JPH08267768A - インクジェットプリンタヘッドの製造方法 - Google Patents
インクジェットプリンタヘッドの製造方法Info
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- JPH08267768A JPH08267768A JP7327132A JP32713295A JPH08267768A JP H08267768 A JPH08267768 A JP H08267768A JP 7327132 A JP7327132 A JP 7327132A JP 32713295 A JP32713295 A JP 32713295A JP H08267768 A JPH08267768 A JP H08267768A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 インクジェットプリンタヘッドの基板に無電
解メッキにより微細な電極や配線パターンを形成する場
合に、メッキの析出性を向上させる。 【解決手段】 溝２２の内面を含む基板２１の表面にＳ
ｎを吸着させ、つぎに、電極形成部と配線パターン形成
部とを除いた部分を覆うパターンレジスト膜をＳｎを吸
着させた基板２１の表面に形成し、つぎに、電極形成部
と配線パターン形成部とに無電解メッキの触媒核となる
Ｐｄを吸着させ、つぎに、パターンレジスト膜を剥離し
た基板２１をメッキ液に浸漬させて電極形成部と配線パ
ターン形成部とにメッキを析出させることにより電極２
４と配線パターン２５とを形成する。
解メッキにより微細な電極や配線パターンを形成する場
合に、メッキの析出性を向上させる。 【解決手段】 溝２２の内面を含む基板２１の表面にＳ
ｎを吸着させ、つぎに、電極形成部と配線パターン形成
部とを除いた部分を覆うパターンレジスト膜をＳｎを吸
着させた基板２１の表面に形成し、つぎに、電極形成部
と配線パターン形成部とに無電解メッキの触媒核となる
Ｐｄを吸着させ、つぎに、パターンレジスト膜を剥離し
た基板２１をメッキ液に浸漬させて電極形成部と配線パ
ターン形成部とにメッキを析出させることにより電極２
４と配線パターン２５とを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、オンデマンド方式
のインクジェットプリンタヘッドの製造方法に関する。
のインクジェットプリンタヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】印字指令によってインク滴を吐出させる
いわゆるオンデマンド方式のインクジェットプリンタヘ
ッドとしては種々のものがある。その一例としては、特
開平５−２６９９９４号公報に開示されたように電力の
印加に伴う圧電部材の変形を利用してインク滴を吐出さ
せるものが知られており、このインクジェットプリンタ
ヘッドの構造を製作工程順に図７ないし図９に基づいて
説明する。
いわゆるオンデマンド方式のインクジェットプリンタヘ
ッドとしては種々のものがある。その一例としては、特
開平５−２６９９９４号公報に開示されたように電力の
印加に伴う圧電部材の変形を利用してインク滴を吐出さ
せるものが知られており、このインクジェットプリンタ
ヘッドの構造を製作工程順に図７ないし図９に基づいて
説明する。
【０００３】まず、図７（ａ）に示すように、底板１と
下部層２と圧電部材３とからなる三層構造の基板４を形
成する。なお、底板１は、剛性が高く熱変形の少ないセ
ラミックスやガラスを材料として形成し、下部層２は、
エポキシ樹脂を主成分とする接着剤を所定厚さに底板１
上に塗布した後に硬化させて形成する。また、圧電部材
３は分極方向が板厚方向となる向きに下部層２に接着す
る。ここで、下部層２の形成に際しては、接着剤を硬化
させた後に研削加工を施すことにより厚さ調節を行な
う。
下部層２と圧電部材３とからなる三層構造の基板４を形
成する。なお、底板１は、剛性が高く熱変形の少ないセ
ラミックスやガラスを材料として形成し、下部層２は、
エポキシ樹脂を主成分とする接着剤を所定厚さに底板１
上に塗布した後に硬化させて形成する。また、圧電部材
３は分極方向が板厚方向となる向きに下部層２に接着す
る。ここで、下部層２の形成に際しては、接着剤を硬化
させた後に研削加工を施すことにより厚さ調節を行な
う。
【０００４】つぎに、この基板４に対し、図７（ｂ）に
示すように、圧電部材３の表面から下部層２の内部に達
する複数の溝５を所定の間隔をもって平行に研削加工す
る。なお、この研削加工により溝５の両側には側壁６が
形成され、これらの側壁６は、圧電部材３の部分に形成
された上部側壁６ａと、下部層２の部分に形成された下
部側壁６ｂとよりなる。
示すように、圧電部材３の表面から下部層２の内部に達
する複数の溝５を所定の間隔をもって平行に研削加工す
る。なお、この研削加工により溝５の両側には側壁６が
形成され、これらの側壁６は、圧電部材３の部分に形成
された上部側壁６ａと、下部層２の部分に形成された下
部側壁６ｂとよりなる。
【０００５】つぎに、前記基板４に対し無電解メッキに
より電極７と配線パターン８（図９に示す）とを形成す
るが、この無電解メッキの前処理として、キャタライジ
ング・アクセラレーティング処理を行なう。キャタライ
ジング処理は、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ2 ）、塩化第
一錫（ＳｎＣｌ2 ）、及び、濃塩酸（ＨＣｌ）等からな
るキャタリスト液に基板４を浸漬させ、溝５の内面や圧
電部材３の表面にＰｄ及びＳｎの錯化物を吸着させる目
的で行なう。アクセラレーティング処理は、キャタライ
ジング処理で吸着された錯化物を触媒化させる目的で行
なうもので、錯化物は触媒核としての金属化されたＰｄ
となる。
より電極７と配線パターン８（図９に示す）とを形成す
るが、この無電解メッキの前処理として、キャタライジ
ング・アクセラレーティング処理を行なう。キャタライ
ジング処理は、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ2 ）、塩化第
一錫（ＳｎＣｌ2 ）、及び、濃塩酸（ＨＣｌ）等からな
るキャタリスト液に基板４を浸漬させ、溝５の内面や圧
電部材３の表面にＰｄ及びＳｎの錯化物を吸着させる目
的で行なう。アクセラレーティング処理は、キャタライ
ジング処理で吸着された錯化物を触媒化させる目的で行
なうもので、錯化物は触媒核としての金属化されたＰｄ
となる。
【０００６】つぎに、図７（ｃ）に示すように、圧電部
材３の表面にドライフィルム９を貼り付け、このドライ
フィルム９上に図８（ａ）に示すレジスト用マスク１０
を載せて露光、現像を行なう。これにより、図８（ｂ）
に示すように、圧電部材３の表面における電極７を形成
する電極形成部である溝内面７ａと配線パターン８を形
成する配線パターン形成部８ａ以外の部分を覆ったパタ
ーンレジスト膜１１を形成する。これにより、溝内面７
ａと配線パターン形成部８ａとには金属化されたＰｄが
露出した状態となり、他の部分に吸着されたＰｄはパタ
ーンレジスト膜１１により覆われる。
材３の表面にドライフィルム９を貼り付け、このドライ
フィルム９上に図８（ａ）に示すレジスト用マスク１０
を載せて露光、現像を行なう。これにより、図８（ｂ）
に示すように、圧電部材３の表面における電極７を形成
する電極形成部である溝内面７ａと配線パターン８を形
成する配線パターン形成部８ａ以外の部分を覆ったパタ
ーンレジスト膜１１を形成する。これにより、溝内面７
ａと配線パターン形成部８ａとには金属化されたＰｄが
露出した状態となり、他の部分に吸着されたＰｄはパタ
ーンレジスト膜１１により覆われる。
【０００７】つぎに、パターンレジスト膜１１を形成し
た状態の基板４をメッキ液に浸漬させて無電解メッキを
行なう。メッキ液は、ニッケル・リン系の低温メッキ液
を使用する。このメッキ液にパターンレジスト膜１１を
形成した状態の基板４を浸漬させると、金属化されて露
出状態となっているＰｄを触媒核としてメッキが析出
し、図９（ａ）に示すように、溝内面７ａには電極７が
形成され、配線パターン形成部８ａには配線パターン８
が形成される。そして、図９（ｂ）に示すようにパター
ンレジスト膜１１を剥離することにより、無電解メッキ
処理が終了する。
た状態の基板４をメッキ液に浸漬させて無電解メッキを
行なう。メッキ液は、ニッケル・リン系の低温メッキ液
を使用する。このメッキ液にパターンレジスト膜１１を
形成した状態の基板４を浸漬させると、金属化されて露
出状態となっているＰｄを触媒核としてメッキが析出
し、図９（ａ）に示すように、溝内面７ａには電極７が
形成され、配線パターン形成部８ａには配線パターン８
が形成される。そして、図９（ｂ）に示すようにパター
ンレジスト膜１１を剥離することにより、無電解メッキ
処理が終了する。
【０００８】無電解メッキ処理が終了した基板４に対
し、図９（ｃ）に示すように溝５の上部を覆う状態に天
板１２を接着し、その後、各溝５の先端に連通する複数
のインク吐出口１３を形成したノズル板１４を基板４と
