JPH08288520A

JPH08288520A - アクティブマトリックス基板の製造方法

Info

Publication number: JPH08288520A
Application number: JP9547395A
Authority: JP
Inventors: Naoki Kato; 直樹加藤
Original assignee: AG Technology Co Ltd
Current assignee: AG Technology Co Ltd
Priority date: 1995-04-20
Filing date: 1995-04-20
Publication date: 1996-11-01

Abstract

(57)【要約】【構成】ガラス基板３上にゲート電極とする金属層４、
ＳｉＮ_x 層５、ａ−Ｓｉ層６、ＳｉＮ_x 層８を順に形成
し、ビームアニールの方向に対して垂直な方向における
金属層４の幅の中に、ビームスポットの中心を位置せし
めるようにビームアニールを行い、多結晶化Ｓｉ層８を
形成することを特徴とするアクティブマトリックス基板
の製造方法。【効果】Ｓｉ半導体層にダメージを与えずに均質な多結
晶Ｓｉ層が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリック
ス基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＣＲＴに代わる表示装置としてフ
ラットパネルディスプレイへの要求が高まっており、そ
のなかでもっとも有力視されるのが液晶表示素子（ＬＣ
Ｄ）である。最近では、カラー化と高速化の要求に対応
して、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを利用したアク
ティブマトリックス型のＬＣＤが実用化されている。

【０００３】ＴＦＴには半導体層として一般にアモルフ
ァスシリコン（非晶質シリコン、以後、ａ−Ｓｉと呼
ぶ）が用いられている。しかし、ａ−Ｓｉの代わりに多
結晶Ｓｉを用いると、移動度が高いためにＴＦＴの小型
化や高速動作、そして大画面・高密度表示の液晶表示装
置が可能となる。また、駆動回路を画素表示用のＴＦＴ
と一緒に同一の基板上に同時に形成することが可能とな
る。

【０００４】ＬＣＤにおいて大画面化を図ることと、よ
り生産性の高い、高性能の製品を得るためには、多結晶
Ｓｉを通常のＬＣＤ用ガラス基板上に形成することが望
まれる。そのため、６００℃以下の低温プロセスが必要
となる。これを達成するには、ビームアニール法が有望
である。

【０００５】ビームアニールによる多結晶Ｓｉ形成方法
には、まず基板全面または多結晶Ｓｉの必要な領域の全
体を隙間なくビームアニールする第１の方法がある。さ
らに、ビームアニールの必要ない部分をとばして間欠的
にビームアニールする第２の方法がある。前者は、エキ
シマレーザのような、パルス発振でレーザ照射面積の大
きいものが多く用いられている。後者にはアルゴンイオ
ンレーザのような連続発振レーザが用いられる。高速処
理が必要でスループットを向上させるためには後者が用
いられる。

【０００６】高速ビームアニール法（ハイスピードビー
ムアニール法、以下ＨＳＢＡと呼ぶ）について説明す
る。これは、上記の第２のビームアニール法の一つであ
り、その大きな特徴はまず高速でビームスポットを走査
することである。例えば、ビームスポット径がほぼ１０
０μｍ程度の場合、レーザ出力を７〜２５Ｗ程度とし、
走査線速度を１０〜２０ｍ／ｓの範囲で行う。

【０００７】そして、このＨＳＢＡを用いた多結晶Ｓｉ
ＴＦＴの形成方法に関する特開平４−２２６０３９、特
開平４−２２６０４０公報を従来例としてあげる。この
ＨＳＢＡによれば、４５０℃以下のプロセス温度でａ−
Ｓｉを多結晶化することが可能となる。また、本出願人
による特願平６−２２８４２９では、ＨＳＢＡにおい
て、アモルファス半導体層の下に金属層が配置された状
態でビームアニールが可能であることを示した。また、
多結晶半導体の良好な特性を得るために、ビームスポッ
トの大きさ、レーザ出力、走査線速度などの最適条件を
詳細に示した。

