JPH10313147A - 半導体レーザ光源 - Google Patents
半導体レーザ光源Info
- Publication number
- JPH10313147A JPH10313147A JP11960497A JP11960497A JPH10313147A JP H10313147 A JPH10313147 A JP H10313147A JP 11960497 A JP11960497 A JP 11960497A JP 11960497 A JP11960497 A JP 11960497A JP H10313147 A JPH10313147 A JP H10313147A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- stem
- light source
- laser light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空環境下、あるいは高圧環境下に於いても
設置可能な半導体レーザ光源、および半導体レーザ光源
のパッケージング形態を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ光源において、半導体レー
ザチップ、ヒートシンク、光検出素子、およびステムの
一部、あるいはステムの全部を合成樹脂等の光透過性可
塑性物質により外部から隔絶することで、主な素子を保
護する。
設置可能な半導体レーザ光源、および半導体レーザ光源
のパッケージング形態を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ光源において、半導体レー
ザチップ、ヒートシンク、光検出素子、およびステムの
一部、あるいはステムの全部を合成樹脂等の光透過性可
塑性物質により外部から隔絶することで、主な素子を保
護する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を出射す
る半導体レーザチップ、ヒートシンク、ステム、光検出
素子などから成る半導体レーザ光源に属するものであ
る。。
る半導体レーザチップ、ヒートシンク、ステム、光検出
素子などから成る半導体レーザ光源に属するものであ
る。。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術として知られている例とし
て、図８に示す半導体レーザ光源がある。
て、図８に示す半導体レーザ光源がある。
【０００３】図８の半導体レーザ光源は、レーザ光を出
射する半導体レーザチップ１、半導体レーザチップ１を
端部に接合したヒートシンク２、ヒートシンク２の底面
が接合されたステム３、半導体レーザチップ１から出射
したレーザ光強度をモニタするためにステム３上に配置
された光検出素子４などから成り、半導体レーザチップ
１、ヒートシンク２、光検出素子４が、ステム３と光出
射面にカバーガラス６の取り付けられたキャップ５によ
り不活性ガス８雰囲気中に密封されている。また、ステ
ム３の反対側の面にはＧＮＤ用、半導体レーザ駆動用、
光検出素子用の電極リード線７が取り付けられており、
ＧＮＤ用電極はステムに、半導体レーザ駆動用と光検出
素子用電極は、非図示のワイヤーボンディングによって
各々半導体レーザチップ１と光検出素子４に接合され導
通している。
射する半導体レーザチップ１、半導体レーザチップ１を
端部に接合したヒートシンク２、ヒートシンク２の底面
が接合されたステム３、半導体レーザチップ１から出射
したレーザ光強度をモニタするためにステム３上に配置
された光検出素子４などから成り、半導体レーザチップ
１、ヒートシンク２、光検出素子４が、ステム３と光出
射面にカバーガラス６の取り付けられたキャップ５によ
り不活性ガス８雰囲気中に密封されている。また、ステ
ム３の反対側の面にはＧＮＤ用、半導体レーザ駆動用、
光検出素子用の電極リード線７が取り付けられており、
ＧＮＤ用電極はステムに、半導体レーザ駆動用と光検出
素子用電極は、非図示のワイヤーボンディングによって
各々半導体レーザチップ１と光検出素子４に接合され導
通している。
【０００４】以上、述べたような半導体レーザ光源に於
いて、通常、キャップ５の厚み、およびキャップ５に接
合されているカバーガラス６の厚みはせいぜい０.３ｍ
ｍ程度であるため、ほぼ大気圧に等しい状態で不活性ガ
ス８で密封されている半導体レーザ光源を、そのままの
形態で低真空環境下、あるいは高圧環境下に設置するこ
とは強度的に脆弱であり問題であった。
いて、通常、キャップ５の厚み、およびキャップ５に接
合されているカバーガラス６の厚みはせいぜい０.３ｍ
ｍ程度であるため、ほぼ大気圧に等しい状態で不活性ガ
ス８で密封されている半導体レーザ光源を、そのままの
形態で低真空環境下、あるいは高圧環境下に設置するこ
とは強度的に脆弱であり問題であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、真空
