JPS60186076A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は高い信頼性を有する半導体発光装置に関するも
のである。
のである。
従来、半導体発光素子とし°ζ、発光領域となる活性層
が＾１１ ＧａＡｓ系（三元系）結晶からなるレーザダ
イオード（以下、ＬＤと記す）及び発光ダイオード（以
下、ＬＥＤと記す）と、活性層がＩｎＧａＡｓＰ系（四
元系）結晶からなるＬＤ及びＬＥＤが広く用いられてい
る。発光領域を形成するこれら三元系又は四元系の結晶
は、それぞれＧａＡｓ、 ＩｎＰ基板結晶上に成長され
ることが多く、各々の混晶比を変化させることにより、
三元系のものでは０．７〜０．９μｍ、四元系のもので
は１．１” １．７μｍの波長の光を発生可能で、それ
ぞれ短波長！、 Ｄ又はＬＥＤ、長波長ＬＤ又はＬＥＤ
と呼ばれて来た。
が＾１１ ＧａＡｓ系（三元系）結晶からなるレーザダ
イオード（以下、ＬＤと記す）及び発光ダイオード（以
下、ＬＥＤと記す）と、活性層がＩｎＧａＡｓＰ系（四
元系）結晶からなるＬＤ及びＬＥＤが広く用いられてい
る。発光領域を形成するこれら三元系又は四元系の結晶
は、それぞれＧａＡｓ、 ＩｎＰ基板結晶上に成長され
ることが多く、各々の混晶比を変化させることにより、
三元系のものでは０．７〜０．９μｍ、四元系のもので
は１．１” １．７μｍの波長の光を発生可能で、それ
ぞれ短波長！、 Ｄ又はＬＥＤ、長波長ＬＤ又はＬＥＤ
と呼ばれて来た。
なお、四元系結晶をＧａＡｓ基板上に成長させる場合は
波長０．７μｍ程度の短波長帯の光も先住可能であるが
、本発明では便宜上三元系を短波長、四元系を長波長と
同じ意味に用いることにする。
波長０．７μｍ程度の短波長帯の光も先住可能であるが
、本発明では便宜上三元系を短波長、四元系を長波長と
同じ意味に用いることにする。
一般に短波長素子及び長波長素子において、１、Ｄは通
常の動作時の発光面光パワー密度がＬＥＤの５００倍以
上である（ＬＤは１．６Ｘ１０５”ｖＶ／ｃＪＬＥＤは
３Ｘ１０２ Ｗ／ｃｔｌｌ程度）ので、Ｉ−１）はｌ２
ＥＤに比較して劣化が速い。従ってＬＤの通電寿命又は
信頼性の改善はＬＥＤに比して深刻な問題である。この
ため以降の記述では、まず■７１）を例として説明を行
なう。
常の動作時の発光面光パワー密度がＬＥＤの５００倍以
上である（ＬＤは１．６Ｘ１０５”ｖＶ／ｃＪＬＥＤは
３Ｘ１０２ Ｗ／ｃｔｌｌ程度）ので、Ｉ−１）はｌ２
ＥＤに比較して劣化が速い。従ってＬＤの通電寿命又は
信頼性の改善はＬＥＤに比して深刻な問題である。この
ため以降の記述では、まず■７１）を例として説明を行
なう。
ＬＤの実使用条件は１０〜５０℃において、、ＣＷ３〜
５ｍＷ（片面出力）が一般的である。この条件でＬ Ｄ
を動作させたときの劣化モードは、まず短波長ＬＤにお
いて明らかにされており、これによれば端卯劣化とＤ
Ｌ Ｄ （Ｄａｒｋ Ｌｉｎｅ’、Ｄｅｆｅｃｔ）との
２つが支配的であることがわかった。上記端面劣化は、
ヘキ開面が酸化するにつれしきい値電流１１１＋がゆる
やかに増加し、それと共に動作電流ｌｏｐもゆるやかに
増加する劣化モードであり、上記実使用条件での上記ｌ
ｏｐの上昇率は１％／ｋｌｌｒ（千時間）程度である。
５ｍＷ（片面出力）が一般的である。この条件でＬ Ｄ
を動作させたときの劣化モードは、まず短波長ＬＤにお
いて明らかにされており、これによれば端卯劣化とＤ
Ｌ Ｄ （Ｄａｒｋ Ｌｉｎｅ’、Ｄｅｆｅｃｔ）との
２つが支配的であることがわかった。上記端面劣化は、
ヘキ開面が酸化するにつれしきい値電流１１１＋がゆる
やかに増加し、それと共に動作電流ｌｏｐもゆるやかに
増加する劣化モードであり、上記実使用条件での上記ｌ
ｏｐの上昇率は１％／ｋｌｌｒ（千時間）程度である。
一方、上記ＤＬＤはＬＤチップとヒートシンクとの熱膨
張の差によりチップに機械的歪が生じ、その結果活性領
域（ＡｃｔｉｖｅＲｅｇｉｏｎ ）に結晶欠陥が走るこ