【０００８】このＨＳＢＡではＴＦＴの多結晶半導体能
動層となるＳｉアイランドを形成するのに必要な部分だ
けをビームアニールする。それ以外の、配線や画素電極
のみが設けられる部分はビームアニールを行わないよう
にする。例えば、走査型のビームアニール装置を用い
て、多結晶Ｓｉを備えた画素表示用のＴＦＴを基板上に
形成する場合には、画面を構成するマトリックスの行の
数と同じ回数だけレーザビームを走査して照射すればよ
い。

【０００９】コプレーナ型のトランジスタを形成する場
合、ゲート電極はａ−Ｓｉ層よりも上に通常形成される
ため、多結晶化されるべきａ−Ｓｉ層の下には金属のパ
ターンが存在しない。これに対して、逆スタガ型のトラ
ンジスタを形成する場合、ａ−Ｓｉ層の下にはパターニ
ングされたゲート電極が常に存在している。このゲート
電極は一般に金属で構成される。

【００１０】また、ＴＦＴが形成される位置に点状に配
置された金属層の上部を連続的にビームアニールするこ
とが従来から行われていた。図５に模式的に示す。ゲー
トラインとなる金属層４からゲート電極とされる分枝が
設けられている。その分枝の上部を金属層４に略平行に
ビームアニールしていた。その後、多結晶ＳｉＴＦＴ１
０が形成される。この従来例では、金属層４の存在によ
る半導体層の劣化、もしくは多結晶半導体層の欠点は特
に見られなかった。

【００１１】通常ＨＳＢＡにおいて、ａ−Ｓｉ層の多結
晶化は溶融せずに固相状態のままで極めて短い時間内に
完了する。しかし、ａ−Ｓｉ層を多結晶化するのに適し
たレーザのパワーは、ａ−Ｓｉ層の下に金属層がある場
合とない場合とで異なる。金属層がある場合、熱伝導率
の高い金属層への熱拡散があるため、金属層がない場合
に比べて高いレーザ出力が必要になる。

【００１２】しかし、下に金属層のないａ−Ｓｉ層に対
して、金属層がある場合、一定の厚み以上の場合には下
部に金属層がある部位に適した高いレーザ出力のままビ
ームアニールを行うと、ａ−Ｓｉ層が飛散してしまった
り、あるいは焦げてしまうなどの問題が起こっていた。
Ｃｒではおよそ２５０ｎｍ以上で欠陥が起きる。逆に、
２００ｎｍ程度の厚みならば金属層が薄く問題が起きる
ことはなかった。なお、ＴＦＴの構造要素としてａ−Ｓ
ｉ層を形成するには厚みとしては３０ｎｍ以上が望ま
れ、金属層での反射の影響がほとんど見られない状態を
考察している。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】このように、逆スタガ
型のＴＦＴや、半導体層から見てガラス基板側に遮光膜
を持つコプレーナ型ＴＦＴを製造する場合に幾つかの問
題点があった。つまり、Ｓｉ層の下に連続的に金属層が
ある領域とない領域とが混在する基板をビームアニール
する場合、均一に多結晶化を行うのが非常に困難であっ
た。たとえ金属層がない領域にはＴＦＴ形成を行わない
としても、Ｓｉの飛散によってできた段差で配線の断線
などの欠陥が生ずることがあった。

【００１４】また、金属層が厚くなるほど相対的に高い
レーザ出力が必要になり、金属層がない領域との差が大
きくなるため、金属層を厚くすることがなかなかできな
かった。例えば、Ｃｒの場合、厚みが２００ｎｍまでは
どうにかビームアニールが可能であるが、２５０ｎｍ以
上では均一なビームアニールが困難になっていた。ま
た、他の金属、アルミニウムやタンタルでもほぼ同様の
傾向を示していた。

