JPH08301633A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH08301633A JPH08301633A JP7111505A JP11150595A JPH08301633A JP H08301633 A JPH08301633 A JP H08301633A JP 7111505 A JP7111505 A JP 7111505A JP 11150595 A JP11150595 A JP 11150595A JP H08301633 A JPH08301633 A JP H08301633A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
Abstract
(57)【要約】
【目的】液晶表示装置の偏光膜のパネル表面に表面硬度
の高い酸化物薄膜を形成し、表面に帯電の無い、表面反
射を抑えた薄膜を形成し、高性能な液晶表示装置及びそ
の製造方法を提供するものである。 【構成】液晶表示装置の偏光膜のパネル表面に表面硬度
の高い酸化物薄膜を形成する。薄膜の形成方法は、光照
射を利用したゾルゲル法による。これにより簡便な装置
を使用して、酸化物薄膜を１１０℃以下の低温で偏光膜
上に形成する。 【効果】偏光膜上の帯電の無い、表面反射の抑えられ
た、また、表面強度の強い高性能な液晶表示装置が得ら
れる。
の高い酸化物薄膜を形成し、表面に帯電の無い、表面反
射を抑えた薄膜を形成し、高性能な液晶表示装置及びそ
の製造方法を提供するものである。 【構成】液晶表示装置の偏光膜のパネル表面に表面硬度
の高い酸化物薄膜を形成する。薄膜の形成方法は、光照
射を利用したゾルゲル法による。これにより簡便な装置
を使用して、酸化物薄膜を１１０℃以下の低温で偏光膜
上に形成する。 【効果】偏光膜上の帯電の無い、表面反射の抑えられ
た、また、表面強度の強い高性能な液晶表示装置が得ら
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置及びその
製造方法に係り、特に偏光膜上に形成される無機質膜、
それを用いた表面表示装置及びその製造方法に関する。
製造方法に係り、特に偏光膜上に形成される無機質膜、
それを用いた表面表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置では、外光の反射が
偏光膜表面上に映り込んで視認性の低下をまねいてい
た。従来技術として、液晶表示装置の偏光膜表面に反射
防止膜を形成したものがあるが、この反射防止膜は、偏
光膜上に有機物表面を粗な状態に荒らして表面凹凸を形
成し、外来光を乱反射して反射防止効果を発現させるも
のである。
偏光膜表面上に映り込んで視認性の低下をまねいてい
た。従来技術として、液晶表示装置の偏光膜表面に反射
防止膜を形成したものがあるが、この反射防止膜は、偏
光膜上に有機物表面を粗な状態に荒らして表面凹凸を形
成し、外来光を乱反射して反射防止効果を発現させるも
のである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示装置で
は、偏光膜をガラスであるパネルに接着させる際、偏光
膜が有機物であるため、パネル表面が帯電して、液晶の
応答速度，表示に悪影響を及ぼすという問題点があっ
た。また、液晶表示装置のパネル表面に反射防止膜を形
成したものがあるが、この反射防止膜は、偏光膜上に有
機物表面を粗な状態に荒らして表面凹凸を形成し、外来
光を乱反射して反射防止効果を発現させるものである。
この膜は、有機物であるため、膜の強度が弱いのに加
え、表面凹凸を形成して外来光を乱反射させるため、バ
ックライトの透過光も乱反射し透過光の透過率が減ずる
という問題点があった。また、液晶表示装置の表面は偏
光膜が表面に露出しているため、表示表面は非常に傷つ
きやすいものであった。また、パネル表面に有機物の偏
光膜が形成されているため、膜硬化のための熱処理温度
が１１０℃以上にできない問題点があった。
は、偏光膜をガラスであるパネルに接着させる際、偏光
膜が有機物であるため、パネル表面が帯電して、液晶の
応答速度，表示に悪影響を及ぼすという問題点があっ
た。また、液晶表示装置のパネル表面に反射防止膜を形
成したものがあるが、この反射防止膜は、偏光膜上に有
機物表面を粗な状態に荒らして表面凹凸を形成し、外来
光を乱反射して反射防止効果を発現させるものである。
この膜は、有機物であるため、膜の強度が弱いのに加
え、表面凹凸を形成して外来光を乱反射させるため、バ
ックライトの透過光も乱反射し透過光の透過率が減ずる
という問題点があった。また、液晶表示装置の表面は偏
光膜が表面に露出しているため、表示表面は非常に傷つ
きやすいものであった。また、パネル表面に有機物の偏
光膜が形成されているため、膜硬化のための熱処理温度
が１１０℃以上にできない問題点があった。
【０００４】本発明は、上記した従来技術の問題点を解
決するために、液晶表示装置の偏光膜のパネル表面に帯
電の無い、表面反射を抑えた薄膜を形成し、高性能な液
晶表示装置を提供することにある。
決するために、液晶表示装置の偏光膜のパネル表面に帯
電の無い、表面反射を抑えた薄膜を形成し、高性能な液
晶表示装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような高
性能な液晶表示装置を提供するために，液晶表示装置の
偏光膜のパネル表面に酸化物の反射防止膜，帯電防止
膜，反射帯電防止膜を形成したものである。この帯電防
止膜の表面抵抗は、１０9Ω／□ 以下としたものであ
る。この帯電防止膜は、導電性微粒子を含有した薄膜を
形成したものである。また、膜の鉛筆硬度を２Ｈ以上の
酸化物薄膜を形成したものである。また、高屈折率，低
