JPH08236660A - 気密シ−ルされた電子パッケ−ジ - Google Patents
気密シ−ルされた電子パッケ−ジInfo
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Abstract
部品保護を与える気密シ−ルされた容器よりなる電気的
または光電子的装置または部品のためのパッケ−ジを提
供すること。 【解決手段】 多孔質材料で形成されたゲッタ−比較的
脆弱であり、かつ装置の使用時に粒子目こぼれを受け
る。容器内の部品の故障を防止するために、水蒸気と有
機不純物に対して透過性であるが粒子をゲッタ−から分
離した状態に保持するのに十分に小さい開孔または格子
を有するハウジング内にゲッタ−が収納されている。
Description
子および光電子パッケ−ジのための容器に関し、さらに
詳細にはこのような容器のためのゲッタ−・ハウジング
に関する。
ケ−ジに関するものであるが、本明細書ではハイパワ−
半導体レ−ザに関して説明される。
る動作を必要とする用途に適した装置を製作するように
成熟している。レ−ザの安定性を維持しかつレ−ザ寿命
を延すための戦略はレ−ザ動作勧業の制御を含む。この
ような従来技術のレ−ザ・ハウジングに対する雰囲気は
半導体レ−ザ材料に対して比較的不活性であるべきであ
ると考えられており、特に酸素を含まない雰囲気がレ−
ザの寿命を延すとものと考えられていた。また、レ−ザ
材料とを反応を防止するためおよびレ−ザ動作に関連す
る極小電子回路の集積度を保持するためには乾燥した雰
囲気が好ましい。電気通信システムに光増幅気が導入さ
れたことにより、ハイパワ−・ポンプ・レ−ザが用いら
れるようになった。さらに、長い中継器間隔を有する高
デ−タ速度システムの需要により、ハイパワ−信号レ−
ザが使用されるようになった。このような用途で用いら
れるダイオ−ドでは、半導体レ−ザ切り子面パワ−は50
mW以上に増大している。このような装置では、安定で、
長期のレ−ザ動作に対する従前に受入れられていた戦略
では不十分である。
くするおそれのある機構は、レ−ザ正面切り子面、レ−
ザビ−ム内のレンズまたはファイバ・レンズおよびウイ
ンドウのような強烈に照射される表面上における固体ま
たは液体物質の蓄積である。表面蓄積はつぎのようにし
て生じうる。半田フラックス残留物、クリ−ニング溶
剤、アセンブリ環境における汚染物からの移動炭化水素
が、気密封止されたレ−ザ容器内に存在する。炭化水素
がレ−ザ・フォトン束に遭遇すると光反応が生じうる。
この光反応の生成物が強烈に照射された表面上に堆積物
を形成することになりうる。これらの堆積物がレ−ザ光
を過度に反射させたりあるいは吸収すると、レ−ザ性能
が劣化する。その堆積物がフォトンを吸収すれば、熱の
蓄積が生じて能動または受動面を溶融させるおそれがあ
る。この熱の蓄積はレ−ザダイオ−ド接合またはその近
傍におけるド−パントの加速された拡散を生じさせ、そ
れによって接合を破壊したりあるいは接合効率を低下さ
せるおそれがある。
素は、その酸素が炭化水素汚染物または光反応した炭化
水素の生成物と結合して、レ−ザ・エンクロ−ジャ内の
受動または能動要素上における蓄積を防止または除去す
る作用によってレ−ザ寿命を長くしうるが、そのエンク
ロ−ジャ内の酸素はそのエンクロ−ジャの雰囲気内に存
在する水素と結合して水を形成するおそれがある。水素
はエンクロ−ジャに充填されたガス中に汚染物として存
在しうるか、あるいはエンクロ−ジャの温度が上昇する
と、そのエンクロ−ジャの金属壁から外に出ることにな
りうる。水分はエンクロ−ジャ内に存在する電気回路の
電気的ショ−ト、腐食あるいは電気泳動の原因となるこ
とが知られている。
封止された容器内の有機物質の量を最少限に抑える工程
が行なわれる。例えば、イソプロピルアルコ−ルのよう
な適当なクリ−ニング剤が半田フラックスのような製造
処理の残留物を除去するために用いられ得る。
の組み込みを容易にするためにブロック状で使用される
べきであると従前は考えられていた。例えばエポキシあ
るいは接着剤のような有機物質よりも機械的取り付け手
段が好まれた。例えば、ワイヤ、ばねクリップまたはね
じ取り付け、ならびに例えばゲッタ−物質のブロックに
貫通穴が形成され、エンクロ−ジャのカバ−の内表面上
にゲッタ−が配置され、そしてその貫通穴を通じて溶融
半田を注入することによってゲッタ−がカバ−に半田付
けされた。
セラミック・ゲッタ−物質は粒子の目こぼれ(particul
ate shedding)を受ける。これが、例えば近接離間した
電気的通路をショ−トさせたりあるいはレ−ザダイオ−
ドの発光通路内への吸収粒子の侵入のような光電子部品
に対するより直接的な破損によって、共有のパッケ−ジ
内の部品の故障を生じさせるおそれがある。ゲッタ−の
粒子の目こぼれのおそれを軽減するためおよび/または
このような目こぼれが生じた場合においける装置の故障
が生ずるおそれを軽減するために、保護パッケ−ジが必
要とされる。
