JPH08303948A - 水分を吸収する表面の水分除去と水分不動態化の方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 系を特定の水分の量にドライダウンさせる時
間の量を削減し、処理後に水を再吸着させない疎水性表
面を形成し超高純度ガス搬送用の配管を整える。 【構成】 本発明は電子部品組立装置で高純度ガスの輸
送用の金属導管のような表面からの水分の除去と、この
ような金属表面を不動態化して水分の再吸着を阻止する
方法で、前記水分の除去と不動態化を式： Ｒ_ａＳｉＸ_ｂＹ_ｃＺ_ｄ に示される薬剤を用いて強化する。式中、ａ＝１乃至
３；ｂ、ｃとｄが個々に０乃至３で、かつａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ＝４；Ｒは１つ以上の有機基；そしてＸ、Ｙもしくは
Ｚの少くとも１つが珪素に対し化学結合を有し、それが
容易に加水分解できる。水分除去と不動態化を６５℃以
下の温度と少くとも周囲圧力で行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術】本発明は表面から水分を除去し、
このように水分を除去した表面の不動態化により、この
ような表面への水分の吸着を引続き阻止させる方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】超高純度（ＵＨＰ）ガスの貯蔵と供給は
工業、特に電子工業にとって重大な問題である。超高純
度ガス使用に当っての貯蔵容器もしくは供給マニホール
ドを整えるには、周囲空気の成分のどれをも前記系より
完全に除去する必要がある。酸素、窒素とアルゴンであ
る大気汚染物は気体であって、前記容器もしくは供給系
の金属壁に強く吸着しない。それゆえ、これらのガスは
前記系から不活性ガスでパージするか、前記系を排気す
るか、あるいは加圧不活性ガスと真空の間で前記系を循
環させるかして容易に除去できる。

【０００３】大気水分はいろいろある。それは多層の金
属面に容易に凝縮する。標準的大気条件の下では、１つ
以下の酸素もしくは窒素の分子層は金属面に物理的に吸
着する。同一条件の下では、最大１２５分子層の水分は
金属に吸着することになる。水分は金属表面に、酸素も
しくは窒素が吸着する以上に強く吸着する。酸素が金属
表面から脱着する活性化エネルギーは１分子当り約３乃
至４ｋｃａｌである。水分の脱着活性化エネルギーは典
型的例として１分子当り１５乃至２０ｋｃａｌである。
この活性化エネルギーにおける大きい差異は水分の脱着
速度が酸素の脱着速度に比べて約１００，０００，００
０倍も緩慢であることに相当する。この多層の水分の強
力な吸着が系からの水分の完全な除去を極めて困難な課
題にしている。典型的例として、水分は長時間のパージ
ングもしくは排気により初めて除去できるのであって、
いくつかの事例では、搬送系からの水分の十分な除去に
化週間を要している。これは高価な時間浪費の方法であ
る。しかし、加熱は必ずしも実際的ではなく、系が再度
周囲大気に暴露される場合、水分の再吸着阻止には役立
たない。

【０００４】多くの事例では、水分はガス供給系にあっ
て致命的な汚染物である。これは、ガスが腐食性である
時は、特にあてはまる。塩化水素、臭化水素、弗素、六
弗化タングステンならびにガス含有の他のハロゲンのよ
うなガスは、水分が共存する時、多くの金属を激しく腐
食させる。貯蔵容器もしくは供給マニホールドの腐食は
不純物、微粒子もしくは気相の前記超高純度ガスへの導
入、延いては系の故障をもたらしかねない。構成部品例
えば弁、調整器ならびに質量の流れ制御器は腐食による
故障を極めて受け易く、取替えの必要がしばしば起こ
る。しかし、水分が厳密に除去された場合、これらのガ
スは一般に使用される金属例えばステンレス鋼やアルミ
ニウムを腐食させない。吸着された水分の急速な除去と
金属面の不活性化を行って、水分の再吸着を阻止させる
方法が必要である。このような方法は系からの水分の完
全除去に要する時間を短縮し、高価な部品を故障させな
いことになるであろう。

【０００５】詳述すれば、次のニーズに適合できる方法
が必要となる： １．系の特定の水分量へのドライタウンに要する時間の
削減； ２．処理後の水分再吸着を阻止させる疎水性表面の生
成； ３．ガスの使用時点における純度の向上； ４．構造材料の耐食性の改良； ５．プロセスガス、特に一成分の濃度水準が低いガス混
合物の安定性の向上；と、 ６．水分中間体の加湿化防止。

【０００６】先行研究者は水分の金属表面からの化学除
去の方法を開発した。しかし、これらの方法のどれ１つ
も安定した疎水性表面の生成を提示していない。

【０００７】Ｙ−Ｅ．Ｌｉ，Ｊ．リゾス（Ｒｉｚｏｓ）
とＧ．カスパー（Ｋａｓｐｅｒ）（米国特許第５，２５
５，４４５号とカナダ国特許出願番号第２，０７０，１
４５号）は金属表面を乾燥して、このような表面と接触
するガス混合物の安定性を向上させる方法を開示する。
その方法はパージずみ金属表面を１つ以上の低濃度の気
体水素化物からなる乾燥剤に暴露することである。その
実施例では、アルゴン中の低濃度のアルシン混合物の安
定性がボンベを先ずシランで処理した場合、改善される
ことを示す。しかし、材料面が水分に再暴露される場
合、前記シラン処理の有益な効果が損われる。これはシ
ラン処理が安定性のある疎水性表面を生成しないことの
実証である。

【０００８】Ｋ．タテヌマ．Ｔ．モモセおよびＨ．イシ
マル（１９９３年刊“Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎ
ｉｃａｌ．Ａ．第１１巻第１，７１９頁）と、日本国特
許第１７７，２９９号は、反応性有機ハロゲン化物例え
ばＣＯＣｌ_２とＣＨ_３ＣＣｌ_２ＣＨ_３を室温もしくは高
温のいずれかを用いて水分を化学的に除去する方法を述
べている。これらの化合物は表面境界水分と反応して、
水分よりも容易に除去できる気体副生成物を形成する。
その実験はＵＨＶ真空室を水分反応性薬品の蒸気に１０
分間、１乃至５回暴露することであった。前記系を１０
^−７と１０^−８トルの圧力にポンプを用いる減圧時間を
その後、測定して未処理室のポンプ減圧の時間と比較し
た。ＣＨ_３ＣＣｌ_２ＣＨ_３での処理が前記ポンプ減圧時
間を劇的に短縮することがわかった。クロロトリメチル
シランでの処理が前記論文の表１に報告されたポンプ減
圧時間の短縮にはほとんどもしくは全く影響を及ぼさな
いことがわかった。表面処理が水分への再暴露に安定し
ているかどうかを測定する実験は行われなかった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は適当なクラス
の試薬を新規な方法で用いて、系を特定の水分量にドラ
イダウンさせる時間の量を削減し；処理後に水を再吸着
させない疎水性表面を生成し；ガスの使用時点における
純度を向上させ；構造材料の耐食性を改善し、プロセス
ガス特に一成分が低濃度のガス混合物の安定性を向上さ
せ；そして、水分中間体の加温化を防止して、超高純度
ガス搬送用の配管を整える先行技術の欠点を下記にさら
に詳細に述べる方法で克服する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は水分を吸着する
表面の水分除去と、水分不動態化の方法であり、表面を
少くとも１４．７ｐｓｉａの圧力で乾燥試薬を含むキャ
リヤガスの流れと接触させて前記表面から吸着水分を除
去し、また前記表面を不動態化して水分の再吸着を阻止
することからなり、前記乾燥試薬が次の化学式７の組成
物である：