屈折率の薄膜を積層し、光の干渉効果を利用して反射防
止膜としたものである。また、酸化物薄膜は、ゾルゲル
法により作製した溶液をスプレーあるいはスピンコーテ
ィングして成膜し、ついで光処理して形成したものであ
る。光処理する際に熱処理して形成したものである。
性能な液晶表示装置を提供するために，液晶表示装置の
偏光膜のパネル表面に酸化物の反射防止膜，帯電防止
膜，反射帯電防止膜を形成したものである。この帯電防
止膜の表面抵抗は、１０9Ω／□ 以下としたものであ
る。この帯電防止膜は、導電性微粒子を含有した薄膜を
形成したものである。また、膜の鉛筆硬度を２Ｈ以上の
酸化物薄膜を形成したものである。また、高屈折率，低
屈折率の薄膜を積層し、光の干渉効果を利用して反射防
止膜としたものである。また、酸化物薄膜は、ゾルゲル
法により作製した溶液をスプレーあるいはスピンコーテ
ィングして成膜し、ついで光処理して形成したものであ
る。光処理する際に熱処理して形成したものである。
【０００６】また本発明では、液晶表示装置の偏光膜の
パネル表面にゾルゲル法により、Ｍ(ＯＲ)n で示される
金属アルコキシド溶液の塗膜を形成する塗膜工程と、該
塗膜を熱処理と同時に光処理して硬化する硬化工程とを
含むことを特徴とする帯電防止膜，反射防止膜または反
射帯電防止膜を有する液晶表示装置の製造方法であっ
て、該光処理は紫外光照射であり、１００℃以下の雰囲
気中で行うのがよい。更に、本発明では、液晶表示装置
の製造装置として、偏光膜に無機質膜形成用液を塗布す
る塗布手段と、前記溶液塗布後の液晶表示装置を移送す
る移送手段と、前記塗膜を加熱する加熱手段と、前記塗
膜を熱処理すると同時に、前記塗膜を光硬化する光照射
手段を備えていることを特徴とする液晶表示装置の製造
装置であって、該光処理は紫外光照射であり、１００℃
以下の雰囲気中で行うのがよい。
パネル表面にゾルゲル法により、Ｍ(ＯＲ)n で示される
金属アルコキシド溶液の塗膜を形成する塗膜工程と、該
塗膜を熱処理と同時に光処理して硬化する硬化工程とを
含むことを特徴とする帯電防止膜，反射防止膜または反
射帯電防止膜を有する液晶表示装置の製造方法であっ
て、該光処理は紫外光照射であり、１００℃以下の雰囲
気中で行うのがよい。更に、本発明では、液晶表示装置
の製造装置として、偏光膜に無機質膜形成用液を塗布す
る塗布手段と、前記溶液塗布後の液晶表示装置を移送す
る移送手段と、前記塗膜を加熱する加熱手段と、前記塗
膜を熱処理すると同時に、前記塗膜を光硬化する光照射
手段を備えていることを特徴とする液晶表示装置の製造
装置であって、該光処理は紫外光照射であり、１００℃
以下の雰囲気中で行うのがよい。
【０００７】
【作用】液晶表示装置のパネル表面上に酸化物の反射防
止膜，帯電防止膜，反射帯電防止膜を形成する際の困難
は、パネル表面上に有機物である偏光膜が形成されてい
るため、酸化物薄膜形成温度を１１０℃以上に上げられ
ないことである。通常、酸化物薄膜の形成には、数百℃
の熱処理が必要とされ、従来の手法では薄膜形成ができ
ない。そこで、本発明では、光照射を利用したゾルゲル
法により、酸化物薄膜の低温成膜をおこなった。光照射
を利用したゾルゲル法は、ゾルゲル反応の促進に光エネ
ルギーを利用するものであり、従来の熱処理によるゾル
ゲル法と比較して極めて低温での薄膜形成が可能とな
る。この手法の利用により、液晶表示装置の偏光膜上へ
の酸化物薄膜の形成が可能となった。
止膜，帯電防止膜，反射帯電防止膜を形成する際の困難
は、パネル表面上に有機物である偏光膜が形成されてい
るため、酸化物薄膜形成温度を１１０℃以上に上げられ
ないことである。通常、酸化物薄膜の形成には、数百℃
の熱処理が必要とされ、従来の手法では薄膜形成ができ
ない。そこで、本発明では、光照射を利用したゾルゲル
法により、酸化物薄膜の低温成膜をおこなった。光照射
を利用したゾルゲル法は、ゾルゲル反応の促進に光エネ
ルギーを利用するものであり、従来の熱処理によるゾル
ゲル法と比較して極めて低温での薄膜形成が可能とな
る。この手法の利用により、液晶表示装置の偏光膜上へ
の酸化物薄膜の形成が可能となった。
【０００８】光照射を利用したゾルゲル法は、ゾルゲル
法の出発原料となる金属アルコキシドの吸収波長に対応
した波長の光を照射して、反応を促進させる。合成した
金属アルコキシドゾルの塗膜を形成し、これを熱エネル
ギーの変わりに光エネルギーを使用して無機膜に変換す
る。通常、無機膜への変換には数百℃の熱処理が必要で
あるが、光エネルギーにより１１０℃以下での無機膜へ
の変換が可能となる。これにより、液晶表示装置の偏光
膜上への無機薄膜の形成が可能である。金属アルコキシ
ドは、通常紫外領域に吸収を持つため、照射する光の波
長は紫外線が用いられる。
法の出発原料となる金属アルコキシドの吸収波長に対応
した波長の光を照射して、反応を促進させる。合成した
金属アルコキシドゾルの塗膜を形成し、これを熱エネル
ギーの変わりに光エネルギーを使用して無機膜に変換す
る。通常、無機膜への変換には数百℃の熱処理が必要で
あるが、光エネルギーにより１１０℃以下での無機膜へ
の変換が可能となる。これにより、液晶表示装置の偏光
膜上への無機薄膜の形成が可能である。金属アルコキシ
ドは、通常紫外領域に吸収を持つため、照射する光の波
長は紫外線が用いられる。
【０００９】導電性を有する金属アルコキシド、例え
ば、錫やインジュウムのアルコキシドを使用すれば、Ｓ
ｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3 などの導電性酸化物薄膜を形成でき
る。これにより、偏光膜形成時に誘起される帯電を除去
することができる。また、導電性酸化物薄膜は、ＳｉＯ
2ゾル溶液中にＳｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3の酸化物超微粒子を分