【００１５】言い換えれば、走査型のビームアニール装
置を用いて、直線状にパターニングされた金属層上に形
成されたアモルファス半導体層をビームアニールし、多
結晶半導体ＴＦＴを製造する場合の安定性を得ようとす
る。また、遮光性が十分に確保された高性能の多結晶Ｔ
ＦＴを得ようとする。本発明はこのような欠点を解消し
ようとする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は前項における問
題点を解決すべくなされたものであり、ガラス基板上に
アモルファス半導体層を形成し、ビームスポットをアモ
ルファス半導体層に照射し、ビームアニールによってア
モルファス半導体層の少なくとも一部を多結晶半導体層
に形成し、該多結晶半導体層の少なくとも一部をＴＦＴ
の構成要素とするアクティブマトリックス基板の製造方
法において、ガラス基板とアモルファス半導体層との間
に直線パターン状の金属層を設け、ビームアニールの際
に、アモルファス半導体層の上に照射するビームスポッ
トの略中心を金属層の上面に位置するように行うことを
特徴とするアクティブマトリックス基板の製造方法を提
供する。これを本発明の第１の発明と呼ぶ。

【００１７】また、第１の発明において、ＴＦＴが逆ス
タガ型ＴＦＴであることを特徴とするアクティブマトリ
ックス基板の製造方法を提供する。これを本発明の第２
の発明と呼ぶ。

【００１８】また、第１の発明において、ＴＦＴがコプ
レーナ型ＴＦＴであって、多結晶半導体層とガラス基板
との間に金属層を有することを特徴とするアクティブマ
トリックス基板の製造方法を提供する。これを本発明の
第３の発明と呼ぶ。

【００１９】また、第１〜第３の発明のいずれかのアク
ティブマトリックス基板の製造方法において、ビームア
ニールの際に、ガラス基板上の特定の部分にビームスポ
ットが照射しないように遮蔽することを特徴とするアク
ティブマトリックス基板の製造方法を提供する。これを
本発明の第４の発明と呼ぶ。

【００２０】また、第１〜第４の発明のいずれかのアク
ティブマトリックス基板の製造方法において、ビームア
ニールを行う走査方向に対して垂直な方向における金属
層の線幅を１０μｍ以上とすることを特徴とするアクテ
ィブマトリックス基板の製造方法を提供する。これを本
発明の第５の発明と呼ぶ。

【００２１】また、第１〜第５の発明のいずれかのアク
ティブマトリックス基板の製造方法において、ビームア
ニールの際、ピーク光強度の６０％以上の光強度を有す
るビームスポットの大きさをＳ₆₀とし、ビームアニール
を行う走査方向に対して垂直な方向におけるＳ₆₀の長さ
を４０〜８０μｍとすることを特徴とするアクティブマ
トリックス基板の製造方法を提供する。これを本発明の
第６の発明と呼ぶ。

【００２２】また、ガラス基板上にアモルファス半導体
層を形成し、ビームスポットをアモルファス半導体層に
照射し、ビームアニールによってアモルファス半導体層
の少なくとも一部を多結晶半導体層に形成し、該多結晶
半導体層の少なくとも一部をＴＦＴの構成要素とするア
クティブマトリックス基板の製造方法において、ガラス
基板とアモルファス半導体層との間に直線パターン状の
金属層を設け、ビームアニールの際に、アモルファス半
導体層の下に金属層のない領域での第１の走査線速度
を、アモルファス半導体層の下に金属層のある領域にお
ける第２の線走査速度より大きくすることを特徴とする
アクティブマトリックス基板の製造方法を提供する。こ
れを本発明の第７の発明と呼ぶ。

【００２３】また、第７の発明において、第１の走査線
速度を第２の走査線速度の１．２倍以上とすることを特
徴とするアクティブマトリックス基板の製造方法を提供
する。

