CN100355161C

CN100355161C - 氮化物半导体激光器件

Info

Publication number: CN100355161C
Application number: CNB2005100727040A
Authority: CN
Inventors: 津田有三; 花冈大介; 石田真也
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Fukuyama Laser Co Ltd
Priority date: 2004-05-26
Filing date: 2005-05-17
Publication date: 2007-12-12
Anticipated expiration: 2025-05-17
Also published as: CN1702927A; CN101132113A

Abstract

一种氮化物半导体激光器件(10)，包括：氮化物半导体激光元件(11)，其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为420nm的光；连接到所述氮化物半导体激光元件(11)的散热器(12)；管座(14)，其上安装有散热器(12)；以及设置在所述管座(14)上的光探测元件(13)，用于探测来自所述氮化物半导体激光元件(11)的激光束。所述氮化物半导体激光元件(11)、散热器(12)和光探测元件(13)密封在连接到管座(14)的罩(15)中，且所述罩(15)之内的气氛具有最高为-30℃的露点和最高100ppm的氧浓度。

Description

氮化物半导体激光器件

技术领域

本发明涉及一种氮化物半导体激光器件，尤其涉及这样一种氮化物半导体激光器件，特征在于其处于罩之中的气氛内，在该罩中密封氮化物半导体激光元件。

背景技术

日本专利申请第10-313147号中公开了一种可以安装在真空环境或高压环境中的常规半导体激光器件。所公开的半导体激光器件的细节如下。参考图4，在日本专利申请第10-313147号中公开的半导体激光光源包括：诸如以下的部件，发射激光束的半导体激光器芯片41；散热器42，其一端上设置有半导体激光器芯片41；管座43，散热器42的下表面连接到该管座43；以及光探测元件44，其设在管座43的表面上用于监视半导体激光器芯片41发出的激光束强度。在管座43的相反表面上贴附有分别用于接地、驱动半导体激光器和光探测元件的电极引线47。接地电极导电地连接到管座，用于驱动半导体激光器和光探测元件的电极分别通过导线键合(未示出)以导电方式连接到半导体激光器芯片41和光探测元件44上。

使用合成树脂之类的透光塑性材料49将电极引线47之外的半导体激光器芯片41、散热器42、光探测元件44和管座43全部模制制作图4所示的半导体激光光源。上述公告公开：这种形式的封装允许将半导体激光器芯片41安装在真空环境或高压环境中，因为这种形式的封装没有诸如罩和保护玻璃的缺少强度的部分。

日本专利申请第10-313147号还公开：在透光可塑材料制作的罩中密封的内部气氛是一种惰性气体气氛，因此半导体激光器件可以安装在真空环境或高压环境中。

如果上述公告中的半导体激光器件用氮化物半导体激光元件作为半导体激光元件，则该激光器元件的谐振腔端面(下文中称为“谐振腔端面”)将会变黑(blackened)。变黑导致氮化物半导体激光元件的输出光强度退化或其寿命的缩短。

发明内容

提出本发明是为了解决常规技术的上述问题，本发明的目的在于提供一种氮化物半导体激光器件，防止氮化物半导体激光元件的谐振腔端面变黑，并由此防止因变黑引起的氮化物半导体激光元件输出光强度的劣化和寿命的缩短。

根据本发明的一个方面，提供了一种氮化物半导体激光器件，其包括：氮化物半导体激光元件，其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为420nm的光；以及设有氮化物半导体激光元件的管座。氮化物半导体激光元件密封在罩中，该罩与管座相连。罩中的气氛具有最高-30℃的露点和最高100ppm的氧浓度。

优选地，该气氛具有最高为1.3kPa的压强。

优选地，该气氛包括氦气。

优选地，该气氛包括氮气。

优选地，该气氛具有高于100kPa的压强。

优选地，该罩具有窗口，且该窗口具有至少0.5mm、最多1.0mm的厚度。

优选地，利用插置其间的金属将罩连接到管座。

优选地，在罩之中提供具有氮化物半导体激光元件的散热器。

优选地，在罩内提供光探测元件，用于检测来自氮化物半导体激光元件的激光束。

根据本发明的另一个方面，提供了一种用于组装如上所述任何氮化物半导体激光器件的组装设备，且其包括：能够组装装进组装设备的氮化物半导体激光器件而没有将内部开放给外界空气的机构；真空机构，用于在组装设备之中产生真空；气体供给机构，用于以预定的气氛气体替代组装设备内部；清除机构，用于将组装设备内部的气氛气体排放到外部；以及测量机构，用于检测组装设备内部的氧浓度和露点。