とによる劣化である。この劣化が発生すると、ｌｏｐは
突然上昇し、レーザ発振が停止することが多い。これら
の２つの劣化は動作雰囲気温度を上昇させ（例えば７０
℃）、ｌｏｐを大きくして行なう通電試験（温度加速試
験）では、より顕著に発生する。
張の差によりチップに機械的歪が生じ、その結果活性領
域（ＡｃｔｉｖｅＲｅｇｉｏｎ ）に結晶欠陥が走るこ
とによる劣化である。この劣化が発生すると、ｌｏｐは
突然上昇し、レーザ発振が停止することが多い。これら
の２つの劣化は動作雰囲気温度を上昇させ（例えば７０
℃）、ｌｏｐを大きくして行なう通電試験（温度加速試
験）では、より顕著に発生する。
上記ＤＬＤを防止する方法としては、ヒートシンクの材
質、構造の最適化によるＬＤチップの機械的歪の低減が
行なわれて来た。また上記端面劣化を防止するには、Ｌ
Ｄ端面に５ｉ３Ｎ４（窒化膜）等の保護膜を付け（パッ
シベーション）、かつパッケージ内の雰囲気ガスを窒素
等の不活性ガスにすることが行なわれている。このパッ
ケージ内雰囲気ガスを窒素ガスとするためには、Ｌ Ｄ
を窒素雰囲気ガス中でパッケージ内に気密封止すること
となる。
質、構造の最適化によるＬＤチップの機械的歪の低減が
行なわれて来た。また上記端面劣化を防止するには、Ｌ
Ｄ端面に５ｉ３Ｎ４（窒化膜）等の保護膜を付け（パッ
シベーション）、かつパッケージ内の雰囲気ガスを窒素
等の不活性ガスにすることが行なわれている。このパッ
ケージ内雰囲気ガスを窒素ガスとするためには、Ｌ Ｄ
を窒素雰囲気ガス中でパッケージ内に気密封止すること
となる。
第１図は短波長ＬＤにおいて、このようにパッケージ内
の雰囲気ガスを窒素ガスとした従来から用いられている
代表的な気密封止パンケージの断面構造を示す図である
６図においてＩは１、Ｄチップ、２はヒートシンク、３
はリード線、４はヒートシンクがマウントされる円板状
のステム、４ａは電極、５は雰囲気ガス（窒素）、６は
キャップである。そして８亥キヤンプ６にはＬＤ出射光
１゜を取出すためのガラス窓７が設けられており、ガラ
ス板は封止用ガラス８でキャップ６に接着されている。
の雰囲気ガスを窒素ガスとした従来から用いられている
代表的な気密封止パンケージの断面構造を示す図である
６図においてＩは１、Ｄチップ、２はヒートシンク、３
はリード線、４はヒートシンクがマウントされる円板状
のステム、４ａは電極、５は雰囲気ガス（窒素）、６は
キャップである。そして８亥キヤンプ６にはＬＤ出射光
１゜を取出すためのガラス窓７が設けられており、ガラ
ス板は封止用ガラス８でキャップ６に接着されている。
また、ステム４の一力の電極は封止用ガラス８で固定さ
れている。
れている。
このバ・７ケージの組立手順は次の通りである。
まずＬＤチップ１がハンダ付されたヒートシンク２を２
、テム４にマウントする。次に窒素ガス雰囲気中でキャ
ップ６をステム４に溶接する。この溶接工程をキャンピ
ングという。キャンピングが完全ならば、キャップ６と
ステム４自体はガスのリークがない構造となっているの
で、ＬＤチップ１はパッケージ内の窒素雰囲気ガス中に
気密封止される。
、テム４にマウントする。次に窒素ガス雰囲気中でキャ
ップ６をステム４に溶接する。この溶接工程をキャンピ
ングという。キャンピングが完全ならば、キャップ６と
ステム４自体はガスのリークがない構造となっているの
で、ＬＤチップ１はパッケージ内の窒素雰囲気ガス中に
気密封止される。
以上第１図に示すように気密封止されたパッケージ内に
マウントされたＬＤチップ１は、端面が空気（酸素）に
ふれないので端面劣化が防止できる上に、窒素ガス５の
露点が低い（−６０℃程度）ので、低温でＬＤを動作さ
せても端面に水滴が付着することはなく、ＬＤが異當動
作したり劣化したりすることがないという利点も有する
。
マウントされたＬＤチップ１は、端面が空気（酸素）に
ふれないので端面劣化が防止できる上に、窒素ガス５の
露点が低い（−６０℃程度）ので、低温でＬＤを動作さ
せても端面に水滴が付着することはなく、ＬＤが異當動