【００２４】本発明においては、ガラス基板上に金属層
を形成してパターニングし、次に必要に応じて絶縁体薄
膜を形成し、さらにアモルファス半導体薄膜を形成す
る。金属層は略直線パターン状に形成されることが多
い。ここで略直線パターン状とは、一部に曲部が存在し
てもよいし、ジグザグ状のパターンをも含むものとす
る。通常は、ほぼ一直線にパターン形成されることが多
い。

【００２５】そして、アモルファス半導体薄膜の少なく
とも一部、言い換えれば多結晶ＴＦＴがその後形成され
る部位を略直線状にビームアニールし、ストライプ状に
多結晶化し、その後１回以上の薄膜成膜とパターニング
を行って多結晶ＴＦＴを形成する。この多結晶ＴＦＴを
備えたアクティブマトリックス基板の製造方法における
新たな改良技術について開示する。

【００２６】上述したように、ビームアニールの際、ビ
ームアニールによって得られた多結晶半導体のストライ
プの中心部が必ず金属層の上に位置するようにする。よ
り、好ましい態様としては、多結晶のストライプは金属
層の全てを覆うように設定する。以下に、本発明を具体
的に説明する。

【００２７】

【実施例】

（実施例１）図２の断面図を参照して説明する。逆スタ
ガ型ＴＦＴのアクティブマトリックス基板を作製する。
最初に、ガラス基板３上にスパッタ法によりＣｒ膜を３
００ｎｍ成膜し、最終的にはゲート電極となる金属層４
をパターン形成した。直線パターンの形状を有し、その
線幅は１６μｍとした。これがおよそゲート電極のゲー
ト長となる。この上にプラズマＣＶＤによって窒化シリ
コン（ＳｉＮ_x ）層５を３００ｎｍ、ａ−Ｓｉ層６を１
００ｎｍ、ＳｉＮ_x 層８を５０ｎｍ形成した。この基板
を、４５０℃で１時間アニールした。

【００２８】次にＨＳＢＡを用いてａ−Ｓｉ層６の多結
晶化を行った。アルゴンイオンレーザを光源として備え
たビームアニール装置を用いた。Ｃｒの配線パターンで
ある金属層４の長手方向、つまり図１に示すビームアニ
ール走査方向Ｌに沿って基板上を直線状に走査した。

【００２９】ビームスポットは、レーザビームのピーク
光強度の６０％以上の光強度を有する範囲で定義するビ
ームスポットの大きさ（通常は円形形状または楕円形状
であり、本実施例では楕円形状を採用した。以後、Ｓ₆₀
と呼ぶ。）が、走査方向に５０μｍ（短径）、走査方向
の垂直方向に７０μｍ（長径）と設定したレーザビーム
を用いた。レーザ出力は１０Ｗ、走査線速度は１２ｍ／
ｓとした。

【００３０】この条件は金属層（本実施例ではＣｒ膜）
の上に配置されたａ−Ｓｉ層を多結晶化するのに適した
条件である。多結晶化されたＳｉのストライプの幅２は
約５０μｍとなった。ちなみに、上記のＳ₆₀と走査速度
であって、ａ−Ｓｉ層の下に金属層がない場合での適切
なレーザ出力は約８Ｗであった。レーザ出力を１０Ｗと
してビームアニールを行うと、ａ−Ｓｉ層または多結晶
化Ｓｉ層に焦げつきや飛散が発生した。Ｓ₆₀の長さを４
０〜８０μｍとすると、ストライプの幅２としては所望
の３５〜５０μｍがおよそ得られる。

【００３１】ビームアニールの走査は、ビームアニール
によって得られた多結晶Ｓｉの層（これを、以後ストラ
イプと略する）の中心が配線パターンの上に位置するよ
うに行った。配線パターンとストライプとの平面方向に
おける位置関係は図１に示す。この図１においては、ス
トライプの幅２は配線パターンの幅１を完全に覆ってい
る。ストライプ以外のａ−Ｓｉ層６の部分はビームアニ
ールされずにそのまま残っている。図１中の切断線ｋに
対応する部位の、その後の製造工程の中間状態における
一部断面図を図２に示す。

