JPH1174727A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
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- JPH1174727A JPH1174727A JP9231205A JP23120597A JPH1174727A JP H1174727 A JPH1174727 A JP H1174727A JP 9231205 A JP9231205 A JP 9231205A JP 23120597 A JP23120597 A JP 23120597A JP H1174727 A JPH1174727 A JP H1174727A
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- transistor
- capacitor
- controlled oscillator
- circuit
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｃ／Ｎ特性を向上でき、かつ、小型化が可
能な電圧制御発振器を提供する。 【解決手段】 共振回路１１は、コンデンサＣ１と、可
変容量ダイオードＶＤと、一端が接地されたストリップ
ラインからなる共振器Ｓとを備える。発振回路１２は、
発振用トランジスタＱ１と、バイアス抵抗Ｒ１，Ｒ２，
Ｒ３と、コルピッツ容量Ｃ４，Ｃ５と、高周波バイパス
コンデンサＣ６と、一端がバイアス抵抗Ｒ３に直列に接
続され他端が接地されるチップコンデンサＣｃとを備え
る。そして、発振回路１２のバイアス抵抗Ｒ３とチップ
コンデンサＣｃとの接続部が、共振回路１１内のストリ
ップラインからなる共振器Ｓと接続線Ｌを介して接続さ
れることにより、発振回路１２の発振用トランジスタＱ
１のエミッタは、バイアス抵抗Ｒ３と共振器Ｓを介して
接地されるもので、共振器ＳとチップコンデンサＣｃと
により並列共振回路が構成される。
能な電圧制御発振器を提供する。 【解決手段】 共振回路１１は、コンデンサＣ１と、可
変容量ダイオードＶＤと、一端が接地されたストリップ
ラインからなる共振器Ｓとを備える。発振回路１２は、
発振用トランジスタＱ１と、バイアス抵抗Ｒ１，Ｒ２，
Ｒ３と、コルピッツ容量Ｃ４，Ｃ５と、高周波バイパス
コンデンサＣ６と、一端がバイアス抵抗Ｒ３に直列に接
続され他端が接地されるチップコンデンサＣｃとを備え
る。そして、発振回路１２のバイアス抵抗Ｒ３とチップ
コンデンサＣｃとの接続部が、共振回路１１内のストリ
ップラインからなる共振器Ｓと接続線Ｌを介して接続さ
れることにより、発振回路１２の発振用トランジスタＱ
１のエミッタは、バイアス抵抗Ｒ３と共振器Ｓを介して
接地されるもので、共振器ＳとチップコンデンサＣｃと
により並列共振回路が構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、入力電圧値により
出力信号の周波数を制御する電圧制御発振器に関し、特
に、Ｃ／Ｎ特性を向上させた電圧制御発振器に関するも
のである。
出力信号の周波数を制御する電圧制御発振器に関し、特
に、Ｃ／Ｎ特性を向上させた電圧制御発振器に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】Ｃ／Ｎ特性を向上することを目的とした
従来の電圧制御発振器として、特開平８−１４８９３３
号公報に開示されたものがあり、それを、図３を用いて
説明する。
従来の電圧制御発振器として、特開平８−１４８９３３
号公報に開示されたものがあり、それを、図３を用いて
説明する。
【０００３】電圧制御発振器は、たとえば、９００ＭＨ
ｚ帯の移動体通信装置に用いられ、大略的には、コント
ロール端子Ｃと、出力端子Ｐと、コントロール端子Ｃに
印加される制御電圧Ｖｃによって共振周波数が変化する
共振回路１と、この共振回路１の共振周波数で発振周波
数が決定される発振回路２と、この発振回路２から出力
される信号を増幅するとともに、負荷変動によって発振
回路２での発振周波数が変動するのを防止するためのバ
ッファ回路３と、出力端子Ｐに接続される外部の回路
（図示せず）との整合をとるとともに、高調波を抑制す
るための出力整合回路４とを備えて構成される。このよ
うな電圧制御発振器の各回路は、たとえば、回路パター
ンが印刷されているセラミックシートを複数枚積層して
同時焼成して得られる多層回路基板上およびその内部
に、後述する複数の電子部品機能を搭載することにより
形成されている。
