JPH0828351B2 - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
- Publication number
- JPH0828351B2 JPH0828351B2 JP62206494A JP20649487A JPH0828351B2 JP H0828351 B2 JPH0828351 B2 JP H0828351B2 JP 62206494 A JP62206494 A JP 62206494A JP 20649487 A JP20649487 A JP 20649487A JP H0828351 B2 JPH0828351 B2 JP H0828351B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- layer film
- ladder
- type silicone
- hydroxyl group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、配線層上に耐吸湿性，耐熱性および絶縁性
にすぐれ、かつ耐久性に富む保護層を有する、ハイブリ
ッドIC基板,LSI基板等として有用な配線基板に関する。
にすぐれ、かつ耐久性に富む保護層を有する、ハイブリ
ッドIC基板,LSI基板等として有用な配線基板に関する。
従来、基板上に形成された配線層をCVDのごとき方法
によって酸化ケイ素などの無機化合物の絶縁層膜で被覆
し、さらに絶縁層膜上をレベリングと保護の目的で樹脂
層膜、例えばポリイミド系樹脂層膜で被覆することはよ
く知られている。
によって酸化ケイ素などの無機化合物の絶縁層膜で被覆
し、さらに絶縁層膜上をレベリングと保護の目的で樹脂
層膜、例えばポリイミド系樹脂層膜で被覆することはよ
く知られている。
しかし、ポリイミド系樹脂から形成される膜は、吸湿
性が大きく、また耐熱性が十分満足すべきでないという
難点を有する。
性が大きく、また耐熱性が十分満足すべきでないという
難点を有する。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を克服して密着
性，耐吸湿性，耐熱性および絶縁性等にすぐれた配線基
板を提供するにある。
性，耐吸湿性，耐熱性および絶縁性等にすぐれた配線基
板を提供するにある。
本発明によって上記目的を達成し得る配線基板が提供
される。
される。
すなわち、本発明は、基板上に形成された配線層が無
機化合物の絶縁層膜で被覆され、かつ該絶縁層膜上が、
側鎖がメチル基、フェニル基または水酸基であり末端が
エトキシ基または水酸基（但し、同時に水酸基であるこ
とはない。）であり、その水酸基は合わせて末端と側鎖
の基の合計の１〜５モル％であるラダー型シリコーンオ
リゴマーの硬化塗膜で被覆されていることを特徴とする
配線基板に関する。
機化合物の絶縁層膜で被覆され、かつ該絶縁層膜上が、
側鎖がメチル基、フェニル基または水酸基であり末端が
エトキシ基または水酸基（但し、同時に水酸基であるこ
とはない。）であり、その水酸基は合わせて末端と側鎖
の基の合計の１〜５モル％であるラダー型シリコーンオ
リゴマーの硬化塗膜で被覆されていることを特徴とする
配線基板に関する。
本発明の配線基板は、基板上に直接または絶縁層膜を
設けたのち、金属の配線層を形成し、その上に無機化合
物の絶縁層膜を形成し、該絶縁層膜上にラダー型シリコ
ーンオリゴマーを塗布し、加熱硬化させることによって
製造することができる。
設けたのち、金属の配線層を形成し、その上に無機化合
物の絶縁層膜を形成し、該絶縁層膜上にラダー型シリコ
ーンオリゴマーを塗布し、加熱硬化させることによって
製造することができる。
本発明に用いられる基板としては、単結晶シリコン基
板，多結晶シリコン基板，ガリウムヒ素基板、ガリウム
リン基板などがあげられる。これらの基板には、直接ま
たは酸化ケイ素，酸化アルミニウムなどから形成された
絶縁層膜を介して配線層が形成されている。絶縁層膜
は、熱酸化法やCVD法などによって形成することができ
る。また、配線層を形成する方法としては、蒸着法など
の従来公知の方法が採用される。
板，多結晶シリコン基板，ガリウムヒ素基板、ガリウム
