JPH08288790A - 素子用基板、圧電振動装置及び弾性表面波装置 - Google Patents
素子用基板、圧電振動装置及び弾性表面波装置Info
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- JPH08288790A JPH08288790A JP7084016A JP8401695A JPH08288790A JP H08288790 A JPH08288790 A JP H08288790A JP 7084016 A JP7084016 A JP 7084016A JP 8401695 A JP8401695 A JP 8401695A JP H08288790 A JPH08288790 A JP H08288790A
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造コストを低く抑えることができる容量内
蔵型の素子用基板並びにをそれを利用した圧電振動装置
及び弾性表面波装置を提供する。 【構成】 素子用基板１０は、絶縁材料からなる絶縁性
基板１２と、絶縁性基板１２上に形成され、所定距離を
隔てて対向する導電層１４と、導電層１４間の絶縁性基
板１２上に形成された誘電体膜１６とにより構成されて
いる。対向する導電層１４と誘電体膜１６により構成さ
れる容量を内蔵している。素子用基板１０の左右の導電
層１４ｂにバンプ１８を介して圧電振動子２０が接続さ
れている。キャップ２２がエポキシ樹脂２４を介して素
子用基板１０の周囲に接続されている。
蔵型の素子用基板並びにをそれを利用した圧電振動装置
及び弾性表面波装置を提供する。 【構成】 素子用基板１０は、絶縁材料からなる絶縁性
基板１２と、絶縁性基板１２上に形成され、所定距離を
隔てて対向する導電層１４と、導電層１４間の絶縁性基
板１２上に形成された誘電体膜１６とにより構成されて
いる。対向する導電層１４と誘電体膜１６により構成さ
れる容量を内蔵している。素子用基板１０の左右の導電
層１４ｂにバンプ１８を介して圧電振動子２０が接続さ
れている。キャップ２２がエポキシ樹脂２４を介して素
子用基板１０の周囲に接続されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子素子を搭載するた
めの素子用基板、並びにそれを用いた圧電振動装置及び
弾性表面波装置に関する。
めの素子用基板、並びにそれを用いた圧電振動装置及び
弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器に対する小型化、低価格
化への要求はますます強くなってきており、そのような
電子機器に使用される電子部品に対しても小型化、低価
格化が要求されている。例えば、電子機器のクロック周
波数の基準となる水晶発振子のような圧電振動子の場
合、発振回路を形成するためには、圧電振動子の他に、
増幅器、コンデンサ、帰還抵抗を必要としている。この
ため、これら部品を別個に形成し、それぞれを接続して
発振回路を構成していた。
化への要求はますます強くなってきており、そのような
電子機器に使用される電子部品に対しても小型化、低価
格化が要求されている。例えば、電子機器のクロック周
波数の基準となる水晶発振子のような圧電振動子の場
合、発振回路を形成するためには、圧電振動子の他に、
増幅器、コンデンサ、帰還抵抗を必要としている。この
ため、これら部品を別個に形成し、それぞれを接続して
発振回路を構成していた。
【０００３】しかしながら、近年においては、マイクロ
コンピュータチップ内に発振回路用の増幅器と帰還抵抗
を内蔵し、内蔵できない圧電振動子とコンデンサとを一
体化してマイクロコンピュータチップに外付け部品とし
て接続していた。圧電振動子とコンデンサとを一体化し
た圧電振動装置として、図１２に示すものが知られてい
る（特開昭５９−１７８０１１号公報）。
コンピュータチップ内に発振回路用の増幅器と帰還抵抗
を内蔵し、内蔵できない圧電振動子とコンデンサとを一
体化してマイクロコンピュータチップに外付け部品とし
て接続していた。圧電振動子とコンデンサとを一体化し
た圧電振動装置として、図１２に示すものが知られてい
る（特開昭５９−１７８０１１号公報）。
【０００４】図１２の圧電振動装置では、アルミナ基板
５０上にＡｇ、Ａｇ・Ｐｄ等のペーストを用いた下部電
極５１が形成され、下部電極５１上にＳｉＯ2 等の誘電
体膜５２が形成され、誘電体膜５２上にＡｇ、Ａｇ・Ｐ
ｄ等のペーストを用いた上部電極５３が形成されてい
る。この上部電極５３にＡｇ、Ａｇ・Ｐｄ等のペースト
を用いたバンプ５４を介して圧電振動子５５が接続され
ている。
５０上にＡｇ、Ａｇ・Ｐｄ等のペーストを用いた下部電
極５１が形成され、下部電極５１上にＳｉＯ2 等の誘電
体膜５２が形成され、誘電体膜５２上にＡｇ、Ａｇ・Ｐ
ｄ等のペーストを用いた上部電極５３が形成されてい
る。この上部電極５３にＡｇ、Ａｇ・Ｐｄ等のペースト
を用いたバンプ５４を介して圧電振動子５５が接続され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１２
に示す従来の圧電振動装置では、下部電極５１、誘電体
膜５２、上部電極５３を形成するために、各層毎にペー
ストを塗布し、焼結するという工程が必要である。しか
も、誘電体膜５２は、多数のトーラス（ボイド、空孔）
のために単層では十分な特性の誘電体膜を形成できず、
少なくとも２層の誘電体膜の形成が必要である。図１２
には示されていないが、圧電振動装置を回路基板に表面
実装するためにアルミナ基板５０の底面にも接続電極を
形成する必要がある。
に示す従来の圧電振動装置では、下部電極５１、誘電体
膜５２、上部電極５３を形成するために、各層毎にペー
ストを塗布し、焼結するという工程が必要である。しか
も、誘電体膜５２は、多数のトーラス（ボイド、空孔）
のために単層では十分な特性の誘電体膜を形成できず、
少なくとも２層の誘電体膜の形成が必要である。図１２
には示されていないが、圧電振動装置を回路基板に表面
実装するためにアルミナ基板５０の底面にも接続電極を
