JPH0312485A - 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
及びそれを有する液晶素子に関するものである。

〔背景技術〕

従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ、５ｃｈａｄｔとＷ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著
”Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　
　Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４　（１９７１，２，１５）、Ｐ
、１２７〜１２８のｖｏｔｔａｇｅ−Ｓｐｅｎｄｅｎｔ
　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　　
ａＴｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃ
ｒｙｓｔａｌ”に示されたＴ　Ｎ　（ｔ　ｗ　ｉ　ｓ　
ｔ　ｅ　ｄ　　ｎ　ｅ　ｍ　ａ　ｔ　ｉ　ｃ　）型の液
晶を用いたものである。

これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用される。

しかしこのような駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界が
かかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に
配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設
定されるならば、表示素子は正常に動作するわけである
が、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体（
ｌフレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電界
がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）が１／Ｎの割合で減
少してしまう。このために、くり返し走査を行った場合
の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、
走査線数が増えれば増える程小さ（なり、結果的には画
像コントラストの低下やクロストークが避は難い欠点と
なっている。

このような現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返
し走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、２周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによっ
て頭打ちになっているのが現状である。

この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ及びＬ
ａｇｅｒｗａｌｌにより提案されている（特開昭５６−
１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９２４号明細
書等）。双安定性液晶としては一般に、カイラルスメク
テイツクＣ相（３ｍ０本）又はＨ相（ＳｍＨ＊）を有す
る強誘電性液晶が用いられる。この強誘電性液晶は電界
に対して第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態
からなる双安定状態を有し、従って前述のＴＮ型の液晶
で用いられた光学変調素子とは異なり、例えば一方の電
界ベクトルに対して第１の光学的安定状態に液晶が配向
し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的安定状
態に液晶が配向される。また、この型の液晶は、加えら
れる電界に応答して、上記２つの安定状態のいずれかを
取り、且つ電界の印加のないときはその状態を維持する
性質（双安定性）を有する。

以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して配
向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と電
場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。

このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多（に対して、かな
り本質的な改善が得られる。

特に、高速光学光シャッターや、高密度、大画面デイス
プレィへの応用が期待される。このため強誘電性を持つ
液晶材料に関しては広く研究がなされているが、現在ま
でに開発された強誘電性液晶材料は、低温作動特性、高
速応答性等を含めて液晶素子に用いる十分な特性を備え
ているとは云い難い。

応答速度を速くするには、 （ア）自発分極の大きさＰｓを大きくする（イ）粘度η
を小さ（する （つ）印加電圧Ｅを高くする 方法がある。しかし印加電圧は、ＩＣ等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。

よって、実際には粘度ηを小さくするか、自発分極の大
きさＰｓの値を大きくする必要がある。

−船釣に自発分極の大きい強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの内
部電界も太き（、双安定状態をとり得る素子構成への制
約が多くな、る傾向にある。又、いたずらに自発分極を
大きくしても、それにつれて粘度も太き（なる傾向にあ
り、結果的には応答速度はあまり速くならないことが考
えられる。

また、実際のデイスジ１ノイとしての使用温度範囲が例
えば５〜４０℃程度とした場合、応答速度の変化が一般
に２０倍程もあり、駆動電圧および周波数による調節の
限界を越えているのが現状である。

以上述べたように、強誘電性液晶素子を実用化するため
には、粘度が低く高速応答性を有し、かつ応答速度の温
度依存性の小さな強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が要求される。

代表的な強誘電性液晶セルの構成は、ガラス基板上にＩ
ＴＯ等で電極パターンを形成し、その上にＳｉ０２等で
上下基板のショート防止層を形成（約１０００人）その
上にポリイミド（ＰＩ　：東し社５Ｐ５１０．５Ｐ７１
０等）膜を４００人位の膜厚で形成し、さらにＰＩ膜を
ラビング処理したものを上下対称な配向になるように向
い合わせて構成し、その基板間隔を１〜３μｍに保つも
のである。

一方、このような条件下で配列した強誘電性液晶は、一
般に上下基板間をねじれた状態でつながり、−軸性の配
向を示さないことが知られている（スプレー配向）。こ
のような場合問題点のひとつに、液晶層の透過率が低い
ことがある。

透過光量は、分子配向の一軸性を仮定すると、クロスニ
コル下で入射光！。の強度に対してＩの強度を得る。

ここで、Δｎは屈折率異方性、ｄはセル厚、λは入射光
の波長、θａは双安定状態間の角度（チルト角）である
。

前述のセルを用い、スプレー配向をとった場合、現状で
はθａは５°〜８°である。Δｎｄπ／λのコントロー
ルは、物性的に簡単には行えないので、θａを大きくし
てＩを大きくしたいが、スタティックな配向手法によっ
てはなかなか達成出来ない。

このような問題に対して、強誘電性液晶の４８項のトル
クを用いることにより、θａを広げられることが知られ
ている（１９８３年ＳＩＤでＡＴＴにより発表、特開昭
６１−２４５１４２．６１−２４６７２２．６１−２４
６７２３．６１−２４６７２４．６１−２４９０２４．
６ｌ−２４９０２５）。

液晶のΔεが負であると、液晶分子は電界印加により基
板に平行になろうとする。この特性を利用、すなわち、
スイッチング時以外にも一定の実効的な電界を印加する
ことにより、かかるねじれ配列を解消し、θａを増大さ
せて、透過率を上げることができる（ＡＣスタビライズ
効果）。

状態のスイッチングに関するＦＬＣ分子に働くトルクＴ
’ｐｍ、ＡＣスタビライズ効果に関してＦＬＣ分子に働
＜トルクｒΔξとは、各々次のような物性に比例する。

ｒ’ｐｓ　　ｏｏＰｓ−Ｅ　・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・　（２）ＦΔ
、ｏｏ　　Δε争ε。・Ｅ２・・・・・・・・・・・・
・・　（３）（３）式によっても明らかなようにＦＬＣ
のΔεの符号及び絶対値がきわめて重要な役割を示すこ
とがわかる。

Δεに関する物性が異なる値を持つ４種のＦＬＣのＶｒ
ｍｓに対するθａの変化を第４図に示した。

測定はＰｓによる影響を除くために６０ＫＨｚの矩形交
流で行った。

（Ｉ）はΔεニー５．５、（ｎ）はΔεニー３．０、（
ＩＩりはΔεニー〇、　　　（ＩＶ）はΔε二１．０で
あり、グラフを見てもわかるようにΔεが負に大きい極
低電圧でθａが太き（なり、従って、Ｉに貢献すること
がわかる。

この（Ｉ）と（ｍ）を用いた場合の透過率の差を比較し
てみると（１）では１５％なのに対し、（Ｉ［［）では
６％であり明らかな差があった（６０ＫＨｚ±８ｖ　矩
形波印加時）。

以上の例でも知られるように、ΔεとＰｓの物性をコン
トロールすることにより、５ＳＦＬＣの表示特性を太き
（変えることができる。

強誘電性液晶組成物のΔεを負に太き（するためには、
Δεが負で、その絶対値が大きな材料を混合することが
一番有効である。例えば、分子の短軸方向に、ハロゲン
やシアノ基を導入したり、分子環骨格にヘテロ原子を導
入したりすることによりΔεの大きな化合物を得ること
ができる。

Δε〈Ｏの化合物の誘電異方性は、構造によってその大
きさに差がある。例を下に示す。

１ε１〈２ ２ ≦ ε ≦ ε ＞　　１０ Ｎ ５く ε ＜１０ （’Ｎ す ※Ｒ，Ｒ’　　はアルキル基を示す。

大きく分類すると、１εｌ≦２（ｌΔε１小）の化合物
、２く１εｌ≦１０（１Δε１中）の化合物、１Δεｌ
＞１０（ｌΔε１大）の３種に分けることが出来る。１
Δε１小のものは、１ΔεＩを増大させる効果は殆どな
い。１Δε１大のものは１Δε増大に大変有効な材料で
ある。現在のところ、ジシアノハイドロキノン誘導体の
みがＩΔε１大材料である。

しかしながら、ジシアノハイドロキノン誘導体は、１Δ
ε１増大効果は大きいものの、粘性が高いため、その含
有比率が増加するとスイッチング特性を悪くする傾向が
ある。

一方、１Δε１が中程度のものの中には１Δε増大効果
は１Δε１大成分よりは小さいが、ある程度粘性の低い
ものもある。

以上のことから、スイッチング特性が良好で、かつ、Ａ
Ｃスタビライズ効果を有する液晶組成物およびこれを含
む液晶素子を得るためには、誘電異方性が負の化合物、
好ましくは１Δε１〉２の化合物の選択、混合相手およ
び混合比率をくふうする必要がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用できるように
、応答速度が速く、しかもその応答速度の温度依存性が
軽減されたカイラルスメクチック液晶組成物およびかか
る液晶組成物を使用する液晶素子を提供することにある
。

本発明の他の目的は、本発明の液晶組成物に、さらに誘
電異方性が負の液晶性化合物を混合することによりＡＣ
スタビライズ効果をもたせ、表示特性を大きく向上させ
られる液晶素子を提供することにある。

〔問題を解決するための手段〕

本発明は下記一般式（Ｉ） （ただし、Ｒ，、Ｒ２はＣ０〜Ｃ８゜の直鎖状もしくは
分岐状のアルキル基であり、置換基としてＣ１〜ＣＩ２
のアルコキシ基を有していても良い。Ｘ　Ｉ　＋　ｘ２
のいずれかを示す。） で示される化合物の少な（とも一種と、下記一般式（Ｉ
Ｉ） ｌはｌＮｌ２゜） で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（ｍ
） す （ただし、Ｒ４＋　Ｒ５は置換基を有していても良いＣ
Ｉ’＝Ｃｌ８の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、
かつ少なくとも一方は光学活性である。

（ただし、Ｒ３は置換基を有していても良いＣ２〜Ｃ１
８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、で示される化合物
の少な（とも一種と、更に、誘電異方性が負の液晶性化
合物を少な（とも１種含有することを特徴とする強誘電
性カイラルスメクチック液晶組成物ならびに該液晶組成
物を一対の電極基板間に配置してなる液晶素子を提供す
るものである。

また本発明は、下記一般式（Ｉ［） （ただし、Ｒ３は置換基を有していても良いＣ８〜ＣＩ
８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、ｘ３はで示される
化合物の少なくとも一種と、下記一般式（■） （ただし、Ｒ６，Ｒ７は置換基を有していても良いＣ１
〜ｃｐｓの直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｘ、。

ｌは１〜１２゜） で示される化合物の少な（とも一種と、下記一般式（ｍ
） す （ただし、Ｒ４，Ｒ６は置換基を有していても良いＣ１
〜Ｃ１８の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、かつ
少な（とも一方は光学活性である。

で示される化合物の少なく とも−１，と、 さらに、誘電異方性が負の液晶性化合物の少なくとも１
種とを含有することを特徴とする強誘電性カイラルスメ
クチック液晶組成物ならびに該液晶組成物を一対の電極
基板間に配置してなる液晶素子を提供するものである。

また本発明は、誘電異方性が負の液晶性化合物が、好ま
しくはΔさく−２を示し、より好ましくはΔε＜−５、
さらに好ましくはΔさく−１０を示す液晶化合物を用い
て、前記強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物にさ
らに含有させた強誘電性カイラルスメクチック液晶組成
物ならびにそれを有する液晶素子を提供するものである
。

また本発明は、該誘電異方性が負の液晶性化合物が、下
記−殺伐（Ｖ−■）から（Ｖ−■）で示される中から選
ばれる化合物を用いて前記強誘電性カイラルスメクチッ
ク組成物にさらに含有させた強誘電性カイラルスメクチ
ック液晶組成物ならびにそれを有する液晶素子を提供す
るものである。

一般式（Ｖ−■） 一般式（Ｖ−■） （Ｒａ、　Ｒｂは置換基を有していてもよい直鎖状又は
分岐状のアルキル基、 （Ｒａ、　Ｒｔは置換基を有していてもよい直鎖状又は
分岐状のアルキル基、 Ａｓ　、　ＡＩは−（Ｄ←、舎、単結合、ただしＡｅ、
Ａｔが同時に単結合にはならない。〕一般式（Ｖ−■） Ａａ、Ａｂがともに単結合の場合、Ｘｂ、ｘｃは単結合
であり、Ｘａ＋Ｘｄは供に単結合又は供に一〇−でＣＡ
ｉは単結合。