散したものを使用しても同様な導電性酸化物薄膜を形成
することができる。これにより、膜の表面抵抗を１０9
Ω／□ 以下とすることができる。
ば、錫やインジュウムのアルコキシドを使用すれば、Ｓ
ｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3 などの導電性酸化物薄膜を形成でき
る。これにより、偏光膜形成時に誘起される帯電を除去
することができる。また、導電性酸化物薄膜は、ＳｉＯ
2ゾル溶液中にＳｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3の酸化物超微粒子を分
散したものを使用しても同様な導電性酸化物薄膜を形成
することができる。これにより、膜の表面抵抗を１０9
Ω／□ 以下とすることができる。
【００１０】上記した導電性酸化物薄膜上にＳｉＯ2 ゾ
ル溶液をコーティングして積層膜を形成すると反射防止
膜を作成することができる。ＳｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3などの
導電性酸化物薄膜は、屈折率が２前後の高屈折率の膜で
ある。また、この膜の上層に形成されたＳｉＯ2 膜は屈
折率が１．４程度の低屈折率の膜である。このような高
屈折率／低屈折率の積層膜は、それぞれ膜厚を制御する
と、光の干渉効果により人間の視感感度の最も高い５７
０ｎｍ前後の反射率が下がり、反射防止効果を示す。す
なわち、この膜は反射防止膜となる。また、この積層膜
の場合、下層の導電性酸化物薄膜は帯電防止機能を持つ
ため、反射帯電防止膜となる。
ル溶液をコーティングして積層膜を形成すると反射防止
膜を作成することができる。ＳｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3などの
導電性酸化物薄膜は、屈折率が２前後の高屈折率の膜で
ある。また、この膜の上層に形成されたＳｉＯ2 膜は屈
折率が１．４程度の低屈折率の膜である。このような高
屈折率／低屈折率の積層膜は、それぞれ膜厚を制御する
と、光の干渉効果により人間の視感感度の最も高い５７
０ｎｍ前後の反射率が下がり、反射防止効果を示す。す
なわち、この膜は反射防止膜となる。また、この積層膜
の場合、下層の導電性酸化物薄膜は帯電防止機能を持つ
ため、反射帯電防止膜となる。
【００１１】もし、反射防止機能だけを有する膜が欲し
い場合は、下層の膜の材料をＴiＯ2，ＺｒＯ2，Ｔａ2Ｏ
5 などの絶縁性の高屈折率の膜を形成した積層膜とすれ
ば良い。
い場合は、下層の膜の材料をＴiＯ2，ＺｒＯ2，Ｔａ2Ｏ
5 などの絶縁性の高屈折率の膜を形成した積層膜とすれ
ば良い。
【００１２】本発明によれば、偏光膜上に硬度の高い酸
化物薄膜を形成することができるため、膜の表面硬度を
鉛筆硬度で２Ｈ以上とすることができ、軟らかい偏光膜
の表面を保護することができる。
化物薄膜を形成することができるため、膜の表面硬度を
鉛筆硬度で２Ｈ以上とすることができ、軟らかい偏光膜
の表面を保護することができる。
【００１３】本願発明によれば、低温成膜できるので、
ＳｉＯ2 の構造欠陥の少ない膜が得られるので、膜の機
械的強度及び耐水性に大きな影響を及ぼす。膜の強度及
び耐水性は、反射防止膜が液晶表示板の最表面に形成さ
れるため、特に重要な要素である。本発明によるＳｉＯ
2 膜は、構造欠陥が少ないため、膜の強度及び耐水性と
も向上している。膜の構造欠陥及びその定量は、電子ス
ピン共鳴スペクトル（ＥＳＲ）により測定することがで
きる。ＥＳＲにより推定されたＳｉ欠陥の量は、１０10
〜１０14個／cm3 である。また、膜の分子構造も、光照
射した膜と熱処理のみの膜とでは異なることが明らかと
なった。膜の分子構造に関する情報は、29Ｓｉ固体ＮＭ
Ｒ、またはラマン分光スペクトルの測定により得られ
る。例えば、ラマン分光では、ＳｉＯ2 膜中におけるＳ
ｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の屈曲性及び結合力の強さの情報を得
ることができる。ラマンスペクトルにおける、Ｓｉ−Ｏ
−Ｓｉ対称伸縮振動及び逆対称伸縮振動の両者のピーク
が観測されれば、膜中のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合は屈曲した
結合を多く含む。また、対称伸縮振動のみが観測され、
逆対称伸縮振動のピークが観測されなければ、膜中のＳ
ｉ−Ｏ−Ｓｉ結合は直線的な結合だけからなる。屈曲し
たＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合は歪みが大きいため、これを多く
含む膜の強度は弱いものとなる。また、耐水性において
も、この歪みの大きなＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を水分子が攻
撃しやすくなるために、耐水性は悪化する。一方、これ
らラマンシフトのピーク位置が、高周波側であるほど強
い結合が形成されている。以上のように、ラマン分光に
おいてピーク強度及び振動の種類及びラマンシフトの位
置より、膜の分子構造の変化を半定量的に知ることがで
きる。ゾルゲル法で常温で作成した膜では、弱い対称伸
縮振動と強い逆対称伸縮振動が観測され、膜中に不安定
な歪みが大きなＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合が多量に含まれるこ
とが観測される。この膜を熱処理して、次第に処理温度
を上昇させていくと、両者のピーク強度比は逆転し、数
１００℃で熱処理した膜では、強い対称伸縮振動は観察
されるが、逆対称伸縮振動は観測されなくなる。すなわ