作したり劣化したりすることがないという利点も有する
。
以上、短波長ＬＤにおける劣化の問題について説明した
が、次に長波長ＬＤの劣化の問題について説明する。
が、次に長波長ＬＤの劣化の問題について説明する。
長波長ＬＤが開発され、実使用条件で安定動作可能とな
ったのは、短波長ＬＤの主要な劣化モードが明らかにさ
れた以降のことであり、このため長波長ＬＤに対しても
短波長り、Ｄと同様、端面劣化、ＤＬＤ等の劣化が発生
するものと考えられていた。しかし、長波長ＬＤでは上
記実使用条件程度のレベルでは端面酸化、ＤＬＤともほ
とんど発生しないことがわかった。これは四元系結晶が
三元系結晶程遠くは酸素と反応しないこと、及び四元系
結晶は三元系結晶に比べて軟らかく機械的歪の影響が少
ないことによる。
ったのは、短波長ＬＤの主要な劣化モードが明らかにさ
れた以降のことであり、このため長波長ＬＤに対しても
短波長り、Ｄと同様、端面劣化、ＤＬＤ等の劣化が発生
するものと考えられていた。しかし、長波長ＬＤでは上
記実使用条件程度のレベルでは端面酸化、ＤＬＤともほ
とんど発生しないことがわかった。これは四元系結晶が
三元系結晶程遠くは酸素と反応しないこと、及び四元系
結晶は三元系結晶に比べて軟らかく機械的歪の影響が少
ないことによる。
一方、長波長ＬＤの実使用に際しても短波長［５Ｄの場
合と同様露点を下げる必要がある。このため長波長ＬＤ
は、第１図の場合と同様窒素雰囲気ガス中で気密封止さ
れたパッケージ内に発光素子をマウントして使用されて
来た。第１図のＬＤチップ１を長波長ＬＤチップに置換
えれば、長波長ＬＤの代表的な気密封止パンケージとし
て第１図に示すものと同種のものが得られる。
合と同様露点を下げる必要がある。このため長波長ＬＤ
は、第１図の場合と同様窒素雰囲気ガス中で気密封止さ
れたパッケージ内に発光素子をマウントして使用されて
来た。第１図のＬＤチップ１を長波長ＬＤチップに置換
えれば、長波長ＬＤの代表的な気密封止パンケージとし
て第１図に示すものと同種のものが得られる。
以上、結局のところ長波長ＬＤにおいても短波長ＬＤと
同種の気密封止パンケージが用いられ、長波長ＬＤにお
いてもパッケージ内の不活性ガス（窒素）は端面酸化防
止、露点を下げる等の利点をもたらす。
同種の気密封止パンケージが用いられ、長波長ＬＤにお
いてもパッケージ内の不活性ガス（窒素）は端面酸化防
止、露点を下げる等の利点をもたらす。
ところが、窒素ガスで気密封止されたパッケージ内にマ
ウントされた長波長ＬＤにおいては、上述した端面酸化
、ＤＬＤ等とは別の劣化モードが存在することがわかっ
た。以下ＩｎＰ基板上にＩｎＧａ八ｓＰへ埋め込んだＩ
ｎＧａＡｓＰ ／ＩｎＰ Ｂ ＣＬ Ｄ （Ｂｕｒｉｅ
ｄＣｒｅｓｃｅｎｔ Ｌ Ｄ ）を例としてこの劣化を
説明する。
ウントされた長波長ＬＤにおいては、上述した端面酸化
、ＤＬＤ等とは別の劣化モードが存在することがわかっ
た。以下ＩｎＰ基板上にＩｎＧａ八ｓＰへ埋め込んだＩ
ｎＧａＡｓＰ ／ＩｎＰ Ｂ ＣＬ Ｄ （Ｂｕｒｉｅ
ｄＣｒｅｓｃｅｎｔ Ｌ Ｄ ）を例としてこの劣化を
説明する。
気密封止パッケージ内の雰囲気ガスを窒素としてＢＣＬ
Ｄの１００℃、２００ｍＡ１！Ｉｆ電試験を行なうと、
ＬＤのしきい値電流１ｔｈは上昇し、順方向電圧■Ｆ（
順方向電流ＩＰ＝１ｍＡとする）は減少する。
Ｄの１００℃、２００ｍＡ１！Ｉｆ電試験を行なうと、
ＬＤのしきい値電流１ｔｈは上昇し、順方向電圧■Ｆ（
順方向電流ＩＰ＝１ｍＡとする）は減少する。
１００℃、２００ｍＡという試験条件は実使用よりきつ
い条件であり、ＢＣＬＤはこの条件ではｃｗレーザ発振
はしないので、この１ｆｆｆ電をＥＬモード（Ｅｌｅｃ
ｔｒｏ−ＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎＬ Ｍｏｄｅ）通電と呼
ぶ。
い条件であり、ＢＣＬＤはこの条件ではｃｗレーザ発振
はしないので、この１ｆｆｆ電をＥＬモード（Ｅｌｅｃ