リン基板などがあげられる。これらの基板には、直接ま
たは酸化ケイ素，酸化アルミニウムなどから形成された
絶縁層膜を介して配線層が形成されている。絶縁層膜
は、熱酸化法やCVD法などによって形成することができ
る。また、配線層を形成する方法としては、蒸着法など
の従来公知の方法が採用される。
本発明においては、前記基板上に形成されている配線
層が無機化合物の絶縁層膜で被覆されている。
層が無機化合物の絶縁層膜で被覆されている。
絶縁層膜を形成する無機化合物としては、たとえば酸
化ケイ素，酸化アルミニウムなどがあげられる。
化ケイ素，酸化アルミニウムなどがあげられる。
絶縁層膜を形成する方法には特に限定はなく、たとえ
ばCVD法，スパッタ法などがあげられる。絶縁層膜の膜
厚は、0.1〜５μｍ、好ましくは0.3〜２μｍ程度であ
る。絶縁層膜は、種類の異なる２種以上の無機化合物を
用いて複合した絶縁層膜にしてもよい。
ばCVD法，スパッタ法などがあげられる。絶縁層膜の膜
厚は、0.1〜５μｍ、好ましくは0.3〜２μｍ程度であ
る。絶縁層膜は、種類の異なる２種以上の無機化合物を
用いて複合した絶縁層膜にしてもよい。
次に、本発明においては、上記絶縁層膜上が、側鎖が
メチル基、フェニル基または水酸基であり末端がエトキ
シ基または水酸基（但し、同時に水酸基であることはな
い。）であり、その水酸基は合わせて末端と側鎖の基の
合計の１〜５モル％であるラダー型シリコーンオリゴマ
ーの硬化被膜で被覆されている。
メチル基、フェニル基または水酸基であり末端がエトキ
シ基または水酸基（但し、同時に水酸基であることはな
い。）であり、その水酸基は合わせて末端と側鎖の基の
合計の１〜５モル％であるラダー型シリコーンオリゴマ
ーの硬化被膜で被覆されている。
上記ラダー型シリコーンオリゴマーは、下記の一般式
（１）で表わされる構造を有するものである。
（１）で表わされる構造を有するものである。
（式中、Ｒはメチル基，フェニル基または水酸基であ
り、末端はエトキシ基または水酸基である。但し、末端
は同時に水酸基であることはない。） 上記一般式（１）で表わされるラダー型シリコーンオ
リゴマー中の水酸基含有量は、側鎖の水酸基および末端
の水酸基を合わせて１〜５モル％である。ラダー型シリ
コーンオリゴマー中の水酸基含有量が１モル％より少な
い場合は、熱硬化性が十分でなく、満足すべき硬化塗膜
が得られない。また、ラダー型シリコーンオリゴマー中
の水酸化含有量が５モル％より多い場合は、硬化塗膜の
耐吸水性が十分でない。
り、末端はエトキシ基または水酸基である。但し、末端
は同時に水酸基であることはない。） 上記一般式（１）で表わされるラダー型シリコーンオ
リゴマー中の水酸基含有量は、側鎖の水酸基および末端
の水酸基を合わせて１〜５モル％である。ラダー型シリ
コーンオリゴマー中の水酸基含有量が１モル％より少な
い場合は、熱硬化性が十分でなく、満足すべき硬化塗膜
が得られない。また、ラダー型シリコーンオリゴマー中
の水酸化含有量が５モル％より多い場合は、硬化塗膜の
耐吸水性が十分でない。
水酸基および末端にエトキシ基を有しないラダー型シ
リコーンオリゴマー、たとえば前記一般式（１）におい
てＲおよび末端がすべてメチル基のラダー型シリコーン
オリゴマーを使用すると、加熱しても十分に硬化せず、
硬化塗膜が容易に剥離してしまって全く保護効果が得ら
れない。
リコーンオリゴマー、たとえば前記一般式（１）におい
てＲおよび末端がすべてメチル基のラダー型シリコーン
オリゴマーを使用すると、加熱しても十分に硬化せず、
硬化塗膜が容易に剥離してしまって全く保護効果が得ら
れない。
また、本発明において使用されるラダー型シリコーン
オリゴマーは、不純物の少ないものが好ましく、特に金
属系（たとえばNa,Ca,Fe等）の不純物の混入量が0.1ppm
以下のものが望ましい。ラダー型シリコーンオリゴマー
が金属系の不純物を0.1ppmより多く含む場合は、熱によ
って基板中へ金属系の不純物が拡散して侵入し、配線基
板の誤動作などの原因となる。
オリゴマーは、不純物の少ないものが好ましく、特に金
属系（たとえばNa,Ca,Fe等）の不純物の混入量が0.1ppm
以下のものが望ましい。ラダー型シリコーンオリゴマー
が金属系の不純物を0.1ppmより多く含む場合は、熱によ
