のキズ又は欠陥１１を有する。一旦この欠陥１１が電
気テストによって発見又は識別されると、ライン１４、
１４’の上表面はサイトドレスされる。プラーナステー
プル又はジャンパワイヤ４０は、電線１４、１４’それ
ぞれの洗浄された頂上部の端４２、４４と接触される。
次に、超音波ボンディング、ロウ付け、熱圧着ボンディ
ング又はレーザ音波ボンディングを含む群から選択され
た任意の１以上の方法によって、プラーナステープル４
０は電線１４、１４’に同時にボンディング、即ち、固
着される。好ましい実施例において、ステープル又はワ
イヤ４０の一部は、ボンドチップ５０の作業溝５４に配
置される。テクスチャー５６を有する作業溝５４は、ス
テープル又はワイヤ４０への機械的ボンディングとして
働き、ステープル又はワイヤ４０を決まった位置に保持
する一方で、ボンドチップ５０がライン１４’、１４そ
れぞれの上の端４２及び４４に下げられる。超音波エネ
ルギーを用いてボンドチップ５０が共振され、ワイヤ又
はステープルが１ボンディングサイクルでライン１
４’、１４それぞれの上端４２及び４４に同時に取付け
られる。ワイヤ又はステープル４０の余分な部分は、も
しあるにしても、本技術分野に周知の処理によって切り
取られる。これによって、ライン１４’、１４それぞれ
の欠陥のある端とボンディングされた界面４２及び４４
に電気接続部が生じる。次に後続の絶縁体又は保護コー
ティング２８がボンディングされた領域に付与されて、
プラーナステープル接続部を囲む。この保護コーティン
グ２８の少なくとも一部が欠陥のある領域１１へと浸透
するが、これは既に製造されたステープルボンドを傷つ
けない。保護コーティング２８がもし付与されたら、本
技術分野に周知の方法によって硬化されて平らにされ、
ライン、パッド、経路等の後続の成形等である正常の処
理が続けられる。次に図示される第２の電気伝導ライン
１４’が、多層モジュール又は基板に層を追加するため
硬化及び平らにされた保護コーティング２８に付着され
る。
【００７２】図４は、一般的な電子パッケージの要素を
図解している。電子パッケージは単層又は多層基板１
０、絶縁層１２、及び保護コーティング２８を備える。
上表面の電気伝導機能は、一般的にマイクロソケット２
４、薄膜に新たに配置された又は電気伝導のライン１
４、電気伝導パッド１６、及び埋め込まれたＥＣパッド
１８、及びマイクロソケットサービス端（ＭＳＴ）パッ
ド６２から成る。基板は更に、内部Ｘ−Ｙ平面及び埋め
込まれたＥＣライン２２に接続する内部経路２０を有す
る。マイクロソケットは、一般的にチップ又はマイクロ
ソケット２４をＭＳＴパッド６２に電気接続するストラ
ップ３２を削除する。ストラップ３２を削除する目的
は、後で述べられる。
【００７３】電気接続部又はワイヤ又はステープル４０
の取付けは、多くの方法で達成される。１つの方法は、
熱圧着ボンディングを用いることであり、ここで特定の
ロードの下にあるホットチップがステープル４０をパッ
ド１６又は１８又は６２もしくはライン１４へと押し込
むので、ステープル／パッド／ライン界面の適切な相互
拡散がパッド／ライン両方に同時に発生する。
【００７４】他の方法はホットチップハンダ付けを使用
することであり、ここでステープル４０自体又はステー
プルのハンダコーティングが溶融し、各ボンドパッド１
６、１８、６２又はライン１４を湿潤し、同時に電気接
続部を形成している。
【００７５】ステープル４０を取付ける更に他の方法
は、前述のように超音波エネルギーを使用することであ
る。ステープル４０はライン１４又は１４’若しくはパ
ッド１６又は１８又は６２の表面で、分子移動を生成す
る60-100KHz 等の高周波数で洗浄されて、ステープル４
０の分子の底表がライン１４又は１４’とパッド１６又
は１８又は６２の内の少なくとも一方の上表面の分子と
混合されて、同時にボンドを生成する。
【００７６】この処理では、ステープル４０の両端がラ
イン１４又は１４’とパッド１６又は１８又は６２の内
の少なくとも一方のそれぞれの端に同時に取付けられる
ことを必要とする。200 ミクロンピッチの80ミクロンパ
ッド等のマイクロソケット２４のスペースの制限内で
は、最小のボンディング処理さえも更に小型化する必要
がある。
【００７７】第１のボンドに続いてループと後続の第２
ボンドが行われるため、従来のステッチボンディングは
ここでは用いられない。他で述べられるように、第１ボ
ンドの直近に第２ボンドがあると、もしステッチが用い
られるならば既成の第１ボンドに悪影響をもたらすこと
もある。
【００７８】現在、シングルボンドサイクル間にステー
プル４０の両端を同時に取付けることは、ステープル４
０がチップマイクロソケット形状寸法のスペース要件内
に配置される唯一の方法である。ステープル４０の両端
を同時にボンディングすることによって、非常に高い正
確さが達成されるということもまた発見された。これ
は、第１ボンド及び第２ボンドが共に同時に行われて、
先行技術で行われたような段階的ではないために、第１
ボンドに対する第２ボンドの悪影響がなかったという事
実による。
【００７９】もし従来の（ステッチ）ボンディングが近
接して用いられるならば、例えば、超音波ボンディング
によって第２ボンドを行う間に必要とされる振動がワイ
ヤを介して伝わり、潜在的に不正確にしながら第１ボン
ドを妨げるため、次に得られる電気接続部は潜在的に信
頼性がない。同様に、ハンダ付け処理を用いることで第
２端は既成の第１端を溶融し、再度正確性の問題を生じ
る。他方、拡散を発生させるようワイヤを十分加熱する
必要があるため、熱圧着処理もまた用いられない。これ
らの温度は、今日高密度電子パッケージに一般的に用い
られるポリマーのプラスチック温度を通常越えており、
そのような温度は電子パッケージに悪影響をもたらす。