ｔｒｏ−ＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎＬ Ｍｏｄｅ）通電と呼
ぶ。
第２図（ａｌ （ｂｌは、それぞれ室温におけるＥＬモ
ード通電によるＩｔｂ、ＶＦの変動を示す図である。
ード通電によるＩｔｂ、ＶＦの変動を示す図である。
同図（ａｌ 、 （ｂｌにおいて、ＡＩ、Ｂｌは空気中
において、キャッピングしない状態で２０時間のＥＬモ
ード通電を行なった後、窒素雰囲気ガス中でキャッピン
グし、さらにＥＬモード通電を行なった場合の１ｔｈ、
ＶＦの変化を示す特性曲線である。同図からキャンピン
グ後、１ｔｈ上昇率、ＶＦＭ少率が急に大きくなってい
ることがわかる。即ち窒素雰囲気ガス中ではＢ’ＣＬＤ
は劣化する。
において、キャッピングしない状態で２０時間のＥＬモ
ード通電を行なった後、窒素雰囲気ガス中でキャッピン
グし、さらにＥＬモード通電を行なった場合の１ｔｈ、
ＶＦの変化を示す特性曲線である。同図からキャンピン
グ後、１ｔｈ上昇率、ＶＦＭ少率が急に大きくなってい
ることがわかる。即ち窒素雰囲気ガス中ではＢ’ＣＬＤ
は劣化する。
この劣化のメカニズムは目下のところ不明であるが、窒
素雰囲気ガス中での劣化であることから酸化が主要原因
であるとは考えにくい。窒素が不活性であるが故にＥＬ
モード１ｆｆｌ電中にＬリチン１表面に酸化膜とは別の
変質層が形成され、そのため徐々にリーク電流が増加す
るものと推定される。
素雰囲気ガス中での劣化であることから酸化が主要原因
であるとは考えにくい。窒素が不活性であるが故にＥＬ
モード１ｆｆｌ電中にＬリチン１表面に酸化膜とは別の
変質層が形成され、そのため徐々にリーク電流が増加す
るものと推定される。
ＶＦが減少しＩｔｈが上昇していることからこのように
考えられる。ＥＬモード通電におい′ζは、上記劣化の
有無は数時間で判明するが、ＬＤの実使用条件、例えば
５０°Ｃ，５ｍＷあるいはもっときつい条件である７０
℃、５ｍＷレヘルでは、動作電流ｆｏｐは７０〜１００
ｍＡであり、上記劣化は数百〜千時間で次第に認められ
るようになる。
考えられる。ＥＬモード通電におい′ζは、上記劣化の
有無は数時間で判明するが、ＬＤの実使用条件、例えば
５０°Ｃ，５ｍＷあるいはもっときつい条件である７０
℃、５ｍＷレヘルでは、動作電流ｆｏｐは７０〜１００
ｍＡであり、上記劣化は数百〜千時間で次第に認められ
るようになる。
このように、窒素ガスで気密封止されたパッケージ内に
マウントされた長波長Ｌ Ｄにおいては、短波長ＬＤの
場合と同様端面酸化、ＤＬＤによる劣化の問題は防止で
きるが、これらの劣化とは別の劣化が住しるという問題
があった。
マウントされた長波長Ｌ Ｄにおいては、短波長ＬＤの
場合と同様端面酸化、ＤＬＤによる劣化の問題は防止で
きるが、これらの劣化とは別の劣化が住しるという問題
があった。
本発明は、以上述べた長波長ＬＤの窒素雰囲気ガス中に
おける劣化の問題に鑑みてなされたもので、活性領域が
ＩｎＧａＡｓＰ結晶からなる半導体発光素子を気密封止
されたパッケージ内にマウントしてなる半導体発光装置
において、パッケージ内の雰囲気ガスを酸素を含む気体
とすることにより、上記劣化を改善して信頼性を向上で
きる半導体発光装置を提供することを目的としている。
おける劣化の問題に鑑みてなされたもので、活性領域が
ＩｎＧａＡｓＰ結晶からなる半導体発光素子を気密封止
されたパッケージ内にマウントしてなる半導体発光装置
において、パッケージ内の雰囲気ガスを酸素を含む気体
とすることにより、上記劣化を改善して信頼性を向上で
きる半導体発光装置を提供することを目的としている。
Ｃ発明の実施例〕
以下本発明の実施例を図について説明する。
本実施例では、ＢＣＬＤを例として説明する。
本発明の一実施例による半導体発光装置は、第１図にお
いて、気密封止パンケージ内の雰囲気ガス５を乾燥空気
としたものである。
いて、気密封止パンケージ内の雰囲気ガス５を乾燥空気
としたものである。
次に第２図＋８１ （ｂｌについて本実施例による劣化
