JPH08293728A - Ｍｍｉｃ電圧制御発振器 - Google Patents
Ｍｍｉｃ電圧制御発振器Info
- Publication number
- JPH08293728A JPH08293728A JP11898395A JP11898395A JPH08293728A JP H08293728 A JPH08293728 A JP H08293728A JP 11898395 A JP11898395 A JP 11898395A JP 11898395 A JP11898395 A JP 11898395A JP H08293728 A JPH08293728 A JP H08293728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mmic
- circuit
- resonator
- voltage controlled
- controlled oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来のＭＭＩＣ電圧制御発振器は、外部共振
回路にチューニング回路を形成しており、そのため接続
される外部回路が大きくなり、作成のための工程数や部
品点数が多くなる。この問題を解決する。 【構成】 チューニング回路をＭＭＩＣ内部に組み込
み、共振器を構成するマイクロストリップ共振線路また
は誘電体共振子のみをＭＭＩＣの外部回路上に構成する
こととした。また、チューニング回路は、ＭＭＩＣ内部
のＦＥＴなどの能動素子を可変容量素子として用いる構
成とした。
回路にチューニング回路を形成しており、そのため接続
される外部回路が大きくなり、作成のための工程数や部
品点数が多くなる。この問題を解決する。 【構成】 チューニング回路をＭＭＩＣ内部に組み込
み、共振器を構成するマイクロストリップ共振線路また
は誘電体共振子のみをＭＭＩＣの外部回路上に構成する
こととした。また、チューニング回路は、ＭＭＩＣ内部
のＦＥＴなどの能動素子を可変容量素子として用いる構
成とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波を発生させ
るＭＭＩＣ(monolithic microwave ＩＣ) 電圧制御発振
器、さらに詳しくは外部共振回路を用いるＭＭＩＣ電圧
制御発振器に関する。
るＭＭＩＣ(monolithic microwave ＩＣ) 電圧制御発振
器、さらに詳しくは外部共振回路を用いるＭＭＩＣ電圧
制御発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のこの種のＭＭＩＣ電圧制
御発振器（以下、ＭＭＩＣ−ＶＣＯと略記する）の構成
を説明するための図であり、図２（Ａ）はマイクロスト
リップ共振線路型のＭＭＩＣ−ＶＣＯ、図２（Ｂ）は誘
電体共振型のＭＭＩＣ−ＶＣＯを示す。図において、１
は発振素子となるＭＭＩＣ、２は外部共振回路を構成す
る誘電体基板、３はマイクロストリップ共振線路、４は
誘電体共振子、５は周波数変調を行うためのチューニン
グ回路、６はチューニング回路に設けられているチュー
ニング用ダイオード、７は誘電体共振子の接地を行うた
めの接地グランドである。
御発振器（以下、ＭＭＩＣ−ＶＣＯと略記する）の構成
を説明するための図であり、図２（Ａ）はマイクロスト
リップ共振線路型のＭＭＩＣ−ＶＣＯ、図２（Ｂ）は誘
電体共振型のＭＭＩＣ−ＶＣＯを示す。図において、１
は発振素子となるＭＭＩＣ、２は外部共振回路を構成す
る誘電体基板、３はマイクロストリップ共振線路、４は
誘電体共振子、５は周波数変調を行うためのチューニン
グ回路、６はチューニング回路に設けられているチュー
ニング用ダイオード、７は誘電体共振子の接地を行うた
めの接地グランドである。
【０００３】図２に示すように従来のＭＭＩＣ−ＶＣＯ
では、位相雑音を低く抑えるため、その共振器は、ＭＭ
ＩＣ１の外部にＱ（Ｑ−sensitivity ）の高いマイクロ
ストリップ共振線路３や誘電体共振子４を外部共振回路
として接続し、この外部共振回路を構成する誘電体基板
２上にチューニング回路を設けている。すなわち、図２
（Ａ）に示すマイクロストリップ共振線路型のＭＭＩＣ
−ＶＣＯでは、誘電体基板２上に、マイクロストリップ
共振線路３とチューニング回路５とチューニング用ダイ
オード６とを設け、マイクロストリップ共振線路３の線
路長を所望の周波数で共振するように設定し、周波数変
調はこの共振線路３に結合されたチューニング用のバラ
クタ−ダイオード６により行う。
では、位相雑音を低く抑えるため、その共振器は、ＭＭ
ＩＣ１の外部にＱ（Ｑ−sensitivity ）の高いマイクロ
ストリップ共振線路３や誘電体共振子４を外部共振回路
として接続し、この外部共振回路を構成する誘電体基板
２上にチューニング回路を設けている。すなわち、図２
（Ａ）に示すマイクロストリップ共振線路型のＭＭＩＣ
−ＶＣＯでは、誘電体基板２上に、マイクロストリップ
共振線路３とチューニング回路５とチューニング用ダイ
オード６とを設け、マイクロストリップ共振線路３の線
路長を所望の周波数で共振するように設定し、周波数変
調はこの共振線路３に結合されたチューニング用のバラ
クタ−ダイオード６により行う。
【０００４】また、図２（Ｂ）に示す誘電体共振型のＭ
ＭＩＣ−ＶＣＯでは、誘電体基板２上に誘電体共振子４
とチューニング回路５とチューニング用ダイオード６と
接地グランドパターン７とを設け、所望の周波数で共振