优选地，组装设备内部的压强、气氛气体类型、氧浓度和露点分别和氮化物半导体激光器件的气氛的压强、气体类型、氧浓度和露点相同。

优选地，组装设备内部的压强相对于氮化物半导体激光器件的气氛压强的指定值为负压强或正压强。

优选地，组装设备内部的氧浓度低于氮化物半导体激光器件气氛的氧浓度。

优选地，组装设备内部的露点低于氮化物半导体激光器件气氛的露点。

根据本发明的另一个方面，提供了一种制造如上所述任何氮化物半导体激光器件的方法，其包括如下步骤：利用氮化物半导体激光器件的组装设备将氮化物半导体激光器件装入该组装设备而无需将组装设备内部开放到外界空气组装氮化物半导体激光器件。

优选地，该方法进一步包括如下步骤：在该组装设备中产生真空；设定组装设备内部的压强、气氛气体类型、氧浓度和露点，使之分别和氮化物半导体激光器件的气氛的压强、气体类型、氧浓度和露点相同。

优选地，该方法进一步包括如下步骤：在该组装设备中产生真空；以及，设定组装设备内部的压强，使之相对于氮化物半导体激光器件的气氛压强的指定值为负压强或正压强。

优选地，该方法进一步包括以下步骤：设置组装设备内部的氧浓度，使其低于氮化物半导体激光器件气氛的氧浓度。

优选地，该方法进一步包括以下步骤：设置组装设备内部的露点，使其低于氮化物半导体激光器件气氛的露点。

优选地，该方法进一步包括以下步骤：测量组装设备内部的氧浓度和露点。

在本发明的氮化物半导体激光器件中，可以防止发射最长为420nm的短波长光的氮化物半导体激光元件(激光器芯片和超发光二极管)的谐振腔端面随着时间的推移而变黑，如此就可以防止因变黑而导致的氮化物半导体激光元件输出光强的劣化或寿命的缩短。

当结合附图详细说明本发明时，本发明的上述和其他目的、特性、方面和优点将变得更加明显。

附图说明

图1是根据本发明的氮化物半导体激光器件的示意图。

图2是在本发明的氮化物半导体激光器件窗口处及其周围的罩结构的示意性横截面图。

图3是在本发明的氮化物半导体激光器件窗口处及其周围的罩的另一种结构的示意性横截面图。

图4是常规半导体激光器件的示意图。

图5到7均为示出根据本发明的氮化物半导体激光器件实例的示意图。

图8是用于本发明的氮化物半导体激光器件的组装设备的示意性横截面图。

具体实施方式

根据本发明，氮化物半导体激光器件包括：具有谐振腔端面且能发射波长最长为420nm的光的氮化物半导体激光元件以及设有该氮化物半导体激光元件的管座。该氮化物半导体激光元件密封在与管座相连的罩中，且该罩之内的气氛具有最高-30℃的露点和最大100ppm的氧浓度。

下文结合图1描述本发明的氮化物半导体激光器件。图1是本发明的氮化物半导体激光器件的示意图。注意，尽管本发明的氮化物半导体激光器件基本包括具有谐振腔端面且能够发射最长波长为420nm的光的氮化物半导体激光元件以及具有该氮化物半导体激光元件的管座，可以更为优选地如图1所示实现该氮化物半导体激光器件。

参考图1，本发明的氮化物半导体激光器件10包括：发射激光束的氮化物半导体激光元件11；散热器12，其一端上设置所述氮化物半导体激光元件；管座14，其连接到所述散热器12的底面；设置在所述管座14上的光探测元件13，用于观测从所述氮化物半导体激光元件11发射的激光束强度；以及罩15，用于在其中密封氮化物半导体激光元件11、散热器12和光探测元件13。罩15的内部空间用密封的气氛18填充。