天板１２とに溝５の正面部を覆うように接着する。さら
に、各溝５にインクを供給するインク供給管１５を天板
１２に取り付けることによりインクジェットプリンタヘ
ッド１６が完成する。そして、各溝５を天板１２とノズ
ル板１４とで囲むことにより複数の圧力室を形成する。
なお、ノズル板１４を接着する際には、基板４と天板１
２との端面を揃えるための切断加工を行なう。
し、図９（ｃ）に示すように溝５の上部を覆う状態に天
板１２を接着し、その後、各溝５の先端に連通する複数
のインク吐出口１３を形成したノズル板１４を基板４と
天板１２とに溝５の正面部を覆うように接着する。さら
に、各溝５にインクを供給するインク供給管１５を天板
１２に取り付けることによりインクジェットプリンタヘ
ッド１６が完成する。そして、各溝５を天板１２とノズ
ル板１４とで囲むことにより複数の圧力室を形成する。
なお、ノズル板１４を接着する際には、基板４と天板１
２との端面を揃えるための切断加工を行なう。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】特開平５−２６９９９
４号公報に開示されたインクジェットプリンタヘッド１
６では、上述した工程により電極７と配線パターン８と
の形成を行なっており、溝内面７ａに対してはピンホー
ルのない電極７の形成を行なえる。しかし、以下のよう
な問題点を有している。
４号公報に開示されたインクジェットプリンタヘッド１
６では、上述した工程により電極７と配線パターン８と
の形成を行なっており、溝内面７ａに対してはピンホー
ルのない電極７の形成を行なえる。しかし、以下のよう
な問題点を有している。
【００１０】第一の問題点としては、無電解メッキによ
り電極７と配線パターン８とを形成するためにパターン
レジスト膜１１を形成した状態の基板４をメッキ液に浸
漬させた際に、メッキ液によりパターンレジスト膜１１
が膨潤化し、特に、側壁６の上面を覆っているパターン
レジスト膜１１が浮いたり剥離したりする場合がある。
そして、パターンレジスト膜１１が浮いたり剥離したり
すると、このパターンレジスト膜１１により覆われてい
たＰｄを触媒核としてメッキが析出し、溝内面７ａに形
成された隣接する電極７同士が短絡を起こす場合があ
る。この原因は、ドライフィルム９を圧電部材３の表面
に貼り付けた際にその密着性を良好なもとするためには
ベーク温度を１５０℃以上としてドライフィルム９を十
分に硬化させることが望ましいのに対し、分極された圧
電部材３は１３０℃以上に加熱すると分極劣化を起こす
ため、ベーク温度を１３０℃程度に抑えているからであ
る。従って、ベーク温度を１３０℃程度に抑えることに
よりパターンレジスト膜１１が十分に硬化されない状態
となり、メッキ液に浸漬させた際に膨潤化しやすくなっ
ている。
り電極７と配線パターン８とを形成するためにパターン
レジスト膜１１を形成した状態の基板４をメッキ液に浸
漬させた際に、メッキ液によりパターンレジスト膜１１
が膨潤化し、特に、側壁６の上面を覆っているパターン
レジスト膜１１が浮いたり剥離したりする場合がある。
そして、パターンレジスト膜１１が浮いたり剥離したり
すると、このパターンレジスト膜１１により覆われてい
たＰｄを触媒核としてメッキが析出し、溝内面７ａに形
成された隣接する電極７同士が短絡を起こす場合があ
る。この原因は、ドライフィルム９を圧電部材３の表面
に貼り付けた際にその密着性を良好なもとするためには
ベーク温度を１５０℃以上としてドライフィルム９を十
分に硬化させることが望ましいのに対し、分極された圧
電部材３は１３０℃以上に加熱すると分極劣化を起こす
ため、ベーク温度を１３０℃程度に抑えているからであ
る。従って、ベーク温度を１３０℃程度に抑えることに
よりパターンレジスト膜１１が十分に硬化されない状態
となり、メッキ液に浸漬させた際に膨潤化しやすくなっ
ている。
【００１１】第二の問題点としては、無電解メッキによ
りメッキを析出させる場合、無電解メッキの直前にエタ
ノール液や活性化剤で基板４を親水化処理することによ
り溝内面７ａにおけるメッキの析出性を向上させる。な
お、この親水化処理を行なうことについては図７ないし
図９に基づく従来例の説明中では省略したが、この親水
化処理を行なうことによりパターンレジスト膜１１の表
面が活性化される。そして、親水化処理を行なった際に
溝内面７ａや配線パターン形成部８ａに吸着されていた
Ｐｄの一部が脱落し、脱落したＰｄの一部が活性化した
パターンレジスト膜１１の表面に付着する。このような
状態の基板４をメッキ液に浸漬させてメッキの析出を行
なうと、本来、メッキが析出すべきでないパターンレジ
スト膜１１の上にもメッキが析出し、このメッキが電極
７や配線パターン８とつながった状態となる。このた
め、パターンレジスト膜１１を剥離する際に電極７や配
線パターン８の一部が引っ張られて剥がれてしまう場合
がある。
りメッキを析出させる場合、無電解メッキの直前にエタ
ノール液や活性化剤で基板４を親水化処理することによ
り溝内面７ａにおけるメッキの析出性を向上させる。な
お、この親水化処理を行なうことについては図７ないし
図９に基づく従来例の説明中では省略したが、この親水
化処理を行なうことによりパターンレジスト膜１１の表
面が活性化される。そして、親水化処理を行なった際に
溝内面７ａや配線パターン形成部８ａに吸着されていた
Ｐｄの一部が脱落し、脱落したＰｄの一部が活性化した
パターンレジスト膜１１の表面に付着する。このような
状態の基板４をメッキ液に浸漬させてメッキの析出を行
なうと、本来、メッキが析出すべきでないパターンレジ
スト膜１１の上にもメッキが析出し、このメッキが電極
７や配線パターン８とつながった状態となる。このた
め、パターンレジスト膜１１を剥離する際に電極７や配
線パターン８の一部が引っ張られて剥がれてしまう場合
がある。
【００１２】第三の問題点としては、上述した二つの問
題点を解決するために、パターンレジスト膜１１を形成
した後に無電解メッキの前処理を行ない、パターンレジ
スト膜１１を剥離してから基板４をメッキ液に浸漬させ
てメッキを析出させるようにした場合に（この方法は、
電気基板の製作法の一つとして知られている。）、イン
クジェットプリンタヘッド１６において要求されるよう
な微細な電極７や配線パターン８を形成するためのメッ
キの析出が困難な点である。これは、パターンレジスト
膜１１を形成した後においては、パターンレジスト膜１
１により挾まれた状態となっている圧電部材３の表面は
親水化されにくく、無電解メッキの前処理を行なった際
に微細な溝内面７ａや配線パターン形成部８ａに前処理
液が浸入しにくく、溝内面７ａや配線パターン形成部８
ａに触媒核が吸着しにくいためである。
題点を解決するために、パターンレジスト膜１１を形成
した後に無電解メッキの前処理を行ない、パターンレジ
スト膜１１を剥離してから基板４をメッキ液に浸漬させ
てメッキを析出させるようにした場合に（この方法は、
電気基板の製作法の一つとして知られている。）、イン
クジェットプリンタヘッド１６において要求されるよう
な微細な電極７や配線パターン８を形成するためのメッ
キの析出が困難な点である。これは、パターンレジスト
膜１１を形成した後においては、パターンレジスト膜１
１により挾まれた状態となっている圧電部材３の表面は
親水化されにくく、無電解メッキの前処理を行なった際
に微細な溝内面７ａや配線パターン形成部８ａに前処理
液が浸入しにくく、溝内面７ａや配線パターン形成部８
ａに触媒核が吸着しにくいためである。
【００１３】そこで本発明は、パターンレジスト膜を形
成した状態の基板をメッキ液に浸漬することにより発生
するパターンレジスト膜の膨潤化や膨潤化したパターン
レジスト膜が基板から剥がれるということを防止できる
インクジェットプリンタヘッドの製造方法を提供する。
成した状態の基板をメッキ液に浸漬することにより発生
するパターンレジスト膜の膨潤化や膨潤化したパターン
レジスト膜が基板から剥がれるということを防止できる
インクジェットプリンタヘッドの製造方法を提供する。
【００１４】また、パターンレジスト膜を形成した状態
の基板をメッキ液に浸漬する直前に親水化処理を行なっ
た際に、脱落したＰｄがパターンレジスト膜の表面に吸
着するということを防止し、パターンレジスト膜に吸着
したＰｄを触媒核としたメッキが析出するということを
防止できるインクジェットプリンタヘッドの製造方法を
提供する。
の基板をメッキ液に浸漬する直前に親水化処理を行なっ
た際に、脱落したＰｄがパターンレジスト膜の表面に吸
着するということを防止し、パターンレジスト膜に吸着
したＰｄを触媒核としたメッキが析出するということを
防止できるインクジェットプリンタヘッドの製造方法を
提供する。
【００１５】さらに、基板の表面にパターンレジスト膜
を形成した後に無電解メッキの前処理を行なう場合に、
電極形成部や配線パターン形成部への触媒核の吸着を良
好に行なうことができるインクジェットプリンタヘッド
の製造方法を提供する。
を形成した後に無電解メッキの前処理を行なう場合に、