【００８０】超音波エネルギーの使用は、ワイヤ又はス
テープルの同時ボンディングにおいて最も明確で最も信
頼性のある処理である。超音波洗浄から生成されるいか
なる熱もマイクロスケールで、電子パッケージ上の周囲
の又は下にあるポリマーに影響しない。作業溝の足跡が
独特な形状となる超音波ボンディングチップ５０は、高
度な正確さで離れていると共にポリマーを横切るパッド
又はラインに対して共に同時にボンディングを生成す
る。
【００８１】電子パッケージ設計において、作動の内の
２つのタイプのステープルボンドモードが用いられてい
る。第１は自動モードであり、非常に精巧なロボットツ
ールがパッドとラインの内の少なくとも一方を横切って
ステープルを配置する。作動の第２モードは、レーザ削
除を横切って修復又は接続することによって元の電気機
能性を回復するため、ステープルの手動配置を必要とす
る。
【００８２】電子パッケージの密度が増すにつれて、埋
め込まれた設計（エンジニアリング）変更（ＢＥＣ）パ
ッド間、チップ接続パッドと新たに配置されたライン／
パッド間、及び新たに配置されたパッド／ラインと埋め
込まれたＸ−ＹのＥＣ間に種々のマイクロ接続を行うた
め、同時ステープルボンディングがモジュールの上表面
に用いられる。同時にボンディングされたステープル
は、ラインを電気機能性にレストアするよう薄膜ライン
の欠陥／開放を橋渡しするためにも用いられる。マイク
ロソケット削除ストラップにおけるレーザ削除と薄膜に
新たに配置されたラインとのステープルボンディングに
よる元の電気回路の回復も、ステープルボンディングの
もう１つの利用である。これらパッドはチップ又はデバ
イスの全周に一般的に発見される。これらＢＥＣパッド
の第１の目的は、機能的ネットを完成するため一つの埋
め込まれた信号線を他の一つの埋め込まれた信号線に接
続することである。
【００８３】本発明の教示に従った電線接続処理は、図
５（Ａ）に示されている。第１ステップは、前に述べた
ように同時電気接続部の位置を用意することである。図
示されるように、保護コーティング２８はレーザ除去等
によって除去されて、パッド１６と６２それぞれの上表
面４２と４４の少なくとも一部を露出する。この処理は
前述のようにサイトドレッシングと称される。パッド１
６と６２それぞれの上表面４２と４４は清潔でなければ
ならず、電気伝導パッド１６と６２の少なくとも一部は
後続の金属ボンディングのため露出される。電気伝導セ
グメント又はステープル４０は、アルミニウム、銅、金
又はその合金から成るワイヤ等の適合するワイヤを用い
て形成される。ワイヤ又はステープル４０は、ハンダ又
はロウ材等の材料から成る部分的又は全体的層によって
も被覆される。「薄い銅のワイヤのハンダコーティング
(Solder Coating Thin Copper Wire) 」(IBM技術発表報
告, Vol. 11, No. 7, 1968年12月, 876 頁) は、本発明
で用いられるハンダで被覆されるワイヤの例を挙げてい
る。ワイヤ又はステープル４０はパッド１６と６２それ
ぞれのサイトドレスされた上表面４２と４４接触するよ
うにし、特別なチップ５０を用いて、ステープル４０は
パッド１６と６２に同時にボンディング、即ち、取付け
られる。ステープル４０と接触する特別なボンドチップ
５０は、パッド１６と６２の特定の領域にエネルギーパ
ラメータ、ロードパラメータ及びタイムボンドパラメー
タを移動し、１ボンドサイクルで２つの別々のボンド界
面４２と４４を同時に生成する。図５（Ａ）に見られる
ように、ボンディングされた界面４２と４４は金属ボン
ディングによって２つのパッド１６と６２の間に機能的
電気接続部を提供する。独特の又は特別のチップ５０
は、図２（Ａ）と（Ｂ）により明確に説明されている。
一般的な基板１０において、Ｘ平面及び／又はＹ平面又
はＢＥＣライン２２に接続するための内部経路２０があ
る。図７におけるＢＥＣライン２２は、チップ接続マイ
クロソケット２４をＢＥＣパッド１８又はＸ−Ｙ平面又
はＩ／Ｏ端に接続することができる。
【００８４】図５（Ｂ）は、ポリイミド等の保護コーテ
ィング２６が付与された後の図５（Ａ）の基板を図解し
ている。保護コーティング２６は、一般的に既成の同時
電気接続部へのマイクロドロップパッシベーションであ
る。このマイクロドロップパッシベーション２６は、環
境からボンドを保護することによって同時ボンドの信頼
性を高めている。
【００８５】同時電気接続を行うステープル又はワイヤ
を用いるもう１つの方法は、ライン及びパッドの間で行
うことである。処理は上述の処理と類似している。
【００８６】図６は、埋め込み型の設計変更（ＢＥＣ）
パッド１８に対して、電気伝導ライン１４を有する新た
に配置された又は電気伝導パッド１６をステープルに接
続することを図解している。ステープル４０はＹ方向の
ＢＥＣパッド１８に接続されると示されているが、同様
のステープル４０は、特定の機能的ネットに必要ならば
使用されたであろうＸ方向のＢＥＣパッド１８にも接続
されうる。勿論、当業者にとって、本発明を用い、Ｘ方
向又はＹ方向のいずれかで、第１のＢＥＣパッド１８を
第２のＢＥＣパッド１８に電気接続することは自明であ
る。
【００８７】図７は、チップマイクロソケット２４の直
近で電気接続を行うための設計を示している。マイクロ
ソケットの直近で接続を行うことによって、電気的にチ
ップ接続マイクロソケット２４にアクセスする能力は、
電子パッケージング密度において大きな利点を有する。
チップマイクロソケット２４は、一般的にマイクロソケ
ット削除ストラップ３２を用いてＭＳＴパッド６２に電
気的に接続される。ＭＳＴパッド６２は、通常内部経路
２０を介して設計変更ライン２２に接続される。電気伝
導ライン１４は、電気伝導パッド１６によって一端で終