ｚ帯の移動体通信装置に用いられ、大略的には、コント
ロール端子Ｃと、出力端子Ｐと、コントロール端子Ｃに
印加される制御電圧Ｖｃによって共振周波数が変化する
共振回路１と、この共振回路１の共振周波数で発振周波
数が決定される発振回路２と、この発振回路２から出力
される信号を増幅するとともに、負荷変動によって発振
回路２での発振周波数が変動するのを防止するためのバ
ッファ回路３と、出力端子Ｐに接続される外部の回路
（図示せず）との整合をとるとともに、高調波を抑制す
るための出力整合回路４とを備えて構成される。このよ
うな電圧制御発振器の各回路は、たとえば、回路パター
ンが印刷されているセラミックシートを複数枚積層して
同時焼成して得られる多層回路基板上およびその内部
に、後述する複数の電子部品機能を搭載することにより
形成されている。
【０００４】共振回路１は、カップリングコンデンサＣ
１と、可変容量ダイオードＶＤと、共振用インダクタＬ
１と、共振用コンデンサＣ２とを備える。コントロール
端子Ｃに印加された制御電圧Ｖｃは、チョークコイルＬ
２を介して可変容量ダイオードＶＤに与えられる。な
お。コントロール端子Ｃは、高周波バイパスコンデンサ
Ｃ３によって高周波的に接地されている。
１と、可変容量ダイオードＶＤと、共振用インダクタＬ
１と、共振用コンデンサＣ２とを備える。コントロール
端子Ｃに印加された制御電圧Ｖｃは、チョークコイルＬ
２を介して可変容量ダイオードＶＤに与えられる。な
お。コントロール端子Ｃは、高周波バイパスコンデンサ
Ｃ３によって高周波的に接地されている。
【０００５】発振回路２は、能動素子としての発振用ト
ランジスタＱ１と、バイアス抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３と、
コルピッツ容量Ｃ４，Ｃ５と、高周波バイパスコンデン
サＣ６と、バイアス抵抗Ｒ３に直列に接続されるストリ
ップラインＳＬと、ストリップラインＳＬに並列に接続
されるチップコンデンサＣｃとを備え、ストリップライ
ンＳＬとチップコンデンサＣｃとにより並列共振回路を
構成する。発振回路２は、カップリングコンデンサＣ７
を介して共振回路１と接続されている。また、バイアス
抵抗Ｒ３は、発振用トランジスタＱ１の電流出力端子と
してのエミッタの直流バイアスを規定する。
ランジスタＱ１と、バイアス抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３と、
コルピッツ容量Ｃ４，Ｃ５と、高周波バイパスコンデン
サＣ６と、バイアス抵抗Ｒ３に直列に接続されるストリ
ップラインＳＬと、ストリップラインＳＬに並列に接続
されるチップコンデンサＣｃとを備え、ストリップライ
ンＳＬとチップコンデンサＣｃとにより並列共振回路を
構成する。発振回路２は、カップリングコンデンサＣ７
を介して共振回路１と接続されている。また、バイアス
抵抗Ｒ３は、発振用トランジスタＱ１の電流出力端子と
してのエミッタの直流バイアスを規定する。
【０００６】バッファ回路３は、バッファ用トランジス
タＱ２と、バイアス抵抗Ｒ４，Ｒ５を備える。バッファ
回路３は、カップリングコンデンサＣ８を介して発振回
路２と接続されている。
タＱ２と、バイアス抵抗Ｒ４，Ｒ５を備える。バッファ
回路３は、カップリングコンデンサＣ８を介して発振回
路２と接続されている。
【０００７】出力整合回路４は、チョークコイルＬ３
と、カップリングコンデンサＣ１０と、高周波バイパス
コンデンサＣ１１と、出力端子Ｐとを備える。
と、カップリングコンデンサＣ１０と、高周波バイパス
コンデンサＣ１１と、出力端子Ｐとを備える。
【０００８】なお、発振用トランジスタＱ１およびバッ
ファ用トランジスタＱ２に対し駆動用電源ＶＢを印加す
る駆動用電源端子Ｂは、高周波バイパスコンデンサＣ１
２によって高周波的に接地されている。
ファ用トランジスタＱ２に対し駆動用電源ＶＢを印加す
る駆動用電源端子Ｂは、高周波バイパスコンデンサＣ１
２によって高周波的に接地されている。
【０００９】そして、制御電圧Ｖｃの値に応じて共振回
路１を構成している可変容量ダイオードＶＤの容量値を
変化させることにより、共振回路１の共振周波数が変化
し、その共振周波数で発振回路２が発振動作し、出力端
子Ｐからその出力信号が出力される。
路１を構成している可変容量ダイオードＶＤの容量値を
変化させることにより、共振回路１の共振周波数が変化
し、その共振周波数で発振回路２が発振動作し、出力端
子Ｐからその出力信号が出力される。
【００１０】ところで共振回路１のＱは、共振回路１の
負荷となる発振用トランジスタＱ１のエミッタのインピ