って基板中へ金属系の不純物が拡散して侵入し、配線基
板の誤動作などの原因となる。
絶縁層膜上にラダー型シリコーンオリゴマーの硬化塗
膜を形成する方法としては、ラダー型シリコーンオリゴ
マーを酢酸ブチル，エタノール，ブタノール，セロソル
ブ，セロソルブアセテート，ブチルセロソルブのごとき
有機溶剤に溶解し、スピンコート法などによってコーテ
ィングを行ない、有機溶剤を蒸発せしめたのち、150〜3
00℃において加熱硬化させる方法を採用することができ
る。
膜を形成する方法としては、ラダー型シリコーンオリゴ
マーを酢酸ブチル，エタノール，ブタノール，セロソル
ブ，セロソルブアセテート，ブチルセロソルブのごとき
有機溶剤に溶解し、スピンコート法などによってコーテ
ィングを行ない、有機溶剤を蒸発せしめたのち、150〜3
00℃において加熱硬化させる方法を採用することができ
る。
ラダー型シリコーンオリゴマーの硬化塗膜の膜厚は、
0.1〜５μｍ、好ましくは0.3〜２μｍ程度が望ましい。
0.1〜５μｍ、好ましくは0.3〜２μｍ程度が望ましい。
ラダー型シリコーンオリゴマーは、加熱によって脱
水，脱エタノール反応を起こして縮合し、高分子となっ
て保護作用を発揮するものである。
水，脱エタノール反応を起こして縮合し、高分子となっ
て保護作用を発揮するものである。
従来、保護コート材料として使用されていたポリイミ
ド系樹脂膜は、吸湿率が約２〜３％、劣化温度が約300
〜350℃であるのに対し、本発明において使用されるラ
ダー型シリコーンオリゴマーの硬化塗膜は、吸湿率が約
0.4〜0.6％と小さく、かつ劣化温度は約400〜450℃であ
り、すぐれた耐吸湿性と耐熱性を有している。
ド系樹脂膜は、吸湿率が約２〜３％、劣化温度が約300
〜350℃であるのに対し、本発明において使用されるラ
ダー型シリコーンオリゴマーの硬化塗膜は、吸湿率が約
0.4〜0.6％と小さく、かつ劣化温度は約400〜450℃であ
り、すぐれた耐吸湿性と耐熱性を有している。
以下、実施例をあげて本発明をさらに詳細に説明す
る。
る。
実施例１ 直径６インチの単結晶シリコン基板の表面に、熱酸化
によって酸化ケイ素の絶縁層膜（膜厚0.3μｍ）を形成
したのち、絶縁層膜の上に蒸着によってアルミニウムの
配線を行った。次いで、CVD法により配線上に酸化ケイ
素の絶縁層膜（膜厚0.5μｍ）を形成せしめた。この絶
縁層膜上に、前記一般式（１）において側鎖がメチル基
とフェニル基とを2:1割合で有し（Ｒがメチル基とフェ
ニル基）、かつ水酸基含有量が４モル％、末端にエトキ
シ基を含むラダー型シリコーンオリゴマー（分子量170
0、金属系の不純物含量がNa0.06ppm、Ca0.01ppm、Fe0.0
2ppm）のセロソルブアセテートの20重量％溶液をスピン
コートして厚さ約1.5μｍ（固形分換算）の皮膜をつく
り、180℃で30分間加熱して硬化せしめた。得られた配
線基板の縦断側面図を第１図に示す。
によって酸化ケイ素の絶縁層膜（膜厚0.3μｍ）を形成
したのち、絶縁層膜の上に蒸着によってアルミニウムの
配線を行った。次いで、CVD法により配線上に酸化ケイ
素の絶縁層膜（膜厚0.5μｍ）を形成せしめた。この絶
縁層膜上に、前記一般式（１）において側鎖がメチル基
とフェニル基とを2:1割合で有し（Ｒがメチル基とフェ
ニル基）、かつ水酸基含有量が４モル％、末端にエトキ
シ基を含むラダー型シリコーンオリゴマー（分子量170
0、金属系の不純物含量がNa0.06ppm、Ca0.01ppm、Fe0.0
2ppm）のセロソルブアセテートの20重量％溶液をスピン
コートして厚さ約1.5μｍ（固形分換算）の皮膜をつく
り、180℃で30分間加熱して硬化せしめた。得られた配
線基板の縦断側面図を第１図に示す。
第１図において、１は単結晶シリコン基板、２は酸化
ケイ素の絶縁層膜、３はアルミニウム配線、４は酸化ケ
イ素の絶縁層膜、５はラダー型シリコーンオリゴマーの
硬化塗膜を示す。
ケイ素の絶縁層膜、３はアルミニウム配線、４は酸化ケ
イ素の絶縁層膜、５はラダー型シリコーンオリゴマーの
硬化塗膜を示す。
このようにして得られた保護された配線基板の硬化塗
膜は、120℃、100時間のプレッシャ・クッカテストで絶
縁に全く異常が認められず、絶縁性（体積固有抵抗）