÷ ＋４Ｊｔ＋＋＄１ Ｙａ、Ｙｂは、シアノ基、ハロゲン９、水素、ただしＹ
ｍ、Ｙｂが同時に水素にはならない。〕Ｒ＋、　　Ｒノ
は置換基を有してもよい直鎖又は分岐のアルキル基、た
だしＡｌが単結合のとき直鎖アルキル基であり、ｚ３は
一〇−又は−８− −殺伐 （Ｖ−■） ただしＡ が単結合のときＸＩは単結合であり、 〔Ｒ１゜ Ｒｍは置換基を有してもよい直鎖又は分岐のアルキル基
、 （、 Ａｌが単結合のときＸｋは単結合である。〕Ａ＋＋。

ＡＩは同時に単結合にならない。

−ＣＨ２ＣＨ２− 一〇ミｃ−ｙ） 一般式 （） （ Ｒｏは置換基を有していてもよい直鎖又は分岐のアルキ
ル基、 前述の一般式 （） で示される化合物において、 好ましい化合物例としては下記 （１−ａ） （１−ｐ） −ＯＣＲ，− −ＣＨ，ＣＨ２− 式で表わされる化合物が挙げられる。

リ Ｕ 又、さらに上述の（！−ａ）〜（１−ｐ）式におけるＲ
　１　＋　Ｒ１１の好ましい例としては（１−ｉ）〜（
Ｉ−ｖｉ）を挙げることができる。

−１） −ｉｉ　） −ｉｉｉ　） −ｉｖ　） −ｖ） Ｒ１がｎ−アルキル基 Ｒ２がｎ−アルキル基 Ｒ１がｎ−アルキル基 ＣＨ３ Ｒ２が＋ＣＨ２矢、ＣＨＲ。

（光学活性もしくはラセミ体） Ｒ１がｎ−アルキル基 ＣＨ３ Ｒ２が（−ＣＨ２シ、ＣＨ＋ＣＨ２シ、ＯＲ。

（光学活性もしくはラセミ体） ＣＨ３ Ｒ１が→ミＣＨ２）、Ｃ）ｆＲ、。

（光学活性もしくはラセミ体） Ｒ２がｎ−アルキル基 ＣＨ３ Ｒ１が＋０Ｍ２汎ＣＨＲ、。

（光学活性もしくはラセミ体） ＣＭ。

Ｒ２が＋ＣＨ２矢、ＣＨＲ、。

（光学活性もしくはラセミ体） （ ニ ー　ｖｉ　） ＣＨ３ Ｒ１が÷ＣＨ２Ｅ）−、ＣＨＲ、。

（光学活性もしくはラセミ体） ＣＨ３ Ｒ２が（”ＣＨ２）、１ＣＨ−ＩＥｃＨ２）、ＯＲ。

（光学活性もしくはラセミ体） Ｒ８＋　　Ｒ，＊　　Ｒ１゜は直鎖状もしくは分岐状の
アルキル基を示す。

ｐ＋　　ｑ＋　　ＳはＯ〜７であり、ｒは０もしくは１
゜又、前述の一般式（ｎ）で示される化合物において好
ましい化合物例として下記（ＩＩ−ａ）〜（ｎ−ｂ）式
で表わされる化合物を挙げることができる。

又、前述の一般式（ＩＩＩ）で示される化合物における
Ｘ４．Ｘ、の好ましい例として、ｘ４は（ｍ　−ｉｖ　
） Ｒ４がｎ−アルキル基 ＣＨ３ Ｒ１！ｌ が＋、ＣＨ２）−１，Ｃ）！　（−ＣＨ２ヂ、ＯＲ１゜
＊ 又、さらにＲ４＋　　Ｒ１５の好ましい例として下記（
Ｉ［［−４）〜（ＩＩＩ−ｖ）を挙げることができる。

（ｍ　−ｉｖ　） ＣＨ５ Ｒ４が（−Ｃ）（２シＦＣＨ（：　ＣＨ２）、ＯＲ＋４
＊ Ｒ５がｎ− アルキル基 （ｍ　−１） Ｒ４がｎ−アルキル基 ＣＨ３ Ｒｔ＋　−Ｒ１４は、直鎮状もしくは分岐状のアルキル
基、Ｓｒ　　ｊ＋　ｕ＋　　７は０〜７、ｘ、　　ｚは
０または１゜が÷ＣＨ２シ、ＣＨ−Ｒ，１ ＊ （ＩＩＩ　−１ｆ） ＣＨ。

がモＣＨ２）ｌＣＨＲ＋ｓ ＊ Ｒ６がｎ− アルキル基 前述の一般式（ｒＶ）で示される化合物において好まし
い化合物例として、下記する（ＩＶ−ａ）〜（ｒＶ−ｑ
）式で表される化合物を挙げることができる。

（］１ｍ　−１ｉｔ） ＣＨ３ がモＣＨ２＞ｔｃＩ４　Ｒ＋２ ＊ ＣＨ３ Ｒ５が＋ＣＨ２″＋、ＣＨ−Ｒｕ 又、さらに上述の（ｒＶ−ａ）〜（ｒＶ−ｑ）式におけ
るＸ、、Ｘ７の好ましい例として（ｒＶ−ｊ）〜（ＩＶ
　−ｖｉｉｉ　）を挙げることができる。

Ｘ６が単結合 Ｘ６が単結合 Ｘ、が−〇− Ｘ８が一〇− Ｘ６が一〇〇− １ Ｘ６が一０Ｃ− １ ｘ６が−ＣＯ− １ ｘ７が単結合 Ｘ７が一〇− Ｘ７が単結合 Ｘ７が一〇− Ｘ７が単結合 Ｘ７が一〇− ７ が単結合 （ＩＶ−ｉ） （ＩＶ−４ｉ） （ＩＶ　−１ｉｉ、　） （ＩＶ−ｉｖ） （ｒＶ−ｖ） （ｒＶ−ｖｉ） （ｒＶ　−ｖｉｉ　） Ｘ、が−ＣＯ−Ｘ７が一〇−（ｒＶ　−ｖｉｉｉ　）１ 又、さらに上述の（ＩＶ−ａ）〜（ＴＶ−ｑ）式におけ
るＲ６ｔ　　Ｒ７の好ましい例としては、直鎖状のアル
キル基を挙げることができる。

前記−殺伐（１）で表わされる液晶性化合物の具体的な
構造式の例を以下に示す。

−７− −９ −１０ ！−１１ −１２ １−１３ １−１４ −１５ −１６ −１７ −１８ −２５ −２６ −２７ −２８ −２９ −３０ −１９ −２０ −２１ −２２ −２３ −２４ −３１ −３２ −３３ −３４ −３５ −３６ ｌ−３７ １−３８ −３９ −４０ −４１ −４２ −４９ −５０ −５１ −４３ −４４ −４５ −４６ −４７ −４８ 前記一般式（Ｉ）で示される化合物は、例えば特開昭６
１−９３１７０．特開昭６１−２４５７６、特開昭６１
−１２９１７０．特開昭６１−２００９７２．特開昭６
１−２００９７３．特開昭６１−２１５３７２．特開昭
６１２９１５７４、東独特許９５８９２　（１９７３年
）などに記載の合成方法により得られる。例えば下記に
示すような合成経路で得ることができる。

Ｒ２Ｘ　２−＠−ＣＮ ↓！（ＣＩ、ＥｔＯＨ Ｒ”　Ｘ２８０ＣＮＨ、ＨＣｌ ”　”　”　”　＋　’”；ＮＨ−ＨＣＩ（Ｒ，、Ｒ２
，Ｘ２１を前述〕通す） 一般式（Ｄで示される化合物の代表的な合成例を以下に
示す。

合成例１　（Ｎｏ、１−７１の化合物の合成）ピリジン
５ｍｌに溶かした５−メトキシヘキサノール１．０６ｇ
　（８，０ｍｍｏｌ）にピリジン５ｍｆに溶かしたｐ−
トルエンスルホン酸クロライド１．８３ｇ　（９，６ｍ
ｍｏｌ）を氷水浴中５℃以下で滴下した。室温で６時間
撹拌後、反応混合物を冷水１００ｍｊ’に注入した。６
Ｎ塩酸で酸性側とした後、イソプロピルエーテルで抽出
した。有機層を水洗後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
、その後溶媒留去して、５−メトキシヘキシル−ｐ−ト
ルエンスルホネートを得た。

ジメチルホルムアミド１０ｍ１に５−デシル−２−（ｐ
−ヒドロキシフェニル）ピリミジン２．０ｇ（６，１ｍ
ｍｏ１）、水酸化カリウム０．６１ｇを加え、１００℃
で４０分間撹拌した。これに、先に得た５−メトキシヘ
キシル−ｐ−トルエンスルホネートを加え、１００℃で
４時間加熱撹拌した。反応終了後、反応混合物を冷水１
００ｍｆに注入し、ベンゼンにより抽出した。水洗後、
無水硫酸マグネシウムにより乾燥し溶媒留去して淡黄色
油状物を得た。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル
−酢酸エチル／ベンゼン＝１／９）により精製後、ヘキ
サンより再結晶して５〜デシル−２−［４−（５’−メ
トキシへキシルオキシ）フェニルコビリミジン（化合物
Ｎｏ、　ｌ−７１）　１．３５ｇを得た。

相転移温度（’Ｃ） 合成例２　（Ｎｏ、１−７６の化合物の合成）６−ペン
チルオキシヘプタノール２．’０４ｇをピリジン８ｍｌ
に溶かし水冷した後、ピリジン５ｍ、ｌに溶かしたトシ
ルクロライド２．２６ｇを徐々に滴下した（５℃以下、
７分）。その後、室温にて５時間撹拌した。

反応混合物を氷水１５０ｍｆに注入し、６Ｎ塩酸水溶液
でｐＨ３程度にした後、酢酸エチルにより抽出した。こ
れを水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶
媒留去して（６−ペンチルオキシヘプチル）　ｐ　−）
ルエンスルホネート２．９８ｇを得た。

５−ｎ−デシル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリ
ミジン３．１２ｇ及び水酸化カリウム０．５３ｇをジメ
チルホルムアミド１４ｍｆに溶かし、１００℃で３時間
加熱撹拌した後、（６−ペンチルオキシヘプチル）ｐ−
トルエンスルホネート２．９８ｇを添加し、１００℃で
５時間加熱撹拌した。

反応混合物を氷水２００ｍ４に注入し、６Ｎ塩酸水溶液
でｐＨ３程度にした後ベンゼンにより抽出した。これを
水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒留去し
て粗生成物４．７１ｇを得た。これをシリカゲルカラム
クロマト精製（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝１０／２）
　した後、さらにヘキサンから再結晶し、５−ｎ−デシ
ル−２−［４−（６−ペンチルオキシへブチルオキシ）
フェニル］ピリミジン１．５６ｇを得た。

Ｉ　Ｒ（ｃｍ−’　） ２９２４．２８５２，１６１０，１５８６，１４７２゜
１４３６．１２５４，１１６８，１０９６．　７９８合
成例以外の化合物についても以下の合成経路Ａ。

Ｂにより得ることができる。

合成経路Ａ 合成経路Ｂ 相転移温度（℃） ２２．７　　　　　　　３３．３　　　　　　　　３９
．８（上記においてＲ１＋　　Ｒ２＋　　Ｘｌ＋　　ｐ
＋　　ｑは前述の通りである） 前記−殺伐（ＩＩ）で示される化合物の具体的な構造式
の例を以下に示す。

（２−６） （２−１） （２−７） （２ ２） （２−８） （２−３） （２−９） （２−４） （２−１０） （２−５） （２−１１） （２−１２） （２−１３） （２−１４） （２＝１５） （２−１６） （２−１７） （２−１８） （２−１９） （２−２０） （２−２１） （２−２３） （２−３６） （２−３７） （２−３８） （２−３９） （２−４０） （２−４１） （２−４８） （２−４９） （２−５０） （２−５１） （２−５２） （２−５３） （２−４２） （２−４３） （２−４４） （２−４５） （２−４６） （２−４７） （２ ５４） （２−５５） （２−５７） （２−５８） （２−５９） （２−６５） Ｆ −殺伐（１りで示される化合物は下記に示すような合成
経路Ａ、Ｂ、Ｃで得ることができる。

合成経路Ａ 合成経路Ｂ 合成経路Ｃ （Ｘ３ニー０） 一般式（ＩＩ）で示される化合物の代表的な合成例を以
下に示す。

合成例１（化合物Ｎｏ、２−１７の合成）ｐ−２−フル
オロオクチルオキシフェノール１．ＯＯｇ（４，１６ｍ
Ｍ）をピリジン１０ｍ１、トルエン５ｍｆに溶解させ、
トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸
クロライド１　、３０　ｇ　（６、００ｍ、　Ｍ　）を
トルエン５ｍｌに溶解した溶液を、５℃以下、２０〜４
０分間で滴下した。滴下後、室温で一晩撹拌し、白色沈
殿を得た。