尽管图1将散热器12和管座14表示为分立的组件，但可以将它们集成到单一的组件中。不过，根据引起对更大散热能力的需求的氮化物半导体激光器的输出的增大，如图1所示的由任何高热导率材料制作的散热器单元可以只提供在氮化物半导体激光器元件附近、热易于集中之处及周围，以便提高散热能力同时降低成本。为此，散热器12优选包含至少一种与管座14所用材料不同的材料，且该材料选自由Cu、SiC、Si、Al、AlN和Fe构成的组。

此外，虽然图1中的氮化物半导体激光元件和散热器是彼此直接连接的，但是该氮化物半导体激光元件和散热器可以通过其间的子座(submount)连接。该子座优选包含导热性极好的SiC或AlN。例如，所用的子座可以是这样制作的子座：向SiC微晶中添加作为粘接剂的氧化铍，然后利用添加到其中的粘接剂烧结SiC。

此外，尽管光探测元件13可以处在罩之中或不在其中，优选的是光探测元件13处于罩之中。

电极引线17贴附于管座14，且罩15具有窗口16，允许释放从氮化物半导体激光元件发出的激光束。

根据本发明，只要氮化物半导体激光元件11具有谐振腔端面且能够发射波长小于等于420nm的激光束，氮化物半导体激光元件11不仅仅局限于特定的一个。具体地说，作为氮化物半导体激光元件，可以使用氮化物半导体激光二极管或氮化物半导体超发光二极管。

如果本发明的氮化物半导体激光元件11用于针对常规技术上述的半导体激光器件环境之中，且由设在期望值的驱动电压和驱动电流驱动，随着时间的推移氮化物半导体激光元件11的谐振腔端面将会变黑。这一变黑现象与发射更长波长(例如650nm或780nm)光的高输出功率激光器的端面退化(例如灾难性光学损伤(COD))不同，因为这种变黑发生在低输出功率(30mW或更低)条件之下，这种条件通常不应导致端面的退化。虽然仍未弄清变黑的特定原因，本发明的发明人曾经检查过发生变黑的部分以检测例如氧、硅和碳之类的元素。根据检验的结果，推断认为：在最长为420nm的短波长光所从发射的谐振腔端面处及其周围，密封气氛中的水分或氧气被电离，导致其周围的杂质被离子吸附到谐振腔端面处，从而发生变黑。

此外，认为在变黑部分检测到的硅是在以下过程中产生的，在这一过程中，上述离子使得氮化物半导体激光器元件的任何成分，例如SiO₂的Si原子从SiO₂中分离出来，因此生成Si原子，成为如上所述被离子吸附到谐振腔端面的杂质。

这样，氮化物半导体激光元件的谐振腔端面的变黑导致输出光强度的劣化和器件寿命的缩短。

本发明将罩中的密封气氛18的露点设置在最多为-30℃，并将其相对于整个气氛的氧浓度设置为最多100ppm，由此成功解决了谐振腔端面变黑的问题。如果露点高于-30℃，罩内部将会充满水分，其浓度是变黑问题的原因，因此高于-30℃的露点是不可取的。更为优选地，露点最高为-40℃，再更为优选地，最高为-60℃。

此外，根据本发明，如果氧浓度高于100ppm，罩内部将充满浓度会影响变黑的氧气，因此氧浓度高于100ppm是不可取的。更为优选地，氧浓度最高为10ppm。

本发明如此设定露点和氧浓度，以便降低水分和氧气各自的量，该水分和氧气会被氮化物半导体激光器元件发出的短波长光电离，因此能够防止谐振腔端面的变黑。此外，由于防止了变黑，从而可以防止输出光强度的劣化以及氮化物半导体激光元件寿命的缩短。

根据本发明，当罩之内的密封气氛具有最高-40℃的露点和最高100ppm的氧浓度时，由公式：(变黑的元件数目/激光器元件总数)×100％所得的值减小到大约15％。此外，当露点最高为-60℃，且氧浓度最高为10ppm时，这一数值可以减小到大约10％。通过这种方式，可以实现对输出光强度劣化和寿命缩短的防止。

