JPH08279633A - ホールセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】電極形状を非対称とすることによって、センサ
寸法を小さくするとともに、ボンダビリティを向上させ
る。 【構成】ＧａＡｓ基板１上に形成した十字形活性層４の
端部に、全体が鈎十字状となるように、同一回転方向に
向きを揃えた鈎形の電極２、３を設け、その先端部５が
十字形活性層４の隅部７のスペース内に格納されるよう
にする。ボンディングパッドと電気特性測定用の針当部
は兼用せず、電極の先端部５をワイヤボンディングパッ
ド部とし、電極の基端部を針当部とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は寸法の小型化を図ったホ
ールセンサに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のホールセンサの構造例であるベア
チップを図２に示す。ベアチップは、半絶縁性ＧａＡｓ
基板１上に、イオン注入法によりＳｉを打込んで十字形
の活性層４を形成し、その十字形活性層４の４つの端部
にＡｕ合金を蒸着して、入力電極２及び出力電極３を形
成している。

【０００３】電極２、３の形状は、図示するように四角
形が一般的で、十字形活性層４の端部を通る中心線Ｌに
対して対称に設けられる。電極２、３に金線をボンディ
ングするために電極２、３の寸法は、金線φ２０μｍの
場合、１００μｍ角程度が必要となる。また、入力電極
２及び出力電極３は、電気特性を測定するための針当用
電極も兼ねている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ホールセン
サはＧａＡｓ基板などの化合物半導体基板から構成され
るため非常に高価であり、コストを低減するためには１
枚の基板からできるだけ数多くのチップを取ることが要
請される。そのためには、チップのサイズを小さくする
必要がある。

【０００５】それには活性層と電極を小さくする必要が
あるが、活性層の寸法は、ホールセンサの電気特性から
自ずと定まるため、十字形活性層の端部の外側に突出し
ている電極寸法をいかに小さくできるかが、チップサイ
ズを小さくするための条件となる。

【０００６】この点で、従来はボンディングパッドの寸
法に合わせて電極寸法が決められており、電極寸法をこ
れ以上に小さくすることはできない。

【０００７】また、電極２、３は、電気特性を測定する
ための針当用電極も兼ねているため、測定後電極に針跡
が残り、それが原因で金線剥がれ生じるなどのボンダビ
リティ不良が発生していた。

【０００８】本発明は、十字形活性層の隅部に存在する
デッドスペースに着目してなされたものであり、その目
的は、デッドスペースを有効利用することによって、上
述した従来技術の欠点を解消して、センサ寸法を小さく
することができるホールセンサを提供することにある。
また、本発明の目的はボンダビリティを向上させること
ができるホールセンサを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、化合物半導体
基板上に十字形の活性層を形成し、十字形活性層の４つ
の端部に同一回転方向に向きを揃えた鈎形の電極をそれ
ぞれ設けて、鈎形電極の先端部を〓字形活性層の４つの
隅部に配置させるようにしたものである。

【００１０】特に、鈎形電極の先端部をワイヤボンディ
ングパッド部とし、基端部を電気特性測定用の針当部と
することが好ましく、その場合、ホールセンサは、基板
がリードフレーム上にダイボンディングされ、上記鈎形
電極の基端部に針跡が形成され、先端部とリードフレー
ムとがワイヤボンディングされて構成される。

【００１１】

【作用】本発明のように、電極を鈎形にすると、それま
でデッドスペースであった十字形活性層の隅部に電極の
先端部を納めることができるので、センサ寸法を小さく
することができる。

【００１２】鈎形電極の先端部をワイヤボンディングパ
ッド部とし、基端部を電気特性測定用針当部とする場合
には、針跡が残る部分にボンディング線をボンディング
しなくてもよいので、ボンダビリティが良好になる。