ち、熱処理により、不安定な屈曲したＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結
合から安定な直線状Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合へと分子構造の
変化が生じたことがわかる。一方、光照射した場合、熱
処理した場合と同様なスペクトルの変化が観察される
が、変化の生じる温度が半分以下であることが判明し
た。すなわち、光照射したことにより、従来よりも低温
で、安定な膜を得ることができる。光照射して作成した
膜のうち、屈曲したＳｉ−Ｏ−Ｓｉ単位の割合が３０％
以下であり、残りが直線的なＳｉ−Ｏ−Ｓｉ単位である
ことが判明した。すなわち、この比率以上の膜で充分な
強度の膜が得られることになる。
ＳｉＯ2 の構造欠陥の少ない膜が得られるので、膜の機
械的強度及び耐水性に大きな影響を及ぼす。膜の強度及
び耐水性は、反射防止膜が液晶表示板の最表面に形成さ
れるため、特に重要な要素である。本発明によるＳｉＯ
2 膜は、構造欠陥が少ないため、膜の強度及び耐水性と
も向上している。膜の構造欠陥及びその定量は、電子ス
ピン共鳴スペクトル（ＥＳＲ）により測定することがで
きる。ＥＳＲにより推定されたＳｉ欠陥の量は、１０10
〜１０14個／cm3 である。また、膜の分子構造も、光照
射した膜と熱処理のみの膜とでは異なることが明らかと
なった。膜の分子構造に関する情報は、29Ｓｉ固体ＮＭ
Ｒ、またはラマン分光スペクトルの測定により得られ
る。例えば、ラマン分光では、ＳｉＯ2 膜中におけるＳ
ｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の屈曲性及び結合力の強さの情報を得
ることができる。ラマンスペクトルにおける、Ｓｉ−Ｏ
−Ｓｉ対称伸縮振動及び逆対称伸縮振動の両者のピーク
が観測されれば、膜中のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合は屈曲した
結合を多く含む。また、対称伸縮振動のみが観測され、
逆対称伸縮振動のピークが観測されなければ、膜中のＳ
ｉ−Ｏ−Ｓｉ結合は直線的な結合だけからなる。屈曲し
たＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合は歪みが大きいため、これを多く
含む膜の強度は弱いものとなる。また、耐水性において
も、この歪みの大きなＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を水分子が攻
撃しやすくなるために、耐水性は悪化する。一方、これ
らラマンシフトのピーク位置が、高周波側であるほど強
い結合が形成されている。以上のように、ラマン分光に
おいてピーク強度及び振動の種類及びラマンシフトの位
置より、膜の分子構造の変化を半定量的に知ることがで
きる。ゾルゲル法で常温で作成した膜では、弱い対称伸
縮振動と強い逆対称伸縮振動が観測され、膜中に不安定
な歪みが大きなＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合が多量に含まれるこ
とが観測される。この膜を熱処理して、次第に処理温度
を上昇させていくと、両者のピーク強度比は逆転し、数
１００℃で熱処理した膜では、強い対称伸縮振動は観察
されるが、逆対称伸縮振動は観測されなくなる。すなわ
ち、熱処理により、不安定な屈曲したＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結
合から安定な直線状Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合へと分子構造の
変化が生じたことがわかる。一方、光照射した場合、熱
処理した場合と同様なスペクトルの変化が観察される
が、変化の生じる温度が半分以下であることが判明し
た。すなわち、光照射したことにより、従来よりも低温
で、安定な膜を得ることができる。光照射して作成した
膜のうち、屈曲したＳｉ−Ｏ−Ｓｉ単位の割合が３０％
以下であり、残りが直線的なＳｉ−Ｏ−Ｓｉ単位である
ことが判明した。すなわち、この比率以上の膜で充分な
強度の膜が得られることになる。
【００１４】
（実施例１）テトラエトキシシラン，水，エタノール，
硝酸をモル比で１：１２：４５：０.２５の割合で混合
してＳｉＯ2ゾル溶液とした。この溶液１００ｍｌにＳ
ｎを２ｗｔ％含有したＩＴＯ超微粒子（粒径５０〜３０
０Å）を酸性度を調節しながら分散して７ｗｔ％の分散
溶液とした。このＩＴＯ分散溶液を作製した液晶パネル
の最表面に回転数３００rpm でスピンコーティングし
た。ついで、５０℃で１０分乾燥した後、２５４ｎｍ，
１８４ｎｍの光を１０分間照射した。この光照射の際の
パネルの表面温度は９０℃とした。この膜の表面抵抗は
８×１０7Ω／□、表面の硬さは鉛筆硬度で４Ｈであっ
た。偏光膜の鉛筆硬度は２Ｈであり、膜の表面硬度は向
上された。また、この帯電防止膜の形成により、偏光膜
接着時に誘起される帯電が防止されたため、液晶の分極
への悪影響等は見られなかった。 （実施例２）実施例１で作製したＩＴＯ膜上に５ｗｔ％
ＳｉＯ2 ゾル溶液を回転数３００rpm でスピンコーティ
ングし積層膜とした。この積層膜に９０℃で２５４ｎ
ｍ，１８４ｎｍの光を１０分間照射した。この膜の最表
面の表面抵抗は８×１０8Ω／□（下層ＩＴＯ膜の抵抗
は〜１０7Ω／□）、表面の硬さは鉛筆硬度で５Ｈであ
った。
硝酸をモル比で１：１２：４５：０.２５の割合で混合
してＳｉＯ2ゾル溶液とした。この溶液１００ｍｌにＳ
ｎを２ｗｔ％含有したＩＴＯ超微粒子（粒径５０〜３０
０Å）を酸性度を調節しながら分散して７ｗｔ％の分散
溶液とした。このＩＴＯ分散溶液を作製した液晶パネル