这里，公式中的“变黑元件的数目”是指谐振腔端面变黑以突然灾难性失效的氮化物半导体激光元件的数量。这里，谐振腔端面是指激光束发射的表面。变黑元件的数目可以通过老化试验测量，执行老化试验的目的是甄别出早期失效。具体地说，使用光学显微镜观察通过老化试验发现的故障元件的端面。此外，公式中“激光器元件的总数”是指进行老化试验的元件总数。由上述公式，即(变黑元件的数目/激光器元件总数)×100％，确定的数值，在技术上是非常重要的，因为这一数值代表了因相应谐振腔端面变黑而故障的氮化物半导体激光器元件的比例。

根据本发明，密封气氛18优选处于压力最多为1.3kPa的真空状态，更为优选处于压力最多为130Pa的真空状态。将压力设定在如上述的值，以消除谐振腔端面周围被短波长光所电离的媒质，如此能够更有效地防止谐振腔端面变黑。在本例中，由于具有0.3mm常规厚度的窗口16缺乏耐用性，优选厚度至少为0.5mm以确保充分的耐用性。由于窗口对光的吸收，窗口16的厚度优选为最多1.0mm。

在本例中，罩15的内部压力比外界低。因此，必须要有一种可以保持气密性的封装结构。例如，如图2所示，提供了比罩15的孔20大的窗口16，且从罩15的外部安装窗口16。此外，可以在管座14和罩15之间插置一金属以增强气密性。使金属变形以填充管座14和罩15之间的任何缝隙。为此目的，金属优选为易于变形的镍。这里，图2为示出窗口附近的罩结构的示意性横截面图。

根据本发明，如上所述，密封气氛18具有最高-30℃的露点和最大100ppm的氧浓度。此外，密封气氛18优选包含，例如氦气、氩气或氮气。因此能够防止谐振腔端面变黑，因为氦气和氩气均为惰性气体且不易电离。此外，氦气具有优越的导热性，因此氦气还能作为氮化物半导体激光元件的散热媒质。因此，氦气是高度优选的。如此，氦气用来散发在谐振腔端面处产生的热，由此防止了热损伤。此外，当密封气氛是如上所述的氦气或真空时，与类似常规技术中的密封气氛中包括环境空气或氮气的情况相比，被吸收的氮化物半导体激光器件发出的短波长光量相对较小。那么，输出光强度会较高。因此，氦气或真空是合适的。

此外，如图1所示，在散热器和管座被提供为独立组件的情况下，可以将氦气用作密封气氛18，以便获得从独立的散热器和管座的布置和用作密封气氛的氦气所引发的协同作用。这样就进一步增强了散热效果。

根据本发明，将氮气用作罩之内的密封气氛，好处在于低成本。不过，由于氮气是吸湿性的，在设定露点时应当给予充分的小心。如上所述，根据本发明，很重要的一点是将露点设为最高-30℃，更为优选地最高-40℃，再更为优选的最高为-60℃。

根据本发明，当氦气、氩气和氮气中的至少一种用作密封气氛18时，密封气氛18的压强优选为至少100KPa。如此，当罩15内部填充气体时，可以防止任何不利杂质和气体流入罩15。如果压强低于100KPa，罩15之内的压强相对于外界空气为负压强，因此可能会将外界空气吸入罩15。因此，优选压强低于100KPa。

在本例中，由于罩15内部压强高于外界，必须要有一种可以保持气密性的封装结构。例如，如图3所示，提供了比罩15的孔20大的窗口16，且从罩15的外部安装窗口16。图3为示出窗口附近的罩结构的示意性横截面图。可选地，可以在管座14和罩15之间插置一金属以增强气密性。这里，金属是可变形的，以填充管座14和罩15之间的任何缝隙。为此目的，该金属优选为镍。

在本实施例中，如图1的示意图所示，氮化物半导体激光元件11和散热器12是彼此直接连接的。可选地，可以在氮化物半导体激光元件11和散热器12之间提供子座，以将它们彼此连接。

