JPH02206681A - 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

液晶組成物およびこれを含む液晶素子

Info

Publication number
JPH02206681A
JPH02206681A JP2504989A JP2504989A JPH02206681A JP H02206681 A JPH02206681 A JP H02206681A JP 2504989 A JP2504989 A JP 2504989A JP 2504989 A JP2504989 A JP 2504989A JP H02206681 A JPH02206681 A JP H02206681A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
formulas
tables
crystal composition
mathematical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2504989A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Shinjo
健司 新庄
Masataka Yamashita
山下　真孝
Masahiro Terada
匡宏 寺田
Hiroyuki Kitayama
北山　宏之
Shinichi Nakamura
真一 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2504989A priority Critical patent/JPH02206681A/ja
Priority to ES198989112758T priority patent/ES2040936T3/es
Priority to DE8989112758T priority patent/DE68905884T2/de
Priority to AT89112758T priority patent/ATE87965T1/de
Priority to EP89112758A priority patent/EP0356672B1/en
Publication of JPH02206681A publication Critical patent/JPH02206681A/ja
Priority to US08/076,931 priority patent/US5405553A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Substances (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は液晶表示素子や液晶−光シヤツター等に利用さ
れる液晶素子に用いる液晶組成物に関し、更に詳しくは
、電界に対する応答特性が改善された新規な液晶組成物
に関するものである。
〔背景技術〕
従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばＭ、５ｃｈａｄｔとＷ、Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著
”Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　
　Ｖｏ、１８、Ｎｏ、４　（１９７１，２，１５）、Ｐ
、１２７〜１２８の’Ｖｏｌｔａｇｅ−８ｐｅｎｄｅｎ
ｔ　　０ｐｔｉｃａｌ　　Ａｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　
　ａＴｗｉｓｔｅｄ　　Ｎｅｍａｔｉｃ　　Ｌｉｑｕｉ
ｄ　　Ｃｒｙｓｔａビに示されたＴＮ′″″（ｔｗｉｓ
ｔｅｄ　　ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたものであ
る。
これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいており、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向を向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多（の応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合せると単純マトリクス方式による駆動が最も有力であ
る。単純マトリクス方式においては、走査電極群と信号
電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用され、
その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にアドレ
ス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信号を
アドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時分割
駆動方式が採用される。
しかしこのような駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると走査電極が選択され、信号電極が選択さ
れない領域、或いは走査電極が選択されず、信号電極が
選択される領域（所謂“半選択点”）にも有限に電界が
かかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択点にか
かる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に
配列させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設
定されるならば、表示素子は正常に動作するわけてある
が、走査線数（Ｎ）を増やして行った場合、画面全体（
１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電界
がかかっている時間（ｄｕｔｙ比）が１／Ｎの割合で減
少してしまう。このために、くり返し走査を行った場合
の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、
走査線数が増えれば増える程小さくなり、結果的には画
像コントラストの低下やクロストークが避は難い欠点と
なっている。
このような現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に
対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態であ
り、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する
）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返
し走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点で
ある。この点を改良するために、電圧平均化法、２周波
駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されているが
、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面化
や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによっ
て頭打ちになっているのが現状である。
この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用がＣ１ａｒｋ及びＬ
　ａ　ｇ　ｅ　ｒ　ｗ　ａ　ｌ　＋により提案されてい