形成する必要がある。
【０００６】したがって、従来の圧電振動装置を形成す
るためには、下部電極５１で１回、誘電体膜５２で２
回、上部電極５３で１回、接続電極で１回と、合計５回
もの塗布、焼結工程を必要とする。このため、製造コス
トが高くなり、部品の低価格化する上での障害になって
いた。また、誘電体基板上面にくし型電極を設けること
によりコンデンサを形成しようとする試みがなされてい
る。必要な容量を得るためには誘電体基板の誘電率が高
い強誘電体材料を用いなければならないが、強誘電体材
料は十分な強度を有しておらず、強度のある基板と張り
合わせる等の工夫が必要であった。このため、製造コス
トが高くなり、部品の低価格化する上での障害になって
いた。
るためには、下部電極５１で１回、誘電体膜５２で２
回、上部電極５３で１回、接続電極で１回と、合計５回
もの塗布、焼結工程を必要とする。このため、製造コス
トが高くなり、部品の低価格化する上での障害になって
いた。また、誘電体基板上面にくし型電極を設けること
によりコンデンサを形成しようとする試みがなされてい
る。必要な容量を得るためには誘電体基板の誘電率が高
い強誘電体材料を用いなければならないが、強誘電体材
料は十分な強度を有しておらず、強度のある基板と張り
合わせる等の工夫が必要であった。このため、製造コス
トが高くなり、部品の低価格化する上での障害になって
いた。
【０００７】本発明の目的は、製造コストを低く抑える
ことができる容量内蔵型の素子用基板を提供することに
ある。本発明の他の目的は、製造コストを低く抑え、低
価格化が可能な圧電振動装置を提供することにある。本
発明の更に他の目的は、製造コストを低く抑え、低価格
化が可能な弾性表面波装置を提供することにある。
ことができる容量内蔵型の素子用基板を提供することに
ある。本発明の他の目的は、製造コストを低く抑え、低
価格化が可能な圧電振動装置を提供することにある。本
発明の更に他の目的は、製造コストを低く抑え、低価格
化が可能な弾性表面波装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、絶縁性基板
と、前記絶縁性基板上に形成され、所定距離を隔てて対
向する導電層と、前記対向する導電層間の前記絶縁性基
板上に形成され、前記絶縁性基板よりも誘電率の大きい
誘電体膜とを有し、前記対向する導電層と前記誘電体膜
により構成される容量を内蔵していることを特徴とする
素子用基板によって達成される。
と、前記絶縁性基板上に形成され、所定距離を隔てて対
向する導電層と、前記対向する導電層間の前記絶縁性基
板上に形成され、前記絶縁性基板よりも誘電率の大きい
誘電体膜とを有し、前記対向する導電層と前記誘電体膜
により構成される容量を内蔵していることを特徴とする
素子用基板によって達成される。
【０００９】上述した素子用基板において、前記絶縁性
基板上に形成され、前記導電層に接続された所定長さの
インダクタンス用導電層を更に有することことが望まし
い。上述した素子用基板において、前記誘電体膜の誘電
率は５０以上であることが望ましい。上述した素子用基
板において、前記誘電体膜のキュリー点が室温近傍であ
ることが望ましい。
基板上に形成され、前記導電層に接続された所定長さの
インダクタンス用導電層を更に有することことが望まし
い。上述した素子用基板において、前記誘電体膜の誘電
率は５０以上であることが望ましい。上述した素子用基
板において、前記誘電体膜のキュリー点が室温近傍であ
ることが望ましい。
【００１０】上述した素子用基板において、前記導電層
は、所定距離を隔てて対向する複数対の電極層と、前記
複数対の電極層をそれぞれ共通接続する接続層とを有
し、前記誘電体膜は、前記複数対の電極層と前記接続層
との接続部を覆わないように形成され、前記誘電体膜に
より覆われずに露出した前記接続部を切断することによ
り前記容量が変更可能であることが望ましい。
は、所定距離を隔てて対向する複数対の電極層と、前記
複数対の電極層をそれぞれ共通接続する接続層とを有
し、前記誘電体膜は、前記複数対の電極層と前記接続層
との接続部を覆わないように形成され、前記誘電体膜に
より覆われずに露出した前記接続部を切断することによ
り前記容量が変更可能であることが望ましい。
【００１１】上記目的は、上述した素子用基板と、前記
素子用基板の前記導電層に接続された圧電振動子とを有
することを特徴とする圧電振動装置により達成される。
上記目的は、上述した素子用基板と、前記素子用基板の
前記導電層に接続された弾性表面波素子とを有すること
を特徴とする弾性表面波装置により達成される。
素子用基板の前記導電層に接続された圧電振動子とを有
することを特徴とする圧電振動装置により達成される。
上記目的は、上述した素子用基板と、前記素子用基板の
前記導電層に接続された弾性表面波素子とを有すること
を特徴とする弾性表面波装置により達成される。
【００１２】
【作用】本発明によれば、絶縁性基板と、絶縁性基板上
に形成され、所定距離を隔てて対向する導電層と、対向
する導電層間の絶縁性基板上に形成され、絶縁性基板よ
りも誘電率の大きい誘電体膜とにより形成されているの
で、製造コストを低く抑えるた容量内蔵型の素子用基板
を実現することができる。
に形成され、所定距離を隔てて対向する導電層と、対向
する導電層間の絶縁性基板上に形成され、絶縁性基板よ
りも誘電率の大きい誘電体膜とにより形成されているの
で、製造コストを低く抑えるた容量内蔵型の素子用基板
を実現することができる。
【００１３】上述した素子用基板において、絶縁性基板
上に形成され、導電層に接続された所定長さのインダク
タンス用導電層を更に設ければ、容量と共にインダクタ
ンスをも内蔵することができる。上述した素子用基板に
おいて、誘電体膜のキュリー点が室温近傍であれば、温
度特性による特性変化の少ない電子部品を実現すること
ができる。
上に形成され、導電層に接続された所定長さのインダク
タンス用導電層を更に設ければ、容量と共にインダクタ
ンスをも内蔵することができる。上述した素子用基板に
おいて、誘電体膜のキュリー点が室温近傍であれば、温