【００１１】

【化７】Ｒ_ａＳｉＸ_ｂＹ_ｃＺ_ｄ ［式中、ａ＝１乃至３；ｂ、ｃとｄが個々に０乃至３
で、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝４；Ｒは１つ以上の有機基；Ｘ、
ＹとＺは個々に水素、ハロゲン、アルコキシ、アミンも
しくは−Ｎ（Ｈ）Ｓｉ（Ｒ_３）であるが、Ｘ、Ｙもしく
はＺの少くとも１つが珪素との化学結合を有し、容易に
加水分解できるものである］。

【００１２】なるべくなら、前記有機基をアルキル、ア
ルケニル、アルキニル、アリール、アルキル−、アルケ
ニル−もしくはアルキニル置換アリール、アリール置換
アルキル−、アルケニル−もしくはアルキニル−と、そ
の混合物からなる群より選ぶことが好ましい。

【００１３】なるべくなら、前記乾燥試薬が次の化学式
８の組成物であることが好ましい：

【００１４】

【化８】Ｒ_ａＳｉＨ_４−ａ ［式中、Ｒはアルキル、アルケニル、アルキニル、アリ
ール、アルキル−、アルケニル−もしくはアルキニル−
置換アリール、アリール置換アルキル、アルケニル−も
しくはアルキニルならびにその混合物であり、そしてａ
が１乃至３である］。

【００１５】別の例として、前記乾燥試薬が次の化学式
９の組成物である：

【００１６】

【化９】Ｘ_ａＳｉＨ_ｂＲ_ｃ ［式中、Ｒがアルキル、アルケニル、アルキニル、アリ
ール、アルキル−、アルケニル−、もしくはアルキニル
−置換アリール、アリール置換アルキル−、アルケニル
−もしくはアルキニル−ならびにその混合物、Ｘは弗
素、臭素、塩素、沃素もしくはその混合物であり、そし
てａ、ｂとｃは個々に１乃至２、またａ＋ｂ＋ｃ＝
４］。

【００１７】さらに別の例として、前記乾燥試薬が次の
化学式１０の組成物である：

【００１８】

【化１０】Ｒ_ａＳｉ（ＯＲ′）_４−ａ ［式中、ＲとＲ′はアルキル、アルケニル、アルキニ
ル、アリール、アルキル−、アルケニル−もしくはアル
キニル−置換アリール、アリール置換アルキル−、アル
ケニル−もしくはアルキニル−ならびにその混合物であ
り、そしてａが１乃至３である］。

【００１９】別の例として、前記乾燥試薬が次の化学式
１１の組成物である：

【００２０】

【化１１】ＨＮ（ＳｉＲ_３）_２ ［式中、Ｒはアルキル、アルケニル、アリール、アルキ
ル−、アルケニル−もしくはアルキニル−置換アリー
ル、アリール置換アルキル−、アルケニル−もしくはア
ルキニル−ならびにその混合物である］。

【００２１】なるべくなら、乾燥試薬を含むキャリヤガ
スの流れが表面とほぼ６５℃以下の温度で接触すること
が好ましい。

【００２２】なるべくなら、前記表面が金属面であるこ
とが好ましい。さらに好ましいことは前記金属面が鋼で
あることである。

【００２３】好ましくは、前記金属面が高純度ガス供給
装置の配管の内部であることである。

【００２４】本発明はさらに、水分を吸着した高純度ガ
ス配管の内面の水分除去と水分不動態化の方法であっ
て、（ａ）前記配管を水分含有量が容量比で０．１％以
下の不活性ガスでパージすることと；（ｂ）前記表面を
ほぼ１４．７ｐｓｉａの圧力と、１０℃乃至６５℃の温
度で、乾燥試薬を含むキャリヤガスの流れと接触させて
前記表面から吸着された水分を除去し、また前記表面を
不動態化して水分の再吸着を阻止することからなり、前
記乾燥試薬が次の化学式１２の組成物であることを特徴
とする方法である：

【００２５】

【化１２】Ｒ_ａＳｉＸ_ｂＹ_ｃＺ_ｄ ［式中、ａ＝１乃至３；ｂ、ｃとｄは個々に０乃至３で
あり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝４；Ｒが１つ以上の有機基であ
り；Ｘ、ＹとＺは個々に水素、ハロゲン、アルコキシ、
アミンもしくは−Ｎ（Ｈ）Ｓｉ（Ｒ_３）であるが、Ｘ、
ＹもしくはＺの少くとも１つが珪素との化学結合を有
し、容易に加水分解できる］。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明は高純度大量かつ腐食性ガ
スを用いてきた金属表面から水分を除去する方法であ
る。さらに、本発明は前記金属を周囲乃至周囲以下の圧
力で、水分の再吸着を阻止する疎水性表面を形成して不
動態化させるものである。本方法の利点は超高純度（Ｕ
ＨＰ）ガスの供給を可能にし、前記供給系の部品の故障
から保護することである。ＵＨＰガスは好ましくない成
分が容量比で１％以下のものである。なるべくならＵＨ
Ｐガスは含まれている好ましくない成分が１００ｐｐｍ
以下であることである。最も好ましいのは、ＵＨＰガス
は含まれている好ましくない成分が１ｐｐｍ以下である
ことである。タイプがＲ_ａＳｉＸ_ｂＹ_ｃＺ_ｄであり、式
中、ａ＝１乃至３；ｂ、ｃとｄが個々に０乃至３、そし
て、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝４であり；Ｒは１つ以上の有機
基；そして、Ｘ、ＹとＺが個々に水素、ハロゲン、アル
コキシ、アミンもしくは−Ｎ（Ｈ）Ｓｉ（Ｒ_３）である
が、Ｘ、ＹもしくはＺの少くとも１つが珪素との化学結
合を有し、容易に加水分解できるものである試薬は表面
吸着水分を除去して、安定した疎水性表面を生成させる
ことがわかっている。Ｒはなるべくならアルキル、アル
ケニル、アルキニル、アリール；アルキル−、アルケニ
ル−もしくはアルキニル置換アリール；アリール置換ア
ルキル−、アルケニル−もしくはアルキニルとその混合
物であることが好ましい。さらに好ましくは、ＲがＣ_１
乃至Ｃ_６例えばメチル、エチル、ビニル、プロピル、ブ
チル、ペンタン、ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル
だけでなく前記置換基のイソおよび第３の形態からなる
１つ以上の炭化水素群より個々に選ぶことである。