る（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３
６７９２４号明細書等）。双安定性液晶としては一般に
、カイラルスメクテイツクＣ相（ＳｍＣ＊）又はＨ相（
ＳｍＨ＊）を有する強誘電性液晶が用いられる。この強
誘電性液晶は電界に対して第１の光学的安定状態と第２
の光学的安定状態からなる双安定状態を有し、従って前
述のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは異なり
、例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学的安定
状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対しては第
２の光学的安定状態に液晶が配向される。また、この型
の液晶は、加えられる電界に応答して、上記２つの安定
状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のないときはそ
の状態を維持する性質（双安定性）を有する。
以上のような双安定性を有する特徴に加えて、強誘電液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持・つ。それ
は強誘電液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して
配向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と
電場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。
このように強誘電液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、このような性質を利用することにより、上
述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かな
り本質的な改善が得られる。特に、高速光学光シャッタ
ーや、高密度、大画面デイスプレィへの応用が期待され
る。このため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広く研
究がなされているが、現在までに開発された強誘電性液
晶材料は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶素
子に用いる十分な特性を備えているとは云い難い。
したがって、応答速度を速くするには、（ア）自発分極
の大きさＰｓを大きくする（イ）粘度ηを小さくする （つ）印加電圧Ｅを高くする 方法がある。しかし印加電圧は、ＩＣ等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。
よって、実際には粘度ηを小さくするか、自発分極の大
きさＰｓの値を太き（する必要がある。
−船釣に自発分極の大きい強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの内
部電界も大きく、双安定状態をとり得る素子構成への制
約が多（なる傾向にある。又、いたずらに自発分極を太
き（しても、それにつれて粘度も太き（なる傾向にあり
、結果的には応答速度はあまり速くならないことが考え
られる。
また、実際のデイスプレィとしての使用温度範囲が例え
ば５〜４０℃程度とした場合、応答速度の変化が一般に
２０倍程もあり、駆動電圧及び周波数による調節の限界
を越えているのが現状である。
以上述べたように、強誘電性液晶素子を実用化するため
には、粘度が低く高速応答性を有し、かつ応答速度の温
度依存性の小さな強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が要求される。
代表的な強誘電性液晶セルの構成は、ガラス基板上にＩ
ＴＯ等で電極パターンを形成し、その上にＳｉＯ２等で
上下基板のショート防止層を形成（約１０００人）、ソ
ノ上にポリイミド（ＰＩ　、東し社５Ｐ５１０゜５Ｐ７
１０等）膜を４００人位の膜厚で形成し、さらに、ＰＩ
膜をラビング処理したものを上下対称な配向になるよう
に向いあわせて構成し、その基板間隔を１〜３μｍに保
つものである。
一方、このような条件下で配列した強誘電性液晶は、一
般に上下基板間をねじれた状態でつながり、−軸性の配
向を示さないことが知られている（スプレー配向）。こ
のような場合、問題点のひとつに液晶層の透過率が低い
ことである。
透過光量は分子配向の一軸性を仮定すると、クロスニコ
ル下で入射光Ｉ０の強度に対して■の強度を得る。
ここで、Δｎは屈折率異方性、ｄはセル厚、λは入射光
の波長、θ、は双安定状態間の角度（チルト角）である
。
前述のセルを用（・、スプレー配向をとった場合、現状
ではθ１は５〜８°である。Δｎｄπ／λのコントロー
ルは物性的に簡単に行えないので、θ１を太き（して、
■を大きくしたいが、スタティックな配向手法によって
はなかなか達成できない。
このような問題に対して、強誘電性液晶のΔε項のトル
クを用いることにより、θ、を広げられることが知られ
ている（　１９８３年ＳＩＤでＡＴＴにより発表、特開
昭６１−２４５１４２号、特開昭６１−２４６７２２号
、特開昭６１−２４６７２３号、特開昭６１−２４６７
２４号、特開昭６１−２４９０２４号、特開昭６１−２
４９０２５号）。
液晶のΔεが負であると、液晶分子は電界印加により、
基板に平行になろうとする。この特性を利用、すなわち
、スイッチング時以外にも一定の実効的な電界を印加す
ることにより、かかるねじれ配列を解消し、θ８を増大
させて透過率を上げることができる（ＡＣスタビライズ
効果）。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、強誘電性液晶素子を実用できるように
、応答速度が速く、しかもその応答速度の温度依存性が
軽減されたカイラルスメクチック液晶組成物およびかか
る液晶組成物を使用する液晶素子を提供することにある
。
本発明の他の目的は、本発明の液晶組成物を用いること
により、ＡＣスタビライズ効果をもたせ、表示特性を太
き（向上させられる液晶素子を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は下記一般式（Ｉ） （ただし、Ｒ，、Ｒ２はＣ８〜ＣＩ８の直鎖状もしくは
分岐状のアルキル基であり、置換基として０１〜ＣＩ２
のアルコキシ基を有していても良い。Ｘｌ、Ｘ２のいず
れかを示す。ただし、ＲＩ　＋　　Ｒ２が共にｎ−アル
キル基とはならない。） で示される化合物の少なくとも一種と、下記一般式（Ｉ
Ｉ　） Ｒ，、Ｒ２はＣ，〜Ｃ１８の直鎖状アルキル基。）で示
される化合物の少な（とも１種とを含有することを特徴
とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物ならび
にかかる液晶組成物を一対の電極基板間に配置してなる
液晶素子を提供するものである。
前述の一般式（１）で示される化合物において好ましい
化合物例として下記する（１−ａ）〜（１−ｐ）式で表
わされる化合物を挙げることができる。
Ｒ１ｏ５（ＨトＯＲ２ （Ｉ−ｊ） 又、さらに、上述の（１−ａ）〜（１−ｐ）におけるＲ
ｌｒ　Ｒ２のより好ましい例として（Ｉ　−ｉ　）　〜
（１−ｖ　）を挙げることができる。
Ｒ１がｎ−アルキル基 １−４＋） Ｒ１がｎ−アルキル基 Ｒ２が÷ＣＨ２矢、　ＣＨ−Ｒ？ （光学活性もしくはラセミ体） ＣＨ。
Ｒ２がモＣＨ２升、ＣＨ子ＣＨ２ヂ、０Ｒ８（光学活性
もしくはラセミ体） １−ｉｉｉ）　　　　　ＣＨ３ Ｒ，が（−ＣＨ２ン、ＣＨ−Ｒ。