の最表面に回転数３００rpm でスピンコーティングし
た。ついで、５０℃で１０分乾燥した後、２５４ｎｍ，
１８４ｎｍの光を１０分間照射した。この光照射の際の
パネルの表面温度は９０℃とした。この膜の表面抵抗は
８×１０7Ω／□、表面の硬さは鉛筆硬度で４Ｈであっ
た。偏光膜の鉛筆硬度は２Ｈであり、膜の表面硬度は向
上された。また、この帯電防止膜の形成により、偏光膜
接着時に誘起される帯電が防止されたため、液晶の分極
への悪影響等は見られなかった。 （実施例２）実施例１で作製したＩＴＯ膜上に５ｗｔ％
ＳｉＯ2 ゾル溶液を回転数３００rpm でスピンコーティ
ングし積層膜とした。この積層膜に９０℃で２５４ｎ
ｍ，１８４ｎｍの光を１０分間照射した。この膜の最表
面の表面抵抗は８×１０8Ω／□（下層ＩＴＯ膜の抵抗
は〜１０7Ω／□）、表面の硬さは鉛筆硬度で５Ｈであ
った。
【００１５】図２は、液晶パネル表面の表面反射率（１
１：ＩＴＯ，９０℃光照射あり）である。図中、比較の
ため、光照射しないもの(１２：ＩＴＯ，９０℃光照射
なし)、積層膜を形成しないもの（１３：偏光膜の
み）、偏光膜の表面を凹凸にして反射防止膜としたもの
（１４：反射防止膜付き偏光膜）を示す。本実施例によ
る反射防止膜の反射率は人間の視感感度の最も高い５７
０ｎｍの反射率が最も低く、０.４ ％であり、図２に示
すように、ＩＴＯ（９０℃光照射あり）１１の反射防止
の効果が良好である。反射防止膜を形成しない偏光膜の
みのものの反射率は、図２に示すように、４００〜７０
０ｎｍの可視光領域では４.３〜４.５％である。また、
光照射せずに作製したものの反射率曲線は、図２に示す
ように、６６０ｎｍで反射率が最も低いため反射防止の
効果が低下する。偏光膜の表面を凹凸にして反射防止膜
としたものの反射率曲線は、図２に示すように、４００
〜７００ｎｍの可視光領域で２.０〜２.２％である。人
間の視感感度の最も高い５７０ｎｍの反射率を下げられ
ないため、反射防止の効果が低下する。また、表面を凹
凸にしてあるため、バックライトの光も散乱され、バッ
クライトの透過率が１０％程度減じ、明るさが減少する
ために文字の視認性が低下する。本発明による反射防止
膜では、表面に凹凸が無いため、透過率が減少すること
はない。本発明の反射防止膜の反射率は、４００〜４５
０ｎｍ領域で反射防止膜付き偏光膜のものよりも高くな
るが、この領域での人間の視感感度は極めて低いため、
反射防止効果に悪影響は少ない。
１：ＩＴＯ，９０℃光照射あり）である。図中、比較の
ため、光照射しないもの(１２：ＩＴＯ，９０℃光照射
なし)、積層膜を形成しないもの（１３：偏光膜の
み）、偏光膜の表面を凹凸にして反射防止膜としたもの
（１４：反射防止膜付き偏光膜）を示す。本実施例によ
る反射防止膜の反射率は人間の視感感度の最も高い５７
０ｎｍの反射率が最も低く、０.４ ％であり、図２に示
すように、ＩＴＯ（９０℃光照射あり）１１の反射防止
の効果が良好である。反射防止膜を形成しない偏光膜の
みのものの反射率は、図２に示すように、４００〜７０
０ｎｍの可視光領域では４.３〜４.５％である。また、
光照射せずに作製したものの反射率曲線は、図２に示す
ように、６６０ｎｍで反射率が最も低いため反射防止の
効果が低下する。偏光膜の表面を凹凸にして反射防止膜
としたものの反射率曲線は、図２に示すように、４００
〜７００ｎｍの可視光領域で２.０〜２.２％である。人
間の視感感度の最も高い５７０ｎｍの反射率を下げられ
ないため、反射防止の効果が低下する。また、表面を凹
凸にしてあるため、バックライトの光も散乱され、バッ
クライトの透過率が１０％程度減じ、明るさが減少する
ために文字の視認性が低下する。本発明による反射防止
膜では、表面に凹凸が無いため、透過率が減少すること
はない。本発明の反射防止膜の反射率は、４００〜４５
０ｎｍ領域で反射防止膜付き偏光膜のものよりも高くな
るが、この領域での人間の視感感度は極めて低いため、
反射防止効果に悪影響は少ない。
【００１６】以上のように反射防止効果，帯電防止効果
の両方の機能を有する反射帯電防止膜を形成することに
より高性能な液晶表示装置を得ることができる。
の両方の機能を有する反射帯電防止膜を形成することに
より高性能な液晶表示装置を得ることができる。
【００１７】（実施例３）Ｚｒ(ＯＣ4Ｈ9)4 のエタノー
ル溶液（７ｗｔ％）１００ｍｌにＨ2Ｏ のエタノール溶
液(２ｗｔ％)５ｍｌを加えた。ついで、ＨＮＯ3 のエタ
ノール溶液(０.１ｗｔ％）１ｍｌを加え、溶液を１０分
間かくはんした。この溶液を液晶パネル最表面に回転数
３００rpm でスピンコーティングした。この膜上に２５
４ｎｍ，１８４ｎｍの光を１０分間照射した。この光照
射の際のパネル温度は９０℃とした。表面の硬さは鉛筆
強度で４Ｈと偏光膜の硬度よりも向上した。また、この
膜の表面反射率（５°正反射）は、５７０ｎｍで０.５
％と低いものであった。
ル溶液（７ｗｔ％）１００ｍｌにＨ2Ｏ のエタノール溶
液(２ｗｔ％)５ｍｌを加えた。ついで、ＨＮＯ3 のエタ
ノール溶液(０.１ｗｔ％）１ｍｌを加え、溶液を１０分
間かくはんした。この溶液を液晶パネル最表面に回転数
３００rpm でスピンコーティングした。この膜上に２５
４ｎｍ，１８４ｎｍの光を１０分間照射した。この光照
射の際のパネル温度は９０℃とした。表面の硬さは鉛筆
強度で４Ｈと偏光膜の硬度よりも向上した。また、この
膜の表面反射率（５°正反射）は、５７０ｎｍで０.５
％と低いものであった。
【００１８】（実施例４）Ｔｉ(ＯＣ3Ｈ9)4 のエタノー
ル：イソプロピルアルコール（２：１）の混合溶液（７
ｗｔ％）１００ｍｌにＨ2Ｏ のエタノール溶液（２ｗｔ
％）５ｍｌを加えた。ついで、ＨＮＯ3のエタノール溶
液(０.１ｗｔ％)１ｍｌを加え、溶液を１０分間かくは
