JPH0312478A - 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
及びそれを有する液晶素子に関するものである。

〔背景技術〕

従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ、５ｃｈａｄｔとＷ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著
“Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　
　Ｖｏ、］、８、Ｎｏ、４　（１９７１，２，１５）、
？、１２７〜１２８の”Ｖｏｌｔａｇｅ−８ｐｅｎｄｅ
ｎｔ　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ
　　ａＴｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ
　Ｃｒｙｓｔａｌ”に示されたＴ　Ｎ　（ｔ　ｗ　ｉ　
ｓ　ｔ　ｅ　ｄ　　ｎ　ｅ　ｍ　ａ　ｔ　ｉ　ｃ　）型
の液晶を用いたものである。

これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用される。

しかしこのような駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界が
かかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に太き（、液晶分子を電界に垂直に
配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設
定されるならば、表示素子は正常に動作するわけである
が、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体（
ｌフレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電界
がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）がｌ／Ｎの割合で減
少してしまう。このために、くり返し走査を行った場合
の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、
走査線数が増えれば増える程小さ（なり、結果的には画
像コントラストの低下やクロストークが避は難い欠点と
なっている。

このような現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返
し走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、２周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は１、走査線数が充分に増やせないことによ
って頭打ちになっているのが現状である。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ及びＬ
ａｇｅｒｗａｌｌにより提案されている（特開昭５６−
１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細
書等）。双安定性液晶としては一般に、カイラルスメク
ティックＣ相（ＳｍＣ本）又はＨ相（ＳｍＨ＊）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性液晶は電界
に対して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態
からなる双安定状態を有し、従って前述のＴＮ型の液晶
で用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方の電
界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液晶が配向
し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的安定状
態に液晶が配向される。また、この型の液晶は、加えら
れる電界に応答して、上記２つの安定状態のいずれかを
取り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する
性質（双安定性）を有する。

以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。

このように強誘電液晶はきわめ、て優れた特性を潜在的
に有しており、このような性質を利用することにより、
上述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、か
なり本質的な改善が得られる。

特に、高速光学光シャッターや、高密度、大画面デイス
プレィへの応用が期待される。このため強誘電性を持つ
液晶材料に関しては広く研究がなされているが、現在ま
でに開発された強誘電性液晶材料は、低温作動特性、高
速応答性等を含めて液晶素子に用いる十分な特性を備え
ているとは云い難い。

応答速度を速くするには、 （ア）自発分極の大きさＰｓを大きくする（イ）粘度η
を小さくする （つ）印加電圧Ｅを高くする 方法がある。しかし印加電圧は、ＩＣ等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。

よって、実際には粘度ηを小さくするか、自発分極の大
きさＰｓの値を太き（する必要がある。

−船釣に自発分極の大きい強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの内
部電界も大きく、双安定状態をとり得る素子構成への制
約が多くなる傾向にある。又、いたずらに自発分極を大
きくしても、それにつれて粘度も大きくなる傾向にあり
、結果的には応答速度はあまり速くならないことが考え
られる。

また、実際のデイスプレィとしての使用温度範囲が例え
ば５〜４０℃程度とした場合、応答速度の変化が一般に
２０倍程もあり、駆動電圧および周波数による調節の限
界を越えているのが現状である。

以上述べたように、強誘電性液晶素子を実用化するため
には、粘度が低く高速応答性を有し、かつ応答速度の温
度依存性の小さな強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が要求される。

代表的な強誘電性液晶セルの構成は、ガラス基板上にＩ
ＴＯ等で電極パターンを形成し、その上にＳｉＯ２等で
上下基板のショート防止層を形成（約１０００人）その
上にポリイミド（ＰＩ　；東し社５Ｐ５１０，７１０等
）膜を４００人位の膜厚で形成し、さらにＰＩ膜をラビ
ング処理したものを上下対称な配向になるように向い合
わせて構成し、その基板間隔を１〜３μｍに保つもので
ある。

一方、このような条件下で配列した強誘電性液晶は、一
般に上下基板間をねじれた状態でつながり、−軸性の配
向を示さないことが知られている（スプレー配向）。こ
のような場合問題点のひとつに、液晶層の透過率が低い
ことである。

透過光量は、分子配向の一軸性を仮定すると、クロスニ
コル下で入射光Ｉ。の強度に対してＬの強度を得る。

ここで、Δｎは屈折率異方性、ｄはセル厚、λは入射光
の波長、θａは双安定状態間の角度（チルト角）である
。

前述のセルを用い、スプレー配向を採った場合、現状で
はθａは６°〜８°である。Δｎｄπ／λのコントロー
ルは、物性的に簡単には行えないので、θａを大きくし
て工を太き（したいが、スタティックな配向手法によっ
てはなかなか達成出来ない。

このような問題に対して、強誘電性液晶のΔε項のトル
クを用いることにより、θａを広げられることが知られ
ている（１９８３．ＳＩＤでＡＴＴにより発表、特開昭
６１−２４５１４２．６１−２４６７２２．６１−２４
８７２３．６１−２４８７２４．６１−”２４９０２４
．６ｌ−２４９０２５）。

液晶のΔεが負であると、液晶分子は電界印加により基
板に平行になろうとする。この特性を利用、すなわち、
スイッチング時以外にも一定の実効的な電界を印加する
ことにより、かかるねじれ配列を解消し、θａを増大さ
せて、透過率を上げることができる（ＡＣスタビライズ
効果）。

状態のスイッチングに関するＦＬＣ分子に動（トルクｒ
Ｐ１、ＡＣスタビライズ効果に関してＦＬＣ分子に働く
トルクｒΔ、とは、各々次のような物性に比例する。

ｒ’　Ｐｓ　００　　Ｐ　ｓ・Ｅ　・曲間・（２）１”
ＡｅＯｏ　　・Δε・ε。・Ｅ２　　曲・曲・・曲（３
）（３）式によっても明らかなようにＦＬＣのΔεの符
号及び絶対値がきわめて重要な役割を示すことがわかる
。

Δεに関する物性が異なる値を持つ４種のＦＬＣのＶｒ
ｍｓに対するθａの変化を第４図に示した。

測定はＰｓによる影響を除くために６０　Ｋ　Ｈｚの矩
形交流で行った。

（１）はΔｅ　ニー　５　、５、（Ｉ［）はΔｅ・３．
０゜（ＩＩＩ）はΔεニー〇、　　（ＩＶ）はΔε〜ｉ
、。

である。

グラブを見てもわかるようにΔεが負に大きい極低電圧
でθａが大きくなり、従って、工に貢献することがわか
る。

この（Ｉ）と（ｍ）を用いた場合の透過率の差を比較し
てみると（Ｉ）では１５％なのに対し、（ＩＩＩ）では
６％であり明らかな差があった（６０ＫＨｚ±８ｖ　矩
形波印加時）。

以上の例でも知られるように、ΔεとＰｓの物性をコン
トロールすることにより、ＳＳ　ＦＬＣの表示特性を大
きく変えることができる。

強誘電性液晶組成物のΔεを負に太き（するためには、
Δεが負で、その絶対値が大きな材料を混合することが
一番有効である。例えば、分子の短軸方向に、ハロゲン
やシアン基を導入したり、分子塊骨格にペテロ原子を導
入したりすることによりΔεの大きな化合物を得ること
ができる。

Δε＜０の化合物の誘電異方性は、構造によってその大
きさに差がある。例を下に示す。

ε　く２ ２　≦ ε ≦　５ ５く ε ＜１０ Ｎ ε　　＞　　１０ す ※Ｒ，Ｒ’　　はアルキル基を示す。

大きく分類すると、ｌεＩ≦２（１Δεｌ小）の化合物
、２く１ε１≦１０（１Δε１中）の化合物、Δεｌ＞
１０（ｌΔεＩ大）の３種に分けることが出来る。１Δ
ε１小のものは、ｌΔε１を増大させる効果は殆どない
。１Δε１大のものは１Δε１増大に大変有効な材料で
ある。現在のところ、ジシアノハイドロキノン誘導体の
みが１Δε１大材料である。

しかしながら、ジシアノハイドロキノン誘導体は、１Δ
εｉ増大効果は大きいものの、粘性が高いため、その含
有比率が増加するとスイッチング特性を悪（する傾向が
ある。

一方、１Δε１が中程度のものの中には１ΔＣ増大効果
は１Δε１大　成分よりは小さいが、ある程度粘性の低
いものもある。

以上のことから、スイッチング特性が良好で、かつ、Ａ
Ｃスタビライズ効果を有する液晶組成物およびこれを含
む液晶素子を得るためには、誘電異方性が負の化合物、
好ましくは１Δε１〉２の化合物の選択、混合相手およ
び混合比率をくふうする必要がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用できるように
応答速度が速（、しかもその温度依存性が軽減されたカ
イラルスメクチック液晶組成物およびかかる液晶組成物
を使用する液晶素子を提供することにある。

本発明の他の目的は、本発明の液晶組成物に、さらに誘
電異方性が負の液晶性化合物を混合することにより液晶
素子を提供することにある。

〔問題を解決するための手段〕

本発明は下記一般式（Ｉ） Ｚは単結合もしくは−ＣＯ−であり、 〔ただし、Ｒｌ　＋　Ｒ２はＣ８〜Ｃ１８の置換基を有
していてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｙｌは
−ＣＨ２０−又は−ＯＣＨ２−１ｍ、　　ｎはｌ又は２
〕で示される化合物の少なくとも１種と、下記一般式（
ＩＩ） 〔ただし、Ｒ３は０１〜（Ｉ８の置換基を有していても
よい直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、ま単結合、
　−Ｏ−、−ＣＯ−のいづれかを示し、又、Ｐは１〜１
２を示す。〕 で示される化合物の少なくとも１種と、さらに、誘電異
方性が負の液晶性化合物をさらに少なくとも１種とを含
有することを特徴とする強誘電性カイラルスメクチック
液晶組成物ならびに該液晶組成物を１対の電極基板間に
配置してなる液晶素子を提供するものである。

また、上記一般式（Ｉ）（ｎ）および誘電異方性が負の
具体的には（Ｖｌ）で示される化合物と、さらに下記に
示す一般式（Ｉ［［）　（ＩＶ）あるいは（Ｖ）で示さ
れる特定の化合物のうち少な（とも１種とを有する強誘
電性カイラルスメクチック液晶組成物は、上記組成物（
（Ｉ）（ＩＩ）および（Ｖｌ）を有する）の特徴をさら
に向上させることができる。

よって本発明は、 下記一般式 〔ただし、Ｒ，、Ｒ２は置換基を有していてもよい０１
〜（Ｉ８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、又、Ｐは１
〜１２゜〕 で示される化合物の少なくとも１種と、下記一般式（Ｉ
ｎ） Ｙｌは−ＣＨ２０−または−ＯＣＨ２−１ｍ。

１もしくは２〕 で示される化合物の少なくとも１種と、本発明は下記一
般式（Ｉｌ） ｎは 〔ただし、Ｒ４，Ｒ，は置換基を有していてもよいＣ１
〜（Ｉ８の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、かつ
少な（とも一方は光学活性である。

〔ただし、Ｒ３は置換基を有していてもよいＣ３〜Ｃ８
８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｘ３は単結合、　
−Ｏ−、−ＣＯ− Ｚは単結合もしくは一〇〇−であり、 で示される化合物の少な（とも１種と、誘電異方性が負
の化合物とを含有することを特徴とする強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物ならびに該液晶組成物を１対
の電極基板間に配置してなる液晶素子を提供するもので
ある。

また本発明は、 下記一般式 〔ただし、Ｒ１＋　　Ｒ２は置換基を有していてもよい
０１〜Ｃｌ１ｌの直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｐは
！−１２゜〕 で示される化合物の少なくとも１種と、下記一般式（■
） Ｙ、は−ＣＨ２〇−又は−ＯＣＨ２− ｍ、　ｎはｌもしくは２〕 で示される化合物の少なくとも１種と、下記一般式（Ｉ
Ｉ） 〔ただし、Ｒ，、Ｒ７は０１〜（Ｉ８の直鎖状もしくは
け分岐状のアルキル基であり、置換基として０１〜Ｃ１
□のアルコキシ基を有していてもよい。

〔ただし、Ｒ３は置換基を有していてもよいＣ１〜（Ｉ
Ｂの直鎖状又は分岐状のアルキル基、ｘ３は単結合、　
−Ｏ−、−ＣＯ− Ｚは単結合もしくは−ＣＯ− で示される化合物の少なくとも１種と、誘電異方性が負
の化合物とを含有することを特徴とする強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物ならびに該液晶組成物を１対
の電極基板間に配置してなる液晶素子を提供するもので
ある。

また本発明は、 下記一般式 〔ただし、Ｒ，、Ｒ２は置換基を有していてもよいＣ１
〜（Ｉ８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｐは１〜１
２゜〕 で示される化合物の少なくとも１種と、下記一般式（Ｖ
） Ｙ、は−ＣＨ２０−又は−ＯＣＨ２− ｍ、　ｎは１もしくは２〕 で示される化合物の少なくとも１種と、下記一般式（Ｉ
Ｉ） 〔ただし、Ｒ，、Ｒ，は置換基を有していてもよいＣ１
〜Ｃ１１ｌの直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、　８
　ｒ Ｘ、は単結合。

〇− 一〇Ｃ− ＣＯ− ○ 〔ただし、Ｒ３は置換基を有していてもよいＣ１〜（Ｉ
８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｘ３は単結合、　
−Ｏ−、−ＣＯ− Ｚは単結合もしくは−ＣＯ− で示される化合物の少なくとも１種と、誘電異方性 が負の化合物とを含有することを特徴とする強誘電性カ
イラルスメクチック液晶組成物ならびに該液晶組成物を
１対の電極基板間に配置してなる液晶素子を提供するも
のである。

また本発明は、誘電異方性が負の液晶性化合物が、好ま
しくはΔε＜−２を示し、より好ましくはΔε＜−５、
さらに好ましくはΔε＜−１０を示す液晶化合物を用い
て、前記強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物にさ
らに含有させた強誘電性カイラルスメクチック液晶組成
物ならびにそれを有する液晶素子を提供するものである
。

また本発明は、該誘電異方性が負の液晶性化合物が、下
記一般式（■−■）から（■−■）で示される中から選
ばれる化合物を用いて前記強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶組成物さらに含有させた強誘電性カイラルスメク
チック液晶組成物ならびにそれを有する液晶素子を提供
するものである。

一般式 （Ｒａ　＊　Ｒｂは置換基を有していてもよい直鎖状又
は分岐状のアルキル基、 Ｘ１１．Ｘｄは単結合、−ｏ−、−ｃｏ−、−ｏｃ−０
゜ Ａａ、Ａｂがともに単結合の場合、Ｘｂ、ＸＣは単結合
であり、Ｘａ＋　　Ｘｄは供に単結合又は供に一〇−で
ｙａ、　　ｙｂは、シアノ基、ハロゲン、水素、ただし
ｙｂが同時に水素にはならない。〕 一般式 ［：Ｒｅ、　Ｒ１は置換基を有していてもよい直鎖状又
は分岐状のアルキル基、 ただしＡ が単結合のときＸ は単結合であり、 Ａ、が単結合のときＸｋは単結合である。〕Ａｅ、Ａｔ
が同時に単結合にはならない。〕一般式（■−■） Ｒｉ、ＲＩは置換基を有していてもよい直鎖又は分岐の
アルキル基、ただしＡｉが単結合のとき直鎖アルキル基
であり、Ｚｌは一〇−又は−Ｓ−一般式 （■−■） ＸＯ，Ｘ、は単結合、　　−ｃｏ−、−ｏｃ−−ＯＣＨ
２− −ＣＨ２ＣＨ２− ＣＨ２０− （Ｒｉ　Ｒｍは置換基を有していてもよい直鎖又は分岐
のアルキル基、 Ａ＋ｃ。

ＡＺは同時に単結合にならない。

＼〜）′ −ＣＨ２ＣＨ２− −ＣＴＣ−） 一般式 （Ｒｎ、　Ｒｏは置換基を有していてもよい直鎖又は分
岐のアルキル基、 前述の一般式（１）で示される化合物のうち、好ましい
化合物例としては、下記（１−ａ）〜（１−ｆ）式で表
わされる化合物が挙げられる。

Ｒｌ　−Ｘ　ｌ　−Ｑ−ＣＨ２０−Ｃ）−Ｘ　２−Ｒ２
Ｒ、−Ｘ　、←）−〇ＣＨ２−◎−Ｘ２−Ｒ２Ｒ、−Ｘ
　、　−Ｑ−ＣＨ２０−◎−◎−Ｘ２−Ｒ２Ｒ、−Ｘ　
、　−Ｑ−ＯＣＨ２０−◎−◎−ｘ２−Ｒ２Ｒ，−Ｘ、
−１◎−◎−ＣＨ２０−１◎−Ｘ２−Ｒ２Ｈ、−Ｘ　、
←）−◎−ＯＣＨ２←◎−Ｘ２−Ｒ２（１−ａ） （１−ｂ） （１−ｃ） （１−ｃｌ） （１−ｅ） （１−ｆ） 又さらに、上述の（１−ａ）〜（１−ｆ）式におけるｘ
ｌ、　ｘ２の好ましい例としては下記（１−４）〜（１
−ｖｉｉｉ　）を挙げることができる。

Ｘ、　が　単結合、　　Ｘ２　が　単結合Ｘ、　が　単
結合、　　Ｘ２　が　−〇−Ｘ１　が　単結合、　　Ｘ
２　が　−ＣＯ−ｘｌ　が　単結合、　　Ｘ２　が　−
○Ｃ−〇 Ｘ、　　が　−０−１Ｘ２　が　単結合Ｘ工が一〇−１
Ｘ２が一〇− Ｘ、が−０−１ｘ２が−ＣＯ− Ｘ、が−０−１Ｘ２が一０Ｃ− （Ｉ−ｉ） （１−ｉｉ） （Ｉ−ｉｉｉ） （１−ｉｖ） （１−ｖ） （１−ｖｉ） （１−ｖｉｉ） （１−ｖｉｉｉ） 又さらに、上述の （１−ａ） （１−ｆ） 式における （１−ｘｉｉ） Ｒ１がｎ−アルキル基。