了する。チップマイクロソケット２４とＢＥＣパッド１
８を除いて、上表面金属（ＴＳＭ）全体がポリイミド等
の保護コーティング２８によって覆われる。埋め込み型
の設計変更ライン２２を電気伝導ライン１４に電気接続
するため、パッド１６と６２が前述のようにサイトドレ
スされ、パッド１６と６２の少なくとも一部でウインド
ウ３０が開けられる。ストラップ３２が次に削除され、
削除領域３４を生成する。この削除は一般的にレーザ除
去によって行われ、チップ接続マイクロソケット２４を
ＭＳＴパッド６２から切り離す。次にＢＥＣパッド１８
の電気接続が、本発明の同時ボンディング方法によっ
て、ステープル４０を用い、再配置された又は電気伝導
パッド１６にボンディングすることによって行われる。
【００８８】図８は、図７の元の機能的ネットの回復を
図解している。これは、例えば、レーザ削除領域３６を
生成し、新たに配置された又は電気伝導ライン１４に開
放を生成し、ライン１４をＢＥＣライン２２に電気接続
した第１のステープル４０を切り離して行われる。マイ
クロソケット削除ストラップ３２上のウインドウ３８
が、レーザ削除領域３４にて生成されてサイトドレスさ
れる。次に、ワイヤ又はステープル４０が削除ストラッ
プ３２の２つのサイトドレスされた端に同時に取付けら
れて、元の機能的ネットを回復する。
【００８９】ライン又はパッドの同時電気接続の上述の
各々の方法の後で、絶縁体又は誘電体等のコーティング
材料２８の追加の層がステープル４０に付与される。使
用される絶縁体の一例はポリイミドである。基板の追加
の処理が所望ならば、この追加のコーティングが技術に
周知の方法で平面化される。
【００９０】従って、基本的に本発明の独自の処理は、
（１）電気接続されるべき領域がサイトドレスされるよ
うに、ボンディングされなければならないライン又はパ
ッドの両端にある選択的領域からの保護オーバコーティ
ングの除去、（２）ワイヤ、デカール又はステープルの
２つのライン又はパッドへの同時取付け、（３）チップ
又は基板除去／再処理ステップの間にハンダ等によって
接続部が湿されたりショートされたりするのを保護し、
また電気接続部に電気的完全性を提供するための、ワイ
ヤ又はステープルと露出されたライン又はパッドへの保
護オーバコートの後続の付与、を含む。
【００９１】本発明に開示されるような同時ライン／パ
ッド接続のための各方法は、既にモジュール又は基板に
あって除去する必要のない、チップ等のアクティブデバ
イス、或いはキャパシタ、ワイヤ又はピン等のパッシブ
デバイスを用いて実行される。勿論、この同時電気接続
が実行されるべきデバイスは除去され、そのデバイスは
一旦パッド又はラインが電気接続されると再マウントさ
れなくてはならない。
【００９２】例 以下の例は本発明を更に説明することを意図しているの
であって、いかなる方法においても本発明の範囲を制限
することを意図していない。
【００９３】例１ 保護オーバコートにおけるレーザ除去ウインドウの一般
的な例は、幅50ミクロンで長さ105 ミクロンのツールア
パーチャの設定から成る。エクサイマーレーザエネルギ
ーレベルを500 ミリジュール/cm2に設定し、接続される
べきモジュールの機能にウインドウの位置合わせをし、
次に全ての保護オーバコートが上表面金属のメタルを露
出しながら除去されるまで表面を１０回から２０回振動
する。50ミクロンx105ミクロンのウインドウは、パッド
の間の15ミクロンx50 ミクロンのギャップに沿って各パ
ッドのおよそ45ミクロンx50 ミクロンの領域を除去す
る。
【００９４】処理における次のステップは、およそ直径
18ミクロンで長さ80ミクロンのステープルをギャップを
横切る両方のパッドに同時にボンディングすることによ
って２つのパッドを電気接続することである。これは、
超音波エネルギーによってステープルの各端をそれぞれ
のパッドに取付ける特別なボンドチップ溝形状寸法を使
用することによって実行される。ここで付与される超音
波エネルギーは、およそ30ミリ秒につき約50ミリワット
である。
【００９５】電子モジュールテスト（ＥＭＴ）による同
時ステープル接続及び電気検証に続いて、後続のチップ
配置及びチップ除去動作を通して正確であり続けるよう
に、マイクロドロップによってチップマイクロソケット
領域内のそれらステープルに保護ポリマーコーティング
又はパッシベーションが適用される。ポリマーは、後続
のファーネスチップ接合サイクル間に硬化される。
【００９６】この適用に対して従来のステッチボンディ
ングが試みられたが、極めて小さいスペース要件のため
に成功しなかった。
【００９７】例２ チップマイクロソケット領域の外の新たに配置されたパ
ッド及びＢＥＣ（Ｘ＋Ｙ）パッドへの保護コーティング
は、２つのパッドをチップマイクロソケットハンダによ
ってショートする可能性が小さいために、概してモジュ
ール表面中のフォトリソグラフィック技術によって除去
される。この場合、表面のレーザ除去は不要であり、新
たに配置されたパッドからＢＥＣのＸ又はＹパッドへの
ステープル接続は例１に説明された同一のボンディング
技術を用いて容易に取付けられる。
【００９８】例３ 電気ネットの回復の場合、ラインの金属表面を露出しな
がら削除の両側にある削除ストラップの領域から保護ポ
リマーを除去することによって、レーザ除去ボンドウイ
ンドウはレーザ削除の回りに開放される。第２に、ステ
ープルは例１に説明される技術を用いて削除の各側にあ
るラインに同時にボンディングされて、次にステープル
がポリマーマイクロドロップによってパッシベートされ
る。
【００９９】
【発明の効果】本発明は上記より構成され、パッケージ
の構造の完全性又はデバイスの機能性に衝撃を与えずに
成形の異なるレベルで同時に電気接続を行うための新た