度特性による特性変化の少ない電子部品を実現すること
ができる。
【００１４】上述した素子用基板において、導電層は、
所定距離を隔てて対向する複数対の電極層と、複数対の
電極層をそれぞれ共通接続する接続層とを有し、誘電体
膜は、複数対の電極層と接続層との接続部を覆わないよ
うに形成すれば、誘電体膜により覆われずに露出した接
続部を切断することにより、容量を変更して電子部品の
特性を調整することができる。
所定距離を隔てて対向する複数対の電極層と、複数対の
電極層をそれぞれ共通接続する接続層とを有し、誘電体
膜は、複数対の電極層と接続層との接続部を覆わないよ
うに形成すれば、誘電体膜により覆われずに露出した接
続部を切断することにより、容量を変更して電子部品の
特性を調整することができる。
【００１５】
【実施例】本発明の一実施例による圧電振動装置を図１
乃至図９を用いて説明する。図１は本実施例の圧電振動
装置の分解斜視図であり、図２は本実施例の圧電振動装
置の断面図であり、図３は本実施例の圧電振動装置に用
いられている素子用基板の平面図である。
乃至図９を用いて説明する。図１は本実施例の圧電振動
装置の分解斜視図であり、図２は本実施例の圧電振動装
置の断面図であり、図３は本実施例の圧電振動装置に用
いられている素子用基板の平面図である。
【００１６】本実施例の圧電振動装置に用いられた素子
用基板１０は、絶縁材料からなる絶縁性基板１２と、絶
縁性基板１２上に形成された導電層１４と、導電層１４
上に形成された誘電体膜１６とにより構成されている。
絶縁性基板１２を形成する材料としては、絶縁材料であ
ればよく、基板として十分な強度を有していればよい。
例えば、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ；誘電率＝１０）、フォ
ルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ；誘電率＝７）、窒
化アルミニウム（ＡｌＮ；誘電率＝９）、ステアタイト
（ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ；誘電率＝８）、ムライト（３Ａｌ
2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ；誘電率＝７）等を用いることがで
きる。
用基板１０は、絶縁材料からなる絶縁性基板１２と、絶
縁性基板１２上に形成された導電層１４と、導電層１４
上に形成された誘電体膜１６とにより構成されている。
絶縁性基板１２を形成する材料としては、絶縁材料であ
ればよく、基板として十分な強度を有していればよい。
例えば、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ；誘電率＝１０）、フォ
ルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ；誘電率＝７）、窒
化アルミニウム（ＡｌＮ；誘電率＝９）、ステアタイト
（ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ；誘電率＝８）、ムライト（３Ａｌ
2 Ｏ3 ・２ＳｉＯ2 ；誘電率＝７）等を用いることがで
きる。
【００１７】導電層１４は、絶縁性基板１２上に所定の
パターン形状に形成されている。本実施例では、図３に
示すように、中央にＨ字型の導電層１４ａと、導電層１
４ａの左右両側にＴ字型の導電層１４ｂとが絶縁性基板
１２上に対向して形成されている。導電層１４は導電材
料であればよく、例えば、Ａｇや、Ａｇ・Ｐｄや、Ａｇ
・Ｐｔ等を用いることができる。
パターン形状に形成されている。本実施例では、図３に
示すように、中央にＨ字型の導電層１４ａと、導電層１
４ａの左右両側にＴ字型の導電層１４ｂとが絶縁性基板
１２上に対向して形成されている。導電層１４は導電材
料であればよく、例えば、Ａｇや、Ａｇ・Ｐｄや、Ａｇ
・Ｐｔ等を用いることができる。
【００１８】なお、絶縁性基板１２底面にも、回路基板
に接続するための導電層（図示せず）が形成されてい
る。誘電体膜１６は、中央の導電層１４ａと左右の導電
層１４ｂ、１４ｃ間の絶縁性基板１２を覆うパターン形
状に形成されている。本実施例では、誘電体膜１６は、
図３に示すように、中央の導電層１４ａと左右の導電層
１４ｂ、１４ｃ間を覆い、左右の導電層１４ｂ、１４ｃ
の中央部分を覆わないようなＨ字型のパターン形状をし
ている。左右の導電層１４ｂ、１４ｃの中央部分を覆わ
ないようにしたのは、後述する圧電振動子の大きさが異
なっても搭載できるようにするためである。左右の導電
層１４ｂ、１４ｃの中央よりの部分が露出しているの
で、小さい圧電振動子でも搭載することができる。
に接続するための導電層（図示せず）が形成されてい
る。誘電体膜１６は、中央の導電層１４ａと左右の導電
層１４ｂ、１４ｃ間の絶縁性基板１２を覆うパターン形
状に形成されている。本実施例では、誘電体膜１６は、
図３に示すように、中央の導電層１４ａと左右の導電層
１４ｂ、１４ｃ間を覆い、左右の導電層１４ｂ、１４ｃ
の中央部分を覆わないようなＨ字型のパターン形状をし
ている。左右の導電層１４ｂ、１４ｃの中央部分を覆わ
ないようにしたのは、後述する圧電振動子の大きさが異
なっても搭載できるようにするためである。左右の導電
層１４ｂ、１４ｃの中央よりの部分が露出しているの
で、小さい圧電振動子でも搭載することができる。
【００１９】なお、誘電体膜１６は、絶縁性基板１２上
に形成された導電層１４を保護する保護膜としても機能
する。誘電体膜１６は強誘電体材料により形成されてい
ることが望ましく、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴ
ｉＯ3 ；誘電率＝７５〜１５００）、チタン酸鉛（Ｐｂ
ＴｉＯ3 ；誘電率＝２０〜２００）、チタン酸ジルコン
酸鉛（ＰＺＴ；誘電率＝１００〜１２００）、チタン酸
ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ；誘電率＝２０〜１０