環境下、あるいは高圧環境下に於いても設置可能な半導
体レーザ光源、および半導体レーザ光源のパッケージン
グ形態を提供することにある。
環境下、あるいは高圧環境下に於いても設置可能な半導
体レーザ光源、および半導体レーザ光源のパッケージン
グ形態を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、半導体レーザ光源において、半導体レーザ
チップ、ヒートシンク、光検出素子、およびステムの一
部、あるいはステムの全部を合成樹脂等の光透過性可塑
性物質により外部から隔絶することで、主な素子を保護
している。
するために、半導体レーザ光源において、半導体レーザ
チップ、ヒートシンク、光検出素子、およびステムの一
部、あるいはステムの全部を合成樹脂等の光透過性可塑
性物質により外部から隔絶することで、主な素子を保護
している。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面により本発明の実施例
を説明する。
を説明する。
【０００８】本発明の第１の実施例を図１及び図２に示
す。
す。
【０００９】半導体レーザ光源は、レーザ光を出射する
半導体レーザチップ１、半導体レーザチップ１を端部に
接合したヒートシンク２、ヒートシンク２の底面が接合
されたステム３、半導体レーザチップ１から出射したレ
ーザ光強度をモニタするためにステム３上に配置された
光検出素子４などから成る。ステム３の反対側の面には
ＧＮＤ用、半導体レーザ駆動用、光検出素子用の電極リ
ード線７が取り付けられており、ＧＮＤ用電極はステム
に、半導体レーザ駆動用と光検出素子用電極は、非図示
のワイヤーボンディングによって各々半導体レーザチッ
プ１と光検出素子４に接合され導通している。
半導体レーザチップ１、半導体レーザチップ１を端部に
接合したヒートシンク２、ヒートシンク２の底面が接合
されたステム３、半導体レーザチップ１から出射したレ
ーザ光強度をモニタするためにステム３上に配置された
光検出素子４などから成る。ステム３の反対側の面には
ＧＮＤ用、半導体レーザ駆動用、光検出素子用の電極リ
ード線７が取り付けられており、ＧＮＤ用電極はステム
に、半導体レーザ駆動用と光検出素子用電極は、非図示
のワイヤーボンディングによって各々半導体レーザチッ
プ１と光検出素子４に接合され導通している。
【００１０】上述の半導体レーザ光源に於いて、図１に
示した半導体レーザ光源では、半導体レーザチップ１、
ヒートシンク２、光検出素子４、および電極リード線７
を除くステム３の全部が合成樹脂等の光透過性可塑性物
質９でモールディングした構造となっている。このよう
なパッケージング形態にすれば、従来のパッケージング
形態に於ける、キャップ、カバーガラス等の強度的に脆
弱な部分が無いため、真空環境下、あるいは高圧環境下
に設置することができるようになる。
示した半導体レーザ光源では、半導体レーザチップ１、
ヒートシンク２、光検出素子４、および電極リード線７
を除くステム３の全部が合成樹脂等の光透過性可塑性物
質９でモールディングした構造となっている。このよう
なパッケージング形態にすれば、従来のパッケージング
形態に於ける、キャップ、カバーガラス等の強度的に脆
弱な部分が無いため、真空環境下、あるいは高圧環境下
に設置することができるようになる。
【００１１】図２の半導体レーザ光源では、半導体レー
ザチップ１、ヒートシンク２、光検出素子４、および電
極リード線７とステム３の底面を除いた部分が合成樹脂
等の光透過性可塑性物質９でモールディングした構造と
なっている。このようにすることによって、図１に示し
た半導体レーザ光源と同様に、半導体レーザ光源設置環
境圧力の高低に対する強度が増し、真空環境下、あるい
は高圧環境下に設置することができるようになる。さら
に、ステム３の底面が露出しているため、半導体レーザ
チップ１で発生する熱を効率よく逃がすことができ、放
熱特性が良い利点がある。
ザチップ１、ヒートシンク２、光検出素子４、および電
極リード線７とステム３の底面を除いた部分が合成樹脂
等の光透過性可塑性物質９でモールディングした構造と
なっている。このようにすることによって、図１に示し
た半導体レーザ光源と同様に、半導体レーザ光源設置環
境圧力の高低に対する強度が増し、真空環境下、あるい
は高圧環境下に設置することができるようになる。さら
に、ステム３の底面が露出しているため、半導体レーザ
チップ１で発生する熱を効率よく逃がすことができ、放
熱特性が良い利点がある。
【００１２】本発明の第２の実施例を図３及び図４に示
す。
す。
【００１３】図３に示した半導体レーザ光源では、半導
体レーザチップ１、ヒートシンク２、光検出素子４が、
ステム３と合成樹脂等の光透過性可塑性物質９のキャッ
プにより不活性ガス８雰囲気中に密封されている。この
ようなパッケージング形態にすれば、従来のパッケージ
ング形態に於ける、キャップ、カバーガラス等の強度的