（光学活性もしくはラセミ体） Ｒ２がｎ−アルキル基 （光学活性もしくはラセミ体） （光学活性もしくはラセミ体） （光学活性もしくはラセミ体） （光学活性もしくはラセミ体） Ｒ７＋　Ｒ８＋　　Ｒ９は直鎖状もしくは分岐状のアル
キル基を示す。ｐ＋　ｑｔ　Ｓはθ〜７であり、ｒは０
もしくはｌである。
又、前述の一般式（ｎ）で示される化合物のうち好まし
い化合物例として、下記する（ｎ　−ａ）。
（ｎ−ｂ）式で表わされる化合物を挙げることができる
。
前記−数式（１）で表わされる液晶性化合物の具体的な
構造式の例を以下に示す。
■−３７ ■−４０ ｎ　Ｃｌ２Ｈ２，５０科ヲ０（ＣＨ２）５ＣＨＣ２Ｈ５
前記−数式（Ｉ）で示される化合物は、例えば特開昭６
１−９３１７０．特開昭６１−２４５７６、特開昭６ｉ
１２９１７０．特開昭６１−２００９７２．特開昭６１
−２００９７３．特開昭６１、−２１５３７２．特開昭
６１−２９１５７４゜東独特許９５８９２　（１９７３
年）などに記載の合成方法により得られる。例えば下記
に示すような合成経路で得ることができる。
Ｒ２Ｘ　２　＋　ＣＮ ２は前述の通り） −数式（１）で示される化合物の代表的な合成例を以下
に示す。
合成例１　（Ｎｏ、！−２０の化合物の合成）ピリジン
５ｍｌに溶かした５−メトキシヘキサノール１．０６　
ｇ　（８，０ｍ　ｍｏ！　）にピリジン５ｍｌに溶かし
たｐ−ｔ−ルエンスルホン酸クロライド１．８３ｇ　（
９，６ｍｍｏｌ）を氷水洛中５℃以下で滴下した。室温
で６時間撹拌後、反応混合物を冷水１００ｍ１’に注入
した。６Ｎ塩酸で酸性側とした後、イソプロピルエーテ
ルで抽出した。有機層を水洗後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、その後溶媒留去して、５−メトキシヘキシル
−ｐ−）ルエンスルホネートを得た。
ジメチルホルムアミド１０ｍ１に５−デシル−２−（ｐ
−ヒドロキシフェニル）ピリミジン２．０ｇ（６，４１
ｍｍｏ＋）、水酸化カリウム０．６１　ｇを加え、１０
０℃で４０分間撹拌した。これに、先に得た５−メトキ
シヘキシル−ｐ−トルエンスルホネートを加え、１００
℃で４時間加熱撹拌した。反応終了後、反応混合物を冷
水１００ｍｆに注入し、ベンゼンにより抽出した。水洗
後、無水硫酸マグネシウムにより乾燥し溶媒留去して淡
黄色油状物を得た。カラムクロマトグラフィー（シリカ
ゲル−酢酸エチル／ベンゼン＝１７９）により精製後、
ヘキサンより再結晶して５−デシル−２（４（５’−メ
トキシへキシルオキシ）フェニル）ピリミジン（化合物
Ｎｏ、１−２０）１．３５ｇを得た。
相転移温度（℃） 合成例２　（Ｎｏ、１−２５の化合物の合成）６−ベン
チルオキシヘブタノール２．０４　ｇをピリジン８ｍｌ
に溶かし水冷した後、ピリジン５ｍ！！に溶かしたトシ
ルクロライド２．２６ｇを徐々に滴下した（５℃以下、
７分）。その後、室温にて５時間撹拌した。
反応混合物を氷水１５０ｍｊ！に注入し、６Ｎ塩酸水溶
液でｐＨ３程度にした後、酢酸エチルにより抽出した。
これを水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、
溶媒留去して（６−ペンチルオキシヘプチル）ｐ−トル
エンスルホネート２．９８ｇを得た。
５−ｎ−デシル−２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリ
ミジン３．１２ｇ及び水酸化カリウム０．５３ｇをジメ
チルホルムアミド１４ｍＩ！に溶かし、１００℃で３時
間加熱撹拌した後、（６−ペンチルオキシヘプチル）ｐ
−１ルエンスルホネート２．９８ｇを添加し、１００℃
で５時間加熱撹拌した。
反応混合物を氷水２００ｍ１７に注入し、６Ｎ塩酸水溶
液でｐＨ−Ｔ３程度にした後ベンゼンにより抽出した。
これを水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒
留去して粗生成物４、．７１　ｇを得た。これをシリカ
ゲルカラムクロマト精製（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル−
１０／２）　した後、さらにヘキサンから再結晶し、５
ｎ−デシル−２−［４−（６−ペンチルオキシへブチル
オキシ）フェニル］ピリミジン１．５６ｇを得た。
Ｉ　Ｒ（ｃｍ−’　） ２９２４．２８５２，１６１０．！５８６，１４７２゜
１４３６．１２５４，１１６８，１０９６．　７９８相
転移温度（’Ｃ） ２２．７　　　　　　　　３３．３　　　　　　　　　
３９．８合成例以外の化合物についても以下の合成経路
Ａ、Ｂにより得ることができる。
合成経路Ａ 合成経路Ｂ （上記においてＲＩ　＋Ｒ２＋ＸＩ　＋ｐ（ｑ＋８）−
ｒは前述の通りである） 前記−数式（ＩＩ） で示される化合物の具体的な 構造式の例を以下に示す。
ｎ−Ｃ，Ｈ，、−◎−４−＞＋ＱＣ８Ｈ１７ｎＣ１０Ｈ
２１（イＩ　ＱＣ８■ＩＩＴ　”ｎＣ７Ｈ１６（＋　Ｑ
Ｃ６Ｈ１３−ｎ Ｃ２Ｈ５１］　Ｃ２Ｈ５ ｃＨ３ターＸ）ｏｃ６Ｈ０３ ｎ−Ｃ４Ｈ９１−＞＋ＱＣ２Ｈ５ ｎ　Ｃａ　Ｈ１３＋　＋　ＱＣ７Ｈ１５−ｎｎ−ＣＢ　
ＨＩ３　ホ＋　ＱＣ７Ｈ１５−ｎｎ−Ｃ３Ｈ１、ｏ　ｌ
　”）−＠−ＱＣ５Ｈ１１−ｎｎ−Ｃ５Ｈ１１０セーＸ
）ｏｃ　６　Ｈ１３−ｎｎ　Ｃｅ　Ｈ＋３０　＋　−壇
）ＱＣｅ　Ｈ１３ｎｎ　Ｃ７Ｈ＋５０＋　＋ＱＣ７８Ｉ
ｔｓ　ｎｎ−Ｃ６Ｈ１３イー湿）ｏｃ　、ｏＨ２，−ｎ
ｎ−Ｃ７Ｈ１５Ｋ　＋　ＱＣＢ　Ｈ１７−ｎ前記一般式
（ＩＩ）で示される化合物は、例えばＪｏｕｒｎａｌ　
　ｆ、ｐｒａｋｔ　　ｃｈｅｍｉｅ、　Ｂａｎｄ　　３
２２゜Ｈｅｆｔ　　６．１９８０．Ｐ９３３に記載され
る合成法により得られる。代表的な合成法を以下に示す
。
合成例（例示化合物２−４０の合成） ２００　ｍ　ｌナス型フラスコに下記化合物７．５ｇ　
（１，５４Ｘ　１０”モル）、ピリジン５０ｍＩ！を入
れ、室温にてＰ２　Ｓ５４．６１ｇ　（２，０８Ｘ１０
−”モル）を１５分間で添加した。その後、１００℃に
加熱し、１５時間反応させた。反応溶液をエタノール１
５ｍ１．冷水３００　ｍ　ｌの混合溶液の中に注入し、
析出した結晶を濾過、水洗、乾燥した。これをｎ−ヘキ
サン：イソプロピルエーテル＝２／ｌを移動層とするシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー精製し、続いてエタ
ノールで再結晶し、目的物を得た。
相転移 Ｃ℃） 本発明の液晶組成物は、前記一般式（Ｉ）で示される化
合物の少なくとも１種、前記一般式（ＩＩ）で示される
化合物の少なくとも１種とを適当な割合で混合すること
により得ることができる。
又、本発明による液晶組成物と、他の液晶性化合物１種
以上とをさらに適当な割合で混合し、本発明の液晶組成
物としても良い。
又、本発明による液晶組成物は、強誘電性液晶組成物、
特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物が好まし
い。
本発明で用いる他の液晶性化合物の具体例を下記にあげ
る。
ｎ−Ｃｓ　Ｈ１７０＋ＣＯ５＋　０ＣＩＩ　２ＣＨＣ２
Ｈ。
ネ υ υ υ υ υ 本発明の一般式（１）で示される液晶性化合物、−数式
（ｎ）で示される液晶性化合物それぞれと、上述した他
の液晶性化合物一種以上、あるいは、それを含む強誘電
性液晶性組成物（強誘電性液晶材料と略す）との配向割
合は、強誘電性液晶材料１００重量部当り、本発明−数
式（，１）、−数式（Ｉ［）で示される液晶性化合物そ
れぞれを１〜３００重量部、より好ましくは２〜１００
重量部とすることが好ましい。
また、本発明の一般式（Ｉ）、−数式（ＩＩ）で示され
る液晶性化合物のいずれか、あるいは全てを２種以上用
いる場合も強誘電性液晶材料との配合割合は前述した強
誘電性液晶材料１００重量部当り、本発明−数式（１）
、−数式（Ｉｔ）で示される液晶性化合物のいずれか、
あるいは全ての２種以上の混合物を１〜５００重量部、