Ｒ，・ Ｒ２の好ましい例としては（１−ｉｘ　）　〜（１−ｘ
ｉｉｉ　）（ＳはＯ〜７、 ｔはＯまたは１、 Ｒ１２は直鎖状も しくは分岐状のアルキル基） （ｐは０〜７であり、 ＲＩＯは直鎖状又は分岐 また、 前述の一般式 ％式％） で示される化合物のう 状のアルキル基） 好ましい化合物例としては、 下記式（ＩＩ　−ａ　）〜 （ＩＩ　−ｂ　） 式で示される化合物が挙げられる。

（ｐ。

ｑは０〜７であり、 ＲＩＯ＋ Ｒ１＋は直鎖状 もしくは分岐状のアルキル基） （ＩＩ　　−１）　） （１−ｘｉ） Ｒ１がｎ−アルキル基。

Ｒ２が−ＣＨ２−ＣＨ−ＣｒＨ２ｒ＋ｌ−ｎ＊ （ｒは１〜１２） 前述の一般式（■）で示される化合物におけ（Ｉ［−１
ｉｉ） るＸ４゜ ５の好ましい例として、 ｘ４は一〇− ＣＨ３ −ＣＯ−、Ｘ　５ −ＯＣ−を挙げることができ ］１ Ｒ４が 千〇Ｍ　２”）−ｑＣＨ−Ｒ、。

＊ ＣＨ３ 又、 さらに、 Ｒ４゜ Ｒ５のより好ま しい例とし Ｒ６が ÷ＣＨ２チ、　？Ｉ−Ｒ、。

て下記（■ （Ｉ［［−ｖ） を挙げることができ る。

（ｍ　−１ｖ） Ｒ４が ｎ−アルキル基 ＣＨ３ Ｒ４が アルキル基 Ｒ６が （：　ＣＨ２）　ｒＣＨ（ＣＨ２）　。

＊ ＯＲ，。

Ｒ５が ＣＨ３ （：　ＣＨ２）　ｐチーＲ１３ （ｍ−ｖ） ＣＨ３ Ｒ４が （ＣＨ２）　ｔＣＨ（ＣＨ２＋　ｕ　ＯＲ＋ｓ＊ （Ｉ［［−１ｉ） ＣＨ３ Ｒ６が ｎ−アルキル基 Ｒ４が ÷ＣＨ２）　９０Ｈ−Ｒ、。

＊ 上記ｍ　−ｉ〜■ 一■において、 Ｒ５が ｎ−アルキル基 Ｒ１３〜ＲＩｌｌは直鎖状又は分岐状のアルキル基、ｔ
は０〜７、 Ｕは０又は１゜ 前述の一般式（ｒＶ）で示される化合物において好まし
い化合物例として下記（ｒＶ−ａ）〜（ｒ’／　−ｐ）
式で表わされる化合物を挙げることができる。

又、さらに上述の（ＩＶ−ａ）〜（ＩＶ−ｐ）式におけ
るＲ６＋　　Ｒ７の好ましい例としては（■−ｉ）〜（
ｒＶ　−ｖｉ）を挙げることができる。

（ｒＶ　−ｉ）　　Ｒ，がｎ−アルキル基でありＲ７が
ｎ−アルキル基である （ＩＶ−ｉｉ）　　Ｒ６がｎ−アルキル基Ｈ３ Ｒ７が÷ＣＨ２←ＣＨＲ，７ （光学活性もしくはラセミ体） （■ ｉｉｉ　） ６がｎ− アルキル基 Ｈ３ （光学活性もしくはラセミ体） す （光学活性もしくはラセミ体） Ｒ７がｎ−アルキル基 （ＩＶ−ｖ） （ｒＶ−ｖｉ） ＣＨ３ 夛 Ｒ６がモＣＨ２＋−ＣＨＲ＋ｓ （光学活性もしくはラセミ体） ＣＨ。

Ｒ７が千ＣＨ２′＋−ＣＨＲ１７ （光学活性もしくはラセミ体） ＣＨ。

Ｒｏが千ＣＨ２←ＣＨＲ，。

（光学活性もしくはラセミ体） ＣＨ３ 前述の一般式（Ｖ）で示される化合物において好ましい
化合物例として下記する（Ｖ−ａ）〜（Ｖ−ｑ）式で表
わされる化合物を挙げることができる。

上記ＩＶ−ｉ〜ＩＶ−ｖｉにおいて、Ｒ１□＋　　ＲＩ
ｆ！ｌ＋　　Ｒ１９は直鎖状もしくは分岐状のアルキル
基を示す。

ｐ、　ｑ、　ｓは０〜７であり、ｒは０もしくは１゜ま
たさらに、上述の（Ｖ−ａ）〜（Ｖ−ｑ）におけるＸ　
８　＋　　Ｘ　９の好ましい例として（Ｖ−ｉ）〜（Ｖ
−ｖｉｉｉ）を挙げることができる。

（Ｖ　−４） （Ｖ　−１ｔ） （Ｖ　−１ｉｉ） （Ｖ　−１ｖ） （Ｖ　−ｖ） （Ｖ　−ｖｉ） Ｘ８　が　単結合、 Ｘ８　が　単結合、 Ｘ８が一〇− Ｘ８が一〇− Ｘ、が−ＯＣ− Ｘ８が一〇〇− （Ｖ　−ｖｉｉ）　Ｘ　Ｂが （Ｖ　−ｖｉｉｉ）　Ｘ　６が 一〇〇− ＣＯ− Ｘ、　が　単結合 Ｘ、が−〇− Ｘ９　が　単結合 Ｘ、が−〇− Ｘ、　が　単結合 Ｘ、が−０− Ｘ、　が　単結合 Ｘ、が−Ｏ− 前記一般式（１）で示される化合物の具体的な構造式の
例を以下に示す。

ｎ　Ｃ？　Ｈ＋ｓ＋　ＯＣＨ２４４０ ６Ｈ１１ ｎ−Ｃ８Ｈ，７−＠）−〇ＣＨ２−＠）舎０−Ｃ７Ｈ，
５−ｎｎ−Ｃ６Ｈ＋＊＋　ＯＣＨ２ヘ◇÷０ ＣｇＨ，７−ｎ 又、さらに、上述の（Ｖ−ａ）〜（Ｖ−ｑ）におけるＲ
、、Ｒ３の好ましい例として直鎖状のアルキル基を挙げ
ることができる。

ｎ−Ｃ４Ｈｓ　＋　ＯＣＨ２４４−０−Ｃａ　Ｈ１３（
ｉ−ｔｓ） す 前記一般式（１）で示される化合物は特開昭６０−１４
９５４７　（１９８６年）、特開昭６１−６３６３３　
（１９８６年）に記載される合成法により得られる。代
表的な合成例を以下に示す。

合成例１（化合物Ｎｏ、１−５４の合成）３０ｍ！！ナ
スフラスコに下記アルコール誘導体１．０ｇ（４，８１
ｍｍｏ！　）を入れ、冷却下、塩化チオニル３ｍｌを加
え、撹拌しながら室温まで昇温させ、さらに冷却管を取
りつけ、外温７０℃〜８０℃で４時間加熱環流を行った
。反応後過剰の塩化チオニルを留去し、塩化物を得た。

これをトルエン１５ｍｊ’に溶解した。

次に２００ｍｆの三つロフラスコに６０％油性水素化ナ
トリウム０．３３ｇを入れ乾燥ｎ−ヘキサンで数回洗ツ
タ後、下記フェノール誘導体１．５２ｇ　（４，８１ｍ
ｍｏｌ）のＴ）ＩＦ溶液１５　ｍ　ｌを室温下漬下し、
さらにＤＭＳＯを２０ｍ１加え１時間撹拌した。これに
、先に述べた塩化物のトルエン溶液をゆっくりと滴下し
、滴下終了後さらに室温にて１６時間撹拌を続けた。

反応終了後約２００ｍＡ’の氷水にあけ、有機層を分離
しさらに水層をベンゼン５０ｍ１にて２回抽出を行い、
先に分離した有機層と共に５％塩酸水溶液で２回洗った
後、イオン交換水で１回、さらに５％ＮａＯＨ水溶液で
１回洗いその後、水層のｐＨ値が中性を示すまでイオン
交換水で有機層を水洗した。

有機層を取り出し硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、溶
媒留去して粗製物を得た。これを展開液ｎ−へキサン／
ジクロロメタン、３／１０を用いて、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製を行った。

溶媒留去して得た結晶を、ｎ−ヘキサンを用いて再結晶
して精製目的物を得た。さらに室温にて減圧乾燥を行い
最終精製目的物を０．６９ｇ得た。収率は２８．５％で
あった。

元素分析値（ｗｔ％）ＣＨＮ 計算値　　７８．３３　　　８．５７　　　０．００測
定値　　７８．９６　　　８．６９　　　０．０２相転
位 合成例２（化合物Ｎｏ、１−６８の合成）３０ｍｌナス
フラスコに下記アルコール誘導体１．２５ｇ（４，０１
ｍｍｏｌ　）を入れ、冷却下、塩化チオニル３ｍＡ’を
加え、撹拌しながら室温まで昇温させ、さらに冷却管を
取りつけ、外温７０℃〜８０℃で４時間加熱環流を行っ
た。反応後過町の塩化チオニルを留去し、塩化物を得た
。これをトルエン１５ｍ１に溶解した。

次に２００ｍ１の三つロフラスコに６０％油性水素化ナ
トリウム０．３１ｇを入れ乾燥ｎ−ヘキサンで数回洗っ
た後、下記フェノール誘導体０．７９ｇ　（４，Ｏｌｍ
ｍｏｌ）のＴＨＦ溶液１５　ｍ　ｌを室温下漬下し、さ
らにＤＭＳＯを２０ｍ１’加え１時間撹拌した。これに
、先に述べた塩化物のトルエン溶液をゆっ（りと滴下し
、滴下終了後さらに室温にて１６時間撹拌を続けた。

反応終了後約２００ｍ１’の氷水にあけ、有機層を分離
しさらに水層をベンゼン５０　ｍ　１２にて２回抽出を
行い、先に分離した有機層と共に５％塩酸水溶液で２回
洗った後、イオン交換水で１回、さらに５％Ｎ　ａ　Ｏ
Ｈ水溶液で１回洗いその後、水層のｐＨ値が中性を示す
までイオン交換水で有機層を水洗した。

有機層を取り出し硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、溶
媒留去して粗製物を得た。これを展開液ｎ−ヘキサン／
ジクロロメタン、３／１０を用いて、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにて精製を行つた。

溶媒留去して得た結晶を、ｎ−へキサンを用いて再結晶
して精製目的物を得た。さらに室温にて減圧乾燥を行い
最終精製目的物を０．５１ｇ得た。

収率 前記一般式（Ｉ［） で示される化合物の具体的な は２６．０％であった。

構造式の例を以下に示す。

ＣＨＮ分析値（ｗｔ％） 計算値 ７８．３３ ８．６３ ０．００ 理論値 ７８．６２ ８．８６ ０．０２ 相転位 Ｓ２゜ は未同定 ＩＲスペクトル ２９７５゜ ２９２５゜ ２８５０゜ １６１０゜ １５１０゜ １４７０゜ １３８０゜ １２９５゜ １２８０゜ ！２４０゜ １２２０゜ １１３０゜ １０２０゜ １０００゜ 一般式（ｎ）で示される化合物は下記に示すような合成
経路Ａ、Ｂ、Ｃで得ることができる。

合成経路Ａ 合成経路Ｂ 合成経路Ｃ （Ｒ３＋　　ｘ３＊　　ｐは前述の通りである）一般式
（Ｉ［）で示される化合物の代表的な合成例を以下に示
す。

合成例１（化合物Ｎｏ、２−１７の合成）ｐ−２−フル
オロオクチルオキシフェノール１．ＯＯｇ（４，１６ｍ
Ｍ）をピリジン１０ｍ！！、トルエン５　ｍ　ｌに溶解
させ、トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキサンカル
ボン酸クロライド１．３０ｇ　（６，ＯＯｍＭ）をトル
エン５ｒｒ＋ｊ７に溶解した溶液を、５℃以下、２０〜
４０分間で滴下した。滴下後、室温で一晩撹拌し、白色
沈殿を得た。

反応終了後、反応物をベンゼンで抽出し、さらにこのベ
ンゼン層を蒸留水で洗ったのち、ベンゼン層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、ベンゼンを留去した。さらにシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらに
エタノール／メタノールで再結晶して、トランス−４−
ｎ−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−ｐ−２−フル
オロオクチルオキシフェニルエステル１．２０ｇ　（２
，８６ｍＭ）を得た。（収率６８．６％） ＮＭＲデータ（ｐｐｍ） ０　、８３〜２　、８３　ｐ　ｐ　ｍ　　（３４Ｈ、ｍ
　）４　、　ＯＯ〜４　、５０　ｐ　ｐ　ｍ　　（２Ｈ
、、ｑ　）７、ｌＬｐｐｍ　　　　　　　（４Ｈ，Ｓ　
５）ＩＲデータ（ｃ　ｍ−’　） ３４５６、　２９２８．　２８５２．　１７４２゜１４
７０、　１２４８．　１２００．　１１６６８５４゜ 相転移温度（’Ｃ） １、５０８　。

１１３２゜ （ここで、Ｓ　３＋　　Ｓ　４＋　　”　１５＋　　Ｓ
６は、ＳｍＣ木よりも秩序度の高い相を示す。） 合成例２（化合物Ｎｏ、２−２９の合成）十分に窒素置
換された容器に、（−）　−２−フルオロヘプタツール
０．４０ｇ　（３，０ｍｍｏｌ）と乾燥ピリジン１．Ｏ
Ｏｇ　（１３ｍｍｏｌ）を入れ水冷下で３０分間乾燥し
た。その溶液にｐ−トルエンスルホン酸りロリド０．６
９ｇ　（３，６ｍｍｏｌ）を加え、そのまま５時間撹拌
を続けた。反応終了後、ｌＮＨ０１１０ｍＡ’を加え、
塩化メチ１ノン１０　ｍ　ｌで２回抽出を行った後、そ
の抽出液を蒸留水１０ｎｌで１回洗浄した。得られた塩
化メチレン溶液に無水硫酸ナトリウムを適宜加えて乾燥
したのち、溶媒を留去しく＋）　−２−フルオロヘプチ
ルｐ−トルエンスルホン酸エステル０．５９ｇ　（２，
０ｍｍｏりを得た。

収率は６６％である。生成物の比旋光度およびＩＲデー
タは下記の通りである。

比旋光度［α］管’　＋　２．５　ｇ　。

（ｃｍｌ、ＣＨＣｌ　　３　）。

比旋光度［α］溜＋９．５８゜ （ｃｍ１．ＣＨＣｌ　３　）。

ＩＲ（ｃｍ−１）： ２９００、　　２８５０、　　１６００、　　１４５０
．１３５０、　　１１７０、　　１０９０、　　９８０
．８１０、　　　　６６０、　　　５５０゜上記のよう
にして得られた（＋）−２−フルオロヘプチルｐ−トル
エンスルホン酸エステル０．４３ｇ（１，５ｍｍｏｌ）
と５−オクチル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリ
ミジン０．２８ｇ　（１，０ｍｍｏｌ）に１−ブタノー
ル０６２ｍ１を加えよ（撹拌した。その溶液に、あらか
じめ１−ブタノール１．０ｍｌに水酸化すトリウム０．
０４８ｇ　（１，２ｍｍｏｌ）を溶解させて調製してお
いたアルカリ溶液を速やかに注ぎ５時間半、加熱環流し
た。反応終了後蒸留水１０ｍ１を加え、ベンゼン１０ｍ
Ａ’および５ｍｆでそれぞれ１回づつ抽出を行った後、
その抽出液を無水硫酸ナトリウムを適宜加えて乾燥した
。乾燥後、溶媒を留去し、シリカゲルカラム（クロロホ
ルム）により目的物である（＋）−５−才クチル−２−
［４−（２−フルオロヘプチルオキシ）フェニルコビリ
ミジン０　、１７　ｇ　（０、４３ｍ　ｍ　ｏ　Ｉ　）
を得た。

収率は４３％であり、以下のような比旋光度およびＩＲ
データが得られた。

比旋光度［α］漬＋０．４４゜ （ｃｍｌＳ　ＣＨＣｌ　３）。

比旋光度［α］溜＋４．１９゜ （ｃｍ　ｌ　、ＣＨＣｌ　３　）。

ＩＲ（ａｍ−’）： ２９００、　　２８５０、１６００、１５８０゜１４２
０、　１２５０、１２６０．　８００．７２０、　　６
５０、　５５０゜ 前記一般式（ＩＩＩ）で示される化合物の具体的な構造
式の例を以下に示す。

υ Ｏ Ｏ 前記一般式 （ｍ） で示される化合物、 例えば Ｒ、Ｏ−◎−ＣＯＯ−ｏ−ＯＲ。

は下記に示すような 合成経路で得ることができる。

（Ｒ は前述の通り） 前記一般式 で表わされる液晶性化合物の 具体的な構造式の例を以下に示す。

○ ○ ！１０ ！１ ．１２ ＣＨ。

Ｈ３ す 前記一般式（ｍＶ）で示される化合物は、例えば特開昭
６１−９３１７０．特開昭６１−２４５７６、特開昭６
１−１２９１７０．特開昭６１−２００９７２．特開昭
６１−２００９７３．特開昭６１−２１５３７２．特開
昭６１−２９１５７４．東独特許９５８９２　（１９７
３年）などに記載の合成方法により得られる。例えば下
記に示すような合成経路で得ることができる。

Ｒ７Ｘ　７８　ＣＮ （Ｒ８，Ｒ７，Ｘ？は前述の通り） 一般式（ＩＶ）で示される化合物の代表的な合成例を以
下に示す。

合成例１　（Ｎｏ、４−７１の化合物の合成）ピリジン
５ｍｆに溶かした５−メトキシヘキサノール１．、０６
　ｇ　（８，０ｍ　ｍｏｌ、　）にピリジン５ｍｌに溶
かしたｐ−トルエンスルホン酸クロライド１．８３ｇ　
（９，６ｍｍｏｌ）を氷水浴中５°Ｃ以下で滴下した。

室温で６時間撹拌後、反応混合物を冷水１００＋ｎｌに
注入した。６Ｎ塩酸で酸性側とした後、イソプロピルエ
ーテルで抽出した。有機層を水洗後、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、その後溶媒留去して、５−メトキシヘキ
シル−１）−）ルエンスルホネートを得た。