反応終了後、反応物をベンゼンで抽出し、さらにこのベ
ンゼン層を蒸留水で洗ったのち、ベンゼン層を硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、ベンゼンを留去した。さらにシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらに
エタノール／メタノールで再結晶して、トランス−４−
ｎ−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−ｐ−２−フル
オロオクチルオキシフェニルエステル１　、２０　ｇ（
２、８５ｍ　Ｍ　）を得た。（収率６８．６％） ＮＭＲデータ（ｐｐｍ） ０．８３〜２．８３ｐｐｍ　　（３４）！、ｍ）４．０
０〜４．５０ｐｐｍ　　（２Ｈ，ｑ）７、ｌｌｐｐｍ　
　　　　　（４ＨＳｓ）ＩＲデータ（ｃ　ｍ−’　） ３４５８、　２９２８゜ １４７０、　１２４Ｂ。

８５４゜ 相転移温度（’Ｃ） １７４２、　１５０８゜ ２８５２゜ １１６６、　１１３２゜ １２００゜ （ここで、Ｓ　３　＋　　Ｓ　４　＋　　Ｓ　５　＊　
　Ｓ　６は、ＳｍＣ＊よりも秩序度の高い相を示す。） 合成例２（化合物Ｎｏ、２−２９の合成）十分に窒素置
換された容器に、（−）−２−フルオロヘプタツール０
　、４０　ｇ　（３、０ｍ　ｍ　ｏ　１　）と乾燥ピリ
ジン１．００ｇ　（１３ｍｍｏｌ）を入れ水冷下で３０
分間撹拌した。その溶液にｐ−トルエンスルホン酸クロ
リド０．６９ｇ　（３，６ｍｍｏ＋）を加え、そのまま
５時間撹拌を続けた。反応終了後、ｌ規定Ｈ（４’　１
０ｍｊ７を加え、塩化メチレン１０ｍ１’で２回抽出を
行った後、その抽出液を蒸留水１０ｍ１で１回洗浄した
。得られた塩化メチレン溶液に無水硫酸ナトリウムを適
宜加えて乾燥したのち、溶媒を留去しく＋）　−２−フ
ルオロヘプチルり−トルエンスルホン酸エステル０．５
９ｇ　（２，０ｍｍｏｌ）を得た。

収率は６６％である。生成物の比旋光度およびＩＲデー
タは下記の通りである。

比旋光度［α］鷲’＋２．５９’ （ｃｍ　１　、　　Ｃｌ−ｌＣｌ　　３　）。

比旋光度［α］溜＋９，５８゜ （ｃｍ１、ＣＨＣｌ　３）。

ＩＲ（ｃｍ″′）　： ２９００、　　２８５０、　　１６００、　　１４５０
．１３５０、　　１１７０、　　１０９０、　　９８０
．８１０、　　　６６０、　　　５５０゜上記のように
して得られた（＋）二２−フルオロヘプチルｐ−ｈルエ
ンスルホン酸エステル０．４３ｇ（１，５ｍｍｏｌ）と
５−オクチル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリミ
ジン０．２８ｇ　（１，０ｍｍｏｌ）に１−ブタノール
０．２ｎ’Ｌｊ’を加えよく撹拌した。その溶液に、あ
らかじめ１−ブタノール１．０ｍＡ’に水酸化ナトリウ
ム０　、０４８　ｇ　（１、２ｍ　ｍ　ｏ　ｌ　）を溶
解させて調製しておいたアルカリ溶液を速やかに注ぎ５
時間半、加熱環流した９反応終了後蒸留水１０ｍ１を加
え、ベンゼン１０ｍｊ＋および５ｍｌでそれぞれ１回づ
つ抽出を行った後、その抽出液を無水硫酸ナトリウムを
適宜加えて乾燥した。乾燥後、溶媒を留去し、シリカゲ
ルカラム（クロロホルム）により目的物である（＋）−
５−オクチル−２−［４−（２−フルオロヘプチルオキ
シ）フェニル］ピリミジン０．１７ｇ　（０，４３ｍｍ
ｏｌ）を得た。

収率は４３％であり、以下のような比旋光度およびＩＲ
データが得られた。

比旋光度［α］Ｆ　＋　０　、４４″′（ｃｍ１、Ｃｌ
−ｌＣｌ　、）。

比旋光度［α］溜＋４．１９゜ ＩＲ（ｃｍ−′）： ２９００、　２８５０、１６００、１５８０．１４２０
、　１２５０Ｘ　１１６０、　ＳＯＯ。

７２０、　　６５０１ ５５０゜ （ｃｍ１．ＣＨＣｌ　、）。

前記−殺伐 （ｍ） で表わされる液晶性化合物の 具体的な構造式の例を以下に記す。

Ｕ ○ Ｏ 前記一般式 （ｍ） で示される化合物は例えば 前記一般式 （） で示される液晶性化合物の具 体的な構造式の例を以下に示す。

成経路で得ることができる。

−１ −２ −３ −４ −５ （Ｒ４゜ 、は前述の通り） −６− −７− −８ −１４ す −９ −１５ υ −１０ −１６ ○ −１１ −１７ ４−３１ ４−３２ −３３ −３４ −３５ −３６ −３７ −３８ −３９ −４０ −４１ ４−４２ ４−４３ −４６ −４７ −４８ −５８ −５９ −６０ −６１ ○ −４９ −５０ −６２ −６３ −６４ −６５ −６６ ｎ−Ｃ７Ｈ＋ｓ 号沓）Ｃ山 ｎ−Ｃ７Ｈ＋ｓ （ペパ＞０６１−１１３ ４−６７ ４−６８ −６９ −７０ −７１ −７２ −７９ −８０ −８１ −８２ −８３ −８４ −７３ −７４ −７５ −７６− ７７−７ −８５ −８６ −８７ −８８ −８９ −９０ ４−９１ ４−９２ −９３ −９４ −９５ −９６ −９７ −９９ −１００ −１０１ ．４−１０２ ４−１２０ ４−１２１ −１２２ −１２３ −１２４ ４−１２５ ４−１２８ −１２９ −１３５ −１３６ −１３７ −１３８ −１３９ −１４０ −１３０ −１３１ −１３２ −１３３ −１３４ −１４５ −１４６ ４−１５９ ４−１６０ −１６１ −１６２ −１６３ −１６４ −１４７ ４８ −１５３ −１５４ −１５５ −１５６ −１５７ −１５８ −１６５ ６６− −１６９ −１７０ ４−１７１ ４−１７７ −１７８ −１７３ −１７４ −１７５ −１７６ −１８２ Ｃ！Ｈ１１舎０ＣＨ２十昏○Ｃ１□Ｈ２゜前記−殺伐（
ＩＶ）で示される化合物の代表的な合成例を以下に示す
。

合成例１（化合物Ｎｏ、４−６５の合成）５−ドデシル
−２−（４’　−ヒドロキシフェニル）ピリミジ：／１
．Ｏｇ（２，９４ｍｍｏりをトルエン４ｍｌ及びピリジ
ン４ｍｊ７に溶かした。これにトルエン４ｒｎｌｌに溶
かしたトランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカル
ボン酸クロリド（関東化学■製）０．５５ｇを氷水洛中
６℃以下で徐々に滴下した。滴下終了後、室温で１２時
間撹拌し、反応混合物を氷水１００ｍｊ！中に注入した
。６Ｎ塩酸で酸性側とした後、ベンゼンで抽出し、これ
を水、５％炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し
た。硫酸マグネシウムにより乾燥した後、溶媒留去し、
クリーム色の粗生成物を得た。これをカラムクロマトグ
ラフィーにより精製した後、さらにエタノール１酢酸エ
チル混合溶媒から再結晶し、白色の標記化合物０．９４
ｇを得た。（収率６４．８％）相転移温度（’Ｃ） 合成例２（化合物Ｎｏ、４−１３３の合成）（Ｉ）トラ
ンス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボン酸クロ
ライド１０ｇ　（５３，６ｍｍｏｆ’）をエタノール３
０ｍＡ’にとかし、これに少世のトリエチルアミンを加
え室温で１０時間撹拌した。反応混合物を氷水１００ｍ
ｆに注入し、６Ｎ塩酸水溶液を加え酸性側とした後、イ
ソプロピルエーテルにより抽出した。有機層を洗液が中
性となるまで水洗を繰り返した後、硫酸マグネシウムに
より乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマト
グラフィーにより精製し、トランス−４−ｎ−プロピル
シクロヘキサンカルボン酸エチルエステル９．９ｇを得
た。

（ｎ）水素化アルミニウムリチウム０．７３ｇ　（１９
，１ｍｍｏｊりを乾燥エーテル３０ｍｊ２に添加し、１
時間加熱環流した。氷水洛中でｉｏ℃程度まで冷却した
後、乾燥エーテル３０ｍ１に溶かしたトランス−４−ｎ
−プロピルシクロヘキサンカルボン酸エチルエステル５
ｇ　（２５，５ｍｍｏ、ｉ’）を徐々に滴下した。滴下
終了後、室温で１時間撹拌し、さらに１時間加熱環流さ
せた。これを酢酸エチル、６Ｎ塩酸水溶液で処理した後
、氷水２００ｍｆに注入した。

イソプロピルエーテルにより抽出した後、有機相を水、
水酸化ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し、硫酸マグネ
シウムにより乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し、トランス−４−ｎ−
プロピルシクロヘキシルメタノール３．５ｇを得た。

（■）トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシルメタ
ノール３．４ｇ　（２２，４ｍｍｏｉ）をピリジン２０
ｍ１に溶かした。これにピリジン２０ｍ１に溶かしたｐ
−１ルエンスルホン酸クロライド５．３ｇを氷水浴中で
５℃以下に冷却しながら滴下した。室温で１０時間撹拌
した後、氷水２００ｍ１に注入した。６Ｎ塩酸水溶液に
より酸性側とした後、イソプロピルエーテルで抽出した
。有機相を洗液が中性となるまで水洗を繰り返した後、
硫酸マグネシウムにより乾燥した。これを溶媒留去して
、トランス−４−ｎ−プロビルシクロヘキシルメチルー
ｐ−トルエンスルホネートを得た。

（ＩＶ）ジメチルホルムアミド４０ｍ１に５−デシル−
２−（４’−ヒドロキシフェニル）ピリミジン６．３ｇ
（２０，２ｍｍｏりを溶かした。これに８５％水酸化カ
リウム１．５ｇを加え、１００”Ｃで１時間撹拌した。

これにトランス−４−ｎ−プロピルシクロへキシルメチ
ル−ｐ−トルエンスルホネート６．９ｇを加え、さらに
１００℃で４時間撹拌した。反応終了後、これを氷水２
００ｍＩ！に注入し、ベンゼンで抽出した。

有機相を水洗した後、硫酸マグネシウムにより乾燥した
。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに
より精製し、これをさらにエタノール／酢酸エチル混合
溶媒から再結晶して、前記例示化合物Ｎｏ、４−１３３
を得た。

ＩＲ（ｃｍ−１）　： ２９２０、　２８４０．　１６０８．　１５８４！４２
８．　１２５８．　１１６４．　８００相転移温度 （℃） 又、Ｚ２が単結合である場合、例えば、（Ｓｍ２はＳｍ
Ａ。

ＳｍＣ以外のスメクチック相。

未同定） の式で表わされる化合物は、下記の合成経路で合成する
ことができる。

前記−殺伐（Ｖ−■） から （Ｖ−■） で表わさ −４ れる液晶性化合物の具体的な構造式の例を以下に示す。

但し、 （Ｖ） 式において、 各Ｒが示すアルキ ル基の炭素数は１〜１８、 好ましくは４〜１６１、より 好ましくは６〜１２を示す。

−５ 一般式（■−■） −１ −６− −７ −３ −８ −９ ４ −１０ −１５ す −１１ −１６ −１２ −１７ す −１３ −１８ す す ５−１９ す −２０ す −２１ −２２ ３ −２９ −３０ −３１ −３２ −３３ −２４ −２５ −２６ −２７ −２８ −３４ −３５ −３６ −３７ −３８ ５−３９ ５−４０ −４１ −４２ −４３ −４９ −５０ −５１ ２ −５３ Ｎ Ｗ −４４ −４５ −４６ −４７ −４８ −５４ −６５ −５６ ７− Ｃ ｒ 闘Ｃ す し ５−５９ ５−６０ −６１ −６２ −６８ −６９ ρＮ Ｎ ρＮ す −６３ ｒ −６４ す −６５ −６６ す −６７ 二股式（Ｖ−■） −７０ −７１ −７２ −７３ −７４ ５−７５ ５−７６ す −７７ す ８ す −７９ −８５ −８６ す ７ −８８ ９ −８０ す −８１ −８２ −８３ −８４ 一般式（Ｖ−■） １ ２ −９３ −９４ ５−９６ ５−９７ ８ −９９ −１０６ ０７ −１０８ −１０９ −１００ −１０１ −１０２ −１０３ −１０４ −１１１ １２ −１１３ −１１４ １２０ 一般式（Ｖ−■） −１２２ −１２３ −１２４ −１２５ １２７ ５〜１２８ −１２９ ３０ ３７ ３８ −１３９ ４０ −１３２ −１３３ −１３４ −１３５ −１４２ −１４３ −１４４ −１４５ ５−１４７ ５−１４８ −１４９ −１５０ 一般式（■−■） −１５４ −１５５ −１５６ Ｎ Ｎ Ｎ −１５１ −１５８ −１５９ −１６０ −１６１ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ ５−１６３ ５−１６４ −１６５ −１６６ ７２ ７３ ５−］、７４ −１７５ −１７６ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ ６８ −１６９ −１７０ ７１ −１７８ −１７９ −１８０ −１８１ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ Ｎ ５−１８３ ５−１８４ −１８５ −１８６ 本発明の液晶組成物は前記−殺伐（１）で示される化合
物の少な（とも１種と、前記−殺伐（■）で示される化
合物の少な（とも１種と、及び−殺伐（Ｉ［［）で示さ
れる化合物の少なくとも１種と、他の液晶性化合物１種
以上とを適当な割合で混合することにより得ることがで
きる。