の改善効果を説明する。同図（Ｍｌ、 （ｂｌにおいて
Ａ２゜Ｂ２は上記従来のものと同一ウェハのＢ ＣＬ、
Ｄに対し、空気中においてキャッピングしていない状
態で２０時間ＥＬモード通電を行った後、乾燥空気雰囲
気中でキャッピングし、さらにＥ Ｌモード通電を行な
った場合のＩＬｈ、ＶＦの変化を示す特性曲線である。
の改善効果を説明する。同図（Ｍｌ、 （ｂｌにおいて
Ａ２゜Ｂ２は上記従来のものと同一ウェハのＢ ＣＬ、
Ｄに対し、空気中においてキャッピングしていない状
態で２０時間ＥＬモード通電を行った後、乾燥空気雰囲
気中でキャッピングし、さらにＥ Ｌモード通電を行な
った場合のＩＬｈ、ＶＦの変化を示す特性曲線である。
同図から明らかなように、本実施例の半導体装置では、
キャッピング後も［Ｌｈ、ＶＦが目立って変化すること
はないことがわかる。
キャッピング後も［Ｌｈ、ＶＦが目立って変化すること
はないことがわかる。
ここで乾燥空気封入によって上記従来の劣化が改善され
る理由は不明であるが、該乾燥空気中の酸素の影響でＬ
Ｄチップ表面に酸化膜が形成され、それがリーク電流の
増加を妨げる方向に作用するものと推定される。なお、
乾燥空気の露点は窒素と同程度である。
る理由は不明であるが、該乾燥空気中の酸素の影響でＬ
Ｄチップ表面に酸化膜が形成され、それがリーク電流の
増加を妨げる方向に作用するものと推定される。なお、
乾燥空気の露点は窒素と同程度である。
以上本実施例の半導体発光装置では、パッケージ内雰囲
気ガス５を乾燥空気としたので、露点を上昇させること
はなく、劣化改善が可能であり、実用に適したＬＤパン
ケージが得られる。また、乾燥空気は窒素に比べて安価
であるので、パノヶ−ジが安価にできるという経済的幼
果も有する。
気ガス５を乾燥空気としたので、露点を上昇させること
はなく、劣化改善が可能であり、実用に適したＬＤパン
ケージが得られる。また、乾燥空気は窒素に比べて安価
であるので、パノヶ−ジが安価にできるという経済的幼
果も有する。
なお、上記実施例においては、パッケージ内雰囲気ガス
５を乾燥空気とした場合について説明したが、劣化改善
に酸素が関与していると考えられることから、乾燥空気
の代りに酸素を用いてもよい。また以上の説明では長波
長ＬＤの場合を例にとって説明を行なって来たが、同様
にＩｎＧａＡｓＰの材料で作られる長波長ＬＥＤにおい
てもパンケージ内雰囲気ガスを乾燥空気又はｒＩＩ素と
することにより、同様の劣化防止が可能となる。
５を乾燥空気とした場合について説明したが、劣化改善
に酸素が関与していると考えられることから、乾燥空気
の代りに酸素を用いてもよい。また以上の説明では長波
長ＬＤの場合を例にとって説明を行なって来たが、同様
にＩｎＧａＡｓＰの材料で作られる長波長ＬＥＤにおい
てもパンケージ内雰囲気ガスを乾燥空気又はｒＩＩ素と
することにより、同様の劣化防止が可能となる。
以上のように本発明によれば、活性領域がＩｎＧａＡｓ
Ｐ結晶からなる半導体発光素子を気密封止されたパッケ
ージ内にマウントしてなる半導体発光装置において、パ
ッケージ内の雰囲気ガスを酸素を含む気体としたので、
従来の窒素雰囲気ガス中での発光素子の劣化を改善でき
、信頼性を大きく向上できる効果がある。
Ｐ結晶からなる半導体発光素子を気密封止されたパッケ
ージ内にマウントしてなる半導体発光装置において、パ
ッケージ内の雰囲気ガスを酸素を含む気体としたので、
従来の窒素雰囲気ガス中での発光素子の劣化を改善でき
、信頼性を大きく向上できる効果がある。
第１図は従来及び本発明の一実施例による気密封止パッ
ケージの断面図、第２図は上記実施例の劣化改善効果を
説明するための図で、第２図ｔａ＋はＥＬモード通電時
間・しきい値電流特性図、第２図（ｂｌはＥＬモード通
電時間・順方向電圧特性図である。 １・・・半導体発光素子、５・・・パッケージ内雰囲気
ガス（乾燥空気）。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 （Ｃ１） ＥＬ Ｅ−１”通’ｔｉｎ間（Ｈｒ）