ジメチルホルムアミド１０ｍ１に５−デシル−２−（ｐ
−ヒドロキシフェニル）ピリミジン２．０ｇ（６，４１
ｍｍｏ１）、水酸化カリウム０．６１ｇを加え、１００
℃で４０分間撹拌した。これに、先に得た５−メトキシ
ヘキシル−ｐ−トルエンスルホネートを加え、１００℃
で４時間加熱撹拌した。反応終了後、反応混合物を冷水
１００ｍｊ？に注入し、ベンゼンにより抽出した。水洗
後、無水硫酸マグネシウムにより乾燥し溶媒留去して淡
黄色油状物を得た。カラムクロマトグラフィー（シリカ
ゲル−酢酸エチル／ベンゼン＝１／９）により精製後、
ヘキサンより再結晶して５−デシル−２−ｉ４−（５’
−メトキシへキシルオキシ）フェニル）ピリミジン（化
合物Ｎｏ、　４−７１）　１．３５ｇを得た。

相転移温度（℃） 合成例２　（Ｎｏ、４−７６の化合物の合成）６−ベン
チルオキシヘブタノール２．０４　ｇをピリジン８ｍＩ
！に溶かし水冷した後、ピリジン５ｍｊ７に溶かしたト
シルクロライド２□２６ｇを徐々に滴下した（５℃以下
、７分）。その後、室温にて５時間撹拌した。

反応混合物を氷水１５０ｍ１！に注入し、６Ｎ塩酸水溶
液でｐＨ３程度にした後、酢酸エチルにより抽出した。

これを水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、
溶媒留去して（６−ペンチルオキシヘプチル）ｐ−トル
エンスルホネート２．９８ｇを得た。

５−ｎ−デシル−２−（４−１＝ドロキシフェニル）ピ
リミジン３．１２ｇ及び水酸化カリウム０．５３ｇをジ
メチルホルムアミド１４ｍ１に溶かし、１００℃で３時
間加熱撹拌した後、（６−ペンチルオキシヘプチル）ｐ
−トルエンスルホネー）２．９８ｇを添加し、１００℃
で５時間加熱撹拌した。

反応混合物を氷水２００ｍ１に注入し、６Ｎ塩酸水溶液
でｐＨ３程度にした後ベンゼンにより抽出した。これを
水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒留去し
て粗生成物４．７１ｇを得た。これをシリカゲルカラム
クロマト精製（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝ｌＯ／２）
　した後、さらにヘキサンから再結晶し、５−ｎ−デシ
ル−２−［４−（６−ペンチルオキシへブチルオキシ）
フェニル］ピリミジン１．５６ｇを得た。

ＩＲ（ｃｍ−１） ２９２４．２８５２，１６１０，１５８６，１４７２゜
１４３６．１２５４，１１６８，１０９６．　７９８合
成例以外の化合物についても以下の合成経路Ａ、Ｂによ
り得ることができる。

合成経路Ａ 合成経路Ｂ 相転移温度（℃） （上記式においてＲ６＋Ｒ７＋Ｘ６　＋　　ｑ＋　　ｒ
は前述の通りである。） 前記一般式（Ｖ）で示される化合物の具体的な構造式の
例を以下に示す。

○ ○ −ｔｏｓ ○ 一般式（Ｖ）で示される化合物の代表的な合成例を以下
に示す。

合成例１（化合物Ｎｏ、５−６５の合成）５−ドデシル
−２−（４’　−ヒドロキシフェニル）ピリミジン１．
０ｇ（２，９４ｍｍｏｊ’　）をトルエン４ｍｌ及びピ
リジン４ｍｌに溶かした。これにトルエン４ｍｌに溶か
したトランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボ
ン酸クロリド（関東化学ｔｍ製）０．５５ｇを氷水洛中
５℃以下で徐々に滴下した。滴下終了後、室温で１２時
間撹拌し、反応を見合物を氷水１００ｍｊ７中に注入し
た。６Ｎ塩酸で酸性側とした後、ベンゼンで抽出し、こ
れを水、５％炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順次洗浄
した。硫酸マグネシウムにより乾燥した後、溶媒留去し
、クリーム色の粗生成物を得た。これをカラムクロマト
グラフィーにより精製した後、さらにエタノール１酢酸
エチル混合溶媒から再結晶し、白色の標記化合物０．９
４ｇを得た。（収率６４．８％）相転移温度（０Ｃ） 合成例２（化合物％ｏ、５−１３３の合成）（＋）ｌ−
ランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボン酸ク
ロライドｌＯｇ　（５３，６ｍｍｏｆ’）をエタノール
３０ｍｆにとかし、これに少量のトリエチルアミンを加
え室温で１０時間撹拌した。反応混合物を氷水１００ｍ
１に注入し、６Ｎ塩酸水溶液を加え酸性側とした後、イ
ソプロピルエーテルにより抽出した。有機層を洗液が中
性となるまで水洗を繰り返した後、硫酸マグネシウムに
より乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーにより精製し、トランス−４−ｎ−プロピル
シクロヘキサンカルボン酸エチルエステル９．９ｇを得
た。

（ｎ）水素化アルミニウムリチウム０．７３ｇ　（１９
，１ｒｎｍｏｌ）を乾燥エーテル３０　ｍ　ｌに添加し
、１時間加熱環流した。氷水洛中でｌＯ°Ｃ程度まで冷
却した後、乾燥エーテル３０ｍ１に溶かしたトランス−
４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボン酸エチルエス
テル５ｇ　（２５，５ｍｍｏｆ）を徐々に滴下した。滴
下終了後、室温で１時間撹拌し、さらに１時間加熱環流
させた。これを酢酸エチル、６Ｎ塩酸水溶液で処理した
後、氷水２００ｍｆｆ１に注入した。

イソプロピルエーテルにより抽出した後、有機相を水、
水酸化ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し、硫酸マグネ
シウムにより乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し、トランス−４−ｎ−
プロピルシクロヘキシルメタノール３．５ｇを得た。

（■）トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシルメタ
ノール３．４ｇ　（２２，４ｍｍｏｊ？　）をピリジン
２０ｍ１に溶かした。これにピリジン２０ｍ１に溶かし
たｐ−トルエンスルホン酸クロライド５．３ｇを氷水洛
中で５℃以下に冷却しながら滴下した。室温で１０時間
攪拌した後、氷水２００　ｍ、　１２に注入した。６Ｎ
塩酸水溶液により酸性側とした後、イソプロピルエーテ
ルで抽出した。有機相を洗液が中性となるまで水洗を繰
り返した後、硫酸マグネシウムにより乾燥した。これを
溶媒留去して、トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ
シルメチル−ｐ−トルエンスルホネートを得た。

（ＩＶ）ジメチルホルムアミド４０ｍ１に５−デシル−
２−（４’−ヒドロキシフェニル）ピリミジン６．３ｇ
（２０，２ｍｍｏｆ）を溶かした。これに８５％水酸化
カリウム１．５ｇを加え、１００℃で１時間撹拌した。

これにトランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシルメチ
ル−ｐ−トルエンスルホネート６．９ｇを加え、さらに
１００℃で４時間撹拌した。反応終了後、これを氷水２
００ｍ　ｌに注入し、ベンゼンで抽出した。

有機相を水洗した後、硫酸マグネシウムにより乾燥した
。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製し、これをさらにエタノール／酢酸エチル混合
溶媒から再結晶して、前記例示化合物Ｎｏ、５−１３３
を得た。

ＩＲ（ｃｍ”）二 ２９２０．２８４０，１６０８，１５８４１４２８、　
１２＋）８．　１１６４．　８００相転移温度 （℃） ６２．９ ８６．８ ９７．８ （Ｓｍ２はＳｍＡ。

ＳｍＣ以外のスメクチック相。

１３６．８ 未同定） 又、 Ｚが単結合である場合、 例えば、 で表わされる化合物は、下記の合成経路で合成すること
ができる。

前記一般式（■−■）から（■−■）で表わされる液晶
性化合物の具体的な構造式の例を以下に示す。但し、（
■）式において、各Ｒが示すアルキル基の炭素数は１〜
１８、好ましくは４〜１６、より好ましくは６〜１２を
示す。

一般式（■−■） す す す （６＝１０） す り り り す Ｃ す ｒ す Ｃ ｒ ｒ す リ リ Ｃ Ｃ ｒ ｒ 一般式 （■−■） す す す す υ 一般式（■−■） （６−Ｈ９） 一般式（■−■） Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ （６−１，７０） Ｎ Ｎ ○ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ 本発明の液晶組成物は、前記一般式（１）で示される化
合物の少なくとも１種と、前記一般式（■）で示される
化合物の少な（とも１種と、他の液晶性化合物１種以上
とを適当な割合で混合することにより得ることができる
。また、本発明の液晶組成物は、前記一般式（１）で示
される化合物の少なくとも１種と、前記一般式（ｎ）で
示される化合物の少なくとも１種と、及び一般式（ｍ）
で示される化合物の少なくとも１種と、他の液晶性化合
物１種以上とを適当な割合で混合することにより得るこ
とができる。また、本発明の液晶組成物は、前記一般式
（ＩＶ）で示される化合物の少なくとも１種と、前記一
般式（ｎ）で示される化合物の少なくとも１種と、及び
一般式（１）で示される化合物の少なくとも１種と、他
の液晶性化合物１種以上とを適当な割合で混合すること
により得ることができる。また、本発明の液晶組成物は
、前記一般式（Ｖ）で示される化合物の少なくとも１種
と、前記一般式（Ｕ）で示される化合物の少なくとも１
種と、及び一般式（１）で示される化合物の少な（とも
１種と、他の液晶性化合物１種以上とを適当な割合で混
合することにより得ることができる。

本発明の他の目的の液晶組成物は、上記液晶組成物にさ
らに誘電異方性が負の液晶性化合物を少なくとも１種以
上適当な割合で混合することにより得ることができる。

本発明による上述の各組合わせの液晶組成物は、強誘電
性液晶組成物、特に強誘電性カイラルスメクチック液晶
組成物が好ましい。

本発明で用いる他の液晶性化合物の具体的例を下記にあ
げる。

Ｃ＠Ｈ１７０＋ＣＯＳ　＋　０ＣＨ２ＣＨＣ２Ｈｓネ Ｈ３ υ υ す す す す υ 本発明の強誘電性液晶組成物において、本発明の一般式
（Ｉ）で示される液晶性化合物、−殺伐（ＩＩ）で示さ
れる液晶性化合物、それぞれと、上述した他の液晶性化
合物一種以上、あるいは、それを含む液晶性組成物（液
晶材料と略す）との配合割合は、液晶材料１００重量部
当り、本発明−殺伐（Ｉ）、−殺伐（ｎ）で示される液
晶性化合物それぞれを１〜３００重量部、より好ましく
は２〜１００重量部とすることが好ましい。

また、本発明の一般式（Ｉ）、−殺伐（ｎ）で示される
液晶性化合物のいずれか、あるいは全てを２種類以上用
いる場合も他の液晶材料との配合割合は、前述した液晶
材料１００重量部当、本発明−殺伐（Ｉ）、−殺伐（■
）で示される液晶性化合物のいずれか、あるいは全ての
２種以上の混合物を、１〜５００重量部、より好ましく
は２〜１００重量部とすることがのぞましい。

また、−殺伐（Ｉ）で示される液晶性化合物に対する一
般式（ｎ）で示される液晶性化合物の重量比［−殺伐（
Ｉ）／−殺伐（■）］は１／３００から３００／１であ
り、好ましくは１１５０がら５ｏ／１であることが望ま
しい。

一般式（１）、−殺伐（ＩＩ）で示される液晶性化合物
のそれぞれ２種以上用いる場合、−殺伐（１）／−殺伐
（ｎ）は１１５００から５００／ｌであり、好ましくは
１１５０から５０／１であることが望ましい。

また、−殺伐（１）で示される液晶性化合物と、−殺伐
（ｎ）で示される液晶性化合物の総量と、上述した液晶
材料との配合割合は、−殺伐（１）と−殺伐（Ｉ［）の
総量１００重量部当り、他の液晶材料を２〜６００重量
部、好ましくは４〜２００重１部とすることが望ましい
。

また、−殺伐（■）、−殺伐（Ｉ［）で示される液晶性
化合物のそれぞれを２種以上用いる場合も、殺伐（Ｉ）
で示される液晶性化合物と一般式（■）で示される液晶
性化合物の総量と、上述した液晶材料との配向割合は、
−殺伐（ｉ）、−殺伐（ＩＩ）の総量１０ｏ重量部当り
、上述した液晶材料を２〜ｉ　ｏｏｏ重量部、好ましく
は４〜２００重１部とすることが望ましい。

さらに、誘電異方性が負の成分を含有する強誘電性液晶
組成物中における誘電異方性が負の成分の含有量は、１
〜９８重量％である。特にΔε＜−２の成分を用いる場
合、Δε＜−２の成分の含有量は、１〜７０重Ｉ％好ま
しくは、１〜５０重量％とすることが望ましい。

一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物と、−殺伐（ＩＩ
）で示される液晶性化合物と、誘電異方性が負の成分と
の総量は、本発明の強誘電性液晶組成物中において、３
〜ｌＯｏ重量％含有される。

本発明の強誘電性液晶性組生物に於て、−殺伐（１）で
示される液晶性化合物、−殺伐（ＩＩ）で示される液晶
性化合物、および−殺伐（１！りで示される液晶性化合
物それぞれと、上述した他の液晶性化合物一種以上、あ
るいは、それを含む液晶性組成物（液晶材料と略す）と
の配合割合は、液晶材料１００重量部当り、本発明−殺
伐（Ｉ）、−殺伐（ｎ）、及び−殺伐（ｍ）で示される
液晶性化合物それぞれを１〜３００重量部、より好まし
くは２〜ｌｏ。

重量部とすることが好ましい。

また、本発明の一般式（Ｉ）、−殺伐（ｎ）、及び−殺
伐（ｍ）で示される液晶性化合物のいずれか、あるいは
全てを２種以上用いる場合も液晶材料との配合割合は、
前述した液晶材料１００重世部当り、本発明−殺伐（１
）、−殺伐（■）、−殺伐（］ＩＩ）で示される液晶性
化合物のいずれか、あるいは全ての２種以上の混合物を
、１〜５００重量部、より好ましくは２〜ｌＯＯ重量部
とすることが望ましい。

また、−殺伐（Ｉ）〜（ｍ）で示される液晶性化合物の
各々の比率は、 一般式（１）　／−殺伐（■）　／−殺伐Ｃｍ）＝１〜
３００　　／　　１〜３００　　　　／　　１〜３００
であり、また好ましくは、 一般式（Ｉ）　／−殺伐（■）　／−殺伐（ｍ）＝１〜
５０　　　／　　１〜５０　　　　／　　１〜５０であ
ることが望ましい。

一般式（ｒ）〜（ＩＩＩ）で示される液晶性化合物の各
々を２種以上用いる場合の各々の比率は、−殺伐（Ｉ）
　／−殺伐（■）　／−殺伐（ｍ）（２種以上）　　（
２種以上）　　　（２種以上）＝１〜５００　　　／　
　　１〜５００／１〜５００であり、またより好ましく
は 一般式（Ｉ）　／−殺伐（■）　／−殺伐（Ｉ［［）（
２種以上）　　（２種以上）　　　（２種以上）＝１〜
５０　　／　ｌ〜５０　　　／　ｌ〜５０であることが
望ましい。

また、前述の液晶材料と、−殺伐（１）〜（Ｉ［Ｉ）で
示される液晶性化合物の総量との比率は、該液晶性化合
物を１種づつ用いる場合は前述の液晶材料１００重量部
に対し、−殺伐（１）〜（ｍ）で示される液晶性化合物
の総量が３〜９００重量部、より好ましくは６〜３００
重量部となることが望ましい。

−殺伐（１）〜（ＩＩＩ）で示される液晶性化合物のい
ずれか、あるいは、各々を２種以上用いる場合、前述の
液晶材料と該液晶性化合物の総量との比率は、前述の液
晶材料１００重量部に対し、−殺伐（Ｉ）〜（［）で示
される液晶性化合物の総量が３〜１５００重１部、より
好ましくは６〜３００重量部となることが望ましい。

さらに、誘電異方性が負の成分を含有する強誘電性液晶
組成物中における誘電異方性が負の成分の含有量は、１
〜９７重量％である。特にΔε＜−２の成分を用いる場
合、Δε＜−２の成分の含有Ｉは、１〜７０重蚤％、好
ましくは１〜５０重量％とすることが望ましい。

一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物と、−殺伐（ｎ）
で示される液晶性化合物と、−殺伐（ｍ）で示される液
晶性化合物と、誘電異方性が負の成分との総量は、本発
明の強誘電性液晶組成物中において、４〜１００重量％
含有される。

本発明の強誘電性液晶性組生物に於て、−殺伐（Ｉ）で
示される液晶性化合物、−殺伐（Ｉｌ［）で示される液
晶性化合物、および−殺伐（ＴＶ）で示される液晶性化
合物それぞれと、上述した他の液晶性化合物一種以上、
あるいは、それを含む液晶性組成物（液晶材料と略す）
との配合割合は、液晶材料１００重量部当り、本発明−
殺伐（Ｉ）、−殺伐（ＩＩ）、及び−殺伐（ＩＶ）で示
される液晶性化合物それぞれを１〜３００重量部、より
好ましくは２〜１００重量部とすることが好ましい。

また、本発明の一般式（Ｉ）、−殺伐（ｎ）、及び−殺
伐（ＴＶ）で示される液晶性化合物のいずれか、あるい
は全てを２種以上用いる場合も液晶材料との配合割合は
、前述した液晶材料１００重量部当り、本発明−殺伐（
１）、−殺伐（Ｉ［）及び−殺伐（ＩＶ）で示される液
晶性化合物のいずれか、あるいは全ての２種以上の混合
物を、１〜５００重量部、より好ましくは２〜１００重
量部とすることが望ましい。

また、−殺伐（１）、（■）、（ＩＶ）で示される液晶
性化合物の各々の比率は、 一般式（Ｉ）　／−殺伐（■）　／−殺伐（ｒＶ）＝１
〜３００　　／　　１〜３００／１〜３００であり、ま
た好ましくは、 一般式（Ｉ）　／−殺伐（■）　／−殺伐（ｒＶ）＝１
〜５０　　／　１〜５０　　　／　ｌ〜５０であること
が望ましい。