０）等を用いることができる。
に形成された導電層１４を保護する保護膜としても機能
する。誘電体膜１６は強誘電体材料により形成されてい
ることが望ましく、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴ
ｉＯ3 ；誘電率＝７５〜１５００）、チタン酸鉛（Ｐｂ
ＴｉＯ3 ；誘電率＝２０〜２００）、チタン酸ジルコン
酸鉛（ＰＺＴ；誘電率＝１００〜１２００）、チタン酸
ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ；誘電率＝２０〜１０
０）等を用いることができる。
【００２０】このように形成された素子用基板１０は、
誘電体膜１６として厚さ３０μｍのＰＺＴ膜を用い、図
示するパターンを用いた場合、約２０ｐＦの容量を内蔵
することができる。この素子用基板１０の左右の導電層
１４ｂにＡｇ、Ａｇ・Ｐｄ等のペーストを用いたバンプ
１８を介して圧電振動子２０が接続されている。圧電振
動子２０としては、水晶振動子、セラミック振動子、Ｌ
ｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 等の圧電単結晶を用いた振動
子を用いることができる。
誘電体膜１６として厚さ３０μｍのＰＺＴ膜を用い、図
示するパターンを用いた場合、約２０ｐＦの容量を内蔵
することができる。この素子用基板１０の左右の導電層
１４ｂにＡｇ、Ａｇ・Ｐｄ等のペーストを用いたバンプ
１８を介して圧電振動子２０が接続されている。圧電振
動子２０としては、水晶振動子、セラミック振動子、Ｌ
ｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 等の圧電単結晶を用いた振動
子を用いることができる。
【００２１】さらに、キャップ２２が、エポキシ樹脂２
４を介して素子用基板１０の周囲に接続されている。キ
ャップ２２は、例えば、アルミナセラミック（Ａｌ2 Ｏ
3 ）や高耐熱プラスチックにより形成される。このよう
に本実施例によれば、十分な強度の絶縁性基板を用いた
ので、強度のある基板と張り合わせることなく単独で用
いることができる。また、絶縁性基板上の対向する導電
層間に誘電体膜を形成するだけでよいので、圧電振動装
置を形成するために、絶縁性基板上面の導電層と、導電
層上の誘電体膜と、絶縁性基板底面の導電層に対する３
回の塗布、焼結工程でよく、製造コストが低く、低価格
化することができる。さらに、左右の導電層の中央部分
を露出することにより、圧電振動子の大きさが異なって
も共通の素子用基板を用いることができ、部品の共通化
により圧電振動装置の低価格化を実現することができ
る。
４を介して素子用基板１０の周囲に接続されている。キ
ャップ２２は、例えば、アルミナセラミック（Ａｌ2 Ｏ
3 ）や高耐熱プラスチックにより形成される。このよう
に本実施例によれば、十分な強度の絶縁性基板を用いた
ので、強度のある基板と張り合わせることなく単独で用
いることができる。また、絶縁性基板上の対向する導電
層間に誘電体膜を形成するだけでよいので、圧電振動装
置を形成するために、絶縁性基板上面の導電層と、導電
層上の誘電体膜と、絶縁性基板底面の導電層に対する３
回の塗布、焼結工程でよく、製造コストが低く、低価格
化することができる。さらに、左右の導電層の中央部分
を露出することにより、圧電振動子の大きさが異なって
も共通の素子用基板を用いることができ、部品の共通化
により圧電振動装置の低価格化を実現することができ
る。
【００２２】次に、本実施例において、圧電振動装置の
発振周波数の温度特性を改善する方法について図４乃至
図６を用いて説明する。図４は圧電振動子の等価回路及
び典型的な発振回路を示し、図５は発振周波数の温度特
性を示し、図６は圧電振動装置に内蔵された容量の温度
特性を示している。まず、圧電振動子の等価回路及び典
型的な発振回路について説明する。
発振周波数の温度特性を改善する方法について図４乃至
図６を用いて説明する。図４は圧電振動子の等価回路及
び典型的な発振回路を示し、図５は発振周波数の温度特
性を示し、図６は圧電振動装置に内蔵された容量の温度
特性を示している。まず、圧電振動子の等価回路及び典
型的な発振回路について説明する。
【００２３】図４（ａ）は圧電振動子２０の等価回路で
ある。圧電振動子２０の等価回路は、インダクタンスＬ
ｓ、コンデンサＣｓ、抵抗Ｒｓの直列回路に、コンデン
サＣｏが並列接続された回路として表わされる。図４
（ｂ）は典型的な発振回路である。圧電振動子２０の両
端はコンデンサＣ 1 、Ｃ2 を介して接地されている。コ
ンデンサＣ1 、Ｃ2 は、中央の導電層１４ａと左右の導
電層１４ｂ、１４ｃによりそれぞれ形成される容量に対
応している。圧電振動子２０には増幅器Ａと抵抗Ｒが並
列接続されている。図４（ｂ）の破線で囲んだ部分が本
実施例による圧電振動装置の回路である。
ある。圧電振動子２０の等価回路は、インダクタンスＬ
ｓ、コンデンサＣｓ、抵抗Ｒｓの直列回路に、コンデン
サＣｏが並列接続された回路として表わされる。図４
（ｂ）は典型的な発振回路である。圧電振動子２０の両
端はコンデンサＣ 1 、Ｃ2 を介して接地されている。コ
ンデンサＣ1 、Ｃ2 は、中央の導電層１４ａと左右の導
電層１４ｂ、１４ｃによりそれぞれ形成される容量に対
応している。圧電振動子２０には増幅器Ａと抵抗Ｒが並
列接続されている。図４（ｂ）の破線で囲んだ部分が本
実施例による圧電振動装置の回路である。
【００２４】図４（ｂ）に示す発振回路に図４（ａ）の
等価回路で示される圧電振動子２０を用いた場合の発振
周波数ｆosc のずれΔｆosc は次式で表わされる。 Δｆosc ＝ｋ×［１／２γ＋１／｛１＋（ＣL ／Ｃｏ）｝］ 但し、ｋ：比例定数 γ＝Ｃｏ／Ｃｓ ＣL ＝Ｃ1 ×Ｃ2 ／（Ｃ1 ＋Ｃ2 ） ここで、圧電振動子２０として１６５°ＹカットＬｉＮ
ｂＯ3 を用い、室温（２０℃）、γ＝５、ＣL ／Ｃｏ＝
１０の場合の周波数を、発振周波数ｆosc の初期値とし
て選んだ。この初期状態では発振周波数ｆosc と共振周