より好ましくは２〜１００重量部とすることがのぞまし
い。
第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の１例の断面概略
図である。
第１図において符号１は強誘電性液晶層、２はガラス基
板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペー
サー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光源
を示している。
２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２Ｏ３゜ＳｎＯ
２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄ
ｅ）等の薄膜から成る透明電極が被覆されている。その
上にポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテー
ト植毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に並べ
る絶縁性配向制御層が形成されている。また絶縁物質と
して例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭
化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼
素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジル
コニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムな
どの無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアル
コール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル
イミド、ポリバラキシレン、ポリエステル、ポリカーボ
ネート、ポリビニルアセクール、ポリ塩化ビニル、ポリ
酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹
脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォト
レジスト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層として、
２層で絶縁性配向制御層が形成されていてもよく、また
無機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向
制御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層が無
機系ならば蒸着法などで形成でき、有機系ならば有機絶
縁物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液（溶剤
０１１〜２０重量％、好ましくは０．２〜１０重量％）
を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン
印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所
定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成させる
ことができる。
絶縁性配向制御層の層厚は通常３０人〜１μｍ１好まし
くは３０人〜３０００Ａ、さらに好ましくは５０人〜１
０００人が適している。
この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビ
ーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２
枚で挾持し、周囲をシール材、例えばエポキシ系接着材
を用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして
高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良い。
この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。
強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層は、一般には
０．５〜２０μｍ１好ましくは１〜５μｍである。
又、この強誘電性液晶は室温を含む広い温度域（特に低
温側）でＳｍＣ木相（カイラルスメクチック相）を有し
、高速応答性を有することが望ましい。さらに、応答速
度の温度依存性が小さいこと、及び駆動電圧マージンが
広いことが望まれる。
又、特に素子とした場合に良好な均−配向性を示し、モ
ノドメイン状態を得るには、その強誘電性液晶は等吉相
からｃｈ相（コレステリック相）−３ｍＡ相（スメクチ
ック相）−５ｍＣ＊相（カイラルスメクチックＣ相）と
いう相転移系列を有していることが望ましい。
透明電極３からはリード線によって外部電源７に接続さ
れている。
またガラス基板２の外側には偏光板８が貼り合わせであ
る。
第１図は透明型なので光源９を備えている。
第２図は強誘電性液晶素子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２１ａと２１ｂはそれ
ぞれＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２あるいはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ−Ｔｉｎ　　０ｘｉｄｅ）等の薄膜からなる透明電極
で被覆された基板（ガラス板）であり、その間に液晶分
子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ＊
相またはＳｍＨ零相の液晶が封入されている。太線で示
した線２３が液晶分子を表わしており、この液晶分子２
３はその分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ工
）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に
一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のら
せん構造がほどけ、双極子モーメン１−（Ｐ土）２４が
すべて電界方向に向（よう、液晶分子２３は配向方向を
変えることができる。液晶分子２３は細長い形状を有し
ており、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し
、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコルの
偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が変わ
る液晶光学変調素子となることは、容易に理解される。
本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えば１０μ以下）すること
ができる。このように液晶層が薄（なるにしたがい、第
３図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰａま
たはｐｂは上向き（３４ａ）または下向き（３４ｂ）の
どちらかの状態をとる。このようなセルに、第３図に示
す如く一定の閾値以上の極性の異る電界ＥａまたはＥｂ
を電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与すると、双極
子モーメントは電界ＥａまたはＥｂの電界ベクトルに対
