JPH05304315A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JPH05304315A JPH05304315A JP10751792A JP10751792A JPH05304315A JP H05304315 A JPH05304315 A JP H05304315A JP 10751792 A JP10751792 A JP 10751792A JP 10751792 A JP10751792 A JP 10751792A JP H05304315 A JPH05304315 A JP H05304315A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金（Ａｕ）を主材料とする電極と表面保護用
絶縁膜との間からの水蒸気，水等の浸入により生じる黒
化現象を防止する。 【構成】 面発光型のＧａ1-x Ａｌx ＡｓＬＥＤであ
り、ｐ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ活性層４のＡｌ混晶比ｙ＝
０．３５とし、ｎ型，ｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド
層３，５のＡｌ混晶比ｘ＝０．８とし、電極１，２とＳ
ｉＯ2 膜７との重なり部分の間に、電極１，２およびＳ
ｉＯ2 膜７の両者に対し付着性のよい金属膜としてＴｉ
膜８を形成している。 【効果】 高温，高湿度下においても時間経過における
発光出力の低下を防止できる。
絶縁膜との間からの水蒸気，水等の浸入により生じる黒
化現象を防止する。 【構成】 面発光型のＧａ1-x Ａｌx ＡｓＬＥＤであ
り、ｐ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ活性層４のＡｌ混晶比ｙ＝
０．３５とし、ｎ型，ｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド
層３，５のＡｌ混晶比ｘ＝０．８とし、電極１，２とＳ
ｉＯ2 膜７との重なり部分の間に、電極１，２およびＳ
ｉＯ2 膜７の両者に対し付着性のよい金属膜としてＴｉ
膜８を形成している。 【効果】 高温，高湿度下においても時間経過における
発光出力の低下を防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、発光素子に関し、特
に、化合物半導体を材料とする発光ダイオード（以下、
ＬＥＤと記す。）等に係るものである。
に、化合物半導体を材料とする発光ダイオード（以下、
ＬＥＤと記す。）等に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＥＤは、小型で信頼性が高く、表示シ
ステムだけでなく測距システム，光通信伝送システムな
ど様々な用途に幅広く応用されている。このＬＥＤには
エピタキシャル成長表面を主発光面として形成された面
発光型ＬＥＤと、半導体レーザなどと同様に、ヘキ開し
た端面を主発光面とする端面放射型ＬＥＤに大別され
る。
ステムだけでなく測距システム，光通信伝送システムな
ど様々な用途に幅広く応用されている。このＬＥＤには
エピタキシャル成長表面を主発光面として形成された面
発光型ＬＥＤと、半導体レーザなどと同様に、ヘキ開し
た端面を主発光面とする端面放射型ＬＥＤに大別され
る。
【０００３】面発光型ＬＥＤは、表示用など高輝度，高
出力用ＬＥＤとして広く用いられており、最近は、車の
ハイマウントストップランプ等のように室外で使用され
る用途も多くなってきた。この室外での用途には、発光
波長が６２０ｎｍ〜６６０ｎｍの赤色の波長が望まれて
おり、現在この波長を実現するためにはＧａＡｌＡｓ、
ＩｎＧａＡｌＰ等のＡｌを含む化合物半導体が使用され
ている。
出力用ＬＥＤとして広く用いられており、最近は、車の
ハイマウントストップランプ等のように室外で使用され
る用途も多くなってきた。この室外での用途には、発光
波長が６２０ｎｍ〜６６０ｎｍの赤色の波長が望まれて
おり、現在この波長を実現するためにはＧａＡｌＡｓ、
ＩｎＧａＡｌＰ等のＡｌを含む化合物半導体が使用され
ている。
【０００４】従来の面発光型ＬＥＤの要部断面図を図５
に示す。図５において、１はＡｕからなる第２電極、２
はＡｕ／Ｇｅ／ＮｉのＡｕ合金からなる第１電極、３は
ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド層、４はｐ型Ｇａ1-y
Ａｌy Ａｓ活性層、５はｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッ
ド層、６はｐ型半導体基板、７は表面保護用絶縁膜であ
るＳｉＯ2 膜である。
に示す。図５において、１はＡｕからなる第２電極、２
はＡｕ／Ｇｅ／ＮｉのＡｕ合金からなる第１電極、３は
ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド層、４はｐ型Ｇａ1-y
Ａｌy Ａｓ活性層、５はｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッ
ド層、６はｐ型半導体基板、７は表面保護用絶縁膜であ
るＳｉＯ2 膜である。
【０００５】この発光素子は、車のハイマウントストッ
プランプ等に使用される面発光型のＧａＡｌＡｓＬＥＤ
であり、発光波長が６６０ｎｍ程度である。この発光波