んした。この溶液を液晶パネル最表面に回転数３００rp
m でスピンコーティングした。５０℃で１０分間乾燥
し、ついで実施例１で作製したＳｉＯ2ゾル溶液を液晶
パネル最表面に回転数３００rpm でスピンコーティング
した。この膜上に２５４ｎｍ，１８４ｎｍの光を１０分
間照射した。この光照射の際のパネル温度は９０℃とし
た。表面の硬さは鉛筆強度で３Ｈと偏光膜の硬度よりも
向上した。また、この膜の表面反射率(５°正反射）
は、５７０ｎｍで０.６７％と低い、性能の良い反射防
止膜が得られた。
ル：イソプロピルアルコール（２：１）の混合溶液（７
ｗｔ％）１００ｍｌにＨ2Ｏ のエタノール溶液（２ｗｔ
％）５ｍｌを加えた。ついで、ＨＮＯ3のエタノール溶
液(０.１ｗｔ％)１ｍｌを加え、溶液を１０分間かくは
んした。この溶液を液晶パネル最表面に回転数３００rp
m でスピンコーティングした。５０℃で１０分間乾燥
し、ついで実施例１で作製したＳｉＯ2ゾル溶液を液晶
パネル最表面に回転数３００rpm でスピンコーティング
した。この膜上に２５４ｎｍ，１８４ｎｍの光を１０分
間照射した。この光照射の際のパネル温度は９０℃とし
た。表面の硬さは鉛筆強度で３Ｈと偏光膜の硬度よりも
向上した。また、この膜の表面反射率(５°正反射）
は、５７０ｎｍで０.６７％と低い、性能の良い反射防
止膜が得られた。
【００１９】（実施例５）Ｔａ(ＯＣ2Ｈ6)5 のエタノー
ル溶液（７ｗｔ％）１００ｍｌにＨ2Ｏ のエタノール溶
液(２ｗｔ％）５ｍｌを加えた。ついで、ＨＮＯ3のエタ
ノール溶液(０.１ｗｔ％）１ｍｌを加え、溶液を１０分
間かくはんした。この溶液を液晶パネル最表面に回転数
３００rpm でスピンコーティングした。５０℃で１０分
間乾燥し、ついで実施例１で作製したＳｉＯ2 ゾル溶液
を液晶パネル最表面に回転数３００rpm でスピンコーテ
ィングした。この膜上に２５４ｎｍ，１８４ｎｍの光を
１０分間照射した。この光照射の際のパネル温度は９０
℃とした。表面の硬さは鉛筆強度で４Ｈと偏光膜の硬度
よりも向上した。また、この膜の表面反射率（５°正反
射）は、５７０ｎｍで０.５２％と低い、性能の良い反
射防止膜が得られた。 （実施例６）Ｓｎ(ＯＣ4Ｈ9)4 のイソプロピルアルコー
ル溶液（７ｗｔ％）１００ｍｌにＳｂ(ＯＣ3Ｈ7)3 のイ
ソプロピルアルコール溶液（７ｗｔ％）１０ｍｌを添加
してかくはんした。この溶液にＨ2Ｏ のイソプロピルア
ルコール溶液（２ｗｔ％）を５ｍｌを加えた。ついで、
ＨＮＯ3 のエタノール溶液(０.１ｗｔ％）１ｍｌを加
え、溶液を１０分間かくはんした。この溶液を液晶パネ
ル最表面に回転数300rpm でスピンコーティングした。
５０℃で１０分間乾燥し、ついで実施例１で作製したＳ
ｉＯ2 ゾル溶液を液晶パネル最表面に回転数３００rpm
でスピンコーティングした。この膜上に２５４ｎｍ，１
８４ｎｍの光を１０分間照射した。この光照射の際のパ
ネル温度は９０℃とした。表面の硬さは鉛筆強度で４Ｈ
と偏光膜の硬度よりも向上した。また、この膜の表面反
射率(５°正反射)は、５７０ｎｍで０.５８％、表面抵
抗は５×１０6Ω／□と良好な性能を示す反射防止膜が
得られた。
ル溶液（７ｗｔ％）１００ｍｌにＨ2Ｏ のエタノール溶
液(２ｗｔ％）５ｍｌを加えた。ついで、ＨＮＯ3のエタ
ノール溶液(０.１ｗｔ％）１ｍｌを加え、溶液を１０分
間かくはんした。この溶液を液晶パネル最表面に回転数
３００rpm でスピンコーティングした。５０℃で１０分
間乾燥し、ついで実施例１で作製したＳｉＯ2 ゾル溶液
を液晶パネル最表面に回転数３００rpm でスピンコーテ
ィングした。この膜上に２５４ｎｍ，１８４ｎｍの光を
１０分間照射した。この光照射の際のパネル温度は９０
℃とした。表面の硬さは鉛筆強度で４Ｈと偏光膜の硬度
よりも向上した。また、この膜の表面反射率（５°正反
射）は、５７０ｎｍで０.５２％と低い、性能の良い反
射防止膜が得られた。 （実施例６）Ｓｎ(ＯＣ4Ｈ9)4 のイソプロピルアルコー
ル溶液（７ｗｔ％）１００ｍｌにＳｂ(ＯＣ3Ｈ7)3 のイ
ソプロピルアルコール溶液（７ｗｔ％）１０ｍｌを添加
してかくはんした。この溶液にＨ2Ｏ のイソプロピルア
ルコール溶液（２ｗｔ％）を５ｍｌを加えた。ついで、
ＨＮＯ3 のエタノール溶液(０.１ｗｔ％）１ｍｌを加
え、溶液を１０分間かくはんした。この溶液を液晶パネ
ル最表面に回転数300rpm でスピンコーティングした。
５０℃で１０分間乾燥し、ついで実施例１で作製したＳ
ｉＯ2 ゾル溶液を液晶パネル最表面に回転数３００rpm
でスピンコーティングした。この膜上に２５４ｎｍ，１
８４ｎｍの光を１０分間照射した。この光照射の際のパ
ネル温度は９０℃とした。表面の硬さは鉛筆強度で４Ｈ
と偏光膜の硬度よりも向上した。また、この膜の表面反
射率(５°正反射)は、５７０ｎｍで０.５８％、表面抵
抗は５×１０6Ω／□と良好な性能を示す反射防止膜が
得られた。
【００２０】（実施例７）Ｉｎ(ＯＣ3Ｈ7)3 のイソプロ
ピルアルコール溶液（７ｗｔ％）１００ｍｌにＳｎ(Ｏ
Ｃ3Ｈ7)4 のイソプロピルアルコール溶液（７ｗｔ％）
１５ｍｌを添加してかくはんした。この溶液にＨ2Ｏ の
イソプロピルアルコール溶液（２ｗｔ％）を５ｍｌを加
えた。ついで、ＨＮＯ3 のエタノール溶液(０.１ｗｔ
％）１ｍｌを加え、溶液を１０分間かくはんした。この
溶液を液晶パネル最表面に回転数300rpm でスピンコー
ティングした。５０℃で１０分間乾燥し、ついで実施例
１で作製したＳｉＯ2 ゾル溶液を液晶パネル最表面に回
転数３００rpm でスピンコーティングした。この膜上に
２５４ｎｍ，１８４ｎｍの光を１０分間照射した。この
光照射の際のパネル温度は９０℃とした。表面の硬さは
鉛筆強度で５Ｈと偏光膜の硬度よりも向上した。また、
この膜の表面反射率(５°正反射)は、５７０ｎｍで０.