ーダンスに最も大きな影響を受け、エミッタのインピー
ダンスが高いほど共振回路１のＱの劣化が少なくなり、
電圧制御発振器のＣ／Ｎ特性が向上する。
負荷となる発振用トランジスタＱ１のエミッタのインピ
ーダンスに最も大きな影響を受け、エミッタのインピー
ダンスが高いほど共振回路１のＱの劣化が少なくなり、
電圧制御発振器のＣ／Ｎ特性が向上する。
【００１１】そして、このように構成された電圧制御発
振器では、ストリップラインＳＬとチップコンデンサＣ
ｃとからなる並列共振回路において、ストリップライン
ＳＬのインダクタンス値やチップコンデンサＣｃの容量
値をそれぞれ個別に変化させることにより、ストリップ
ラインＳＬとチップコンデンサＣｃとの共振周波数を所
定の周波数に合致させて、所定の周波数における発振用
トランジスタＱ１のエミッタのインピーダンスを高くす
ることにより、電圧制御発振器のＣ／Ｎ特性を向上させ
るものである。
振器では、ストリップラインＳＬとチップコンデンサＣ
ｃとからなる並列共振回路において、ストリップライン
ＳＬのインダクタンス値やチップコンデンサＣｃの容量
値をそれぞれ個別に変化させることにより、ストリップ
ラインＳＬとチップコンデンサＣｃとの共振周波数を所
定の周波数に合致させて、所定の周波数における発振用
トランジスタＱ１のエミッタのインピーダンスを高くす
ることにより、電圧制御発振器のＣ／Ｎ特性を向上させ
るものである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電圧制御発振器では、一般的に、共振回路１の共振
用インダクタＬ１はストリップライン共振器から構成さ
れている。よって、電圧制御発振器内に、共振用インダ
クタＬ１としてのストリップライン共振器と、発振回路
２のストリップラインＳＬの、２つのストリップライン
が存在することになる。
来の電圧制御発振器では、一般的に、共振回路１の共振
用インダクタＬ１はストリップライン共振器から構成さ
れている。よって、電圧制御発振器内に、共振用インダ
クタＬ１としてのストリップライン共振器と、発振回路
２のストリップラインＳＬの、２つのストリップライン
が存在することになる。
【００１３】これらのストリップラインは、多層回路基
板の回路パターンとして形成されるものであり、どちら
のストリップラインも十分な特性を得るためには、スト
リップラインとしてある程度の長さが必要となる。しか
し、ストリップラインの長さを十分確保しようとする
と、多層回路基板を大きくする必要があり、それに伴
い、電圧制御発振器自体も大型化するため、市場の電圧
制御発振器に対する小型化のニーズに対応することが困
難であった。
板の回路パターンとして形成されるものであり、どちら
のストリップラインも十分な特性を得るためには、スト
リップラインとしてある程度の長さが必要となる。しか
し、ストリップラインの長さを十分確保しようとする
と、多層回路基板を大きくする必要があり、それに伴
い、電圧制御発振器自体も大型化するため、市場の電圧
制御発振器に対する小型化のニーズに対応することが困
難であった。
【００１４】また、電圧制御発振器を構成する１枚の多
層回路基板内に、ストリップライン共振器とストリップ
ラインＬ１が存在するため、ストリップライン同士の電
気的結合が生じ、結果として共振系のＱを低下させてし
まい、Ｃ／Ｎ特性が劣化していた。
層回路基板内に、ストリップライン共振器とストリップ
ラインＬ１が存在するため、ストリップライン同士の電
気的結合が生じ、結果として共振系のＱを低下させてし
まい、Ｃ／Ｎ特性が劣化していた。
【００１５】したがって、本発明の目的は、上述の問題
点を解消するためになされたもので、Ｃ／Ｎ特性を向上
でき、かつ、小型化が可能な電圧制御発振器を提供する
ことにある。
点を解消するためになされたもので、Ｃ／Ｎ特性を向上
でき、かつ、小型化が可能な電圧制御発振器を提供する
ことにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電圧制御発振器においては、ストリップラ
インまたはマイクロストリップラインから構成され一端
が接地された共振器を有する共振回路と、発振用の能動
素子を有する発振回路とを含む電圧制御発振器であっ
て、能動素子は共振器を介して接地されてなることを特
徴としている。
に、本発明の電圧制御発振器においては、ストリップラ
インまたはマイクロストリップラインから構成され一端
が接地された共振器を有する共振回路と、発振用の能動
素子を有する発振回路とを含む電圧制御発振器であっ