一般式（１）、（ＩＩ　）、（ｒＶ）で示される液晶性
化合物の各々を２種以上用いる場合の各々の比率は、−
殺伐（Ｉ）　／−殺伐（■）　／−殺伐（ＴＶ）（２種
以上）　　（２種以上）　　　（２種以上）＝１〜５０
０　　／　　１〜５００／Ｉ〜５００であり、またより
好ましくは 一般式（Ｉ）　／−殺伐（■）　／−殺伐（ｒＶ）（２
種以上）　　（２種以上）　　　（２種以上）＝１〜５
０　　／　１〜５０　　　／　ｌ〜５０であることが望
ましい。

また、前述の液晶材料と、−殺伐（Ｉ　）、（ＩＩ　）
、（ｒＶ）で示される液晶性化合物の総量との比率は、
該液晶性化合物を１種づつ用いる場合は前述の液晶材料
１００重量部に対し、−殺伐（Ｉ　）、（ＩＩ　）、（
ｒｖ）で示される液晶性化合物の総量が３〜９００重１
部、より好ましくは６〜３００重量部となることが望ま
しい。

一般式（Ｉ　）、（ｎ　）、（ＩＶ）で示される液晶性
化合物のいずれか、あるいは、各々を２種以上用いる場
合、前述の液晶材料と該液晶性化合物の総量との比率は
、前述の液晶材料１００重量部に対し、−殺伐（１）、
（ｎ　）、（Ｔ’／）で示される液晶性化合物の総量が
３〜１５００重量部、より好ましくは６〜３００重量部
となることが望ましい。

さらに、誘電異方性が負の成分を含有する強誘電性液晶
組成分中における誘電異方性が負の成分の含有量は、１
〜９７重量％である。特にΔε＜−２の成分を用いる場
合、Δε＜−２の成分の含有量は、１〜７０重量％、好
ましくは１〜５０重量％とすることが望ましい。

一般式（１）で示される液晶性化合物と、−殺伐（ｎ）
で示される液晶性化合物と、−殺伐（ｒＶ）で示される
液晶性化合物と、誘電異方性が負の成分との総量は、本
発明の強誘電性液晶組成物中において、４〜１００重量
％含有される。

本発明の強誘電性液晶性組生物に於て、−殺伐（１）で
示される液晶性化合物、−殺伐（ＩＩ）で示される液晶
性化合物、および−殺伐（Ｖ）で示される液晶性化合物
それぞれと、上述した他の液晶性化合物一種以上、ある
いは、それを含む液晶性組織物（液晶材料と略す）との
配合割合は、液晶材料１００重貴部当り、本発明−殺伐
（１）、−殺伐（ｎ）、−殺伐（Ｖ）で示される液晶性
化合物それぞれを１〜３００重量部、より好ましくは２
〜１００重量部とすることが好ましい。

また、本発明の一般式（Ｉ）、−殺伐（ＩＩ）、及び−
殺伐（Ｖ）で示される液晶性化合物のいずれか、あるい
は全てを２種以上用いる場合も液晶材料との配合割合は
、前述した液晶材料１００重量部当り、本発明−殺伐（
１）、−殺伐（ｎ）、−殺伐（Ｖ）で示される液晶性化
合物のいずれか、あるいは全ての２種以上の混合物を、
１〜５００重量部、より好ましくは２〜１００重量部と
することが望ましい。

また竜一般式（Ｉ　）、（■）、（Ｖ）で示される液晶
性化合物の各々の比率は、 一般式（１）　／−殺伐（■）　／−殺伐（Ｖ）＝１〜
３００　　／　　ｌ〜３００／１〜３００であり、また
好ましくは、 一般式（１）　／−殺伐（■）　／−殺伐（Ｖ）＝１〜
５０　　／　ｌ〜５０　　　／　ｌん５０であることが
望ましい。

一般式（ｔ　）、（Ｕ　）、（Ｖ）で示される液晶性化
合物の各々を２種以上用いる場合の各々の比率は、−殺
伐（１）　／−殺伐（ＩＩ）　　／−殺伐（Ｖ）（２種
以上）　　（２種以上）　　　（２種以上）＝１〜５０
０　　／　　１〜５００／ｌ〜５００であり、またより
好ましくは 一般式（■）　／−殺伐（■）　／−殺伐（Ｖ）（２種
以上）　　（２種以上）　　　（２種以上）＝１〜５０
　　／　ｌ〜５０　　　／　ｌ〜５０であることが望ま
しい。

また、前述の液晶材料と、−殺伐（Ｉ）、（ｎ）、（Ｖ
）で示される液晶性化合物の総量との比率は、該液晶性
化合物を１種づつ用いる場合は前述の液晶材料１００重
量部に対し、−殺伐（Ｉ）、（ｎ）、（Ｖ）で示される
液晶性化合物の総量が３〜９００重量部、より好ましく
は６〜３００重ｆｆｉ部となることが望ましい。

一般式（Ｉ　）、（Ｕ　）、（Ｖ）で示される液晶性化
合物のいずれか、あるいは、各々を２種以上用いる場合
、前述の液晶材料と該液晶性化合物の総量との比率は、
前述の液晶材料１００重量部に対し、−殺伐（Ｉ　）、
（ｎ　）、（Ｖ）で示される液晶性化合物の総量が３〜
１５００重量部、より好ましくは６〜３００重量部とな
ることが望ましい。

さらに、誘電異方性が負の成分を含有する強誘電性液晶
組成物中における誘電異方性が負の成分の含有量は、１
〜９７重量％である。特にΔε＜−２の成分を用いる場
合、Δε＜−２の成分の含有１は、１〜７０重量％、好
ましくは１〜５０重１％とすることが望ましい。

一般式（１）で示される液晶性化合物と、−殺伐（１１
）で示される液晶性化合物と、−殺伐（Ｖ）で示される
液晶性化合物と、誘電異方性が負の成分との総量は、本
発明の強誘電性液晶組成物中において、４〜１００重量
％含有される。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の１例の断面概略
図である。

第１図において符号１は強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ　２０３ＳｎＯ
２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄ
ｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。その
上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテー
ト植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に並べ
る絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物質と
して例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭
化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼
素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジル
コニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムな
どの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル
イミド、ポリバラキシレン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹
脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォト
レジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層として、
２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよく、また
無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向
制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層が無
機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機絶
縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液（溶剤
０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜ＩＯ重量％）
を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン
印刷法、スジ１ノー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、
所定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成させ
ることができる。

絶縁性配向制御層の層厚は通常３０人〜１μｍ、好まし
くは３０人〜３０００人、さらに好ましくは５０人〜１
ｏｏｏ人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。

この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。

強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。

また、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域（特に
低温側）でＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）を
有し、かつ、素子とした場合には粘度が低（高速応答性
を有することが望ましい。さらに応答速度の温度依存性
が小さいことが望まれる。

また、特に素子とした場合に良好な均−配向性を示すモ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からｃｈ相（コレステリック相）−３ｍＡ相（スメクチ
ック人相）−ＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）
という相転移系列を有していることが望ましい。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。

またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。

第１図は透明型なので光＃９を備えている。

第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１．　ａと２１ｂは
それぞれＩｎ　２０３　、　ＳｎＯ２あるいはＩＴＯ（
Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からな
る透明電極で被覆された基板（ガラス板）であり、。

その間に液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配
向したＳｍＣ＊相またはＳｍＨ＊相の液晶が封入されて
いる。太線で示した線２３が液晶分子を表わしており、
この液晶分子２３はその分子に直交した方向に双極子モ
ーメント（Ｐ土）２４を有している。基板２１ａと２１
ｂ上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液
晶分子２３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（
Ｐ工）２４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子２３
は配向方向を変えることができる。液晶分子２３は細長
い形状を有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率
異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにク
ロスニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光
学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に
理解される。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄（（例えば１０μ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメンｌ□Ｐａ
またはＰｂは上向き（３４ａ）または下向き（３４ｂ）
のどちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に
示す如（一定の閾値以上の極性の異る電界ＥａまたはＥ
ｂを電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双
極子モーメントは電界ＥａまたはＥｂの電界ベクトルに
対応して上向き３４ａまたは下向き３４ｂと向きを変え
、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあ
るいは第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態
３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。また与える電界Ｅ
ａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
前の配回状態にやはり維持されている。

以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例１ 下記重量部で混合した液晶組成物１−Ａを作成した。

例示化 。ｍＮｏ、　　　　　　　　構　　　造　　　式　　　
　　　　　　　　重量部この液晶組成物１−Ａに対して
例示化合物１−１．２−３をそれぞれ下記の重量部で混
合し、液晶組成物１−Ｂを得た。

例示化 合物Ｎｏ。

構 造 式 ％式％ 次に、これらの液晶組成物を以下の手順で作製したセル
を用いて、光学的な応答を観察した。

２枚の１　、１　ｍ　ｍ厚のガラス板を用意し、それぞ
れのガラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作
成し、さらにこの上にＳｉＯ２を蒸着させ絶縁層とした
。

この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東しくＩ＄）ＳＰ
−５１０３！、０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数
３００Ｏｒ、ｐ、ｍのスピンナーで１５秒間塗布した。

成膜後、６０分間、３００℃加熱縮合焼成処理を施した
。この時の塗膜の膜厚は約１２０人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（
チッソ＠）］を用いてガラス板をはり合わせ、６０分間
、１ｏｏ０ｃにて加熱乾燥しセルを作成した。このセル
のセル厚をベレツク位相板によって測定したところ約１
．５μｍであった。

このセルに上述の液晶組成物１−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０℃／ｈで２５℃まで徐冷するこ
とにより、強誘電性液晶素子を作成した。

この強誘電性液晶素子を用いて、ピーク・トウ・ピーク
電圧Ｖ　ｐｐ　＝　２５　Ｖの電圧印加により直交ニコ
ル下での光学的な応答（透過光ヱ変化０〜９０％）を検
知して応答速度（以後光学応答速度という）を測定した
。その結果を次に示す。

１０℃　　　２５℃　　　４０℃ 応答速度　　　９６０　μｓｅｃ　　　２６５　μｓｅ
ｃ　　　８５　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動
時のコントラストは１２で、明瞭なスイッチング動作が
観察された。

比較例１ 実施例１で混合した液晶組成物１−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、　１−１を混合せずに１−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、　２−３のみを混合した液晶組成物１−Ｃと例示
化合物Ｎｏ、　２−３を混合せずに１−１へに対して例
示化合物Ｎｏ、　１−１のみを混合した液晶組成物１−
Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物１−Ａ、
１−Ｃ及びｌ−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応
答速度を測定した。その結果を次に示す。

応答速度　　１０℃　　　　２５℃　　　４０℃１−Ａ
　　　１６００μｓｅｃ　　　４３０μｓｅｃ　　　　
１２０μ５ｅｃ１−Ｃ１１５０μｓｅｃ　　　２９０μ
ｓｅｃ　　　９０μ５ｅｃ１−Ｄ　　　１３８０　μｓ
ｅｃ　　　３８０　μｓｅｃ　　　　１１０　μｓｅｃ
実施例１と比較例１より明らかな様に、本発明による液
晶性組成物１−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が、
低温における作動特性、高速応答性が改善され、かつ応
答速度の温度依存性が軽減されて実施例２ 実施例１で混合した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物２−Ｂを得た。

−Ａ これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃９４０　μｓ
ｅｃ　　　２６０　μｓｅｃ　　　８５μｓｅｃまた、
２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１３で、明
瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加を止めた際
の双安定性も良好であった。

比較例２ 実施例２で混合した液晶組成物２−Ｈのうち例示化合物
Ｎｏ、１−５．　１−２４．　１−３７を混合せずに１
−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−２６．２−５４のみ
を混合した液晶組成物２−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−２
６２−５４を混合せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ
、１−５．　１−２４．　１−３７のみを混合した液晶
組成物２−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物２−Ｃ及
び２−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施例１と同
様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を
測定した。その結果を次に示す。

応答速度　１０℃　　　　２５℃　　　　４０℃２−Ｃ
ｌ５００　μｓｅｃ　　　２７５　μｓｅｃ　　　９５
　μ５ｅｃ２−Ｄ　　　１３００　μｓｅｃ　　　３３
０　μｓｅｃ　　　　１１０μｓｅｃ実施例２と比較例
２より明らかな様に、本発明による液晶性組成物２−Ｂ
を含有する強誘電性液晶素子の方が、低温における作動
特性、高速応答性が改善され、かつ応答速度の温度依存
性が軽減されている。

実施例３ 下記重量部で混合した液晶組成物３−Ａを作成した。

例示化 ａ、ＪＮｏ　　　　　　　　構　　　造　　　式　　　
　　　　　　　　重量部例示化 合物Ｎｏ、　　　　　　　　構　　　造　　　式％式％ この液晶組成物３−Ａに対して例示化合物１−１．２−
３をそれぞれ下記の重量部で混合し、液晶組成物３〜Ｂ
を得た。

例示化 合物Ｎｏ　　　　　　　　構　　　造　　　式　　　　
　　　　　　　重量部！−１ｎ−Ｃ５Ｈ１１丹ＯＣＨ２
℃）−＠−０−Ｃ６Ｈ１３−ｎ　１０Ｃ４Ｈ９ｏＣＨ２
ＣＨ２０−ｏ−ＣＯＯ−ｏ−ｏ−Ｃ００Ｃ６Ｈ３３液晶
組成物１−Ｂをこの液晶組成物３−Ｂに代えたほかは実
施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施
例１と同様の方法で光学応答速度を測定し、スイッチン
グ状態等を観察した。この液晶素子内の均−配向性は良
好でありモノドメイン状態が得られた。測定結果を次に
示す。

１０℃　　　　　２５°０　　　　　４０°Ｃ応答速度
　１２８０μｓｅｃ　　３３０μｓｅｃ　　１１５μｓ
ｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは
１４で、明瞭なスイッチング動作が観察された。

比較例３ 実施例３で混合した液晶組成物３−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、　１−１を混合せずに３−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、　２−３のみを混合した液晶組成物３−Ｃと例示
化合物Ｎｏ、　２−３を混合せずに３−Ａに対して例示
化合物Ｎｏ、　１−１のみを混合した液晶組成物３−Ｄ
を作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物３−Ａ、
　３−Ｃ及び３−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実
施例１同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し光学応答
速度を測定した。その結果を次に示す。

ｌＯｏＣ２Ｓ℃　　４０℃ 応答速度　　μｓｅｃ　　　μｓｅｃ　　　μｓｅｃ３
−Ａ　　　　２０００　　５３０　　　１５８３−Ｃｌ
５００　　３８０　　　１２５３−Ｄ　　　　１７り０
　　４７０　　　　ｔ４５４５実施と比較例３より明ら
かな様に、本発明による液晶組成物３−Ｂを含有する強
誘電性液晶素子の方が低温における作動特性、高速応答
性が改善され、かつ応答速度の温度依存性が軽減されて
いる。

実施例４ 実施例３で混合した液晶組成物３−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物４−Ｂを得た。

例示化 合物に 構　　造　　式 合物魔　　　　　　　　　構　　造　　式重量部 これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均一配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃応答速度　　
１２１０　μｓｅｃ　　３００　μｓｅｃ　　　１１０
１ｔ　ｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコント
ラストは１３で、明瞭なスイッチング動作が観察され、
電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例４ 実施例４で混合した液晶組成物４−Ｈのうち例示化合物
Ｎｏ、１−５．　１−２４．　１−３７を混合せずに３
−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−２６．２−５４のみ
を混合した液晶組成物４−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−２
６゜２−５４を混合せずに３−Ａに対して例示化合物Ｎ
ｏ、１−５．　１−２４　１−３７のみを混合した液晶
組成物４−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物４−Ｃ及
び４−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施例１同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し光学応答速度を測定
した。その結果を次に示す。

１０℃　　２５°０　　４０°Ｃ 応答速度　　μｓｅｃ　　　μＳｅＣμ５ｅＣ４−Ｃ１
４４０３６０１２０ ４−Ｄ　　　　１６００　　４２０　　１３５実施例４
と比較例４より明らかな様に、本発明による液晶組成物
４−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が低温における
作動特性、高速応答性が改善され、かつ応答速度の温度
依存性が軽減されている。

実施例５ 下記重量部で混合した液晶組成物５−Ａを作成した。

例示化 合物Ｎｏ。

構 造 式 この液晶組成物５−Ａに対して例示化合物１−１．２−
３をそれぞれ下記の重量部で混合し、液晶組成物５−Ｂ
を得た。

液晶組成物１−Ｂをこの液晶組成物５−Ｂに代えたほか
は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定し、スイッ
チング状態等を観察した。この液晶素子内の均−配向性
は良好でありモノドメイン状態が得られた。測定結果を
次に示す。

１０℃　　　　　２５°０　　　　　４０℃応答速度　
３６５１ｔ　ｓｅｅ　　９０　μｓｅｃ　　３５　μｓ
ｅｃまた、２５°Ｃにおけるこの駆動時のコントラスト
は１４で、明瞭なスイッチング動作が観察された。

比較例５ 実施例５で混合した液晶組成物５−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、　１−１を混合せずに５−Ａに対して例示化合物
Ｎｏ、　２−３のみを混合した液晶組成物５−Ｃと例示
化合物Ｎｏ、　２−３を混合せずに５−Ａに対して例示
化合物Ｎｏ、　ｌ　−１のみを混合した液晶組成物５−
Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物５−Ａ、
５−Ｃ及び５−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施
例１同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

１０℃　　２５℃　　４０℃ μｓｅｃ　　　　　μｓｅｃ　　　　　μ５ｅｃ５１０
　　　　　１．４０　　　　　４５応答速度 −Ａ −Ｃ −Ｄ 実施例５と比較例５より明らかな様に、本発明による液
晶組成物５−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が低温
における作動特性、高速応答性が改善され、かつ応答速
度の温度依存性が軽減されている。

実施例６ 実施例５で混合した液晶組成物５−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物６−Ｂを得た。

例示化 合物魔 構　　造　　式 例示化 合物隘 構　　造　　式 これを用いた他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を
測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素子
内の均一配向性は良好であり、モノドメイン状態が得ら
れた。測定結果を次に示す。

１０℃　　　２５°０　　４０℃ 応答速度　　３７０　μｓｅｃ　　９５　μｓｅｃ　　
３５　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコン
トラストは１３で、明瞭なスイッチング動作が観察され
、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例６ 実施例６で混合した液晶組成物６−Ｂのうち例示化合物
Ｎｏ、１−５．　１−２４．　１−３７を混合せずに５
−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−２６．２−５４のみ
を混合した液晶組成物６−Ｃと例示化合物Ｎｏ、２−２
６゜２−５４を混合せずに５−Ａに対して例示化合物Ｎ
ｏ、！−５，１−２４，１−３７のみを混合した液晶組
成物６−Ｄを作成した。