根据本发明，给出了用于组装氮化物半导体激光器件的组装设备的介绍。图8是用于本发明的氮化物半导体激光器件的组装设备的示意性横截面图。通过进件入口82将氮化物半导体激光器件10送入组装设备中。组装设备具有组装机构81，该组装机构是手套箱之类的机构，其无需将组装设备内部开放给外界空气，就允许将氮化物半导体激光器件装进组装设备进行组装。为了使组装设备内部达到期望的压强、包含一种期望类型的气氛气体以及达到期望的氧浓度和期望的露点，该组装设备包括：真空机构83，用于在组装设备之中产生真空；气体供给机构84，用于将期望的气氛气体填入设备内部以及清除机构85，用于将设备内的气体排到外界。作为真空机构83的例子，可以使用真空泵。不过，该真空机构不特别限于真空泵。图8中的箭头表示由气体供给机构84和清除机构85调节的气流。本发明的组装设备至少包括一测量机构86，用于检测设备内的氧浓度和露点。测量机构86包括氧浓度计87、露点计88和压力计89。对于图8中相应附图标记未在这里描述的那些组件，其适用于相应的上述介绍。

可以将组装设备之内的压强、气氛气体类型、氧浓度和露点设置得与以上详述的氮化物半导体激光器件的密封气氛的压强、气氛气体类型、氧浓度和露点相同。要获得罩之中的上述气氛，这就足够在该组装设备中组装氮化物半导体激光器件了。

当氮化物半导体激光器件具有图2所示的结构时，相对于氮化物半导体激光器件的密封气氛压强的给定值组装设备之内的压强优选为负压强。通过这种方式，可以减少因罩之内的压强不符合指定值而损坏的本发明的氮化物半导体激光器件的数量。当优选图3所示的氮化物半导体激光器件结构时，相对于氮化物半导体激光器件的密封气氛压强的给定值，组装设备之内的压强优选为正压强。应此，可以减少因罩之内的压强不符合指定值而损坏的本发明的氮化物半导体激光器件的数量。

此外，组装设备中的氧浓度优选设为低于所生产的氮化物半导体激光器件的密封气氛的期望氧浓度。因此，氮化物半导体激光器件能够可靠地组装，同时满足期望的氧浓度。

更为优选地，组装设备之内的露点优选设为低于所生产的氮化物半导体激光器件的密封气氛的期望露点。如此，氮化物半导体激光器件能够可靠地组装，同时满足期望的露点。

例1

做为一种氮化物半导体激光元件，输出波长为410nm的InGaN半导体激光器被用作图1所示的氮化物半导体激光器件。此时，分别将密封气氛的露点和氧浓度设定在-40℃和100ppm。此外，作为密封气体，以102660Pa的压强供应氮气。

在上述条件下测量了变黑元件的比例。该比例大约为20％或更低。

为了和如图1所示的光探测元件密封在罩之内的布置进行比较，检验了一种光探测元件处于氮化物半导体激光器件外部的布置。结果发现，在氮化物半导体激光器件发出的强光所集中的光探测元件表面上，发生了表面的污损。光探测元件表面的污损导致了这样的问题：从氮化物半导体激光器件发出的激光束不能被准确地检测。

污损的原因可能类似于上述发生在谐振腔端面的变黑。发射长波长(例如650nm或780nm)光的激光器不发生这种污损现象。因此，这一污损问题被认为是发射短波长(最长420nm)光的氮化物半导体激光器件所特有的。

如对以上例1所描述的，将本发明的光探测元件与氮化物半导体激光器元件和密封气氛一起密封在氮化物半导体激光器件的罩中，由此，本发明还可以防止光探测元件表面的污损。

例2

例2的氮化物半导体激光器件与例1(图1)的不同之处在于：散热器12和管座14被集成为一个组件，或者管座14具有一个支撑氮化物半导体激光元件的突起，如图5所示。其他的结构特点及因其获得的效果与图1类似。

当散热器和管座作为一集成组件提供，或者管座具有支撑氮化物半导体激光元件的突起(以下简称集成管座)时，因为散热器部分和管座部分由同样材料构成，因此不能彼此区分散热器部分和管座部分以及各自的功能，如图5所示。如此，散热器12和管座14就不看作如图1所示的分立组件。相反，可以将散热器和管座看作如图5所示的单个管座14。如此，例2提供了使用这样一个集成管座的示范性布置。