本発明の液晶組成物は前記−殺伐（■）で示される化合
物の少なくとも１種と、前記−殺伐（ＩＩ）で示される
化合物の少なくとも１種と、及び−殺伐（■）で示され
る化合物の少な（とも１種と、他の液晶性化合物１種以
上とを適当な割合で混合することにより得ることができ
る。

本発明の他の目的の液晶組成物は、上記液晶組成物にさ
らに誘電異方性が負の液晶化合物を少なくとも１種以上
適当な割合で混合することにより得ることができる。

また、本発明による液晶組成物は、強誘電性液晶組成物
、特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好ま
しい。

本発明で用いる他の鏝品性化合物の具体例を下記にあげ
る。

（４９） （５０） （５６） （５７） （５８） （５９） （６０） す υ （６１） （６２） （６３） （６４） （６５） （６６） υ （６７） 本発明の強誘電性液晶組成物において、本発明の一般式
（１）で示される液晶性化合物、−殺伐（ＩＩ）で示さ
れる液晶性化合物、および−殺伐（ｍ）で示される液晶
性化合物それぞれと、上述した他の液晶性化合物一種以
上、あるいは、それを含む液晶性組成物（液晶材料と略
す）との配合割合は、液晶材料１００重量部当り、本発
明−殺伐（Ｉ）、−殺伐（ｎ）および−殺伐（Ｉ［［）
で示される液晶性化合物それぞれを１〜３００重量部、
より好ましくは２〜１００重量部とする　ことが好まし
い。

また、本発明の一般式（Ｉ）、−殺伐（ＩＩ）および−
殺伐（ＩＩりで示される液晶性化合物のいずれか、ある
いは全てを２種以上用いる場合も液晶材料との配合割合
は、前述した液晶材料１００重量部当り、本発明−殺伐
ＣＩ）、−殺伐（Ｕ）および−殺伐（ｍ）で示される液
晶性化合物のいずれか、あるいは全ての２種以上の混合
物を、１〜５００重量部、より好ましくは２〜１００重
量部とすることがのぞましい。

また、−殺伐（１）〜（ｍ）で示される液晶性化合物の
各々の比率は、 一般式（１）　／−殺伐（■）　／−殺伐（ｍ）＝　１
〜３００　　／　ｌ〜３００　　／　１〜３０゜であり
、また好ましくは、 一般式（Ｉ）　／−殺伐（■）　／−殺伐（ｍ）＝　１
〜５０　　　／　１〜５０　　　／　１〜５０であるこ
とが望ましい。

一般式（１）〜（ｍ）で示される液晶性化合物の各々を
２種以上用いる場合の各々の比率は、−殺伐（１）　／
−殺伐（■）　／−殺伐（ｍ）（２種以上）　　（２種
以上）　　　（２種以上）＝　１〜５００／１〜５００
／１〜５００であり、またより好ましくは 一般式（Ｉ）　／−殺伐（■）　／−殺伐（ｍ）（２種
以上）　　（２種以上）　　　（２種以上）＝　１〜５
０　　／　ｌ〜５０　　　／　ｌ〜５０であることが望
ましい。

また、前述の液晶材料と、−殺伐（Ｉ）〜（ＤＩ）で示
される液晶性化合物の総量との比率は、該液晶性化合物
を１種づつ用いる場合は前述の液晶材料１００重量部に
対し、−殺伐（Ｉ）〜（ｍ）で示される液晶性化合物の
総量が３〜９００重量部、より好ましくは６〜３００重
１部となることが望ましい。

−殺伐（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で示される液晶性化合物のい
ずれか、あるいは、各々を２種以上用いる場合、前述の
液晶材料と該液晶性化合物の総量との比率は、前述の液
晶材料１００重１部に対し、−殺伐（Ｉ）〜（ｍ）で示
される液晶性化合物の総量が３〜１５００重量部、より
好ましくは６〜３００重１部となることが望ましい。

さらに、誘電異方性が負の成分を含有する強誘電性液晶
組成物中における誘電異方性が負の成分の含有量は、１
〜９７重量％である。特にΔε＜−２の成分を用いる場
合、Δさく−２の成分の含有量は、１〜７０重量％、好
ましくは１〜５０重量％とすることが望ましい。

一般式（Ｉ）で示される液晶性化合物と、−殺伐（ｎ）
で示される液晶性化合物と、−殺伐（ＩＩＩ）で示され
る液晶性化合物と、誘電異方性が負の成分との総量は、
本発明の強誘電性液晶組成物中において、４〜１００重
ｆ１１重含１１れる。

他方、本発明の強誘電性液晶組成物において、本発明の
一般式（ＩＩ）で示される液晶性化合物、−殺伐（ｍ）
で示される液晶性化合物、および−殺伐（ＩＶ）で示さ
れる液晶性化合物それぞれと、上述した他の液晶性化合
物一種以上、あるいは、それを含む　液晶性組成物（液
晶材料と略す）との配合割合は、液晶材料１００重量部
当り、本発明−殺伐（ｎ）、−殺伐（ｍ）および−殺伐
（ＩＶ）で示される液晶性化合物それぞれを１〜３００
重量部、より好ましくは２〜１００重量部とする　こと
が好ましい。

また、本発明の一般式（■）、−殺伐（ｍ）および−殺
伐（ＩＶ）で示される液晶性化合物のいずれか、あるい
は全てを２種以上用いる場合も液晶材料との配合割合は
、前述した液晶材料１００重量部当り、本発明−殺伐（
ＩＩ）、−殺伐（ｍ）および−殺伐（ＩＶ）で示される
液晶性化合物のいずれか、あるいは全ての２種以上の混
合物を、１〜５００重量部、より好ましくは２〜１００
重量部とすることかのぞましい。

また、−殺伐（ＩＩ）〜（ＩＶ）で示される液晶性化合
物の各々の比率は、 一般式（■）　／−殺伐（■）　／−殺伐（ＴＶ）＝　
　１〜３００　　　／　　１〜３００　　　／　　１〜
３００であり、また好ましくは、 一般式（■）　／−殺伐（■）　／−殺伐（ＴＶ）＝、
１〜５０　　　　／　　１〜５０　　　　／　　１〜５
０であることが望ましい。

一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）で示される液晶性化合物の各
々を２種以上用いる場合の各々の比率は、−殺伐（■）
　／−殺伐（■）　／−殺伐（ｒＶ）（２種以上）　　
（２種以上）　　　（２種以上）＝　１〜５００／１〜
５００　　　／　　１〜５００であり、またより好まし
くは 一般式（ＩＩ）　　／−殺伐（■）　／−殺伐（ＩＶ）
（２種以上）　　（２種以上）　　　（２種以上）＝　
　１〜５０　　　／　　１〜５０　　　　／　　１〜５
０であることが望ましい。

また、前述の液晶材料と、−殺伐（■）〜（ＩＶ）で示
される液晶性化合物の総量との比率は、該液晶性化合物
を１種づつ用いる場合は前述の液晶材料１００重量部に
対し、一般式（ｎ）〜（ＴＶ）で示される液晶性化合物
の総量が３〜９００重量部、より好ましくは６〜３００
重量部となることが望ましい。

一般式（Ｉ［）〜（ＩＶ）で示される液晶性化合物のい
ずれか、あるいは、各々を２種以上用いる場合、前述の
液晶材料と該液晶性化合物の総量との比率は、前述の液
晶材料１００重全部に対し、一般式（ｎ）〜（ＩＶ）で
示される液晶性化合物の総量が３〜１５００重量部、よ
り好ましくは６〜３００重量部となることが望ましい。

さらに、誘電異方性が負の成分を含有する強誘電性液晶
組成物中における誘電異方性が負の成分の含有量は、１
〜９７重量％である。特にΔε＜−２の成分を用いる場
合、Δさく−２の成分の含有量は、１〜７０重量％、好
ましくは１〜５０重量％とすることが望ましい。

一般式（■）で示される液晶性化合物と、一般式（ＩＩ
ｌ、）で示される液晶性化合物と、一般式（ｒＶ）で示
される液晶性化合物と、誘電異方性が負の成分との総量
は、本発明の強誘電性液晶組成物中において、４〜ｘｏ
ｏ重ｆｔ％含有される。

本発明で用いる誘電異方性が負の液晶性化合物の誘電異
方性の大きさは、１ε１〉２であることが好ましい。

第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の１例の断面概略
図である。

第１図において符号１は強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。

２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ　２０３　。

ＳｎＯ２あるいはＩＴＯ（Ｔｎｄｔｕｍ−Ｔｉｎ　　０
ｘｉｄｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている
。その上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやア
セテート植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向
に並べる絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁
物質として例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリ
コン炭化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有
する硼素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物
、ジルコニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシ
ウムなどの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニ
ルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ステルイミド、ポリバラキシレン、ポリエステル、ポリ
カーボネート、ポリビニルアセクール、ポリ塩化ビニル
、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロ
ース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂や
フォトレジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層と
して、２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよ（
、また無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁
性配向制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御
層が無機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば
有機絶縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液
（溶剤０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜１０重
量％）を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スク
リーン印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布
し、所定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成
させることができる。

絶縁性配向制御層の層厚は通常３０人〜１μｍ１好まし
くは３０人〜３０００人、さらに好ましくは５０人〜１
０００人が適している。

この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。

この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。

強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０６５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。

また、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域（特に
低温側）でＳｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）を
有し、高速応答性を有することが望ましい。さらに応答
速度の温度依存性が小さいことおよび駆動電圧マージン
が広いことが望まれる。

また、特に素子とした場合に良好な均−配向性を示すモ
ノドメイン状態を得るには１．その強誘電性液晶は等吉
相からｃｈ相（コレステリック相）−Ｓ　ｍ　Ａ相（ス
メクチックＡ相）−ＳｍＣ＊相（カイラルスメクチック
Ｃ相）という相転移系列を有していることが望ましい。

透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。

またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。

第１図は透過型なので光源９を備えている。

第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ　２０３　、　ＳｎＯ２あるいはＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｔｄｅ）等の薄膜からなる透
明電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に
液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳ
ｍＣ＊相またはＳｍ、）ｉ＊相の液晶が封入されている
。太線で示した線２３が液晶分子を表わしており、この
液晶分子２３はその分子に直交した方向に双極子モーメ
ント−（Ｐ土）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ
上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶
分子２３のらせん構造がほどけ、双極子モーメン１−（
Ｐ上）２４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子２３
は配向方向を変えることができる。液晶分子２３は細長
い形状を有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率
異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにク
ロスニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光
学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に
理解される。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えばｌＯμ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはＰｂは上向き（３４ａ）または下向き（３４ｂ）の
どちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示
す如（一定の閾値以上の極性のｐ、る電界ＥａまたはＥ
ｂを電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双
極子モーメントは電界ＥａまたはＥｂの電界ベクトルに
対応して上向き３４ａまたは下向き３４ｂと向きを変え
、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかあ
るいは第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態
３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。また与える電界Ｅ
ａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
前の配向状態にやはり維持されている。

以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれぢの実施例に限定されるものではない。

実施例１ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物！
−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式更に、この液
晶組成物１−Ａに対して、以下に示す例示化合物を、各
々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物１−Ｂを作成
した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　　重量部−２３５ −Ａ ９ 次に、この液晶組成物１−Ｂを以下の手順で作製したセ
ルを用いて、素子特性等を観察した。

２枚の１．１ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガ
ラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上にＳｉＯ２を蒸着させ絶縁層とした。