長をもつＬＥＤをＧａＡｌＡｓで生産するためには、ｐ
型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ活性層４のＡｌ混晶比ｙ＝０．３
程度が必要であり、ｎ型，ｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラ
ッド層３，５のＡｌ混晶比ｘ＝０．７〜０．８とするの
が通常である。このＡｌ混晶比ｘが０．７以上になると
ＧａＡｌＡｓは、酸素により非常に酸化され易くなる。
また、ｎ型，ｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド層３，５
のＡｌ混晶比ｘが０．７以上であるＧａＡｌＡｓＬＥＤ
は湿度の高い空気中又は、水中等で通電を行うと短時間
で表面が黒化（以下、黒化現象という。）し、ｐ型Ｇａ
1-y Ａｌ y Ａｓ活性層４で発光した光が当該部分に吸収
され発光出力が低下する問題があった。
プランプ等に使用される面発光型のＧａＡｌＡｓＬＥＤ
であり、発光波長が６６０ｎｍ程度である。この発光波
長をもつＬＥＤをＧａＡｌＡｓで生産するためには、ｐ
型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ活性層４のＡｌ混晶比ｙ＝０．３
程度が必要であり、ｎ型，ｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラ
ッド層３，５のＡｌ混晶比ｘ＝０．７〜０．８とするの
が通常である。このＡｌ混晶比ｘが０．７以上になると
ＧａＡｌＡｓは、酸素により非常に酸化され易くなる。
また、ｎ型，ｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド層３，５
のＡｌ混晶比ｘが０．７以上であるＧａＡｌＡｓＬＥＤ
は湿度の高い空気中又は、水中等で通電を行うと短時間
で表面が黒化（以下、黒化現象という。）し、ｐ型Ｇａ
1-y Ａｌ y Ａｓ活性層４で発光した光が当該部分に吸収
され発光出力が低下する問題があった。
【０００６】この問題を改善するために、ＧａＡｌＡｓ
ＬＥＤをチップサイズにメサ構造となるようにエッチン
グした後、ＳｉＯ2 膜７等の表面保護用絶縁膜を形成す
ることによりｎ型，ｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド層
３，５およびｐ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ活性層４を水蒸
気，水等にさらされることを防止し、表面保護用絶縁膜
を形成しない場合より、格段に黒化現象を防ぐことがで
きるようになっている。
ＬＥＤをチップサイズにメサ構造となるようにエッチン
グした後、ＳｉＯ2 膜７等の表面保護用絶縁膜を形成す
ることによりｎ型，ｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド層
３，５およびｐ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ活性層４を水蒸
気，水等にさらされることを防止し、表面保護用絶縁膜
を形成しない場合より、格段に黒化現象を防ぐことがで
きるようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記対策
にもかかわらず、ＬＥＤに蒸着したＡｕ，Ａｕ合金から
なる電極１，２と表面保護用絶縁膜であるＳｉＯ2 膜７
との付着性が弱く、この部分から水蒸気，水等が浸入し
電極１，２周辺で黒化現象が生じ、時間経過により発光
出力が低下するという問題があった。
にもかかわらず、ＬＥＤに蒸着したＡｕ，Ａｕ合金から
なる電極１，２と表面保護用絶縁膜であるＳｉＯ2 膜７
との付着性が弱く、この部分から水蒸気，水等が浸入し
電極１，２周辺で黒化現象が生じ、時間経過により発光
出力が低下するという問題があった。
【０００８】この発明の目的は、金（Ａｕ）を主材料と
する電極と表面保護用絶縁膜との間からの水蒸気，水等
の浸入により生じる黒化現象を防止することができる発
光素子を提供することである。
する電極と表面保護用絶縁膜との間からの水蒸気，水等
の浸入により生じる黒化現象を防止することができる発
光素子を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
にこの発明の発光素子は、金（Ａｕ）を主材料とする電
極と表面保護用絶縁膜との重なり部分の間に、電極およ
び表面保護用絶縁膜の両者に対し付着性のよい金属膜を
形成したことを特徴とする。
にこの発明の発光素子は、金（Ａｕ）を主材料とする電
極と表面保護用絶縁膜との重なり部分の間に、電極およ
び表面保護用絶縁膜の両者に対し付着性のよい金属膜を
形成したことを特徴とする。
【００１０】
【作用】この発明の構成によれば、金（Ａｕ）を主材料
とする電極と表面保護用絶縁膜との間に両者に対し付着
性のよい金属膜を形成したことにより、電極と表面保護
用絶縁膜の間からの水蒸気，水等の浸入を防ぎ、黒化現
象を防止することができる。
とする電極と表面保護用絶縁膜との間に両者に対し付着
性のよい金属膜を形成したことにより、電極と表面保護
用絶縁膜の間からの水蒸気，水等の浸入を防ぎ、黒化現
象を防止することができる。
【００１１】
【実施例】以下この発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１はこの発明の一実施例の発光