集成管座14的优势在于，生产管座的工艺可以得到简化，从而有助于降低成本。尽管集成管座各部分的各自功能不能彼此区分，为了让整个管座起到散热器的作用，即为了增强散热能力，管座可以由从，例如Cu、Al和Fe中选择的一种材料制成。

现在结合图5描述本发明使用这种集成管座的氮化物半导体激光器件。图5是本发明使用这种集成管座的氮化物半导体激光器件的示意图。参考图5，本发明的氮化物半导体激光器件10包括：发射激光束的氮化物半导体激光元件11；其上设有氮化物半导体激光元件的管座14；设置在所述管座14上的光探测元件13，用于观测从所述氮化物半导体激光元件11发射的激光束强度；以及罩15，用于在其中密封氮化物半导体激光元件11和光探测元件13。罩15的内部空间用密封的气氛18填充。此外，电极引线17贴附于管座14，且罩15具有窗口16，允许释放从氮化物半导体激光元件发出的激光束。

尽管图5中的氮化物半导体激光元件11和管座14彼此是直接连接的，也可以利用其间的子座将氮化物半导体激光元件11和管座14连接起来。该子座优选包含导热性极好的SiC或AlN。例如，所用的子座可以是这样制作的子座：向SiC微晶中添加作为粘接剂的氧化铍，然后利用添加到其中的粘接剂烧结SiC。

例3

例3的氮化物半导体激光器件与例1(图1)不同之处在于，没有提供光探测元件。其他结构特点和引起的效果类似于例1或例2。

结合图6描述本发明例3的氮化物半导体激光器件。图6是不带光探测元件的本发明的氮化物半导体激光器件的示意图。参考图6，本发明的氮化物半导体激光器件10包括：发射激光束的氮化物半导体激光元件11；散热器12，其一端上设置所述氮化物半导体激光元件；管座14，其连接到所述散热器12的底面；以及罩15，用于在其中密封氮化物半导体激光元件11和散热器12。罩15的内部空间用密封的气氛18填充。此外，电极引线17贴附于管座14，且罩15具有窗口16，允许释放从氮化物半导体激光元件发出的激光束。虽然图6的示意图中，氮化物半导体激光元件11和散热器12是彼此直接连接的，但是该氮化物半导体激光元件11和散热器12可以通过其间的子座连接。该子座优选包含导热性极好的SiC或AlN。例如，所用的子座可以是这样制作的子座：向SiC微晶中添加作为粘接剂的氧化铍，然后利用添加到其中的粘接剂烧结SiC。

例3的结构也提供了类似于例1和2的氮化物半导体激光元件的效果。

例4

例4的氮化物半导体激光器件与例1(图1)不同之处在于，没有提供光探测元件，且使用了例2的集成管座。其他结构特点和引起的效果类似于例1和例2。

结合图7描述本发明例4的氮化物半导体激光器件。

图7是本发明的氮化物半导体激光器件的示意图。参考图7，本发明的氮化物半导体激光器件10包括：发射激光束的氮化物半导体激光元件11；其上设有氮化物半导体激光元件的管座14；以及用于在其中密封氮化物半导体激光元件11的罩15。罩15的内部空间用密封的气氛18填充。此外，电极引线17贴附于管座14，且罩15具有窗口16，允许释放从氮化物半导体激光元件发出的激光束。管座14优选由例如Cu、Al或Fe制成。尽管图7的示意图中的氮化物半导体激光元件11和管座14彼此是直接连接的，也可以利用其间的子座将氮化物半导体激光元件11和管座14连接起来。该子座优选包含导热性极好的SiC或AlN。例如，所用的子座可以是这样制作的子座：向SiC微晶中添加作为粘接剂的氧化铍，然后利用添加到其中的粘接剂烧结SiC。

例4的氮化物半导体激光元件也提供了类似于例1和例2的效果。

虽然已经详细描述和图示了本发明，但显然应理解，这些描述和图示仅为举例，而不是用于限制，本发明的精神和范围仅受所附权利要求条款的限制。

本申请以分别于2004年5月26日和2005年3月24日提交到日本专利局的日本专利申请No.2004-156306和2005-086730为依据，在此引入其全部内容以做参考。