は、ゲッタ−物質の粒子の目こぼれによって生ずる半導
体レ−ザのような電子装置に対する破損を防止すること
である。他の目的は、電子および光電子パッケ−ジ内に
ゲッタ−物質を保持するための改良された技術を提供す
ることである。
にシ−ルされる装置が配置された気密シ−ルされたエン
クロ−ジャよりなる気密シ−ルされた電子パッケ−ジを
提供することによって達成される。この装置は雰囲気内
に不純物が存在すると、それによって悪影響を受けるお
それのあるものである。そのエンクロ−ジャ内には、ゲ
ッタ−を封入するためのゲッタ−・ハウジングがある。
このゲッタ−・ハウジングは、不純物に対して透過性で
あるがゲッタ−の粒子の通過に抵抗するようになされた
少なくとも1つの表面を有しており、ゲッタ−・ハウジ
ングは装置からのゲッタ−を完全にシ−ルする。ゲッタ
−・ハウジングの透過性表面は孔を有する多孔質金属ま
たはシ−ト金属で形成されうる。ゲッタ−・ハウジング
は必要に応じてゲッタ−を保持するためのばねを含む。
れる装置が半導体レ−ザであり、エンクロ−ジャには酸
素の含有量が100ppmより大であるガス状媒体が充填さ
れ、そしてゲッタ−は移動炭化水素および水を吸着また
は吸収する作用をする。
・レ−ザ−・パッケ−ジングに関して説明する。しか
し、このゲッタ−・パッケ−ジは他の種々の電子パッケ
−ジングにも適用できる。
だハイパワ−・レ−ザ・パッケ−ジまたはエンクロ−ジ
ャ12を示している。ハイパワ−・レ−ザ6が基板2に
固定されている。レ−ザに関連しかつ通常エンクロ−ジ
ャ内に含まれている電子装置および回路は示されていな
い。レ−ザ光を受光装置または光ファイバに結合するた
めの手段が光ファイバ4として示されている。レンズあ
るいは集積導波路装置のような他の結合手段がカプラと
して用いられうる。レ−ザ光はエンクロ−ジャ内に配置
された受光装置または導波路に結合されうる。代替案と
しては、結合手段がレ−ザ光をシ−ルされた孔を通じて
エンクロ−ジャから出させるようにしてもよい。
である。レ−ジング本体13は正面および背面切り子面
14および15を有するものとして示されている。正面
および背面切り子面の部分的に反射性のミラ−20およ
び18はそれぞれレ−ジング作用を支持する。レ−ザの
故障を生ずるおそれのあるメカニズムについては上述し
た。簡単には、ミラ−20またはエンクロ−ジャ内の他
の光部品上に堆積物を生じさせるおそれのある光反応が
ミラ−20で始まる束通路で発生する。
ザ容器には、酸素含有量が100ppmより大きいガス状媒体
を充填されるのが好ましい。上述のように、パッケ−ジ
ング雰囲気内の酸素は有機不純物によるレ−ザ破損を最
少限に抑える。しかし、酸素は水素と反応して、エンク
ロ−ジャ内の電子部品の全体的な動作に悪影響を及ぼす
おそれのある水分をレ−ザ・エンクロ−ジャ内に形成す
るおそれがある。
酸素と反応するエンクロ−ジャ内の水素の量を減少させ
ることによって部分的に対処することができる。容器の
壁を形成するために用いられている金属は予備加熱され
る。すなわち、その金属は、それに吸着または吸収され
る水素の量を実質的に減少させるために延長された期間
の間、高温で焼成される。
ハウジング10には、予め選択されたタイプおよびサイ
ズの分子を不動化する作用をするゲッタ−8が設けられ
る。このゲッタ−はカバ−11の上部内表面に付着され
た薄いスラブとして示されている。エンクロ−ジャの内
部容積は典型的には小さいので、内表面に付着された単
一のゲッタ−本体が、存在しているであろう水と有機不
純物を不動化する作用をするはずである。
−ルされた容器内の有用な量の望ましくない水分を吸着
または吸収するために使用できるのに十分なだけ大きい
表面積をそのゲッタ−物質に与えるのに十分な多孔度を
有していなければならない。したがって、このような物
質、特にガラスおよびガラスセラミック・ゲッタ−物質
は、脆弱でありかつ粒子目こぼれを受ける。本発明のハ
ウジングは、粒子目こぼれが生じた場合に部品に対する
破損を防止しかつ/または光通路の妨害を防止するよう
になされている。
および4に示されている。このハウジングは、プレス加
工または放電加工で形成され得る多孔質金属容器よりな
る。容器28は、カバ−11の内表面に付着され得る中
間プレ−ト30に固着され得る。あるいは、容器28は
カバ−に直接固着され得る。ゲッタ−物質の粒子が通過
し得る間隙が存在しないように容器28の全周がプレ−
ト30に溶接されるのが好ましい。2つの側部がコ−ナ
を形成するように収斂する場合に生ずるもののような継
ぎ目も溶接、半田づけ等によって付着されなければなら
ない。カバ−11がその後でハウジング10に固着され
る。その結果得られたパッケ−ジ12はゲッタ−8から
目こぼれしたあるいは落下した粒子からレ−ザと電子回
路部品を保護し、それによって装置の故障が生ずるおそ
れを少なくする。
ゲッタ−はペレットまたはスラブ状である必要はない。
むしろ、多孔質金属は粉末であってもゲッタ−容器から