電極形成部や配線パターン形成部への触媒核の吸着を良
好に行なうことができるインクジェットプリンタヘッド
の製造方法を提供する。
【００１６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
板厚方向に分極された少なくとも一枚以上の圧電部材を
含む複数層の基板を形成し、この基板に互いに平行な複
数の溝とこれらの溝を隔てる少なくとも一部が前記圧電
部材からなる側壁とを等間隔にこの基板の表面側から形
成し、前記側壁を形成する前記圧電部材に電力を印加す
る電極と配線パターンとを無電解メッキにより前記基板
に形成し、前記溝の上部を覆う天板と前記溝の正面部を
覆うノズル板とを前記基板に取り付けて複数の圧力室を
形成するインクジェットプリンタヘッドの製造方法にお
いて、前記溝の内面を含む前記基板の表面にＳｎを吸着
させ、前記基板上の電極形成部と配線パターン形成部と
を除いた部分を覆うパターンレジスト膜をＳｎを吸着さ
せた前記基板の表面に形成し、前記電極形成部と前記配
線パターン形成部とに無電解メッキの触媒核となるＰｄ
を吸着させ、前記パターンレジスト膜を剥離した前記基
板をメッキ液に浸漬させて前記電極形成部と前記配線パ
ターン形成部とにメッキを析出させて前記電極と前記配
線パターンとを形成したので、無電解メッキの前処理と
してＰｄを吸着させる電極形成部と配線パターン形成部
とにはＳｎが吸着されているため、これらの電極形成部
と配線パターン形成部とがパターンレジスト膜に挾まれ
た微細な部分であっても前処理液の電極形成部と配線パ
ターン形成部とへの浸入が容易になり、Ｐｄの吸着を良
好に行なえる。従って、このＰｄを触媒核とするメッキ
の析出による電極と配線パターンとの形成を良好に行な
える。
板厚方向に分極された少なくとも一枚以上の圧電部材を
含む複数層の基板を形成し、この基板に互いに平行な複
数の溝とこれらの溝を隔てる少なくとも一部が前記圧電
部材からなる側壁とを等間隔にこの基板の表面側から形
成し、前記側壁を形成する前記圧電部材に電力を印加す
る電極と配線パターンとを無電解メッキにより前記基板
に形成し、前記溝の上部を覆う天板と前記溝の正面部を
覆うノズル板とを前記基板に取り付けて複数の圧力室を
形成するインクジェットプリンタヘッドの製造方法にお
いて、前記溝の内面を含む前記基板の表面にＳｎを吸着
させ、前記基板上の電極形成部と配線パターン形成部と
を除いた部分を覆うパターンレジスト膜をＳｎを吸着さ
せた前記基板の表面に形成し、前記電極形成部と前記配
線パターン形成部とに無電解メッキの触媒核となるＰｄ
を吸着させ、前記パターンレジスト膜を剥離した前記基
板をメッキ液に浸漬させて前記電極形成部と前記配線パ
ターン形成部とにメッキを析出させて前記電極と前記配
線パターンとを形成したので、無電解メッキの前処理と
してＰｄを吸着させる電極形成部と配線パターン形成部
とにはＳｎが吸着されているため、これらの電極形成部
と配線パターン形成部とがパターンレジスト膜に挾まれ
た微細な部分であっても前処理液の電極形成部と配線パ
ターン形成部とへの浸入が容易になり、Ｐｄの吸着を良
好に行なえる。従って、このＰｄを触媒核とするメッキ
の析出による電極と配線パターンとの形成を良好に行な
える。
【００１７】また、基板をメッキ液に浸漬させて無電解
メッキを行なう際には、パターンレジスト膜を剥離した
後であるため、基板をメッキ液に浸漬させることによる
パターンレジスト膜の膨潤化や膨潤化したパターンレジ
スト膜が基板から剥がれるということが発生しない。
メッキを行なう際には、パターンレジスト膜を剥離した
後であるため、基板をメッキ液に浸漬させることによる
パターンレジスト膜の膨潤化や膨潤化したパターンレジ
スト膜が基板から剥がれるということが発生しない。
【００１８】しかも、メッキを析出させる際に触媒核と
なるＰｄは電極形成部と配線パターン形成部とにのみ吸
着されており、メッキの析出はこの電極形成部と配線パ
ターン形成部とにおいてのみ行なわれ、隣接する電極間
にメッキが析出して短絡するということが起こらない。
なるＰｄは電極形成部と配線パターン形成部とにのみ吸
着されており、メッキの析出はこの電極形成部と配線パ
ターン形成部とにおいてのみ行なわれ、隣接する電極間
にメッキが析出して短絡するということが起こらない。
【００１９】さらに、パターンレジスト膜を剥離させる
ために基板を剥離液に浸漬させたり、パターンレジスト
膜を剥離した基板をメッキ液に浸漬させる直前に親水化
処理を行なった際に、Ｐｄの一部が脱落しても、Ｓｎの
表面は活性化されていないために脱落したＰｄがＳｎの
表面に吸着するということが起こらない。従って、Ｐｄ
が吸着されている電極形成部と配線パターン形成部以外
の部分にメッキが析出するということが起こらず、隣接
する電極間にメッキが析出して短絡するということが起
こらない。
ために基板を剥離液に浸漬させたり、パターンレジスト
膜を剥離した基板をメッキ液に浸漬させる直前に親水化
処理を行なった際に、Ｐｄの一部が脱落しても、Ｓｎの
表面は活性化されていないために脱落したＰｄがＳｎの
表面に吸着するということが起こらない。従って、Ｐｄ
が吸着されている電極形成部と配線パターン形成部以外
の部分にメッキが析出するということが起こらず、隣接
する電極間にメッキが析出して短絡するということが起
こらない。
【００２０】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、溝の内面を含む基板の表面にＳｎを吸着さ
せ、このＳｎをＡｇに置換する置換処理を行ない、この
置換処理によりＡｇを吸着させた前記基板の表面にパタ
ーンレジスト膜を形成したので、Ｐｄの吸着をより一層
効率良く行なえ、かつ、無電解メッキを行なった際にお
けるメッキの析出をより一層効率良く行なえる。
明において、溝の内面を含む基板の表面にＳｎを吸着さ
せ、このＳｎをＡｇに置換する置換処理を行ない、この
置換処理によりＡｇを吸着させた前記基板の表面にパタ
ーンレジスト膜を形成したので、Ｐｄの吸着をより一層
効率良く行なえ、かつ、無電解メッキを行なった際にお
けるメッキの析出をより一層効率良く行なえる。
【００２１】
【発明の実施の形態】請求項１記載の発明の一実施の形
態を図１ないし図４に基づいて説明する。図１は本発明
に係るインクジェットプリンタヘッド１７の全体構造を
示すものである。このインクジェットプリンタヘッド１
７は、底板１８の上に二層の圧電部材１９，２０を接着
することにより基板２１を形成し、この基板２１に対し
て研削加工を施すことにより複数の溝２２とこの溝２２
の両側に位置する側壁２３とを形成する。さらに、溝２
２と側壁２３とを形成した基板２１に対して無電解メッ
キにより電極２４と配線パターン２５とを形成し、これ
らの電極２４や配線パターン２５を形成した基板２１に
対して天板２６とインク吐出口２７を形成したノズル板
２８とを接着したものである。なお、各溝２２を天板２
６とノズル板２８とで囲むことにより複数の圧力室２９
を形成する。
態を図１ないし図４に基づいて説明する。図１は本発明
に係るインクジェットプリンタヘッド１７の全体構造を
示すものである。このインクジェットプリンタヘッド１
７は、底板１８の上に二層の圧電部材１９，２０を接着
することにより基板２１を形成し、この基板２１に対し
て研削加工を施すことにより複数の溝２２とこの溝２２
の両側に位置する側壁２３とを形成する。さらに、溝２
２と側壁２３とを形成した基板２１に対して無電解メッ
キにより電極２４と配線パターン２５とを形成し、これ
らの電極２４や配線パターン２５を形成した基板２１に
対して天板２６とインク吐出口２７を形成したノズル板
２８とを接着したものである。なお、各溝２２を天板２
６とノズル板２８とで囲むことにより複数の圧力室２９
を形成する。
【００２２】つぎに、前記インクジェットプリンタヘッ
ド１７の構造を製作工程順に図２ないし図４に詳細に示
す。まず、図２（ａ）に示すように、底板１８の上に二
層の圧電部材１９，２０を接着することにより三層構造
の基板２１を形成する。なお、底板１８は、剛性が高く
熱変形の少ないセラミックスやガラスを材料として形成
する。また、圧電部材１９，２０は板厚方向に分極され
たものをその分極方向が逆向きとなるように接着する。
ド１７の構造を製作工程順に図２ないし図４に詳細に示
す。まず、図２（ａ）に示すように、底板１８の上に二
層の圧電部材１９，２０を接着することにより三層構造
の基板２１を形成する。なお、底板１８は、剛性が高く
熱変形の少ないセラミックスやガラスを材料として形成
する。また、圧電部材１９，２０は板厚方向に分極され
たものをその分極方向が逆向きとなるように接着する。
【００２３】つぎに、この基板２１に対して研削加工を
施すことにより、図２（ｂ）に示すように、圧電部材２
０の表面から圧電部材１９の内部に達する複数の溝２２
とこの溝２２の両側に位置する側壁２３とを形成する。
なお、この研削加工は、ＩＣウエハの切断に切断用に用
いるダイシングソーのダイヤモンドホイール等を用いて
行なう。