【００２７】本発明の最も好ましい水分除去ならびに水
分不動態化剤は、珪素に対し極めて容易に加水分解でき
る化学結合（例えばＳｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｈ、Ｓｉ−Ｃｌ、
Ｓｉ−Ｂｒ）を有し、かつ金属面に対し熱安定性タイプ
のＲ_３Ｓｉ−Ｏ−Ｍ化学結合を形成するものである。こ
の判定規準に合う特定の化合物は、ヘキサメチルジシラ
ザン、トリメチルシラン、エチルジメチルシラン、ジエ
チルメチルシラン、クロロトリメチルシラン、クロロジ
メチルビニルシラン、クロロジメチルエチルシラン、ク
ロロジメチルイソプロピルシランならびにブロモトリメ
チルシランである。一般に、この方法の最も好ましい化
合物はＲ_３Ｓｉ−Ｘのもので式中、Ｒ＝Ｃ_１乃至Ｃ_３の
炭化水素で、Ｘ＝Ｈ、Ｃｌ、Ｂｒもしくはアミノ基であ
る。

【００２８】容易に加水分解できる珪素に対する化学結
合は本発明の目的上、珪素に限られた置換基であり、そ
の場合、前記化学結合は水分（気相、解離、非解離を問
わずその表面結合水）と反応して容易に結合し、前記珪
素を僅かな他の珪素結合置換基と共に残して前記表面も
しくは前記表面と関連する酸素原子と結合する。

【００２９】本発明のための不活性ガスは処理される表
面の構造の材料との反応に不活性である。前記表面が金
属例えば鉄、鋼、アルミニウム、銅、真鍮、ニッケル、
ニッケル合金などである場合、前記不活性ガスはこれら
の金属とは前記表面に考えられた条件：０乃至３，００
０ｐｓｉａの圧力と、−５０℃乃至２５０℃の温度では
反応しないであろう。典型例は窒素、アルゴン、ヘリウ
ムと他の希ガスである。

【００３０】水は金属上で解離的に吸着して、前記表面
をＯＨ基で飽和させ、また水素結合水も前記金属面に接
触するばかりでなく前記金属面に隣接する初期ＯＨ層と
も接触する。ＯＨとＨの再結合的脱着は遅速工程であっ
て、ドライダウン時間と極限水分量を調整する。誘導オ
ルガノシランの１クラスを（表１）で大気圧（ほぼ１
４．７ｐｓｉａ）の圧力で前記金属／金属酸化物に結合
した疎水性成分の形成をもたらす表面結合水分と化学的
に反応するものと確認した。

【００３１】

【表１】 候補乾燥剤＊ ──────────────────────────────────── 乾 燥 剤 系 列 ──────────────────────────────────── オルガノシラン Ｒ_ｙＳｉＨ_４−ｙ Ｒ＝Ｍｅ、Ｅｔ、Ｐｒ、Ｂｕ、 Ｖｉｎｙｌ、Ｐｅｎ、Ｈｅｘ、Ｐｈ ｙ＝１、２、３ ──────────────────────────────────── ハロオルガノシラン Ｘ_ｙＲ_４−ｙＳｉ Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ Ｘ_ａＲ_ｂＨ_ｃＳｉ Ｒ＝Ｍｅ、Ｅｔ、Ｐｒ、Ｂｕ、 Ｖｉｎｙｌ、Ｐｅｎ、Ｈｅｘ、Ｐｈ ａ、ｂ、ｃ、ｙ＝１、２、３ ａ＋ｂ＋ｃ＝４ ──────────────────────────────────── オルガノ Ｒｙ(OＲ′）_4-y Ｓｉ Ｒ＝Ｍｅ、Ｅｔ、Ｐｒ、Ｂｕ、 アルコキシシラン Ｖｉｎｙｌ、Ｐｅｎ、Ｈｅｘ、Ｐ ｈ Ｒ′＝Ｍｅ、Ｅｔ、Ｐｒ、Ｂｕ、 ──────────────────────────────────── Ｖｉｎｙｌ、Ｐｅｎ、Ｈｅｘ ｙ＝１、２、３ ──────────────────────────────────── ジシラザン ＨＮ（ＳｉＲ_３）_２ Ｒ＝Ｍｅ、Ｅｔ、Ｐｒ、Ｂｕ、 Ｖｉｎｙｌ、Ｐｅｎ、Ｈｅｘ、Ｐｈ ──────────────────────────────────── ＊式中、Ｍｅ＝メチル、Ｅｔ＝エチル、Ｐｒ＝プロピル、ｉ−Ｐｒ＝イソプロ ピル、Ｂｕ＝ノルマル、イソもしくは第３ブチル、Ｐｅｎ＝ノルマル、イソ もしくは第３ペンチル、Ｈｅｘ＝ノルマル、イソもしくは第３ヘキシル、 Ｐｈ＝フェニル。

【００３２】これらの乾燥剤は吸着水分と反応して気体
生成物（ＨＸ）を形成する。水は表面から熱再対合によ
るよりもむしろ化学反応により除去されるので、初期ド
ライダウンは比較的急速である。本発明の方法の仕組み
のどの特定の理論にも縛られたくないが、前記表面結合
水の反応の代表的等式を次の化学式１３に示す：

【００３３】

【化１３】Ｍ−Ｏ−Ｈ ＋ Ｒ_ａＳｉＸ_ｂＹ_ｃＺ_ｄ
→Ｍ−Ｏ−ＳｉＲ_ａＹ_ｃＺ_ｄ ＋ ＨＸ ［式中、Ｍは水の分子のヒドロキシル基を結合する金属
表面であり、残りの変化は上記に定めた通りである］。

【００３４】この反応はＳｉ−Ｏの結合形成に伴う発熱
によるもので好ましい。吸着水の除去に加えて、近周囲
乃至周囲以下の圧力で行われる処理は安定した有機珪素
成分を前記ＯＨを末端基とする表面と関連する極性を破
壊する面に含浸させる。処理表面は疎水性であって、水
が後続の水分暴露中に再吸着しないよう阻止する。この
処理表面の持続する疎水特性を本発明では不動態化と称
する。吸着水の除去と再吸着の阻止はドライダウン時間
の削減と、改良耐食性と、反応性ガスの安定へのキーと
して周知である。