閉塞された容器12内の装置に逃げ出すのを防止するで
あろうから、それは粉末または粒子状であってもよい。
は複数の透孔40を有するシ−ト金属容器よりなる。孔
40はウォ−タジェット加工、レ−ザ加工等によって形
成され得る。容器12内の装置をゲッタ−粒子から保護
する場合により効果的であるから、より小さい孔が好ま
しいことは明らかである。
る。ゲッタ−8がカバ−11上に配置されている。シ−
ト金属ばね42がゲッタ−8上に配置されている。ハウ
ジング38がばねとゲッタ−の上に配置されそしてカバ
−11に溶接された後で、ばねの端部がハウジング38
に接触しかつゲッタ−8をカバ−11に固着する。この
構造は、パッケ−ジが移動または振動された時に容器内
でゲッタ−が移動するのを防止する。
うちの任意の部分またはその全部に固着されうる。図7
は、ハウジング10の底壁、端壁および2つの側璧に固
着された屈曲した多孔質金属シ−ト48よりなるゲッタ
−容器を示している。
与えるためにレ−ザを使用するためのレ−ザおよび他の
部品が、下記のようにして酸素を含んだ雰囲気を充填さ
れた低水素コバ−ル容器内にゲッタ−と一緒にパッケ−
ジされる。
部品を保持するための部分と、ゲッタ−を担持するため
のカバ−との2つの部分として金とニッケルをメッキし
たコバ−ル(Kovar)で作成される。これら2つの部分
はN2で浄化した炉内において150℃で200時間焼成され
る。この容器の内部容積は約5cm2である。
教示にしたがって形成される。35重量%のゼオライト Z
SM-5と、35重量%のゼオライト 4A、および約20重量%
の多孔質Vycor(商標)ブランド・ガラスよりなるバッ
チが乾式混合された。そのバッチに19重量%のダウ・コ
−ニング社製シリコ−ン樹脂 Q6-2230が添加されそして
乾式混合された。この量は完成ゲッタ−中に約10重量%
のシリカを生ずるのに十分であった。そのバッチにはダ
ウ・コ−ニング社製メチルセルロ−スも約6重量%過添
加(super-addition)で乾式混合された。基礎重量はゼ
オライトと、多孔質Vycor(商標)ブランド・ガラス
と、シリカの合成重量とされた。過添加重量パ−セント
はその基礎重量で計算されるが、重量パ−セント計算の
ための基礎重量には含まれない。押出し成形可能なバッ
チ・コンシステンシ−(batch consistency)を生成す
るために、イソプロピルアルコ−ルまたはデュポン社製
二塩基エステルの有機溶剤と水が乾燥した混合物に添加
された。可塑化されたバッチが押出し成形されて、1mm
より大きくない厚みを有する平坦なシ−トとなされた。
このグリ−ン・ボディ・シ−トが空気中において約85℃
で少なくとも3日間乾燥された。500-620℃で最低10時
間か焼した後で3mm×9mm×1mmの完成片を形成するため
の収縮に対する裕度をもって、これらのシ−トからタブ
レットが切出された。ゲッタ−物質よりなるこれらのタ
ブレットの1つが図3および4に関連して説明されたよ
うに多孔質金属で形成されたハウジング内に封入され
る。このアセンブリがレ−ザ・パッケ−ジ・カバ−の内
表面に固着される。
ウジング部分に取り付けられる。その部分はゲッタ−を
付着したカバ−部分と一緒に300℃で4時間焼成される。
最後に、これら2つの部分は上記の00.1空気生成物の雰
囲気内に一緒にシ−ルされる。このシ−リングはフラッ
クスレス電気抵抗加熱で行なわれる。
期間にわたって、すなわち5000時間以上の間、パッケ−
ジ内ないの自由水が最少限抑えられて、すなわちテスト
期間の終りにおけるパッケ−ジ雰囲気内の水の濃度が50
00ppm以下であるようにして、満足に動作することが認
められた。したがって、このパッケ−ジされたハイパワ
−半導体レ−ザは、ファイバ・オプティック・システム
における増幅器ファイバにパワ−を与えるために使用す
るのに適している。
ャの断面図である。
す分解側面図である。
ある。
レ−ザ・エンクロ−ジャの断面図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 気密シ−ルされた電子パッケ−ジであっ
て、 (a)雰囲気内に不純物が存在することによって悪影響
を受けるおそれのある装置であってその雰囲気内にシ−
ルされた装置が配置されている気密シ−ルされたエンク
ロ−ジャと、 (b)前記エンクロ−ジャ内のゲッタ−と、 (c)前記ゲッタ−を封入するための前記エンクロ−ジ
ャ内のゲッタ−・ハウジングを具備しており、前記ゲッ
タ−・ハイジングは前記不純物に対して透過製であるが
前記ゲッタ−の粒子の通過に抵抗するようになされた少
なくとも1つの表面を有しており、前記ゲッタ−・ハウ
ジングが前記ゲッタ−を前記装置から完全にシ−ルして
いる気密シ−ルされた電子パッケ−ジであって。 - 【請求項2】 前記ゲッタ−・ハウジングの少なくとも
一部分が多孔質金属で形成されている請求項1のパッケ
−ジ。 - 【請求項3】 前記ゲッタ−・ハウジングの少なくとも
一部分が開孔を有するシ−ト金属で形成されている請求