波数ｆｒの比ｆosc ／ｆｒは１．００９０８（０．９０
８％）となる。
等価回路で示される圧電振動子２０を用いた場合の発振
周波数ｆosc のずれΔｆosc は次式で表わされる。 Δｆosc ＝ｋ×［１／２γ＋１／｛１＋（ＣL ／Ｃｏ）｝］ 但し、ｋ：比例定数 γ＝Ｃｏ／Ｃｓ ＣL ＝Ｃ1 ×Ｃ2 ／（Ｃ1 ＋Ｃ2 ） ここで、圧電振動子２０として１６５°ＹカットＬｉＮ
ｂＯ3 を用い、室温（２０℃）、γ＝５、ＣL ／Ｃｏ＝
１０の場合の周波数を、発振周波数ｆosc の初期値とし
て選んだ。この初期状態では発振周波数ｆosc と共振周
波数ｆｒの比ｆosc ／ｆｒは１．００９０８（０．９０
８％）となる。
【００２５】このような条件で、上式のＣL 、すなわ
ち、内蔵するコンデンサＣ1 、Ｃ2 の容量が温度変化に
対して一定であると仮定すると、図５に示すように、発
振周波数のずれΔｆosc は主に圧電振動子２０の材料の
温度特性により変化する。その変化を示したのが図５の
曲線Ａである。温度が上昇するにつれて、発振周波数の
ずれΔｆosc は直線的に減少している。
ち、内蔵するコンデンサＣ1 、Ｃ2 の容量が温度変化に
対して一定であると仮定すると、図５に示すように、発
振周波数のずれΔｆosc は主に圧電振動子２０の材料の
温度特性により変化する。その変化を示したのが図５の
曲線Ａである。温度が上昇するにつれて、発振周波数の
ずれΔｆosc は直線的に減少している。
【００２６】本願発明者は、温度が上昇するにつれて直
線的に減少する特性を示す発振周波数のずれΔｆosc
を、強誘電体材料の温度特性を利用して補正することに
思い至った。強誘電体材料はキュリー点を有し、その誘
電率はキュリー点をピークとして温度が上昇又は下降す
るにつれて減少することが知られている。上式のＣL は
圧電振動装置の容量Ｃ1 とＣ2 の合成容量である。した
がって、強誘電体材料を用いた容量Ｃ1 とＣ2 を合成し
た容量ＣL も、誘電率の増減に比例して増減する。
線的に減少する特性を示す発振周波数のずれΔｆosc
を、強誘電体材料の温度特性を利用して補正することに
思い至った。強誘電体材料はキュリー点を有し、その誘
電率はキュリー点をピークとして温度が上昇又は下降す
るにつれて減少することが知られている。上式のＣL は
圧電振動装置の容量Ｃ1 とＣ2 の合成容量である。した
がって、強誘電体材料を用いた容量Ｃ1 とＣ2 を合成し
た容量ＣL も、誘電率の増減に比例して増減する。
【００２７】ここで、上式から、容量ＣL が増加すると
発振周波数のずれΔｆosc を減少する方向に作用し、容
量ＣL が減少すると発振周波数のずれΔｆosc を増加す
る方向に作用することがわかる。したがって、容量ＣL
を減少するようにすれば、発振周波数のずれΔｆosc の
減少を補正することができるはずである。このような技
術的予測をもとに、使用する強誘電体材料を変えて発振
周波数のずれΔｆosc を測定した。
発振周波数のずれΔｆosc を減少する方向に作用し、容
量ＣL が減少すると発振周波数のずれΔｆosc を増加す
る方向に作用することがわかる。したがって、容量ＣL
を減少するようにすれば、発振周波数のずれΔｆosc の
減少を補正することができるはずである。このような技
術的予測をもとに、使用する強誘電体材料を変えて発振
周波数のずれΔｆosc を測定した。
【００２８】最初に、強誘電体材料として材料１［ＰＺ
Ｔ（ＰｂＺｒＯ3 が４８ｍｏｌ％でＰｂＴｉＯ3 が５２
ｍｏｌ％の組成比）］を用いた。材料１のキュリー点は
約５０℃であり、この材料１を用いた容量のずれΔＣ
は、図６の曲線に示すように，約５０℃のキュリー点を
ピークとする温度特性となる。この場合には、図５の曲
線Ｂに示すように、５０℃以上では若干の改善が見られ
るものの、実際に使用する室温近傍においては曲線Ａと
変わらずほとんど改善が見られなかった。
Ｔ（ＰｂＺｒＯ3 が４８ｍｏｌ％でＰｂＴｉＯ3 が５２
ｍｏｌ％の組成比）］を用いた。材料１のキュリー点は
約５０℃であり、この材料１を用いた容量のずれΔＣ
は、図６の曲線に示すように，約５０℃のキュリー点を
ピークとする温度特性となる。この場合には、図５の曲
線Ｂに示すように、５０℃以上では若干の改善が見られ
るものの、実際に使用する室温近傍においては曲線Ａと
変わらずほとんど改善が見られなかった。
【００２９】次に、強誘電体材料として材料２［ＰＺＴ
（ＰｂＺｒＯ3 が４７ｍｏｌ％でＰｂＴｉＯ3 が５３ｍ
ｏｌ％の組成比）］を用いた。材料２のキュリー点は約
１０℃であり、この材料１を用いた容量のずれΔＣは、
図６の曲線に示すように，約１０℃のキュリー点をピー
クとする温度特性となる。この場合には、図５の曲線Ｃ
に示すように、約１０℃以上において、発振周波数のず
れΔｆosc の減少を補正する効果が見られ、約０℃〜約
９０℃に亘って、発振周波数のずれΔｆosc がほぼ０％
になり、大きな改善が見られた。
（ＰｂＺｒＯ3 が４７ｍｏｌ％でＰｂＴｉＯ3 が５３ｍ
ｏｌ％の組成比）］を用いた。材料２のキュリー点は約
１０℃であり、この材料１を用いた容量のずれΔＣは、
図６の曲線に示すように，約１０℃のキュリー点をピー
クとする温度特性となる。この場合には、図５の曲線Ｃ
に示すように、約１０℃以上において、発振周波数のず
れΔｆosc の減少を補正する効果が見られ、約０℃〜約
９０℃に亘って、発振周波数のずれΔｆosc がほぼ０％
になり、大きな改善が見られた。
【００３０】このように本実施例によれば、強誘電体材
料を選択することにより通常使用する温度範囲における
発振周波数のずれを改善することができる。なお、上記
実施例においては導電層１４と誘電体膜１６として図３
に示すパターンを例示したが、他のパターンでもよい。
他のパターンの具体例を図７乃至図９に示す。
料を選択することにより通常使用する温度範囲における
発振周波数のずれを改善することができる。なお、上記
実施例においては導電層１４と誘電体膜１６として図３
に示すパターンを例示したが、他のパターンでもよい。
他のパターンの具体例を図７乃至図９に示す。