は、25℃、65％RHで1014Ω・cmであった。また、ラダー
型シリコーンオリゴマーの硬化塗膜の吸湿率は0.5％、
劣化温度は420℃であり、耐吸湿性および耐熱性にすぐ
れていた。
膜は、120℃、100時間のプレッシャ・クッカテストで絶
縁に全く異常が認められず、絶縁性（体積固有抵抗）
は、25℃、65％RHで1014Ω・cmであった。また、ラダー
型シリコーンオリゴマーの硬化塗膜の吸湿率は0.5％、
劣化温度は420℃であり、耐吸湿性および耐熱性にすぐ
れていた。
比較例１ 水酸基の含有量が0.5モル％であるラダー型シリコー
ンオリゴマーを用いた以外は、実施例１と全く同様にし
て配線基板を作製した。
ンオリゴマーを用いた以外は、実施例１と全く同様にし
て配線基板を作製した。
その結果、180℃、30分間の加熱では、ラダー型シリ
コーンオリゴマーの硬化塗膜が得られ難く、得られた配
線基板の硬化塗膜は、120℃、25時間のプレッシャ・ク
ッカテストで全面的に剥離した。
コーンオリゴマーの硬化塗膜が得られ難く、得られた配
線基板の硬化塗膜は、120℃、25時間のプレッシャ・ク
ッカテストで全面的に剥離した。
比較例２ 水酸基の含有量が７モル％であるラダー型シリコーン
オリゴマーを用いて、実施例１と全く同様にして配線基
板を作製した。
オリゴマーを用いて、実施例１と全く同様にして配線基
板を作製した。
得られた配線基板の硬化塗膜の耐吸水性は小さく、ま
た配線基板を120℃のプレッシャ・クッカテストを行っ
たところ、50時間で膨潤して硬化塗膜が剥離した。
た配線基板を120℃のプレッシャ・クッカテストを行っ
たところ、50時間で膨潤して硬化塗膜が剥離した。
実施例２ 直径６インチの単結晶ガリウムヒ素基板の表面に、CV
D法によって酸化ケイ素の絶縁層膜（膜厚0.4μｍ）を形
成したのち、絶縁層膜の上に蒸着によってアルミニウム
の配線を行った。次いで、CVD法により配線上に酸化ケ
イ素の絶縁層膜（膜厚0.5μｍ）を形成せしめた。この
絶縁層膜上に、前記一般式（１）において、側鎖がメチ
ル基（Ｒがメチル基）で、かつ水酸基含有量が3.5モル
％、末端にエトキシ基を含むラダー型シリコーンオリゴ
マー（分子量1200、金属系の不純物含量がNa0.08ppm,K
0.005ppm,Fe0.01ppm）の酢酸ブチルの20重量％溶液をス
ピンコートして厚さ約1.2μｍ（固形分換算）の皮膜を
つくり、200℃で20分間加熱して硬化せしめた。
D法によって酸化ケイ素の絶縁層膜（膜厚0.4μｍ）を形
成したのち、絶縁層膜の上に蒸着によってアルミニウム
の配線を行った。次いで、CVD法により配線上に酸化ケ
イ素の絶縁層膜（膜厚0.5μｍ）を形成せしめた。この
絶縁層膜上に、前記一般式（１）において、側鎖がメチ
ル基（Ｒがメチル基）で、かつ水酸基含有量が3.5モル
％、末端にエトキシ基を含むラダー型シリコーンオリゴ
マー（分子量1200、金属系の不純物含量がNa0.08ppm,K
0.005ppm,Fe0.01ppm）の酢酸ブチルの20重量％溶液をス
ピンコートして厚さ約1.2μｍ（固形分換算）の皮膜を
つくり、200℃で20分間加熱して硬化せしめた。
このようにして得られた保護された配線基板の硬化塗
膜は、120℃、100時間のプレッシャ・クッカテストで絶
縁に全く異常が認められず、絶縁性（体積固有抵抗）は
25℃、65％RHで1014Ω・cmであった。また、ラダー型シ
リコーンオリゴマーの硬化塗膜の吸湿率は0.4％、劣化
温度は400℃であり、耐湿性および耐熱性にすぐれてい
た。
膜は、120℃、100時間のプレッシャ・クッカテストで絶
縁に全く異常が認められず、絶縁性（体積固有抵抗）は
25℃、65％RHで1014Ω・cmであった。また、ラダー型シ
リコーンオリゴマーの硬化塗膜の吸湿率は0.4％、劣化
温度は400℃であり、耐湿性および耐熱性にすぐれてい
た。
以上のとおり、本発明によれば、配線層が無機化合物
の絶縁層膜とラダー型シリコーンオリゴマーの硬化塗膜
の二層で被覆されたので、耐湿性，耐熱性および絶縁性
にすぐれており、ハイブリッドIC基板,LSI基板として有
用である。
の絶縁層膜とラダー型シリコーンオリゴマーの硬化塗膜
の二層で被覆されたので、耐湿性，耐熱性および絶縁性