項1のパッケ−ジ。 - 【請求項4】 前記エンクロ−ジャがカバ−を含んでお
り、かつ前記ゲッタ−・ハウジングが前記カバ−に固定
されている請求項1のパッケ−ジ。 - 【請求項5】 前記ゲッタ−・ハウジングが前記ゲッタ
−を保持するためのばねを含んでいる請求項1のパッケ
−ジ。 - 【請求項6】 前記ゲッタ−が薄いスラブ状をなしてい
る請求項1のパッケ−ジ。 - 【請求項7】 前記ゲッタ−が物理的動揺を受けた場合
に薄片になってはげ落ちる傾向のある多孔質材料で形成
されており、あるいは前記ゲッタ−が粉末状である請求
項1のパッケ−ジ。 - 【請求項8】 前記エンクロ−ジャに、酸素含有量が10
0ppmより多いガス状媒体が充填されている請求項1のパ
ッケ−ジ。 - 【請求項9】 前記ゲッタ−が可動炭化水素と水分を吸
着または吸収する作用をする請求項8のパッケ−ジ。 - 【請求項10】 前記装置が半導体レ−ザであり、前記
エンクロ−ジャに、酸素含有量が100ppmより多いガス状
媒体が充填されている請求項1〜9のうちの1つによる
パッケ−ジ。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1146043A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用パッケージ |
JPH1146042A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用パッケージ |
JPH1146041A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用パッケージ |
WO2000004580A1 (en) * | 1998-07-14 | 2000-01-27 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical device, electronic device enclosure, and getter assembly |
US6901095B2 (en) | 2001-07-25 | 2005-05-31 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, optical measuring method and optical measuring apparatus |
JP2005223117A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体光学装置 |
JP2006245087A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Nissan Motor Co Ltd | 真空パッケージ |
JP2007511102A (ja) * | 2003-11-12 | 2007-04-26 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 電子デバイス中に使用される表面にゲッター材料を接着する方法 |
JP2007299905A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置 |
US7755823B2 (en) | 2006-12-14 | 2010-07-13 | Ricoh Company | Optical device, semiconductor laser module, optical scanning device, and image forming apparatus |
JP4831931B2 (ja) * | 2001-07-20 | 2011-12-07 | サエス ゲッターズ ソチエタ ペル アツィオニ | マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスを製造するための気体吸収物質の集積堆積物を有する支持体 |
WO2014129666A1 (ja) | 2013-02-25 | 2014-08-28 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6123464A (en) * | 1999-02-10 | 2000-09-26 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module package and method for manufacturing the same |
US6220767B1 (en) * | 1999-05-14 | 2001-04-24 | Corning Incorporated | Semiconductor laser optical waveguide telecommunications module and method of making |