応して上向き３４ａまたは下向き３４ｂと向きを変え、
それに応じて液晶分子は、第１の安定状態３３ａかある
いは第２の安定状態３３ｂの何れが一方に配向する。
このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は先にも述べたが２つある。
その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａを
印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向する
が、この状態は電界を切っても安定である。また、逆向
きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状態
３３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、やはり電
界を切ってもこの状態に留っている。また与える電界Ｅ
ａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それぞれ
前の配向状態にやはり維持されている。
以下実施例により本発明について更に詳細に説明するが
、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物１
−Ａを作成した。
例示化合物Ｎｏ。
構造式 ％式％ 例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　　構　　造　　弐Ｃ
ｒｏ　Ｈ２１＋Ｃｏｏ舎−ＱＣ８Ｈ、□重量部 更に、この液晶組成物１−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
１−Ｂを作成した。
例示化合物Ｎｏ。
構造式 次に、この液晶組成物１−Ｂを以下の手順で作成したセ
ルを用いて、素子特性等を観察した。
２枚の１．１ｍｍ厚のガラス板を用意して、それぞれの
ガラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し
、さらにこの上にＳｉＯ２を蒸着させ絶縁層とした。
この基板上にポリイミド樹脂前駆体［東し■５Ｐ−７１
０］　１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２５
０Ｏｒｐｍ、のスピンナーで１５秒間塗布した。成膜後
、６０分間、３００℃加熱縮合焼成処理を施した。この
時の塗膜の膜厚は約２００人であった。
この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理がなされ、その後イソプロピルアルコール液で洗
浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズを一方のガラ
ス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互い
に平行になる様にし、接着シール剤［リクソンポンド（
チッソ（社））］を用いてガラス板を貼り合わせ、６０
分間、１００°Ｃにて加熱乾燥し、セルを作成した。こ
のセルのセル厚をベレツク位相板によって測定したとこ
ろ約１．５μｍであった。
このセルに上述の液晶組成物１−Ｂを等方性液体状態で
注入し、等吉相から２０℃／ｈで２５℃まで徐冷するこ
とにより、強誘電性液晶素子を作成した。この強誘電性
液晶素子を用いて、ピーク・トウ・ピーク電圧Ｖｐｐ＝
２５Ｖの電圧印加により、直交ニコル下での光学的な応
答（透過光量変化Ｏ〜９０％）を検知して応答速度（以
後、光学応答速度という）を測定した。その結果を次に
示す。
光学応答速度 １００Ｃ２５°Ｃ４００Ｃ １０１２μｓｅｃ　　　　　３８５　μｓｅｃ　　　　
１３３　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコ
ントラストはｌＯであり、明瞭なスイッチング動作が観
察され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった
。
比較例１ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ｈに代えて、例示化
合物Ｎｏ、］−２０，１−８９，１−９７を混合せずに
１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２　１．２　３９゜２
−５７のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶組成
物１−Ｃ１および例示化合物Ｎｏ、２−１．２−３９゜
２−５７を混合せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、
１−２０．　１−８９．　　！−９７のみを実施例１と
同じ重量部で混合した液晶組成物１−Ｄを作成した。
これらの液晶組成物１−Ｃ，１−Ｄ及び１−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
−Ａ −Ｃ −Ｄ 光学応答速度 １０℃　　　　２５°Ｃ ｌ３６０　μｓｅｃ　　　４３０　／１ｓｅｃ１２３３
　μｓｅｃ　　　４２０μ５ｅｃ１０７９　Ｉｔｓｅｃ
　　　３７４　μ５ｅｃ４０°Ｃ ｌ４７μ５ｅｃ １４１　ｌ１ｓｅｃ １３０　μｓｅｃ 実施例１と比較例１より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温におけ
る作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の
温度依存性も軽減されている。
実施例２ 下記例示化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物２
−Ａを作成した。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式％式％ 構　　造　　式 重量部 ｃｌＯＨ２＋ｉ　ｃｏｏ−◎−ＯＣ、Ｈ，７更に、この
液晶組成物２−Ａに対して、以下に示す例示化合物を、
各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物２−Ｂを作
成した。
例示化合物Ｎｏ。
構造式 この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
光学応答速度 １０°０　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ１１１６
μｓｅｃ　　　　３７０　μｓｅｃ　　　　　１４７　
μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラス
トは１１であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、
電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例２ 実施例２で使用した液晶組成物２−Ｈに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−２０．　１−８９．　１−９７を混合せ
ずに２−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−１．２−３９
゜２−５７のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶
組成物２−Ｃ１および例示化合物Ｎｏ、２−１．２−３
９゜２−５７を混合せずに２−Ａに対して例示化合物Ｎ
ｏ、１−２０．　１−８９．　１−９７のみを実施例１
と同じ重１部で混合した液晶組成物２−Ｄを作成した。