て、能動素子は共振器を介して接地されてなることを特
徴としている。
【００１７】また、能動素子はトランジスタから構成さ
れ、トランジスタのエミッタには、トランジスタの電流
出力端子の直流バイアスを規定するバイアス抵抗の一端
が接続され、バイアス抵抗の他端にはコンデンサの一端
が接続され、コンデンサの他端が接地されることによ
り、トランジスタのエミッタがバイアス抵抗およびコン
デンサを介して接地されるとともに、バイアス抵抗とコ
ンデンサとの接続部が共振器と接続されることにより、
トランジスタのエミッタが共振器を介して接地されてな
ることを特徴としている。
れ、トランジスタのエミッタには、トランジスタの電流
出力端子の直流バイアスを規定するバイアス抵抗の一端
が接続され、バイアス抵抗の他端にはコンデンサの一端
が接続され、コンデンサの他端が接地されることによ
り、トランジスタのエミッタがバイアス抵抗およびコン
デンサを介して接地されるとともに、バイアス抵抗とコ
ンデンサとの接続部が共振器と接続されることにより、
トランジスタのエミッタが共振器を介して接地されてな
ることを特徴としている。
【００１８】さらに、能動素子はトランジスタから構成
され、トランジスタのエミッタには、トランジスタの電
流出力端子の直流バイアスを規定するバイアス抵抗の一
端が接続され、バイアス抵抗の他端が共振器に接続され
ることにより、トランジスタのエミッタが共振器を介し
て接地されてなること特徴としている。
され、トランジスタのエミッタには、トランジスタの電
流出力端子の直流バイアスを規定するバイアス抵抗の一
端が接続され、バイアス抵抗の他端が共振器に接続され
ることにより、トランジスタのエミッタが共振器を介し
て接地されてなること特徴としている。
【００１９】これにより、共振器としてのストリップラ
インが、従来の電圧制御発振器におけるトランジスタの
エミッタ部に設けられていたストリップラインを兼ねて
作用するため、ストリップラインの数が減少する。
インが、従来の電圧制御発振器におけるトランジスタの
エミッタ部に設けられていたストリップラインを兼ねて
作用するため、ストリップラインの数が減少する。
【００２０】また、共振器とコンデンサとで並列共振回
路を構成するもので、ストリップラインのインダクタン
ス値やコンデンサの容量値を変化させることにより、Ｃ
／Ｎ特性を向上することができる。
路を構成するもので、ストリップラインのインダクタン
ス値やコンデンサの容量値を変化させることにより、Ｃ
／Ｎ特性を向上することができる。
【００２１】さらに、ストリップラインのインダクタン
ス値を変化させてトランジスタのエミッタのインピーダ
ンスを高くすることにより、従来必要であったコンデン
サを用いることなくＣ／Ｎ特性が向上し、かつ、部品点
数が減少する。
ス値を変化させてトランジスタのエミッタのインピーダ
ンスを高くすることにより、従来必要であったコンデン
サを用いることなくＣ／Ｎ特性が向上し、かつ、部品点
数が減少する。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。本発明の第１の実施の形態
に係る電圧制御発振器を図１に示す。なお、図３に示し
た従来の電圧制御発振器と同様の構成箇所については同
一番号を付し、その説明を省略する。
を参照して詳細に説明する。本発明の第１の実施の形態
に係る電圧制御発振器を図１に示す。なお、図３に示し
た従来の電圧制御発振器と同様の構成箇所については同
一番号を付し、その説明を省略する。
【００２３】この電圧制御発振器では、従来の電圧制御
発振器とは共振回路と発振回路の構成が異なるため、こ
れらの回路について説明する。
発振器とは共振回路と発振回路の構成が異なるため、こ
れらの回路について説明する。
【００２４】共振回路１１は、カップリングコンデンサ
Ｃ１と、可変容量ダイオードＶＤと、ストリップライン
からなる共振器Ｓとを備える。ここで、共振器Ｓの一端
は接地されている。コントロール端子Ｃに印加された制
御電圧Ｖｃは、チョークコイルＬ２を介して可変容量ダ
イオードＶＤに与えられる。なお。コントロール端子Ｃ
は、高周波バイパスコンデンサＣ３によって高周波的に
接地されている。
Ｃ１と、可変容量ダイオードＶＤと、ストリップライン
からなる共振器Ｓとを備える。ここで、共振器Ｓの一端
は接地されている。コントロール端子Ｃに印加された制
御電圧Ｖｃは、チョークコイルＬ２を介して可変容量ダ
イオードＶＤに与えられる。なお。コントロール端子Ｃ
は、高周波バイパスコンデンサＣ３によって高周波的に
接地されている。
【００２５】発振回路１２は、能動素子としての発振用