【００１３】

【実施例】以下、本発明のホールセンサの実施例を図面
を用いて説明する。図１は本実施例のホールセンサを構
成するベアチップを示す平面図である。

【００１４】ベアチップは、矩形をした半絶縁性ＧａＡ
ｓ基板１の表面に十字形の活性層４を有する。表面の活
性層４は、ＧａＡｓ基板１にイオン注入法によりＳｉ⁺
を選択的に注入し、アニールを行うことで形成する。十
字形活性層４の４つの端部には、Ａｕ合金を蒸着して入
力電極２及び出力電極３を形成している。各電極の形状
は、活性層４の端部を通る中心線Ｌに対して非対称にな
るように設けられる。すなわち、十字形活性層の４つの
端部に設けられる電極２、３は、同一回転方向に向きを
揃えた鈎形として設けられ、活性層４を含めた全体の形
状が鈎十字状になるようにしてある。鈎形の電極２、３
は電極基端部６と電極先端部５から構成される。活性層
４の端部と接続される電極基端部６は、従来の電極より
幅狭に形成され、その延長上にある電極先端部５は、従
来と同じボンディングパッドの寸法に合わせた四角形で
形成される。このとき電極先端部５は他の電極部との最
少間隔を確保する。

【００１５】電極基端部６を従来の電極より幅狭に形成
することにより、ベアチップ寸法の増大を抑えることが
できる。また、電極２、３を鈎形とすることにより、面
積の大きい電極先端部５を、従来使用されていなかった
十字形活性層４の各隅部７に形成される四角形状のスペ
ース内に格納されるような形になるので、ベアチップの
小型化が図れる。

【００１６】また、各電極形状を中心線Ｌに対して非対
称に形成すると、電極先端部５と電極基端部６とは、そ
の形状により明確に区別できるようになる。これを利用
して、ボンディング部と針当部を兼用せずに両者を使い
分け、電極基端部６を電気特性測定用の針当部として使
用し、面積の大きい電極先端部５を金線を接続するため
のワイヤボンディングパッド部として使用する。このと
き、電極先端部５を１００μｍ角とした場合、針当部と
なる電極基端部６の幅は５０μｍ程度あれば十分であ
る。

【００１７】このベアチップは、後に針当部となる電極
基端部６に針を当てて電気特性が測定され、良品になっ
たものについて、リードフレーム上にダイボンディング
され、電極先端部５が金線でリードフレームとワイヤボ
ンディングされた上、全体がエポキシ樹脂でモールドさ
れる。

【００１８】

【発明の効果】本発明によれば、電極を鈎形に形成し
て、その先端部を十字形活性層の隅部に配置させるよう
にしたので、四角形の従来構造のものに比して、センサ
寸法を１０％程度小さくできる。

【００１９】また、ワイヤボンディングパッドと針当部
を兼用せず、両者を分けるようにしたのでボンダビリテ
ィが向上する。

【００２０】また、針跡のない電極先端部にボンディン
グすることにより、信頼性に優れたホールセンサを得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のホールセンサの一実施例を示すベアチ
ップの平面図である。

【図２】従来例のホールセンサベアチップの平面図であ
る。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 入力電極 ３ 出力電極 ４ 十字形活性層 ５ 電極先端部 ６ 電極基端部

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】化合物半導体基板上に十字形の活性層を形
   成し、該十字形活性層の４つの端部に同一回転方向に向
   きを揃えた鈎形の電極をそれぞれ設けて、該鈎形電極の
   先端部を〓字形活性層の４つの隅部に配置させたホール
   センサ。
2. 【請求項２】上記鈎形電極の先端部をワイヤボンディン
   グパッド部とし、基端部を電気特性測定用の針当部とし
   た請求項１に記載のホールセンサ。
3. 【請求項３】上記基板がリードフレーム上にダイボンデ
   ィングされ、上記鈎形電極の基端部に針跡が形成され、
   先端部とリードフレームとがワイヤボンディングされて
   いる請求項１または２に記載のホールセンサ。