液晶組成物１−Ｂを用いる代わりに液晶組成物６−Ｃ及
び６−Ｄをセル内に注入する以外は、全〈実施例１同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を測
定した。その結果を次に示す。

１０℃　　２５℃　　４０℃ 応答速度　　μＳｅＣμＳｅＣμ５ｅＣ６−Ｃ４９０１
３０４５ ６Ｄ　　　　　　　５３０　　　　　１４０　　　　　
４５実施例６と比較例６より明らかな様に、本発明によ
る液晶組成物６−Ｂを含有する強誘電性液晶素子の方が
低温における作動特性、高速応答性が改善され、かつ応
答速度の温度依存性が軽減されている。

実施例７ 実施例１及び比較例１で使用した液晶組成物をＳｉＯ２
を用いずに、ポリイミド樹脂だけで配向制御層を作成し
た以外は全（実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子
を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定
した。その結果を次に示す。

応答速度　　　１０℃　　　　２５８０　　　　４０℃
！　−Ｂ　　　９００　μｓｅｃ　　　２４０μｓｅｃ
　　　８０４ｓｅｃ１−Ｃｌ０８０　μｓｅｃ　　　２
７５　μｓｅｃ　　　９０　μｓｅｃ！　−０１３００
μｓｅｃ　　　３７０μｓｅｃ　　　１０５μ５ｅｃ１
−Ａ　　　１５２０μｓｅｃ　　　４２０μｓｅｃ　　
　１２０μｓｅｃ実施例７より明らかな様に、素子構成
を変えた場合でも本発明に従う強誘電性液晶組成物を含
有する素子は、他の液晶性組成物を含む素子に比べ実施
例１と同様に低温作動特性が非常に改善され、かつ応答
速度の温度依存性が軽減されたものとなっている。

実施例８〜１５ 実施例１．３．５で用いた例示化合物および液晶性組成
物に代えて表１に示した例示化合物および液晶性組成物
を各重量部で用い８−Ｂ〜１５−Ｂの液晶性組成物を得
た。これらを用いた他は全（実施例１と同様の方法によ
り強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で
光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した
。それぞれの液晶素子内の均一配向性は良好であり、モ
ノドメイン状態が得られた。測定結果を表１に示す。

実施列８〜１５より明らかな様に、本発明による液晶性
組成物８−Ｂ〜１５−Ｂを含有する強誘電性液晶素子が
低温における作動特性、高速応答速度が改善され、かつ
応答速度の温度依存性が軽減されている。

実施例１６ 下記例示化合物を下記の重１部で混合し、液晶組成物１
６−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式例示化合物Ｎ
ｏ。

構　　造　　式 更に、この液晶組成物１６−Ａに対して、以下に示す例
示化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物１６−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 次に、この液晶組成物１６−Ｂを以下の手順で作成した
セルを用いて、素子特性等を観察した。

２枚の１．１ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガ
ラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上にＳｉＯ□を蒸着させ絶縁層とした。

この基板上にポリイミド樹脂前駆体［束し■５Ｐ−７１
０］　１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２５
００ｒｐｍ　、のスピンナーで１５秒間塗布した。成膜
後、６０分間、３００℃加熱縮合焼成処理を施した。こ
の時の塗膜の膜厚は約２００人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンポンド（
チッソ■）コを用いてガラス板を貼り合わせ、６０分間
、１００℃にて加熱乾燥し、セルを作成した。このセル
のセル厚をベレツク位相板によって測定したところ約り
、Ｓμｍであった。

このセルに上述の液晶組成物１６−Ｂを等方性液体状態
で注入し、等吉相から２０°Ｃ／　ｈで２５°Ｃまで徐
冷することにより、強誘電性液晶素子を作成した。この
強誘電性液晶素子を用いて、ピーク・トウ・ピーク電圧
Ｖｐ１）＝２５Ｖの電圧印加により、直交ニコル下での
光学的な応答（透過光１変化０〜９０％）を検知して応
答速度（以後、光学応答速度という）を測定した。その
結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ７０５μｓｅｃ　　　　２４６μｓｅｃ　　　　９５μ
ｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラスト
は１２であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電
圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例１６ 実施例１６で使用した液晶組成物１６−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、２−１０．２−４９を混合せずに１６−
Ａに対して例示化合物Ｎｏ、３−２１．　１−２７のみ
を実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物１６−Ｃ
１および例示化合物Ｎｏ、３−２１を混合せずに１６−
Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　２−１０．２−４９゜１
−２７のみを実施例１６と同じ重量部で混合した液晶組
成物１６−Ｄ、さらに例示化合物Ｎｏ、１−２７を混合
せずに１６−Ａに対して例示化合物　Ｎｏ、２−１０゜
２−４９．３−２１のみを実施例１６と同じ重量部で混
合した液晶組成物１６−Ｅを作成した。

これらの液晶組成物１６−Ｃ，１６−Ｄ、　　１６−Ｅ
及び１６−Ａを用いた以外は、全（実施例１６と同様の
方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例１６
と同様の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ １６−Ａ　　　　　１１５５　μｓｅｃ　　　３６２　
μｓｅｃ　　　１３３　μ５ｅｃ１６−Ｃｌ０２０　μ
ｓｅｃ　　　３５３　ｐ　ｓｅａ　　　１２３　μ５ｅ
ｃ１６−０　　　　７５１　μｓｅｃ　　　２５９　μ
ｓｅｃ　　　　９７　μ５ｅｅ１６−Ｅ　　　　　７９
８　μｓｅｃ　　　２７１　μｓｅｃ　　　１０２　μ
ｓｅｃ実施例１６と比較例１６より明らかな様に、本発
明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が
低温における作動特性、高速応答性が改善され、また、
応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例１７ 実施例１６で使用した液晶組成物１６−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物１７−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全〈実施例１６と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例１６と同様の方法で光学
応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ７６３μｓｅｃ　　　　２６７　μｓｅｃ　　　　　１
００　μｓｅｃまた、２５°Ｃにおけるこの駆動時のコ
ントラストは１３であり、明瞭なスイッチング動作が観
察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった
。

６−Ａ 比較例１７ 実施例１７で使用した液晶組成物１７−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、２−４３．２−５７を混合せずに１６−
Ａに対して例示化合物Ｎｏ、３−２６．　１−１３゜ニ
ー３７のみを実施例１６と同じ重量部で混合した液晶組
成物１７−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物１７−Ｃ及び１６−Ａを用いた以外
は、全（実施例１６と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例１６と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ １６−Ａ　　　　　１１５５　μｓｅｃ　　　３６２　
μｓｅｃ　　　　１３３　μ５ｅｃ１７−０　　　　９
９９　μｓｅｃ　　　３４４　μｓｅｃ　　　　１２７
　μｓｅｃ実施例１７と比較例１７より明らかな様に、
本発明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の
方が低温における作動特性、高速応答性が改善され、ま
た、応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例１８ 実施例１６で使用した液晶組成物１６−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重１部で混合して液晶
組成物１８−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全（実施例工６と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例１６と同様の方法で光学
応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃６４５　μｓ
ｅｃ　　　　２２６　μｓｅｃ　　　　８５　μｓｅｃ
また、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１４
であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加
を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例１８ 実施例１８で使用した液晶組成物１８−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、２−１６．　２−２０を混合せずに１６
−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、３−３．　３−３８゜１
−４７のみを実施例１６と同じ重量部で混合した液晶組
成物１８−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物１８−Ｃ及び１６−Ａを用いた以外
は、全〈実施例１６と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例１６と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５°０　　　　４０°Ｃ１６−Ａ　　
　　　１１５５μｓｅｃ　　　３６２μｓｅｃ　　　１
３３μ５ｅｃ１８−０　　　　８５９　μｓｅｃ　　　
２９１　μｓｅｃ　　　１０８　μｓｅｃ実施例１８と
比較例１８より明らかな様に、本発明による液晶組成物
を含有する強誘電性液晶素子の方が低温における作動特
性、高速応答性が改善され、また、応答速度の温度依存
性も軽減されている。

実施例１９ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物１
９−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式％式％ 構　　造　　式 重量部 Ｃ２゜Ｈ２１０＋Ｃｏｏ＋ＱＣｓ　ＨＩ７Ｃｓ　Ｈ１７
＋Ｃ○ｏ＋ｏｃ　、。Ｈ２＋Ｃ１０Ｈ２１ｏ−＠−ｃｏ
ｏ＋ｏｃ　８　ｐｉ　１３更に、この液晶組成物１９−
Ａに対して、以下に示す例示化合物を、各々以下に示す
重量部で混合し、液晶組成物１９−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎ。

構造式 この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１６と同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１６と同様
の方法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を
観察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０°０　　　　　２５°（：’　　　　　　４０’Ｃ
７７７μｓｅｃ　　　　２６８　μｓｅｃ　　　　　１
００１ｔ　ｓｅａまた、２５℃におけるこの駆動時のコ
ントラストは１３であり、明瞭なスイッチング動作が観
察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった
。

９−Ａ 比較例１９ 実施例１９で使用した液晶組成物１９−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、２−１０．２−４９を混合せずに１９−
Ａに対して例示化合物Ｎｏ、３−２１．　１−２７のみ
を実施例１６と同じ重量部で混合した液晶組成物１９−
Ｃ，および例示化合物Ｎｏ、３−２１を混合せずに１９
−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　２−１０．２−４９゜
１−２７のみを実施例１６と同じ重量部で混合した液晶
組成物１９〜Ｄ１さらに例示化合物Ｎｏ、１−２７を混
合せずに１９−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−１０゜
２−４９．３−２１のみを実施例１６と同じ重１部で混
合した液晶組成物１９．−Ｅを作成した。

これらの液晶組成物１９−Ｃ，１９−Ｄ、　　１９＝Ｅ
及び１９−Ａを用いた以外は、全〈実施例１６と同様の
方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例１６
と同様の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

実施例２０ 実施例１９で使用した液晶組成物１９−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物２０−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全〈実施例１６と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例１６と同様の方法で光学
応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃７１６　μｓ
ｅｃ　　　　２３３　μｓｅｃ　　　　　９２　μｓｅ
ｃまた、２６℃におけるこの駆動時のコントラストは１
２であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印
加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例２０ 実施例２０で使用した液晶組成物２０−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、３−４２．　１−６２を混合せずに１９
−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−２３．２−２４のみ
を実施例１６と同じ重量部で混合した液晶組成物２０−
Ｃを作成した。

これらの液晶組成物２０−Ｃ及び１９−Ａを用いた以外
は、全（実施例１６と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例１６と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 ｌＯｏｏ　　　　　２５℃　　　　４０℃１９−Ａ　　
　　　１３６０　μｓｅｃ　　　４３０　μｓｅｃ　　
　　１４７　μ５ｅｅ２０−Ｃ９３８μｓｅｃ　　　３
３１　μｓｅｃ　　　１．２１　ｕｓｅｅ実施例２０と
比較例２０より明らかな様に、本発明による液晶組成物
を含有する強誘電性液晶素子の方が低温における作動特
性、高速応答性が改善され、また、応答速度の温度依存
性も軽減されている。

実施例２１ 実施例１９で使用した液晶組成物１９−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物２１−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式の液晶組成物
を用いた以外は、全（実施例１６と同様の方法で強誘電
性液晶素子を作成し、実施例１６と同様の方法で光学応
答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ９０１μｓ
ｅｃ　　　　３１８　μｓｅｃ　　　　１２１　ｇ、　
ｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラスト
は１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電
圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

９−Ａ 比較例２１ 実施例２１で使用した液晶組成物２１−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、　２−５．２−７．　１−１８．　１−
３８を混合せずに１９−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、３
−７６のみを実施例１６と同じ重量部で混合した液晶組
成物２１−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物２１−Ｃ及び１９−Ａを用いた以外
は、全〈実施例１６と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例１６と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ １９−Ａ　　　　　ｌ３６０　μｓｅｃ　　　４３０　
μｓｅｃ　　　　１４７　μ５ｅｃ２１−０　　　　１
２８５　μｓｅｃ　　　４１３　μｓｅｃ　　　　１４
２　μｓｅｃ実施例２１と比較例２１より明らかな様に
、本発明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子
の方が低温における作動特性、高速応答性が改善され、
また、応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例２２ 下記例示化合物を下記の重１部で混合し、液晶組成物２
２−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式例示化合物Ｎ
ｏ。

構　　造 式 更に、この液晶組成物２２−Ａに対して、以下に示す例
示化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物２２−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎ。

構造式 この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１６と同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１６と同様
の方法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を
観察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 ｌＯｏｏ　　　　　　２５℃　　　　　４０℃５６０　
μｓｅｃ　　　　２０７　μｓｅｃ　　　　　８２　μ
ｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラスト
注１４であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電
圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例２２ 実施例２２で使用した液晶組成物２２−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、２−１０．　２−４９を混合せずに２２
−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、３−２１．　１−２７の
みを実施例１６と同じ重量部で混合した液晶組成物２２
−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物２２−Ｃ及び２２−Ａを用いた以外
は、全〈実施例１６と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例１６と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １００Ｃ２５℃　　　　４００Ｃ ２２−Ａ　　　　８７２　μｓｅｃ　　　２８５　μｓ
ｅｃ　　　　１１５　μ５ｅｃ２２−０　　　　８０４
μｓｅｃ　　　２７４μｓｅｃ　　　　１１１　μｓｅ
ｃ実施例２２と比較例２２より明らかな様に、本発明に
よる液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温
における作動特性、高速応答性が改善され、また、応答
速度の温度依存性も軽減されている。

実施例２３ 実施例２２で使用した液晶組成物２２−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物２３−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全〈実施例１６と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例１６と同様の方法で光学
応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 ｌＯｏＣ２５°Ｃ４０°Ｃ ４７３μｓｅｃ　　　　　ｔ８０　μｓｅｃ　　　　　
７４　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコン
トラスＩ・は１４であり、明瞭なスイッチング動作が観
察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった
。

２−Ａ 比較例２３ 実施例２３で使用した液晶組成物２３−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、３−４２を混合せずに２２−Ａに対して
例示化合物Ｎｏ、２−２３．２−２４．　１−６２のみ
を実施例１６と同じ重量部で混合した液晶組成物２３−
Ｃを作成した。

これらの液晶組成物２３−Ｃ及び２２−Ａを用いた以外
は、全（実施例１６と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例１６と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０°Ｃ２２−Ａ　　　
　　８７２　μｓｅｃ　　　２８５　μｓｅｃ　　　１
１５　μ５ｅｃ２３−Ｃ６２１１ｔ　ｓｅｃ　　　２２
９　μｓｅｃ　　　　９１　μｓｅｃ実施例２３と比較
例２３より明らかな様に、本発明による液晶組成物を含
有する強誘電性液晶素子の方が低温における作動特性、
高速応答性が改善され、また、応答速度の温度依存性も
軽減されている。

実施例２４ 実施例２２で使用した液晶組成物２２−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物２４−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全〈実施例１６と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例１６と同様の方法で光学
応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０°０　　　　　２５℃　　　　　４０℃５８３　μ
ｓｅｃ　　　　２８５　μｓｅｃ　　　　　１１５　μ
ｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラスト
マ１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電
圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例２４ 実施例２４で使用した液晶組成物２４−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、　２−７５．２−８０．３−２４．３−
７０を混合せずに２２−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１
−３３のみを実施例１６と同じ重量部で混合した液晶組
成物２４−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物２４−Ｃ及び２２−Ａを用いた以外
は、全〈実施例１６と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例１６と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ２２−Ａ　　　　　８７２　μｓｅｃ　　　２８５　μ
ｓｅｃ　　　　＋、１５　μ５ｅｃ２４−０　　　　７
９９　μｓｅｃ　　　２８２　μｓｅｃ　　　　１１０
　μｓｅｃ実施例２４と比較例２４より明らかな様に、
本発明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の
方が低温における作動特性、高速応答性が改善され、ま
た、応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例２５〜３２ 実施例１６で用いた例示化合物、及び液晶組成物に代え
て、表２に示した例示化合物、及び液晶組成物を各重量
部で用い、２５−Ｂ〜３２−Ｂの液晶組成物を得た。こ
れらを用いた他は全〈実施例１６と同様の方法により強
誘電性液晶素子を作成し、実施例１６と同様の方法で光
学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。

測定結果を表２に示す。

実施例２５〜３２より明らかな様に本発明による液晶組
成物２５−Ｂ〜３２−Ｂを含有する強誘電性液晶素子は
低温における作動特性、高速応答性が改善され、また応
答速度の温度依存性も軽減されたものとなっている。

実施例３３ 実施例１６及び比較例１６で使用した液晶組成物を５ｉ
０２を用いずに、ポリイミド樹脂だけで配向制御層を作
成した以外は全〈実施例１６と同様の方法で強誘電性液
晶素子を作成し、実施例１６と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

６−Ｂ ６−Ａ ６−Ｃ ６−Ｄ ６−Ｅ 光学応答速度 １０℃　　　　２５℃ ６８５　μｓｅｃ　　　２３１　μ５ｅｃ１１３５　μ
ｓｅｃ　　　３５０　μ５ｅｃ１０１０　μｓｅｃ　　
　３４２　μ５ｅｃ７４４　μｓｅｃ　　　２３８　μ
５ｅｃ７７９　μｓｅｃ　　　２６５　μ５ｅｃ４０℃ ９０μ５ｅＣ ｔ２８　μ５ｅｃ １１７μ５ｅｃ ９４μ５ｅｃ ｔｏｏ　μｓｅｃ 実施例３３より明らかな様に、素子構成を変えた場合で
も本発明に従う強誘電性液晶組成物を含有する素子は、
他の液晶組成物を含む素子に比べ実施例１６と同様に低
温作動特性が改善され、さらに、応答速度の温度依存性
も軽減されたものとなっている。

実施例３４ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物３
４−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式％式％ 式 重１部 更に、この液晶組成物３４−Ａに対して、以下に示す例
示化合物を、各々以下に示す重１部で混合し、液晶組成
物３４−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構　　造 式 次に、この液晶組成物３４−Ｂを以下の手順で作成した
セルを用いて、素子特性等を観察した。

２枚の１　、１　ｍ　ｍ厚のガラス板を用意し、それぞ
れのガラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作
成し、さらにこの上にＳｉＯ２を蒸着させ絶縁層とした
。