【００３１】図７に示すパターンは、中央の導電層１４
ａの中央において左右の導電層１４ｂ、１４ｃと入り組
んだ形状として、導電層の対向部分を多くしている。こ
れにより内蔵する容量の値を大きくすることができる。
図７に示すパターンにおいても、誘電体膜１６は、左右
の導電層１４ｂ、１４ｃの中央部分を覆わないような形
状にして様々な大きさの圧電振動子を搭載できるように
している。
ａの中央において左右の導電層１４ｂ、１４ｃと入り組
んだ形状として、導電層の対向部分を多くしている。こ
れにより内蔵する容量の値を大きくすることができる。
図７に示すパターンにおいても、誘電体膜１６は、左右
の導電層１４ｂ、１４ｃの中央部分を覆わないような形
状にして様々な大きさの圧電振動子を搭載できるように
している。
【００３２】図８に示すパターンは、図７と同様に、中
央の導電層１４ａの中央において左右の導電層１４ｂ、
１４ｃと入り組んだ形状として、導電層の対向部分を多
くすると共に、絶縁性基板１２の４辺に回路基板との接
続用導電層を形成できるようにしている。図８に示すパ
ターンにおいても、誘電体膜１６は、左右の導電層１４
ｂ、１４ｃの中央部分を覆わないような形状にして様々
な大きさの圧電振動子を搭載できるようにしている。
央の導電層１４ａの中央において左右の導電層１４ｂ、
１４ｃと入り組んだ形状として、導電層の対向部分を多
くすると共に、絶縁性基板１２の４辺に回路基板との接
続用導電層を形成できるようにしている。図８に示すパ
ターンにおいても、誘電体膜１６は、左右の導電層１４
ｂ、１４ｃの中央部分を覆わないような形状にして様々
な大きさの圧電振動子を搭載できるようにしている。
【００３３】図９（ａ）に示すパターンは、中央の導電
層１４ａと左右の導電層１４ｂ、１４ｃをくし型電極形
状にして、内蔵する容量の値を最大限に大きくしようと
するパターンである。すなわち、中央の導電層１４ａ
は、左右に突出したくし型電極層１４ａａ、１４ａｂ
と、くし型電極層１４ａａ、１４ａｂを共通接続する接
続層１４ａｃとを有している。左側の導電層１４ｂは、
右側に突出したくし型電極層１４ｂａと、くし型電極層
１４ｂａを共通接続する接続層１４ｂｂとを有してい
る。右側の導電層１４ｃは、左側に突出したくし型電極
層１４ｃａと、くし型電極層１４ｃａを共通接続する接
続層１４ｃｂとを有している。
層１４ａと左右の導電層１４ｂ、１４ｃをくし型電極形
状にして、内蔵する容量の値を最大限に大きくしようと
するパターンである。すなわち、中央の導電層１４ａ
は、左右に突出したくし型電極層１４ａａ、１４ａｂ
と、くし型電極層１４ａａ、１４ａｂを共通接続する接
続層１４ａｃとを有している。左側の導電層１４ｂは、
右側に突出したくし型電極層１４ｂａと、くし型電極層
１４ｂａを共通接続する接続層１４ｂｂとを有してい
る。右側の導電層１４ｃは、左側に突出したくし型電極
層１４ｃａと、くし型電極層１４ｃａを共通接続する接
続層１４ｃｂとを有している。
【００３４】図９（ａ）において、誘電体膜１６は、中
央の導電層１４ａと左右の導電層１４ｂ、１４ｃの全面
を覆うのではなく、左右の導電層１４ｂ、１４ｃのくし
型電極層１４ｂａ、１４ｃａと接続層１４ｂｂ、１４ｃ
ｂとの接続部分（図９（ａ）において丸印で示す）を覆
わないようにしている。このようなパターンにすること
により、組み立てた後においても簡単に素子用基板の内
蔵容量の値を変更して圧電振動装置の発振周波数を調整
することができる。圧電振動装置を組み立てた後、図９
（ａ）で丸印で示した部分にレーザを照射することによ
り接続部分を切断し、図９（ｂ）に示すように、くし型
電極層の一部を分離する。これにより、内蔵する容量の
値を変更して発振周波数を調整することができる。例え
ば、予め発振周波数が低めになるように設計しておき、
製造後に接続部分を切断することにより所望の発振周波
数を精度よく実現することができる。
央の導電層１４ａと左右の導電層１４ｂ、１４ｃの全面
を覆うのではなく、左右の導電層１４ｂ、１４ｃのくし
型電極層１４ｂａ、１４ｃａと接続層１４ｂｂ、１４ｃ
ｂとの接続部分（図９（ａ）において丸印で示す）を覆
わないようにしている。このようなパターンにすること
により、組み立てた後においても簡単に素子用基板の内
蔵容量の値を変更して圧電振動装置の発振周波数を調整
することができる。圧電振動装置を組み立てた後、図９
（ａ）で丸印で示した部分にレーザを照射することによ
り接続部分を切断し、図９（ｂ）に示すように、くし型
電極層の一部を分離する。これにより、内蔵する容量の
値を変更して発振周波数を調整することができる。例え
ば、予め発振周波数が低めになるように設計しておき、
製造後に接続部分を切断することにより所望の発振周波
数を精度よく実現することができる。
【００３５】本発明の他の実施例による弾性表面波装置
を図１０及び図１１を用いて説明する。本実施例の弾性
表面波装置は、上記実施例で用いた素子用基板を弾性表
面波装置に適用したものである。図１０は本実施例の弾
性表面波装置の断面図と素子用基板の平面図であり、図
１１は本実施例の弾性表面波装置を用いたフィルタ回路
である。
を図１０及び図１１を用いて説明する。本実施例の弾性
表面波装置は、上記実施例で用いた素子用基板を弾性表
面波装置に適用したものである。図１０は本実施例の弾
性表面波装置の断面図と素子用基板の平面図であり、図
１１は本実施例の弾性表面波装置を用いたフィルタ回路
である。
【００３６】本実施例の弾性表面波装置に用いられる素
子用基板３０は、図１０（ａ）に示すように、絶縁材料
からなる絶縁性基板３２と、絶縁性基板３２上に形成さ
れた導電層３４と、導電層３４上に形成された誘電体膜
３６とにより構成されている。素子用基板３０として
は、絶縁性基板３２上に、図１０（ｂ）に示すようなパ
ターン形状の導電層３４と誘電体膜３６が形成されてい
る。すなわち、導電層３４は中央に接地層３４ａが設け
られ、接地層３４ａから左右両側に屈曲したインダクタ
ンス層３４ｂ、３４ｃが形成され、回路基板に接続する
ための接続層３４ｄ、３４ｅに接続されている。更に、