トランジスタＱ１と、バイアス抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３
と、コルピッツ容量Ｃ４，Ｃ５と、高周波バイパスコン
デンサＣ６と、一端がバイアス抵抗Ｒ３に直列に接続さ
れ他端が接地されるチップコンデンサＣｃとを備える。
発振回路１２は、カップリングコンデンサＣ７を介して
共振回路１１と接続されている。また、バイアス抵抗Ｒ
３は、発振用トランジスタＱ１の電流出力端子としての
エミッタの直流バイアスを規定する。発振用トランジス
タＱ１のエミッタは、バイアス抵抗Ｒ３とチップコンデ
ンサＣｃとからなる直列回路を介して接地されている。
トランジスタＱ１と、バイアス抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３
と、コルピッツ容量Ｃ４，Ｃ５と、高周波バイパスコン
デンサＣ６と、一端がバイアス抵抗Ｒ３に直列に接続さ
れ他端が接地されるチップコンデンサＣｃとを備える。
発振回路１２は、カップリングコンデンサＣ７を介して
共振回路１１と接続されている。また、バイアス抵抗Ｒ
３は、発振用トランジスタＱ１の電流出力端子としての
エミッタの直流バイアスを規定する。発振用トランジス
タＱ１のエミッタは、バイアス抵抗Ｒ３とチップコンデ
ンサＣｃとからなる直列回路を介して接地されている。
【００２６】そして、発振回路１２のバイアス抵抗Ｒ３
とチップコンデンサＣｃとの接続部が、共振回路１１内
のストリップラインからなる共振器Ｓと接続線Ｌを介し
て接続されることにより、発振回路１２の発振用トラン
ジスタＱ１のエミッタは、バイアス抵抗Ｒ３と共振器Ｓ
を介して接地されるもので、共振器Ｓとチップコンデン
サＣｃとにより並列共振回路が構成される。
とチップコンデンサＣｃとの接続部が、共振回路１１内
のストリップラインからなる共振器Ｓと接続線Ｌを介し
て接続されることにより、発振回路１２の発振用トラン
ジスタＱ１のエミッタは、バイアス抵抗Ｒ３と共振器Ｓ
を介して接地されるもので、共振器Ｓとチップコンデン
サＣｃとにより並列共振回路が構成される。
【００２７】このように構成された電圧制御発振器で
は、ストリップラインからなる共振器Ｓが、発振用トラ
ンジスタＱ１のエミッタに接合されたストリップライン
としても機能している。この共振器Ｓとチップコンデン
サＣｃとからなる並列共振回路は、電圧制御発振器が使
用される周波数帯、たとえば、本発明の実施の形態では
９００ＭＨｚ帯で交流的に開放になるように、ストリッ
プラインの長さとチップコンデンサＣｃの容量値とが予
め決定されて構成されるものである。つまり、発振回路
１２のストリップラインからなる共振器Ｓのインダクタ
ンスやチップコンデンサＣｃの容量をそれぞれ個別に変
化させることにより、ストリップラインとチップコンデ
ンサＣｃとからなる並列共振回路の共振周波数を９００
ＭＨｚ帯に合致させて、９００ＭＨｚ帯における発振用
トランジスタＱ１のエミッタのインピーダンスを高くす
ることにより、電圧制御発振器のＣ／Ｎ特性を向上させ
るものである。
は、ストリップラインからなる共振器Ｓが、発振用トラ
ンジスタＱ１のエミッタに接合されたストリップライン
としても機能している。この共振器Ｓとチップコンデン
サＣｃとからなる並列共振回路は、電圧制御発振器が使
用される周波数帯、たとえば、本発明の実施の形態では
９００ＭＨｚ帯で交流的に開放になるように、ストリッ
プラインの長さとチップコンデンサＣｃの容量値とが予
め決定されて構成されるものである。つまり、発振回路
１２のストリップラインからなる共振器Ｓのインダクタ
ンスやチップコンデンサＣｃの容量をそれぞれ個別に変
化させることにより、ストリップラインとチップコンデ
ンサＣｃとからなる並列共振回路の共振周波数を９００
ＭＨｚ帯に合致させて、９００ＭＨｚ帯における発振用
トランジスタＱ１のエミッタのインピーダンスを高くす
ることにより、電圧制御発振器のＣ／Ｎ特性を向上させ
るものである。
【００２８】このように構成された電圧制御発振器は、
従来の電圧制御発振器と比較して、ストリップラインの
数が減少するため、回路の簡略化が達成され、電圧制御
発振器の小型化が達成される。つまり、電圧制御発振器
を構成する多層回路基板（図示せず）において、ストリ
ップライン１本分、多層回路基板中の配線パターンを簡
略化できるため、従来と比較して基板面積を縮小するこ
とが可能となる。
従来の電圧制御発振器と比較して、ストリップラインの
数が減少するため、回路の簡略化が達成され、電圧制御