これらの液晶組成物２−Ｃ，２−Ｄ及び２−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
−Ａ −Ｃ −Ｄ 光学応答速度 １０°Ｃ２５°Ｃ ｌ４１０　μｓｅｃ　　　４３５　μ５ｅｃ１２９３　
μｓｅｃ　　　４２８　μ５ｅｃ１１９２μｓｅｃ　　
　３８７μｓｅｃ４０°Ｃ ｌ５５　μｓｅｃ １５３　ｐ　５ｅｃ １４５　μｓｅｃ 実施例２と比較例２より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温におけ
る作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の
温度依存性も軽減されている。
実施例３ 下記例示化合物を下郭の重量部で混合し、液晶組成物３
−Ａを作成した。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　　　構造式％式％ 構　　造　　式 重量部 更に、この液晶組成物３−Ａに対して、以下に示す例示
化合物を、各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
３−Ｂを作成した。
例示化合物Ｎｏ。
構造式 この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ８７６μｓ
ｅｃ　　　　３００　μｓｅｃ　　　　　１２８　μｓ
ｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラスＩ・
は１１であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電
圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
入−Ａ 比較例３ 実施例３で使用した液晶組成物３−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、１−２０．　１−８９．　１−９７を混合せ
ずに３−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２−１．２−３９
゜２−５７のみを実施例１と同じ重量部で混合した液晶
組成物３−０１および例示化合物Ｎｏ、２−１．２−３
９゜２−５７を混合せずに３−Ａに対して例示化合物Ｎ
ｏ、１−２０．　１−８９．　１−９７のみを実施例１
と同じ重量部で混合した液晶組成物３−Ｄを作成した。
これらの液晶組成物３−Ｃ，３−Ｄ及び３−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
Ａ −Ｃ −Ｄ 光学応答速度 １０℃　　　　２５°Ｃ １１５５μｓｅｃ　　　３６２　μ５ｅｃ１０７３μｓ
ｅｃ　　　３５４μ５ｅｃ９１１　Ｉｔ　ｓｅｅ　　　
３０３　μ５ｅｃ４０℃ １３３　μｓｅｃ １３５　ｐ　５ｅｃ １２４μｓｅｃ 実施例３と比較例３より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温におけ
る作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の
温度依存性も軽減されている。
実施例４ 実施例１で使用した液晶組成物１−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物４−Ｂを得た。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式　　　　　　
　　　　　　重量部例示化合物Ｎｏ。
構造式 この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ９９６μｓ
ｅｃ　　　　３７４　μｓｅｃ　　　　　１３１　μｓ
ｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは
１０であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧
印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例４ 実施例４で使用した液晶組成物４−Ｈに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　１−２４．　１−４７．　１−７１．　Ｌ
−７７を混合せずに１−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２
−１１゜２−２４．２−２６のみを実施例１と同じ重量
部で混合した液晶組成物４−Ｃ１および例示化合物Ｎｏ
。
２−１１．２−２４．２−２６を混合せずに１−Ａに対
して例示化合物Ｎｏ、　１−２４．　１−４７．１−７
１．　１−７７のみを実施例１と同じ重量部で混合した
液晶組成物４−Ｄを作成した。
これらの液晶組成物４−Ｃ，４−Ｄ及び１−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法゛で光学応答
速度を測定した。その結果を次に示す。
−Ａ −Ｃ −Ｄ 光学応答速度 １０℃　　　　２５℃ １３６０　ｌｔ　ｓｅｅ　　　４３０　μ５ｅｃ１２７
５　μｓｅｃ　　　４２６　ｐ　５ｅｃ１０６５　μｓ
ｅｃ　　　３７８　μ５ｅｃ４０°Ｃ ｌ４７　μｓｅｃ １４３１ｔ　５ｅｃ １２９　μｓｅｃ 実施例４と比較例４より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温におけ
る作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の
温度依存性も軽減されている。
実施例５ 実施例２で使用した液晶組成物２−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物５−Ｂを得た。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式％式％ 構造式 重量部 この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す、。
光学応答速度 ｌＯｏＣ２５℃　　　　　４０°Ｃ １０７２μｓｅｃ　　　　３５７１ｔｓｅｃ　　　　１
４６　μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコン
トラストは１２であり、明瞭なスイッチング動作が観察
され、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例５ 実施例５で使用した液晶組成物５−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　１−２４．　１−４７．　１−７１．　１
−７７を混合せずに２−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２
−１１゜２−２４．２−２６のみを実施例１と同じ重量
部で混合した液晶組成物５−０１および例示化合物Ｎｏ
。
２−１．１．２−２４．２−２６を混合せずに２−Ａに
対して例示化合物Ｎｏ、　１−２４．　１−４７．１−
７１．　１−７７のみを実施例１と同じ重量部で混合し
た液晶組成物５−Ｄを作成した。
これらの液晶組成物５−Ｃ，５−Ｄ及び２−Ａを用いた
以外は、全〈実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
−Ａ −Ｃ −Ｄ 光学応答速度 １０°０　　　　２５℃ １４１０　μｓｅｃ　　　４３５μ５ｅｃ１３１２　ｐ
　ｓｅｃ　　　４３２　μ５ｅｃ１１５５　μｓｅｃ　