に脆弱な部分を、強度の強い合成樹脂等の光透過性可塑
性物質９のキャップで代替しているため、真空環境下、
あるいは高圧環境下に設置することができるようにな
る。また、本実施例では、半導体レーザチップ１、ヒー
トシンク２、光検出素子４は不活性ガス８雰囲気中に配
置されており、光透過性可塑性物質９によるモールド形
成時に高温にさらされることがないため、高温に対して
弱い半導体レーザチップ、光検出素子を使用した半導体
レーザ光源に適したパッケージング形態である。
体レーザチップ１、ヒートシンク２、光検出素子４が、
ステム３と合成樹脂等の光透過性可塑性物質９のキャッ
プにより不活性ガス８雰囲気中に密封されている。この
ようなパッケージング形態にすれば、従来のパッケージ
ング形態に於ける、キャップ、カバーガラス等の強度的
に脆弱な部分を、強度の強い合成樹脂等の光透過性可塑
性物質９のキャップで代替しているため、真空環境下、
あるいは高圧環境下に設置することができるようにな
る。また、本実施例では、半導体レーザチップ１、ヒー
トシンク２、光検出素子４は不活性ガス８雰囲気中に配
置されており、光透過性可塑性物質９によるモールド形
成時に高温にさらされることがないため、高温に対して
弱い半導体レーザチップ、光検出素子を使用した半導体
レーザ光源に適したパッケージング形態である。
【００１４】図４の半導体レーザ光源も、図３に示した
半導体レーザ光源と同じパッケージング形態であるが、
ステム３の底面を露出させているため、半導体レーザチ
ップ１で発生する熱を効率よく逃がすことができ、放熱
特性が良い利点がある。
半導体レーザ光源と同じパッケージング形態であるが、
ステム３の底面を露出させているため、半導体レーザチ
ップ１で発生する熱を効率よく逃がすことができ、放熱
特性が良い利点がある。
【００１５】本発明の第３の実施例を図５、図６及び図
７に示す。
７に示す。
【００１６】図５に示した半導体レーザ光源では、半導
体レーザチップ１、ヒートシンク２、光検出素子４、お
よび電極リード線７を除くステム３の全部が合成樹脂等
の光透過性可塑性物質９でモールディングした構造とな
っている。さらに、この光透過性可塑性物質の光出射側
は光透過性可塑性物質自体がレンズ等の光素子としての
機能を有している。例えば、図５に示したように屈折率
が中心軸対称に二乗分布しているグレーテッドインデッ
クスレンズ10を形成している。或いは図６に示したよう
に、光透過性可塑性物質の光出射側に曲率を持たせた構
造にし、レンズ11を形成する。このような形態にするこ
とによって、第１の実施例、第２の実施例と同様に半導
体レーザ光源を、真空環境下、あるいは高圧環境下に設
置することができるようになることに加え、半導体レー
ザチップ１出射後のレーザ光をコリメートするためのレ
ンズ、およびレンズホルダ等が不用となり、構成を簡素
にできる。
体レーザチップ１、ヒートシンク２、光検出素子４、お
よび電極リード線７を除くステム３の全部が合成樹脂等
の光透過性可塑性物質９でモールディングした構造とな
っている。さらに、この光透過性可塑性物質の光出射側
は光透過性可塑性物質自体がレンズ等の光素子としての
機能を有している。例えば、図５に示したように屈折率
が中心軸対称に二乗分布しているグレーテッドインデッ
クスレンズ10を形成している。或いは図６に示したよう
に、光透過性可塑性物質の光出射側に曲率を持たせた構
造にし、レンズ11を形成する。このような形態にするこ
とによって、第１の実施例、第２の実施例と同様に半導
体レーザ光源を、真空環境下、あるいは高圧環境下に設
置することができるようになることに加え、半導体レー
ザチップ１出射後のレーザ光をコリメートするためのレ
ンズ、およびレンズホルダ等が不用となり、構成を簡素
にできる。
【００１７】図７の半導体レーザ光源は、図１に示した
半導体レーザ光源と同じパッケージング形態であるが、
光透過性可塑性物質９中に別種の光素子を一体型モール
ド化して配置している。このような形態にすることは、
図５に示した半導体レーザ光源のように光透過性可塑性
物質自体がレンズ等の光素子としての機能を有している
のと同じ効果があるが、光透過性可塑性物質９中に配置
するレンズ12を、球面レンズ、シリンダレンズ、非球面
レンズ、張り合わせレンズ等に、またレンズ材質の屈折
率も任意に選べるため、半導体レーザ光源の使用目的に
応じた形態に合わせることができる。
半導体レーザ光源と同じパッケージング形態であるが、
光透過性可塑性物質９中に別種の光素子を一体型モール
ド化して配置している。このような形態にすることは、
図５に示した半導体レーザ光源のように光透過性可塑性
物質自体がレンズ等の光素子としての機能を有している
のと同じ効果があるが、光透過性可塑性物質９中に配置
するレンズ12を、球面レンズ、シリンダレンズ、非球面
レンズ、張り合わせレンズ等に、またレンズ材質の屈折
率も任意に選べるため、半導体レーザ光源の使用目的に
応じた形態に合わせることができる。