この基板上にポリイミド横腹前駆体［東しく中５Ｐ−７
１０］　１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２
５０Ｏｒｐｍ、のスピンナーで１５秒間塗布した。成膜
後、６０分間、　３００℃加熱縮合焼成処理を施した。

この時の塗膜の膜厚は約２００人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（
チッソ■）コを用いてガラス板を貼り合わせ、６０分間
、　　１００’Ｃにて加熱乾燥し、セルを作成した。こ
のセルのセル厚をベレツク位相板によって測定したとこ
ろ約１．５μｍであった。

このセルに上述の液晶組成物１−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０℃／ｈで２５℃まで徐冷するこ
とにより、強誘電性液晶素子を作成した。この強誘電性
液晶素子を用いて、ピーク・トウ・ピーク電圧ＶｐＩ）
＝２５Ｖの電圧印加により、直交ニコル下での光学的な
応答（透過光量変化０〜９０％）を検知して応答速度（
以後、光学応答速度という）を測定した。その結果を次
に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃９６４　μｓ
ｅｃ　　　　３３８　μｓｅｃ　　　　１２７　ｐ　ｓ
ｅｅまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは
１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧
印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例１ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−２３．　１−１０６．　１−１４８を混
合せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−２．３−
２７のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物
１−Ｃ，および例示化合物Ｎｏ、　２−２を混合せずに
１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１−２３．　１−１０
６゜１−１４８．３−２７のみを実施例１と同じ重量部
で混合した液晶組成物１−Ｄｌさらに例示化合物Ｎｏ。

３−２７を混合せずにｌ−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、
１−２３．　　ｌ−１０６，１−１４８，２−２のみを
実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物１−Ｅを作
成した。

これらの液晶組成物　１−Ｃ，！−Ｄ、　　１−Ｅ及び
１−Ａを用いた以外は、全〈実施例１と同様の方法でそ
れぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ １−Ａ　　　　　Ｉ４１０　μｓｅｃ　　　４３５　ｐ
　ｓｅｃ　　　　１５５　μ５ｅｃ１−Ｃ１０１２１，
ｔ　ｓｅｃ　　　３４８　ｐ　ｓｅｃ　　　　１３０　
μｓｅｃ１−Ｄ　　　　　１１３１μｓｅｃ　　　３７
８μｓｅｃ　　　　１３６μ５ｅｃ１−Ｅ　　　　　９
９７　ｐ　ｓｅｅ　　　３４５　μｓｅｃ　　　　１２
９　μｓｅｃ実施例１と比較例１より明らかな様に、本
発明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方
が低温における作動特性、高速応答性が改善され、また
、応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例２ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物２−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　　重量部−Ａ ８ この液晶組成物を用いた他は、全〈実施例１と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察し
た。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０°０　　　　２５℃　　　　４０℃７！１　μｓｅ
ｃ　　　２４０　μｓｅｃ　　　９２　μｓｅｃまた、
２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１３であり
、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加を止め
際の双安定性も良好であった。

比較例２ 実施例２で使用した液晶組成物２−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、２−２８を混合せずに１−Ａに対して例示化
合物Ｎｏ、１−５７．１−８０．　１−！４１．３−２
４のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物２
−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物２−Ｃ及び１−Ａを用いた以外は、
全（実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子
を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定
した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ １−Ａ　　　　Ｉ４１０　μｓｅｃ　　　４３５　μｓ
ｅｃ　　　１５５　μ５ｅｃ２−Ｃ１１７５μｓｅｃ　
　　３８４μｓｅｃ　　　１３６４ｓｅｃ実施例２と比
較例２より明らかな様に、本発明による液晶組成物を有
する強誘電性液晶素子の方が、低温における作動特性、
高速応答性が改善され、また、応答速度の温度依存性も
軽減されている。

実施例３ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物３−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　構　　造　　式　　　　　　
　　　重量部この液晶組成物を用いた他は、全（実施例
１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１
と同様の方法で光学応答速度を測定し、スイッチング状
態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ７６３　μｓｅｃ　　　２６６　μｓｅｃ　、　　　９
８　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコント
ラストは１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察さ
れ、電圧印加を止め際の双安定性も良好であった。

す −Ａ １ 比較例３ 実施例３で使用した液晶組成物３−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、２−６３を混合せずに１−Ａに対して例示化
合物Ｎｏ、　１−７３．　　ｌ−１１８，３−３６，３
−４１のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成
物３−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物３−Ｃ及び１−Ａを用いた以外は、
全（実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子
を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定
した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ １−Ａ　　　　Ｉ４１０　μｓｅｃ　　　４３５　μｓ
ｅｃ　　　１５５　μ５ｅｃ３−Ｃ１０８０ｐ　ｓｅｃ
　　　３７２　μｓｅｃ　　　１３９　μｓｅｃ実施例
３と比較例３より明らかな様に、本発明による液晶組成
物を有する強誘電性液晶素子の方が、低温における作動
特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の温度依
存性も軽減されている。

実施例４ 下記例示化合物を下記の重１部で混合し、液晶組成物４
−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式例示化合物Ｎ
ｏ。

構　　造　　式 更に、この液晶組成物４−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重１部で混合し、液晶組成物
４−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　　重１部１−２３　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　５５ ０ −Ａ ２ この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で応答魂度測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃８３７　μｓ
ｅｃ　　　　２９２　μｓｅｃ　　　　　１１４　μｓ
ｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは
１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧
印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例４ 実施例４で使用した液晶組成物４−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎ０１１−２３．　１−１０６．　１−１４８を混
合せずに４−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−２．３−
２７のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物
４−０１および例示化合物Ｎｏ、　２−２を混合せずに
４−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、１−２３．　１−１０
６゜１−１４８．３−２．７のみを実施例１と同じ重１
部で混合した液晶組成物４−Ｄｌさらに例示化合物Ｎｏ
。

３−２７を混合せずに４−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、
１−２３．　１−１０６．　１−１４８．　２−２のみ
を実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物４−Ｅを
作成した。

これらの液晶組成物４−Ｃ，４−Ｄ、４−Ｅ及び４−Ａ
を用いた以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ
強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光
学応答速度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ！　−Ａ　　　　１２６０　ｐ　ｓｅｃ　　　３７４　
μｓｅｃ　　　　１３７　μｓｅｃ１−０　　　９３６
　μｓｅｃ　　　３２２　μｓｅｃ　　　　１２０　μ
ｓｅｃ１−Ｄ　　　　１０７２　ｐ　ｓｅａ　　　３５
９　μｓｅｃ　　　　１３２　μ５ｅｃ１−Ｅ　　　　
８７２　μｓｅｃ　　　３０３　μｓｅｃ　　　　１１
７　μｓｅｃ実施例４と比較例４より明らかな様に、本
発明による液晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方
が低温における作動特性、高速応答性が改善され、また
、応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例６ 実施例４で使用した液晶組成物４−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重１部で混合して液晶組成
物５−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　　重量部１−２１　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　５−４６ す −Ａ ５ この液晶組成物を用いた他は、全〈実施例１と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察し
た。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ８１５　μｓｅｃ　　　２８５　μｓｅｃ　　　１１１
μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラス
トは１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、
電圧印加を止め際の双安定性も良好であった。

比較例５ 実施例５で使用した液晶組成物１５−Ｂに代えて、例示
化合物Ｎｏ、１−２１．　１−４６．　１−７２．３−
４９を混合せずに４−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　２
−５３のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成
物５−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物５−Ｃ及び５−Ａを用いた以外は、
全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子
を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定
した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０°Ｃ４−Ａ　　　　
Ｉ２６０　μｓｅｃ　　　３７４　μｓｅｃ　　　　１
３７　μ５ｅｃ５−Ｃ８６９μｓｅｃ　　　３００１．
ｔ　ｓｅｅ　　　　１１３　μｓｅｃ実施例５と比較例
５より明らかな様に、本発明による液晶組成物を有する
強誘電性液晶素子の方が、低温における作動特性、高速
応答性が改善され、また、応答速度の温度依存性も軽減
されている。

実施例６ 実施例４で使用した液晶組成物４−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物６−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　　重量部この液晶組成物を用いた他は、全（実
施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施
例１と同様の方法で光学応答速度を測定し、スイッチン
グ状態等を観察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ６８２　μｓｅｃ　　　２４４　μｓｅｃ　　　９３　
μｓｅｃまた、２５°Ｃにおけるこの駆動時のコントラ
ストは１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察され
、電圧印加を止め際の双安定性も良好であった。

−Ａ ８ 比較例６ 実施例６で使用した液晶組成物６−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ．２−１２．　３−４２を混合せずに４−Ａに
対して例示化合物Ｎｏ，　１−９７．　１−１３８．　
１−１４０のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶
組成物６−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物６−Ｃ及び４−Ａを用いた以外は、
全（実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子
を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定
した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０°Ｃ　　　　　２５℃　　　　４０°Ｃ４−Ａ　　
　　１２６０　μｓｅｃ　　　３７４　μｓｅｃ　　　
ｆ３７　μｓｅｃ６ー０　　　　１０４４　μｓｅｃ　
　　３５７　μｓｅｃ　　　！３２　μｓｅｃ実施例６
と比較例６より明らかな様に、本発明による液晶組成物
を有する強誘電性液晶素子の方が、低温における作動特
性，高速応答性が改善され、また、応答速度の温度依存
性も軽減されている。

実施例７ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物７
−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ．　　　　　　　　構造式例示化合物Ｎ
ｏ。

構　　造　　式 更に、この液晶組成物７−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
７−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　　Ｔｌｌｆｌ部１−２３　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　６０ ５ −Ａ ７に の液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で応答速度測定し、スイッチング状態等を観察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５°Ｃ４０℃ ５８０　μｓｅｃ　　　　２１９　μｓｅｃ　　　　８
９　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコント
ラストは１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察さ
れ、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例７ 実施例７で使用した液晶組成物７−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　３−２を混合せずに７−Ａに対して例示化
合物Ｎｏ、１−２３．　１−１０６．　１−１４８．３
−２７のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成
物７−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物　７−Ｃ及び７−Ａを用いた以外は
、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素
子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測
定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０°Ｃ７−Ａ　　　　
８７２　μｓｅｃ　　　２８５　μｓｅｃ　　　１１５
　μ５ｅｃ７−０　　　７５９　μｓｅｃ　　　２０５
　μｓｅｃ　　　１．０８　μｓｅｃ実施例７と比較例
７より明らかな様に、本発明による液晶組成物を含有す
る強誘電性液晶素子の方が低温における作動特性、高速
応答性が改善され、また、応答速度の温度依存性も軽減
されている。

実施例８ 実施例７で使用した液晶組成物７−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物８−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　　重１部１−２１　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４１
〜４６ この液晶組成物を用いた他は、全〈実施例１と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察し
た。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０°Ｃ５２７μｓｅｃ
　　　　１９８　μｓｅｃ　　　８２　μｓｅｃまた、
２５℃におけるこの駆動時のコントラス）・は１２であ
り、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加を止
め際の双安定性も良好であった。

す −Ａ ２ 比較例８ 実施例８で使用した液晶組成物８−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　ｔ−２１，１−４６，１−７２を混合せず
に７−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−５３．３−４９
のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成物８−
Ｃを作成した。

これらの液晶組成物８−Ｃ及び７−Ａを用いた以外は、
全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子
を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定
した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ７−Ａ　　　　８７２　μｓｅｃ　　　２８５　μｓｅ
ｃ　　　１１５　μ５ｅｃ８−０　　　３８３　μｓｅ
ｃ　　　２１１　μｓｅｃ　　　８３　μｓｅｃ実施例
８と比較例８より明らかな様に、本発明による液晶組成
物を有する強誘電性液晶素子の方が、低温における作動
特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の温度依
存性も軽減されている。

実施例９ 実施例７で使用した液晶組成物７−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物９−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　　重量部−Ａ ｔυ この液晶組成物を用いた他は、全〈実施例１と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察し
た。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ４８５　μｓｅｃ　　　１８５　μｓｅｃ　　　７７　
μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラス
トは１２であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、
電圧印加を止め際の双安定性も良好であった。

＼　゛二／ 比較例９ 実施例９で使用した液晶組成物９−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　１−７．　１−３８．２−７８．２−２０
を混合せずに７−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、３−２１
゜３−３３のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶
組成物９−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物９−Ｃ及び７−Ａを用いた以外は、
全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶素子
を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定
した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５°Ｃ４０°Ｃ ７−Ａ　　　　８７２　μｓｅｃ　　　２８５　μｓｅ
ｃ　　　１１５　μ５ｅｃ９−Ｃ８３５μｓｅｃ　　　
２８０　μｓｅｃ　　　１１６　μｓｅｃ実施例９と比
較例９より明らかな様に、本発明による液晶組成物を有
する強誘電性液晶素子の方が、低温における作動特性、
高速応答性が改善され、また、応答速度の温度依存性も
軽減されている。

