JPH08279633A - ホールセンサ - Google Patents

ホールセンサ

Info

Publication number
JPH08279633A
JPH08279633A JP7082650A JP8265095A JPH08279633A JP H08279633 A JPH08279633 A JP H08279633A JP 7082650 A JP7082650 A JP 7082650A JP 8265095 A JP8265095 A JP 8265095A JP H08279633 A JPH08279633 A JP H08279633A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
active layer
cross
hall sensor
shaped
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7082650A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Horie
慶宏 堀江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
Priority to JP7082650A priority Critical patent/JPH08279633A/ja
Publication of JPH08279633A publication Critical patent/JPH08279633A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】電極形状を非対称とすることによって、センサ
寸法を小さくするとともに、ボンダビリティを向上させ
る。 【構成】GaAs基板1上に形成した十字形活性層4の
端部に、全体が鈎十字状となるように、同一回転方向に
向きを揃えた鈎形の電極2、3を設け、その先端部5が
十字形活性層4の隅部7のスペース内に格納されるよう
にする。ボンディングパッドと電気特性測定用の針当部
は兼用せず、電極の先端部5をワイヤボンディングパッ
ド部とし、電極の基端部を針当部とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は寸法の小型化を図ったホ
ールセンサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のホールセンサの構造例であるベア
チップを図2に示す。ベアチップは、半絶縁性GaAs
基板1上に、イオン注入法によりSiを打込んで十字形
の活性層4を形成し、その十字形活性層4の4つの端部
にAu合金を蒸着して、入力電極2及び出力電極3を形
成している。
【0003】電極2、3の形状は、図示するように四角
形が一般的で、十字形活性層4の端部を通る中心線Lに
対して対称に設けられる。電極2、3に金線をボンディ
ングするために電極2、3の寸法は、金線φ20μmの
場合、100μm角程度が必要となる。また、入力電極
2及び出力電極3は、電気特性を測定するための針当用
電極も兼ねている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ホールセン
サはGaAs基板などの化合物半導体基板から構成され
るため非常に高価であり、コストを低減するためには1
枚の基板からできるだけ数多くのチップを取ることが要
請される。そのためには、チップのサイズを小さくする
必要がある。
【0005】それには活性層と電極を小さくする必要が
あるが、活性層の寸法は、ホールセンサの電気特性から
自ずと定まるため、十字形活性層の端部の外側に突出し
ている電極寸法をいかに小さくできるかが、チップサイ
ズを小さくするための条件となる。
【0006】この点で、従来はボンディングパッドの寸
法に合わせて電極寸法が決められており、電極寸法をこ
れ以上に小さくすることはできない。
【0007】また、電極2、3は、電気特性を測定する
ための針当用電極も兼ねているため、測定後電極に針跡
が残り、それが原因で金線剥がれ生じるなどのボンダビ
リティ不良が発生していた。
【0008】本発明は、十字形活性層の隅部に存在する
デッドスペースに着目してなされたものであり、その目
的は、デッドスペースを有効利用することによって、上
述した従来技術の欠点を解消して、センサ寸法を小さく
することができるホールセンサを提供することにある。
また、本発明の目的はボンダビリティを向上させること
ができるホールセンサを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、化合物半導体
基板上に十字形の活性層を形成し、十字形活性層の4つ
の端部に同一回転方向に向きを揃えた鈎形の電極をそれ
ぞれ設けて、鈎形電極の先端部を〓字形活性層の4つの
隅部に配置させるようにしたものである。
【0010】特に、鈎形電極の先端部をワイヤボンディ
ングパッド部とし、基端部を電気特性測定用の針当部と
することが好ましく、その場合、ホールセンサは、基板
がリードフレーム上にダイボンディングされ、上記鈎形
電極の基端部に針跡が形成され、先端部とリードフレー
ムとがワイヤボンディングされて構成される。
【0011】
【作用】本発明のように、電極を鈎形にすると、それま
でデッドスペースであった十字形活性層の隅部に電極の
先端部を納めることができるので、センサ寸法を小さく
することができる。
【0012】鈎形電極の先端部をワイヤボンディングパ
ッド部とし、基端部を電気特性測定用針当部とする場合
には、針跡が残る部分にボンディング線をボンディング
しなくてもよいので、ボンダビリティが良好になる。
【0013】
【実施例】以下、本発明のホールセンサの実施例を図面
を用いて説明する。図1は本実施例のホールセンサを構
成するベアチップを示す平面図である。
【0014】ベアチップは、矩形をした半絶縁性GaA
s基板1の表面に十字形の活性層4を有する。表面の活
性層4は、GaAs基板1にイオン注入法によりSi+
を選択的に注入し、アニールを行うことで形成する。十
字形活性層4の4つの端部には、Au合金を蒸着して入
力電極2及び出力電極3を形成している。各電極の形状
は、活性層4の端部を通る中心線Lに対して非対称にな
るように設けられる。すなわち、十字形活性層の4つの
端部に設けられる電極2、3は、同一回転方向に向きを
揃えた鈎形として設けられ、活性層4を含めた全体の形
状が鈎十字状になるようにしてある。鈎形の電極2、3
は電極基端部6と電極先端部5から構成される。活性層
4の端部と接続される電極基端部6は、従来の電極より
幅狭に形成され、その延長上にある電極先端部5は、従
来と同じボンディングパッドの寸法に合わせた四角形で
形成される。このとき電極先端部5は他の電極部との最
少間隔を確保する。
【0015】電極基端部6を従来の電極より幅狭に形成
することにより、ベアチップ寸法の増大を抑えることが
できる。また、電極2、3を鈎形とすることにより、面
積の大きい電極先端部5を、従来使用されていなかった
十字形活性層4の各隅部7に形成される四角形状のスペ
ース内に格納されるような形になるので、ベアチップの
小型化が図れる。
【0016】また、各電極形状を中心線Lに対して非対
称に形成すると、電極先端部5と電極基端部6とは、そ
の形状により明確に区別できるようになる。これを利用
して、ボンディング部と針当部を兼用せずに両者を使い
分け、電極基端部6を電気特性測定用の針当部として使
用し、面積の大きい電極先端部5を金線を接続するため
のワイヤボンディングパッド部として使用する。このと
き、電極先端部5を100μm角とした場合、針当部と
なる電極基端部6の幅は50μm程度あれば十分であ
る。
【0017】このベアチップは、後に針当部となる電極
基端部6に針を当てて電気特性が測定され、良品になっ
たものについて、リードフレーム上にダイボンディング
され、電極先端部5が金線でリードフレームとワイヤボ
ンディングされた上、全体がエポキシ樹脂でモールドさ
れる。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、電極を鈎形に形成し
て、その先端部を十字形活性層の隅部に配置させるよう
にしたので、四角形の従来構造のものに比して、センサ
寸法を10%程度小さくできる。
【0019】また、ワイヤボンディングパッドと針当部
を兼用せず、両者を分けるようにしたのでボンダビリテ
ィが向上する。
【0020】また、針跡のない電極先端部にボンディン
グすることにより、信頼性に優れたホールセンサを得る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のホールセンサの一実施例を示すベアチ
ップの平面図である。
【図2】従来例のホールセンサベアチップの平面図であ
る。
【符号の説明】
1 基板 2 入力電極 3 出力電極 4 十字形活性層 5 電極先端部 6 電極基端部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】化合物半導体基板上に十字形の活性層を形
    成し、該十字形活性層の4つの端部に同一回転方向に向
    きを揃えた鈎形の電極をそれぞれ設けて、該鈎形電極の
    先端部を〓字形活性層の4つの隅部に配置させたホール
    センサ。
  2. 【請求項2】上記鈎形電極の先端部をワイヤボンディン
    グパッド部とし、基端部を電気特性測定用の針当部とし
    た請求項1に記載のホールセンサ。
  3. 【請求項3】上記基板がリードフレーム上にダイボンデ
    ィングされ、上記鈎形電極の基端部に針跡が形成され、
    先端部とリードフレームとがワイヤボンディングされて
    いる請求項1または2に記載のホールセンサ。
JP7082650A 1995-04-07 1995-04-07 ホールセンサ Pending JPH08279633A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7082650A JPH08279633A (ja) 1995-04-07 1995-04-07 ホールセンサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7082650A JPH08279633A (ja) 1995-04-07 1995-04-07 ホールセンサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08279633A true JPH08279633A (ja) 1996-10-22