【００１８】本発明の第４の実施例は、第１の実施例か
ら第３の実施例において記述した半導体レーザ光源のレ
ーザ光を出射する半導体レーザチップに窒素化合物を含
んだものを使用する。窒素化合物を含んだ半導体レーザ
チップとしては、例えばＧａＮ青色半導体レーザ等があ
る。
ら第３の実施例において記述した半導体レーザ光源のレ
ーザ光を出射する半導体レーザチップに窒素化合物を含
んだものを使用する。窒素化合物を含んだ半導体レーザ
チップとしては、例えばＧａＮ青色半導体レーザ等があ
る。
【００１９】一般に窒素化合物を含んだ半導体レーザチ
ップは、耐熱性に優れており一時的に高温環境になって
もその光学特性が変化することはないので、光透過性可
塑性物質を充填してモールディングしても特性が劣化す
ることは無い。
ップは、耐熱性に優れており一時的に高温環境になって
もその光学特性が変化することはないので、光透過性可
塑性物質を充填してモールディングしても特性が劣化す
ることは無い。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体レーザ光源において、半導体レーザチップ、ヒート
シンク、光検出素子、およびステムの一部、あるいはス
テムの全部を合成樹脂等の光透過性可塑性物質により外
部から隔絶する。
導体レーザ光源において、半導体レーザチップ、ヒート
シンク、光検出素子、およびステムの一部、あるいはス
テムの全部を合成樹脂等の光透過性可塑性物質により外
部から隔絶する。
【００２１】このようにすることによって、真空環境
下、あるいは高圧環境下に於いても配置可能な半導体レ
ーザ光源を実現することができる。
下、あるいは高圧環境下に於いても配置可能な半導体レ
ーザ光源を実現することができる。
【図１】 本発明の半導体レーザ光源を示す模式図であ
る。
る。
【図２】 本発明の半導体レーザ光源を示す模式図であ
る。
る。
【図３】 本発明の半導体レーザ光源を示す模式図であ
る。
る。
【図４】 本発明の半導体レーザ光源を示す模式図であ
る。
る。
【図５】 本発明の半導体レーザ光源を示す模式図であ
る。
る。
【図６】 本発明の半導体レーザ光源を示す模式図であ
る。
る。
【図７】 本発明の半導体レーザ光源を示す模式図であ
る。
る。
【図８】 従来の半導体レーザ光源を示す模式図であ
る。
る。
１… 半導体レーザチップ、２… ヒートシンク、３…
ステム、４… 光検出素子、５… キャップ、６… カバ
ーガラス、７… 電極リード線、８… 不活性ガス、９…
光透過性可塑性物質、10 … 光透過性可塑性物質グレ
ーテッドインデックスレンズ形成部、11 …光透過性可
塑性物質レンズ形成部、12 … レンズ
ステム、４… 光検出素子、５… キャップ、６… カバ
ーガラス、７… 電極リード線、８… 不活性ガス、９…
光透過性可塑性物質、10 … 光透過性可塑性物質グレ
ーテッドインデックスレンズ形成部、11 …光透過性可
塑性物質レンズ形成部、12 … レンズ
Claims (5)
- 【請求項１】 レーザ光を出射する半導体レーザチップ
と、該半導体レーザチップを接合したヒートシンクと、
該ヒートシンクを接合したステムと、該半導体レーザチ
ップから出射したレーザ光強度をモニタするために該ス
テム上に配置された光検出素子などから成る半導体レー
ザ光源において、該半導体レーザチップ、該ヒートシン
ク、該光検出素子、および該ステムの一部、あるいは該
ステムの全部が合成樹脂等の光透過性可塑性物質により
外部から隔絶されていることを特徴とする半導体レーザ
光源。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザ光源におい
て、半導体レーザチップ、ヒートシンク、光検出素子、
およびステムの一部、あるいはステムの全部を外部から
隔絶する一形態として、該半導体レーザチップ、該ヒー
トシンク、該光検出素子、および該ステムの一部、ある
いは該ステムの全部が合成樹脂等の光透過性可塑性物質
により充填されていることを特徴とする半導体レーザ光
源。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体レーザ光源におい
て、半導体レーザチップ、ヒートシンク、光検出素子、
およびステムの一部、あるいはステムの全部を外部から
隔絶する一形態として、該半導体レーザチップ、該ヒー
トシンク、該光検出素子、および該ステムの一部が合成
樹脂等の光透過性可塑性物質製のキャップにより不活性
ガス雰囲気中に密封されていることを特徴とする半導体
レーザ光源。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体レーザ光源におい
て、合成樹脂等の光透過性可塑性物質自体がレンズ等の
光素子としての機能を有する、もしくは該光透過性可塑
性物質中に別種の光素子を一体型モールド化して配置し
たことを特徴とする半導体レーザ光源。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体レーザ光源におい