実施例１０〜１７ 実施例１で用いた例示化合物、および液晶組成物に代え
て、表１に示した例示化合物、および液晶組成物を各重
量部で用い、１０−Ｂ〜１７−Ｂの液晶組成物を得た。

これらを用いた他は、全〈実施例１と同様の方法により
、強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で
光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した
。この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメ
イン状態が得られた。測定結果を表１に示す。

実施例１０−１７より明らかなように、本発明による液
晶組成物ＩＱ−Ｂ〜１７−Ｂを含有する強誘電性液晶素
子は、低温における作動特性、高速応答性が改善され、
また、応答速度の温度依存性も軽減されたものとなって
いる。

実施例１８ 下記例示化合物を下記の重１部で混合し、液晶組成物１
８−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式例示化合物Ｎ
ｏ。

構　　造　　式 更に、この液晶組成物１８−Ａに対して、以下に示す例
示化合物を、各々以下に示す重工部で混合し、液晶組成
物１８−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　重ヱ部次に、この液晶組成物１８−Ｂを以下の
手順で作製したセルを用いて、素子特性等を観察した。

２枚の１．１ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガ
ラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上にＳｉＣ２を蒸着させ絶縁層とした。

この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−７１
０］　１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２５
０　Ｏｒ　ｐ　ｍ　、のスピンナーで１５秒間塗布した
。

成膜後、６０分間、３００℃加熱縮合焼成処理を施した
。この時の塗膜の膜厚は約２００人であった。

この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行となる様にし、接着シール剤［リクソンボンド（
チッソ（ＩＩ　）　コ。

を用いてガラス板を貼り合わせ、６０分間、　　１００
℃にて加熱乾燥し、セルを作成した。このセルのセル厚
をベレツク位相板によって側車したところ約１．５μｍ
であった。

このセルに上述の液晶組成物１−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０℃／ｈで２５℃まで徐冷するこ
とにより、強誘電性液晶素子を作成した。この強誘電性
液晶素子を用いて、ピーク・トつ・ピーク電圧Ｖｐｐ＝
２５Ｖの電圧印加により、直交ニコル下での光学的な応
答（透過光量変化Ｏ〜９０％）を検知して応答速度（以
後、光学応答速度という）を測定した。その結果を次に
示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ８２５　ｐ　ｓｅｃ　　　２８４　μｓｅｃ　　　　１
０７　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコン
Ｉ・ラストは１２であり、明瞭なスイッチング動作が観
察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった
。

比較例１８ 実施例１８で使用した液晶組成物１８−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、４−５．４−７３を混合せずに１８−八
に対して例示化合物Ｎｏ、２−４２．　３−２３のみを
実施例１８と同じ重量部で混合した液晶組成物１８−Ｃ
１および例示化合物Ｎｏ、　２−４２を混合せずに１８
−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、４−５．４−７３．３−
２３のみを実施例１８と同じ重量部で混合した液晶組成
物１８−Ｄ、さらに例示化合物Ｎｏ、　３−２３を混合
せずに１８−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、４−５．４−
７３゜２−４２のみを実施例１８と同じ重量部で混合し
た液晶組成物１８−Ｅを作成した。

これらの液晶組成物１８−Ｃ，１８−Ｄ、　　１８−Ｅ
及び１８−Ａを用いた以外は、全〈実施例１８と同様の
方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例１８
と同様の方法で光学応答速度を測定した。その結果を次
に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ １８−Ａ　　　　　１３６０　μｓｅｃ　　　４３０　
μｓｅｃ　　　１４７　μ５ｅｃ１８−０　　　　９３
６　μｓｅｃ　　　３２２　μｓｅｃ　　　１１７　μ
５ｅｃＬ８−Ｄ　　　　　１１６４　μｓｅｃ　　　３
６９　μｓｅｃ　　　１２８　ｐ　５ｅｃ１８−Ｅ　　
　　　８７１１ｔ　ｓｅｃ　　　２９８　μｓｅｃ　　
　１１０　μｓｅｃ実施例１８と比較例１８より明らか
な様に、本発明による液晶組成物を含有する強誘電性液
晶素子の方が低温における作動特性、高速応答性が改善
され、また、応答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例１９ 実施例１８で使用した液晶組成物１８−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物１９−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　　重量部４−１０に の液晶組成物を用いた他は、全（実施例１８と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１８と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ７５７　μｓｅｃ　　　２６３　ｐ　ｓｅｃ　　　１０
０　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコント
ラストは１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察　
され、電圧印加を止め際の双安定性も良好であった。

８−Ａ ５ 比較例１９ 実施例１９で使用した液晶組成物１９−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、２−３２．２−１４を混合せずに１８−
Ａに対して例示化合物Ｎｏ、４−１０．４−１５１゜３
−７のみを実施例１８と同じ重量部で混合した液晶組成
物１９−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物！９−Ｃ及び１８−Ａを用いた以外
は、全〈実施例１８と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例１８と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ １８−Ａ　　　１３６０　、［！　ｓｅｃ　　　４３０
　μｓｅｃ　　　１４７　ｐ　５ｅｃ１９−Ｃ１１８３
μｓｅｃ　　　３８４　μｓｅｃ　　　１３４　μｓｅ
ｃ実施例１９と比較例１９より明らかな様に、本発明に
よる液晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が、低温
における作動特性、高速応答性が改善され、また、応答
速度の温度依存性も軽減されている。

実施例２０ 実施例１８で使用した液晶組成物１８−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重ｆｆｉ部で混合して
液晶組成物２０−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　　重量部−１４７ す ８−Ａ ４ この液晶組成物を用いた池は、全〈実施例１８と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１８と同様の
方法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観
察した。

この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ７１９　μｓｅｃ　　　２４９　μｓｅｃ　　　９１　
μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラス
トは１４であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、
電圧印加を止め際の双安定性も良好であった。

比較例２０ 実施例２０で使用した液晶組成物２０−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、２−６を混合せずに１８−Ａに対して例
示化合物Ｎｏ、　４−）１５．４−１４７．３−４２゜
３−５０のみを実施例１８と同じ重量部で混合した液晶
組成物２０−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物２０−Ｃ及び１８−Ａを用い以外は
、全（実施例１８と同様の方法でそれぞれ強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１８と同様の方法で光学応答速度
を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 ｉｏ℃　　　　２５℃　　　　４０℃ １Ｂ−Ａ　　　１３６０．４ｃ　ｓｅｃ　　　４３０　
μｓｅｃ　　　１４７　μ５ｅｃ２０−Ｃｌ００７　μ
ｓｅｃ　　　３３９　μｓｅｃ　　　１１８　μｓｅｃ
実施例２０と比較例２０より明らかな様に、本発明によ
る液晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が、低温に
おける作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速
度の温度依存性も軽減されている。

実施例２１ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物２
１−　Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　　構造式％式％ 式 重量部 ８ ９ ９ ５ ０ ２ 更に、この液晶組成物４−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
４−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　重量部４−５　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　３−７３ この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１８と同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１８と同様
の方法で応答速度測定し、スイッチング状態等を観察し
た。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０°０７４３μｓ
ｅｃ　　　　２６４　μｓｅｃ　　　　１０２　μｓｅ
ｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１
２であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印
加を止めた際の双安定性も良好であった。

１−Ａ ７ 比較例２１ 実施例２１で使用した液晶組成物２１−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、４−５．４−７３を混合せずに２１−八
に対して例示化合物Ｎｏ、２−４２．３−２３のみを実
施例１８と同じ重量部で混合した液晶組成物　２１−０
１および例示化合物Ｎｏ、　２−４２を混合せずに２１
−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、４−５．４−７３．３−
２３のみを実施例１８と同じ重量部で混合した液晶組成
物２１−Ｄ、さらに例示化合物Ｎｏ、　３−２３を混合
せずに２１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　４−５　。

４−７３．２−４２のみを実施例１８と同じ重量部で混
合した液晶組成物２１−Ｅを作成した。

これらの液晶組成物　２１−Ｃ，２１−Ｄ、　２１−Ｅ
及び２１−Ａを用いた以外は、全〈実施例１８と同様の
方法でそれぞれ強誘電性液晶素子を作成し、実施例１８
．！：同様の方法で光学応答速度を測定した。

その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０°Ｃ２１−Ａ　　　
　１１５５　μｓｅｃ　　　３６２　μｓｅｃ　　　１
３３　μ５ｅｃ２１−０　　　８２０　μｓｅｃ　　　
２８４　μｓｅｃ　　　１０４　μ５ｅｃ２１−Ｄ　　
　　１００４　μｓｅｃ　　　３２６　μｓｅｃ　　　
１１５　μ５ｅｃ２１−Ｅ　　　　８０１　μｓｅｃ　
　　２８３４’ｓｅｃ　　　１０８　μｓｅｃ実施例２
１と比較例２１より明らかな様に、本発明による液晶組
成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温における作
動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の温度
依存性も軽減されている。

実施例２２ 実施例２１で使用した液晶組成物２１−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物２２−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　　重量部４−６９　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　３−１０５ に の液晶組成物を用いた他は、全〈実施例１８と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１８と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５°０　　　　４０℃８２７　μｓｅ
ｃ　　　２９２　μｓｅｃ　　　１１２　μｓｅｃまた
、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１３であ
り、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加を止
め際の双安定性も良好であった。

１−Ａ ７ 比較例２２ 実施例２２で使用した液晶組成物２２−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、４−６９．４−１０５．３−３８を混合
せずに２１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−３６゜２
−７２のみを実施例１８と同じ重量部で混合した液晶組
成物２２−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物２２−Ｃ及び２１−Ａを用いた以外
は、全（実施例１８と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例１８と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ２１−Ａ　　　　１１６５μｓｅｃ　　　３６２μｓｅ
ｃ　　　　１３３μ５ｅｃ２２−Ｃ９０５μｓｅｃ　　
　３０３　μｓｅｃ　　　　１１０　μｓｅｃ実施例２
２と比較例２２より明らかな様に、本発明による液晶組
成物を有する強誘電性液晶素子の方が、低温における作
動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の温度
依存性も軽減されている。

実施例２３ 実施例２２で使用した液晶組成物２１−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重１部で混合して液晶
組成物２３−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　　重量部４−１１　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　６−３４ す １−Ａ ３ この液晶組成物を用いた他は、全〈実施例１８と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例＋８と同様の
方法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観
察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ７２４μｓｅｃ　　　２６０μｓｅｃ　　　１０１１ｉ
ｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラスト
は１３であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電
圧印加を止め際の双安定性も良好であった。

比較例２３ 実施例２３で使用した液晶組成物２３−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、２−２１．　２−２．　３−６０を混合
せずに２３−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、　４−１１゜
４−３４のみを実施例１８と同じ重量部で混合した液晶
組成物２３−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物２３−Ｃ及び２１−Ａを用いた以外
は、全（実施例１８と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例１８と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ２１−Ａ　　　　１１５５１ｔ　ｓｅｅ　　　３６２４
　ｓｅｃ　　　　１３３　μ５ｅｃ２３−Ｃｌ００４　
μｓｅｃ　　　３４４　μｓｅｃ　　　　１２７　μｓ
ｅｃ実施例２３と比較例２３より明らかな様に、本発明
による液晶組成物を有する強誘電性液晶素子の方が、低
温における作動特性、高速応答性が改善され、また、応
答速度の温度依存性も軽減されている。

実施例２４ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物２
４−Ａを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　　Ｍ造式％式％ 式 重量部 ９ ０ 例示化合物Ｎ。

構 造 式 更に、この液晶組成物２４−Ａに対して、以下に示す例
示化合物を、各々以下に示す重１部で混合し、液晶組成
物２４−Ｂを作成した。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　　重量部４−５　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４−７３ ４−Ａ ９ −□″シノ この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例１８と同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１８と同様
の方法で応答速度測定し、スイッチング状態等を観察し
た。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０℃５４２　μｓ
ｅｃ　　　　２０１　μｓｅｃ　　　　８３　μｓｅｃ
また、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１４
であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加
を止めた際の双安定性も良好であった。

比較例２４ 実施例２４で使用した液晶組成物２４−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、　２−４２を混合せずに２４−八に対し
て例示化合物Ｎｏ、４−５．４−７３．３−２３のみを
実施例１８と同じ重量部で混合した液晶組成物２４−Ｃ
作成した。

これらの液晶組成物　２４−Ｃ及び２４−Ａを用いた以
外は、全（実施例１８と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１８と同様の方法で光学応答
速度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ２４−Ａ　　　７６２　μｓｅｃ　　　２４６　μｓｅ
ｃ　　　９８　ｐ　５ｅｃ２４−Ｃ８６３μｓｅｃ　　
　２３５　μｓｅｃ　　　９１　μｓｅｃ実施例２４と
比較例２４より明らかな様に、本発明による液晶組成物
を含有する強誘電性液晶素子の方が低温における作動特
性、高速応答性が改善され、また、応答速度の温度依存
性も軽減されている。