【００３２】また、ビームアニールを行うとき、ＬＣＤ
の画面の外にあたる部分（図３の領域Ｂ）には金属マス
クを設けて領域Ｂを遮蔽した。本実施例において、エネ
ルギーの高いレーザビームの中心部は常に金属層の上を
通るため、過度のアニールによってＳｉ（ａ−Ｓｉ層６
および／または多結晶化されたストライプ）が焦げたり
飛散したりすることがなかった。このようにしてａ−Ｓ
ｉのうち必要な部分を均一にかつ良好な直線状パターン
で多結晶化が達成できた。

【００３３】この基板からＳｉＮ_x 層を除去した後、ス
トライプをパターニングし、所望の多結晶Ｓｉ層を得
た。主に、ＴＦＴの半導体能動層として用いる。この上
にプラズマＣＶＤでｎ⁺ ａ−Ｓｉを５０ｎｍ成膜した。
この上にスパッタによりＣｒを３００ｎｍ成膜し、これ
をパターニングしてソース・ドレイン配線を形成した。
さらにこの配線をマスクとして、ｎ⁺ ａ−Ｓｉをエッチ
ングした。

【００３４】次に、スパッタで画素電極となるＩＴＯ
（Ｉｎ₂ Ｏ₃ −ＳｎＯ₂ ）膜を１００ｎｍ成膜しパター
ニングした。最後に、保護膜としてＳｉＮ_x 層をＣＶＤ
によって４００ｎｍ成膜し、パターニングを行った。以
上のようにして、液晶ディスプレイ用のＴＦＴアクティ
ブマトリックス基板を形成した。

【００３５】（実施例２）画素が配置された基板上に行
側駆動回路を合わせて集積したＴＦＴアクティブマトリ
ックス基板を作製した。本実施例ではコプレーナ型ＴＦ
Ｔを用いた。

【００３６】最初に、ガラス基板上にスパッタによりＣ
ｒを３００ｎｍ成膜した。これをパターニングして遮光
膜を形成した。この遮光膜は製造したアクティブマトリ
ックス基板を表示用のＬＣＤとして用いる場合、例え
ば、バックライトの光がＴＦＴのＳｉ層（特に、チャネ
ル部）に照射されないように機能する。ただし、遮光膜
を形成するのは画素を駆動するＴＦＴだけで、行側駆動
回路を構成するＴＦＴの部位には遮光膜を形成しなかっ
た。さらに、遮光膜の上にプラズマＣＶＤによってＳｉ
Ｎ_x 層を８００ｎｍ、ａ−Ｓｉ層を１００ｎｍ、ＳｉＮ
_x 層を５０ｎｍ形成した。

【００３７】次に、ＨＳＢＡを用いてａ−Ｓｉ層の多結
晶化を行った。実施例１と同様のビームアニール装置
で、Ｃｒ膜をパターニングして形成されたゲート電極と
なる配線パターンに沿って基板上を直線状に走査した。
Ｓ₆₀、およびレーザ出力も実施例１と同様とした。走査
線速度は、ＬＣＤの画面にあたる部分（図３の領域Ａ）
では１２ｍ／ｓ、ＬＣＤの画面の外側の行側駆動回路を
形成する部分（図３の領域Ｂ）では１５ｍ／ｓとした。

【００３８】上記のレーザ出力で金属層（本実施例にお
いてもＣｒ膜である）の上のａ−Ｓｉを多結晶化するの
に適した走査線速度は１２ｍ／ｓであって、領域Ａはこ
の速度でビームアニールを行った。走査は、ビームアニ
ールによって多結晶化されるストライプの中心がＣｒの
遮光膜配線の上に位置するように行った。