【００３５】本発明は水分を吸収した高純度ガス配管の
内面の水分の除去と水分の不動態化の誘導を、水分含量
が容量比で０．１％以下の不活性ガスで前記配管をパー
ジし、また前記表面を少くともほぼ１４．７ｐｓｉａの
圧力と、１０℃乃至６５℃の温度で、乾燥試薬を含むキ
ャリヤガスの流れと接触させて実施し、吸収された水分
を表面から除去し、また表面を不動態化して水分の再吸
着を阻止することができる。この場合の乾燥試薬は次の
化学式１４の組成物である：

【００３６】

【化１４】Ｒ_ａＳｉＸ_ｂＹ_ｃＺ_ｄ ［式中、ａ＝１乃至３；ｂ、ｃとｄは個々に０乃至３
で、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝４；Ｒは１つ以上の有機基；Ｘ、
ＹとＺは個々に水素、ハロゲン、アルコキシ、アミンも
しくは−Ｎ（Ｈ）Ｓｉ（Ｒ_３）であるが、Ｘ、Ｙもしく
はＺの少くとも１つが珪素に対する化学結合を有し、容
易に加水分解できる］。本発明の有効性を次の実施例に
より実証する。前記基−Ｎ（Ｈ）Ｓｉ（Ｒ_３）における
Ｒ基は上記に定める通りで、すなわち１つ以上の有機
基、詳述すればアルキル、アルケニル、アルキニル、ア
リール；アルキル−、アルケニル−もしくはアルキニル
−置換アリール；アリール置換アルキル−、アルケニル
−もしくはアルキニル−およびその混合物、最も好まし
くは、ＲがＣ_１乃至Ｃ_６からなる１つ以上の炭化水素群
例えばメチル、エチル、ビニル、プロピル、ブチル、ペ
ンタン、ヘキシル、シクロヘキシル、フェニルだけでな
く、前記置換基のイソならびに第３形態からも個々に選
ばれる。

【００３７】

【実施例】

実施例１：ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を用い
て電解研磨されたステンレス鋼配管の不動態化；弁Ｖ１
４とＶ１５でおのおのの端に取付けた直径１／４″（約
０．６３５ｃｍ）、長さ１２ｍの電解研磨３１６Ｌ配管
１４を９５０ｐｐｂの水分を含む窒素で２５ｐｓｉａの
圧力をかけて平衡させた。前記弁Ｖ１４とＶ１５をその
後、閉鎖して前記配管１４を図１に示されたマニホール
ド１８に取付けた。前記マニホールドにある噴水装置６
は３５ｍｌのＨＭＤＳを含む。Ｖ１１とＶ１２を閉鎖し
て、前記マニホールドを弁Ｖ５と真空源１０により１０
^−３トル減圧と、２５０ｐｓｉｇ ＵＨＰＮ_２（＃２）
（Ｈ_２Ｏ＜２０ｐｐｂ）の間を１０回循環させて汚染物
を除去した。質量の流れ制御器（ＭＦＣ）４での流量を
その後、５００ｓｃｃｍに設定してＶ１１、Ｖ１２、Ｖ
１、Ｖ２およびＶ１３を開放してＶ４を閉鎖した。この
方法で、ＨＭＤＳ飽和窒素をガス抜き１２に３分間流す
ことで前記マニホールド１８を不動態化した。３分後、
Ｖ１３を閉鎖して、Ｖ１４とＶ１５を開放した。前記５
００ｓｃｃｍのＨＭＤＳ飽和窒素の流れを試験部材とガ
ス抜き１６に９０秒間、１４．７ｐｓｉａの圧力をかけ
て通過させた。その後、Ｖ１４とＶ１５を閉鎖した。前
記ＨＭＤＳ飽和窒素を水分と配管１４で１５分間、３０
ｐｓｉａの圧力をかけて反応させた。この時間中、Ｖ１
１とＶ１２を閉鎖して、前記マニホールド１８の残りを
真空とＵＨＰＮ_２の間を繰返し循環させて前記ＨＭＤＳ
蒸気全部を除去した。前記５００ｓｃｃｍの窒素の流れ
を前記質量の流れ制御器４の設定とＶ４、Ｖ２とＶ１３
の開放により発出させた。１５分間の反応時間の終り
で、前記ＨＭＤＳ蒸気を１４．７ｐｓｉａの圧力でＶ１
３を閉鎖、Ｖ１４とＶ１５を開放することで前記試験部
材１４からパージした。前記試験部材１４をその後、
８．５分間、１４．７ｐｓｉａの圧力でパージし、その
後、Ｖ１４とＶ１５を閉鎖して、隔離された長さの配管
を水分分析器に移動させた。

【００３８】実施例２：ＨＭＤＳ不動態化電解研磨ステ
ンレス鋼配管の初期ドライダウン；実施例１に説明され
た不動態化に続いて、ＥＰ３１６Ｌ配管試験部材をＵＨ
ＰＮ_２（Ｈ_２Ｏ＜２０ｐｐｂ、１４．７ｐｓｉａの圧力
で５００ｓｃｃｍ）を用いてパージする間、出口水分量
を認証ずみ水晶結晶板発振器（Ａｍｅｔｅｋ５７００）
で監視した。図２はＨＭＤＳの直前、直後のドライダウ
ン曲線を示す。配管不動態化に要する時間（１０分）を
パージ時間に含めたので、前記ドライダウン曲線の最初
の１０分間では水分量は測定されていない。未処理配管
は４８分で１００ｐｐｂに乾燥する一方、前記ＨＭＤＳ
処理は水分除去速度を増大させ、ドライダウン時間を２
８分に削減する。

【００３９】実施例３：ＨＭＤＳ不動態化に続く電解研
磨ステンレス鋼配管により吸着された水分の量；不動態
化（実施例１）と２０ｐｐｂ以下（実施例２）へのドラ
イダウン後、前記ＥＰ３１６Ｌ配管試験部材を９５０ｐ
ｐｂ量の水分に暴露した。図３は未処理ならびにＨＤＨ
Ｓ処理配管の水分吸収量を示す。ゼロ時点で、パージガ
ス（５００ｓｃｃｍ）をＵＨＰＮ_２（Ｈ_２Ｏ＜２０ｐｐ
ｂ）から９５０ｐｐｂの水を含むＮ_２に切換える。配管
出口で水分前線を検知するまで７．５分の遅れがあっ
た。この貫流時間はＨＭＤＳ処理により６分間に短縮で
き、これは配管壁の水再吸着がより少くなることを示唆
している。