施すことにより、図２（ｂ）に示すように、圧電部材２
０の表面から圧電部材１９の内部に達する複数の溝２２
とこの溝２２の両側に位置する側壁２３とを形成する。
なお、この研削加工は、ＩＣウエハの切断に切断用に用
いるダイシングソーのダイヤモンドホイール等を用いて
行なう。
【００２４】前記基板２１の寸法については、底板１８
の板厚を１．４ｍｍ、下方の圧電部材１９の板厚を１７
５μｍ、上方の圧電部材２０の板厚を１３０μｍ、圧電
部材１９，２０間の接着層の厚さを１０μｍとした。前
記溝２２の寸法については、幅を７０μｍ、深さを２７
０μｍとした。配線パターン２５の幅寸法は溝２２の幅
と同じ７０μｍとした。前記ノズル板２８は、ニッケル
の電鋳で形成し、インクに対する発水性が良好なフッ素
樹脂からなる膜を前面にのみ形成する。
の板厚を１．４ｍｍ、下方の圧電部材１９の板厚を１７
５μｍ、上方の圧電部材２０の板厚を１３０μｍ、圧電
部材１９，２０間の接着層の厚さを１０μｍとした。前
記溝２２の寸法については、幅を７０μｍ、深さを２７
０μｍとした。配線パターン２５の幅寸法は溝２２の幅
と同じ７０μｍとした。前記ノズル板２８は、ニッケル
の電鋳で形成し、インクに対する発水性が良好なフッ素
樹脂からなる膜を前面にのみ形成する。
【００２５】ここで、無電解メッキにより電極２４と配
線パターン２５とを形成するにあたり、無電解メッキに
よるメッキの析出の良否、及び、メッキ析出のための効
率的な工程を選定するために行なった電極形成工程の実
験結果を表１に示す。なお、無電解メッキの前処理法に
は、キャタライジング・アクセラレーティング処理法
と、センシタイジング・アクチベーション処理法とがあ
り、本発明は、センシタイジング・アクチベーション処
理法を使用するものである。センシタイジング処理は、
基板を前処理液としてのセンシタイジング液に浸漬させ
ることによりＳｎを吸着させる処理であり、アクチベー
ション処理は、Ｓｎを吸着させた基板を硝酸銀（ＡｇＮ
Ｏ3 ）を含む前処理液に浸漬させることによりＳｎをＡ
ｇで置換する一段目の処理と、塩化パラジウム（ＰｄＣ
ｌ2 ）を含む前処理液に浸漬させることによりＡｇを触
媒核となるＰｄで置換する二段目の処理とからなる。
線パターン２５とを形成するにあたり、無電解メッキに
よるメッキの析出の良否、及び、メッキ析出のための効
率的な工程を選定するために行なった電極形成工程の実
験結果を表１に示す。なお、無電解メッキの前処理法に
は、キャタライジング・アクセラレーティング処理法
と、センシタイジング・アクチベーション処理法とがあ
り、本発明は、センシタイジング・アクチベーション処
理法を使用するものである。センシタイジング処理は、
基板を前処理液としてのセンシタイジング液に浸漬させ
ることによりＳｎを吸着させる処理であり、アクチベー
ション処理は、Ｓｎを吸着させた基板を硝酸銀（ＡｇＮ
Ｏ3 ）を含む前処理液に浸漬させることによりＳｎをＡ
ｇで置換する一段目の処理と、塩化パラジウム（ＰｄＣ
ｌ2 ）を含む前処理液に浸漬させることによりＡｇを触
媒核となるＰｄで置換する二段目の処理とからなる。
【００２６】
【表１】
【００２７】サンプル１は、圧電部材のベタ基板に無電
解メッキを行なったものである。その工程は、基板洗浄
後、センシタイジング処理、アクチベーション処理を行
なった後に、無電解メッキを行なった。メッキの析出は
“良好”であった。
解メッキを行なったものである。その工程は、基板洗浄
後、センシタイジング処理、アクチベーション処理を行
なった後に、無電解メッキを行なった。メッキの析出は
“良好”であった。
【００２８】サンプル２，サンプル３は、溝２２と側壁
２３とを形成した前記基板２１に対して無電解メッキを
行なったものである。その工程は、基板洗浄後、基板２
１における圧電部材の表面へのドライフィルムの貼り付
け、ドライフィルムに対してレジスト用マスクを用いた
露光、現像を行なうことによるパターンレジスト膜の形
成、センシタイジング処理、アクチベーション処理、剥
離液に浸漬させることによるパターンレジスト膜の剥離
を行なった後に、無電解メッキを行なった。なお、サン
プル３では、ドライフィルムの貼り付けを行なう前に、
基板２１とドライフィルムとの密着性を向上させるため
にシラザン処理を施し、パターンレジスト膜を形成する
際のパターン寸法精度の向上を図った。しかし、共にメ
ッキは未析出であった。
２３とを形成した前記基板２１に対して無電解メッキを
行なったものである。その工程は、基板洗浄後、基板２
１における圧電部材の表面へのドライフィルムの貼り付
け、ドライフィルムに対してレジスト用マスクを用いた
露光、現像を行なうことによるパターンレジスト膜の形
成、センシタイジング処理、アクチベーション処理、剥
離液に浸漬させることによるパターンレジスト膜の剥離
を行なった後に、無電解メッキを行なった。なお、サン
プル３では、ドライフィルムの貼り付けを行なう前に、
基板２１とドライフィルムとの密着性を向上させるため
にシラザン処理を施し、パターンレジスト膜を形成する
際のパターン寸法精度の向上を図った。しかし、共にメ
ッキは未析出であった。
【００２９】サンプル４は、サンプル３の実験に対し、
パターンレジスト膜を形成した後の圧電部材の表面を活
性化させて前処理液を浸入しやすくするための表面調整
処理を加えたものである。しかし、メッキは未析出であ
った。
パターンレジスト膜を形成した後の圧電部材の表面を活
性化させて前処理液を浸入しやすくするための表面調整
処理を加えたものである。しかし、メッキは未析出であ
った。
【００３０】サンプル５は、ドライフィルムの影響を調
べようとしたものである。ドライフィルムを貼り付けな
いベタ基板に対し、露光、現像、センシタイジング処
理、アクチベーション処理、剥離液への浸漬を行なった
後に、無電解メッキを行なった。メッキの析出は“良
好”であった。
べようとしたものである。ドライフィルムを貼り付けな
いベタ基板に対し、露光、現像、センシタイジング処
理、アクチベーション処理、剥離液への浸漬を行なった
後に、無電解メッキを行なった。メッキの析出は“良
好”であった。
【００３１】ここで、サンプル１〜サンプル５の実験結
果により、ドライフィルムの貼り付けとパターンレジス
ト膜の剥離工程（剥離液への浸漬）とを行なうと、メッ
キが析出しないことが判明した。
果により、ドライフィルムの貼り付けとパターンレジス
ト膜の剥離工程（剥離液への浸漬）とを行なうと、メッ
キが析出しないことが判明した。
【００３２】そこで、メッキが析出しない原因を、パタ
ーンレジスト膜の剥離工程において剥離液に溶け込んだ
ドライフィルムが触媒核となるＰｄが付着した電極形成
部や配線パターン形成部に再付着してＰｄを覆ってしま
ったためであると仮定して、サンプル６〜サンプル８の
実験を行なった。この実験は、剥離液に溶け込んだドラ
イフィルムの再付着を防止するために、剥離液への浸漬
を１段階、２段階、３段階に分けて行なったものであ
る。しかし、いずれの場合にもメッキは未析出であっ
た。
ーンレジスト膜の剥離工程において剥離液に溶け込んだ
ドライフィルムが触媒核となるＰｄが付着した電極形成
部や配線パターン形成部に再付着してＰｄを覆ってしま
ったためであると仮定して、サンプル６〜サンプル８の
実験を行なった。この実験は、剥離液に溶け込んだドラ
イフィルムの再付着を防止するために、剥離液への浸漬
を１段階、２段階、３段階に分けて行なったものであ
る。しかし、いずれの場合にもメッキは未析出であっ
た。
【００３３】サンプル９は、基板洗浄後、基板の全表面
にＳｎを吸着させ、さらに、ドライフィルムの貼り付
け、パターンレジスト膜の形成、センシタイジング処
理、アクチベーション処理、パターンレジスト膜の剥離
を行なった後に、無電解メッキを行なった。メッキの析
出は、微細な電極形成部や配線パターン形成部において
も“良好”であった。これは、最初に基板の全表面にＳ
ｎを吸着させることにより、微細な電極形成部や配線パ
ターン形成部においても無電解メッキの前処理を行なう
際の前処理液との反応がスムーズに行なわれ、触媒核と
なるＰｄの吸着が良好に行なわれたためである。
にＳｎを吸着させ、さらに、ドライフィルムの貼り付
け、パターンレジスト膜の形成、センシタイジング処
理、アクチベーション処理、パターンレジスト膜の剥離
を行なった後に、無電解メッキを行なった。メッキの析
出は、微細な電極形成部や配線パターン形成部において
も“良好”であった。これは、最初に基板の全表面にＳ
ｎを吸着させることにより、微細な電極形成部や配線パ
ターン形成部においても無電解メッキの前処理を行なう
際の前処理液との反応がスムーズに行なわれ、触媒核と
なるＰｄの吸着が良好に行なわれたためである。
【００３４】サンプル１０は、サンプル９の実験からセ
ンシタイジング処理を省いたものである。この場合に
も、メッキの析出はサンプル９と同様に“良好”であっ
た。
ンシタイジング処理を省いたものである。この場合に
も、メッキの析出はサンプル９と同様に“良好”であっ
た。
【００３５】サンプル１１は、基板洗浄後、基板の全表