て、レーザ光を出射する半導体レーザチップは窒素化合
物を含んでいることを特徴とする半導体レーザ光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11960497A JPH10313147A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 半導体レーザ光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11960497A JPH10313147A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 半導体レーザ光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10313147A true JPH10313147A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14765518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11960497A Withdrawn JPH10313147A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 半導体レーザ光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10313147A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100355161C (zh) * | 2004-05-26 | 2007-12-12 | 夏普株式会社 | 氮化物半导体激光器件 |
| US7573924B2 (en) | 2004-05-26 | 2009-08-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device |
| US7656916B2 (en) | 2006-12-22 | 2010-02-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device and method for fabricating same |
| US8335242B2 (en) | 2004-01-21 | 2012-12-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device mounted on a stem |
| WO2017134923A1 (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| CN111613516A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-09-01 | 沈阳国联环保科技有限公司 | 一种医药检测设备用长寿命光源 |
-
1997
- 1997-05-09 JP JP11960497A patent/JPH10313147A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8335242B2 (en) | 2004-01-21 | 2012-12-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device mounted on a stem |
| CN100355161C (zh) * | 2004-05-26 | 2007-12-12 | 夏普株式会社 | 氮化物半导体激光器件 |
| US7573924B2 (en) | 2004-05-26 | 2009-08-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device |
| US7656916B2 (en) | 2006-12-22 | 2010-02-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device and method for fabricating same |
| WO2017134923A1 (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| CN111613516A (zh) * | 2020-06-18 | 2020-09-01 | 沈阳国联环保科技有限公司 | 一种医药检测设备用长寿命光源 |
| CN111613516B (zh) * | 2020-06-18 | 2023-03-10 | 沈阳国联环保科技有限公司 | 一种医药检测设备用长寿命光源 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040803 |