Family

ID=13780314

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7082650A Pending JPH08279633A (ja) 1995-04-07 1995-04-07 ホールセンサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08279633A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016527503A (ja) * 2013-07-26 2016-09-08 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司Multidimension Technology Co., Ltd. 単一磁気抵抗器tmr磁場センサチップおよび磁気貨幣検出器ヘッド

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016527503A (ja) * 2013-07-26 2016-09-08 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司Multidimension Technology Co., Ltd. 単一磁気抵抗器tmr磁場センサチップおよび磁気貨幣検出器ヘッド

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1492015A (en) Integrated circuit devices
US6448107B1 (en) Pin indicator for leadless leadframe packages
JPH08279633A (ja) ホールセンサ
JPH0745778A (ja) リードフレーム及び半導体装置
JPH07101698B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH04329682A (ja) 磁電変換装置
JP3847432B2 (ja) 樹脂封止半導体装置及びその製造方法
JPS61241954A (ja) 半導体装置
KR100218335B1 (ko) 칩 사이즈 패키지
JP2000252545A (ja) ホールセンサ
JPH05211250A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH04213864A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH04277642A (ja) ワイヤーボンディング方法
KR950000051Y1 (ko) 반도체용 칩
JPH0547464Y2 (ja)
JP2003101096A (ja) ホール素子
KR100370480B1 (ko) 반도체 패키지용 리드 프레임
JPH04368140A (ja) 半導体装置
JP2002368177A (ja) リードフレーム及び半導体装置
JPH05243317A (ja) 半導体装置
JPH0513624A (ja) 半導体装置
JPS63288029A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6333851A (ja) Icパツケ−ジ
JPS6196556U (ja)
JPH0365245U (ja)