な方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）マウスバイトのために欠陥を有する導線
を図解する。 （Ｂ）ラインパスに入ったデブリのために不連続な導線
を図解する。 （Ｃ）基板におけるキズのため欠陥を有する導線を図解
する。 （Ｄ）物理的損傷の結果として途切れのある導線を図解
する。 （Ｅ）処理事故のためラインにキズを有する導線を図解
する。
【図２】（Ａ）本発明の教示に従ったボンドチップの斜
視図である。 （Ｂ）図２Ａのボンドチップの底面図である。
【図３】本発明に従って基板がサイトドレスされ、ステ
ープル接続が行われた後の、図１（Ｃ）の基板に類似す
る基板の追加の処理を図解する。
【図４】上表面に種々の支持要素を有する一般的な基板
を図解する。
【図５】（Ａ）本発明の特別なボンドチップを用いて同
時に電気接続が行われた後の、図４の断面５Ａ−５Ａに
沿って取られた基板を図解する。 （Ｂ）保護コーティングが付与された後の図５Ａの基板
を図解する。
【図６】本発明の教示を用いて上表面薄膜パッドを上表
面埋め込みＥ．Ｃ．パッドに接続するステープルを示
す。
【図７】ステープルボンディング技術を用いて１方のパ
スが削除され、他方のパスが接続された電気回路の経路
変更を示す。
【図８】本発明の教示に従って、図６にて経路変更され
た元の電気ネットの完全な回復を図解する。
【符号の説明】
１０ 基板 １２ 絶縁層 １６、６２ パッド ２０ 内部経路 ２２ ＢＥＣライン ２４ チップ接続マイクロソケット ２６、２８ 保護コーティング ４０ ステープル ４２、４４ 上表面 ５０ ボンドチップ ５２ チップギャップ ５４ 作業溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エドワード フランク ハンドフォード アメリカ合衆国12790、ニューヨーク州ワ ーツボーロー、ピー．オー．ボックス 872 (72)発明者 ユージン タス アメリカ合衆国12581、ニューヨーク州ス タンフォードヴィル、ピー．オー．ボック ス 198 (56)参考文献 特開 昭56−161693（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−177993（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−66370（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−166482（ＪＰ，Ｕ) 特公 平３−12478（ＪＰ，Ｂ２) 米国特許4418264（ＵＳ，Ａ)

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の電気伝導ライン及び複数の電気伝
    導パッドの内の少なくとも２つの間に、開放又は潜在欠
    陥を横切って電気伝導パスを同時に形成する方法であっ
    て、 （ａ）前記複数の電気伝導ライン及び前記複数の電気伝
    導パッドの内の少なくとも２つの一部をサイトドレスす
    るステップと、 （ｂ）前記複数の電気伝導ライン及び前記複数の電気伝
    導パッドの前記サイトドレスされた部分の各々の少なく
    とも一部に電気伝導物質のセグメントを配置するステッ
    プと、 （ｃ）該電気伝導物質の少なくとも一部分を保持するた
    めの少なくとも２つの作業溝とこれらの作業溝の間に設
    けられたチップギャップを有するチップを用いて、前記
    複数の電気伝導ライン及び前記複数の電気伝導パッドの
    内の前記少なくとも２つに前記セグメントを同時に取付
    け、それによって、前記電気伝導パスを形成するステッ
    プと、 を含む電気伝導パスの同時形成方法。
  2. 【請求項２】 前記電気伝導物質がワイヤ及びハンダ被
    膜ワイヤから成る群より選択される請求項１に記載の電
    気伝導パスの同時形成方法。
  3. 【請求項３】 前記複数の電気伝導ライン及び前記複数
    の電気伝導パッドの内の前記少なくとも２つの内の１つ
    の上表面がレーザ除去される請求項１に記載の電気伝導
    パスの同時形成方法。
  4. 【請求項４】 前記複数の電気伝導ライン及び前記複数
    の電気伝導パッドの内の前記少なくとも２つが薄膜パッ
    ケージング構造体にある請求項１に記載の電気伝導パス
    の同時形成方法。
  5. 【請求項５】 作業溝テクスチャーを有するチップを用
    いて、前記セグメントを同時に前記複数の電気伝導ライ
    ン及び前記複数の電気伝導パッドの内の前記少なくとも
    ２つに取付ける、請求項１に記載の電気伝導パスの同時
    形成方法。
  6. 【請求項６】 前記セグメントを前記複数の電気伝導ラ
    イン及び前記複数の電気伝導パッドの内の前記少なくと
    も２つに取付けた後、前記セグメントが絶縁物質によっ
    て被覆される、請求項１に記載の電気伝導パスの同時形
    成方法。
  7. 【請求項７】 １つのステープルに対して少なくとも２
    つの端部を同時に電気的に接続するためのボンディング
    チップであって、前記ボンディングチップがボンディン
    グ表面及び取付け表面を有し、前記取付け表面が超音波
    ホーンに取付けられ、前記ボンディング表面が、少なく
    とも２つの作業溝とこれらの作業溝の間に設けられたチ
    ップギャップを有して、前記少なくとも２つの端部を横
    切って前記同時電気接続部を形成するため、前記ステー
    プルの少なくとも一部を保持するボンディングチップ。
  8. 【請求項８】 前記作業溝の少なくとも一部が溝テクス
    チャーを有する請求項７に記載のボンディングチップ。