発振器の小型化が達成される。つまり、電圧制御発振器
を構成する多層回路基板（図示せず）において、ストリ
ップライン１本分、多層回路基板中の配線パターンを簡
略化できるため、従来と比較して基板面積を縮小するこ
とが可能となる。
【００２９】並列共振回路として機能するストリップラ
インの長さは、バイアス抵抗Ｒ３とチップコンデンサＣ
ｃとの接続部から引き出される接続線Ｌの、ストリップ
ラインからなる共振器Ｓに接続する位置で定められるも
のであり、その接続される位置は、電圧制御発振器が使
用される周波数帯域やチップコンデンサＣｃの容量値に
よって決定される。そして、ストリップラインのみで十
分なインピーダンスが得られる場合は、図２に示すよう
に、チップコンデンサＣｃを取り除くことができ、電圧
制御発振器を構成する回路がさらに簡略化され、電圧制
御発振器の小型化が達成される。
インの長さは、バイアス抵抗Ｒ３とチップコンデンサＣ
ｃとの接続部から引き出される接続線Ｌの、ストリップ
ラインからなる共振器Ｓに接続する位置で定められるも
のであり、その接続される位置は、電圧制御発振器が使
用される周波数帯域やチップコンデンサＣｃの容量値に
よって決定される。そして、ストリップラインのみで十
分なインピーダンスが得られる場合は、図２に示すよう
に、チップコンデンサＣｃを取り除くことができ、電圧
制御発振器を構成する回路がさらに簡略化され、電圧制
御発振器の小型化が達成される。
【００３０】なお、上述の実施の形態では、共振器Ｓが
ストリップラインからなる場合について説明したが、共
振器Ｓがマイクロストリップラインから構成されてもよ
く、その場合についても同様の作用を奏することはいう
までもない。
ストリップラインからなる場合について説明したが、共
振器Ｓがマイクロストリップラインから構成されてもよ
く、その場合についても同様の作用を奏することはいう
までもない。
【００３１】また、上述の実施の形態では能動素子とし
て発振用トランジスタＱ１を用いたが、特にトランジス
タに限定されるものではなく、たとえば、ＦＥＴを用い
るようにしてもよく、用途に応じて適宜選択できるもの
である。
て発振用トランジスタＱ１を用いたが、特にトランジス
タに限定されるものではなく、たとえば、ＦＥＴを用い
るようにしてもよく、用途に応じて適宜選択できるもの
である。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、本発明による電圧制御発
振器では、共振器としてのストリップラインが、従来の
電圧制御発振器に設けられていた発振用のトランジスタ
のエミッタに接続されたストリップラインを兼ねて作用
するため、ストリップラインの数が減少し、基板面積が
縮小され、電圧制御発振器の小型化が達成される。
振器では、共振器としてのストリップラインが、従来の
電圧制御発振器に設けられていた発振用のトランジスタ
のエミッタに接続されたストリップラインを兼ねて作用
するため、ストリップラインの数が減少し、基板面積が
縮小され、電圧制御発振器の小型化が達成される。
【００３３】また、共振器とコンデンサとで並列共振回
路を構成するもので、ストリップラインのインダクタン
スやコンデンサの容量値を変化させることにより、Ｃ／
Ｎ特性を向上することができる。
路を構成するもので、ストリップラインのインダクタン
スやコンデンサの容量値を変化させることにより、Ｃ／
Ｎ特性を向上することができる。
【００３４】さらに、ストリップラインのインダクタン
スを変化させてトランジスタのエミッタのインピーダン
スを高くすることにより、従来必要であったコンデンサ
を用いることなくＣ／Ｎ特性を向上させることが可能な
上、部品点数が減少するため、コストダウンが図れると
ともに、回路が簡略化されて電圧制御発振器の小型化も
達成される。
スを変化させてトランジスタのエミッタのインピーダン
スを高くすることにより、従来必要であったコンデンサ
を用いることなくＣ／Ｎ特性を向上させることが可能な
上、部品点数が減少するため、コストダウンが図れると
ともに、回路が簡略化されて電圧制御発振器の小型化も
達成される。
【図１】本発明の実施の形態に係る電圧制御発振器の構
成を示す回路図である。
成を示す回路図である。
【図２】本発明の他の実施の形態に係る電圧制御発振器
の構成を示す回路図である。
の構成を示す回路図である。
【図３】従来の電圧制御発振器の構成を示す回路図であ
る。
る。
１１ 共振回路 １２ 発振回路 Ｑ１ 発振用トランジスタ Ｒ３ バイアス抵抗 Ｓ 共振器 Ｃｃ チップコンデンサ
Claims (3)