４７％、表面抵抗は８×１０5Ω／□と良好な性能を示
す反射帯電防止膜が得られた。
ピルアルコール溶液（７ｗｔ％）１００ｍｌにＳｎ(Ｏ
Ｃ3Ｈ7)4 のイソプロピルアルコール溶液（７ｗｔ％）
１５ｍｌを添加してかくはんした。この溶液にＨ2Ｏ の
イソプロピルアルコール溶液（２ｗｔ％）を５ｍｌを加
えた。ついで、ＨＮＯ3 のエタノール溶液(０.１ｗｔ
％）１ｍｌを加え、溶液を１０分間かくはんした。この
溶液を液晶パネル最表面に回転数300rpm でスピンコー
ティングした。５０℃で１０分間乾燥し、ついで実施例
１で作製したＳｉＯ2 ゾル溶液を液晶パネル最表面に回
転数３００rpm でスピンコーティングした。この膜上に
２５４ｎｍ，１８４ｎｍの光を１０分間照射した。この
光照射の際のパネル温度は９０℃とした。表面の硬さは
鉛筆強度で５Ｈと偏光膜の硬度よりも向上した。また、
この膜の表面反射率(５°正反射)は、５７０ｎｍで０.
４７％、表面抵抗は８×１０5Ω／□と良好な性能を示
す反射帯電防止膜が得られた。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、偏光膜上の帯電の無
い、表面反射の抑えられた、また、表面強度の強い高性
能な液晶表示装置が得られる。
い、表面反射の抑えられた、また、表面強度の強い高性
能な液晶表示装置が得られる。
【図１】本発明による液晶表示素子の断面図。
【図２】本発明による液晶表示素子の反射率曲線を表す
図。
図。
１…反射防止膜、２…帯電防止膜、３…偏光膜（積層膜
を形成するもの）、４…ガラス基板、５…カラーフィル
タ(Ｒ，Ｂ，Ｇ)、６…有機保護膜、７…ＩＴＯ膜、８…
層間絶縁膜、９…配向膜、１０…液晶、１１…ＩＴＯ
（９０℃光照射あり）、１２…ＩＴＯ（９０℃光照射な
し）、１３…偏光膜（積層膜を形成しないもの）、１４
…反射防止膜付き偏光膜。
を形成するもの）、４…ガラス基板、５…カラーフィル
タ(Ｒ，Ｂ，Ｇ)、６…有機保護膜、７…ＩＴＯ膜、８…
層間絶縁膜、９…配向膜、１０…液晶、１１…ＩＴＯ
（９０℃光照射あり）、１２…ＩＴＯ（９０℃光照射な
し）、１３…偏光膜（積層膜を形成しないもの）、１４
…反射防止膜付き偏光膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前川 幸子 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 高橋 研 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 斉藤 健 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 佐々木 賢 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内
Claims (22)
- 【請求項１】偏光膜の最表面に無機質膜を形成したこと
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】基板上に透明電極，絶縁膜，配向膜，偏光
膜を順次積層した液晶表示装置であって、該偏光膜の最
表面に無機質膜を形成したことを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項３】偏光膜の最表面に無機質膜を形成した液晶
表示装置であって、該無機質膜中における珪素の欠陥数
が１０10〜１０14個／cm3 であることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項４】偏光膜の最表面に無機質膜を形成した液晶
表示装置であって、該無機質膜の表面抵抗が１０9Ω／
□ 以下であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】偏光膜の最表面に無機質膜を形成した液晶
表示装置であって、該偏光膜の上層に低屈折率，下層に
高屈折率の該無機質膜を積層あるいはこの積層膜を多層
に積み上げたことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】請求項１ないし５のいずれかに記載の該無
機質膜が帯電防止膜，反射防止膜，反射帯電防止膜の少
なくとも１つであることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】請求項１ないし５のいずれかに記載の該無
機質膜が酸化物であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】請求項１ないし５のいずれかに記載の該無
機質膜は、酸化物薄膜の積層膜であることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項９】請求項１ないし５のいずれかに記載の該無
機質膜は、導電性微粒子を含有することを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項１０】請求項１ないし５のいずれかに記載の該
無機質膜の鉛筆硬度が２Ｈ以上であることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項１１】ゾルゲル法により、Ｍ(ＯＲ)n （Ｍ：金
属，Ｒ：低級アルキル基，ｎ：整数）で示される金属ア
ルコキシド溶液の塗膜を形成する塗膜工程と、該塗膜を
光処理して硬化する硬化工程とを含むことを特徴とする
無機質膜を有する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】ゾルゲル法により、Ｍ(ＯＲ)n （Ｍ：金
属，Ｒ：低級アルキル基，ｎ：整数）で示される金属ア
ルコキシド溶液の塗膜を形成する塗膜工程と、該塗膜を
熱処理した後に光処理して硬化する硬化工程とを含むこ
とを特徴とする無機質膜を有する液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項１３】ゾルゲル法により、Ｍ(ＯＲ)n （Ｍ：金
属，Ｒ：低級アルキル基，ｎ：整数）で示される金属ア
ルコキシド溶液の塗膜を形成する塗膜工程と、該塗膜を
熱処理と同時に光処理して硬化する硬化工程とを含むこ
とを特徴とする無機質膜を有する液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項１４】請求項１１ないし１３のいずれかに記載
の該光処理は紫外光照射であることを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項１５】請求項１１あるいは１３のいずれかに記
載の該液晶表示装置の製造方法において、該光処理する
際の基板の加熱温度は１１０℃以下であることを特徴と
する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１６】請求項１１あるいは１３のいずれかに記
載の該液晶表示装置の製造方法において、該無機質膜が
反射防止膜，帯電防止膜あるいは反射帯電防止膜のいず
れかであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１７】偏光膜に無機質膜形成用液を塗布する塗
布手段と、 前記溶液塗布後の液晶表示装置を移送する移送手段と、 前記塗膜を光硬化する光照射手段を備えていることを特
徴とする液晶表示装置の製造装置。 - 【請求項１８】偏光膜に無機質膜形成用液を塗布する塗
布手段と、 前記溶液塗布後の液晶表示装置を移送する移送手段と、 前記塗膜を加熱する加熱手段と、 前記塗膜を光硬化する光照射手段を備えていることを特
徴とする液晶表示装置の製造装置。 - 【請求項１９】偏光膜に無機質膜形成用液を塗布する塗
布手段と、 前記溶液塗布後の液晶表示装置を移送する移送手段と、 前記塗膜を加熱する加熱手段と、 前記塗膜を熱処理すると同時に、前記塗膜を光硬化する
光照射手段を備えていることを特徴とする液晶表示装置
の製造装置。 - 【請求項２０】請求項１７ないし１９のいずれかに記載
の該塗布手段はゾルゲル法により、Ｍ(ＯＲ)n （Ｍ：金
属，Ｒ：低級アルキル基，ｎ：整数）で示される金属ア
ルコキシド溶液の塗膜を形成することを特徴とする液晶
表示装置の製造装置。 - 【請求項２１】請求項１７ないし１９のいずれかに記載
の該光照射手段は紫外光を照射することを特徴とする液
晶表示装置の製造装置。 - 【請求項２２】請求項１７あるいは１９のいずれかに記
載の該光照射手段の基板の加熱温度は１１０℃以下であ