接続層３４ｄ、３４ｅに対向して導電層３４ｆ、３４ｇ
が形成されている。
子用基板３０は、図１０（ａ）に示すように、絶縁材料
からなる絶縁性基板３２と、絶縁性基板３２上に形成さ
れた導電層３４と、導電層３４上に形成された誘電体膜
３６とにより構成されている。素子用基板３０として
は、絶縁性基板３２上に、図１０（ｂ）に示すようなパ
ターン形状の導電層３４と誘電体膜３６が形成されてい
る。すなわち、導電層３４は中央に接地層３４ａが設け
られ、接地層３４ａから左右両側に屈曲したインダクタ
ンス層３４ｂ、３４ｃが形成され、回路基板に接続する
ための接続層３４ｄ、３４ｅに接続されている。更に、
接続層３４ｄ、３４ｅに対向して導電層３４ｆ、３４ｇ
が形成されている。
【００３７】誘電体膜３６は、接続層３４ｄと導電層３
４ｆの対向部分と、接続層３４ｅと導電層３４ｇの対向
部分とを覆うように形成されている。本実施例の素子用
基板３０は、インダクタンス層３４ｂ、３４ｃによるイ
ンダクタンスと、接続層３４ｄ、３４ｅと導電層３４
ｆ、３４ｇと誘電体膜３６による容量を内蔵している。
４ｆの対向部分と、接続層３４ｅと導電層３４ｇの対向
部分とを覆うように形成されている。本実施例の素子用
基板３０は、インダクタンス層３４ｂ、３４ｃによるイ
ンダクタンスと、接続層３４ｄ、３４ｅと導電層３４
ｆ、３４ｇと誘電体膜３６による容量を内蔵している。
【００３８】素子用基板３０の中央には弾性表面波素子
３８が搭載され、この弾性表面波素子３８を取り囲むよ
うに素子用基板３０上にセラミック層４０、４２が積層
されている。セラミック層４０の上面には導電層４０ａ
が形成され、弾性表面波素子３８とワイヤ４４により接
続されている。セラミック弾性表面波４２の上面には、
エポキシ樹脂４６によりキャップ４８が固定されてい
る。
３８が搭載され、この弾性表面波素子３８を取り囲むよ
うに素子用基板３０上にセラミック層４０、４２が積層
されている。セラミック層４０の上面には導電層４０ａ
が形成され、弾性表面波素子３８とワイヤ４４により接
続されている。セラミック弾性表面波４２の上面には、
エポキシ樹脂４６によりキャップ４８が固定されてい
る。
【００３９】本実施例の弾性表面波装置を用いたフィル
タ回路を図１１に示す。弾性表面波素子３８のマッチン
グ回路としてコンデンサＣ10、Ｃ12、インダクタンスＬ
10、Ｌ12が必要であるが、本実施例の弾性表面波装置
は、図１１の破線により囲まれた範囲Ａが内蔵されてい
る。なお、図１０に示す弾性表面波装置において、イン
ダクタンス層３４ｂ、３４ｃを設けないようにして、図
１１の一点鎖線により囲まれた範囲Ｂを弾性表面波装置
に内蔵するようにしてもよい。
タ回路を図１１に示す。弾性表面波素子３８のマッチン
グ回路としてコンデンサＣ10、Ｃ12、インダクタンスＬ
10、Ｌ12が必要であるが、本実施例の弾性表面波装置
は、図１１の破線により囲まれた範囲Ａが内蔵されてい
る。なお、図１０に示す弾性表面波装置において、イン
ダクタンス層３４ｂ、３４ｃを設けないようにして、図
１１の一点鎖線により囲まれた範囲Ｂを弾性表面波装置
に内蔵するようにしてもよい。
【００４０】このように本実施例によれば、フィルタ回
路として必要なマッチング回路も弾性表面波装置に内蔵
することができ、素子の小型化と共に低価格化を実現す
ることができる。本発明は上記実施例に限らず種々の変
形が可能である。例えば、上記実施例では、本発明によ
る素子用基板を圧電振動装置や弾性表面波装置に利用し
たが、本発明の素子用基板を他の電子部品に利用しても
よい。
路として必要なマッチング回路も弾性表面波装置に内蔵
することができ、素子の小型化と共に低価格化を実現す
ることができる。本発明は上記実施例に限らず種々の変
形が可能である。例えば、上記実施例では、本発明によ
る素子用基板を圧電振動装置や弾性表面波装置に利用し
たが、本発明の素子用基板を他の電子部品に利用しても
よい。
【００４１】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、絶縁性基
板と、絶縁性基板上に形成され、所定距離を隔てて対向
する導電層と、対向する導電層間の絶縁性基板上に形成
され、絶縁性基板よりも誘電率の大きい誘電体膜とによ
り形成されているので、製造コストを低く抑えるた容量
内蔵型の素子用基板を実現することができる。
板と、絶縁性基板上に形成され、所定距離を隔てて対向
する導電層と、対向する導電層間の絶縁性基板上に形成
され、絶縁性基板よりも誘電率の大きい誘電体膜とによ
り形成されているので、製造コストを低く抑えるた容量
内蔵型の素子用基板を実現することができる。
【００４２】上述した素子用基板において、絶縁性基板
上に形成され、導電層に接続された所定長さのインダク
タンス用導電層を更に設ければ、容量と共にインダクタ
ンスをも内蔵することができる。上述した素子用基板に
おいて、誘電体膜のキュリー点が室温近傍であれば、温
度特性による特性変化の少ない電子部品を実現すること
ができる。
上に形成され、導電層に接続された所定長さのインダク
タンス用導電層を更に設ければ、容量と共にインダクタ
ンスをも内蔵することができる。上述した素子用基板に
おいて、誘電体膜のキュリー点が室温近傍であれば、温
度特性による特性変化の少ない電子部品を実現すること
ができる。
【００４３】上述した素子用基板において、導電層は、
所定距離を隔てて対向する複数対の電極層と、複数対の
電極層をそれぞれ共通接続する接続層とを有し、誘電体
膜は、複数対の電極層と接続層との接続部を覆わないよ
うに形成すれば、誘電体膜により覆われずに露出した接
続部を切断することにより、容量を変更して電子部品の
特性を調整することができる。
所定距離を隔てて対向する複数対の電極層と、複数対の
電極層をそれぞれ共通接続する接続層とを有し、誘電体
膜は、複数対の電極層と接続層との接続部を覆わないよ
うに形成すれば、誘電体膜により覆われずに露出した接
続部を切断することにより、容量を変更して電子部品の
特性を調整することができる。
【図１】本発明の一実施例による圧電振動装置の分解斜
視図である。