  9. 【請求項９】 前記端がパッド及びラインの一方である
    請求項７に記載のボンディングチップ。
JP4214369A 1991-10-04 1992-08-11 電気伝導パスの同時形成方法及びボンディングチップ Expired - Lifetime JPH0831672B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/771,706 US5193732A (en) 1991-10-04 1991-10-04 Apparatus and methods for making simultaneous electrical connections
US771706 1991-10-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05206619A JPH05206619A (ja) 1993-08-13
JPH0831672B2 true JPH0831672B2 (ja) 1996-03-27

Family

ID=25092707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4214369A Expired - Lifetime JPH0831672B2 (ja) 1991-10-04 1992-08-11 電気伝導パスの同時形成方法及びボンディングチップ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5193732A (ja)
EP (1) EP0536076B1 (ja)
JP (1) JPH0831672B2 (ja)
DE (1) DE69202430T2 (ja)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3151219B2 (ja) 1992-07-24 2001-04-03 テツセラ，インコーポレイテッド 取り外し自在のリード支持体を備えた半導体接続構成体およびその製造方法
US5977618A (en) * 1992-07-24 1999-11-02 Tessera, Inc. Semiconductor connection components and methods with releasable lead support
US6054756A (en) * 1992-07-24 2000-04-25 Tessera, Inc. Connection components with frangible leads and bus
US5335842A (en) * 1993-03-19 1994-08-09 National Semiconductor Corporation Self-aligning single point bonding tool
DE4311762C2 (de) * 1993-04-08 1995-02-02 Josef Dr Kemmer Verfahren zur Verbindung elektrischer Kontaktstellen
JP3453803B2 (ja) * 1993-06-15 2003-10-06 株式会社日立製作所 電子回路基板の配線修正方法およびその装置
US5384953A (en) * 1993-07-21 1995-01-31 International Business Machines Corporation Structure and a method for repairing electrical lines
US5390844A (en) * 1993-07-23 1995-02-21 Tessera, Inc. Semiconductor inner lead bonding tool
US5663106A (en) * 1994-05-19 1997-09-02 Tessera, Inc. Method of encapsulating die and chip carrier
US5834339A (en) 1996-03-07 1998-11-10 Tessera, Inc. Methods for providing void-free layers for semiconductor assemblies
US5776796A (en) * 1994-05-19 1998-07-07 Tessera, Inc. Method of encapsulating a semiconductor package
US5904868A (en) * 1994-06-16 1999-05-18 International Business Machines Corporation Mounting and/or removing of components using optical fiber tools
US5558270A (en) * 1995-01-06 1996-09-24 Kulicke And Soffa Investments, Inc Fine pitch capillary/wedge bonding tool
US20020151111A1 (en) * 1995-05-08 2002-10-17 Tessera, Inc. P-connection components with frangible leads and bus
US5536605A (en) * 1995-05-22 1996-07-16 International Business Machines Corporation Method of repairing apertured laser metal mask