面にＳｎを吸着させ、このＳｎをＡｇに置換し、その
後、ドライフィルムの貼り付け、パターンレジスト膜の
形成、アクチベーション処理、パターンレジスト膜の剥
離を行なった後に、無電解メッキを行なった。メッキの
析出は、“極めて良好”であった。しかし、パターンレ
ジスト膜の剥離工程の管理如何では、メッキ析出を意図
しない部分にもメッキが析出してしまう場合があった。
その原因は、本サンプルでは非メッキ部表面にはＡｇ粒
子が付着しており、パターンレジスト膜を剥離する際
に、メッキ部に付着していたＰｄが遊離し、非メッキ部
表面のＡｇ粒子と置換されるのではないかと推定され
る。従って、本サンプルでは、パターンレジスト膜の剥
離工程の管理が要求される。
面にＳｎを吸着させ、このＳｎをＡｇに置換し、その
後、ドライフィルムの貼り付け、パターンレジスト膜の
形成、アクチベーション処理、パターンレジスト膜の剥
離を行なった後に、無電解メッキを行なった。メッキの
析出は、“極めて良好”であった。しかし、パターンレ
ジスト膜の剥離工程の管理如何では、メッキ析出を意図
しない部分にもメッキが析出してしまう場合があった。
その原因は、本サンプルでは非メッキ部表面にはＡｇ粒
子が付着しており、パターンレジスト膜を剥離する際
に、メッキ部に付着していたＰｄが遊離し、非メッキ部
表面のＡｇ粒子と置換されるのではないかと推定され
る。従って、本サンプルでは、パターンレジスト膜の剥
離工程の管理が要求される。
【００３６】上述した実験結果に基づき、本実施の形態
では、サンプル９の電極形成工程に従って電極２４と配
線パターン２５とを形成した。図２（ｂ）に示すように
溝２２と側壁２３とを形成した基板２１に対して、研削
粉を落としたり溝２２内を親水化するために純水を用い
て超音波洗浄を行なう。さらに、エタノール等の有機溶
剤にて超音波洗浄を行ない、その後、基板２１を十分に
水洗いした後に乾燥させる。
では、サンプル９の電極形成工程に従って電極２４と配
線パターン２５とを形成した。図２（ｂ）に示すように
溝２２と側壁２３とを形成した基板２１に対して、研削
粉を落としたり溝２２内を親水化するために純水を用い
て超音波洗浄を行なう。さらに、エタノール等の有機溶
剤にて超音波洗浄を行ない、その後、基板２１を十分に
水洗いした後に乾燥させる。
【００３７】つぎに、溝２２の内面を含む圧電部材１
９，２０の全表面にＳｎを吸着させる。図２（ｃ）は、
圧電部材２０の表面にＳｎが吸着した状態を示す模式図
である。このＳｎを吸着させる方法としては、ＳｎＦ2
＋ＨＦの混合液、又は、ＨＢＦ4 ＋ＳｎＦ2 の混合液、
又は、ＳｎＣｌ2 ＋ＨＣｌの混合液に基板２１を浸漬さ
せる方法がある。本実施の形態では、ＳｎＦ2(0.5〜5g/
リットル)＋ＨＦ(0.1〜1ミリリットル/リットル)の混合液中に基板２１
を撹拌しながら浸漬させた。このＳｎ吸着を行なった
後、基板２１を純水で十分に洗浄し、１２０℃で乾燥さ
せる。そして、この乾燥処理が終了した後に、図２
（ｄ）に示すように圧電部材２０の表面にドライフィル
ム３０を貼り付ける。なお、このドライフィルム３０は
従来例において説明したドライフィルム９と同じもので
ある。
９，２０の全表面にＳｎを吸着させる。図２（ｃ）は、
圧電部材２０の表面にＳｎが吸着した状態を示す模式図
である。このＳｎを吸着させる方法としては、ＳｎＦ2
＋ＨＦの混合液、又は、ＨＢＦ4 ＋ＳｎＦ2 の混合液、
又は、ＳｎＣｌ2 ＋ＨＣｌの混合液に基板２１を浸漬さ
せる方法がある。本実施の形態では、ＳｎＦ2(0.5〜5g/
リットル)＋ＨＦ(0.1〜1ミリリットル/リットル)の混合液中に基板２１
を撹拌しながら浸漬させた。このＳｎ吸着を行なった
後、基板２１を純水で十分に洗浄し、１２０℃で乾燥さ
せる。そして、この乾燥処理が終了した後に、図２
（ｄ）に示すように圧電部材２０の表面にドライフィル
ム３０を貼り付ける。なお、このドライフィルム３０は
従来例において説明したドライフィルム９と同じもので
ある。
【００３８】つぎに、圧電部材２０の表面に貼り付けた
ドライフィルム３０の上に図３（ａ）に示すレジスト用
マスク３１を載せて露光、現像処理を行なう。これによ
り、図３（ｂ）に示すように、圧電部材２０の表面にお
ける電極形成部である溝内面２４ａと配線パターン形成
部２５ａ以外の部分を覆ったパターンレジスト膜３２を
形成する。図３（ｃ）は、Ｓｎを吸着させた圧電部材２
０の表面にパターンレジスト膜３２を形成した状態を示
す模式図である。ここで、この図３（ｂ）と従来例の図
８（ｂ）とを比較すると、外観上は同様であるが、図８
（ｂ）に示す基板４においては、キャタライジング・ア
クセラレーティング処理により圧電部材３の表面（溝５
の内面も含む）に触媒核としての金属化されたＰｄを吸
着させているのに対し、図３（ｂ）に示す基板２１では
圧電部材１９，２０の表面（溝２２の内面も含む）にＳ
ｎを吸着させている点において異なる。
ドライフィルム３０の上に図３（ａ）に示すレジスト用
マスク３１を載せて露光、現像処理を行なう。これによ
り、図３（ｂ）に示すように、圧電部材２０の表面にお
ける電極形成部である溝内面２４ａと配線パターン形成
部２５ａ以外の部分を覆ったパターンレジスト膜３２を
形成する。図３（ｃ）は、Ｓｎを吸着させた圧電部材２
０の表面にパターンレジスト膜３２を形成した状態を示
す模式図である。ここで、この図３（ｂ）と従来例の図
８（ｂ）とを比較すると、外観上は同様であるが、図８
（ｂ）に示す基板４においては、キャタライジング・ア
クセラレーティング処理により圧電部材３の表面（溝５
の内面も含む）に触媒核としての金属化されたＰｄを吸
着させているのに対し、図３（ｂ）に示す基板２１では
圧電部材１９，２０の表面（溝２２の内面も含む）にＳ
ｎを吸着させている点において異なる。
【００３９】図３（ｂ），（ｃ）に示すようにパターン
レジスト膜３２を形成した後、センシタイジング処理を
行なう。このセンシタイジング処理は、ＳｎＦ2(0.5〜5
g/リットル)＋ＨＦ(0.1〜1ミリリットル/リットル)の混合液（センシタ
イジング液）中へパターンレジスト膜３２を形成した基
板２１を撹拌しながら浸漬させることにより行なう。こ
の処理により、パターンレジスト膜３２に覆われていな
い溝内面２４ａと配線パターン形成部２５ａとにおい
て、Ｓｎの吸着と圧電部材１９，２０の表面のエッチン
グとが行なわれる。
レジスト膜３２を形成した後、センシタイジング処理を
行なう。このセンシタイジング処理は、ＳｎＦ2(0.5〜5
g/リットル)＋ＨＦ(0.1〜1ミリリットル/リットル)の混合液（センシタ
イジング液）中へパターンレジスト膜３２を形成した基
板２１を撹拌しながら浸漬させることにより行なう。こ
の処理により、パターンレジスト膜３２に覆われていな
い溝内面２４ａと配線パターン形成部２５ａとにおい
て、Ｓｎの吸着と圧電部材１９，２０の表面のエッチン
グとが行なわれる。
【００４０】圧電部材１９，２０の表面をエッチングし
て粗す目的は、メッキにより析出した金属はアンカー効
果により母材との密着性を保っているので、圧電部材１
９，２０の表面においてもエッチングで所定の粗さにし
て表面積を広げることによりメッキの密着性を強固にす
るためである。なお、この処理において吸着されるＳｎ
は、ドライフィルム３０を貼り付ける前に吸着させてお
いたＳｎの上に重ねて吸着されるもので、この処理が終
了した時点の状態を模式図で示すと図３（ｃ）と同様で
ある。
て粗す目的は、メッキにより析出した金属はアンカー効
果により母材との密着性を保っているので、圧電部材１
９，２０の表面においてもエッチングで所定の粗さにし
て表面積を広げることによりメッキの密着性を強固にす
るためである。なお、この処理において吸着されるＳｎ
は、ドライフィルム３０を貼り付ける前に吸着させてお
いたＳｎの上に重ねて吸着されるもので、この処理が終
了した時点の状態を模式図で示すと図３（ｃ）と同様で
ある。
【００４１】センシタイジング処理が終了した後、一段
目のアクチベーション処理を行なう。この処理は、セン
シタイジング処理を終了した基板２１を、ＡｇＮＯ3(1
〜50g/リットル）の溶液中に撹拌しながら浸漬させることに
より行なう。この処理により、パターンレジスト膜３２
から露出した状態となっている溝内面２４ａと配線パタ
ーン形成部２５ａとにおいてＳｎとＡｇとの置換反応が
起こり、図３（ｄ）の模式図に示すように、溝内面２４
ａと配線パターン形成部２５ａとにはＡｇが吸着する。
目のアクチベーション処理を行なう。この処理は、セン
シタイジング処理を終了した基板２１を、ＡｇＮＯ3(1
〜50g/リットル）の溶液中に撹拌しながら浸漬させることに
より行なう。この処理により、パターンレジスト膜３２
から露出した状態となっている溝内面２４ａと配線パタ
ーン形成部２５ａとにおいてＳｎとＡｇとの置換反応が
起こり、図３（ｄ）の模式図に示すように、溝内面２４
ａと配線パターン形成部２５ａとにはＡｇが吸着する。
【００４２】一段目のアクチベーション処理が終了した
後に、二段目のアクチベーション処理を行なう。この処
理は、一段目のアクチベーション処理が終了した基板２