ることを特徴とする液晶表示装置の製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7111505A JPH08301633A (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR1019960015166A KR960042157A (ko) | 1995-05-10 | 1996-05-09 | 액정표시장치, 그의 제조방법 및 제조장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7111505A JPH08301633A (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08301633A true JPH08301633A (ja) | 1996-11-19 |
Family
ID=14563014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7111505A Pending JPH08301633A (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08301633A (ja) |
| KR (1) | KR960042157A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7534831B2 (en) * | 2002-03-22 | 2009-05-19 | Northern Illinois University | Conductive emulsion for preparing surface for powder coating |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004021036A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Jsr Corp | 反射防止膜およびそれを有する表示素子 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6267515A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Fujitsu Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH05188388A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-30 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH0651121A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Nitto Denko Corp | 偏光板及び楕円偏光板 |
| JPH06148621A (ja) * | 1992-11-05 | 1994-05-27 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPH06194640A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH06289227A (ja) * | 1993-04-06 | 1994-10-18 | Oike Ind Co Ltd | 液晶表示画面用偏光フイルム |
| JP3009022U (ja) * | 1994-09-14 | 1995-03-28 | 日本合成化学工業株式会社 | 積層構造体 |
-
1995
- 1995-05-10 JP JP7111505A patent/JPH08301633A/ja active Pending
-
1996
- 1996-05-09 KR KR1019960015166A patent/KR960042157A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6267515A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Fujitsu Ltd | 液晶表示素子 |
| JPH05188388A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-30 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH0651121A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Nitto Denko Corp | 偏光板及び楕円偏光板 |
| JPH06148621A (ja) * | 1992-11-05 | 1994-05-27 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPH06194640A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH06289227A (ja) * | 1993-04-06 | 1994-10-18 | Oike Ind Co Ltd | 液晶表示画面用偏光フイルム |
| JP3009022U (ja) * | 1994-09-14 | 1995-03-28 | 日本合成化学工業株式会社 | 積層構造体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7534831B2 (en) * | 2002-03-22 | 2009-05-19 | Northern Illinois University | Conductive emulsion for preparing surface for powder coating |
| US7749607B2 (en) * | 2002-03-22 | 2010-07-06 | Northern Illinois University | Conductive emulsion for preparing surface for powder coating |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960042157A (ko) | 1996-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5019014B2 (ja) | 反射防止膜及び反射防止膜の形成方法並びに反射防止ガラス | |
| JP3657869B2 (ja) | 低反射部材 | |
| JP4827223B2 (ja) | 偏光制御素子 | |
| JP2001209038A (ja) | 液晶表示素子用基板 | |
| TWI225938B (en) | Anti-static anti-reflective film | |
| JPH07502840A (ja) | 向上した電極を含む光変調装置 | |
| JPH0798414A (ja) | 偏光板および偏光板の製造方法 | |
| JP3255638B1 (ja) | 反射型液晶表示素子用基板 | |
| JPH0792307A (ja) | 画像表示装置の反射防止膜製造方法 | |
| JPH08301633A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH10146929A (ja) | 透明ガスバリアー性積層フィルム | |
| JP4889135B2 (ja) | 反射防止膜フィルム | |
| JP3914011B2 (ja) | 液晶表示セルおよび該液晶表示セル用塗布液 | |
| JP3983366B2 (ja) | 透明導電性フィルム用基板 | |
| WO2004108845A1 (ja) | 透明被膜形成用塗布液、該被膜付基材および液晶表示セル | |
| JP3667933B2 (ja) | 透明電極基板及びそれを用いた液晶表示素子 | |
| JP2004050565A (ja) | 薄膜シート状基板 | |
| JP3491952B2 (ja) | 無機質組成物の製造方法、積層体の製造方法及びペン入力パネル用保護材料の製造方法 | |
| JP4744657B2 (ja) | 透明イオンゲッター膜形成用塗布液、被膜付基材および液晶表示セル | |
| JP2002139603A (ja) | 低反射基板の製造方法、低反射基板、透明電極基板及び抵抗膜式透明タッチパネル | |
| JPH10104402A (ja) | 反射帯電防止膜およびそれを用いた表示装置 | |
| JP2003186004A (ja) | 凸状膜の形成方法 | |
| Ohishi | Preparation and properties of anti-reflection/anti-static thin films formed on organic film by photo-assisted sol–gel method | |
| JPH08211376A (ja) | 透明積層フィルム | |
| JPH09174747A (ja) | 透明導電フィルム |