素子の要部断面図である。図１において、１はＡｕから
なる第２電極、２はＡｕ／Ｇｅ／ＮｉのＡｕ合金からな
る第１電極、３はＡｌ混晶比ｘ＝０．８であるｎ型Ｇａ
1-x Ａｌx Ａｓクラッド層、４はＡｌ混晶比ｙ＝０．３
５であるｐ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ活性層、５はＡｌ混晶
比ｘ＝０．８であるｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド
層、６はｐ型半導体基板、７は表面保護用絶縁膜である
ＳｉＯ2 膜、８はＴｉ膜である。
照しながら説明する。図１はこの発明の一実施例の発光
素子の要部断面図である。図１において、１はＡｕから
なる第２電極、２はＡｕ／Ｇｅ／ＮｉのＡｕ合金からな
る第１電極、３はＡｌ混晶比ｘ＝０．８であるｎ型Ｇａ
1-x Ａｌx Ａｓクラッド層、４はＡｌ混晶比ｙ＝０．３
５であるｐ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ活性層、５はＡｌ混晶
比ｘ＝０．８であるｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド
層、６はｐ型半導体基板、７は表面保護用絶縁膜である
ＳｉＯ2 膜、８はＴｉ膜である。
【００１２】この発光素子は、面発光型のＧａ1-x Ａｌ
x ＡｓＬＥＤであり、ｐ型Ｇａ1-yＡｌy Ａｓ活性層４
のＡｌ混晶比ｙ＝０．３５とし、ｎ型，ｐ型Ｇａ1-x Ａ
ｌxＡｓクラッド層３，５のＡｌ混晶比ｘ＝０．８と
し、電極１，２とＳｉＯ2 膜７との重なり部分の間に、
電極１，２およびＳｉＯ2 膜７の両者に対し付着性のよ
い金属膜としてＴｉ膜８を形成したものである。
x ＡｓＬＥＤであり、ｐ型Ｇａ1-yＡｌy Ａｓ活性層４
のＡｌ混晶比ｙ＝０．３５とし、ｎ型，ｐ型Ｇａ1-x Ａ
ｌxＡｓクラッド層３，５のＡｌ混晶比ｘ＝０．８と
し、電極１，２とＳｉＯ2 膜７との重なり部分の間に、
電極１，２およびＳｉＯ2 膜７の両者に対し付着性のよ
い金属膜としてＴｉ膜８を形成したものである。
【００１３】このように構成される発光素子の製造方法
について、さらに図２および図３を参照しながら説明す
る。ｐ型半導体基板６の上に、Ａｌ混晶比ｘ＝０．８で
あるｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド層５，Ａｌ混晶比
ｙ＝０．３５であるｐ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ活性層４，
Ａｌ混晶比ｘ＝０．８であるｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓク
ラッド層３の順に液相エピタキシャル成長を行いダブル
ヘテロ構造を形成する。つぎに、オーミック性接触をと
るためのＡｕ合金であるＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ（第１電極
２）を１５００Å蒸着し、その上に第２電極１となるＡ
ｕを４０００Å、Ｔｉ膜８を５００Å蒸着した後、φ１
２０μｍの円形部分を残し、それ以外の部分を選択エッ
チングする（図２参照）。
について、さらに図２および図３を参照しながら説明す
る。ｐ型半導体基板６の上に、Ａｌ混晶比ｘ＝０．８で
あるｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド層５，Ａｌ混晶比
ｙ＝０．３５であるｐ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ活性層４，
Ａｌ混晶比ｘ＝０．８であるｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓク
ラッド層３の順に液相エピタキシャル成長を行いダブル
ヘテロ構造を形成する。つぎに、オーミック性接触をと
るためのＡｕ合金であるＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ（第１電極
２）を１５００Å蒸着し、その上に第２電極１となるＡ
ｕを４０００Å、Ｔｉ膜８を５００Å蒸着した後、φ１
２０μｍの円形部分を残し、それ以外の部分を選択エッ
チングする（図２参照）。
【００１４】次に、ＬＥＤチップ周辺部を５０μｍの幅
で、ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド層３およびｐ型Ｇ
ａ1-y Ａｌy Ａｓ活性層４を超えるまでエッチングを行
いメサ構造を形成する（図３参照）。この後、ＳｉＯ2
膜７をＣＶＤ法により成長させ、ウェハ全体を保護，絶
縁した後、第２電極１の上部中央部にボンディングパッ
ドとしてφ１００μｍの円形部分をＳｉＯ2 膜７および
Ｔｉ膜８を選択エッチングし窓あけを行なう（図１参
照）。
で、ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド層３およびｐ型Ｇ
ａ1-y Ａｌy Ａｓ活性層４を超えるまでエッチングを行
いメサ構造を形成する（図３参照）。この後、ＳｉＯ2
膜７をＣＶＤ法により成長させ、ウェハ全体を保護，絶
縁した後、第２電極１の上部中央部にボンディングパッ
ドとしてφ１００μｍの円形部分をＳｉＯ2 膜７および
Ｔｉ膜８を選択エッチングし窓あけを行なう（図１参
照）。