【００４０】実施例４：クロロトリメチルシラン（ＣＴ
ＭＳ）を用いて電解研磨したステンレス鋼の不動態化；
ＨＭＤＳ不動態化（実施例１）と、２０ｐｐｂ以下への
ドライダウン（実施例２）と、配管を９５０ｐｐｂの量
の水分に再暴露（実施例３）の後、前記１２ｍの長さの
試験部材をＣＴＭＳを用いて不動態化した。図１に示さ
れた噴水装置に３５ｍｌのＣＴＭＳを充填し、実施例１
に述べられた手続を続けた。前記試験部材（配管の全
長）を５００ｓｃｃｍのＣＴＭＳ飽和窒素を配管全体に
１．５分間、１４．７ｐｓｉａの圧力をかけて通して不
動態化した。Ｖ１４とＶ１５をその後、閉鎖し、前記飽
和窒素を水分と配管中で１５分間反応させた。ＣＴＭＳ
蒸気を試験部材から８．５分間パージし、その後、Ｖ１
４とＶ１５を閉鎖し、隔離された長さの試験部材を水分
分析器に移動させる。

【００４１】実施例５：ＣＴＭＳ不動態化電解研磨ステ
ンレス鋼配管の初期ドライダウン；実施例４に述べられ
た不動態化に続き、前記ＥＰ３１６Ｌ配管試験部材をＵ
ＨＰＮ_２（５００ｓｃｃｍ）でパージしている間に出口
水分濃度を監視した。図４はＣＴＭＳ処理の直前、直後
のドライダウン曲線を示す。試験部材配管の不動態化に
要する時間をパージ時間に含めたので、前記ドライダウ
ン曲線の最初の１０分間に測定されていない。未処理試
験部材配管は４８分間で１００ｐｐｂにドライダウンし
たが、前記ＣＴＭＳ処理は水分除去速度を増大させ、ド
ライダウン時間を３０分に短縮する。

【００４２】実施例６：ＣＴＭＳ不動態化に続く電解研
磨ステンレス鋼による水分吸着量；実施例５はＣＴＭＳ
がステンレス鋼に処理中吸着された水を急速に除去し、
ドライダウン時間を短縮できる。ＣＴＭＳはさらに、安
定した疎水性表面の生成により後処理水分暴露中の水を
再吸着させないよう阻止する。図３は未処理ならびにＣ
ＴＭＳ処理ＥＰ３１６Ｌ配管の水分吸収曲線を示す。ゼ
ロの時点で、パージガスをＵＨＰＮ_２（Ｈ_２Ｏ＜２０ｐ
ｐｂ）から水分量が９５０ｐｐｂのＮ_２に切換える。水
分前線が未処理配管の出口に出現するのに７．５分かか
る一方、ＣＴＭＳ処理ＥＰ３１６Ｌの貫流時間は僅か
３．５分である。この貫流時間はガス滞留時間（０．３
分）より長く、配管の壁体に吸着する水に起因する。処
理後の貫通時間が比較的に短いということは、比較的少
量の水が水分暴露中の配管面に吸着することを意味す
る。より低い表面被覆率と、不動態化表面の安定性は９
５０ｐｐｂで平衡の後のドライダウン曲線から明白であ
る。

【００４３】実施例７：クロロトリメチルシラン（ＣＴ
ＭＳ）を室温で用いたステンレス鋼製濾過集塵装置の不
動態化；弁をおのおのの端に取付けたステンレス鋼製の
濾過集塵装置を１ｐｐｍ水分を含む窒素を用いて平衡さ
せた。弁をその後、閉鎖し、前記集塵装置を図１に示さ
れたマニホールドに取付けた。前記マニホールドにある
噴水装置は３５ｍｌのＣＴＭＳを含んでいた。実施例１
に述べられた手順を用い、試験部材（濾過集塵装置）
を、５００ｓｃｃｍのＣＴＭＳ飽和窒素を前記装置に
１．５分間１４．７ｐｓｉａの圧力をかけて通して流す
ことにより不動態化させた。Ｖ１４とＶ１５をその後閉
鎖して、前記ＣＴＭＳ飽和窒素をそこで試験部材（濾過
集塵装置）にある水分と、１５分間反応させた。前記Ｃ
ＴＭＳ蒸気を試験部材から８．５分間パージし、その
後、Ｖ１４とＶ１５を閉鎖し、隔離された試験部材（濾
過集塵装置）を水分分析器に移動した。

【００４４】実施例８：室温ＣＴＭＳ不動態化濾過集塵
装置の初期ドライダウン；実施例７に述べられた不動態
化に続いて、ステンレス鋼集塵装置をＵＨＰＮ_２（Ｈ_２
Ｏ＜２０ｐｐｂ、５００ｓｃｃｍ）でパージする一方、
出口水分濃度を監視した。図６はこの室温ＣＴＭＳ処理
の前と直後の前記濾過器のドライダウン曲線を示す。試
験部材濾過器の不動態化に要する時間をパージ時間に含
めたので、前記ドライダウン曲線の最初の１０分間の水
分測定はない。未処理濾過器は３００分間に５０ｐｐｂ
にドライダウンする一方、前記ＣＴＭＳ処理は水分の除
去速度を増大させ、ドライダウン時間を１４０分に短縮
する。これは改良係化の２を上回る。

【００４５】実施例９：室温ＣＴＭＳ不動態化濾過集塵
装置の再湿潤；実施例８はＣＴＭＳが処理中にステンレ
ス鋼集塵装置に吸着された水の急速除去が可能であるこ
とを示す。ＣＴＭＳはさらに、安定した疎水性表面の生
成により後処理水分暴露中の水を再吸着させないよう阻
止する。図７は同一集塵装置のＣＴＭＳの前（未処理）
と後における水分吸収曲線を示す。ゼロの時点で、パー
ジガスをＵＨＰＮ_２（Ｈ_２Ｏ＜２０ｐｐｂ）から水分量
が９５０ｐｐｂのＮ_２に切換える。水分前線が未処理集
塵装置の出口に出現に２２分を要する一方、ＣＴＭＳ処
理集塵装置の貫流時間は僅か１１分である。この貫流時
間はガス滞留時間（０．３分）より長く、これは配管壁
体に吸着する水に起因する。処理後の比較的短い貫流時
間は、より少量の水が水分暴露中に前記集塵装置表面に
吸着することを意味する。

【００４６】実施例１０：室温ＣＴＭＳ不動態化濾過集
塵装置の次のドライダウン；実施例９はＣＴＭＳ処理が
安定した疎水性表面の生成により水を再吸着させないこ
とを実証する。水分量が９５０ｐｐｂのＮ_２で平衡した
後の未処理とＣＴＭＳ処理集塵装置のドライダウン曲線
の比較により表面被覆率のより低いことが明白である
（図８）。前記集塵装置は前記ＣＴＭＳ処理後、ずっと
急速にドライダウンし、ＣＴＭＳ処理により発出させた
表面の安定性を示す。