１を、ＰｄＣｌ2(0.1〜1g/リットル)＋ＨＣｌ(0.1〜1ミリリットル
/リットル)の溶液中に撹拌しながら浸漬させることにより行
なう。この処理により、溝内面２４ａと配線パターン形
成部２５ａとにおいてＡｇとＰｄとの置換反応が起こ
り、図３（ｅ）の模式図に示すように、溝内面２４ａと
配線パターン形成部２５ａとには無電解メッキの触媒核
となるＰｄが吸着する。
後に、二段目のアクチベーション処理を行なう。この処
理は、一段目のアクチベーション処理が終了した基板２
１を、ＰｄＣｌ2(0.1〜1g/リットル)＋ＨＣｌ(0.1〜1ミリリットル
/リットル)の溶液中に撹拌しながら浸漬させることにより行
なう。この処理により、溝内面２４ａと配線パターン形
成部２５ａとにおいてＡｇとＰｄとの置換反応が起こ
り、図３（ｅ）の模式図に示すように、溝内面２４ａと
配線パターン形成部２５ａとには無電解メッキの触媒核
となるＰｄが吸着する。
【００４３】無電解メッキの前処理としてのセンシタイ
ジング・アクチベーション処理が終了した後、この基板
２１をＮａＯＨ溶液（剥離液）に浸漬させてパターンレ
ジスト膜３２を剥離する。図４（ａ）は基板２１からパ
ターンレジスト膜３２を剥離した状態であり、溝内面２
４ａと配線パターン形成部２５ａとには無電解メッキの
触媒核となるＰｄが吸着している。
ジング・アクチベーション処理が終了した後、この基板
２１をＮａＯＨ溶液（剥離液）に浸漬させてパターンレ
ジスト膜３２を剥離する。図４（ａ）は基板２１からパ
ターンレジスト膜３２を剥離した状態であり、溝内面２
４ａと配線パターン形成部２５ａとには無電解メッキの
触媒核となるＰｄが吸着している。
【００４４】つぎに、パターンレジスト膜３２を剥離し
た基板２１をメッキ液に浸漬させることにより無電解メ
ッキを行なう。図４（ｂ）は、無電解メッキにより電極
２４と配線パターン２５とを形成した状態を示す。以上
の電極形成工程により、微細な溝内面２４ａと配線パタ
ーン形成部２５ａとには均一に、しかも、効率良くメッ
キが析出する。そして、電極２４と配線パターン２５と
を形成した基板２１に対して天板２６とノズル板２７と
を接着し、及び、インク供給管３３を取り付けることに
より、図４（ｃ）に示すようにインクジェットプリンタ
ヘッド１７が完成する。
た基板２１をメッキ液に浸漬させることにより無電解メ
ッキを行なう。図４（ｂ）は、無電解メッキにより電極
２４と配線パターン２５とを形成した状態を示す。以上
の電極形成工程により、微細な溝内面２４ａと配線パタ
ーン形成部２５ａとには均一に、しかも、効率良くメッ
キが析出する。そして、電極２４と配線パターン２５と
を形成した基板２１に対して天板２６とノズル板２７と
を接着し、及び、インク供給管３３を取り付けることに
より、図４（ｃ）に示すようにインクジェットプリンタ
ヘッド１７が完成する。
【００４５】つぎに、請求項２記載の発明の一実施の形
態を図５及び図６に基づいて説明する。なお、図１ない
し図４において説明した部分と同一部分は同一符号を用
いて説明する。また、本実施の形態のインクジェットプ
リンタヘッドの外観は図１に示したインクジェットプリ
ンタヘッド１７と同じであり、その製作工程も電極形成
工程におけるメッキの前処理のみが異なるものであり、
このメッキの前処理工程の部分のみを説明する。なお、
本実施の形態の電極形成工程は、サンプル１１の電極形
成工程を採用した。
態を図５及び図６に基づいて説明する。なお、図１ない
し図４において説明した部分と同一部分は同一符号を用
いて説明する。また、本実施の形態のインクジェットプ
リンタヘッドの外観は図１に示したインクジェットプリ
ンタヘッド１７と同じであり、その製作工程も電極形成
工程におけるメッキの前処理のみが異なるものであり、
このメッキの前処理工程の部分のみを説明する。なお、
本実施の形態の電極形成工程は、サンプル１１の電極形
成工程を採用した。
【００４６】まず、図５（ａ）に示すように基板２１に
対して溝２２と側壁２３とを研削加工する。そして、溝
２２の内面を含む圧電部材１９，２０の全表面にＳｎを
吸着させる。図５（ｂ）は、圧電部材１９の表面にＳｎ
を吸着させた状態を示す模式図である。このＳｎを吸着
させる方法は、上述した実施の形態と同様に、ＳｎＦ
2(0.5〜5g/リットル)＋ＨＦ(0.1〜1ミリリットル/リットル)の混合液中
に基板２１を撹拌しながら浸漬させることにより行な
う。
対して溝２２と側壁２３とを研削加工する。そして、溝
２２の内面を含む圧電部材１９，２０の全表面にＳｎを
吸着させる。図５（ｂ）は、圧電部材１９の表面にＳｎ
を吸着させた状態を示す模式図である。このＳｎを吸着
させる方法は、上述した実施の形態と同様に、ＳｎＦ
2(0.5〜5g/リットル)＋ＨＦ(0.1〜1ミリリットル/リットル)の混合液中
に基板２１を撹拌しながら浸漬させることにより行な
う。
【００４７】つぎに、Ｓｎを吸着させた後、このＳｎを
吸着させた基板２１をＡｇＮＯ3 の溶液中に撹拌しなが
ら浸漬させることにより、ＳｎとＡｇとの置換反応を起
こし、圧電部材１９，２０の表面にＡｇを吸着させる。
図５（ｃ）はＳｎとＡｇとの置換反応により圧電部材２
０の表面にＡｇを吸着させた状態を示す模式図である。
そして、このＡｇの吸着処理が終了した後に、図５
（ｄ）に示すように、圧電部材２０の表面にドライフィ
ルム３０を貼り付ける。
吸着させた基板２１をＡｇＮＯ3 の溶液中に撹拌しなが
ら浸漬させることにより、ＳｎとＡｇとの置換反応を起
こし、圧電部材１９，２０の表面にＡｇを吸着させる。
図５（ｃ）はＳｎとＡｇとの置換反応により圧電部材２
０の表面にＡｇを吸着させた状態を示す模式図である。
そして、このＡｇの吸着処理が終了した後に、図５
（ｄ）に示すように、圧電部材２０の表面にドライフィ
ルム３０を貼り付ける。
【００４８】ドライフィルム９の貼り付けが終了した後
に、このドライフィルム９の上に図６（ａ）に示すレジ
スト用マスク３１を載せて露光、現像処理を行ない、図
６（ｂ）に示すようにパターンレジスト膜３２を形成す
る。図６（ｃ）は、Ａｇを吸着させた圧電部材２０の表
面にパターンレジスト膜３２を形成した状態を示す模式
図である。
に、このドライフィルム９の上に図６（ａ）に示すレジ
スト用マスク３１を載せて露光、現像処理を行ない、図
６（ｂ）に示すようにパターンレジスト膜３２を形成す
る。図６（ｃ）は、Ａｇを吸着させた圧電部材２０の表
面にパターンレジスト膜３２を形成した状態を示す模式
図である。
【００４９】つぎに、パターンレジスト膜３２を形成し
た基板２１をＰｄＣｌ2(0.1〜1g/リットル)＋ＨＣｌ(0.1〜1
ミリリットル/リットル)の溶液中に撹拌しながら浸漬させることに
より二段目のアクチベーション処理のみを行なう。この
処理により、溝内面２４ａと配線パターン形成部２５ａ
とにおいてＡｇとＰｄとの置換反応が起こり、図６
（ｄ）の模式図に示すように、溝内面２４ａと配線パタ
ーン形成部２５ａとには無電解メッキの触媒核となるＰ
ｄが吸着する。そして、Ｐｄを吸着させた後にパターン
レジスト膜３２を剥離し、パターンレジスト膜３２を剥
離した基板２１をメッキ液に浸漬させて無電解メッキを
行なう。
た基板２１をＰｄＣｌ2(0.1〜1g/リットル)＋ＨＣｌ(0.1〜1
ミリリットル/リットル)の溶液中に撹拌しながら浸漬させることに
より二段目のアクチベーション処理のみを行なう。この
処理により、溝内面２４ａと配線パターン形成部２５ａ
とにおいてＡｇとＰｄとの置換反応が起こり、図６
（ｄ）の模式図に示すように、溝内面２４ａと配線パタ
ーン形成部２５ａとには無電解メッキの触媒核となるＰ
ｄが吸着する。そして、Ｐｄを吸着させた後にパターン
レジスト膜３２を剥離し、パターンレジスト膜３２を剥
離した基板２１をメッキ液に浸漬させて無電解メッキを
行なう。
【００５０】以上のように、ドライフィルム３０の貼り
付けを行なう前にＳｎの吸着と、そのＳｎをＡｇに置換
することによるＡｇの吸着とを行なうことにより、パタ
ーンレジスト膜３２を形成した後にＳｎをＡｇに置換す
る場合よりもＡｇの吸着が良好に行なわれ、ＡｇとＰｄ
とを置換することによるＰｄの吸着も良好に行なわれ
る。従って、Ｐｄを触媒核とするメッキの析出がより一
層均一に、かつ、良好に行なわれる。
付けを行なう前にＳｎの吸着と、そのＳｎをＡｇに置換
することによるＡｇの吸着とを行なうことにより、パタ
ーンレジスト膜３２を形成した後にＳｎをＡｇに置換す
る場合よりもＡｇの吸着が良好に行なわれ、ＡｇとＰｄ
とを置換することによるＰｄの吸着も良好に行なわれ
る。従って、Ｐｄを触媒核とするメッキの析出がより一
層均一に、かつ、良好に行なわれる。
【００５１】なお、上記の各実施の形態においては、底
板１の上に二層の圧電部材１９，２０を接着した基板２
１を用いた場合を例に挙げて説明したが、本発明におい
て適用できる基板としては少なくとも一枚の圧電部材を
積層したものであればよく、例えば、従来例において説
明したように底板１と下部層２と圧電部材３とよりなる
基板４や、基板の上に圧電部材を接着し、圧電部材の上