視図である。
【図２】本発明の一実施例による圧電振動装置の断面図
である。
である。
【図３】本発明の一実施例による圧電振動装置における
素子用基板の平面図である。
素子用基板の平面図である。
【図４】圧電振動子の等価回路及び典型的な発振回路を
示す図である。
示す図である。
【図５】本発明の一実施例による圧電振動装置の発振周
波数の温度特性を示すグラフである。
波数の温度特性を示すグラフである。
【図６】本発明の一実施例による圧電振動装置に内蔵さ
れた容量の温度特性を示すグラフである。
れた容量の温度特性を示すグラフである。
【図７】本発明の圧電振動装置における素子用基板の他
のパターン例を示す平面図である。
のパターン例を示す平面図である。
【図８】本発明の圧電振動装置における素子用基板の他
のパターン例を示す平面図である。
のパターン例を示す平面図である。
【図９】本発明の圧電振動装置における素子用基板の他
のパターン例を示す平面図である。
のパターン例を示す平面図である。
【図１０】本発明の他の実施例による弾性表面波装置を
示す図である。
示す図である。
【図１１】本発明の他の実施例による弾性表面波装置を
用いたフィルタ回路を示す図である。
用いたフィルタ回路を示す図である。
【図１２】従来の圧電振動装置の断面図である。
１０…素子用基板 １２…絶縁性基板 １４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ…導電層 １４ａａ、１４ａｂ…くし型電極層 １４ａｃ…接続層 １４ｂａ…くし型電極層 １４ｂｂ…接続層 １４ｃａ…くし型電極層 １４ｃｂ…接続層 １６…誘電体膜 １８…バンプ ２０…圧電振動子 ２２…キャップ ２４…エポキシ樹脂 ３０…素子用基板 ３２…絶縁性基板 ３４…導電層 ３４ａ…接地層 ３４ｂ、３４ｃ…インダクタンス層 ３４ｄ、３４ｅ…接続層 ３４ｆ、３４ｇ…導電層 ３６…誘電体膜 ３８…弾性表面波素子 ４０、４２…セラミック層 ４４…ワイヤ ４６…エポキシ樹脂 ４８…キャップ ５０…アルミナ基板 ５１…下部電極 ５２…誘電体膜 ５３…上部電極 ５４…バンプ ５５…圧電振動子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 9/25 7924−5Ｅ Ｈ０１Ｇ 4/40 ３２１Ａ (72)発明者 藤井 考之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 小野 正明 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上に形成され、所定距離を隔てて対向す
る導電層と、 前記対向する導電層間の前記絶縁性基板上に形成され、
前記絶縁性基板よりも誘電率の大きい誘電体膜とを有
し、 前記対向する導電層と前記誘電体膜により構成される容
量を内蔵していることを特徴とする素子用基板。 - 【請求項２】 請求項１記載の素子用基板において、 前記絶縁性基板上に形成され、前記導電層に接続された
所定長さのインダクタンス用導電層を更に有することを
特徴とする素子用基板。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の素子用基板におい
て、 前記誘電体膜の誘電率は５０以上であることを特徴とす
る素子用基板。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の素子
用基板において、 前記誘電体膜のキュリー点が室温近傍であることを特徴
とする素子用基板。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の素子
用基板において、 前記導電層は、所定距離を隔てて対向する複数対の電極
層と、前記複数対の電極層をそれぞれ共通接続する接続
層とを有し、 前記誘電体膜は、前記複数対の電極層と前記接続層との
接続部を覆わないように形成され、 前記誘電体膜により覆われずに露出した前記接続部を切
断することにより前記容量が変更可能であることを特徴
とする素子用基板。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載の素子
用基板と、 前記素子用基板の前記導電層に接続された圧電振動子と
を有することを特徴とする圧電振動装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至５のいずれかに記載の素子
用基板と、 前記素子用基板の前記導電層に接続された弾性表面波素
子とを有することを特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7084016A JPH08288790A (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 素子用基板、圧電振動装置及び弾性表面波装置 |
| US08/568,125 US5889357A (en) | 1995-04-10 | 1995-12-06 | Piezoelectric oscillation device and surface acoustic wave device |
| FR9515633A FR2732838B1 (fr) | 1995-04-10 | 1995-12-28 | Dispositif d'oscillation piezo-electrique et dispositif a ondes acoustiques de surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7084016A JPH08288790A (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 素子用基板、圧電振動装置及び弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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