【００１５】この後、ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド
層３側を保護した後、裏面側であるｐ型半導体基板６を
全面エッチングし、全体として、ウェハ厚みが１２０μ
ｍ程度になるようにした後、ダイシングにより各々のチ
ップに分離する。このチップを通常の組立工程により樹
脂封止した後、温度８５℃，湿度８５％の雰囲気中で直
流電流５ｍＡによる通電試験を行なった結果を図４に示
す。なお、図４において、実線ａはこの実施例のもので
あり、従来の図５に示す発光素子を通常の組立工程によ
り樹脂封止したものに同様の試験を行った結果を破線ｂ
として示しておく。
層３側を保護した後、裏面側であるｐ型半導体基板６を
全面エッチングし、全体として、ウェハ厚みが１２０μ
ｍ程度になるようにした後、ダイシングにより各々のチ
ップに分離する。このチップを通常の組立工程により樹
脂封止した後、温度８５℃，湿度８５％の雰囲気中で直
流電流５ｍＡによる通電試験を行なった結果を図４に示
す。なお、図４において、実線ａはこの実施例のもので
あり、従来の図５に示す発光素子を通常の組立工程によ
り樹脂封止したものに同様の試験を行った結果を破線ｂ
として示しておく。
【００１６】この図４に示すように、従来のチップを樹
脂封止したものでは１０００時間未満で、通電時間０時
間における発光出力Ｐ（０）と通電時間ｔ時間における
発光出力Ｐ（ｔ）との比Ｐ（ｔ）／Ｐ（０）が急激に低
下するのに対し、この実施例のチップを通常の組立工程
により樹脂封止したものは、１０００時間を越えても発
光出力比Ｐ（ｔ）／Ｐ（０）は若干の低下しかみられな
い。
脂封止したものでは１０００時間未満で、通電時間０時
間における発光出力Ｐ（０）と通電時間ｔ時間における
発光出力Ｐ（ｔ）との比Ｐ（ｔ）／Ｐ（０）が急激に低
下するのに対し、この実施例のチップを通常の組立工程
により樹脂封止したものは、１０００時間を越えても発
光出力比Ｐ（ｔ）／Ｐ（０）は若干の低下しかみられな
い。
【００１７】以上のようにこの実施例では、金（Ａｕ）
を主材料とする電極１，２と表面保護用絶縁膜であるＳ
ｉＯ2 膜７との間に、両者に対し付着性のよい金属膜で
あるＴｉ膜８を形成したことにより、電極１，２とＳｉ
Ｏ2 膜７の間からの水蒸気，水等の浸入を防ぎ、黒化現
象を防止することができるため、高温，高湿度下におい
ても時間経過における発光出力の低下を防ぐことができ
る。
を主材料とする電極１，２と表面保護用絶縁膜であるＳ
ｉＯ2 膜７との間に、両者に対し付着性のよい金属膜で
あるＴｉ膜８を形成したことにより、電極１，２とＳｉ
Ｏ2 膜７の間からの水蒸気，水等の浸入を防ぎ、黒化現
象を防止することができるため、高温，高湿度下におい
ても時間経過における発光出力の低下を防ぐことができ
る。
【００１８】なお、この実施例では、電極１，２および
ＳｉＯ2 膜７に対して付着性のよい金属膜としてＴｉ膜
８を用いたが、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ａｌ等の金属
膜を用いても同様である。また、この実施例では表面保
護用絶縁膜としてＳｉＯ2 膜７を用いたが、Ｓｉ 3 Ｎ4
等の表面保護用絶縁膜を用いても同様の効果が得られる
ことはいうまでもない。
ＳｉＯ2 膜７に対して付着性のよい金属膜としてＴｉ膜
８を用いたが、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ａｌ等の金属
膜を用いても同様である。また、この実施例では表面保
護用絶縁膜としてＳｉＯ2 膜７を用いたが、Ｓｉ 3 Ｎ4
等の表面保護用絶縁膜を用いても同様の効果が得られる
ことはいうまでもない。
【００１９】更に、この実施例では、ＧａＡｌＡｓＬＥ
Ｄを例にとり説明したが、ＩｎＧａＡｌＰ、及び、その
他の化合物半導体を材料とする発光素子においても同様
の効果が得られることは言うまでもない。
Ｄを例にとり説明したが、ＩｎＧａＡｌＰ、及び、その
他の化合物半導体を材料とする発光素子においても同様
の効果が得られることは言うまでもない。
【００２０】
【発明の効果】この発明の発光素子は、金（Ａｕ）を主
材料とする電極と表面保護用絶縁膜との間に両者に対し
付着性のよい金属膜を形成したことにより、電極と表面
保護用絶縁膜の間からの水蒸気，水等の浸入を防ぎ、黒
化現象を防止することができるため、高湿度下の状況で
通電した場合の時間経過における発光出力の低下を防ぐ
ことができる。
材料とする電極と表面保護用絶縁膜との間に両者に対し
付着性のよい金属膜を形成したことにより、電極と表面
保護用絶縁膜の間からの水蒸気，水等の浸入を防ぎ、黒
化現象を防止することができるため、高湿度下の状況で
通電した場合の時間経過における発光出力の低下を防ぐ
ことができる。
【図１】この発明の一実施例の発光素子の要部断面図。
【図２】同実施例における発光素子の製造過程を示す要
部断面図。
部断面図。
【図３】同実施例における発光素子の製造過程を示す要
部断面図。
部断面図。
【図４】通電試験における光出力経時変化特性を示す
図。
図。
【図５】従来の発光素子の要部断面図。
１ Ａｕからなる第２電極 ２ Ａｕ合金からなる第１電極 ３ ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド層 ４ ｐ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ活性層 ５ ｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓクラッド層 ６ ｐ型半導体基板 ７ ＳｉＯ2 膜（表面保護用絶縁膜） ８ Ｔｉ膜（金属膜）