この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−７１
０］　１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２５
０Ｏｒｐｍ、のスピンナーで１５秒間塗布した。成膜後
、６０分間、３００℃加熱縮合焼成処理を施した。この
時の塗膜の膜厚は約２００人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンポンド（
チッソ（掬）］を用いてガラス板を貼り合わせ、６０分
間、　　１０ｏ℃にて加熱乾燥し、セルを作成した。こ
のセルのセル厚をベレツク位相板によって測定したとこ
ろ約１．５μｍでありだ。

このセルに上述の液晶組成物１−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０℃／ｈで２５℃まで徐冷するこ
とにより、強誘電性液晶素子を作成した。この強誘電性
液晶素子を用いて、ピーク・トウ・ピーク電圧Ｖｐｐ＝
２５Ｖの電圧印加により、直交ニコル下での光学的な応
答（透過光量変化Ｏ〜９０％）を検知して応答速度（以
後、光学応答速度という）を測定した。その結果を次に
示す。

光学応答速度 １０°Ｃ２５℃　　　　　４０℃ ８２７　μｓｅｃ　　　　３００１ｔｓｅｃ　　　　１
２０　ｕｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコン
トラストは１２であり、明瞭なスイッチング動作が観察
され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例３４ 実施例３４で使用した液晶組成物３４−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、４−１４５．　４−９８を混合せずに３
４−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−７８．　１−３７
゜１−４０のみを実施例３４と同じ重量部で混合した液
晶組成物３４−Ｃ，および例示化合物Ｎｏ、２−７８を
混合せずに３４−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、４−１４
５４−９８．　１−３７．　１−４０１７）みを実施例
３４と同じ重量部で混合した液晶組成物３４−Ｄ、さら
に例示化合物Ｎｏ、ｌ　−３７，１−４０を混合せずｌ
：　３４−　Ａ　ｌ：対して例示化合物Ｎｏ、　４−１
４５．４−９８．　２−７８のみを実施例３４と同じ重
量部で混合した液晶組成物３４−Ｅを作成した。

これらの液晶組成物３４−Ｃ，３４−Ｄ、　　３４−Ｅ
及び３４−Ａを用いた以外は、全〈実施例３４と同様の
方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例３４
と同様の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ３４−Ａ　　　　　１１５５　μｓｅｃ　　　３６２　
μｓｅｃ　　　　１３３　μ５ｅｃ３４−０　　　　　
８９３　μｓｅｃ　　　　３１３　μｓｅｃ　　　　１
２５　μ５ｅｃ３４−Ｄ　　　　　　９６１　μｓｅｃ
　　　　３３９　μｓｅｃ　　　　１３０　μ５ｅｃ３
４−Ｅ　　　　　　８６３　μｓｅｃ　　　３０７　μ
ｓｅｃ　　　　１２２　μｓｅｃ実施例３４と比較例３
４より明らがな様に、本発明による液晶組成物を含有す
る強誘電性液晶素子の方が低温における作動特性、高速
応答性が改善され、また、応答速度の温度依存性も軽減
されている。

実施例３５ 実施例３４で使用した液晶組成物３４−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物３５−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全（実施例３４と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例３４と同様の方法で光学
応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０°０７７０　μ
ｓｅｃ　　　　２７７　μｓｅｃ　　　　１１０　μｓ
ｅｃまた、２５°Ｃにおけるこの駆動時のコントラスト
は１２．５であり、明瞭なスイッチング動作が観察され
、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例３５ 実施例３５で使用した液晶組成物３５−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、２−１４を混合せずに３４−Ａに対して
例示化合物Ｎｏ、４−６７、４−１４０．４−１０３１
−４のみを実施例３４と同じ重量部で混合した液晶組成
物３５−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物３５−Ｃ及び３４−Ａを用いた以外
は、全〈実施例３４と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例３４と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ３４−Ａ　　　　　１１５５　μｓｅｃ　　　３６２　
μｓｅｃ　　　　１３３　μ５ｅｃ３５−０　　　　８
９２　μｓｅｃ　　　３２３　μｓｅｃ　　　　１２３
　μｓｅｃ実施例３５と比較例３５より明らかな様に、
本発明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の
方が低温における作動特性、高速応答性が改善され、ま
た、応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例３６ 実施例３４で使用した液晶組成物３４−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物３６−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式　　　　　　
　　　　　　重量部この液晶組成物を用いた以外は、全
〈実施例３４と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し
、実施例３４と同様の方法で光学応答速度を測定し、ス
イッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５°Ｃ４０℃ ７００　μｓｅｃ　　　　２５４　μｓｅｃ　　　　１
０１　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコン
トラストは１３．０であり、明瞭なスイッチング動作が
観察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であっ
た。

４−Ａ 比較例３６ 実施例３６で使用した液晶組成物３６−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、２−３９．　２−６を混合せずに３４−
Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　４−３５．４−１４８゜
■−２７のみを実施例３４と同じ重量部で混合した液晶
組成物３６−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物３６−Ｃ及び３４−Ａを用いた以外
は、全〈実施例３４と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例３４と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ３４−Ａ、　　　　　１１５５　μｓｅｃ　　　３６２
　μｓｅｃ　　　１３３　μ５ｅｃ３６−Ｃ９２６μｓ
ｅａ　　　３１８１ｔ　ｓｅｃ　　　１２０　μｓｅｃ
実施例３６と比較例３６より明らかな様に、本発明によ
る液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温に
おける作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速
度の温度依存性も軽減されている。

実施例３７ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物３
７−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式％式％ 構　　造　　式 重量部 Ｃ０゜Ｈ２１℃−Ｃ００（涙○Ｃ８ＨＩＴ更に、この液
晶組成物３７−Ａに対して、以下に示す例示化合物を、
各々以下に示す重１部で混合し、液晶組成物３７−Ｂを
作成した。

例示化合物ＮＯ０ 構　　造　　式 この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例３４と同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例３４と同様
の方法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を
観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃８３１　μｓ
ｅｃ　　　　２９７　μｓｅｃ　　　　１１７　μｓｅ
ｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１
３．０であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電
圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例３７ 実施例３７で使用した液晶組成物３７−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、４−１４５．４−９８を混合せずに３７
−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　２−７８．　１−３７
゜１−４０のみを実施例３４と同じ重量部で混合した液
晶組成物３７−Ｃ，および例示化合物Ｎｏ、２−７８を
混合せずに３７−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、４−１４
５゜４−９８．　１−３７．　１−４０のみを実施例３
４と同じ重量部で混合した液晶組成物３７−Ｄ、さらに
例示化合物Ｎｏ、１−３７．　１−４０を混合せずに３
７−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、４−１４５．　４−９
８．　２−７８のみを実施例３４と同じ重１部で混合し
た液晶組成物３７−Ｅを作成した。

これらの液晶組成物３７−Ｃ，３７−Ｄ、３７−Ｅ及び
３７−Ａを用いた以外は、全〈実施例３４と同様の方法
でそれぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例３４と同
様の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ３７−Ａ　　　　　Ｉ４１０　μｓｅｃ　　　４３５　
μｓｅｃ　　　１５５　μ５ｅｃ３７−Ｃ９３６μｓｅ
ｃ　　　３３３４ｓｅｃ　　　１３２μ５ｅｃ３７−Ｄ
　　　　　１１７０μｓｅｃ　　　４０７μｓｅｃ　　
　１５１μ５ｅｃ３７−Ｅ　　　　　９０５　μｓｅｃ
　　　３２５　μｓｅｃ　　　１２３　μｓｅｃ実施例
３７と比較例３７より明らかな様に、本発明による液晶
組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温における
作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の温
度依存性も軽減されている。

実施例３８ 実施例３７で使用した液晶組成物３７−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物３８−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全〈実施例３４と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例３４と同様の方法で光学
応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃７４５　μｓ
ｅｃ　　　　２６６　μｓｅｃ　　　　１０４　μｓｅ
ｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１
２．５であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電
圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例３８ 実施例３８で使用した液晶組成物３８−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、　４−７１．４−１１７．　１−３１を
混合せずに３７−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−２２
のみを実施例３４と同じ重量部で混合した液晶組成物３
８−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物３８−Ｃ及び３７−Ａを用いた以外
は、全〈実施例３４と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例３４と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 ｌＯｏＣ２５°Ｃ４０℃ ３７−Ａ　　　　　１４１０　μｓｅｃ　　　４３５μ
ｓｅｃ　　　１５５　μ５ｅｃ３８−０　　　　９８９
　μｓｅｃ　　　３４１　μｓｅｃ　　　１２６　μｓ
ｅｃ実施例３８と比較例３８より明らかな様に、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低
温における作動特性、高速応答性が改善され、また、応
答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例３９ 実施例３７で使用した液晶組成物３７−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重１部で混合して液晶
組成物３９−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式　　　　　　
　　　　　　重量部この液晶組成物を用いた以外は、全
〈実施例３４と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し
、実施例３４と同様の方法で光学応答速度を測定し、ス
イッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５°０　　　　　４０℃７０７　μ
ｓｅｃ　　　　２５３　μｓｅｃ　　　　　９９　μｓ
ｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは
１３．０であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、
電圧印加を止めた際の双安定性も良好であつた。

７−Ａ 比較例３９ 実施例３９で使用した液晶組成物３９−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、　２−２７．２−１５．　１−３８を混
合せずに３７−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、４−３．４
−５４のみを実施例３４と同じ重量部で混合した液晶組
成物３９−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物３９−Ｃ及び３７−Ａを用いた以外
は、全（実施例３４と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例３４と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ ３７−Ａ　　　　　１４１０　ｇ、　ｓｅａ　　　４３
５　μｓｅｃ　　　１５５　μ５ｅｃ３９−Ｃ１１６８
μｓｅｃ　　　３８５１ｔ　ｓｅｃ　　　１３７１．ｔ
　ｓｅｃ実施例３９と比較例３９より明らかな様に、本
発明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方
が低温における作動特性、高速応答性が改善され、また
、応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例４０ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物４
０−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構 造 式 ％式％ 式 重、１部 更に、この液晶組成物４０−Ａに対して、以下に示す例
示化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物４０−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構　　造 式 この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例３４と同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例３４と同様
の方法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を
観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５°０　　　　　４０℃５３０　μ
ｓｅｃ　　　　１９４　ｐ　ｓｅｃ　　　　　８１　μ
ｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラスト
は１３．０であり、明瞭なスイッチング動作が観察され
、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

０−Ａ 比較例４０ 実施例４０で使用した液晶組成物４０−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、２−７８を混合せずに４０−八に対して
例示化合物Ｎｏ、　４−９８．　４−１４５．　１−３
７゜１−４０のみを実施例３４と同じ重量部で混合した
液晶組成物４０−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物４０−Ｃ及び４０−Ａを用いた以外
は、全〈実施例３４と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例３４と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ４０−Ａ　　　　７６２　μｓｅｃ　　　２４６　μｓ
ｅｃ　　　　９８　μ５ｅｃ４０−Ｃ６７２μｓｅｃ　
　　２３５　μｓｅｃ　　　　９３　μｓｅｃ実施例４
０と比較例４０より明らかな様に、本発明による液晶組
成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温における作
動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の温度
依存性も軽減されている。

実施例４１ 実施例４０で使用した液晶組成物４０−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物４１−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全〈実施例３４と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例３４と同様の方法で光学
応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃４３５　μｓ
ｅｃ　　　　１６７　μｓｅｃ　　　　　７０　μｓｅ
ｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１
２．５であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電
圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

＼乏−ノ 比較例４１ 実施例４１で使用した液晶組成物４１−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、４−’ｉ’ｌ、　　４−１１７を混合せ
ずに４０−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−２２．　１
−３１のみを実施例３４と同じ重量部で混合した液晶組
成物４１−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物４１−Ｃ及び４０−Ａを用いた以外
は、全〈実施例３４と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例３４と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ４０−Ａ　　　　　７６２　μｓｅｃ　　　２４６　μ
ｓｅｃ　　　　９８　μ５ｅｃ４１−Ｃ５２６μｓｅｃ
　　　１９０　μｓｅｃ　　　　７４　μｓｅｃ実施例
４１と比較例４１より明らかな様に、本発明による液晶
組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温における
作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の温
度依存性も軽減されている。

実施例４２ 実施例４０で使用した液晶組成物４０−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物４２−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　　造　　式この液晶
組成物を用いた以外は、全〈実施例３４と同様の方法で
強誘電性液晶素子を作成し、実施例３４と同様の方法で
光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した
。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ４８９μｓ
ｅｃ　　　　　１８５　μｓｅｃ　　　　　７８　μｓ
ｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは
１３．０であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、
電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

０−Ａ 比較例４２ 実施例４２で使用した液晶組成物４２−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、　４−１１．　４−４０．　４−１７２
゜２−６６を混合せずに４０−Ａに対して例示化合物Ｎ
ｏ、１−５７のみを実施例３４と同じ重量部で混合した
液晶組成物４２−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物４２−Ｃ及び４０−Ａを用いた以外
は、全〈実施例３４と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例３４と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 ｌＯｏｏ　　　　　２５℃　　　　４０℃４０−Ａ　　
　　　７６２　μｓｅｃ　　　２４６　μｓｅｃ　　　
　９８　μ５ｅｃ４２−０　　　　７２３　μｓｅｃ　
　　２３７　μｓｅｃ　　　　９５　μｓｅｃ実施例４
２と比較例４２より明らかな様に、本発明による液晶組
成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温における作
動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の温度
依存性も軽減されている。

実施例４３〜５０ 実施例３４で用いた例示化合物、及び液晶組成物に代え
て、表３に示した例示化合物、及び液晶組成物を各重量
部で用い、４３−Ｂ〜５０−Ｂの液晶組成物を得た。こ
れらを用いた他は全〈実施例３４と同様の方法により強
誘電性液晶素子を作成し、実施例３４と同様の方法で光
学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。

測定結果を表３に示す。

実施例４３〜５０より明らかな様に本発明による液晶組
成物４３−Ｂ〜５０−Ｂを含有する強誘電性液晶素子は
低温における作動特性、高速応答性が改善され、また応
答速度の温度依存性も軽減されたものとなっている。

実施例５１ 実施例３４及び比較例３４で使用した液晶組成物をＳｉ
Ｏ□を用いずに、ポリイミド樹脂だけで配向制御層を作
成した以外は全〈実施例３４と同様の方法で強誘電性液
晶素子を作成し、実施例３４と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

４−Ｂ ４−Ａ ４−Ｃ ４−Ｄ ４−Ｅ 光学応答速度 １０℃　　　　２５℃ ８０５　μｓｅｃ　　　２９４　ｐ　５ｅｃ１１４６　
μｓｅｃ　　　３５７　μ５ｅｃ８７３　μｓｅｃ　　
　３０６　μ５ｅｃ９４０　μｓｅｃ　　　３３４　μ
５ｅｃ８４１　μｓｅｃ　　　３０１１．ｔ　５ｅｃ４
０℃ １１５μ５ｅｃ １２８１、ｔ　５ｅｃ １２１　μ５ｅｃ １３３　μ５ｅｃ １２０　μｓｅｃ 実施例５１より明らかな様に、素子構成を変えた場合で
も本発明に従う強誘電性液晶組成物を含有する素子は、
他の液晶組成物を含む素子に比べ実施例３４と同様に低
温作動特性が改善され、さらに、応答速度の温度依存性
も軽減されたものとなっている。

実施例５２ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物５
２−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構　　造　　式 更に、この液晶組成物５２−Ａに対して、以下に示す例
示化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物５２−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 次に、この液晶組成物５２−Ｂを以下の手順で作製した
セルを用いて、素子特性等を観察した。

２枚の１．１ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガ
ラス板上にＩＴｏ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上に５ｉ０２を蒸着させ絶縁層とした。

この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東しくａ）ＳＰ−
７１０’ｌ　１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転
数２５０　Ｏｒ　ｐ　ｍ　、のスピンナーで１５秒間塗
布した。成膜後、６０分間、３００℃加熱縮合焼成処理
を施した。この時の塗膜の膜厚は約２００人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（
チッソ（掬）］を用いてガラス板を貼り合わせ、６０分
間、　　１０ｏｏＣにて加熱乾燥し、セルを作成した。

このセルのセル厚をベレツク位相板によって測定したと
ころ約１．５μｍであった。

このセルに上述の液晶組成物５２−Ｂを等方性液体状態
で注入し、等吉相から２０℃／ｈで２５℃まで徐冷する
ことにより、強誘電性液晶素子を作成した。この強誘電
性液晶素子を用いて、ピーク・トウ・ピーク電圧ｖｐｐ
＝＝２ｓｖの電圧印加により、直交ニコル下での光学的
な応答（透過光量変化Ｏ〜９０％）を検知して応答速度
（以後、光学応答速度という）を測定した。その結果を
次に示す。

光学応答速度 １０°０　　　　　２５℃　　　　　４０℃５２７　μ
ｓｅｃ　　　　　１９９　μｓｅｃ　　　　８１　μｓ
ｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは
１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧
印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例５２ 実施例５２で使用した液晶組成物５２−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、５−１１．　５−６２を混合せずに５２
−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−３３．　１−６．　
１−３７のみを実施例５２と同じ重量部で混合した液晶
組成物５２−Ｃ，および例示化合物Ｎｏ、　２−３３を
混合せずに５２−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　５−１
．１５−６２．１−６．！−３７のみを実施例５２と同
じ重量部で混合した液晶組成物５２−Ｄ、さらに例示化
合物Ｎｏ、１−６．　　！−３７を混合せずに５２−Ａ
に対して例示化合物Ｎｏ、５−１１．５−６２．２−３
３のみを実施例５２と同じ重量部で混合した液晶組成物
５２−Ｅを作成した。

これらの液晶組成物５２−Ｃ，５２−Ｄ、５２−Ｅ及び
５２−Ａを用いた以外は、全〈実施例５２と同様の方法
でそれぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例５２と同
様の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ５２−Ａ　　　　　８７２　μｓｅｃ　　　２８５　μ
ｓｅｃ　　　１１５　μ５ｅｃ５２−Ｃ６２１μｓｅｃ
　　　２２９　μｓｅｃ　　　　８９　μ５ｅｅ５２−
Ｄ　　　　　７５８　ｐ　ｓｅｃ　　　２７７　μｓｅ
ｃ　　　１１０　μ５ｅｃ５２−Ｅ　　　　　５９６　
μｓｅｃ　　　２１８　μｓｅｃ　　　　８５　μｓｅ
ｃ実施例５２と比較例５２より明らかな様に、本発明に
よる液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温
における作動特性、高速応答性が改善され、また、応答
速度の温度依存性も軽減されている。