する誘電体共振子４を基板２上のスルホール等で接地さ
れたパターン７上に実装し、周波数変調は接続線路に結
合されたチューニング用ダイオード６により行う。
ＭＩＣ−ＶＣＯでは、誘電体基板２上に誘電体共振子４
とチューニング回路５とチューニング用ダイオード６と
接地グランドパターン７とを設け、所望の周波数で共振
する誘電体共振子４を基板２上のスルホール等で接地さ
れたパターン７上に実装し、周波数変調は接続線路に結
合されたチューニング用ダイオード６により行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＭＭＩＣ−ＶＣ
Ｏでは、マイクロストリップ共振線路や誘電体振動子の
他に、周波数変調のためのチューニング回路を外部共振
回路上に形成しているため、ＭＭＩＣに接続する外部基
板が大きくなり、またチューニング用ダイオードを外部
共振回路作成時に取り付ける必要があるため、その手間
が繁雑でコスト高となり、さらに部品接続箇所が多くな
るため安定性が悪くなる等の問題点があった。
Ｏでは、マイクロストリップ共振線路や誘電体振動子の
他に、周波数変調のためのチューニング回路を外部共振
回路上に形成しているため、ＭＭＩＣに接続する外部基
板が大きくなり、またチューニング用ダイオードを外部
共振回路作成時に取り付ける必要があるため、その手間
が繁雑でコスト高となり、さらに部品接続箇所が多くな
るため安定性が悪くなる等の問題点があった。
【０００６】本発明はかかる問題点を解決するためにな
されたものであり、共振器のＱを低下させることなく、
小型，低価格で作成が容易なＭＭＩＣ−ＶＣＯを提供す
ることを目的としている。
されたものであり、共振器のＱを低下させることなく、
小型，低価格で作成が容易なＭＭＩＣ−ＶＣＯを提供す
ることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係わるＭＭＩＣ
−ＶＣＯは、周波数変調のためのチューニング回路をＭ
ＭＩＣ内部に組み込み、共振器を構成するマイクロスト
リップ共振線路または誘電体共振子のみをＭＭＩＣの外
部回路上に形成することとした。また、チューニング回
路は、ＭＭＩＣ内部のＦＥＴなどの能動素子を可変容量
素子として用いる構成とした。
−ＶＣＯは、周波数変調のためのチューニング回路をＭ
ＭＩＣ内部に組み込み、共振器を構成するマイクロスト
リップ共振線路または誘電体共振子のみをＭＭＩＣの外
部回路上に形成することとした。また、チューニング回
路は、ＭＭＩＣ内部のＦＥＴなどの能動素子を可変容量
素子として用いる構成とした。
【０００８】
【作用】Ｑの低下が問題となるのは共振器を構成するマ
イクロストリップ共振線路または誘電体共振子が主要因
であり、従ってこれらのマイクロストリップ共振線路ま
たは誘電体共振子のみを外部回路とすることで、外部回
路基板を小型化できる。一方、チューニング回路をＭＭ
ＩＣ内に形成することとすれば、ＭＭＩＣ内部のＦＥＴ
などの能動素子で構成できることになる。
イクロストリップ共振線路または誘電体共振子が主要因
であり、従ってこれらのマイクロストリップ共振線路ま
たは誘電体共振子のみを外部回路とすることで、外部回
路基板を小型化できる。一方、チューニング回路をＭＭ
ＩＣ内に形成することとすれば、ＭＭＩＣ内部のＦＥＴ
などの能動素子で構成できることになる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を基に説明す
る。図１は本発明のＭＭＩＣ−ＶＣＯの一実施例を示す
図であり、図１（Ａ）はマイクロストリップ共振線路型
のＭＭＩＣ−ＶＣＯ、図１（Ｂ）は誘電体共振型のＭＭ
ＩＣ−ＶＣＯを示す。図において、１は発振素子および
チューニング回路を内蔵させたＭＭＩＣ、２は外部共振
回路を構成する誘電体基板、３はマイクロストリップ共
振線路、４は誘電体共振子である。
る。図１は本発明のＭＭＩＣ−ＶＣＯの一実施例を示す
図であり、図１（Ａ）はマイクロストリップ共振線路型
のＭＭＩＣ−ＶＣＯ、図１（Ｂ）は誘電体共振型のＭＭ
ＩＣ−ＶＣＯを示す。図において、１は発振素子および
チューニング回路を内蔵させたＭＭＩＣ、２は外部共振
回路を構成する誘電体基板、３はマイクロストリップ共
振線路、４は誘電体共振子である。
【００１０】図１に示すＭＭＩＣ１には、ＭＭＩＣ作成
時に発振素子の他にＦＥＴ等の能動素子を用いてチュー
ニング回路が形成されており（図示せず）、従ってＭＭ
ＩＣ−ＶＣＯ作成時には、共振器となるマイクロストリ
ップ共振線路３または誘電体共振子４のみを外部共振回
路として接続すれば良いことになる。マイクロストリッ
プ共振線路３または誘電体共振子４と、ＭＭＩＣ１との
接続は、ワイヤーボンディングあるいはリボンボンディ
ングにより行う。従って、共振器となるマイクロストリ
ップ共振線路３または誘電体共振子４は外部共振回路と
しているため、共振回路のＱは低下せず、且つ、ＭＭＩ
Ｃ−ＶＣＯ作成時にチューニング回路を新たに作成する
必要がなくなる。
時に発振素子の他にＦＥＴ等の能動素子を用いてチュー
ニング回路が形成されており（図示せず）、従ってＭＭ
ＩＣ−ＶＣＯ作成時には、共振器となるマイクロストリ
ップ共振線路３または誘電体共振子４のみを外部共振回
路として接続すれば良いことになる。マイクロストリッ
プ共振線路３または誘電体共振子４と、ＭＭＩＣ１との
接続は、ワイヤーボンディングあるいはリボンボンディ
ングにより行う。従って、共振器となるマイクロストリ