- 【請求項１】 ストリップラインまたはマイクロストリ
ップラインから構成され一端が接地された共振器を有す
る共振回路と、発振用の能動素子を有する発振回路と、
を含む電圧制御発振器であって、前記能動素子は、前記
共振器を介して接地されてなることを特徴とする電圧制
御発振器。 - 【請求項２】 前記能動素子はトランジスタから構成さ
れ、前記トランジスタのエミッタには、前記トランジス
タの電流出力端子の直流バイアスを規定するバイアス抵
抗の一端が接続され、前記バイアス抵抗の他端にはコン
デンサの一端が接続され、前記コンデンサの他端が接地
されることにより、前記トランジスタのエミッタが前記
バイアス抵抗および前記コンデンサを介して接地される
とともに、前記バイアス抵抗と前記コンデンサとの接続
部が前記共振器と接続されることにより、前記トランジ
スタのエミッタが前記共振器を介して接地されてなるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の電圧制御発振器。 - 【請求項３】 前記能動素子はトランジスタから構成さ
れ、前記トランジスタのエミッタには、前記トランジス
タの電流出力端子の直流バイアスを規定するバイアス抵
抗の一端が接続され、前記バイアス抵抗の他端が前記共
振器に接続されることにより、前記トランジスタのエミ
ッタが前記共振器を介して接地されてなること特徴とす
る、請求項１に記載の電圧制御発振器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23120597A JP3565245B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 電圧制御発振器 |
| US09/131,667 US6104255A (en) | 1997-08-27 | 1998-08-10 | Voltage controlled oscillator with a resonator common to a resonance circuit and an oscillation circuit and a capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23120597A JP3565245B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 電圧制御発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174727A true JPH1174727A (ja) | 1999-03-16 |
| JP3565245B2 JP3565245B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=16919995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23120597A Expired - Lifetime JP3565245B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 電圧制御発振器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6104255A (ja) |
| JP (1) | JP3565245B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100447743B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2004-09-08 | (주)쎄트렉아이 | 복수의 공진기를 포함하는 전압제어 발진 장치 |
| US7109811B2 (en) | 2003-01-31 | 2006-09-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Voltage controlled oscillator, composite module, and communication apparatus |
| US7142067B2 (en) | 2003-01-31 | 2006-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Voltage-controlled oscillator, composite module, and communication apparatus |