Claims

1.一种氮化物半导体激光器件(10)，包括：

氮化物半导体激光元件(11)，其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为420nm的光；以及

管座(14)，其具有所述氮化物半导体激光元件(11)，其中

所述氮化物半导体激光元件(11)密封在罩(15)之内，该罩连接到所述管座(14)，且

所述罩(15)中的气氛具有最高-30℃的露点和小于100ppm的氧浓度。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器件，其中所述气氛具有最高为1.3kPa的压强。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器件，其中所述气氛包括氦气。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器件，其中所述气氛包括氮气。

5.根据权利要求3所述的氮化物半导体激光器件，其中所述气氛具有高于100kPa的压强。

6.根据权利要求4所述的氮化物半导体激光器件，其中所述气氛具有高于100kPa的压强。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器件，其中

所述罩(15)具有窗口(16)，且所述窗口(16)具有至少0.5mm、最多1.0mm的厚度。

8.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器件，其中利用插置在所述罩(15)和所述管座(14)之间的金属将它们连接起来。

9.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器件，其中在所述罩(15)之内提供一具有所述氮化物半导体激光元件(11)的散热器(12)。

10.根据权利要求1所述的氮化物半导体激光器件，其中

在所述罩(15)之内提供光探测元件(13)，用于探测来自所述氮化物半导体激光元件(11)的激光束。

11.一种用于组装如权利要求1所述的氮化物半导体激光器件(10)的组装设备，其包括：

组装机构，其不将所述组装设备的内部开放给外界空气而能够组装被送入所述组装设备中的所述氮化物半导体激光器件(10)；

真空机构，用于在所述组装设备之中产生真空；

气体供给机构，用于以预定的气氛气体替代所述组装设备的内部；

清除机构，用于将所述组装设备内部的所述气氛气体排放到外部；以及

测量机构，用于检测所述组装设备内部的氧浓度和露点。

12.根据权利要求11所述的组装设备，其中

所述组装设备内部的压强、气氛气体类型、氧浓度和露点分别和所述氮化物半导体激光器件(10)的气氛的压强、气体类型、氧浓度和露点相同。

13.根据权利要求11所述的组装设备，其中

所述组装设备内部的压强相对于所述氮化物半导体激光器件(10)的气氛压强的指定值为负压强或正压强。

14.根据权利要求11所述的组装设备，其中

所述组装设备内部的氧浓度低于所述氮化物半导体激光器件(10)的气氛的氧浓度。

15.根据权利要求11所述的组装设备，其中

所述组装设备内部的露点低于所述氮化物半导体激光器件(10)的气氛的露点。

16.一种制造如权利要求1所述的氮化物半导体激光器件(10)的方法，包括如下步骤：使用所述氮化物半导体激光器件(10)的组装设备，将所述氮化物半导体激光器件(10)装入所述组装设备并无需将所述组装设备内部开放给外界空气，组装所述氮化物半导体激光器件(10)。

17.根据权利要求16所述的制造氮化物半导体激光器件的方法，进一步包括如下步骤：

在所述组装设备中产生真空；

设定所述组装设备内部的压强、气氛气体类型、氧浓度和露点，使其分别和所述氮化物半导体激光器件(10)的气氛的压强、气体类型、氧浓度和露点相同。

18.根据权利要求16所述的制造氮化物半导体激光器件的方法，进一步包括如下步骤：

在所述组装设备中产生真空；以及

设定所述组装设备内部的压强，使其相对于所述氮化物半导体激光器件(10)的气氛压强的指定值为负压强或正压强。

19.根据权利要求16所述的制造氮化物半导体激光器件的方法，进一步包括如下步骤：设定所述组装设备内部的氧浓度，使其低于所述氮化物半导体激光器件(10)的气氛的氧浓度。

20.根据权利要求16所述的制造氮化物半导体激光器件的方法，进一步包括如下步骤：设定所述组装设备内部的露点，使其低于所述氮化物半导体激光器件(10)的气氛的露点。

21.根据权利要求17所述的制造氮化物半导体激光器件的方法，进一步包括如下步骤：测量所述组装设备内部的氧浓度和露点。