【００４７】実施例１１：クロロトリメチルシランＣＴ
ＭＳを６５℃の温度で用いるステンレス鋼製濾過集塵装
置の不動態化；弁をおのおのの端に取付けたステンレス
鋼製濾過集塵装置を１ｐｐｍ水分を含む窒素で平衡させ
た。前記弁をその後閉鎖して、前記集塵装置を図１に示
すようにマニホールドに取付けた。前記マニホールドに
ある噴水装置は３５ｍｌのＣＴＭＳを含んだ。実施例１
に述べられた手順を修正して用い、試験部材（濾過集塵
装置）を１．５分間、１４．７ｐｓｉａの圧力をかけて
５００ｓｃｃｍのＣＴＭＳ飽和窒素を前記集塵装置を通
して流して不動態化した。Ｖ１４とＶ１５をその後閉鎖
し、そこで前記濾過集塵装置を６５℃の温度に１５分間
加熱した。その後、この加熱を中断して、前記濾過集塵
装置を室温になるまで３０分間冷却させた。ＣＴＭＳ蒸
気を試験部材から８．５分間パージし、その後、Ｖ１４
とＶ１５を閉鎖し、孤立した集塵装置を水分分析器に移
動した。

【００４８】実施例１２：６５℃ ＣＴＭＳ不動態化濾
過集塵装置の初期ドライダウン；実施例１１に述べられ
た不動態化に続いて前記ステンレス鋼製集塵装置をＵＨ
ＰＮ_２（Ｈ_２Ｏ＜２０ｐｐｂ、５００ｓｃｃｍ）でパー
ジする一方、出口水分濃度を監視した。図６は未処理
と、６５℃ ＣＴＭＳ処理集塵装置のドライダウン曲線
を示す。前記集塵装置の不動態化に要する時間（１０
分）をパージ時間に含めたので、前記ドライダウン曲線
の最初の１０分間の水分測定はない。前記未処理集塵装
置の５０ｐｐｂまでのドライダウンには３００分かかる
一方、前記６５℃ ＣＴＭＳ処理は水分除去速度を増大
させ、ドライダウン時間を係化４だけ下げて７４分に短
縮する。

【００４９】実施例１３：クロロジメチルシランＣＤＭ
Ｓを用いるステンレス鋼製濾過集塵装置の不動態化；弁
をおのおのの端に取付けたステンレス鋼濾過集塵装置を
１ｐｐｍ水分を含む窒素で平衡させた。前記弁をその後
閉鎖して、配管を図１に示したマニホールドに取付け
た。前記マニホールドにある噴水装置は３５ｍｌのＣＤ
ＭＳを含んだ。実施例１に述べられた手順を用いて、試
験部材（濾過集塵装置）を１．５分間、１４．７ｐｓｉ
ａの圧力をかけて５００ｓｃｃｍのＣＴＭＳ飽和窒素を
前記集塵装置に通して不動態化した。Ｖ１４とＶ１５を
その後、閉鎖して、ＣＴＭＳ飽和窒素をそこで配管にあ
る水分と１５分間、３０ｐｓｉａの圧力をかけて反応さ
せた。ＣＴＭＳ蒸気を前記試験部材から８．５分間パー
ジし、その後、Ｖ１４とＶ１５を閉鎖して、隔離された
集塵装置を水分分析装置に移動した。

【００５０】実施例１４：ＣＤＭＳ不動態化濾過集塵装
置の初期ドライダウン；実施例１３に述べられた不動態
化に続き、前記ステンレス製濾過集塵装置をＵＨＰＮ_２
（Ｈ_２Ｏ＜２０ｐｐｂ、５００ｓｃｃｍ）を用いてパー
ジする一方、出口水分濃度を監視した。図９は同一集塵
装置のＣＤＭＳ処理前と処理直後のドライダウン曲線を
示す。前記集塵装置の不動態化に要する時間をパージ時
間に含めたので、ドライダウン曲線の最初の１０分間の
水分測定はない。未処理集塵装置の５０ｐｐｂまでのド
ライダウンに２８０分を要する一方、ＣＤＭＳ処理は水
分除去速度を係化４．７だけ下げ、ドライダウン時間を
６０分に短縮する。

【００５１】実施例１５：不動態化していないステンレ
ス鋼のＨＢｒ腐食試験；電解研磨３１６Ｌステンレス鋼
のクーポンを洗浄後、ハステロイＣ−２２反応器に装入
した。前記反応器を前記電解研磨ステンレス鋼マニホー
ルドに取付け、１００℃の温度で加熱し、＜１０^−３ト
ルの圧力に１２時間排気し、それにより吸着水分を前記
試料と反応器の壁体から除去できた。前記反応器をその
後室温に冷却し、１，０００ｐｐｍの水分を含む流れ窒
素雰囲気に８時間暴露した。前記反応器の全圧は１５ｐ
ｓｉａであった。８時間後、前記反応器を１０分間ＵＨ
ＰＮ_２（Ｈ_２Ｏ＜２０ｐｐｂ）流れを用い５００ｓｃｃ
ｍで、そして１５ｐｓｉａの全圧で再度パージした。前
記反応器をその後隔離して、ＨＢｒマニホールドに接続
した。ＨＢｒ（１５ｐｓｉａ）を前記反応器に加え、全
圧を３０ｐｓｉａにした。その後、反応器を隔離して、
１２日間そのままにさせた。前記ＨＢｒをその後、前記
反応器の雰囲気を圧力が１ｍトル以下に反復排気し、ま
た３０ｐｓｉａのＵＨＰＮ_２（Ｈ_２Ｏ＜２０ｐｐｂ）で
裏込めして前記反応器から完全に除去した。前記クーポ
ンを窒素雰囲気の下で密封気密ガラスバイアルに入った
走査電子顕微鏡に輸送し、ポリエチレン製グローブバッ
クに装入、それを前記顕微鏡のエアーロック室に取付け
た。前記グローブバックをほぼ１６時間窒素でパーして
から前記試料バイアルを開口した。この手順を用いて前
記クーポンが周囲空気と水蒸気に分析前に暴露されない
ようにした。半定量無標準エネルギー分散型Ｘ線分光
（ＥＤＳ）分析を行って前記クーポンの臭素の含浸（す
なわち腐食）の程度を分析した。これらのクーポンの表
面臭素濃度は重量比で６．２６％と測定された。