US5534371A (en) * 1995-05-22 1996-07-09 International Business Machines Corporation Repaired apertured laser metal mask
JP3807508B2 (ja) 1995-09-18 2006-08-09 テセラ，インコーポレイテッド 誘電層を備えた超小形電子リード構造体
US5937276A (en) 1996-12-13 1999-08-10 Tessera, Inc. Bonding lead structure with enhanced encapsulation
US6029881A (en) * 1997-02-06 2000-02-29 International Business Machines Corporation Micro-scale part positioning by surface interlocking
US6286746B1 (en) * 1997-08-28 2001-09-11 Axya Medical, Inc. Fused loop of filamentous material and apparatus for making same
US6049046A (en) * 1997-09-30 2000-04-11 Siemens Energy & Automation, Inc. Electric circuit protection device having electrical parts ultrasonically joined using a brazing alloy
US6010059A (en) * 1997-09-30 2000-01-04 Siemens Energy & Automation, Inc. Method for ultrasonic joining of electrical parts using a brazing alloy
US6131795A (en) * 1997-11-10 2000-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thermal compression bonding method of electronic part with solder bump
US6220499B1 (en) * 1998-09-29 2001-04-24 International Business Machines Corporation Method for assembling a chip carrier to a semiconductor device
US6062553A (en) * 1999-07-09 2000-05-16 Strehl; Edward A. Vice jaw assembly with floating spacer and gripping blocks for use with a tool holder
DE10211875A1 (de) * 2002-03-18 2003-10-02 Mann & Hummel Filter Verfahren zum Vibrationsschweissen und Werkzeug zu dessen Durchführung
US20050199420A1 (en) * 2004-03-10 2005-09-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit board and method for manufacturing the same
DE102004011929A1 (de) * 2004-03-11 2005-09-29 Conti Temic Microelectronic Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Bondverbindung zwischen elektrischen Kontaktflächen
WO2007123943A2 (en) * 2006-04-18 2007-11-01 Axya Medical Inc. Multicomponent fused suture loop and apparatus for making same
DE102006021335A1 (de) * 2006-05-05 2007-11-08 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Leiterplatte mit mehreren Bauteilen und Verfahren zum Löten dieser Leiterplatte
DE102007014762A1 (de) * 2007-03-28 2008-10-02 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Bondverbindung
US20090280751A1 (en) * 2008-05-07 2009-11-12 Ahmadreza Rofougaran Method And System For On-Demand Beamforming
US20110101534A1 (en) * 2009-11-04 2011-05-05 International Business Machines Corporation Automated short length wire shape strapping and methods of fabricting the same
JP2012192413A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Yazaki Corp 超音波接合方法