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|---|---|---|---|---|
| JP3196750B2 (ja) * | 1999-01-13 | 2001-08-06 | 日本電気株式会社 | 高周波発振器 |
| US6975977B2 (en) * | 2001-03-28 | 2005-12-13 | Sun Microsystems, Inc. | Low-complexity, high accuracy model of a CPU anti-resonance system |
| US8193800B2 (en) * | 2008-01-28 | 2012-06-05 | International Business Machines Corporation | Voltage controlled on-chip decoupling capacitance to mitigate power supply noise |
| US10014844B1 (en) * | 2016-12-30 | 2018-07-03 | Texas Instruments Incorporated | Band pass filter utilizing parallel resonance of BAW resonator |
| EP4020798A1 (en) | 2020-12-23 | 2022-06-29 | Carrier Corporation | Oscillator circuit comprising surface integrated waveguide resonator |
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| US5185583A (en) * | 1991-06-24 | 1993-02-09 | Motorola, Inc. | Actively biased oscillator |
| JPH08148933A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧制御型発振器 |
| US5512862A (en) * | 1995-01-23 | 1996-04-30 | Motorola, Inc. | Oscillator with improved sideband noise |
-
1997
- 1997-08-27 JP JP23120597A patent/JP3565245B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-08-10 US US09/131,667 patent/US6104255A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100447743B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2004-09-08 | (주)쎄트렉아이 | 복수의 공진기를 포함하는 전압제어 발진 장치 |
| US7109811B2 (en) | 2003-01-31 | 2006-09-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Voltage controlled oscillator, composite module, and communication apparatus |
| US7142067B2 (en) | 2003-01-31 | 2006-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Voltage-controlled oscillator, composite module, and communication apparatus |
| KR100668224B1 (ko) | 2003-01-31 | 2007-01-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전압제어 발진기, 복합 모듈, 및 통신 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6104255A (en) | 2000-08-15 |
| JP3565245B2 (ja) | 2004-09-15 |
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