【００５２】実施例１６：ＣＴＭＳ不動態化ステンレス
鋼のＨＢｒ腐食試験；この実施例は本発明の不動態化が
ステンレス鋼の反応性特殊ガスの誘導腐食の量を劇的に
低下させる。電解研磨３１６Ｌステンレス鋼のクーポン
を洗浄後、実施例１５に述べられたハステロイＣ−２２
反応器に装入した。手順は１つを例外として実施例１５
に述べられたものと同一であった。この実施例では、ク
ーポンを精製窒素を１０分間５００ｓｃｃｍで流してパ
ージしなかった。その代り、前記クーポンを２分間、１
４．７ｐｓｉａの圧力をかけて、５００ｓｃｃｍのＣＴ
ＭＳ飽和窒素を反応器に通して流すことにより不動態化
した。Ｖ１４とＶ１５（図１参照）をその後、閉鎖し
て、前記ＣＴＭＳ飽和窒素を水分と反応器で反応させ、
前記クーポンを１５分間不動態化した。前記ＣＴＭＳ蒸
気をそこで前記反応器から８．０分間パージした。前記
反応器をそこで隔離して、ＨＢｒマニホールドに接続し
た。ＨＢｒ（１５ｐｓｉａ）を前記反応器に加え、全圧
を３０ｐｓｉａにもたらした。前記反応器をそこで隔離
して、１２日間そのままにさせた。前記ＨＢｒをその
後、前記反応器の雰囲気を１ｍトル以下の圧力に繰返し
排気し、また３０ｐｓｉａの精製窒素で裏込めして完全
に除去した。半定量無標準エネルギー分散型Ｘ線分光
（ＥＤＳ）分析を行って、前記試料の拾素の含浸（すな
わち腐食）の程度を分析した。この試料の表面臭素濃度
が重量比で０．７％すなわち不動態化試料に含浸された
臭素量の約１／１０と測定された。

【００５３】実施例１７：６５℃ ＣＴＭＳ不動態化濾
過集塵装置の再湿潤；実施例９は室温、周囲圧力ＣＴＭ
Ｓ不動態化が安定した疎水性の表面の生成により後処理
水分暴露中の水が再吸着しないように阻止することを示
す。実施例１２は６５℃の温度でのＣＴＭＳ不動態化が
水分除去の速度を増大させ、ドライダウン時間を短縮で
きる。しかし、この実施例では６５℃ ＣＴＭＳ不動態
化は後処理水分暴露中の水分の再吸着を阻止しない。ゼ
ロの時点で、パージガスをＵＨＰＮ_２（Ｈ_２Ｏ＜２０ｐ
ｐｂ）から水分量が９５０ｐｐｂのＮ_２に切換える。同
一の集塵装置の６５℃ ＣＴＭＳ処理の前（未処理）と
後の水分吸収曲線は区別できなかった。これは、６５℃
ＣＴＭＳ不動態化が水分除去速度を本質的に増大させ
るが、６５℃は安定疎水性表面達成の不動態化の温度と
しては高過ぎる。

【００５４】

【発明の効果】上記した通り、本発明によれば水分を金
属表面例えば工業用ガス供給導管から急速に除去し、ま
た、疎水性乾燥試薬分子誘導体の層を前記表面に近周囲
乃至過周囲圧で付着させることで不動態化して、純度が
重大であり、また水分の共存しないことも決定的である
電子部品の組立工作機械への供給に引継ぎ使用する間の
水分の再吸着を阻止する改良された方法を提供するこが
できる。この水分除去と周囲ならび過周囲圧での水分不
動態化の利点を、強化した安定性ならびに安全性を備え
ながら、先行技術の乾燥試薬全体に亘り毒性の少い乾燥
試薬を用いる本発明で達成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の水分除去ならびに水分不動態化の実施
に用いられる試験装置の略図である。

【図２】ヘキサメチルジシラザンを用いて不動態化した
試験用配管の水分（ｐｐｂ）に対する時間（分）のグラ
フで処理ずみ配管のドライダウンを１００ｐｐｂＨ_２Ｏ
に短縮したことを示す図である。

【図３】ヘキサメチルジシラザンを用い、次にクロロト
リメチルシランを用いて不動態化した試験配管の水分
（ｐｐｂ）に対する時間（分）を示すグラフで、未処理
配管全体に亘る水分の短縮された貫流（従って、Ｈ_２Ｏ
の再吸着が比較的少い）をし示す図である。

【図４】クロロトリメチルシランを用いて不動態化した
試験用配管の水分（ｐｐｂ）に対する時間（分）を示す
グラフで、処理ずみ配管のドライダウンを１００ｐｐｂ
Ｈ_２Ｏに短縮したことを示す図である。

【図５】クロロトリメチルシランを用いて不動態化した
試験用配管の水分（ｐｐｂ）に対する時間（分）のグラ
フであって、９５０ｐｐｂの水分を含む窒素で配管を平
衡させた後の処理ずみ配管の１００ｐｐｂ Ｈ_２Ｏに短
縮されたドライダウンを示す図である。

【図６】クロロトリメチルシランを２０℃と６５℃の温
度で不動態化した試験用ステンレス鋼製濾過集塵装置の
水分（ｐｐｂ）に対する時間（分）のグラフで、処理集
塵装置の６５℃の温度における５０ｐｐｂ Ｈ_２Ｏに短
縮されたドライダウン、処理集塵装置の２０℃の温度に
おける中間ドライダウン時間ならびに未処理集塵装置の
最長ドライダウン時間を示す図である。

【図７】クロロトリメチルシランを用いて不動態化した
試験用集塵装置の水分（ｐｐｂ）に対する時間（分）の
グラフであり、未処理集塵装置全体の水分の短縮された
貫流（従って、Ｈ_２Ｏ再吸着が比較的少い）を示す図で
ある。

【図８】クロロトリメチルシランを用いて不動態化した
試験用濾過集塵装置の水分（ｐｐｂ）に対する時間
（分）のグラフで、前記集塵装置を９５０ｐｐｂの水分
を含む窒素で平衡させた後の処理ずみ集塵装置の１００
ｐｐｂ Ｈ_２Ｏに短縮させたドライダウンを示す図であ
る。

【図９】クロロジメチルシランを用いて不動態化した試
験用濾過集塵装置の水分（ｐｐｂ）に対する時間（分）
のグラフで、処理ずみ集塵装置の５０ｐｐｂ Ｈ_２Ｏに
短縮されたドライダウンを示す図である。