【００３９】金属層が設けてない部分のＳｉを１２ｍ／
ｓでビームアニールすると、Ｓｉは焦げたり飛散したり
する。しかし、本実施例では、Ｃｒの遮光膜の膜のない
ところ（領域Ｂ）での走査線速度を１５ｍ／ｓとして、
領域Ａでの速度より３ｍ／ｓだけ高く設定した。そのた
め、Ｓｉは焦げたり飛散したりすることなく多結晶化が
行われた。そして、ストライプの太さは領域Ａでは約５
０μｍ、領域Ｂでは約４０μｍとなった。

【００４０】ただし、厳密には１２ｍ／ｓから１５ｍ／
ｓに突然に速度変化することは困難である。したがっ
て、他の条件との関係を考慮して速度を移行する区間を
設けた。この移行区間はａ−Ｓｉの下に金属層が配置さ
れた領域の上に設ける。図４は、図３の領域Ａと領域Ｂ
の境界を拡大したもので、領域Ａでは１２ｍ／ｓ、領域
Ｂでは１５ｍ／ｓで走査し、その間の領域Ｃで速度を変
化させるようにした。言い換えれば、ビームアニールす
る際、その下方に位置する金属層の端部領域で速度調節
を行った。

【００４１】図４の領域ＣにＴＦＴは形成されない。な
ぜなら領域Ｃは、金属層の上であるにもかかわらず、ビ
ームアニールの走査線速度が適切な速度（１２ｍ／ｓ）
より速くなっているので、十分な多結晶化が行われない
可能性があるからである。このようにしてａ−Ｓｉのう
ち必要な部分を均一に多結晶化することができた。

【００４２】この基板からＳｉＮ_x 層を除去した後、Ｓ
ｉをパターニングした。この上にゲート絶縁膜となるＳ
ｉＯ₂ 膜をプラズマＣＶＤで１２０ｎｍ成膜した。次に
スパッタによりＣｒを３００ｎｍ成膜し、これをパター
ニングしてゲート電極となる配線を形成した。さらにこ
の配線をマスクとして、ＳｉＯ₂ 膜のエッチングを行っ
た。

【００４３】この基板に、ホウ素イオンを注入したあ
と、レジストで必要な部分をマスクして、リンイオンを
注入した。二種類のイオンを注入するのは、ｎチャネル
とｐチャネルの両極性のＴＦＴを形成し、ＣＭＯＳ回路
で行側駆動回路を構成するためである。

【００４４】次に、ゲート電極の配線とソース・ドレイ
ン電極の配線とを絶縁するために、プラズマＣＶＤでＳ
ｉＮ_x 層を３００ｎｍ成膜した。この上に画素電極とな
るＩＴＯ膜をスパッタで５０ｎｍ成膜し、パターニング
した。そしてソース・ドレイン電極配線とＳｉとのコン
タクトをとるために、ＳｉＮ_x 層のパターニングを行っ
た。

【００４５】そして、スパッタでＣｒを３００ｎｍ成膜
し、パターニングしてソース・ドレイン電極配線を形成
した。最後に、保護膜としてＳｉＮ_x 層をＣＶＤで４０
０ｎｍ成膜しパターニングした。

【００４６】以上のようにして、画素駆動用ＴＦＴと行
駆動回路とを一緒に集積化したアクティブマトリックス
基板を得た。画素駆動用ＴＦＴ（領域Ａの中、図３の符
号９の中の空間に形成されるＴＦＴ）には、Ｃｒの遮光
膜がついているので、コプレーナ型ＴＦＴでありながら
バックライトをあててもリーク電流は非常に小さく抑え
ることができた。得られたＬＣＤは均一な画像表示が得
られ、低電圧で高速の動画表示を行うことができた。

【００４７】

【発明の効果】本発明によれば、パターニングされた金
属層上に形成されたアモルファス半導体をビームアニー
ルして多結晶半導体ＴＦＴを製造する場合でも、半導体
層が焦げたり飛散したりすることなく、均一に多結晶化
を行うことができる。