US8986062B2 (en) * 2013-01-18 2015-03-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method for repairing white defect of liquid crystal display panel
US9381594B2 (en) * 2013-11-04 2016-07-05 Caterpillar Inc. Laser cladding with a laser scanning head
JP6646872B2 (ja) * 2016-03-09 2020-02-14 株式会社オートネットワーク技術研究所 端子付き電線の製造方法及び端子付き電線
JP6903300B1 (ja) * 2020-06-16 2021-07-14 エレファンテック株式会社 電子装置及びその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4418264A (en) 1980-07-08 1983-11-29 Siemens Aktiengesellschaft Device and method for repairing conductor path breaks by welding

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3463898A (en) * 1965-07-09 1969-08-26 Tokyo Shibaura Electric Co Welding device utilizing laser beams
US3406246A (en) * 1966-07-11 1968-10-15 United Aircraft Corp Articles for printed circuit repair
US3458102A (en) * 1967-08-09 1969-07-29 Kulicke & Soffa Ind Inc Semiconductor wafer pickup and bonding tool
US3568307A (en) * 1969-04-10 1971-03-09 Kulicke & Soffa Ind Inc Method of picking up and bonding semiconductor wafers to a carrier
US3690538A (en) * 1970-02-25 1972-09-12 Gaiser Tool Co Bonding tool
US3695502A (en) * 1970-09-14 1972-10-03 Floyd E Gaiser Bonding tool
US3762040A (en) * 1971-10-06 1973-10-02 Western Electric Co Method of forming circuit crossovers
US4030657A (en) * 1972-12-26 1977-06-21 Rca Corporation Wire lead bonding tool
DE2640613C2 (de) * 1976-09-09 1985-03-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und Vorrichtung zum Kontaktieren von Schaltungsbausteinen in eine Schichtschaltung
JPS608426Y2 (ja) * 1976-12-08 1985-03-25 シャープ株式会社 半導体ウエハ−の保持基板
US4259367A (en) * 1979-07-30 1981-03-31 International Business Machines Corporation Fine line repair technique
JPS56161693A (en) * 1980-05-19 1981-12-12 Fujitsu Ltd Method of repairing printed circuit board
FR2492164B1 (fr) * 1980-10-15 1987-01-23 Radiotechnique Compelec Procede de realisation simultanee de liaisons electriques multiples, notamment pour le raccordement electrique d'une micro-plaquette de semiconducteurs
JPS59177993A (ja) * 1983-03-28 1984-10-08 富士通株式会社 導体パタ−ン修復方法
DK149270C (da) * 1983-05-27 1986-08-25 Schering Ag Analogifremgangsmaade til fremstilling af beta-carbolin-3-carboxylsyrederivater
US4952257A (en) * 1985-02-22 1990-08-28 E-P Corporation Lamination repair method
US4630355A (en) * 1985-03-08 1986-12-23 Energy Conversion Devices, Inc. Electric circuits having repairable circuit lines and method of making the same
US4691855A (en) * 1985-12-30 1987-09-08 Fujitsu Limited Twin wire splitter system