　　３８２　Ｂ　５ｅｃ４０℃ １５５　ｐ　５ｅｃ １５５μ５ｅｃ １４３　μｓｅｃ 実施例５と比較例５より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温におけ
る作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の
温度依存性も軽減されている。
実施例６ 実施例３で使用した液晶組成物３−Ａに対して、以下に
示す例示化合物を以下に示す重量部で混合して液晶組成
物６−　Ｂを得た。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　構　造　式　　　　　　
　　　　　　重量部例示化合物Ｎｏ。
構造式 この液晶組成物を用いた以外は、全〈実施例１と同様の
方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方
法で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察
した。
この液晶素子内の均−配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。測定結果を次に示す。
光学応答速度 １０℃　　　　　２５℃　　　　　４０°Ｃ８４９ｐ　
ｓｅｃ　　　　３０８　ｐ　ｓｅｅ　　　　　１２６　
μｓｅｃまた、２５℃におけるこの駆動時のコントラス
トは１２であり、明瞭なスイッチング動作が観察され、
電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例６ 実施例６で使用した液晶組成物６−Ｂに代えて、例示化
合物Ｎｏ、　１−２４．　１−４７．　１−７１．　１
−７７を混合せずに３−Ａに対して例示化合物Ｎｏ、２
−１１゜２−２４．２−２６のみを実施例１と同じ重量
部で混合した液晶組成物６−０１および例示化合物Ｎｏ
。
２−１１．２−２４．２−２６を混合せずに３−Ａに対
して例示化合物Ｎｏ、　１−２４．１−４７．　１−７
１．１−７７のみを実施例１と同じ重量部で混合した液
晶組成物６−Ｄを作成した。
これらの液晶組成物６−Ｃ，６−Ｄ及び３−Ａを用いた
以外は、全（実施例１と同様の方法でそれぞれ強誘電性
液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速
度を測定した。その結果を次に示す。
−Ａ −Ｃ −Ｄ 光学応答速度 １０°Ｃ２５℃ １１５５μｓｅｃ　　　３６２μ５ｅｃ１０９５　μｓ
ｅｃ　　　３５７　ｐ　５ｅｃ９１８μｓｅｃ　　　３
００μ５ｅｃ ４０°Ｃ １３３Ｉｚ　５ｅｅ １３６μ５ｅｃ １２５　μｓｅｃ 実施例６と比較例６より明らかな様に、本発明による液
晶組成物を含有する強誘電性液晶素子の方が低温におけ
る作動特性、高速応答性が改善され、また、応答速度の
温度依存性も軽減されている。
実施例７〜９ 実施例１で用いた例示化合物、及び液晶組成物に代えて
、表１に示した例示化合物、及び液晶組成物を各重量部
で用い、７−Ｂ〜９−Ｂの液晶組成物を得た。これらを
用いた他は全〈実施例１と同様の方法により強誘電性液
晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度
を測定し、スイッチング状態等を観察した。この液晶素
子内の均−配向性は良好であり、モノドメイン状態が得
られた。
測定結果を表１に示す。
実施例７〜９より明らかな様に本発明による液晶組成物
７−Ｂ〜９−Ｂを含有する強誘電性液晶素子は低温にお
ける作動特性、高速応答性が改善され、また応答速度の
温度依存性も軽減されたものとなっている。
実施例１０ 実施例１において、液晶組成物！−Ｂを用いて作成した
液晶素子と、比較例１において液晶組成物１−Ａを用い
て作成した液晶素子を２５℃において直交ニコル下、偏
光顕微鏡観察下、それぞれスイッチングをさせてチルト
角を測定したところ、１−Ａは８．０°、１−Ｂは８．
２°であった。次に、スイッチング電界の他に６０ＫＨ
ｚの周波数で±８ｖの矩形波を印加しながらチルト角を
測定したところ１−Ａは９．３°、１−Ｂは１３．５°
になった。この時、コントラスト比を測定したところ、
１−Ａは１０：ｌ。
１−Ｂは３０：１であった。以上のことから本発明の液
晶組成物はＡＣスタビライズ効果による表示特性向上に
大変有効であることがわかった。
実施例１１〜１５ 実施例２．３．４．５．６で作成した本発明の液晶組成
物からなる液晶素子と、比較例１．２．３において作成
した液晶組成物Ｌ−Ａ、　２−Ａ、　３−Ａからなる液
晶素子をそれぞれ用いて、実施例７と全く同様にチルト
角を測定した。
−Ａ 実施例１１　４−Ｂ −Ａ 実施例１２　２−Ｂ 実施例１３　５−Ｂ −Ａ 実施例１４３−Ｂ 実施例１５６−Ｂ ８．０°　　　　　　９．３６ ８．２°　　　　　１３．０’ ７．６″　　　　　　８．７゜ ７．７°　　　　　　１３．１゜ ７．８°　　　　　　１３．１’ ７．３°　　　　　　　８．２゜ ７．５°　　　　　　１２．６゜ ７．９°　　　　　　１２．７６ 以上のことから、本発明の液晶組成物を用いた液晶素子
は、ＡＣスタビライズ効果による表示特性向上に大変有
効であることがわかった。
〔発明の効果〕
本発明の強誘電性液晶組成物を含有する素子は、スイッ
チング特性が良好で、低温作動特性の改善された液晶素
子、及び応答速度の温度依存性の軽減された液晶素子と
することができる。
また、ＡＣスタビライズ効果による表示方法に用いる場
合、表示特性が大幅に改善できることがわかった。
【図面の簡単な説明】
第１図は強誘電性液晶を用いた液晶素子の一例の断面概
略図。 第２図および第３図は強誘電性液晶素子の動作説明のた
めに、素子セルの一例を模式的に表わす斜視図。 第１図において、 １・・・・・・・・・・・・・・強誘電性液晶層２・・
・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板３・・・・・
・・・・・・・・・・・・・透明電極４・・・・・・・
・・・・・・絶縁性配向制御層５・・・・・・・・・・
・・・・・・スペーサー第２図において、 １ａ １ｂ 第３図において、 １ａ １ｂ ３ａ ３ｂ ４ａ ４ｂ ａ リード線 電源 偏光板 光源 入射光 透過光 基板 基板 強誘電性液晶層 液晶分子 双極子モーメント（Ｐ土） 電圧印加手段 電圧印加手段 第１の安定状態 第２の安定状態 上向きの双極子モーメント 下向きの双極子モーメント 上向きの電界 Ｅｂ 下向きの電界

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖
    状もしくは分岐状のアルキル基であり、置換基としてＣ
    ＿１〜Ｃ＿１＿２のアルコキシ基を有していても良い。 Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼のいずれかを示す。ただし、Ｒ＿１、
    Ｒ＿２が共にｎ−アルキル基とはならない。） で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ａ＿１は単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、Ａ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状アルキル
    基。）で示される化合物の少なくとも１種とを含有する
    ことを特徴とする強誘電性カイラルスメクチツク液晶組
    成物。
  2. （２）下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖
    状もしくは分岐状のアルキル基であり、置換基としてＣ
    ＿１〜Ｃ＿１＿２のアルコキシ基を有していても良い。 Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼のいずれかを示す。ただし、Ｒ＿１、