ケージの断面図、第２図は上記実施例の劣化改善効果を
説明するための図で、第２図ｔａ＋はＥＬモード通電時
間・しきい値電流特性図、第２図（ｂｌはＥＬモード通
電時間・順方向電圧特性図である。 １・・・半導体発光素子、５・・・パッケージ内雰囲気
ガス（乾燥空気）。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 （Ｃ１） ＥＬ Ｅ−１”通’ｔｉｎ間（Ｈｒ）
Claims (1)
- （１１気密封止されたパッケージ内に活性領域がＩｎＧ
ａＡｓＰ結晶からなる半導体発光素子をマウントしてな
る半導体発光装置において、上記パッケージ内雰囲気ガ
スを酸素を含む気体としたことを特徴とする半導体発光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59041620A JPS60186076A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59041620A JPS60186076A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60186076A true JPS60186076A (ja) | 1985-09-21 |
| JPH046114B2 JPH046114B2 (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=12613376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59041620A Granted JPS60186076A (ja) | 1984-03-05 | 1984-03-05 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60186076A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2606211A1 (fr) * | 1986-11-04 | 1988-05-06 | Samsung Semiconductor Tele | Boitier de composant electroluminescent avec circuit radiateur integre assurant la protection contre les surintensites |
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| US7573924B2 (en) | 2004-05-26 | 2009-08-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device |
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-
1984
- 1984-03-05 JP JP59041620A patent/JPS60186076A/ja active Granted
Cited By (21)
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| US10281102B2 (en) | 2010-10-29 | 2019-05-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element |
| US10465873B2 (en) | 2010-10-29 | 2019-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH046114B2 (ja) | 1992-02-04 |
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