実施例５３ 実施例５３で使用した液晶組成物５２−Ａｌ二対して、
以下に示す例示化合物を以下Ｉこ示す重量部で混合して
液晶組成物５３−Ｂを得た。

２−Ａ この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例５２と同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例５２と同様
の方法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を
観察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が遵られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃５８４　μｓ
ｅｃ　　　　２１４　μｓｅｃ　　　　８５　μｓｅｃ
また、２５°Ｃにおけるこの駆動時のコントラストは１
２であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印
加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例５３ 実施例５３で使用した液晶組成物５３−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、　２−１７　、　２−１を混合せずに５
２−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、５−２９．　５−１３
６１−６５のみを実施例５２と同じ重量部で混合した液
晶組成物５３−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物５３−Ｃ及び５２−Ａを用いた以外
は、全〈実施例５２と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例５２と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ５２−Ａ　　　　　８７２　μｓｅｃ　　　２８５　μ
ｓｅｃ　　　１１５　μ５ｅｃ５３−０　　　　７６４
　μｓｅｃ　　　２７５　μｓｅｃ　　　１０８　μｓ
ｅｃ実施例５３と比較例５３より明らかな様に、本発明
による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低
温における作動特性、高速応答性が改善され、また、応
答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例５４ 実施例５２で使用した液晶組成物５２−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物５４−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全〈実施例５２と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例５２と同様の方法で光学
応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０°０　　　　　２５℃　　　　　４０℃５１３　μ
ｓｅｃ　　　　　１９４　μｓｅｃ　　　　７９　μｓ
ｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは
１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧
印加を止めた際の双安定性も良好であった。

２−Ａ 比較例５４ 実施例５４で使用した液晶組成物５４−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、２−４６．　２−８を混合せずに５２−
Ａに対して例示化合物Ｎｏ、５−６７、５−１４０゜１
−３８のみを実施例５２と同じ重量部で混合した液晶組
成物５４−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物５４−Ｃ及び５２−Ａを用いた以外
は、全〈実施例５２と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例５２と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０°Ｃ２５°Ｃ４０℃ ５２−Ａ　　　　　８７２μｓｅｃ　　　２８５μｓｅ
ｃ　　　　１１５μ５ｅｃ５４−Ｃ７３１μｓｅｃ　　
　２６８　μｓｅｃ　　　１０６　μｓｅｃ実施例５４
と比較例５４より明らかな様に、本発明による液晶組成
物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温における作動
特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の温度依
存性も軽減されている。

実施例５５ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物５
５−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式％式％ 例示化合物Ｎｏ。

構　　造　　式 更に、この液晶組成物５５−Ａに対して、以下に示す例
示化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物５５−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例５２と同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例５２と同様
の方法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を
観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃８０５　μｓ
ｅｃ　　　　２８６４　ｓｅｃ　　　　１１１　μｓｅ
ｃまた、２５°Ｃにおけるこの駆動時のコントラスト注
１４であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧
印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例５５ 実施例５５で使用した液晶組成物５５−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、５−１１．５−６２を混合せずに５５−
Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−３３．　１−６．　　
ｉ３７のみを実施例５２と同じ重量部で混合した液晶組
成物５５−Ｃ，および例示化合物Ｎｏ、　２−３３を混
合せずに５５−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　５−　’
ｌ　ｉ、　。

５−６２．１−６．１−３７のみを実施例５２と同じ重
量部で混合した液晶組成物５５−Ｄ、さらに例示化合物
Ｎｏ、ｌ−６，１−３７を混合せずに５５−Ａに対して
例示化合物Ｎｏ、５−１１．５−６２．　２−３３のみ
を実施例５２と同じ重量部で混合した液晶組成物５５−
Ｅを作成した。

これらの液晶組成物５５−Ｃ，５５−Ｄ、　　５５−Ｅ
及び５５−Ａを用いた以外は、全〈実施例５２と同様の
方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例５２
と同様の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２６℃　　　　４００Ｃ５５−Ａ　　　
　　１４１０　μｓｅｃ　　　４３５　μｓｅｃ　　　
１５５　μ５ｅｃ５５−Ｃ９４０μｓｅｃ　　　３１８
μｓｅｃ　　　１１８μ５ｅｃ５５−Ｄ　　　　　１１
９５　μｓｅｃ　　　３８９　μｓｅｃ　　　１３９　
μ５ｅａ５５−Ｅ　　　　　８９９　μｓｅｃ　　　３
０３　μｓｅｃ　　　１１３　μｓｅｃ実施例５５と比
較例５５より明らかな様に、本発明による液晶組成物を
含有する強誘電性液晶素子の方が低温における作動特性
、高速応答性が改善され、また、応答速度の温度依存性
も軽減されている。

実施例５６ 実施例５５で使用した液晶組成物５５−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物５６−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全〈実施例５２と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例５２と同様の方法で光学
応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ８７Ｂ　μｓｅｃ　　　　３１０　μｓｅｃ　　　　　
１１８　μｓｅｃまた、２５°Ｃにおけるこの駆動時の
コントラストは１２であり、明瞭なスイッチング動作が
観察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であっ
た。

比較例５６ 実施例５６で使用した液晶組成物５６−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、５−６．　５−１０を混合せずに５５−
Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−１９．　１−２７゜１
−４１のみを実施例５２と同じ重量部で混合した液晶組
成物５６−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物５６−Ｃ及び５５−Ａを用いた以外
は、全〈実施例５２と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例５２と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５°Ｃ４００Ｃ ５５−Ａ　　　　　１４１０　μｓｅｃ　　　４３５　
μｓｅｃ　　　１５５　μ５ｅｅ５６−Ｃ９５０μｓｅ
ｃ　　　３２２　μｓｅｃ　　　１２１　μｓｅｃ実施
例５６と比較例５６より明らがな様に、本発明による液
晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温におけ
る作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の
温度依存性も軽減されている。

実施例５７ 実施例５５で使用した液晶組成物５５−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物５７−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全（実施例５２と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例５２と同様の方法で光学
応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０’ｃ　　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ７２２
μ５ｅＣ２５３μｓｅｃ　　　　９６　μｓｅｃまた、
２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１３であり
、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加を止め
た際の双安定性も良好であった。

５−Ａ 比較例５７ 実施例５７で使用した液晶組成物５７−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、２−２３．　２−５２．　１−２５を混
合せずに５５−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　５−３７
　。

５−１５５のみを実施例５２と同じ重量部で混合した液
晶組成物５７−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物５７−Ｃ及び５５−Ａを用いた以外
は、全（実施例５２と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例５２と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 ｌＯｏＧ　　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ５５−Ａ　　　　　１４１０　μｓｅｃ　　　４３５　
μｓｅｃ　　　１５５　μ５ｅｃ５７−Ｃ１１８３μｓ
ｅｃ　　　４０７　μｓｅｃ　　　１５０１．ｔ　ｓｅ
ａ実施例５７と比較例５７より明らかな様に、本発明に
よる液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温
における作動特性、高速応答性が改善され、また、応答
速度の温度依存性も軽減されている。

実施例５８ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物５
８−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式例示化合物Ｎ
ｏ。

構　　造　　式 更に、この液晶組成物５８−　Ａ、に対して、以下に示
す例示化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶
組成物５８−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ。

構造式 ％式％ この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例５２と同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例５２と同様
の方法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を
観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 ｌＯｏＣ２５°０　　　　　４０℃ ８１１　μｓｅｃ　　　　２８４　μｓｅｃ　　　　１
０９　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコン
トラストは１４であり、明瞭なスイッチング動作が観察
され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例５８ 実施例５８で使用した液晶組成物５８−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、　２−３３を混合せずに５８−Ａに対し
て例示化合物Ｎｏ、５−１１．５−６２．　１−６．　
１−３７のみを実施例５２と同じ重量部で混合した液晶
組成物５８−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物５８−Ｃ及び５８−Ａを用いた以外
は、全〈実施例５２と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例５２と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０°Ｃ２５°Ｃ４０℃ ５８−Ａ　　　　　１２６０　／、！　ｓｅｃ　　　３
７４　μｓｅｃ　　　　１３７　μ５ｅｃ５Ｂ−Ｃ１０
３５μｓｅｃ　　　３６１　μｓｅｃ　　　　１３１　
μｓｅｃ実施例５８と比較例５８より明らかな様に、本
発明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方
が低温における作動特性、高速応答性が改善され、また
、応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例５９ 実施例５８で使用した液晶組成物５８−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物５９−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全〈実施例５２と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例５２と同様の方法で光学
応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ８３９μｓｅｃ　　　　　２９４　μｓｅｃ　　　　　
１１４　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコ
ントラストは１２であり、明瞭なスイッチング動作が観
察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった
。

８−Ａ 比較例５９ 実施例５９で使用した液晶組成物５９−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、　５−６　、　５−１０を混合せずに５
８−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−１９．　１−２７
゜１−４１のみを実施例５２と同じ重量部で混合した液
晶組成物５９−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物５９−Ｃ及び５８−Ａを用いた以外
は、全〈実施例５２と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例５２と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０°Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ ５８−Ａ　　　　　１２６０　μｓｅｃ　　　３７４　
μｓｅｃ　　　１３７　μ５ｅａ５９−０　　　　９６
１　μｓｅｃ　　　３２７　μｓｅｃ　　　１２３　μ
ｓｅｃ実施例５９と比較例５９より明らかな様に、本発
明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が
低温における作動特性、高速応答性が改善され、また、
応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例６０ 実施例５８で使用した液晶組成物５８−八に対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合した液晶
組成物６０−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式この液晶組成
物を用いた以外は、全〈実施例５２と同様の方法で強誘
電性液晶素子を作成し、実施例５２と同様の方法で光学
応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ８６７μｓ
ｅｃ　　　　３０９　ｐ　ｓｅｃ　　　　１２０　μｓ
ｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは
１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧
印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例６０ 実施例６０で使用した液晶組成物６０−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、５−７９．　５−１５７．　２−７３゜
２−８１を混合せずに５８−Ａに対して例示化合物Ｎｏ
、１−２８のみを実施例５２と同じ重量部で混合した液
晶組成物６０−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物６０−Ｃ及び５８−Ａを用いた以外
は、全〈実施例５２と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例５２と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ５８−Ａ　　　　　１２６０　μｓｅｃ　　　３７４１
ｔ　ｓｅｅ　　　１３７　μ５ｅｃ６０−Ｃ１１５０μ
ｓｅｃ　　　３６５　ｇ、　ｓｅｅ　　　　１３２　μ
ｓｅｃ実施例６０と比較例６０より明らかな様に、本発
明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が
低温における作動特性、高速応答性が改善され、また、
応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例６１〜６８ 実施例５２で用いた例示化合物、及び液晶組成物に代え
て、表４に示した例示化合物、及び液晶組成物を各重量
部で用い、６１−Ｂ〜６８−Ｂの液晶組成物を得た。こ
れらを用いた他は全〈実施例５２と同様の方法により強
誘電性液晶素子を作成し、実施例５２と同様の方法で光
学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。

測定結果を表４に示す。

実施例６１〜６８より明らかな様に本発明による液晶組
成物６１−Ｂ〜６８−Ｂを含有する強誘電性液晶素子は
低温における作動特性、高速応答性が改善され、また応
答速度の温度依存性も軽減されたものとなっている。

実施例６９ 実施例５２及び比較例５２で使用した液晶組成物を５ｉ
０２を用いずに、ポリイミド樹脂だけで配向制御層を作
成した以外は全〈実施例５２と同様の方法で強誘電性液
晶素子を作成し、実施例５２と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

２−Ｂ ２−Ａ ２−Ｃ ２−Ｄ ２−Ｅ 光学応答速度 １０℃　　　　２５℃ ５０２　μｓｅｃ　　　１８５　μ５ｅｃ８４８　μｓ
ｅｃ　　　２６９　μ５ｅｃ６１５　μｓｅｃ　　　２
１９　μ５ｅｃ７３９　μｓｅｃ　　　２５９　μ５ｅ
ｃ５８５　μｓｅｃ　　　２０３　μ５ｅｃ７６μ５ｅ
ｃ １１０Ａｔｓｅｃ ８５μ５ｅｃ １０２　μ５ｅｃ ８２μｓｅｃ 実施例６９より明らかな様に、素子構成を変えた場合で
も本発明に従う強誘電性液晶組成物を含有する素子は、
他の液晶組成物を含む素子に比べ実施例５２と同様に低
温作動特性が改善され、さらに、応答速度の温度依存性
も軽減されたものとなっている。

実施例７０ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｈに対して以下に示
す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成物
７０−Ｂを得た。

例示化合物Ｎα　　　　　構造式　　　　　　　重量部
−Ｂ この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様な
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定した。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　　４０°０７９０　μｓ
ｅｃ　　　　２７１　μｓｅｃ　　　　１０２　μｓｅ
ｃさらに、上記液晶素子を用い、２５℃において直交ニ
コル下でチルト角を測定したところ、７．６°であった
。次に６０ＫＨｚの周波数で±８ｖの矩形波を印加しな
がらチルト角を測定したところ、１４．２゜であった。

この時透過率を測定したところ１６％であった。また同
時にコントラスト比を測定したところ６７；１であった
。

比較例７０ 液晶組成物１−Ｈに代えて、液晶組成物１−Ａに前述の
ＮＱ６−１０の化合物を実施例７０と同様な比率で含有
させた液晶組成物７０−Ｃを作成した。

これら７０−Ｃおよび１−Ａ、　　１−Ｂの液晶組成物
を用いて実施例１と同様な方法でそれぞれ強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様な方法で光学応答速度を
測定した。

また、さらに、実施例７０と全く同様な方法でチルト角
を測定した。結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　２５℃　　　４０°（ Ｉ−Ａ　　１１５５μｓｅｃ　　３６２μｓｅｃ　　１
３３μ５ｅｃ１−８　７０５　μｓｅｃ　　２４６　μ
ｓｅｃ　　　９５　μ５ｅｃ７０−Ｃ１３２６μＳｅｃ
　　４０５μｓｅｃ　　１３９μｓｅｃチルト角（２５
℃） 初期チルト角　　ＡＣスタビライズ時 （無電界時）　　　（６０ＫＨｚ、−±８ｖ矩形波印加
時）１−Ａ　　　　７．５’　　　　　　　　７．８゜
１−Ｂ　　　　７．３°　　　　　　　７３６゜７０−
Ｃ７，７°　　　　　　１３．３゜実施例７０と比較例
７０により明らかな様に、本発明による液晶組成物に誘
電異方性が負の液晶性化合物を混合することにより、応
答特性が改善された上に、さらに、ＡＣスタビライズ効
果による表示方法に用いる場合、表示特性が大幅に改善
されることがわかった。

実施例７１ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｂに対して以下に示
す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成物
７１−Ｂを得た。

例示化合物Ｎα　　　　　構造式　　　　　　　重量部
＼Ｓシ′ 例示化合物Ｎα 構造式 この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様な
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定した。

光学応答速度 １０°Ｃ２５℃　　　　　４０°Ｃ ８２７μｓｅｃ　　　　２９５　μｓｅｃ　　　　１１
１　μｓｅｃ−Ｂ さらに、上記液晶素子を用い、２５℃において直交ニコ
ル下でチルト角を測定したところ、８．６″　であった
。次に６０　Ｋ　Ｈｚの周波数で±８ｖの矩形波を印加
しながらチルト角を測定したところ、１３．５゜であっ
た。この時透過率を測定したところ１４．５％であった
。また同時にコントラスト比を測定したところ５９；１
であった。

比較例７１ 液晶組成物１−Ｂに代えて、液晶組成物１−Ａに前述の
Ｎα６−９０．　６−１２．　６−１２２．　６−７０
゜６−１０７．６−１１１．６−１６７の化合物を実施
例７１と同様な比率で含有させた液晶組成物７１−Ｃを
作成した。

これら７１−Ｃおよび１−Ａ、１−Ｂの液晶組成物を用
いて実施例１と同様な方法でそれぞれ強誘電性液晶素子
を作成し、実施例１と同様な方法で光学応答速度を測定
した。

また、さらに、実施例７１と全く同様な方法でチルト角
を測定した。結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　２５°Ｃ４０℃ １−Ａ　　１１５！５μｓｅｃ　　３６２μｓｅｃ　　
１３３μ５ｅｃ１−Ｂ　　　７０５７ｘｓｅｃ　　２４
６　μｓｅｃ　　　９５　μ５ｅｃ７１−Ｃ１４５０１
ｌｓｅｃ　　４００　μｓｅｃ　　１５２　μｓｅｃ化
合物を混合することにより、応答特性が改善された上に
、さらに、ＡＣスタビライズ効果による表示方法に用い
る場合、表示特性が大幅に改善されることがわかった。

チルト角（２５°Ｃ） 初期チルト角　　ＡＣスタビライズ時 （無電界時）　　　（６０ＫＨｚ、±８ｖ矩形波印加時
）１、−Ａ７．５°　　　　　　　７．８゜ｔ−８７，
３°　　　　　　　７，６゜７ｌ−Ｃ８，３°　　　　
　　１３．０ｅ実施例７１と比較例７１により明らかな
様に、本発明による液晶組成物に誘電異方性が負の液晶
性また、実施例７０．７１より明らかな様に、本発明に
よる液晶組成物は、さらに、ＡＣスタビライズ効果によ
る表示方法に用いる場合表示特性が大幅に改善されてい
る。

〔発明の効果〕

本発明の強誘電性液晶組成物を含有する素子は、スイッ
チング特性が良好で、作動特性の改善された液晶素子、
及び応答速度の温度依存性の軽減された液晶素子とする
ことができる。また、さらに本発明の特定の化合物を有
する強誘電性液晶組成物に誘電異方性が負の液晶性化合
物を含有することにより、前述の特徴を有したうえにさ
らにＡＣスタビライズ効果による表示特性が大幅に改善
された液晶素子を得ることができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の一例の断
面概略図。 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表わす斜視図。 第４図はΔεの値の異なるＦＬＣのＶｒｍｓに対するθ
ａの変化を示す。 第１図において、 ｌ・・・・・・・・・・・・・・強誘電性液晶層２・・
・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板３・・・・・
・・・・・・・・・・・・・透明電極４・・・・・・・
・・・・・・絶縁性配向制御層５・・・・・・・・・・
・・・・・・スペーサー６　・・・・・・・・・・・・
・・・・・・リード線７・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・電源８・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・偏光板９・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・光源１０・・・・・・・・・・・・・・・・・・入
射光１１・・・・・・・・・・・・・・・・・・・透過
光第２図において、 ２１ａ・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板２１
ｂ・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板２２・・
・・・・・・・・・　・強誘電性液晶層２３・・・・　
・　・・・・・・・・・・・・・液晶分子２４・・・・
・・・・　双極子モーメント（Ｐ工）第３図において、