に樹脂材による上部層を形成した基板でもよい。
板１の上に二層の圧電部材１９，２０を接着した基板２
１を用いた場合を例に挙げて説明したが、本発明におい
て適用できる基板としては少なくとも一枚の圧電部材を
積層したものであればよく、例えば、従来例において説
明したように底板１と下部層２と圧電部材３とよりなる
基板４や、基板の上に圧電部材を接着し、圧電部材の上
に樹脂材による上部層を形成した基板でもよい。
【００５２】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、溝の内面
を含む基板の表面にＳｎを吸着させ、Ｓｎを吸着させた
基板の表面にパターンレジスト膜を形成するため、無電
解メッキの前処理として電極形成部と配線パターン形成
部とに無電解メッキの触媒核となるＰｄを吸着させる場
合、Ｓｎが存在する電極形成部と配線パターン形成部と
に前処理液が容易に浸入しやすくなり、Ｐｄの吸着を良
好に行なわせることができ、従って、無電解メッキによ
る電極と配線パターンとの形成を良好に行なうことがで
き、また、パターンレジスト膜を剥離した後に無電解メ
ッキを行なうため、無電解メッキを行なう際にパターン
レジスト膜が膨潤化したり膨潤化して剥がれるというこ
とが発生せず、パターンレジスト膜が膨潤化することが
原因となる電極間の短絡を防止することができ、しか
も、パターンレジスト膜を剥離する際に電極や配線パタ
ーンが引っ張られて剥がれるということを防止でき、さ
らに、パターンレジスト膜を剥離させるために基板を剥
離液に浸漬させたり、パターンレジスト膜を剥離した基
板をメッキ液に浸漬させる直前に親水化処理を行なった
際にＰｄの一部が脱落しても、Ｓｎの表面は活性化され
ていないために脱落したＰｄがＳｎの表面に吸着すると
いうことが起こらず、Ｐｄが吸着されている電極形成部
と配線パターン形成部以外の部分にメッキが析出すると
いうことを防止することができる。
を含む基板の表面にＳｎを吸着させ、Ｓｎを吸着させた
基板の表面にパターンレジスト膜を形成するため、無電
解メッキの前処理として電極形成部と配線パターン形成
部とに無電解メッキの触媒核となるＰｄを吸着させる場
合、Ｓｎが存在する電極形成部と配線パターン形成部と
に前処理液が容易に浸入しやすくなり、Ｐｄの吸着を良
好に行なわせることができ、従って、無電解メッキによ
る電極と配線パターンとの形成を良好に行なうことがで
き、また、パターンレジスト膜を剥離した後に無電解メ
ッキを行なうため、無電解メッキを行なう際にパターン
レジスト膜が膨潤化したり膨潤化して剥がれるというこ
とが発生せず、パターンレジスト膜が膨潤化することが
原因となる電極間の短絡を防止することができ、しか
も、パターンレジスト膜を剥離する際に電極や配線パタ
ーンが引っ張られて剥がれるということを防止でき、さ
らに、パターンレジスト膜を剥離させるために基板を剥
離液に浸漬させたり、パターンレジスト膜を剥離した基
板をメッキ液に浸漬させる直前に親水化処理を行なった
際にＰｄの一部が脱落しても、Ｓｎの表面は活性化され
ていないために脱落したＰｄがＳｎの表面に吸着すると
いうことが起こらず、Ｐｄが吸着されている電極形成部
と配線パターン形成部以外の部分にメッキが析出すると
いうことを防止することができる。
【００５３】請求項２記載の発明によれば、溝の内面を
含む基板の表面にＳｎを吸着させ、このＳｎをＡｇで置
換することにより基板の表面にＡｇの吸着させ、その
後、Ａｇを吸着させた基板の表面にパターンレジスト膜
を形成するため、無電解メッキの前処理として電極形成
部と配線パターン形成部とへの無電解メッキの触媒核と
なるＰｄの吸着をより一層効率良く行なうことができ、
従って、無電解メッキを行なった際のメッキの析出性を
向上させることができる。
含む基板の表面にＳｎを吸着させ、このＳｎをＡｇで置
換することにより基板の表面にＡｇの吸着させ、その
後、Ａｇを吸着させた基板の表面にパターンレジスト膜
を形成するため、無電解メッキの前処理として電極形成
部と配線パターン形成部とへの無電解メッキの触媒核と
なるＰｄの吸着をより一層効率良く行なうことができ、
従って、無電解メッキを行なった際のメッキの析出性を
向上させることができる。
【図１】請求項１記載の発明の一実施の形態におけるイ
ンクジェットプリンタヘッドを一部を破断して示す斜視
図である。
ンクジェットプリンタヘッドを一部を破断して示す斜視
図である。
【図２】インクジェットプリンタヘッドの製作工程を示
すもので、（ａ）は基板を示す斜視図、（ｂ）は基板に
対して溝加工を施した状態を示す斜視図、（ｃ）は圧電
部材の表面にＳｎを吸着させた状態を示す模式図、
（ｄ）はＳｎを吸着させた上からドライフィルムを貼り
付けた状態を示す斜視図である。
すもので、（ａ）は基板を示す斜視図、（ｂ）は基板に
対して溝加工を施した状態を示す斜視図、（ｃ）は圧電
部材の表面にＳｎを吸着させた状態を示す模式図、
（ｄ）はＳｎを吸着させた上からドライフィルムを貼り
付けた状態を示す斜視図である。
【図３】インクジェットプリンタヘッドの製作工程を示
すもので、（ａ）は基板とレジスト用マスクを示す斜視
図、（ｂ）は基板の表面にパターンレジスト膜を形成し
た状態を示す斜視図、（ｃ）はＳｎを吸着させた圧電部
材の表面にパターンレジスト膜を形成した状態を示す模
式図、（ｄ）はＳｎとＡｇとの置換処理により圧電部材
の表面にＡｇを吸着させた状態を示す模式図、（ｅ）は
ＡｇとＰｄとの置換処理により圧電部材の表面にＰｄを
吸着させた状態を示す模式図である。
すもので、（ａ）は基板とレジスト用マスクを示す斜視
図、（ｂ）は基板の表面にパターンレジスト膜を形成し
た状態を示す斜視図、（ｃ）はＳｎを吸着させた圧電部
材の表面にパターンレジスト膜を形成した状態を示す模
式図、（ｄ）はＳｎとＡｇとの置換処理により圧電部材
の表面にＡｇを吸着させた状態を示す模式図、（ｅ）は
ＡｇとＰｄとの置換処理により圧電部材の表面にＰｄを
吸着させた状態を示す模式図である。
【図４】インクジェットプリンタヘッドの製作工程を示
す斜視図で、（ａ）はパターンレジスト膜を剥離した状
態、（ｂ）は無電解メッキにより配線パターンと電極と
を形成した状態、（ｃ）は天板とノズル板とを取り付け
てインクジェットプリンタヘッドを完成させた状態であ
る。
す斜視図で、（ａ）はパターンレジスト膜を剥離した状
態、（ｂ）は無電解メッキにより配線パターンと電極と
を形成した状態、（ｃ）は天板とノズル板とを取り付け
てインクジェットプリンタヘッドを完成させた状態であ
る。
【図５】請求項２記載の発明の一実施の形態におけるイ
ンクジェットプリンタヘッドの製作工程を示すもので、
（ａ）は基板に対して溝加工を施した状態を示す斜視
図、（ｂ）は圧電部材の表面にＳｎを吸着させた状態を
示す模式図、（ｃ）はＳｎとＡｇとの置換処理を行なう
ことにより圧電部材の表面にＡｇを吸着させた状態を示
す模式図、（ｄ）はＡｇを吸着させた上からドライフィ
ルムを貼り付けた状態を示す斜視図である。
ンクジェットプリンタヘッドの製作工程を示すもので、
（ａ）は基板に対して溝加工を施した状態を示す斜視
図、（ｂ）は圧電部材の表面にＳｎを吸着させた状態を
示す模式図、（ｃ）はＳｎとＡｇとの置換処理を行なう
ことにより圧電部材の表面にＡｇを吸着させた状態を示
す模式図、（ｄ）はＡｇを吸着させた上からドライフィ
ルムを貼り付けた状態を示す斜視図である。
【図６】インクジェットプリンタヘッドの製作工程を示
すもので、（ａ）は基板とレジスト用マスクとを示す斜
視図、（ｂ）は基板の表面にパターンレジスト膜を形成
した状態を示す斜視図、（ｃ）はＡｇを吸着させた圧電
部材の表面にパターンレジスト膜を形成した状態を示す
模式図、（ｄ）はＡｇとＰｄとの置換処理により圧電部
材の表面にＰｄを吸着させた状態を示す模式図である。
すもので、（ａ）は基板とレジスト用マスクとを示す斜
視図、（ｂ）は基板の表面にパターンレジスト膜を形成
した状態を示す斜視図、（ｃ）はＡｇを吸着させた圧電
部材の表面にパターンレジスト膜を形成した状態を示す
模式図、（ｄ）はＡｇとＰｄとの置換処理により圧電部
材の表面にＰｄを吸着させた状態を示す模式図である。
【図７】従来例のインクジェットプリンタヘッドの製作
工程を示す斜視図で、（ａ）は基板、（ｂ）は基板に対
して溝加工を施した状態、（ｃ）はドライフィルムを貼
り付けた状態である。
工程を示す斜視図で、（ａ）は基板、（ｂ）は基板に対
して溝加工を施した状態、（ｃ）はドライフィルムを貼
り付けた状態である。
【図８】従来例のインクジェットプリンタヘッドの製作
工程を示す斜視図で、（ａ）は基板とレジスト用マス
ク、（ｂ）は基板の表面にパターンレジスト膜を形成し
た状態である。
工程を示す斜視図で、（ａ）は基板とレジスト用マス
ク、（ｂ）は基板の表面にパターンレジスト膜を形成し
た状態である。
【図９】従来例のインクジェットプリンタヘッドの製作
工程を示す斜視図で、（ａ）は無電解メッキにより配線
パターンと電極とを形成した状態、（ｂ）はパターンレ
ジスト膜を剥離した状態、（ｃ）は天板とノズル板とを