【００４８】本発明によって、３００ｎｍ以上の厚みの
金属層をＴＦＴの下部構造として設けることができるよ
うになった。したがって、金属層を厚く設けることがで
きるので、高い遮光効果を得ることができる。ひいて
は、光学的性能がきわめて均一な高性能の液晶ディスプ
レイを形成できる。

【００４９】また、本発明においては、ＨＳＢＡによっ
て形成した多結晶半導体ＴＦＴの長期的な信頼性がより
向上する。さらに、歩留が改善され高い生産性が得られ
るようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の一部平面図。

【図２】本発明の実施例の一部断面図。

【図３】本発明のアクティブマトリックス基板の全体
図。

【図４】図３の領域Ａと領域Ｂの境界近傍の拡大図。

【図５】従来例の一部平面図。

【符号の説明】

１：金属層の幅２：ストライプの幅３：ガラス基板４：金属層（配線パターン）５：ＳｉＮ_x 層６：ａ−Ｓｉ層７：多結晶化Ｓｉ層（ストライプ）８：ＳｉＮ_x 層９：画面領域Ｌ：ビームアニールの方向

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 27/12

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガラス基板上にアモルファス半導体層を形
成し、ビームスポットをアモルファス半導体層に照射
し、ビームアニールによってアモルファス半導体層の少
なくとも一部を多結晶半導体層に形成し、該多結晶半導
体層の少なくとも一部をＴＦＴの構成要素とするアクテ
ィブマトリックス基板の製造方法において、ガラス基板
とアモルファス半導体層との間に直線パターン状の金属
層を設け、ビームアニールの際に、アモルファス半導体
層の上に照射するビームスポットの略中心を金属層の上
面に位置するように行うことを特徴とするアクティブマ
トリックス基板の製造方法。
【請求項２】ＴＦＴが逆スタガ型ＴＦＴであることを特
徴とする請求項１のアクティブマトリックス基板の製造
方法。
【請求項３】ＴＦＴがコプレーナ型ＴＦＴであって、多
結晶半導体層とガラス基板との間に金属層を有すること
を特徴とする請求項１のアクティブマトリックス基板の
製造方法。
【請求項４】ビームアニールの際に、ガラス基板上の特
定の部分にビームスポットが照射しないように遮蔽する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項のアクテ
ィブマトリックス基板の製造方法。
【請求項５】ビームアニールを行う走査方向に対して垂
直な方向における金属層の線幅を１０μｍ以上とするこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項のアクティ
ブマトリックス基板の製造方法。
【請求項６】ビームアニールの際、ピーク光強度の６０
％以上の光強度を有するビームスポットの大きさをＳ₆₀
とし、ビームアニールを行う走査方向に対して垂直な方
向におけるＳ₆₀の長さを４０〜８０μｍとすることを特
徴とする請求項１〜５のいずれか１項のアクティブマト
リックス基板の製造方法。
【請求項７】ガラス基板上にアモルファス半導体層を形
成し、ビームスポットをアモルファス半導体層に照射
し、ビームアニールによってアモルファス半導体層の少
なくとも一部を多結晶半導体層に形成し、該多結晶半導
体層の少なくとも一部をＴＦＴの構成要素とするアクテ
ィブマトリックス基板の製造方法において、ガラス基板
とアモルファス半導体層との間に直線パターン状の金属
層を設け、ビームアニールの際に、アモルファス半導体
層の下に金属層のない領域での第１の走査線速度を、ア
モルファス半導体層の下に金属層のある領域における第
２の線走査速度より大きくすることを特徴とするアクテ
ィブマトリックス基板の製造方法。
【請求項８】第１の走査線速度を第２の走査線速度の
１．２倍以上とすることを特徴とする請求項７のアクテ
ィブマトリックス基板の製造方法。