US4667867A (en) * 1986-07-01 1987-05-26 Gte Products Corporation Wire bonding tool
US4683652A (en) * 1986-08-22 1987-08-04 Hatfield Jerry L Printed circuit repair process
GB8624513D0 (en) * 1986-10-13 1986-11-19 Microelectronics & Computer Single point bonding method
US4778097A (en) * 1986-12-04 1988-10-18 Hauser John G Ultrasonic wire bonding tool
US4908938A (en) * 1988-05-26 1990-03-20 Siemens Aktiengesellschaft Method for repairing interconnect interruptions by bridging with congruent preforms
US4912843A (en) * 1988-05-26 1990-04-03 Siemens Aktiengesellschaft Method for repairing interconnect interruptions
JPH0312478A (ja) * 1989-06-09 1991-01-21 Canon Inc 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物およびこれを含む液晶素子
US4967950A (en) * 1989-10-31 1990-11-06 International Business Machines Corporation Soldering method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4418264A (en) 1980-07-08 1983-11-29 Siemens Aktiengesellschaft Device and method for repairing conductor path breaks by welding

Also Published As

Publication number Publication date
DE69202430T2 (de) 1996-01-25
US5193732A (en) 1993-03-16
DE69202430D1 (de) 1995-06-14
EP0536076A1 (en) 1993-04-07
JPH05206619A (ja) 1993-08-13
EP0536076B1 (en) 1995-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5193732A (en) Apparatus and methods for making simultaneous electrical connections
US5288007A (en) Apparatus and methods for making simultaneous electrical connections
US5543584A (en) Structure for repairing electrical lines
US5446961A (en) Method for repairing semiconductor substrates
US5384953A (en) Structure and a method for repairing electrical lines
KR100278093B1 (ko) 반도체장치에탄성접촉구조물을장착하는방법
KR100478314B1 (ko) 다층구조의 플렉시블 배선판과 그 제조방법
US7294909B2 (en) Electronic package repair process
JP2007059931A (ja) 半導体デバイス上へのばね要素の取り付け、及びウエハレベルのテストを行う方法
JPH0691180B2 (ja) 集積回路装置
EP0460131A1 (en) Testable ribbon bonding method and wedge bonding tool for microcircuit device fabrication
JPH10270498A (ja) 電子装置の製造方法
JPH1062482A (ja) Ｉｃチップの試験のための方法および装置
JPH01501587A (ja) 電子要素の相互接続
EP0114857A1 (en) PLATES FOR CORRECTING PRINTED CIRCUITS AND METHOD FOR USING THEM.
WO1998047175A1 (fr) Procede de fabrication de dispositif et composant semiconducteurs
Wassick et al. Open repair technologies for MCM-D
JP3284890B2 (ja) バンプ付きワークのボンディング方法
JPH08148491A (ja) 接続電極の作成方法
KR19990044441A (ko) 칩의 테스트 방법 및 장치
JPH08101242A (ja) 回路配線基板の回路検査方法
JPH1022605A (ja) 混成電子部品の基板への実装方法
Jowett Thin-Film Technology
Malloy et al. Hybrid Microcircuit Rework Procedures Evaluation.
JPH06244251A (ja) 半導体装置の製造方法と、その製造方法に用いられる半導体チップおよびチップ搬送体