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置換
   基を有していてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基、
   Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、Ｙ＿１は−ＣＨ＿
   ２Ｏ−又は−ＯＣＨ＿２−、ｍ、ｎは１又は２〕で示さ
   れる化合物の少なくとも１種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔ただし、Ｒ＿３はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の置換基を有し
   ていてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、Ｘ
   ＿３は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼のいづれかを示し、Ｚは単結合もしくは▲数式、化
   学式、表等があります▼であり、 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
   表等があります▼もしくは÷▲数式、化学式、表等があ
   ります▼である。 又、Ｐは１〜１２を示す。〕 で示される化合物の少なくとも１種と、 さらに、誘電異方性（Δε）が負の液晶性化合物の少な
   くとも１種とを含有することを特徴とする強誘電性カイ
   ラルスメクチック液晶組成物。
2. （２）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−２
   であるところの請求項１記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
3. （３）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−５
   であるところの請求項２記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
4. （４）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−１
   ０であるところの請求項３記載の強誘電性カイラルスメ
   クチック液晶組成物。
5. （５）前記誘電異方性が負の液晶性化合物が下記一般式
   （VI−［１］）から（VI−［５］）のいづれかで示され
   る化合物の中から選ばれることを特徴とする請求項１か
   ら４項記載の強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物
   。 一般式（VI−［１］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ａ、Ｒ＿ｂは置換基を有していてもよい直鎖状又
   は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ａ、Ｘ＿ｄは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
   ２ＣＨ＿２−、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂは単結合、▲数式、化学
   式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼、▲数式、化学式、表等があります▼（トランス・
   トランス）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（トランス）、▲数
   式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂがとも
   に単結合の場合、Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合であり、Ｘ＿
   ａ、Ｘ＿ｄは供に単結合又は供に−Ｏ−であるか、又は
   Ｘ＿ａが▲数式、化学式、表等があります▼で、Ｘ＿ｄ
   が▲数式、化学式、表等があります▼である。 Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂは、シアノ基、ハロゲン、水素、ただし
   Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂが同時に水素にはならない。〕一般式（
   VI−［２］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｅ、Ｒ＿ｆは置換基を有していてもよい直鎖状又
   は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ｅ、Ｘ＿ｈは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｆ、Ｘ＿ｇは▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、単結合、Ａ＿ｅ、
   Ａ＿ｆは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、単結合、ただしＡ＿ｅ、Ａ
   ＿ｆが同時に単結合にはならない。〕一般式（VI−［３
   ］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ａ＿ｉは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 Ａ＿ｊは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｒ＿ｉ、Ｒ＿ｊは置換基を有していてもよい直鎖又は分
   岐のアルキル基、ただしＡ＿ｊが単結合のとき直鎖アル
   キル基であり、Ｚ＿１は−Ｏ−又は−Ｓ−、Ｘ＿ｉ、Ｘ
   ＿ｋは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等がありま
   す▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼、Ｘ＿ｊは単結合、▲数式、化
   学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、−ＣＨ＿２Ｏ、−ＯＣＨ＿２−、ただしＡ＿ｉ
   が単結合のときＸ＿ｉは単結合であり、Ａ＿ｊが▲数式
   、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
   あります▼のときＸ＿ｊは単結合ではなく、Ａ＿ｊが単
   結合のときＸ＿ｋは単結合である。〕一般式（VI−［４
   ］） 〔Ｒ＿ｌ、Ｒ＿ｍは置換基を有していてもよい直鎖又は
   分岐のアルキル基、 Ａ＿ｌ、Ａ＿ｍは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、ただしＡ
   ＿ｋ、Ａ＿ｌは同時に単結合にならない。 Ｘ＿ｌは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｍは
   単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ
   ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−Ｃ≡Ｃ−〕 一般式（VI−［５］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｎ、Ｒ＿ｏは置換基を有していてもよい直鎖又は
   分岐のアルキル基、 Ｘ＿ｎ、Ｘ＿ｑは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｏ、Ｘ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
   ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、 Ａ＿ｎ、Ａ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ｏは
   、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
   、表等があります▼、 Ｚ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式
   、化学式、表等があります▼〕
6. （６）請求項１記載の強誘電性カイラルスメクチック液
   晶組成物を１対の電極基板間に配置してなることを特徴
   とする液晶素子。
7. （７）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２は置換基を有していてもよい
   Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、
   Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、Ｙ＿１は−ＣＨ＿
   ２Ｏ−又は−ＯＣＨ＿２−、ｍ、ｎは１もしくは２〕 で示される化合物の少なくとも１種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔ただし、Ｒ＿３は置換基を有していてもよいＣ＿１〜
   Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｘ＿３は
   単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｚは単結合もしくは▲数式、化学式、表等があります▼
   であり、 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
   表等があります▼もしくは▲数式、化学式、表等があり
   ます▼で、 Ｐは１〜１２。〕 で示される化合物の少なくとも１種と、 下記一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） 〔ただし、Ｒ＿４、Ｒ＿５は置換基を有していてもよい
   Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基で
   あり、かつ少なくとも一方は光学活性である。 Ｘ＿４は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、Ｘ＿５は単結合、−Ｏ−、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼。〕で示される化合物の少なくとも１
   種と、 さらに、誘電異方性（Δε）が負の液晶性化合物の少な
   くとも１種とを含有することを特徴とする強誘電性カイ
   ラルスメクチック液晶組成物。
8. （８）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−２
   であるところの請求項７記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
9. （９）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−５
   であるところの請求項８記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
10. （１０）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−
    １０であるところの請求項９記載の強誘電性カイラルス
    メクチック液晶組成物。
11. （１１）前記誘電異方性が負の液晶性化合物が下記一般
    式（VI−［１］）から（VI−［５］）のいづれかで示さ
    れる化合物の中から選ばれることを特徴とする請求項７
    から１０項記載の強誘電性カイラルスメクチック液晶組
    成物。 一般式（VI−［１］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ａ、Ｒ＿ｂは置換基を有していてもよい直鎖状又
    は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ａ、Ｘ＿ｄは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
    ２ＣＨ＿２−、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂは単結合、▲数式、化学
    式、表等があります▼（トランス）、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    （トランス・トランス）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（トランス）、▲数
    式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂがとも
    に単結合の場合、Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合であり、Ｘ＿
    ａ、Ｘ＿ｄは共に単結合又は共に−Ｏ−であるか、又は
    Ｘ＿ａが▲数式、化学式、表等があります▼で、Ｘ＿ｄ
    が▲数式、化学式、表等があります▼である。 Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂは、シアノ基、ハロゲン、水素、ただし
    Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂが同時に水素にはならない。〕一般式（
    VI−［２］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｅ、Ｒ＿ｆは置換基を有していてもよい直鎖状又
    は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ｅ、Ｘ＿ｈは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｘ＿ｆ、Ｘ＿ｇは▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、単結合、Ａ＿ｅ、
    Ａ＿ｆは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
    化学式、表等があります▼、単結合、ただしＡ＿ｅ、Ａ
    ＿ｆが同時に単結合にはならない。〕一般式（VI−［３
    ］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ａ＿ｉは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 Ａ＿ｊは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｒ＿ｉ、Ｒ＿ｊは置換基を有していてもよい直鎖又は分
    岐のアルキル基、ただしＡ＿ｊが単結合のとき直鎖アル
    キル基であり、Ｚ＿１、は−Ｏ−又は−Ｓ−、Ｘ＿ｉ、
    Ｘ＿ｋは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
    化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｊは単結合、▲数式、
    化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
    ります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、ただしＡ
    ＿ｉが単結合のときＸ＿ｉは単結合であり、Ａ＿ｊが▲
    数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
    等があります▼のときＸ＿ｊは単結合ではなく、Ａ＿ｊ
    が単結合のときＸ＿ｋは単結合である。〕一般式（VI−
    ［４］） 〔Ｒ＿ｌ、Ｒ＿ｍは置換基を有していてもよい直鎖又は
    分岐のアルキル基、 Ａ＿ｌ、Ａ＿ｍは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、ただしＡ
    ＿ｋ、Ａ＿ｌは同時に単結合にならない。 Ｘ＿ｌは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｍは
    単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
    化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ
    ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−Ｃ≡Ｃ−〕 一般式（VI−［５］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｎ、Ｒ＿ｏは置換基を有していてもよい直鎖又は
    分岐のアルキル基、 Ｘ＿ｎ、Ｘ＿ｑは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｘ＿ｏ、Ｘ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
    ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、 Ａ＿ｎ、Ａ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ｏは
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 Ｚ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式
    、化学式、表等があります▼〕
12. （１２）請求項７記載の強誘電性カイラルスメクチック
    液晶組成物を１対の電極基板間に配置してなることを特
    徴とする液晶素子。
13. （１３）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２は置換基を有していてもよい
    Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、
    Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、Ｙ＿１は−ＣＨ＿
    ２Ｏ−又は−ＯＣＨ＿２−、ｍ、ｎは１もしくは２〕 で示される化合物の少なくとも１種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔ただし、Ｒ＿３は置換基を有していてもよいＣ＿１〜
    Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｘ＿３は
    単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｚは単結合もしくは▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
    表等があります▼もしくは▲数式、化学式、表等があり
    ます▼である。 Ｐは１〜１２。〕 で示される化合物の少なくとも１種と、 下記一般式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 〔ただし、Ｒ＿６、Ｒ＿７はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖
    状もしくはは分岐状のアルキル基であり、置換基として
    Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿２のアルコキシ基を有していてもよい
    。 Ｘ＿６、Ｘ＿７は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼のいずれかを示す。〕 で示される化合物の少なくとも１種と、 さらに、誘電異方性（Δε）が負の液晶性化合物の少な
    くとも１種とを含有することを特徴とする強誘電性カイ
    ラルスメクチック液晶組成物。
14. （１４）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−
    ２であるところの請求項１３記載の強誘電性カイラルス
    メクチック液晶組成物。
15. （１５）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−
    ５であるところの請求項１４記載の強誘電性カイラルス
    メクチック液晶組成物。
16. （１６）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−
    １０であるところの請求項１５記載の強誘電性カイラル
    スメクチック液晶組成物。
17. （１７）前記誘電異方性が負の液晶性化合物が下記一般
    式（VI−［１］）から（VI−［５］）のいづれかで示さ
    れる化合物の中から選ばれることを特徴とする請求項１
    ３から１６項記載の強誘電性カイラルスメクチック液晶
    組成物。 一般式（VI−［１］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ａ、Ｒ＿ｂは置換基を有していてもよい直鎖状又
    は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ａ、Ｘ＿ｄは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
    ２ＣＨ＿２−、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂは単結合、▲数式、化学
    式、表等があります▼（トランス）、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    （トランス・トランス）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（トランス）、▲数
    式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂがとも
    に単結合の場合、Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合であり、Ｘ＿
    ａ、Ｘ＿ｄは供に単結合又は供に−Ｏ−であるか、又は
    Ｘ＿ａが▲数式、化学式、表等があります▼で、Ｘ＿ｄ
    が▲数式、化学式、表等があります▼である。 Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂは、シアノ基、ハロゲン、水素、ただし
    Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂが同時に水素にはならない。〕一般式（
    VI−［２］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｅ、Ｒ＿ｆは置換基を有していてもよい直鎖状又
    は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ｅ、Ｘ＿ｈは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｘ＿ｆ、Ｘ＿ｇは▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、単結合、Ａ＿ｅ、
    Ａ＿ｆは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
    化学式、表等があります▼、単結合、ただしＡ＿ｅ、Ａ
    ＿ｆが同時に単結合にはならない。〕一般式（VI−［３
    ］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ａ＿ｉは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 Ａ＿ｊは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｒ＿ｉ、Ｒ＿ｊは置換基を有していてもよい直鎖又は分
    岐のアルキル基、ただしＡ＿ｉが単結合のとき直鎖アル
    キル基であり、Ｚ＿１は−Ｏ−又は−Ｓ−、Ｘ＿ｉ、Ｘ
    ＿ｋは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等がありま
    す▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
    学式、表等があります▼、Ｘ＿ｊは単結合、▲数式、化
    学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、ただしＡ＿
    ｉが単結合のときＸ＿ｉは単結合であり、Ａ＿ｊが▲数
    式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
    があります▼のときＸ＿ｊは単結合ではなく、Ａ＿ｊが
    単結合のときＸ＿ｋは単結合である。〕一般式（VI−［
    ４］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｌ、Ｒ＿ｍは置換基を有していてもよい直鎖又は
    分岐のアルキル基、 Ａ＿ｌ、Ａ＿ｍは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、ただしＡ
    ＿ｋ、Ａ＿ｌは同時に単結合にならない。 Ｘ＿＿ｌは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があ
    ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｍ
    は単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
    、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣ
    Ｈ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−Ｃ≡Ｃ−〕 一般式（VI−［５］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｎ、Ｒ＿ｏは置換基を有していてもよい直鎖又は
    分岐のアルキル基、 Ｘ＿ｎ、Ｘ＿ｑは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｘ＿ｏ、Ｘ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
    ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、 Ａ＿ｎ、Ａ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ｏは
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 Ｚ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式
    、化学式、表等があります▼〕
18. （１８）請求項１３記載の強誘電性カイラルスメクチッ
    ク液晶組成物を１対の電極基板間に配置してなることを
    特徴とする液晶素子。
19. （１９）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２は置換基を有していてもよい
    Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、
    Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、Ｙ＿１は−ＣＨ＿
    ２Ｏ−又は−ＯＣＨ＿２−、ｍ、ｎは１もしくは２〕 で示される化合物の少なくとも１種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔ただし、Ｒ＿３は置換基を有していてもよいＣ＿１〜
    Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｘ＿３は
    単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｚは単結合もしくは▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
    表等があります▼もしくは▲数式、化学式、表等があり
    ます▼である。 Ｐは１−１２。〕 で示される化合物の少なくとも１種と、 下記一般式（Ｖ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） 〔ただし、Ｒ＿８、Ｒ＿９は置換基を有していてもよい
    Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
    基、Ｘ＿８、Ｘ＿９は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式
    、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
    ▼、Ｙ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
    式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−Ｏ
    ＣＨ＿２−、単結合、▲数式、化学式、表等があります
    ▼、▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学
    式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
    す▼、▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
    表等があります▼、、 ただし、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
    化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
    ります▼のうち少 なくとも１つは▲数式、化学式、表等があります▼もし
    くは▲数式、化学式、表等があります▼である。〕で示
    される化合物の少なくとも１種と、 さらに、誘電異方性（Δε）が負の液晶性化合物の少な
    くとも１種とを含有することを特徴とする強誘電性カイ
    ラルスメクチック液晶組成物。
20. （２０）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−
    ２であるところの請求項１９記載の強誘電性カイラルス
    メクチック液晶組成物。
21. （２１）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−
    ５であるところの請求項２０記載の強誘電性カイラルス
    メクチック液晶組成物。
22. （２２）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−
    １０であるところの請求項２１記載の強誘電性カイラル
    スメクチック液晶組成物。
23. （２３）前記誘電異方性が負の液晶性化合物が下記一般
    式（VI−［１］）から（VI−［５］）のいづれかで示さ
    れる化合物の中から選ばれることを特徴とする請求項１
    ９から２２項記載の強誘電性カイラルスメクチック液晶
    組成物。 一般式（VI−［１］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ａ、Ｒ＿ｂは置換基を有していてもよい直鎖状又
    は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ａ、Ｘ＿ｄは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
    ２ＣＨ＿２−、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂは単結合、▲数式、化学
    式、表等があります▼（トランス）、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    （トランス・トランス）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（トランス）、▲数
    式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂがとも
    に単結合の場合、Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合であり、Ｘ＿
    ａ、Ｘ＿ｄは供に単結合又は供に−Ｏ−であるか、又は
    Ｘ＿ａが▲数式、化学式、表等があります▼で、Ｘｄが
    ▲数式、化学式、表等があります▼である。 Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂは、シアノ基、ハロゲン、水素、ただし
    Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂが同時に水素にはならない。〕一般式（
    VI−［２］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｅ、Ｒ＿ｆは置換基を有していてもよい直鎖状又
    は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ｅ、Ｘ＿ｈは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｘ＿ｆ、Ｘ＿ｇは▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、単結合、Ａ＿ｅ、
    Ａ＿ｆは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
    化学式、表等があります▼、単結合、ただしＡ＿ｅ、Ａ
    ＿ｆが同時に単結合にはならない。〕一般式（VI−［３
    ］） ▲数式、化学式、表等があります▼ Ａ＿ｉは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、 Ａ＿ｊは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｒ＿ｉ、Ｒ＿ｊは置換基を有していてもよい直鎖又は分
    岐のアルキル基、ただしＡ＿ｊが単結合のとき直鎖アル
    キル基であり、Ｚ＿１は−Ｏ−又は−Ｓ−、Ｘ＿ｉ、Ｘ
    ＿ｋは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等がありま
    す▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
    学式、表等があります▼、Ｘ＿ｊは単結合、▲数式、化
    学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、ただしＡ＿
    ｉが単結合のときＸ＿ｉは単結合であり、Ａ＿ｊが▲数
    式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
    があります▼のときＸ＿ｊは単結合ではなく、Ａ＿ｊが
    単結合のときＸ＿ｋは単結合である。〕一般式（VI−［
    ４］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｌ、Ｒ＿ｍは置換基を有していてもよい直鎖又は
    分岐のアルキル基、 Ａ＿ｌ、Ａ＿ｍは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、ただしＡ
    ＿ｋ、Ａ＿ｌは同時に単結合にならない。 Ｘ＿ｌは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｍは
    単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
    化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ
    ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−Ｃ≡Ｃ−〕 一般式（VI−［５］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｎ、Ｒ＿ｏは置換基を有していてもよい直鎖又は
    分岐のアルキル基、 Ｘ＿ｎ、Ｘ＿ｑは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｘ＿ｏ、Ｘ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
    ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、 Ａ＿ｎ、Ａ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ｏは
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 Ｚ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式
    、化学式、表等があります▼〕
24. （２４）請求項１９記載の強誘電性カイラルスメクチッ
    ク液晶組成物を１対の電極基板間に配置してなることを
    特徴とする液晶素子。