取り付けてインクジェットプリンタヘッドを完成させた
状態である。
工程を示す斜視図で、（ａ）は無電解メッキにより配線
パターンと電極とを形成した状態、（ｂ）はパターンレ
ジスト膜を剥離した状態、（ｃ）は天板とノズル板とを
取り付けてインクジェットプリンタヘッドを完成させた
状態である。
１７ インクジェットプリンタヘッド １８ 底板 １９，２０ 圧電部材 ２１ 基板 ２２ 溝 ２３ 側壁 ２４ 電極 ２４ａ 電極形成部 ２５ 配線パターン ２５ａ 配線パターン形成部 ２６ 天板 ２８ ノズル板 ２９ 圧力室
フロントページの続き (72)発明者 塚本 敏広 静岡県御殿場市保土沢985 東芝イーエム アイ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 板厚方向に分極された少なくとも一枚以
上の圧電部材を含む複数層の基板を形成し、この基板に
互いに平行な複数の溝とこれらの溝を隔てる少なくとも
一部が前記圧電部材からなる側壁とを等間隔にこの基板
の表面側から形成し、前記側壁を形成する前記圧電部材
に電力を印加する電極と配線パターンとを無電解メッキ
により前記基板に形成し、前記溝の上部を覆う天板と前
記溝の正面部を覆うノズル板とを前記基板に取り付けて
複数の圧力室を形成するインクジェットプリンタヘッド
の製造方法において、 前記溝の内面を含む前記基板の表面にＳｎを吸着させ、
前記基板上の電極形成部と配線パターン形成部とを除い
た部分を覆うパターンレジスト膜をＳｎを吸着させた前
記基板の表面に形成し、前記電極形成部と前記配線パタ
ーン形成部とに無電解メッキの触媒核となるＰｄを吸着
させ、前記パターンレジスト膜を剥離した前記基板をメ
ッキ液に浸漬させて前記電極形成部と前記配線パターン
形成部とにメッキを析出させて前記電極と前記配線パタ
ーンとを形成したことを特徴とするインクジェットプリ
ンタヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 溝の内面を含む基板の表面にＳｎを吸着
させ、このＳｎをＡｇに置換する置換処理を行ない、こ
の置換処理によりＡｇを吸着させた前記基板の表面にパ
ターンレジスト膜を形成したことを特徴とする請求項１
記載のインクジェットプリンタヘッドの製造方法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP32713295A JP3299431B2 (ja) | 1995-01-31 | 1995-12-15 | インクジェットプリンタヘッドの製造方法 |
| GB9600788A GB2297523B (en) | 1995-01-31 | 1996-01-15 | Manufacturing method for ink jet printer head |
| US08/586,073 US5590451A (en) | 1995-01-31 | 1996-01-16 | Manufacturing method for ink jet printer head |
| KR1019960001570A KR100200006B1 (ko) | 1995-01-31 | 1996-01-25 | 잉크젯프린터헤드의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (3)
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| JP1413995 | 1995-01-31 | ||
| JP7-14139 | 1995-01-31 | ||
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|---|---|
| JPH08267768A true JPH08267768A (ja) | 1996-10-15 |
| JP3299431B2 JP3299431B2 (ja) | 2002-07-08 |
Family
ID=26350040
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| US (1) | US5590451A (ja) |
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| KR (1) | KR100200006B1 (ja) |
| GB (1) | GB2297523B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016049644A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-11 | セイコーインスツル株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
| JP2016049645A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-11 | セイコーインスツル株式会社 | 液体噴射ヘッドの製造方法及び液体噴射装置 |
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| JPH09239992A (ja) * | 1996-03-12 | 1997-09-16 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘッド、その製造方法、及び該ヘッドを有する液体噴射記録装置 |
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| EP0488675A1 (en) * | 1990-11-28 | 1992-06-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for liquid jet recording head and liquid jet recording head |
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| JPH04363250A (ja) * | 1991-03-19 | 1992-12-16 | Tokyo Electric Co Ltd | インクジェットプリンタヘッド及びその製造方法 |
| JP2749475B2 (ja) * | 1991-10-04 | 1998-05-13 | 株式会社テック | インクジェットプリンタヘッドの製造方法 |
| JP2843199B2 (ja) * | 1992-03-26 | 1999-01-06 | 株式会社テック | インクジェットプリンタヘッドの製造方法 |
| JP2798845B2 (ja) * | 1992-03-26 | 1998-09-17 | 株式会社テック | インクジェットプリンタヘッドの製造方法 |
-
1995
- 1995-12-15 JP JP32713295A patent/JP3299431B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-01-15 GB GB9600788A patent/GB2297523B/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-01-16 US US08/586,073 patent/US5590451A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-01-25 KR KR1019960001570A patent/KR100200006B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016049644A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-11 | セイコーインスツル株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
| JP2016049645A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-11 | セイコーインスツル株式会社 | 液体噴射ヘッドの製造方法及び液体噴射装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB9600788D0 (en) | 1996-03-20 |
| GB2297523A (en) | 1996-08-07 |
| GB2297523A8 (en) | 1996-08-13 |
| GB2297523B (en) | 1997-01-15 |
| KR960029103A (ko) | 1996-08-17 |
| GB2297523A9 (en) | 1996-08-13 |
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