    Ｒ＿２が共にｎ−アルキル基とはならない。） で示される化合物の少なくとも一種と、 下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ａ＿１は単結合、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、Ａ＿２は▲数式、化学式、表等があります▼、
    ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 Ｘ＿１、Ｘ＿２は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
    Ｒ＿１、Ｒ＿２はＣ＿１〜Ｃ＿１＿８の直鎖状アルキル
    基。）で示される化合物の少なくとも１種とを含有する
    ことを特徴とする強誘電性カイラルスメクチツク液晶組
    成物を一対の電極基板間に配置してなることを特徴とす
    る液晶素子。
JP2504989A 1988-07-13 1989-02-03 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 Pending JPH02206681A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2504989A JPH02206681A (ja) 1989-02-03 1989-02-03 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
ES198989112758T ES2040936T3 (es) 1988-07-13 1989-07-12 Composicion de cristal liquido ferroelectrico quiral esmetico y un dispositivo de cristal liquido que utiliza la composicion de cristal liquido.
DE8989112758T DE68905884T2 (de) 1988-07-13 1989-07-12 Ferroelektrische, chirale, smektische fluessigkristall-zusammensetzung und vorrichtung zu deren anwendung.
AT89112758T ATE87965T1 (de) 1988-07-13 1989-07-12 Ferroelektrische, chirale, smektische fluessigkristall-zusammensetzung und vorrichtung zu deren anwendung.
EP89112758A EP0356672B1 (en) 1988-07-13 1989-07-12 Ferroelectric chiral smectic liquid crystal composition and liquid crystal device using same
US08/076,931 US5405553A (en) 1988-07-13 1993-06-16 Ferroelectric chiral smectic liquid crystal composition and liquid crystal device using same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2504989A JPH02206681A (ja) 1989-02-03 1989-02-03 液晶組成物およびこれを含む液晶素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02206681A true JPH02206681A (ja) 1990-08-16

Family

ID=12155067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2504989A Pending JPH02206681A (ja) 1988-07-13 1989-02-03 液晶組成物およびこれを含む液晶素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02206681A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2801279B2 (ja) 化合物およびこれを含む液晶組成物およびこれを使用した液晶素子
JP2801269B2 (ja) 化合物およびこれを含む液晶組成物およびこれを使用した液晶素子
JPH0312490A (ja) 強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JPH04253789A (ja) 光学活性化合物、これを含む液晶組成物、およびその使用方法、それを使用した液晶素子、表示装置
JP2832028B2 (ja) 化合物およびこれを含む液晶組成物およびこれを使用した液晶素子
JPH04211674A (ja) 液晶素子
JP2796753B2 (ja) カイラルスメクチック液晶組成物およびそれを使用した液晶素子
JPH02255635A (ja) 液晶性化合物およびこれを含む液晶組成物、液晶素子
JPH0426679A (ja) 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子
JPH02206681A (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JPH0358980A (ja) 液晶性化合物、これを含む液晶組成物、およびこれを使用した液晶素子
JP2749822B2 (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JPH06239860A (ja) 液晶性化合物、これを含む液晶組成物、それを有する液晶素子、それらを用いた表示方法および表示装置
JP2791039B2 (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JP2510681B2 (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JP2872372B2 (ja) 液晶性化合物、これを含む液晶組成物及びこれを利用した液晶素子
JPH06239849A (ja) 光学活性化合物、これを含む液晶組成物、それを有する液晶素子、それらを用いた表示方法及び表示装置
JPH0224389A (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JP2739373B2 (ja) 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子
JPH0224387A (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JP2770953B2 (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JPH0251586A (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JPH0251587A (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子
JPH02272088A (ja) 液晶組成物およびそれを使用した液晶素子
JPH0251583A (ja) 液晶組成物およびこれを含む液晶素子