実施例２５ 実施例２４で使用した液晶組成物２４−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶
組成物２５−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　重量部４−６９　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　６−１０５ この液晶組成物を用いた他は、全〈実施例１８と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１８と同様の
方法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観
察した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５°０　　　　４０℃５２９　μｓｅ
ｃ　　　１９６１ｔ　ｓｅｃ　　　８２　μｓｅｃまた
、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１２であ
り、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加を止
め際の双安定性も良好であった。

す ４−Ａ ８ 比較例２５ 実施例２５で使用した液晶組成物２６−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、４−６９．４−１０５を混合せずに２４
−Ａに対して例示化合物Ｎ００２−３６．２−７２゜３
−３８のみを実施例１８と同じ重量部で混合した液晶組
成物２５−〇を作成した。

これらの液晶組成物２５−Ｃ及び２４−Ａを用いた以外
は、全（実施例１８と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例１８と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ２４−Ａ　　　７６２　μｓｅｃ　　　２４６　μｓｅ
ｃ　　　９８　μ５ｅｃ２５−０　　　５６３　μｓｅ
ｃ　　　２０２　μｓｅｃ　　　８１μｓｅｃ実施例２
５と比較例２５より明らかな様に、本発明による液晶組
成物を有する強誘電性液晶素子の方が、低温における作
動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の温度
依存性も軽減されている。

実施例２６ 実施例２４で使用した液晶組成物２４−Ａに対して、以
下に示す例示化合物を以下に示す重１部で混合して液晶
組成物２６−Ｂを得た。

例示化合物Ｎｏ、　　　　　構　　造　　式　　　　　
　　　　　重量部４−８２　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　５す −１６５ ４−Ａ ７に の液晶組成物を用いた他は、全〈実施例１８と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１８と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。

この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０°Ｃ４２３μｓｅｃ
　　　　１６２　μｓｅｃ　　　６６　μｓｅｃまた、
２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１３であり
、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧印加を止め
際の双安定性も良好であった。

比較例２６ 実施例２６で使用した液晶組成物２６−Ｂに代えて、例
示化合物Ｎｏ、４−８２．　４−１６５．　２−７７゜
２−１２を混合せずに２４−Ａに対して例示化合物Ｎｏ
、　３−２９のみを実施例１８と同じ重量部で混合した
液晶組成物２６−Ｃを作成した。

これらの液晶組成物２６−Ｃ及び２４−Ａを用いた以外
は、全〈実施例Ｉ８と同様の方法でそれぞれ強誘電性液
晶素子を作成し、実施例１８と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　　２５℃　　　　４０℃ ２４−Ａ　　　　７６２　μｓｅｃ　　　２４６　μｓ
ｅｃ　　　９８　μ５ｅｃ２６−Ｃ５６１μｓｅｃ　　
　　１９９　μｓｅｃ　　　７８　μｓｅｃ実施例２６
と比較例２６より明らかな様に、本発明による液晶組成
物を有する強誘電性液晶素子の方が、低温における作動
特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の温度依
存性も軽減されている。

実施例２７〜３ 実施例１８で用いた例示化合物、および液晶組成物に代
えて、表２に示した例示化合物、および液晶組成物を各
重量部で用い、２７−Ｂ〜３３−Ｂの液晶組成物を得た
。これらを用いた他は、全〈実施例１８と同様の方法に
より、強誘電性液晶素子を作成し、実施例１８と同様の
方法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観
察した。この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モ
ノドメイン状態が得られた。測定結果を表２に示す。

実施例２７〜３３より明らかなように、本発明による液
晶組成物２７−Ｂ〜３３−Ｂを含有する強誘電性液晶素
子は、低温における作動特性、高速応答性が改善され、
また、応答速度の温度依存性も軽減されたものとなって
いる。

実施例３４ 実施例１で使用した液晶組成物！−Ｂに対して以下に示
す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成物
３４−Ｂを得た。

例示化合物嵐　　　　　構造式　　　　　　　重量部こ
の液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様な方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で光学応答速度を測定した。

光学応答速度 １０°０　　　　２５℃　　　　　４０℃１２１１μｓ
ｅｃ　　　４０７μｓｅｃ　　　１４６μｓｅｃ更に、
上記液晶素子を用い、２５℃において直交ニコル下でチ
ルト角を測定したところ、７．３°であった。次に６０
ＫＨｚの周波数で±８ｖの矩形波を印加しながらチルト
角を測定したところ、１３．３゜であった。この時透過
率を測定したところ１２．８％であった。また同時にコ
ントラスト比を測定したところ５３；１であった。

比較例３４ 液晶組成物１−Ｂに代えて、液晶組成物１−Ａに前述の
Ｎα５−１０の化合物を実施例３４と同様な比率で含有
させた液晶組成物３４−Ｃを作成した。

これら液晶組成物３４−Ｃおよび１−Ａ、１−Ｂの液晶
組成物を用いて実施例１と同様な方法でそれぞれ強誘電
性液晶素子を作成し、実施例１と同様な方法で光学応答
速度を測定した。

また、さらに、実施例３４と全く同様な方法でチルト角
を測定した。結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　２５℃　　　４０℃ １−　Ａ　　１４１０　μｓｅｃ　　４３５　μｓｅｃ
　　１５５　μ５ｅｃ１−　Ｂ　　９６４　μｓｅｃ　
　３３８　／、Ｚ　ｓｅｃ　　１２７　μ５ｅｃ３４−
　Ｃ１８３０μｓｅｃ　　５５０１ｔ　ｓｅｃ　　１７
Ｂμｓｅｃチルト角（２５℃） 初期チルト角　　ＡＣスタビライズ時 （無電界時）　　　（６０ＫＨｚ、±８■矩形波印加時
）１−Ａ７．６°　　　　　　　　８゜ ！−８７，５°　　　　　　　　　７．７゜３４−０　
　、　７．５°　　　　　　　　１３．６゜実施例３４
と比較例３４により明らかな様に、本発明による液晶組
成物に誘電異方性が負の液晶性化合物を混合することに
より、応答特性が改善された上に、さらに、ＡＣスタビ
ライズ効果による表示方法に用いる場合、表示特性が大
幅に改善されることがわかった。

実施例３５ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｂに対して以下に示
す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成物
３５−Ｂを得た。

例示化合物Ｎα 構造式 ％式％ 構造式 重量部 ！−Ｂ ０ この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様な
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定した。

光学応答速度 １０°０　　　　２５°０　　　　　４０℃１１００μ
ｓｅｃ　　　３９５μｓｅｃ　　　１４０μｓｅｃさら
に、上記液晶素子を用い、２５℃において直交ニコル下
でチルト角を測定したところ、８．６°であった。次に
６０　Ｋ　Ｉ−１ｚの周波数で±８ｖの矩形波を印加し
ながらチルト角を測定したところ、１２６７゜であった
。この時透過率を測定したところ１２．８％であった。

また同時にコントラスト比を測定したところ５３：１で
あった。

比較例３５ 液晶組成物１−Ｂに代えて、液晶組成物１−Ａに前述の
Ｎα５−９０．５−１２．５−１２２．５−７０．５−
１０７゜５−１１１．　５−１６７の化合物を実施例３
５と同様な比率で含有させた液晶組成物３５−Ｃを作成
した。

これら３５−Ｃおよびｌ−Ａ、１−Ｂの液晶組成物を用
いて実施例１と同様な方法でそれぞれ強誘電性液晶素子
を作成し、実施例１と同様な方法で光学応答速度を測定
した。

また、さらに、実施例３５と全く同様な方法でチルト角
を測定した。結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　２５℃　　　４０℃ １−Ａ　　１４１０　Ｊｌｓｅｃ　　４３５　μｓｅｃ
　　１５５　μ５ｅｃ１−８　９６４μｓｅｃ　　３３
８４ｓｅｃ　　１２７μ５ｅｃ３５−Ｃｌ８０６　μｓ
ｅｃ　　５３８　μｓｅｃ　　ｔ９０　μｓｅｃチルト
角（２５℃） 初期チルト角　　ＡＣスタビライズ時 （無電界時）　　　（６０ＫＨｚ、±８ｖ矩形波印加時
）１−Ａ　　　　７．６°　　　　　　　　８゜１−Ｂ
　　　７．５°　　　　　　　　７．７゜３５−Ｃ８，
０°　　　　　　　　１２．９゜実施例３５と比較例３
５により明らかなように、本発明による液晶組成物に誘
電異方性が負の液晶性化合物を混合することにより、充
容特性が改善された上に、さらに、ＡＣスタビライズ効
果による表示方法に用いる場合、表示特性が大幅に改善
されることがわかった。

実施例３６ 実施例１８で使用した液晶組成物１８−Ｂに対して以下
に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組
成物３６−Ｂを得た。

例示化合物Ｎα　　　　　構造式　　　　　　　重量部
この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例１８と同様
な方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１８と同様
の方法で光学応答速度を測定した。

光学応答速度 １０　’Ｃ２５°Ｃ４０°Ｃ １０００μｓｅｃ　　　３３０　μｓｅｃ　　　１．２
２　μｓｅｃ更に、上記液晶素子を用い、２５°Ｃにお
いて直交ニコル下でチルト角を測定したと９ろ、７．１
°であった。次に６０　ＫＨｚの周波数で±８ｖの矩形
波を印加しながらチルト角を測定したところ、１３°で
あった。この時透過率を測定したところ１２．３％であ
った。また同時にコントラスト比を測定したところ５０
：ｌであった。

比較例３６ 液晶組成物１８−Ｂに代えて、液晶組成物１８−Ａに前
述のＮα５−１０の化合物を実施例３６と同様な比率で
含有させた液晶組成物３６−Ｃを作成した。

これら液晶組成物３６−Ｃおよび１８−Ａ、１８−Ｂの
液晶組成物を用いて実施例１８と同様な方法でそれぞれ
強誘電性液晶素子を作成し、実施例１８と同様な方法で
光学応答速度を測定した。

また、さらに、実施例３６と全（同様な方法でチルト角
を測定した。結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　　２５℃　　　４０℃ １３６０　ｐ　ｓｅｃ　　４３０μｓｅｅ　　　１４７
１ｔ　５ｅｃ８２５　ｐ　ｓｅｃ　　２８４μｓｅｃ　
　　１０７μ５ｅｃ１７８５　μｓｅｃ　　５３０　μ
ｓｅｃ　　Ｊ７９　μｓｅｃ８　−Ｂ ８−Ａ ６−Ｃ チルト角（２５℃） 初期チルト角　　ＡＣスタビライズ時 （無電界時）　　　（６０Ｋ）Ｉｚ、±８ｖ矩形波印加
時）１８−Ａ　　　　　７．３°　　　　　　　７．５
゜１８−８７，２°　　　　　　　７．３゜３６−Ｃ７
，０”　　　　　　　　１３．Ｏ６実施例３６と比較例
３６により明らかな様に、本発明による液晶組成物に誘
電異方性が負の液晶性化合物を混合することにより、応
答特性が改善された上に、さらに、ＡＣスタビライズ効
果による表示方法に用いる場合、表示特性が大幅に改善
されることがわかった。

実施例３７ 実施例１８で使用した液晶組成物１８−Ｂに対して以下
に示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組
成物３７−Ｂを得た。

例示化合物Ｎα 構造式 ％式％ 構造式 重量部 −Ｂ ０ この液晶組成物を用いた以外は、全（実施例１８と同様
な方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１８と同様
の方法で光学応答速度を測定した。

光学応答速度 ｌＯｏＣ２５°０　　　　４０℃ ９３０　、ｃｚｓｅｃ　　　３２０　μｓｅｃ　　　１
１８　μｓｅｃさらに、上記液晶素子を用い、２５℃に
おいて直交ニコル下でチルト角を測定したところ、８．
０°であった。次に６０　Ｋ　Ｉ−１ｚの周波数で±８
ｖの矩形波を印加しながらチルト角を測定したところ、
１２．１゜であった。この時透過率を測定したところ１
１．９％であった。また同時にコントラスト比を測定し
たところ４７：１であった。

比較例３７ 液晶組成物１８−Ｂに代えて、液晶組成物１８−Ａに前
述のＮα５−９０．　５−１２．　５−１２２．　５−
７０゜５−１０７．５−１ｌｌ、　５−１６７の化合物
を実施例３５と同様な比率で含有させた液晶組成物３７
−Ｃを作成した。

これら液晶組成物３７−Ｃおよび！−Ａ、１−Ｂの液晶
組成物を用いて実施例１と同様な方法でそれぞれ強誘電
性液晶素子を作成し、実施例３７と同様な方法で光学応
答速度を測定した。