Claims (1)
- 【請求項１】 金（Ａｕ）を主材料とする電極と表面保
護用絶縁膜との重なり部分の間に、前記電極および前記
表面保護用絶縁膜の両者に対し付着性のよい金属膜を形
成したことを特徴とする発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10751792A JPH05304315A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10751792A JPH05304315A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304315A true JPH05304315A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=14461210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10751792A Pending JPH05304315A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05304315A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266646A (ja) * | 2007-07-19 | 2007-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP2013175748A (ja) * | 2002-04-09 | 2013-09-05 | Lg Electronics Inc | 縦方向構造を有するｌｅｄの製作方法 |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP10751792A patent/JPH05304315A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9472727B2 (en) | 2002-04-09 | 2016-10-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
| US9882084B2 (en) | 2002-04-09 | 2018-01-30 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
| US8809898B2 (en) | 2002-04-09 | 2014-08-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method of fabricating vertical structure LEDs |
| US8896017B2 (en) | 2002-04-09 | 2014-11-25 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
| JP2015181164A (ja) * | 2002-04-09 | 2015-10-15 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 縦方向構造を有するｌｅｄの製作方法 |
| US9224907B2 (en) | 2002-04-09 | 2015-12-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
| JP2013175748A (ja) * | 2002-04-09 | 2013-09-05 | Lg Electronics Inc | 縦方向構造を有するｌｅｄの製作方法 |
| US10600933B2 (en) | 2002-04-09 | 2020-03-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
| US10243101B2 (en) | 2002-04-09 | 2019-03-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
| JP2018195855A (ja) * | 2002-04-09 | 2018-12-06 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光デバイス |
| JP2017038076A (ja) * | 2002-04-09 | 2017-02-16 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光デバイス |
| US10453993B1 (en) | 2002-04-09 | 2019-10-22 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
| US10461217B2 (en) | 2002-04-09 | 2019-10-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
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