にすぐれており、ハイブリッドIC基板,LSI基板として有
用である。
第１図は本発明による配線基板の縦断側面図である。 １……単結晶シリコン基板、２……酸化ケイ素の絶縁層
膜、３……アルミニウム配線、４……酸化ケイ素の絶縁
層膜、５……ラダー型シリコーンオリゴマーの硬化塗
膜。
膜、３……アルミニウム配線、４……酸化ケイ素の絶縁
層膜、５……ラダー型シリコーンオリゴマーの硬化塗
膜。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に形成された配線層が無機化合物の
絶縁層膜で被覆され、かつ該絶縁層膜上が、側鎖がメチ
ル基、フェニル基または水酸基であり末端がエトキシ基
または水酸基（但し、同時に水酸基であることはな
い。）であり該水酸基は合わせて末端と側鎖の基の合計
の１〜５モル％であるラダー型シリコーンオリゴマーの
硬化被膜で被覆されていることを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62206494A JPH0828351B2 (ja) | 1987-08-21 | 1987-08-21 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62206494A JPH0828351B2 (ja) | 1987-08-21 | 1987-08-21 | 配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6450533A JPS6450533A (en) | 1989-02-27 |
| JPH0828351B2 true JPH0828351B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=16524301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62206494A Expired - Lifetime JPH0828351B2 (ja) | 1987-08-21 | 1987-08-21 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828351B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02291129A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US5082609A (en) * | 1990-10-22 | 1992-01-21 | Bridgestone Australia Ltd. | Method of forming a moulded panel |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6017214B2 (ja) * | 1977-01-14 | 1985-05-01 | ジェイエスアール株式会社 | 可溶性メチルポリシロキサンおよびその製造法 |
| JPS6046826B2 (ja) * | 1979-06-21 | 1985-10-18 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| JPS5750526A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-25 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Supplying method of absorbent for waste gas desulfurizing method by wet lime process |
-
1987
- 1987-08-21 JP JP62206494A patent/JPH0828351B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6450533A (en) | 1989-02-27 |
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