また、さらに、実施例３７と全く同様な方法でチルート
角を測定した。結果を次に示す。

光学応答速度 １０℃　　′２５℃　　　４０℃ １８−Ａ　　１３６０　μｓｅｃ　　４３０　μｓｅｃ
　　１４７　μ５ｅｃ１８−８　８２５μｓｅｃ　　　
２８４μｓｅｃ　　１０７μ５ｅｃ３７−Ｃｌ６５３　
μｓｅｃ　　５０３　μｓｅｃ　　１６５　μｓｅｃチ
ルト角（２５℃） 初期チルト角　　ＡＣスタビライズ時 （無電界時）　　　（６０ＫＨｚ、±８ｖ矩形波印加時
）１８−Ａ　　　７．３°　　　　　　　　７．５゜１
８−８　　７．２°　　　　　　　　７．３゜３７−Ｃ
７，０°　　　　　　　　１３．０゜実施例３７と比較
例３７により明らかなように、本発明による液晶組成物
に誘電異方性が負の液晶性化合物を混合することにより
°、応答特性が改善された上に、さらに、ＡＣスタビラ
イズ効果による表示方法に用いる場合、表示特性が大幅
に改善されることがわかった。

実施例３８ 実施例１８および比較例１８で用いた液晶組成物を５ｉ
０２を用いずに、ポリイミド樹脂だけで配向制御ＩＨを
作成した以外は全（実施例１８と同様の方法で強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１８と同様の方法で光学応答
速度を測定した。その結果を次に示す。

光学応答速度 ２５℃ ２６４　μ５ｅｃ ４１５　μ５ｅｃ ３１２　μ５ｅｃ ３４９　μ５ｅｃ ２７９　μ５ｅｃ １０℃ １８−Ｂ　　　　８２０　ｕ　５ｅｃ １８−Ａ　　　　ｌ３４０μ５ｅｃ １８−Ｃ９１８μ５ｅｃ １８−Ｄ　　　　１１４５　μ５ｅｃ １８−Ｅ　　　　８６３　μ５ｅｃ ４０℃ ９２μ５ｅｃ １３８　μ５ｅｃ １１２μ５ｅｃ １１８　μ５ｅｃ １０４　μｓｅｃ 実施例３８より明らかなように、素子構成を変えた場合
でも本発明に従う強誘電性液晶素子を含有する素子は、
他の液晶組成物を含む素子に実施例１８と同様に低温作
動特性が改善され、さらに、応答速度の温度依存性も軽
減されたものとなっている。

〔発明の効果〕

本発明の強誘電性液晶組成物を含有する素子は、スイッ
チング特性が良好で、作動特性の改善された液晶素子、
および応答速度の温度依存性が軽減された液晶素子とす
ることができる。

また、さらに本発明の特定の化合物を有する強誘電性液
晶組成物に、前述の特徴を有したうえに更にＡＣスタビ
ライズ効果による表示特性が大幅に改善された液晶素子
を得ることができる。

４、図面の簡単な説明 第１図は強誘電性液晶を用いた液晶表示素子の１例の断
面概略図、 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表す斜視図、 第４図はΔεの値の異なるＦＬＣのＶｒｍｓに対するθ
ａの変化を示す図である。

第１図において、 第２図において、 １ａ １ｂ ２ ３ ２．４ 第３図において、 強誘電性液晶層 ガラス基板 透明電極 絶縁性配向制御層 スペーサー リード線 電源 偏光板 光源 入射光 透過光 基板 基板 強誘電性液晶層 液晶分子１ 双極子モーメント（Ｐ上） １ｂ ３ａ ３ｂ ４ａ ４ｂ ａ ｂ 電圧印加手段 第１の安定状態 第２の安定状態 上向きの双極子モーメント 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 下向きの電界 １ａ 電圧印加手段

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖
   状もしくは分岐状のアルキル基であり、置換基としてＣ
   ＿１〜Ｃ＿１＿２のアルコキシ基を有していても良い。 Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼のいずれかを示す。） で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（I
   I） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＿３は置換基を有していても良いＣ＿１〜
   Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｘ＿３は
   単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｚ＿１は単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
   表等があります▼もしくは▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、 ｌは１〜１２。） で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（I
   II） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （ただし、Ｒ＿４、Ｒ＿５は置換基を有していても良い
   Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基で
   あり、かつ少なくとも一方は光学活性である。 Ｘ＿４は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、Ｘ＿５は単結合、−Ｏ−、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼。）で示される化合物の少なくとも一
   種と、さらに、誘電異方性（Δε）が負の液晶性化合物
   の少なくとも１種とを含有することを特徴とする強誘電
   性カイラルスメクチック液晶組成物。
2. （２）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−２
   であるところの請求項１記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
3. （３）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−５
   であるところの請求項２記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
4. （４）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−１
   ０であるところの請求項３記載の強誘電性々イラルスメ
   クチック液晶組成物。　。
5. （５）前記誘電異方性が負の液晶性化合物が下記一般式
   （Ｖ−［１］）から（Ｖ−［５］）の何れかで示される
   化合物の中から選ばれる事を特徴とする請求項１から４
   項記載の強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。 一般式（Ｖ−［１］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ａ、Ｒ＿ｂは置換基を有していてもよい直鎖状又
   は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ａ、Ｘ＿ｄは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
   ２ＣＨ＿２−、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂは単結合、▲数式、化学
   式、表等があります▼（トランス）、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   （トランス・トランス）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（トランス）、▲数
   式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂがとも
   に単結合の場合、Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合であり、Ｘ＿
   ａ、Ｘ＿ｄは供に単結合又は供に−Ｏ−であるか、又は
   Ｘ＿ａが▲数式、化学式、表等があります▼で、Ｘ＿ｄ
   が▲数式、化学式、表等があります▼である。 Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂは、シアノ基、ハロゲン、水素、ただし
   Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂが同時に水素にはならない。〕一般式（
   Ｖ−［２］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｅ、Ｒ＿ｆは置換基を有していてもよい直鎖状又
   は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ｅ、Ｘ＿ｈは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｆ、Ｘ＿ｇは▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、単結合、Ａ＿ｅ、
   Ａ＿ｆは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、単結合、ただしＡ＿ｅ、Ａ
   ＿ｆが同時に単結合にはならない。〕一般式（Ｖ−［３
   ］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ａ＿ｉは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 Ａ＿ｊは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｒ＿ｉ、Ｒ＿ｊは置換基を有してもよい直鎖又は分岐の
   アルキル基、ただしＡ＿ｊが単結合のとき直鎖アルキル
   基であり、Ｚ＿３は−Ｏ−又は−Ｓ−、 Ｘ＿ｉ、Ｘ＿ｋは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｊは単結合、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、
   ただしＡ＿ｉが単結合のときＸ＿ｉは単結合であり、Ａ
   ＿ｊが▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼のときＸ＿ｊは単結合ではなく
   、Ａ＿ｊが単結合のときＸ＿ｋは単結合である。〕一般
   式（Ｖ−［４］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｌ、Ｒ＿ｍは置換基を有していてもよい直鎖又は
   分岐のアルキル基、 Ａ＿ｌ、Ａ＿ｍは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、ただしＡ
   ＿ｋ、Ａ＿ｌは同時に単結合にならない。 Ｘ＿ｌは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｍは
   単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿Ｏ−、−ＯＣＨ＿
   ２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−Ｃ≡Ｃ−〕一般式（Ｖ
   −［５］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｎ、Ｒ＿ｏは置換基を有していてもよい直鎖又は
   分岐のアルキル基、 Ｘ＿ｎ、Ｘ＿ｑは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｘ＿ｏ、Ｘ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
   ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、 Ａ＿ｎ、Ａ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ｏは
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 Ｚ＿４は▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式
   、化学式、表等があります▼〕
6. （６）請求項１記載の強誘電性カイラルスメクチック液
   晶組成物を一対の電極基板間に配置してなることを特徴
   とする液晶素子。
7. （７）下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＿３は置換基を有していても良いＣ＿１〜
   Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｘ＿３は
   単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｚ＿１は単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
   表等があります▼もしくは▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、 ｌは１〜１２。） で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（I
   II） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （ただし、Ｒ＿４、Ｒ＿５は置換基を有していても良い
   Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基で
   あり、かつ少なくとも一方は光学活性である。 Ｘ＿４は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、Ｘ＿５は単結合、−Ｏ−、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼。）で示される化合物の少なくとも一
   種と、下記一般式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） （ただし、Ｒ＿６、Ｒ＿７は置換基を有していても良い
   Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、
   Ｘ＿６、Ｘ＿７は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   Ｚ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ
   ＿２−、単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 ただし、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼のうち少なくとも１つは▲数式、化学式、表等
   があります▼もしくは▲数式、化学式、表等があります
   ▼である。） で示される化合物の少なくとも一種と さらに、誘電異方性（Δε）が負の液晶性化合物の少な
   くとも１種とを含有することを特徴とする強誘電性カイ
   ラルスメクチック液晶組成物。
8. （８）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−２
   であるところの請求項７記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
9. （９）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−５
   であるところの請求項８記載の強誘電性カイラルスメク
   チック液晶組成物。
10. （１０）前記誘電異方性が負の液晶性化合物がΔε＜−
    １０であるところの請求項９記載の強誘電性カイラルス
    メクチック液晶組成物。
11. （１１）前記誘電異方性が負の液晶性化合物が下記一般
    式（Ｖ−［１］）から（Ｖ−［５］）の何れかで示され
    る化合物の中から選ばれる事を特徴とする請求項７から
    １０項記載の強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物
    。 一般式（Ｖ−［１］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ａ、Ｒ＿ｂは置換基を有していてもよい直鎖状又
    は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ａ、Ｘ＿ｄは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
    ２ＣＨ＿２−、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂは単結合、▲数式、化学
    式、表等があります▼（トランス）、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    （トランス・トランス）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（トランス）、▲数
    式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ａ、Ａ＿ｂがとも
    に単結合の場合、Ｘ＿ｂ、Ｘ＿ｃは単結合であり、Ｘ＿
    ａ、Ｘ＿ｄは供に単結合又は供に−Ｏ−であるか、又は
    Ｘ＿ａが▲数式、化学式、表等があります▼で、Ｘ＿ｄ
    が▲数式、化学式、表等があります▼である。 Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂは、シアノ基、ハロゲン、水素、ただし
    Ｙ＿ａ、Ｙ＿ｂが同時に水素にはならない。〕一般式（
    Ｖ−［２］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｅ、Ｒ＿ｆは置換基を有していてもよい直鎖状又
    は分岐状のアルキル基、 Ｘ＿ｅ、Ｘ＿ｈは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｘ＿ｆ、Ｘ＿ｇは▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、単結合、Ａ＿ｅ、
    Ａ＿ｆは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
    化学式、表等があります▼、単結合、ただしＡ＿ｅ、Ａ
    ＿ｆが同時に単結合にはならない。〕一般式（Ｖ−［３
    ］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ａ＿ｉは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 Ａ＿ｊは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、 Ｒ＿ｉ、Ｒ＿ｊは置換基を有してもよい直鎖又は分岐の
    アルキル基、ただしＡ＿ｊが単結合のとき直鎖アルキル
    基であり、Ｚ＿３は−Ｏ−又は−Ｓ−、 Ｘ＿ｉ、Ｘ＿ｋは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｊは単結合、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、
    ただしＡ＿ｉが単結合のときＸ＿ｉは単結合であり、Ａ
    ＿ｊが▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
    学式、表等があります▼のときＸ＿ｊは単結合ではなく
    、Ａ＿ｊが単結合のときＸ＿ｋは単結合である。〕一般
    式（Ｖ−［４］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｌ、Ｒ＿ｍは置換基を有していてもよい直鎖又は
    分岐のアルキル基、 Ａ＿ｌ、Ａ＿ｍは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、ただしＡ
    ＿ｋ、Ａ＿ｌは同時に単結合にならない。 Ｘ＿ｌは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ｘ＿ｍは
    単結合、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
    化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿２Ｏ−、−ＯＣＨ
    ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、−Ｃ≡Ｃ−〕 一般式（Ｖ−［５］） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔Ｒ＿ｎ、Ｒ＿ｏは置換基を有していてもよい直鎖又は
    分岐のアルキル基、 Ｘ＿ｎ、Ｘ￥ｑは単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｘ＿ｏ、Ｘ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、−ＣＨ＿
    ２Ｏ−、−ＯＣＨ＿２−、−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、 Ａ＿ｎ、Ａ＿ｐは単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、Ａ＿ｏは
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 Ｚ＿４は▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式
    、化学式、表等があります▼〕
12. （１２）請求項７記載の強誘電性カイラルスメクチック
    液晶組成物を一対の電極基板間に配置してなることを特
    徴とする液晶素子。