ップ共振線路３または誘電体共振子４は外部共振回路と
しているため、共振回路のＱは低下せず、且つ、ＭＭＩ
Ｃ−ＶＣＯ作成時にチューニング回路を新たに作成する
必要がなくなる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＭＭＩＣ−
ＶＣＯは、共振回路のＱを低下させることなく、小型で
位相雑音の低いＶＣＯが実現できる。また、ＭＭＩＣ−
ＶＣＯ作成時にチューニング用ダイオード等が不要とな
り、ワイヤーボンディング等の工数や部品点数の削減が
図れ、コストの低減が図れる等の効果がある。
ＶＣＯは、共振回路のＱを低下させることなく、小型で
位相雑音の低いＶＣＯが実現できる。また、ＭＭＩＣ−
ＶＣＯ作成時にチューニング用ダイオード等が不要とな
り、ワイヤーボンディング等の工数や部品点数の削減が
図れ、コストの低減が図れる等の効果がある。
【図１】本発明の一実施例を説明するための図である。
【図２】従来のこの種のＭＭＩＣ電圧制御発振器を説明
するための図である。
するための図である。
１ ＭＭＩＣ ２ 誘電体基板 ３ マイクロストリップ共振線路 ４ 誘電体共振子
Claims (4)
- 【請求項１】 ＭＭＩＣ(monolithic microwave ＩＣ)
で構成される発振器と共振器と周波数変調を行うための
チューニング回路とで構成されるＭＭＩＣ電圧制御発振
器において、 上記ＭＭＩＣ内部に上記チューニング回路を形成し、上
記共振器をこのＭＭＩＣに接続される外部共振回路で構
成したことを特徴とするＭＭＩＣ電圧制御発振器。 - 【請求項２】 上記外部共振回路にマイクロストリップ
共振線路を用いたことを特徴とする請求項第１項記載の
ＭＭＩＣ電圧制御発振器。 - 【請求項３】 上記外部共振回路に誘電体共振子を用い
たことを特徴とする請求項第１項記載のＭＭＩＣ電圧制
御発振器。 - 【請求項４】 上記チューニング回路は、ＭＭＩＣ内部
のＦＥＴなどの能動素子を可変容量素子として用いる構
成としたことを特徴とする請求項第１項〜第３項記載の
ＭＭＩＣ電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11898395A JPH08293728A (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | Ｍｍｉｃ電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11898395A JPH08293728A (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | Ｍｍｉｃ電圧制御発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08293728A true JPH08293728A (ja) | 1996-11-05 |
Family
ID=14750112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11898395A Pending JPH08293728A (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | Ｍｍｉｃ電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08293728A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6606006B1 (en) | 1999-09-08 | 2003-08-12 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Oscillator on optimized semiconducting substrate |
| EP2009784A2 (en) | 2007-06-18 | 2008-12-31 | Hitachi Ltd. | Dielectric resonator oscillator and radar system using the same |
-
1995
- 1995-04-21 JP JP11898395A patent/JPH08293728A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6606006B1 (en) | 1999-09-08 | 2003-08-12 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Oscillator on optimized semiconducting substrate |
| EP2009784A2 (en) | 2007-06-18 | 2008-12-31 | Hitachi Ltd. | Dielectric resonator oscillator and radar system using the same |
| US7898347B2 (en) | 2007-06-18 | 2011-03-01 | Hitachi, Ltd. | Dielectric resonator oscillator and radar system using the same |
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