IT1317981B1 (it) * | 2000-06-16 | 2003-07-21 | Getters Spa | Dispositivi assorbitori di umidita' per amplificatori laser e processo per la loro produzione. |
GB0028395D0 (en) * | 2000-11-22 | 2001-01-03 | Ici Plc | Getters |
TW533188B (en) | 2001-07-20 | 2003-05-21 | Getters Spa | Support for microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices |
ITMI20012010A1 (it) | 2001-09-27 | 2003-03-27 | Getters Spa | Sistemi per la conversione di acqua in idrogeno e l'assorbimemnto di idrogeno in dispositivi elettronici e processo di produzione |
US6867543B2 (en) | 2003-03-31 | 2005-03-15 | Motorola, Inc. | Microdevice assembly having a fine grain getter layer for maintaining vacuum |
US6987304B2 (en) * | 2003-05-07 | 2006-01-17 | Honeywell International Inc. | Methods and apparatus for particle reduction in MEMS devices |
US7211881B2 (en) * | 2004-03-24 | 2007-05-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Structure for containing desiccant |
US7560820B2 (en) * | 2004-04-15 | 2009-07-14 | Saes Getters S.P.A. | Integrated getter for vacuum or inert gas packaged LEDs |
JP4453546B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2010-04-21 | 日産自動車株式会社 | パッケージ素子 |
DE102008017553B4 (de) * | 2008-04-07 | 2012-12-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronisches System |
WO2010111125A1 (en) | 2009-03-23 | 2010-09-30 | Dow Global Technologies Inc. | Optoelectronic device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS607739A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS60186076A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光装置 |
DE3511323A1 (de) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Getterkoerper und verfahren zu dessen herstellung |
US4740985A (en) * | 1986-12-31 | 1988-04-26 | Honeywell Inc. | Getter assembly |
JPH05343812A (ja) * | 1992-06-12 | 1993-12-24 | Kubota Corp | 半導体装置 |
US5513198A (en) * | 1993-07-14 | 1996-04-30 | Corning Incorporated | Packaging of high power semiconductor lasers |
-
1995
- 1995-11-03 CA CA002162095A patent/CA2162095A1/en not_active Abandoned
- 1995-12-06 EP EP95119163A patent/EP0720260B1/en not_active Revoked
- 1995-12-06 DE DE69520091T patent/DE69520091T2/de not_active Revoked
- 1995-12-15 CN CN95119870A patent/CN1132932A/zh active Pending