【符号の説明】

４ 質量流れ制御器 ６ 噴水装置 １０ 真空源 １２ ガス抜き １４ 配管 １６ ガス抜き １８ マニホールド Ｖ１ 弁 Ｖ２ 弁 Ｖ４ 弁 Ｖ５ 弁 Ｖ１１ 弁 Ｖ１２ 弁 Ｖ１３ 弁 Ｖ１４ 弁 Ｖ１５ 弁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アンドリュー．ディビッド．ジョンソン アメリカ合衆国．18901．ドイルストウン. サウス．フランクリン．ストリート．110 (72)発明者 ジョン．ジャイルス．ランガン アメリカ合衆国．18106．ウエスコスビル. ディボット．ドライブ．1254

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 水分を吸収する表面の水分除去と水分不
   動態化の方法であって： ・吸着水分を前記表面から除去し、また前記表面を不動
   態化して水分の再吸着を阻止する乾燥試薬を含むキャリ
   ヤガスの少くともほぼ１４．７ｐｓｉａの圧力をかけた
   流れと接触させることからなり、 ・前記乾燥試薬が化学式１： 【化１】Ｒ_ａＳｉＸ_ｂＹ_ｃＺ_ｄ で示される組成物である［式中、ａ＝１乃至３；ｂ、ｃ
   ならびにｄが個々に０乃至３、そして、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ
   ＝４；Ｒが１つ以上の有機基であり；そして、Ｘ、Ｙな
   らびにＺが個々に水素、ハロゲン、アルコキシ、アミン
   もしくは−Ｎ（Ｈ）Ｓｉ（Ｒ_３）であるが、Ｘ、Ｙもし
   くはＺの少くとも１つが珪素に対し化学結合を有し、容
   易に加水分解できる］ことを特徴とする水分の除去と水
   分不動態化の方法。
2. 【請求項２】 前記有機基が、アルキル、アルケニル、
   アルキニル、アリール、アルキル−、アルケニル−、も
   しくはアルキニル置換アリール、アリル置換アルキル
   −、アルケニル−もしくはアルキニル−ならびにその混
   合物からなる群より選ばれることを特徴とする請求項１
   の方法。
3. 【請求項３】 前記乾燥試薬が化学式２： 【化２】Ｒ_ａＳｉＨ_４−ａ の組成物である［式中、Ｒはアルキル、アルケニル、ア
   ルキニル、アリール、アルキル−、アルケニル−もしく
   はアルキニル−置換アリール、アリール置換アルキル
   −、アルケニル−もしくはアルキニル−ならびにその混
   合物であり、そしてａは１乃至３である］ことを特徴と
   する請求項１の方法。
4. 【請求項４】 前記Ｒがメチル、エチル、ビニル、プロ
   ピル、ブチル、ペンタン、ヘキシル、シクロヘキシル、
   フェニルもしくはその混合物であることを特徴とする請
   求項３の方法。
5. 【請求項５】 前記乾燥試薬が化学式３： 【化３】Ｘ_ａＳｉＨ_ｂＲ_ｃ で示される組成物である［式中、Ｒがアルキル、アルケ
   ニル、アルキニル、アリール、アルキル−、アルケニル
   −もしくはアルキニル−置換アリール、アリール置換ア
   ルキル−、アルケニル−もしくはアルキニル−ならびに
   その混合物；Ｘは弗素、臭素、塩素、沃素もしくはその
   混合物；そしてａ、ｂとｃは個々に１乃至２かつａ＋ｂ
   ＋Ｃ＝４である］ことを特徴とする請求項１の方法。
6. 【請求項６】 前記Ｒはメチル、エチル、ビニル、プロ
   ピル、ブチル、ペンタン、ヘキシル、シクロヘキシル、
   フェニルもしくはその混合物であることを特徴とする請
   求項５の方法。
7. 【請求項７】 前記乾燥試薬が化学式４： 【化４】Ｒ_ａＳｉ（ＯＲ′）_４−ａ で示される組成物である［式中、ＲとＲ′はアルキル、
   アルケニル、アルキニル、アリール、アルキル−、アル
   ケニル−もしくはアルキニル−置換アリール、アリール
   置換アルキル−、アルケニル−もしくはアルキニル−な
   らびにその混合物；そしてａが１乃至３である］ことを
   特徴とする請求項１の方法。
8. 【請求項８】 前記ＲとＲ′が独立してメチル、エチ
   ル、ビニル、プロピル、ブチル、ペンタン、ヘキシル、
   シクロヘキシル、フェニルもしくはその混合物であるこ
   とを特徴とする請求項７の方法。
9. 【請求項９】 前記乾燥試薬が化学式５： 【化５】ＨＮ（ＳｉＲ_３）_２ で示される組成物である［式中、Ｒがアルキル、アルケ
   ニル、アルキニル、アリール、アルキル−、アルケニル
   −もしくはアルキニル−置換アリール、アリール置換ア
   ルキル−、アルケニル−もしくはアルキニル−ならびに
   その混合物である］ことを特徴とする請求項１の方法。
10. 【請求項１０】 前記Ｒがメチル、エチル、ビニル、プ
    ロピル、ブチル、ペンタン、ヘキシル、シクロヘキシ
    ル、フェニルもしくはその混合物であることを特徴とす
    る請求項９の方法。
11. 【請求項１１】 乾燥試薬を含むキャリヤガスの前記流
    れが前記表面にほぼ６５℃以下の温度で接触することを
    特徴とする請求項１の方法。
12. 【請求項１２】 前記表面が金属表面であることを特徴
    とする請求項１の方法。
13. 【請求項１３】 前記金属表面が鋼であることを特徴と
    する請求項１２の方法。
14. 【請求項１４】 前記金属表面が高純度ガス供給装置の
    配管の内部であることを特徴とする請求項１２の方法。
15. 【請求項１５】 水分を吸着する高純度ガス配管の内部
    表面の水分除去と水分不動態化の方法で： (a) 前記配管を水分が重量比で０．１％以下の不活性ガ
    スでパージする工程と； (b) 前記表面を少くともほぼ１４．７ｐｓｉａの圧力
    と、ほぼ６５℃以下の温度で、乾燥試薬を含むキャリヤ
    ガスの流れと接触させて、吸着水分を前記表面から除去
    し、前記表面を不動態化させ水分の再吸着を阻止させる
    工程；からなり、前記乾燥試薬が化学式６： 【化６】Ｒ_ａＳｉＸ_ｂＹ_ｃＺ_ｄ に示される組成物である［式中、ａ＝１乃至３；ｂ、ｃ
    とｄが個々に０乃至３であり、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝
    ４；Ｒは１つ以上の有機基であり；そしてＸ、Ｙならび
    にＺが個々に水素、ハロゲン、アルコキシ、アミンもし
    くは−Ｎ（Ｈ）Ｓｉ（Ｒ_３）であるが、Ｘ、Ｙもしくは
    Ｚの少くとも１つが珪素に対する化学結合を有し、それ
    が容易に加水分解できる］ことを特徴とする水分除去と
    水分不動態化の方法。