- 1995-12-18 JP JP7347501A patent/JPH08236660A/ja active Pending
- 1995-12-20 AU AU40544/95A patent/AU4054495A/en not_active Abandoned
- 1995-12-27 KR KR1019950072358A patent/KR960027093A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1146042A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用パッケージ |
JPH1146041A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用パッケージ |
JPH1146043A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Kyocera Corp | 光半導体素子収納用パッケージ |
WO2000004580A1 (en) * | 1998-07-14 | 2000-01-27 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical device, electronic device enclosure, and getter assembly |
JP4831931B2 (ja) * | 2001-07-20 | 2011-12-07 | サエス ゲッターズ ソチエタ ペル アツィオニ | マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスを製造するための気体吸収物質の集積堆積物を有する支持体 |
US6901095B2 (en) | 2001-07-25 | 2005-05-31 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, optical measuring method and optical measuring apparatus |
JP2007511102A (ja) * | 2003-11-12 | 2007-04-26 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 電子デバイス中に使用される表面にゲッター材料を接着する方法 |
JP4557133B2 (ja) * | 2004-02-05 | 2010-10-06 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体光学装置 |
JP2005223117A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体光学装置 |
JP2006245087A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Nissan Motor Co Ltd | 真空パッケージ |
JP4517894B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2010-08-04 | 日産自動車株式会社 | 真空パッケージ |
JP2007299905A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置 |
US7755823B2 (en) | 2006-12-14 | 2010-07-13 | Ricoh Company | Optical device, semiconductor laser module, optical scanning device, and image forming apparatus |
WO2014129666A1 (ja) | 2013-02-25 | 2014-08-28 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
US9756731B2 (en) | 2013-02-25 | 2017-09-05 | Kyocera Corporation | Package for housing electronic component and electronic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2162095A1 (en) | 1996-06-28 |
EP0720260A1 (en) | 1996-07-03 |
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AU4054495A (en) | 1996-07-04 |
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